JP4803138B2 - 光記録媒体及びその再生方法 - Google Patents

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Description

本発明は、基板及び基板よりも薄いカバー層の間に３層以上の情報層が備えられた光記録媒体及びその再生方法に関する。
情報記録媒体としてＣＤ（Ｃｏｍｐａｃｔ Ｄｉｓｃ）、ＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ）等の光記録媒体が広く利用されている。更に、近年、記録／再生のために従来よりも波長が短い青色又は青紫色のレーザー光が用いられると共に開口数ＮＡが従来よりも大きい対物レンズが用いられ、従来よりも大容量の情報が記録可能であるＢｌｕ−ｒａｙ Ｄｉｓｃ（登録商標：以下「ＢＤ」と呼ぶ）と称される光記録媒体が普及しつつある。具体的には、記録／再生のためのレーザー光の波長が（３７５〜４３５ｎｍの範囲の）４０５ｎｍであり、レーザー光を照射するための対物レンズの開口数ＮＡが（０．７〜０．９５の範囲の）０．８５である再生機や記録／再生機及びこれらに対応した光記録媒体が普及しつつある。
尚、ＢＤと称される光記録媒体には（０．１〜０．５μｍの範囲の）０．３２μｍのトラックピッチでトラックが形成される。又、ＢＤと称される光記録媒体は、データの追記や書き換えができないＢＤ−ＲＯＭ、データを１回だけ追記できるＢＤ−Ｒ、データの書き換えができるＢＤ−ＲＥに大別される。
ところで光記録媒体は反り等により傾きが生じると情報層におけるレーザー光の光スポットが歪んでボケが生じ、エラーの原因となることがある。対物レンズの開口数が大きい程、光記録媒体内におけるレーザー光の幅が広くなるので傾きに起因する光スポットの歪みが大きくなりやすい。ＢＤと称される光記録媒体は上記のように開口数ＮＡが従来よりも大きい対物レンズが用いられるので傾きに起因する光スポットの歪みが大きくなりやすい。一方、情報層の位置が光入射面（光記録媒体におけるカバー層側の表面）に近い程、光入射面から情報層までのレーザー光の光路長が短いので、光記録媒体の傾きが同じであっても情報層におけるレーザー光の光スポットの歪みは小さく抑制される。従って、光記録媒体の傾きに起因するエラーを抑制するためには、できるだけ光入射面に近い位置に情報層を設置することが好ましい。ＢＤと称される光記録媒体では、光入射面から１２０μｍ以下の範囲に情報層を設置する必要があり、光入射面から１１０μｍ以下の範囲に情報層を設置することが好ましいと考えられている。
又、光入射面に指紋（皮脂）やゴミ等の異物が付着すると情報層におけるレーザー光の光スポットに異物が反映され、エラーの原因となることがある。異物の大きさが同じであっても情報層の位置が光入射面に近い程、光スポットにおける異物の影響を受ける部分の割合が大きくなる。従って、光入射面の異物によるエラーを抑制するためには、できるだけ光入射面から遠い位置に情報層を設置することが好ましい。ＢＤと称される光記録媒体では、光入射面から４０μｍ以上の範囲に情報層を設置する必要があり、光入射面から５０μｍ以上の範囲に情報層を設置することが好ましいと考えられている。
このような事情によりＢＤと称される光記録媒体には基板よりも薄いカバー層が備えられ、光入射面から所定の距離の範囲に情報層が設置されており、光記録媒体の傾きに起因するエラー及び光入射面の異物によるエラーが抑制されている。具体的には、光入射面から約１００μｍの位置に情報層が設置された光記録媒体が普及しつつある。
又、光記録媒体は、基板及びカバー層の間に、透光性を有するスペーサ層を挟んで複数の情報層を備えることで記録容量を高めることができる。尚、複数の情報層を備える光記録媒体にデータを記録する場合、記録用のレーザー光の焦点を記録対象の情報層に合わせることで記録対象の情報層に選択的にデータを記録することができる。又、再生用のレーザー光の焦点を再生対象の情報層に合わせることで、再生対象の情報層から選択的にデータを再生することができる。ＢＤと称される光記録媒体でも複数の情報層を備える構造が提案されており、光入射面から約１００μｍの位置にＬ０情報層（第１情報層）が設置され、光入射面から約７５μｍの位置にＬ１情報層（第２情報層）が設置された２層構造の光記録媒体が普及しつつある。
更に、ＢＤと称される光記録媒体では３層以上の多層構造も提案されている。３層以上の多層構造の場合も、３層以上の総ての情報層を光入射面から４０μｍ以上、且つ、１２０μｍ以下の範囲内に設置することが好ましい。
しかしながら、このような微小な範囲内に３層以上の情報層を設置すると、再生時のクロストークが問題となることがある。より詳細には光記録媒体に照射される再生用レーザー光はデータの再生対象の情報層において反射されるだけでなく、再生用レーザー光の一部は他の情報層でも様々な態様で反射され、再生対象の情報層で反射される信号光に影響を与えることがある。クロストークには、主として層間クロストークと共焦点クロストークの２つの態様があると考えられている（例えば、特許文献１、２参照）。
層間クロストークは、再生対象の情報層とは別の他の情報層で反射されたクロストーク光が再生対象の情報層で反射された信号光に影響する現象であり、３層以上の多層構造の光記録媒体だけでなく２層構造の光記録媒体でも生じることがある。３層以上の多層構造の光記録媒体の場合、層間クロストークは複数のスペーサ層を相互に異なる厚さとすることで抑制されると考えられている。又、クロストーク光が通過する情報層の間のスペーサ層が厚い程、層間クロストークは抑制され、スペーサ層の厚さが１５μｍ以上であれば層間クロストークは実質的に問題ないレベルに抑制されると考えられている。
一方、共焦点クロストークは再生対象の情報層において１回だけ反射される信号光の光路と他の反射態様のクロストーク光の光路とが最終的に一致することにより、実際には光記録媒体の中における両者の焦点の位置が異なるにも拘わらず、フォトディテクタにおいては両者が共通の焦点から反射されたように検知される現象であり、３層以上の多層構造の光記録媒体で生じる。光記録媒体の各層の厚さは周方向で微小なばらつきを有するため、周方向に共焦点クロストークの影響が大きい部位と共焦点クロストークの影響が小さい部位とが混在し、これにより１周あたりの反射率変動が大きくなってデータの再生精度が低下することがある。このような共焦点クロストークも複数のスペーサ層を相互に異なる厚さとすることで抑制できると考えられる。
特開２００４−２１３７２０号公報 特開２００６−７３０５３号公報
しかしながら、層間クロストーク及び共焦点クロストークを両方とも抑制するためには、各スペーサ層の厚さを層間クロストークを抑制できる厚さ以上の厚さとし、且つ、共焦点クロストークを抑制するために各スペーサ層の厚さを相互に異なる厚さとする必要がある。言い換えれば、一部のスペーサ層については層間クロストークを抑制できる厚さよりも厚くする必要がある。このようにスペーサ層の厚さを厚くすることにより情報層の厚さ方向の設置密度が小さくなり情報層の設置数が少なくなってしまうという問題がある。
尚、情報層の設置範囲を光入射面から遠い側に拡大することで情報層の設置数を増加させることが考えられるが、上記のように光記録媒体の傾きによるエラーが生じやすくなるという問題がある。又、情報層の設置範囲を光入射面に近い側に拡大することで情報層の設置数を増加させることも考えられるが、上記のように光入射面の異物によるエラーが生じやすくなるという問題がある。
本発明は、以上の問題に鑑みてなされたものであって、３層以上の情報層を備え、再生時のクロストークを抑制しつつ従来よりも情報層の厚さ方向の設置密度を高めることが可能である光記録媒体及びその再生方法を提供することを目的とする。
本発明は、基板と、第１情報層と、第１スペーサ層と、第２情報層と、第２スペーサ層と、第３情報層と、基板よりも薄いカバー層と、を有する３層以上の多層構造であり、これらの層がこの順で基板の上に配置され、第１情報層の反射率をＲ１、第２情報層の反射率をＲ２、第３情報層の反射率をＲ３として次の式(I)を満足し、
(Ｒ２×Ｒ３×Ｒ２)／Ｒ１≦０．００３２ 式(I)
第１スペーサ層の厚さと第２スペーサ層の厚さとが等しい光記録媒体により上記目的を達成するものである。
又、本発明は、基板と、第１情報層と、第１スペーサ層と、第２情報層と、第２スペーサ層と、第３情報層と、第３スペーサ層と、第４情報層と、基板よりも薄いカバー層と、を有する４層以上の多層構造であり、これらの層がこの順で基板の上に配置され、第１情報層の反射率をＲ１、第２情報層の反射率をＲ２、第３情報層の反射率をＲ３、第４情報層の反射率をＲ４として次の式(II)を満足し、
（Ｒ２×Ｒ３×Ｒ４×２)／Ｒ１≦０．００３２ 式(II)
第１スペーサ層の厚さと第３スペーサ層の厚さとが等しい光記録媒体により上記目的を達成するものである。
又、本発明は、基板と、第１情報層と、第１スペーサ層と、第２情報層と、第ｎ−１情報層と、第ｎ−１スペーサ層と、第ｎ情報層と、基板よりも薄いカバー層と、を有するｎ層以上の多層構造であり（ｎは５以上の整数）、これらの層がこの順で前記基板の上に配置され、第１情報層の反射率をＲ１、第２情報層の反射率をＲ２、第ｎ−１情報層の反射率をＲｎ−１、第ｎ情報層の反射率をＲｎとして次の式(III)を満足し、
（Ｒ２×Ｒｎ−１×Ｒｎ×２)／Ｒ１≦０．００３２ 式(III)
第１スペーサ層の厚さと第ｎ−１スペーサ層の厚さとが等しい光記録媒体により上記目的を達成するものである。
発明者らは、情報層の反射率やスペーサ層の厚さが異なる様々な光記録媒体のサンプルを用意し、これらサンプルの再生特性を測定したところ、３層以上の多層構造の光記録媒体の隣り合う３層の情報層の反射率が上記式(I)の関係を満たしていれば、これらの情報層の間の２層のスペーサ層の厚さが等しくても共焦点クロストークが実用上問題がないレベルに抑制されることを見出した。尚、４層以上の構造の光記録媒体の場合も、隣り合ういずれか３層の情報層の反射率が上記式(I)の関係を満たしていれば、これら３層の情報層について共焦点クロストークを抑制する効果が得られる。
又、４層以上の多層構造の光記録媒体の隣り合う４層の情報層の反射率が上記式(II)の関係を満たしていれば、これら４層の情報層の間の３層のスペーサ層のうち最も基板側のスペーサ層の厚さと最もカバー層側のスペーサ層の厚さが等しくても共焦点クロストークが実用上問題がないレベルに抑制されることを見出した。尚、５層以上の構造の光記録媒体の場合も、隣り合ういずれか４層の情報層の反射率が上記式(II)の関係を満たしていれば、これら４層の情報層について共焦点クロストークを抑制する効果が得られる。
又、基板と、第１情報層と、第１スペーサ層と、第２情報層と、第ｎ−１情報層と、第ｎ−１スペーサ層と、第ｎ情報層と、基板よりも薄いカバー層と、を有し、これらの層がこの順で基板の上に配置されたｎ層以上の多層構造（ｎは５以上の整数）の光記録媒体についても、第１情報層の反射率Ｒ１、第２情報層の反射率Ｒ２、第ｎ−１情報層の反射率Ｒｎ−１、第ｎ情報層の反射率Ｒｎが上記式(III)の関係を満たしていれば、第１スペーサ層及び第ｎ−１スペーサ層の厚さが等しくても共焦点クロストークが実用上問題がないレベルに抑制されることを見出した。尚、少なくとも２層のスペーサ層を介して配置された他の２層のスペーサ層（一方又は両方が第１スペーサ層、第ｎ−１スペーサ層ではない２層のスペーサ層）の厚さが等しい場合も、これら２層のスペーサ層に隣接する４層の情報層の反射率が上記式(III)に相当する関係を満たしていれば、これらｎ層の情報層について共焦点クロストークを抑制する効果が得られる。
尚、第１情報層の反射率が１％の場合、Ｒ１は０．０１である。Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒｎ−１、Ｒｎについても同様である。
複数のスペーサ層の厚さが等しくても共焦点クロストークが抑制されるので、複数のスペーサ層のうち従来は共焦点クロストークを抑制するために厚くされていたスペーサ層を従来よりも薄くできる。従って、従来よりも厚さ方向の情報層の設置密度を高めることができる。
これにより、例えば、光入射面に最も近い情報層の設置位置及び光入射面から最も遠い情報層の設置位置が従来と同じであれば、従来よりも情報層の設置数を増加させることができる。又、情報層の設置数が同じ場合、光入射面に最も近い情報層の設置位置を従来よりも光入射面から遠い側に変更したり光入射面から最も遠い情報層の設置位置を従来よりも光入射面に近い側に変更することができ、光記録媒体の傾きによるエラーや光入射面の異物によるエラーを抑制することができる。
このように本発明は複数の情報層の反射率を所定の関係に制限することで共焦点クロストークを抑制しつつ少なくとも２層のスペーサ層の厚さを等しくして少なくとも１層のスペーサ層の厚さを抑制したものであり、３層以上の多層構造の光記録媒体では複数のスペーサ層を相互に異なる厚さとすることが常識とされていた従来の多層構造の光記録媒体とは異なるコンセプトに基づいてなされたものである。
即ち、以下の発明により上記目的を達成することができる。
（１）基板と、第１情報層と、第１スペーサ層と、第２情報層と、第２スペーサ層と、第３情報層と、前記基板よりも薄いカバー層と、を有する３層以上の多層構造であり、これらの層がこの順で前記基板の上に配置され、前記第１情報層の反射率をＲ１、前記第２情報層の反射率をＲ２、前記第３情報層の反射率をＲ３として次の式(I)を満足し、
(Ｒ２×Ｒ３×Ｒ２)／Ｒ１≦０．００３２ 式(I)
前記第１スペーサ層の厚さと前記第２スペーサ層の厚さとが等しいことを特徴とする光記録媒体。
（２）基板と、第１情報層と、第１スペーサ層と、第２情報層と、第２スペーサ層と、第３情報層と、第３スペーサ層と、第４情報層と、前記基板よりも薄いカバー層と、を有する４層以上の多層構造であり、これらの層がこの順で前記基板の上に配置され、前記第１情報層の反射率をＲ１、前記第２情報層の反射率をＲ２、前記第３情報層の反射率をＲ３、前記第４情報層の反射率をＲ４として次の式(II)を満足し、
（Ｒ２×Ｒ３×Ｒ４×２)／Ｒ１≦０．００３２ 式(II)
前記第１スペーサ層の厚さと前記第３スペーサ層の厚さとが等しいことを特徴とする光記録媒体。
（３） （２）において、前記第１スペーサ層の厚さと前記第２スペーサ層の厚さとの差が３μｍ以上であることを特徴とする光記録媒体。
（４）基板と、第１情報層と、第１スペーサ層と、第２情報層と、第ｎ−１情報層と、第ｎ−１スペーサ層と、第ｎ情報層と、前記基板よりも薄いカバー層と、を有するｎ層以上の多層構造であり（ｎは５以上の整数）、これらの層がこの順で前記基板の上に配置され、前記第１情報層の反射率をＲ１、前記第２情報層の反射率をＲ２、前記第ｎ−１情報層の反射率をＲｎ−１、前記第ｎ情報層の反射率をＲｎとして次の式(III)を満足し、
（Ｒ２×Ｒｎ−１×Ｒｎ×２)／Ｒ１≦０．００３２ 式(III)
前記第１スペーサ層の厚さと前記第ｎ−１スペーサ層の厚さとが等しいことを特徴とする光記録媒体。
（５） （１）乃至（４）のいずれかにおいて、光入射面から厚さ方向に５０μｍ以上の範囲に総ての情報層が設置されたことを特徴とする光記録媒体。
（６） （１）乃至（５）のいずれかにおいて、光入射面から厚さ方向に１２０μｍ以下の範囲に総ての情報層が設置されたことを特徴とする光記録媒体。
（７） （１）乃至（６）のいずれかにおいて、前記情報層のうちの少なくとも２層の情報層の再生において異なる再生パワーの再生用レーザー光を照射することを指示する情報が記録されたことを特徴とする光記録媒体。
（８） （１）乃至（７）に記載のいずれかの光記録媒体に含まれる前記情報層のうちの少なくとも２層の情報層の再生において異なる再生パワーの再生用レーザー光を照射して前記各情報層に記録された情報を再生することを特徴とする光記録媒体の再生方法。
尚、本出願の出願時において概ね±１μｍの精度でスペーサ層を成膜することが可能である。即ち、スペーサ層の厚さのばらつきは２μｍ程度である。従って、本出願において「第１スペーサ層の厚さと第２スペーサ層の厚さとが等しい」とは、第１スペーサ層の厚さと第２スペーサ層の厚さとの差が２μｍ以下であるという意味で用いることとする。「第１スペーサ層、第２スペーサ層及び第３スペーサ層の少なくとも２層の厚さが等しい」についても同様である。
本発明によれば、３層以上の情報層を備え、再生時のクロストークを抑制しつつ従来よりも情報層の厚さ方向の設置密度を高めることが可能である光記録媒体を実現できる。
以下、本発明を実施するための好ましい形態について図面を参照して詳細に説明する。
本発明の第１実施形態に係る光記録媒体１０は、図１に示されるように、基板１２と、第１情報層１４と、第１スペーサ層１６と、第２情報層１８と、第２スペーサ層２０と、第３情報層２２と、基板１２よりも薄いカバー層２４と、を有する３層構造であり、これらの層がこの順で基板１２の上に配置され、第１情報層１４の反射率をＲ１、第２情報層１８の反射率をＲ２、第３情報層２２の反射率をＲ３として次の式(I)を満足し、
(Ｒ２×Ｒ３×Ｒ２)／Ｒ１≦０．００３２ 式(I)
第１スペーサ層１６の厚さと第２スペーサ層２０の厚さとが等しいことを特徴としている。他の構成については、本第１実施形態の理解に特に重要とは思われないため説明を適宜省略する。尚、図１中の符号２６は、再生用のフォトディテクタであり、第１情報層１４の反射率Ｒ１、第２情報層１８の反射率Ｒ２、第３情報層２２の反射率Ｒ３は、いずれもフォトディテクタ２６で検出される反射率である。
光記録媒体１０は、外径が約１２０ｍｍ、厚さが約１．２ｍｍの円板形状であり、記録／再生のために波長が（３７５〜４３５ｎｍの範囲の）４０５ｎｍの青色又は青紫色のレーザー光が用いられる。
基板１２は、厚さが約１．１ｍｍで、そのカバー層２４側の面にはグルーブ又はピットを構成する凹凸パターンが形成されている。尚、「グルーブ」、「ピット」という用語は一般的にはデータの記録／再生のために使用される凹部という意味で用いられるが、データの記録／再生のために使用される部位がカバー層２４側に突出する凸部であっても本出願では便宜上「グルーブ」、「ピット」という用語を用いることとする。本第１実施形態では、カバー層２４側に突出する凸部がグルーブ又はピットである。グルーブ又はピットは（０．１〜０．５μｍの範囲の）０．３２μｍのトラックピッチで形成されている。基板１２の材料としてはポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂等を用いることができる。
第１情報層１４の反射率Ｒ１は、第２情報層１８の反射率Ｒ２よりも大きいことが好ましく、第２情報層１８の反射率Ｒ２及び第３情報層２２の反射率Ｒ３のいずれの値よりも大きいことがより好ましい。
又、第１情報層１４の反射率Ｒ１、第２情報層１８の反射率Ｒ２、第３情報層２２の反射率Ｒ３はいずれも０．０１（１（％））以上であることが好ましい。従って、
０．０００１≦(Ｒ２×Ｒ３×Ｒ２)／Ｒ１
であることが好ましい。
第１情報層１４は、光記録媒体１０におけるカバー層２４側の表面である光入射面２８から厚さ方向に１２０μｍ以下の範囲に設置されている。即ち、第１情報層１４、第２情報層１８及び第３情報層２２はいずれも光入射面２８から厚さ方向に１２０μｍ以下の範囲に設置されている。第１情報層１４、第２情報層１８及び第３情報層２２はいずれも光入射面２８から厚さ方向に１１０μｍ以下の範囲に設置されていることが好ましい。
又、第３情報層２２は、光入射面２８から厚さ方向に４０μｍ以上の範囲に設置されている。即ち、第１情報層１４、第２情報層１８及び第３情報層２２はいずれも、光入射面２８から厚さ方向に４０μｍ以上の範囲に設置されている。第１情報層１４、第２情報層１８及び第３情報層２２はいずれも、光入射面２８から厚さ方向に５０μｍ以上の範囲に設置されていることが好ましく、光入射面２８から厚さ方向に６０μｍ以上の範囲に設置されていることが更に好ましい。
第１情報層１４、第２情報層１８及び第３情報層２２は、ＲＯＭ型、Ｒ型、ＲＥ型により構成が異なる。
ＲＯＭ型の場合、第１情報層１４、第２情報層１８及び第３情報層２２は、基板１２、第１スペーサ層１６、第２スペーサ層２０のカバー層２４側の凹凸のピットパターンの表面に形成された反射膜で構成される。反射膜の材料としてはＡｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｐｔ等の金属材料やＴｉＯ２等の誘電体材料を用いることができる。
Ｒ型の場合、第１情報層１４、第２情報層１８及び第３情報層２２は、基板１２、第１スペーサ層１６、第２スペーサ層２０のカバー層２４側の凹凸のグルーブパターンに倣って形成された有機色素材料や無機材料の記録膜を有し、更に必要に応じて記録膜の片面又は両面に形成された誘電体膜や反射膜を備える。
Ｒ型の記録膜の厚さは、１０〜１００ｎｍであることが好ましい。無機材料としては、例えば、実質的にＢｉ、Ｏ及びＭ（ＭはＭｇ、Ｃａ、Ｙ、Ｄｙ、Ｃｅ、Ｔｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｈｏ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｐｂの中から選択される少なくとも１種の元素）からなり、記録膜を構成する総ての原子の数に対するＯの原子数の比率が６２％以上である材料を用いることができる。又、実質的にＢｉ及びＯからなり、記録膜を構成する総ての原子の数に対するＯの原子数の比率が６２％以上である材料を用いてもよい。
又、第１情報層１４の記録膜の材料として、基板１２側がＣｕ層でありカバー層２４側がＳｉ層である積層構造の材料を用いてもよい。又、第１情報層１４、第２情報層１８及び第３情報層２２の記録膜の材料として相変化材料を用いてもよい。
誘電体膜の厚さは、２〜２０ｎｍであることが好ましい。誘電体膜の材料としては、例えば、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５等の酸化物、ＳｉＮ、ＡｌＮ、ＧｅＮ、ＧｅＣｒＮ、ＴｉＮ等の窒化物、ＺｎＳ等の硫化物、又、例えば、ＺｎＳとＳｉＯ２との混合物のように、これらを組合わせた材料を主成分とする材料等を用いることができる。尚、反射膜の材料としては上記ＲＯＭ型の反射膜と同様の材料を用いることができる。
ＲＥ型の場合、第１情報層１４、第２情報層１８及び第３情報層２２は、基板１２、第１スペーサ層１６、第２スペーサ層２０のカバー層２４側の凹凸のグルーブパターンに倣って形成された相変化材料の記録膜を有し、更に必要に応じて記録膜の片面又は両面に形成された反射膜や誘電体膜を備える。反射膜、誘電体膜の材料としては上記ＲＯＭ型の反射膜、Ｒ型の誘電体膜と同様の材料を用いることができる。
尚、第１情報層１４、第２情報層１８、第３情報層２２が記録膜、誘電体膜等の複数の膜からなる構造である場合、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は、複数の膜からなる情報層全体の反射率である。又、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は、第１情報層１４、第２情報層１８、第３情報層２２の記録部のスペース部分又は未記録部の反射率である。例えば、Ｒ型やＲＥ型の場合、第１情報層１４、第２情報層１８、第３情報層２２は、記録部の記録マーク部分の反射率が記録部のスペース部分や未記録部の反射率と異なり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は、第１情報層１４、第２情報層１８、第３情報層２２の記録部のスペース部分や未記録部の反射率である。又、ＲＯＭ型で第１情報層１４、第２情報層１８、第３情報層２２の全面が記録部で記録部にピットが形成されている場合、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は、第１情報層１４、第２情報層１８、第３情報層２２の記録部のスペース部分（ピットがない部分）の反射率である。
第１スペーサ層１６及び第２スペーサ層２０の厚さは例えば５〜３０μｍ程度であり、１５〜３０μｍであることが好ましい。第１スペーサ層１６及び第２スペーサ層２０の両面は基板１２と同様のグルーブの凹凸パターンとなっている。尚、基板１２、第１スペーサ層１６、第２スペーサ層２０の凹凸パターンの段差は数十ｎｍ（例えば２０ｎｍ）程度であり、基板１２、第１スペーサ層１６、第２スペーサ層２０の厚さに対して著しく小さく、又、本第１実施形態の理解のために特に重要とは思われないので図１では凹凸パターンの図示を省略する。第１スペーサ層１６及び第２スペーサ層２０の材料としては、透光性を有するアクリル系紫外線硬化性樹脂、エポキシ系紫外線硬化性樹脂等のエネルギ線硬化性樹脂を用いることができる。
第１情報層１４は、基板１２の凹凸パターンに倣って凹凸パターンで形成されている。又、第２情報層１８は、第１スペーサ層１６の凹凸パターンに倣って凹凸パターンで形成されている。又、第３情報層２２は、第２スペーサ層２０の凹凸パターンに倣って凹凸パターンで形成されている。
カバー層２４は、厚さが例えば３０〜１２０μｍである。カバー層２４の材料としては第１スペーサ層１６及び第２スペーサ層２０と同様に透光性を有するアクリル系紫外線硬化性樹脂、エポキシ系紫外線硬化性樹脂等のエネルギ線硬化性樹脂を用いることができる。ここで、「エネルギ線」という用語は、流動状態の特定の樹脂を硬化させる性質を有する、例えば紫外線、電子線等の電磁波、粒子線の総称という意義で用いることとする。尚、カバー層２４を形成する方法としては、流動性を有する樹脂を基板上に塗布してからエネルギ線を照射して硬化させてもよく、透光性のフィルムを基板上に貼り付けてもよい。又、カバー層２４の上には数μｍのハードコート層を設置してもよい。このようなハードコート層が設置される場合、光入射面２８はハードコート層の表面である。又、ハードコート層が設置されずカバー層２４が露出している場合には、光入射面２８はカバー層２４の表面である。
次に、光記録媒体１０の作用について説明する。
光記録媒体１０は、第１スペーサ層１６及び第２スペーサ層２０の厚さが等しいので第１情報層１４のデータを再生する際に、本来の信号光の光路と他の所定の反射態様のクロストーク光の光路とが最終的にほぼ一致し、クロストーク光が信号光に与える影響が大きくなる可能性がある。
具体的には、本来の信号光は、図１中に実線で示されるように、データの再生対象の第１情報層１４にカバー層２４側から入射してカバー層２４側に１回だけ反射される。又、同図中に二点鎖線で示されるように、第２情報層１８にカバー層２４側から入射してカバー層２４側に反射され、次に第３情報層２２に基板１２側から入射して基板１２側に反射され、更に第２情報層１８にカバー層２４側から入射してカバー層２４側に再度反射されるクロストーク光の光路は信号光の光路と最終的にほぼ一致する。尚、光記録媒体１０内で５回以上反射して光路が信号光の光路と最終的にほぼ一致するクロストーク光も存在しうるが、このような高次の反射によるクロストーク光の強度は著しく小さく実用上問題とならない。
一方、光記録媒体１０は、第１情報層１４の反射率Ｒ１、第２情報層１８の反射率Ｒ２、第３情報層２２の反射率Ｒ３が上記式(I)の関係を満足しているので、第１スペーサ層１６及び第２スペーサ層２０の厚さが等しくても共焦点クロストークは実用上問題がないレベルに抑制される。この効果については後述する実験例で詳細に説明する。
このように第１スペーサ層１６及び第２スペーサ層２０の厚さが等しくても共焦点クロストークを抑制できるので、従来であれば共焦点クロストークを抑制するために異なる厚とされていた第１スペーサ層１６及び第２スペーサ層２０のいずれか一方を従来よりも薄くできる。従って、従来よりも厚さ方向の情報層の設置密度を高めることができる。
これにより、光入射面に最も近い情報層の設置位置及び光入射面から最も遠い情報層の設置位置が同じ場合、例えば従来は２層の情報層しか設置できなかった領域に３層の情報層を設置することが可能である。
又、例えば、光入射面２８に最も近い第３情報層２２の設置位置を従来よりも光入射面２８から遠い側に変更したり、光入射面２８から最も遠い第１情報層１４の設置位置を従来よりも光入射面２８に近い側に変更することができ、光記録媒体１０の傾きによるエラーや光入射面２８の異物によるエラーを抑制することが可能である。
尚、光記録媒体１０に含まれる第１情報層１４、第２情報層１８及び第３情報層２２のうちの少なくとも２層の情報層の再生において異なる再生パワーの再生用レーザー光を照射して各情報層に記録された情報を再生してもよい。
このようにすることで、第１情報層１４、第２情報層１８及び第３情報層２２からの反射光の強度又は反射率をフォトディテクタ２６において近い値で検知することができる。尚、第１情報層１４、第２情報層１８及び第３情報層２２のいずれかの層に、これらの層のうちの少なくとも２層の情報層の再生において異なる再生パワーの再生用レーザー光を照射することを指示する情報を予め記録しておき、この情報に基づいて再生用レーザー光の再生パワーを制御してもよい。
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
前記第１実施形態に係る光記録媒体１０は３層構造であるのに対し、本第２実施形態に係る光記録媒体３０は、図２に示されるように第３情報層２２のカバー層２４側に第３スペーサ層３２及び第４情報層３４を備える４層構造であり、第４情報層３４の反射率をＲ４として次の式(II)を満足し、
（Ｒ２×Ｒ３×Ｒ４×２)／Ｒ１≦０．００３２ 式(II)
第１スペーサ層１６の厚さと第３スペーサ層３２の厚さとが等しいことを特徴としている。
第１情報層１４の反射率Ｒ１、第２情報層１８の反射率Ｒ２、第３情報層２２の反射率Ｒ３、第４情報層３４の反射率Ｒ４はいずれも０．０１（１（％））以上であることが好ましい。従って、
０．０００２≦（Ｒ２×Ｒ３×Ｒ４×２)／Ｒ１
であることが好ましい。
又、第１情報層１４の反射率Ｒ１は、第２情報層１８の反射率Ｒ２、第３情報層２２の反射率Ｒ３及び第４情報層３４の反射率Ｒ４の少なくとも２つよりも大きいことが好ましく、第２情報層１８の反射率Ｒ２、第３情報層２２の反射率Ｒ３及び第４情報層３４の反射率Ｒ４のいずれの値よりも大きいことがより好ましい。
第４情報層３４は、光入射面２８から厚さ方向に４０μｍ以上の範囲に設置されている。即ち、第１情報層１４、第２情報層１８、第３情報層２２及び第４情報層３４はいずれも、光入射面２８から厚さ方向に４０μｍ以上の範囲に設置されている。第１情報層１４、第２情報層１８、第３情報層２２及び第４情報層３４はいずれも、光入射面２８から厚さ方向に５０μｍ以上の範囲に設置されていることが好ましく、第１情報層１４、第２情報層１８、第３情報層２２及び第４情報層３４はいずれも、光入射面２８から厚さ方向に６０μｍ以上の範囲に設置されていることが更に好ましい。
又、第２スペーサ層２０の厚さは、第１スペーサ層１６の厚さ及び第３スペーサ層３２の厚さよりも３μｍ以上厚い。他の構成は光記録媒体１０と同じであるので図１と同一符号を用いることとして説明を省略する。
第３スペーサ層３２の材料や両面の凹凸パターン形状は、第１スペーサ層１６及び第２スペーサ層２０と同様である。
第４情報層３４は、第３スペーサ層３２の凹凸パターンに倣って凹凸パターンで形成されている。第４情報層３４の構造や材料は第１情報層１４等と同様である。
次に、光記録媒体３０の作用について説明する。
光記録媒体３０は、第１スペーサ層１６及び第３スペーサ層３２の厚さが等しいので第１情報層１４のデータを再生する際に、他の反射態様のクロストーク光が信号光に与える影響が大きくなる可能性がある。
具体的には、本来の信号光は、図２中に実線で示されるように、データの再生対象の第１情報層１４にカバー層２４側から入射してカバー層２４側に１回だけ反射される。又、同図中に二点鎖線で示されるように、第２情報層１８にカバー層２４側から入射してカバー層２４側に反射され、次に第４情報層３４に基板１２側から入射して基板１２側に反射され、更に第３情報層２２にカバー層２４側から入射してカバー層２４側に再度反射された１つ目のクロストーク光の光路は、本来の信号光の光路と最終的にほぼ一致する。又、第３情報層２２にカバー層２４側から入射してカバー層２４側に反射され、次に第４情報層３４に基板１２側から入射して基板１２側に反射され、更に第２情報層１８にカバー層２４側から入射してカバー層２４側に再度反射された他の２つ目のクロストーク光の光路も、本来の信号光の光路と最終的にほぼ一致する。
一方、光記録媒体３０は、第１情報層１４の反射率Ｒ１、第２情報層１８の反射率Ｒ２、第３情報層２２の反射率Ｒ３、第４情報層３４の反射率Ｒ４が上記式(II)の関係を満たしているので、第１スペーサ層１６及び第３スペーサ層３２の厚さが等しくても共焦点クロストークが実用上問題がないレベルに抑制される。この効果については後述する実験例で詳細に説明する。
このように第１スペーサ層１６及び第３スペーサ層３２の厚さが等しくても共焦点クロストークを抑制できるので、従来であれば共焦点クロストークを抑制するために異なる厚とされていた第１スペーサ層１６及び第３スペーサ層３２のいずれか一方を従来よりも薄くできる。従って、従来よりも厚さ方向の情報層の設置密度を高めることが可能である。
これにより、光入射面に最も近い情報層の設置位置及び光入射面から最も遠い情報層の設置位置が同じ場合、例えば従来は３層の情報層しか設置できなかった領域に４層の情報層を設置することが可能である。
又、例えば、光入射面２８に最も近い第４情報層３４の設置位置を従来よりも光入射面２８から遠い側に変更したり、光入射面２８から最も遠い第１情報層１４の設置位置を従来よりも光入射面２８に近い側に変更することができ、光記録媒体３０の傾きによるエラーや光入射面２８の異物によるエラーを抑制することが可能である。
又、第２スペーサ層２０の厚さは、第１スペーサ層１６の厚さ及び第３スペーサ層３２の厚さよりも３μｍ以上厚いので、第１情報層１４の反射率Ｒ１、第２情報層１８の反射率Ｒ２、第３情報層２２の反射率Ｒ３が上記式(I)の関係を満たしていなくても、第１情報層１４、第２情報層１８及び第３情報層２２の間のクロストークが抑制される。同様に、第２情報層１８、第３情報層２２及び第４情報層３４の間の共焦点クロストークも抑制される。
尚、第１情報層１４の反射率Ｒ１、第２情報層１８の反射率Ｒ２、第３情報層２２の反射率Ｒ３が上記式(I)の関係を満足するようにし、第２スペーサ層２０の厚さを、第１スペーサ層１６の厚さ及び第３スペーサ層３２の厚さと同じ厚さとしてもよい。このようにすることで、厚さ方向の情報層の設置密度を更に高めることが可能である。この場合、第２情報層１８の反射率Ｒ２、第３情報層２２の反射率Ｒ３、第４情報層３４の反射率Ｒ４も上記式(I)と同様の関係、即ち
(Ｒ３×Ｒ４×Ｒ３)／Ｒ２≦０．００３２
を満足することが好ましい。
次に、本発明の第３実施形態について説明する。
前記第２実施形態に係る光記録媒体３０は４層構造であるのに対し、本第３実施形態に係る光記録媒体４０は、図３に示されるように第４情報層３４のカバー層２４側に第４スペーサ層４２及び第５情報層４４を備える５層構造であることを特徴としている。
第５情報層４４は、光入射面２８から厚さ方向に４０μｍ以上の範囲に設置されている。即ち、第１情報層１４、第２情報層１８、第３情報層２２、第４情報層３４及び第５情報層４４はいずれも、光入射面２８から厚さ方向に４０μｍ以上の範囲に設置されている。第１情報層１４、第２情報層１８、第３情報層２２、第４情報層３４及び第５情報層４４はいずれも、光入射面２８から厚さ方向に５０μｍ以上の範囲に設置されていることが好ましく、第１情報層１４、第２情報層１８、第３情報層２２、第４情報層３４及び第５情報層４４はいずれも、光入射面２８から厚さ方向に６０μｍ以上の範囲に設置されていることが更に好ましい。他の構成は光記録媒体３０と同じであるので図２と同一符号を用いることとして説明を省略する。
第４スペーサ層４２の材料や両面の凹凸パターン形状は、第１スペーサ層１６等の他のスペーサ層と同様である。
第５情報層４４は、第４スペーサ層４２の凹凸パターンに倣って凹凸パターンで形成されている。第５情報層４４の材料は、第１情報層１４等と同様である。
次に、光記録媒体４０の作用について説明する。
光記録媒体４０も、第１スペーサ層１６及び第３スペーサ層３２の厚さが等しいので第１情報層１４のデータを再生する際に、再生対象の第１情報層１４において１回だけ反射される本来の信号光の光路と他の２つの反射態様のクロストーク光の光路長とが最終的にほぼ一致する。
一方、光記録媒体４０も、第１情報層１４の反射率Ｒ１、第２情報層１８の反射率Ｒ２、第３情報層２２の反射率Ｒ３、第４情報層３４の反射率Ｒ４が上記式(II)の関係を満たしているので、光記録媒体３０と同様に第１スペーサ層１６及び第３スペーサ層３２の厚さが等しくても第１情報層１４、第２情報層１８、第３情報層２２、第４情報層３４の間の共焦点クロストークが実用上問題がないレベルに抑制される。
従って、光記録媒体３０と同様に第１スペーサ層１６及び第２スペーサ層２０の厚さが等しくても共焦点クロストークを抑制でき、従来であれば共焦点クロストークを抑制するために異なる厚さとされていた第１スペーサ層１６及び第３スペーサ層３２のいずれか一方を従来よりも薄くでき、従来よりも厚さ方向の情報層の設置密度を高めることができる。
これにより、例えば、光入射面に最も近い情報層の設置位置及び光入射面から最も遠い情報層の設置位置が同じ場合、従来は４層の情報層しか設置できなかった領域に５層の情報層を設置することが可能である。
又、例えば、光入射面２８に最も近い第５情報層４４の設置位置を従来よりも光入射面２８から遠い側に変更したり、光入射面２８から最も遠い第１情報層１４の設置位置を従来よりも光入射面２８に近い側に変更することができ、光記録媒体４０の傾きによるエラーや光入射面２８の異物によるエラーを抑制することが可能である。
尚、第２情報層１８、第３情報層２２、第４情報層３４、第５情報層４４をそれぞれ第１情報層１４、第２情報層１８、第３情報層２２、第４情報層３４に相当する情報層とみなし、これらの反射率が上記式(II)と同様の関係を満たすようにしてもよい。即ち、第２情報層１８の反射率Ｒ２、第３情報層２２の反射率Ｒ３、第４情報層３４の反射率Ｒ４、第５情報層４４の反射率Ｒ５が
（Ｒ３×Ｒ４×Ｒ５×２)／Ｒ２≦０．００３２
の関係を満たすようにしてもよい。
このようにすることで第２情報層１８、第３情報層２２、第４情報層３４、第５情報層４４の間の共焦点クロストークも抑制することができ、厚さ方向の情報層の設置密度を更に高めることが可能である。
又、５層の情報層のうちの隣り合う３層の情報層が上記式(I)と同様の関係を満足するようにし、これら３層の間の２層の情報層の厚さを等しくしてもよい。このようにすることで厚さ方向の情報層の設置密度を更に高めることが可能である。
次に、本発明の第４実施形態について説明する。
前記第３実施形態に係る光記録媒体４０は５層構造であるのに対し、本第４実施形態に係る光記録媒体５０は、図４に示されるように第５情報層４４のカバー層２４側に第５スペーサ層５２及び第６情報層５４を備える６層構造であることを特徴としている。
第６情報層５４は、光入射面２８から厚さ方向に４０μｍ以上の範囲に設置されている。即ち、第１情報層１４、第２情報層１８、第３情報層２２、第４情報層３４、第５情報層４４及び第６情報層５４はいずれも、光入射面２８から厚さ方向に４０μｍ以上の範囲に設置されている。第１情報層１４、第２情報層１８、第３情報層２２、第４情報層３４、第５情報層４４及び第６情報層５４はいずれも、光入射面２８から厚さ方向に５０μｍ以上の範囲に設置されていることが好ましく、第１情報層１４、第２情報層１８、第３情報層２２、第４情報層３４、第５情報層４４及び第６情報層５４はいずれも、光入射面２８から厚さ方向に６０μｍ以上の範囲に設置されていることが更に好ましい。他の構成は光記録媒体４０と同じであるので図３と同一符号を用いることとして説明を省略する。
第５スペーサ層５２の材料や両面の凹凸パターン形状は、第１スペーサ層１６等の他のスペーサ層と同様である。
第６情報層５４は、第５スペーサ層５２の凹凸パターンに倣って凹凸パターンで形成されている。第６情報層５４の構造や材料は、第１情報層１４等と同様である。
次に、光記録媒体５０の作用について説明する。
光記録媒体５０も、第１スペーサ層１６及び第３スペーサ層３２の厚さが等しいので第１情報層１４のデータを再生する際に、再生対象の第１情報層１４において１回だけ反射される本来の信号光の光路と他の２つの反射態様のクロストーク光の光路とが最終的にほぼ一致する。
一方、光記録媒体５０も、第１情報層１４の反射率Ｒ１、第２情報層１８の反射率Ｒ２、第３情報層２２の反射率Ｒ３、第４情報層３４の反射率Ｒ４が上記式(II)の関係を満たしているので、光記録媒体４０と同様に第１スペーサ層１６及び第３スペーサ層３２の厚さが等しくても第１情報層１４、第２情報層１８、第３情報層２２、第４情報層３４の間の共焦点クロストークが実用上問題がないレベルに抑制される。
従って、光記録媒体４０と同様に第１スペーサ層１６及び第３スペーサ層３２の厚さが等しくても共焦点クロストークを抑制でき、従来であれば共焦点クロストークを抑制するために異なる厚とされていた第１スペーサ層１６及び第３スペーサ層３２のいずれか一方を従来よりも薄くできるので、従来よりも厚さ方向の情報層の設置密度を高めることができる。
これにより、例えば、光入射面に最も近い情報層の設置位置及び光入射面から最も遠い情報層の設置位置が同じ場合、従来は５層の情報層しか設置できなかった領域に６層の情報層を設置することが可能である。
又、例えば、光入射面２８に最も近い第６情報層５４の設置位置を従来よりも光入射面２８から遠い側に変更したり、光入射面２８から最も遠い第１情報層１４の設置位置を従来よりも光入射面２８に近い側に変更することができ、光記録媒体５０の傾きによるエラーや光入射面２８の異物によるエラーを抑制することができる。
尚、第２情報層１８、第３情報層２２、第４情報層３４、第５情報層４４をそれぞれ第１情報層１４、第２情報層１８、第３情報層２２、第４情報層３４に相当する情報層とみなし、これらが上記式(II)の関係を満たすようにしてもよい。即ち、第２情報層１８の反射率Ｒ２、第３情報層２２の反射率Ｒ３、第４情報層３４の反射率Ｒ４、第５情報層４４の反射率Ｒ５が
（Ｒ３×Ｒ４×Ｒ５×２)／Ｒ２≦０．００３２
の関係を満たすようにしてもよい。
このようにすることで第２情報層１８、第３情報層２２、第４情報層３４、第５情報層４４の間の共焦点クロストークも抑制することができ、厚さ方向の情報層の設置密度を更に高めることができる。
又、第３情報層２２、第４情報層３４、第５情報層４４、第６情報層５４をそれぞれ第１情報層１４、第２情報層１８、第３情報層２２、第４情報層３４に相当する情報層とみなし、これらが上記式(II)の関係を満たすようにしてもよい。即ち、第３情報層２２の反射率Ｒ３、第４情報層３４の反射率Ｒ４、第５情報層４４の反射率Ｒ５、第６情報層５４の反射率Ｒ６が、
（Ｒ４×Ｒ５×Ｒ６×２)／Ｒ３≦０．００３２
の関係を満たすようにしてもよい。
このようにすることで第３情報層２２、第４情報層３４、第５情報層４４、第６情報層５４の間の共焦点クロストークも抑制することができ、厚さ方向の情報層の設置密度を更に高めることができる。
尚、本第４実施形態において光記録媒体５０は６層構造であるが、例えば８層構造等の７層以上の多層構造の光記録媒体についても、隣合う４層の情報層が式(II)に相当する関係を満たすことで、複数のスペーサ層の厚さを等しくすることができ、厚さ方向の情報層の設置密度を高めることができる。
又、６層以上の情報層のうちの隣り合う３層の情報層が上記式(I)と同様の関係を満足するようにし、これら３層の間の２層の情報層の厚さを等しくしてもよい。このようにすることで厚さ方向の情報層の設置密度を更に高めることが可能である。
次に、本発明の第５実施形態について説明する。
前記第２実施形態に係る光記録媒体３０は第１スペーサ層１６の厚さと第３スペーサ層３２の厚さが等しい４層構造であるのに対し、図７に示されるように、本第５実施形態に係る光記録媒体６０は、前記第１実施形態に係る光記録媒体１０のように、第１スペーサ層１６の厚さと第２スペーサ層２０の厚さが等しく、第１情報層１４の反射率Ｒ１、第２情報層１８の反射率Ｒ２、第３情報層２２の反射率Ｒ３が上記式(I)の関係を満たしていることを特徴としている。尚、第３スペーサ層３２の厚さは、第１スペーサ層１６の厚さ及び第２スペーサ層２０の厚さと異なる。他の構成は光記録媒体３０と同じであるので図２と同一符号を用いることとして説明を省略する。
次に、光記録媒体６０の作用について説明する。
光記録媒体６０は、第１スペーサ層１６の厚さと第２スペーサ層２０の厚さが等しいので、第１情報層１４のデータを再生する際に、再生対象の第１情報層１４において１回だけ反射される、図７中に実線で示される本来の信号光の光路と、第２情報層１８にカバー層２４側から入射してカバー層２４側に反射され、次に第３情報層２２に基板１２側から入射して基板１２側に反射され、更に第２情報層１８にカバー層２４側から入射してカバー層２４側に再度反射される、図７中に二点鎖線で示されるクロストーク光の光路とが最終的にほぼ一致する。
一方、光記録媒体６０も、第１情報層１４の反射率Ｒ１、第２情報層１８の反射率Ｒ２、第３情報層２２の反射率Ｒ３が上記式(I)の関係を満たしているので、光記録媒体１０と同様に第１スペーサ層１６及び第２スペーサ層２０の厚さが等しくても第１情報層１４、第２情報層１８、第３情報層２２の間の共焦点クロストークが実用上問題がないレベルに抑制される。
従って、光記録媒体１０と同様に第１スペーサ層１６及び第２スペーサ層２０の厚さが等しくても共焦点クロストークを抑制でき、従来であれば共焦点クロストークを抑制するために異なる厚とされていた第１スペーサ層１６及び第２スペーサ層２０のいずれか一方を従来よりも薄くでき、従来よりも厚さ方向の情報層の設置密度を高めることができる。
これにより、例えば、光入射面に最も近い情報層の設置位置及び光入射面から最も遠い情報層の設置位置が同じ場合、従来は３層の情報層しか設置できなかった領域に４層の情報層を設置することが可能である。
又、例えば、光入射面２８に最も近い第４情報層３４の設置位置を従来よりも光入射面２８から遠い側に変更したり、光入射面２８から最も遠い第１情報層１４の設置位置を従来よりも光入射面２８に近い側に変更することができ、光記録媒体６０の傾きによるエラーや光入射面２８の異物によるエラーを抑制することが可能である。
尚、第２情報層１８、第３情報層２２、第４情報層３４をそれぞれ第１情報層１４、第２情報層１８、第３情報層２２に相当する情報層とみなし、これらの反射率が上記式(I)と同様の関係を満たすようにしてもよい。即ち、第２情報層１８の反射率Ｒ２、第３情報層２２の反射率Ｒ３、第４情報層３４の反射率Ｒ４が
（Ｒ３×Ｒ４×Ｒ３)／Ｒ２≦０．００３２
の関係を満たすようにしてもよい。
このようにすることで第２情報層１８、第３情報層２２、第４情報層３４の間の共焦点クロストークも抑制することができ、厚さ方向の情報層の設置密度を更に高めることが可能である。
又、５層以上の多層構造の光記録媒体についても隣り合う３層の情報層が上記式(I)と同様の関係を満足するようにし、これら３層の情報層の間の２層のスペーサ層の厚さを等しくしてもよい。
次に、本発明の第６実施形態について説明する。
前記第３実施形態に係る光記録媒体４０は１層のスペーサ層（第２スペーサ層２０）を挟んで配置された第１スペーサ層１６の厚さと第３スペーサ層３２の厚さが等しい５層構造であるのに対し、本第６実施形態に係る光記録媒体７０は、図８に示されるように、２層のスペーサ層（第２スペーサ層２０及び第３スペーサ層３２）を挟んで配置された第１スペーサ層１６の厚さと第４スペーサ層４２の厚さが等しい５層構造であり、次の式を満足することを特徴としている。
（Ｒ２×Ｒ４×Ｒ５×２)／Ｒ１≦０．００３２
第１情報層１４の反射率Ｒ１、第２情報層１８の反射率Ｒ２、第４情報層３４の反射率Ｒ４、第５情報層４４の反射率Ｒ５はいずれも０．０１（１（％））以上であることが好ましい。従って、
０．０００２≦（Ｒ２×Ｒ４×Ｒ５×２)／Ｒ１
であることが好ましい。
尚、第２スペーサ層２０及び第３スペーサ層３２の厚さは相互に異なる。又、第２スペーサ層２０及び第３スペーサ層３２の厚さは第１スペーサ層１６の厚さや第４スペーサ層４２の厚さとも異なる。他の構成は光記録媒体４０と同じであるので図３と同一符号を用いることとして説明を省略する。
次に、光記録媒体７０の作用について説明する。
光記録媒体７０は、第１スペーサ層１６の厚さと第４スペーサ層４２の厚さが等しいので、第１情報層１４のデータを再生する際に、他の反射態様のクロストーク光が信号光に与える影響が大きくなる可能性がある。
具体的には、本来の信号光は、図８中に実線で示されるように、データの再生対象の第１情報層１４にカバー層２４側から入射してカバー層２４側に１回だけ反射される。又、同図中に二点鎖線で示されるように、第２情報層１８にカバー層２４側から入射してカバー層２４側に反射され、次に第５情報層４４に基板１２側から入射して基板１２側に反射され、更に第４情報層３４にカバー層２４側から入射してカバー層２４側に再度反射された１つ目のクロストーク光の光路は、本来の信号光の光路と最終的にほぼ一致する。又、第４情報層３４にカバー層２４側から入射してカバー層２４側に反射され、次に第５情報層４４に基板１２側から入射して基板１２側に反射され、更に第２情報層１８にカバー層２４側から入射してカバー層２４側に再度反射された他の２つ目のクロストーク光の光路も、本来の信号光の光路と最終的にほぼ一致する。
一方、光記録媒体７０は、第１情報層１４の反射率Ｒ１、第２情報層１８の反射率Ｒ２、第４情報層３４の反射率Ｒ４、第５情報層４４の反射率Ｒ５が上記の式の関係を満たしているので、第１スペーサ層１６及び第４スペーサ層４４の厚さが等しくても共焦点クロストークが実用上問題がないレベルに抑制される。この効果については後述する実験例で詳細に説明する。
即ち、第１スペーサ層１６の厚さと第４スペーサ層４４の厚さが等しくても共焦点クロストークを抑制でき、従来であれば共焦点クロストークを抑制するために異なる厚とされていた第１スペーサ層１６及び第４スペーサ層４４のいずれか一方を従来よりも薄くでき、従来よりも厚さ方向の情報層の設置密度を高めることができる。
これにより、例えば、光入射面に最も近い情報層の設置位置及び光入射面から最も遠い情報層の設置位置が同じ場合、従来は４層の情報層しか設置できなかった領域に５層の情報層を設置することが可能である。
又、例えば、光入射面２８に最も近い第５情報層４４の設置位置を従来よりも光入射面２８から遠い側に変更したり、光入射面２８から最も遠い第１情報層１４の設置位置を従来よりも光入射面２８に近い側に変更することができ、光記録媒体７０の傾きによるエラーや光入射面２８の異物によるエラーを抑制することが可能である。
尚、本第６実施形態において、光記録媒体７０は、２層のスペーサ層を挟んで配置された第１スペーサ層１６の厚さと第４スペーサ層４２の厚さが等しい５層構造であるが、ｎ＋１層（ｎは５以上の整数）以上の情報層を有する光記録媒体において、これに含まれる隣り合ういずれかｎ層の情報層の最も基板側の情報層を第１情報層、最もカバー層側の情報層を第ｎ情報層として、第１情報層の反射率Ｒ１、第２情報層の反射率Ｒ２、第ｎ−１情報層の反射率Ｒｎ−１、第ｎ情報層の反射率Ｒｎが次の式(III)を満足し、
（Ｒ２×Ｒｎ−１×Ｒｎ×２)／Ｒ１≦０．００３２ 式(III)
２層以上のスペーサ層を挟んで配置された第１スペーサ層の厚さと第ｎ−１スペーサ層の厚さが等しい構成としてもよい。第１情報層１４の反射率Ｒ１、第２情報層１８の反射率Ｒ２、第ｎ−１情報層の反射率Ｒｎ−１、第ｎ情報層の反射率Ｒｎはいずれも０．０１（１（％））以上であることが好ましい。従って、
０．０００２≦（Ｒ２×Ｒｎ−１×Ｒｎ×２)／Ｒ１
であることが好ましい。
尚、前記第１〜第６実施形態において、Ｒ型の場合の第１情報層１４、第２情報層１８、第３情報層２２、第４情報層３４、第５情報層４４、第６情報層５４の記録膜の材料として、実質的にＢｉ、Ｏ及びＭからなる材料又は実質的にＢｉ及びＯからなる材料やＳｉ層とＣｕ層の積層構造が例示されているが、式(I)や式(II)、式(III)を満たすことができれば記録膜の材料として他の材料を用いてもよい。
又、前記第１〜第６実施形態において、片面のみに情報層を備える片面式の光記録媒体の例が示されているが、両面に情報層を備える両面式の光記録媒体に対しても本発明は当然適用可能である。
［実験例１］
前記第１実施形態の光記録媒体１０と構成が等しい３層構造の４種類のサンプルＡ、Ｂ、Ｃ及びＤを作製した。これらサンプルＡ〜Ｄの具体的な構成を表１に示す。
Figure 0004803138
尚、表１に示されるカバー層２４の厚さはハードコート層の厚さを含む厚さである。又、基板１２の厚さは約１．１ｍｍである。又、サンプルＡ〜Ｄはいずれも追記型であり、第１情報層１４、第２情報層１８及び第３情報層２２の記録膜を構成するＢｉ、Ｇｅ、Ｏの原子数の比率はＢｉ：Ｇｅ：Ｏ＝２１：１４：６５で共通である。
これら４種類のサンプルＡ〜Ｄについて、第１情報層１４、第２情報層１８及び第３情報層２２の（未記録部の）反射率を測定した。又、これら４種類のサンプルＡ〜Ｄについて、第１情報層１４の反射率変動を測定した。測定結果を表１に併記する。尚、表１に示される反射率は、フォトディテクタ２６で検出された反射率である。又、反射率変動は、１周内における反射率の最大値と、最小値と、の差を反射率の最大値で除した値である。又、測定には光記録媒体評価装置ＯＤＵ１０００（パルステック工業株式会社製）を用いた。測定条件（再生条件）を以下に示す。
波長 ：４０５ｎｍ
開口数 ：０．８５
再生パワー：０．７ｍＷ
又、サンプルＡ〜Ｄについて(Ｒ２×Ｒ３×Ｒ２)／Ｒ１の値を算出した。算出結果を表１に併記する。更に、(Ｒ２×Ｒ３×Ｒ２)／Ｒ１の値と第１情報層１４の反射率変動との関係を図５に示す。
表１及び図５に示されるように、(Ｒ２×Ｒ３×Ｒ２)／Ｒ１の値が大きい程、第１情報層１４の反射率変動が大きくなる傾向があることがわかる。これは図１中に実線で示される第１情報層１４で１回だけ反射される本来の信号光に、同図中に二点鎖線で示される第２情報層１８、第３情報層２２、第２情報層１８の順で反射されるクロストーク光が影響することが第１情報層１４の反射率変動の主たる原因であり、(Ｒ２×Ｒ３×Ｒ２)／Ｒ１の値が大きい程、本来の信号光の強度に対する、第２情報層１８、第３情報層２２、第２情報層１８の順で反射されるクロストーク光の強度が大きくなるためと考えられる。
ＢＤと称される光記録媒体では、各情報層の反射率変動を１５％以内に抑制することが要求されている。表１及び図５に示されるように、(Ｒ２×Ｒ３×Ｒ２)／Ｒ１の値が０．００３２以下であれば反射率変動が最も大きくなりやすい第１情報層１４の反射率変動が１５％以内に抑制される。即ち、３層構造の光記録媒体は、２層のスペーサ層の厚さが等しくても、３層の情報層の反射率が上記式(I)を満足すれば各情報層の反射率変動が１５％以内に抑制されることが確認された。
［実験例２］
前記第２実施形態の光記録媒体３０と構成が等しい４層構造の４種類のサンプルＥ、Ｆ、Ｇ及びＨを作製した。これらサンプルＥ〜Ｈの具体的な構成を表２に示す。
Figure 0004803138
尚、表２に示されるカバー層２４の厚さもハードコート層の厚さを含む厚さである。又、基板１２の厚さは約１．１ｍｍである。又、サンプルＥ及びＦは追記型であり、第１情報層１４、第２情報層１８、第３情報層２２及び第４情報層３４の記録膜を構成するＢｉ、Ｇｅ、Ｏの原子数の比率は実験例１のサンプルＡ〜Ｄと同様にＢｉ：Ｇｅ：Ｏ＝２１：１４：６５で共通である。一方、サンプルＧ及びＨはＲＯＭ型であり、第１情報層１４、第２情報層１８、第３情報層２２及び第４情報層３４は誘電体膜（反射膜）のみを備え記録膜を備えていない。
これら４種類のサンプルＥ〜Ｈについて、実験例１と同様に第１情報層１４、第２情報層１８、第３情報層２２及び第４情報層３４の（未記録部又は記録部のスペース部分の）反射率を測定した。又、これら４種類のサンプルＥ〜Ｈについて、第１情報層１４の反射率変動を測定した。測定結果を表２に併記する。
又、サンプルＥ〜Ｈについて(Ｒ２×Ｒ３×Ｒ４×２)／Ｒ１の値を算出した。算出結果を表２に併記する。更に、(Ｒ２×Ｒ３×Ｒ４×２)／Ｒ１の値と第１情報層１４の反射率変動との関係を図６に示す。
表２及び図６に示されるように、(Ｒ２×Ｒ３×Ｒ４×２)／Ｒ１の値が大きい程、第１情報層１４の反射率変動が大きくなる傾向があることがわかる。これは図２中に実線で示される第１情報層１４で１回だけ反射される本来の信号光に、同図中に二点鎖線で示される第２情報層１８、第４情報層３４、第３情報層２２の順で反射されるクロストーク光及び第３情報層２２、第４情報層３４、第２情報層１８の順で反射されるクロストーク光が影響することが第１情報層１４の反射率変動の主たる原因であり、(Ｒ２×Ｒ３×Ｒ４×２)／Ｒ１の値が大きい程、本来の信号光の強度に対する、第２情報層１８、第４情報層３４、第３情報層２２の順で反射されるクロストーク光及び第３情報層２２、第４情報層３４、第２情報層１８の順で反射されるクロストーク光の強度が大きくなるためと考えられる。
表２及び図６に示されるように、(Ｒ２×Ｒ３×Ｒ４×２)／Ｒ１の値が０．００３２以下であれば反射率変動が最も大きくなりやすい第１情報層１４の反射率変動が１５％以内に抑制される。即ち、４層構造の光記録媒体は、２層のスペーサ層の厚さが等しくても、４層の情報層の反射率が上記式(II)を満たせば各情報層の反射率変動が１５％以内に抑制されることが確認された。尚、第１スペーサ層の厚さと第３スペーサ層の厚さとが等しい４層構造の光記録媒体の場合、本来の信号光の光路と光路が最終的に一致する２つの反射態様のクロストーク光が存在するため、(Ｒ２×Ｒ３×Ｒ４)の値の２倍の値が（式(I)の右辺と等しい）０．００３２以下に制限されることで、３層構造の光記録媒体と同様に第１情報層１４の反射率変動が１５％以内に抑制されると考えられる。
［実験例３］
上記実験例２に対し、第２スペーサ層の厚さも第１スペーサ層の厚さ及び第３スペーサ層の厚さと等しい４層構造の１種類のサンプルＪを作製した。サンプルＪの具体的な構成を表３に示す。
Figure 0004803138
尚、サンプルＪはサンプルＧ、Ｈと同様にＲＯＭ型であり、第１情報層１４、第２情報層１８、第３情報層２２及び第４情報層３４は誘電体膜（反射膜）のみを備え記録膜を備えていない。誘電体膜であるＺｎＳ／ＳｉＯ２の分子数の比率はＺｎＳ：ＳｉＯ２＝８０：２０である。サンプルＪの他の構成についてはサンプルＧ、Ｈと同様であるので説明を省略する。
このサンプルＪについて、サンプルＧ、Ｈと同様に第１情報層１４、第２情報層１８、第３情報層２２及び第４情報層３４の（記録部のスペース部分の）反射率を測定した。又、サンプルＪについて、第１情報層１４の反射率変動を測定した。測定結果を表３に併記する。
又、サンプルＪについて(Ｒ２×Ｒ３×Ｒ２)／Ｒ１の値、(Ｒ２×Ｒ３×Ｒ４×２)／Ｒ１の値及びこれらを合計した値を算出した。算出結果を表３に併記する。
表３に示されるように、３層のスペーサ層の厚さが等しい４層構造のサンプルＪの場合も、(Ｒ２×Ｒ３×Ｒ２)／Ｒ１の値、及び(Ｒ２×Ｒ３×Ｒ４×２)／Ｒ１の値がそれぞれ０．００３２以下であれば反射率変動が最も大きくなりやすい第１情報層１４の反射率変動が１５％以内に抑制されていた。即ち、４層構造の光記録媒体は、３層のスペーサ層の厚さが等しい場合も、４層の情報層の反射率が上記式(I)、(II)を満たせば各情報層の反射率変動が１５％以内に抑制されることが確認された。尚、３層のスペーサ層の厚さが等しい４層構造のサンプルＪの場合、本来の信号光の光路と光路が最終的に一致する反射態様のクロストーク光は、第１実施形態の３層構造の場合の１種類のクロストーク光及び第２実施形態の２種類のクロストーク光の合計３種類のクロストーク光が存在するため、反射率変動が最も大きくなりやすい第１情報層１４の反射率変動を１５％以内に抑制するためには、理論的には(Ｒ２×Ｒ３×Ｒ２)／Ｒ１の値及び(Ｒ２×Ｒ３×Ｒ４×２)／Ｒ１の値を合計した値を０．００３２以下に抑制する必要があるとも予想されるが、実際には、上記のように(Ｒ２×Ｒ３×Ｒ２)／Ｒ１の値、及び(Ｒ２×Ｒ３×Ｒ４×２)／Ｒ１の値がそれぞれ０．００３２以下であれば、これらを合計した値が０．００３２よりも大きくても、第１情報層１４の反射率変動は１５％以内に抑制されていた。その理由は必ずしも明らかではないが、概ね次のように考えられる。
各スペーサ層の実際の厚さは設計的な厚さに対して誤差があり、又、部位により誤差の大きさにはばらつきがある。従って、設計的な厚さが等しい２層のスペーサ層でも実際には厚さが等しい部分と厚さが異なる部分とが混在しており、厚さが等しい部分が主として反射率変動の増大の原因であると考えられる。設計的な厚さが等しい２層のスペーサ層の一部分において両者の厚さが実際に等しくなる確率に対し、設計的な厚さが等しい３層のスペーサ層の一部分において３者の厚さが実際に等しくなる確率は著しく低いため、本来の信号光の光路と光路が最終的に一致する反射態様のクロストーク光が３種類同時に存在する状態は実際には殆ど発現しないと考えられる。従って、(Ｒ２×Ｒ３×Ｒ２)／Ｒ１の値、及び(Ｒ２×Ｒ３×Ｒ４×２)／Ｒ１の値がそれぞれ０．００３２以下であれば、これらを合計した値が０．００３２よりも大きくても、反射率変動が最も大きくなりやすい第１情報層１４の反射率変動が１５％以内に抑制されると考えられる。
［実験例４］
前記第５実施形態の光記録媒体６０と構成が等しい４層構造の１種類のサンプルＫを作製した。サンプルＫの具体的な構成を表４に示す。
Figure 0004803138
尚、サンプルＫもサンプルＪと同様にＲＯＭ型であり、第１情報層１４、第２情報層１８、第３情報層２２及び第４情報層３４は誘電体膜（反射膜）のみを備え記録膜を備えていない。ＺｎＳ／ＳｉＯ２の分子数の比率はサンプルＪと同様にＺｎＳ：ＳｉＯ２＝８０：２０である。サンプルＫの他の構成についてもサンプルＪと同様であるので説明を省略する。
このサンプルＫについて、実験例２と同様に第１情報層１４、第２情報層１８、第３情報層２２及び第４情報層３４の（記録部のスペース部分の）反射率を測定した。又、サンプルＫについて、第１情報層１４の反射率変動を測定した。測定結果を表４に併記する。
又、サンプルＫについて(Ｒ２×Ｒ３×Ｒ２)／Ｒ１の値を算出した。算出結果を表４に併記する。
表４に示されるように、隣合う第１スペーサ層１６及び第２スペーサ層２０の厚さが等しい４層構造のサンプルＫについても、隣合う第１スペーサ層１６及び第２スペーサ層２０の厚さが等しい３層構造のサンプルＡ〜Ｄと同様に、(Ｒ２×Ｒ３×Ｒ２)／Ｒ１の値が０．００３２以下であれば、反射率変動が最も大きくなりやすい第１情報層１４の反射率変動が１５％以内に抑制されていた。即ち、３層構造よりも多層構造の光記録媒体についても、隣合う２層のスペーサ層の厚さが等しい場合、これら２層のスペーサ層に隣接する３層の情報層の反射率が上記式(I)を満たせば各情報層の反射率変動が１５％以内に抑制されることが確認された。
これは、３層構造の場合と同様に、本来の信号光の光路と光路が最終的に一致する反射態様のクロストーク光は、第２情報層１８、第３情報層２２、第２情報層１８の順で反射される１種類のクロストーク光だけであるため、(Ｒ２×Ｒ３×Ｒ２)／Ｒ１の値が０．００３２以下に制限されることで、３層構造の光記録媒体と同様に第１情報層１４の反射率変動が１５％以内に抑制されると考えられる。
［実験例５］
前記第６実施形態の光記録媒体７０と構成が等しい５層構造の１種類のサンプルＬを作製した。サンプルＬの具体的な構成を表５に示す。
Figure 0004803138
尚、サンプルＬはＲ型とＲＯＭ型とのハイブリッド型である。具体的には、第１情報層１４、第２情報層１８及び第３情報層２２は、Ｒ型であり記録膜を備えている。第１情報層１４の記録膜はＣｕの膜とＳｉの膜との積層構造である。第１の情報層１４のＡｇＮｄＣｕの原子数の比率はＡｇ：Ｎｄ：Ｃｕ＝９８：１：１である。第１の情報層１４のＺｎＳ／ＳｉＯ２の分子数の比率はＺｎＳ：ＳｉＯ２＝８０：２０である。又、第２情報層１８及び第３情報層２２の記録膜の原子数の比率は、サンプルＡ〜Ｆと同様にＢｉ：Ｇｅ：Ｏ＝２１：１４：６５で共通である。一方、第４情報層３４及び第５情報層４４はＲＯＭ型であり誘電体膜（反射膜）のみを備え記録膜を備えていない。第４情報層３４及び第５情報層４４の誘電体膜であるＺｎＳ／ＳｉＯ２の分子数の比率はサンプルＪ、Ｋと同様にＺｎＳ：ＳｉＯ２＝８０：２０である。
このサンプルＬについて、第１情報層１４、第２情報層１８、第３情報層２２、第４情報層３４及び第５情報層４４の（記録部のスペース部分又は未記録部の）反射率を測定した。又、サンプルＬについて、第１情報層１４の反射率変動を測定した。測定結果を表５に併記する。
又、サンプルＬについて(Ｒ２×Ｒ４×Ｒ５×２)／Ｒ１の値を算出した。算出結果を表５に併記する。
表５に示されるように、２層のスペーサ層を挟んで配置された第１のスペーサ層１６及び第４のスペーサ層４２の厚さが等しい５層構造のサンプルＬの場合、(Ｒ２×Ｒ４×Ｒ５×２)／Ｒ１の値が０．００３２以下であれば反射率変動が最も大きくなりやすい第１情報層１４の反射率変動が１５％以内に抑制されていた。即ち、５層構造の光記録媒体は、２層のスペーサ層を挟んで配置された両側の２層のスペーサ層の厚さが等しい場合でも、これらのスペーサ層に隣接する第１情報層１４、第２情報層１８、第４情報層３４及び第５情報層４４の反射率が式(III)の関係を満たしていれば各情報層の反射率変動が１５％以内に抑制されることが確認された。
これは、第１スペーサ層の厚さと第４スペーサ層の厚さとが等しい５層構造の光記録媒体の場合、図８中に実線で示される第１情報層１４で１回だけ反射される本来の信号光に、同図中に二点鎖線で示される第２情報層１８、第５情報層４４、第４情報層３４の順で反射されるクロストーク光、及び第４情報層３４、第５情報層４４、第２情報層１８の順で反射されるクロストーク光が影響することが第１情報層１４の反射率変動の主たる原因であり、(Ｒ２×Ｒ４×Ｒ５×２)／Ｒ１の値が小さい程、本来の信号光の強度に対する、第２情報層１８、第５情報層４４、第４情報層３４の順で反射されるクロストーク光、及び第４情報層３４、第５情報層４４、第２情報層１８の順で反射されるクロストーク光の強度が小さくなるためと考えられる。又、本来の信号光の光路と光路が最終的に一致する２つの反射態様のクロストーク光が存在するため、(Ｒ２×Ｒ４×Ｒ５)の値の２倍の値が（式(I)の右辺と等しい）０．００３２以下に制限されることで、第１情報層１４の反射率変動が１５％以内に抑制されると考えられる。
［計算例１］
前記第１実施形態の光記録媒体１０と構成が等しい３層構造の４種類の光記録媒体の計算モデルＳ１〜Ｓ４を想定し、(Ｒ２×Ｒ３×Ｒ２)／Ｒ１の値を算出した。
計算モデルＳ１はＲ１、Ｒ２、Ｒ３がいずれも０．０４（４％）で共通である。これに対し、Ｓ２〜Ｓ４は、Ｓ１に対して(Ｒ２×Ｒ３×Ｒ２)／Ｒ１の値が小さくなるようにＲ１、Ｒ２、Ｒ３の値を増減したものである。具体的には、計算モデルＳ２はＳ１に対してＲ１が０．０１大きい０．０５（５％）である。又、計算モデルＳ３はＳ１に対してＲ２が０．０１小さい０．０３（３％）である。又、計算モデルＳ４はＳ１に対してＲ３が０．０１小さい０．０３（３％）である。想定した計算モデルＳ１〜Ｓ４の各情報層の反射率及び(Ｒ２×Ｒ３×Ｒ２)／Ｒ１の値の算出結果を表６に示す。
Figure 0004803138
表６に示されるように、Ｓ１に対してＲ２が０．０１小さいＳ３は、Ｓ１に対してＲ１が０．０１大きいＳ２やＳ１に対してＲ３が０．０１小さいＳ４と比べて、(Ｒ２×Ｒ３×Ｒ２)／Ｒ１の値の減少幅が著しく大きかった。従って、３層構造の光記録媒体の場合、(Ｒ２×Ｒ３×Ｒ２)／Ｒ１の値を小さく抑制するためには、Ｒ１をＲ２よりも大きくすることが好ましく、Ｒ１の値をＲ２及びＲ３のいずれの値よりも大きくすることがより好ましい。
［計算例２］
前記第２実施形態の光記録媒体３０と構成が等しい４層構造の４種類の光記録媒体の計算モデルＳ５〜Ｓ８を想定し、(Ｒ２×Ｒ３×Ｒ４×２)／Ｒ１の値を算出した。
計算モデルＳ５はＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４がいずれも０．０４（４％）で共通である。これに対し、Ｓ６〜Ｓ８は、Ｓ５に対して(Ｒ２×Ｒ３×Ｒ４×２)／Ｒ１の値が小さくなるようにＲ１、Ｒ２、Ｒ３の値を増減したものである。具体的には、計算モデルＳ６はＳ５に対してＲ１が０．０１大きい０．０５（５％）である。又、計算モデルＳ７はＳ５に対してＲ２が０．０１小さい０．０３（３％）である。又、計算モデルＳ８はＳ５に対してＲ２及びＲ３が０．０１小さい０．０３（３％）である。想定した計算モデルＳ５〜Ｓ８の各情報層の反射率及び(Ｒ２×Ｒ３×Ｒ４×２)／Ｒ１の値の算出結果を表７に示す。
Figure 0004803138
表７に示されるように、Ｓ５に対してＲ２及びＲ３が０．０１小さいＳ８は、Ｓ５に対してＲ１が０．０１大きいＳ６やＳ５に対してＲ２が０．０１小さいＳ７と比べて、(Ｒ２×Ｒ３×Ｒ４×２)／Ｒ１の値の減少幅が著しく大きかった。従って、４層構造の光記録媒体の場合、(Ｒ２×Ｒ３×Ｒ４×２)／Ｒ１の値を小さく抑制するためには、Ｒ１をＲ２、Ｒ３及びＲ４の少なくとも２つよりも大きくすることが好ましく、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４のいずれの値よりも大きくすることがより好ましい。
本発明は、３層以上の情報層を備える光記録媒体に利用することができる。
本発明の第１実施形態に係る光記録媒体の構造を模式的に示す側断面図 本発明の第２実施形態に係る光記録媒体の構造を模式的に示す側断面図 本発明の第３実施形態に係る光記録媒体の構造を模式的に示す側断面図 本発明の第４実施形態に係る光記録媒体の構造を模式的に示す側断面図 実験例１に係る光記録媒体の各情報層の反射率から算出される所定の係数と第１情報層の反射率変動との関係を示すグラフ 実験例２に係る光記録媒体の各情報層の反射率から算出される所定の係数と第１情報層の反射率変動との関係を示すグラフ 本発明の第５実施形態に係る光記録媒体の構造を模式的に示す側断面図 本発明の第６実施形態に係る光記録媒体の構造を模式的に示す側断面図
符号の説明
１０、３０、４０、５０、６０、７０…光記録媒体
１２…基板
１４…第１情報層
１６…第１スペーサ層
１８…第２情報層
２０…第２スペーサ層
２２…第３情報層
２４…カバー層
２６…フォトディテクタ
２８…光入射面
３２…第３スペーサ層
３４…第４情報層
４２…第４スペーサ層
４４…第５情報層
５２…第５スペーサ層
５４…第６情報層

Claims (8)

  1. 基板と、第１情報層と、第１スペーサ層と、第２情報層と、第２スペーサ層と、第３情報層と、前記基板よりも薄いカバー層と、を有する３層以上の多層構造であり、これらの層がこの順で前記基板の上に配置され、
    前記第１情報層の反射率をＲ１、前記第２情報層の反射率をＲ２、前記第３情報層の反射率をＲ３として次の式(I)を満足し、
    (Ｒ２×Ｒ３×Ｒ２)／Ｒ１≦０．００３２ 式(I)
    前記第１スペーサ層の厚さと前記第２スペーサ層の厚さとが等しいことを特徴とする光記録媒体。
  2. 基板と、第１情報層と、第１スペーサ層と、第２情報層と、第２スペーサ層と、第３情報層と、第３スペーサ層と、第４情報層と、前記基板よりも薄いカバー層と、を有する４層以上の多層構造であり、これらの層がこの順で前記基板の上に配置され、
    前記第１情報層の反射率をＲ１、前記第２情報層の反射率をＲ２、前記第３情報層の反射率をＲ３、前記第４情報層の反射率をＲ４として次の式(II)を満足し、
    （Ｒ２×Ｒ３×Ｒ４×２)／Ｒ１≦０．００３２ 式(II)
    前記第１スペーサ層の厚さと前記第３スペーサ層の厚さとが等しいことを特徴とする光記録媒体。
  3. 請求項２において、
    前記第１スペーサ層の厚さと前記第２スペーサ層の厚さとの差が３μｍ以上であることを特徴とする光記録媒体。
  4. 基板と、第１情報層と、第１スペーサ層と、第２情報層と、第２スペーサ層と、第ｎ−１情報層と、第ｎ−１スペーサ層と、第ｎ情報層と、前記基板よりも薄いカバー層と、を有するｎ層以上の多層構造であり（ｎは５以上の整数）、これらの層がこの順で前記基板の上に配置され、
    前記第１情報層の反射率をＲ１、前記第２情報層の反射率をＲ２、前記第ｎ−１情報層の反射率をＲｎ−１、前記第ｎ情報層の反射率をＲｎとして次の式(III)を満足し、
    （Ｒ２×Ｒｎ−１×Ｒｎ×２)／Ｒ１≦０．００３２ 式(III)
    前記第１スペーサ層の厚さと前記第ｎ−１スペーサ層の厚さとが等しく、前記第１スペーサ層の厚さと前記第２スペーサ層の厚さとの差が３μｍ以上であることを特徴とする光記録媒体。
  5. 請求項１乃至４のいずれかにおいて、
    光入射面から厚さ方向に５０μｍ以上の範囲に総ての情報層が設置されたことを特徴とする光記録媒体。
  6. 請求項１乃至５のいずれかにおいて、
    光入射面から厚さ方向に１２０μｍ以下の範囲に総ての情報層が設置されたことを特徴とする光記録媒体。
  7. 請求項１乃至６のいずれかにおいて、
    前記情報層のうちの少なくとも２層の情報層の再生において異なる再生パワーの再生用レーザー光を照射することを指示する情報が記録されたことを特徴とする光記録媒体。
  8. 請求項１乃至７に記載のいずれかの光記録媒体に含まれる前記情報層のうちの少なくとも２層の情報層の再生において異なる再生パワーの再生用レーザー光を照射して前記各情報層に記録された情報を再生することを特徴とする光記録媒体の再生方法。
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