JP4765077B2 - 酸化ルテニウム内包ナノカーボン複合構造体 - Google Patents

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Description

本発明は、新規な酸化ルテニウム内包ナノカーボン複合構造体に関し、より詳しくは、電気自動車用キャパシタや電力事業用の電力貯蔵素子、燃料電池や太陽電池等との組み合わせで用いられる電力貯蔵素子、非常用電源やバックアップ電源に用いられるキャパシタ等の電気エネルギー貯蔵素子として好適な、高電気化学活性を有する酸化ルテニウム内包ナノカーボン複合構造体に関する。
水和酸化ルテニウムは次世代スーパーキャパシタの電極材料として注目されており、多くの報告がなされてきた。例えば、T. R. Jowらはゾル−ゲル法によって水和酸化ルテニウムのナノ粒子化(直径100nm)を行い、大きな容量(600〜700F/g)を報告している(非特許文献1参照)。
また、水和酸化ルテニウム電極中のプロトン拡散が遅いという問題に対して、直井らは、水和酸化ルテニウム粒子の周りをプロトン伝導性ポリマーのナノ薄膜で被覆させたコアシェル型ナノ複合体を作成し、高速充放電が可能となることを報告した(非特許文献2参照)。しかしながら、これらの従来の提案では、次世代スーパーキャパシタの電極材料としては、未だ十分とは言えず、更に高容量の電極材料が求められている。
一方、比表面積の大きなカーボン粉末に、水酸化ルテニウム水和物を高分散に担持させて得られる粉末を、窒素気流中で低温乾燥させた粉末を用いたシート電極は、ルテニウム重量当たりの電気容量が大きく、シート電極重量当たりの出力密度が大きいことが報告されている(特許文献1参照)。しかしながら、水酸化ルテニウム水和物は、充放電サイクルに伴い水溶液電解液中に溶出する虞がある。また、この報告には、ルテニウム重量当たりの電気容量の記載はあるものの、材料(水酸化ルテニウム水和物担持粉末)重量当たりの容量密度が記載されていない。しかしながら、シート電極中のルテニウムの含有量が3.82重量%と少ないことから、材料重量当たりの値は極めて小さく、実用には程遠いものと推測される。
特開2000−36441号公報 J. Electrochemical. Soc., 142, 2699(1995) 日本化学会第83春季年会予稿集p74(2003)
本発明は、上記の実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、大容量キャパシタ等の電気エネルギー貯蔵素子として好適な、高電気化学活性を有する酸化ルテニウム内包ナノカーボン複合構造体を提供することにある。
本発明者は、鋭意検討した結果、酸化ルテニウムと特定のカーボン材料を複合化させることによって、酸化ルテニウムの比表面積と、電極物質の空間と、の双方を拡大させることができ、したがって、ナノコンポジット化による電荷利用率の向上が達成できることを見出し、本発明に至った。
本発明は、上記の知見に基づき達成されたものであり、その要旨は、酸化ルテニウムのナノ粒子が、空隙率30容量%以上の中空ナノカーボンの内側部グラフェン層(炭素層)に高分散していることを特徴とする酸化ルテニウム内包ナノカーボン複合構造体を提供することにある。
本発明の酸化ルテニウム内包ナノカーボン複合構造体は、高い電気化学活性を有することから、電気自動車用キャパシタや電力事業用の電力貯蔵素子、燃料電池や太陽電池等との組み合わせで用いられる電力貯蔵素子、非常用電源やバックアップ電源に用いられるキャパシタ等の電気エネルギー貯蔵素子の材料として用いた場合に、高容量の電気化学キャパシタを得ることができる。
図1は本発明の複合構造体が形成されるメカニズムを示す模式図である。 図2は実施例1において得られたサンプルAのTEM像を示す写真である。 図3は上記の一部を拡大したTEM像を示す写真である。 図4は実施例2において得られたサンプルBのTEM像を示す写真である。 図5は応用評価例において得られたサイクリックボルタモグラム示す図である。
発明を実施するための形態
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の酸化ルテニウム内包ナノカーボン複合構造体は、酸化ルテニウムのナノ粒子が、空隙率30容量%以上の中空ナノカーボンのグラフェン層(炭素層)の内外に高分散した構造を有する。
[酸化ルテニウムのナノ粒子の水和数]
本発明の酸化ルテニウム内包ナノカーボン複合構造体においては、酸化ルテニウムのナノ粒子は、水和酸化ルテニウムであることが好ましい。水和酸化ルテニウムの水和数は特に限定されないが、通常0.3以上2.0以下、好ましくは0.5以上0.9以下の範囲である。水和酸化ルテニウムの水和数が0.3より小さい場合には、比静電容量の発現率が著しく低下する。
[酸化ルテニウムのナノ粒子径]
また、酸化ルテニウムのナノ粒子径は、通常10nm以下、好ましくは0.1nm以上10nm以下、特に好ましくは0.5nm以上5nm以下の範囲である。10nmより大きい場合には、電極とした場合の電荷利用率が低く、一方で、0.1nmより小さいナノ粒子を製造することは困難である。
[中空ナノカーボンの空隙率]
本発明に用いられる中空ナノカーボンの空隙率(単位容積当たりの細孔容積)は、通常30容量%以上、好ましくは50容量%以上90容量%以下である。このような中空ナノカーボンの調製には、空隙率の高い導電性カーボンブラックを用いることができ、例えば、市販のケッチェンブラックを挙げることができる。
導電性カーボンブラックは、擬似グラファイト構造と呼ばれる結晶子から構成されており、その結晶子が集合して一次粒子を形成し、一次粒子が融着した二次粒子(ストラクチャーやアグロメレート)として存在している。
ケッチェンブラックは、他の導電性カーボンブラックに比べて空隙率が極めて高い。例えば、アセチレンブラックの空隙率が約22容量%であるのに対し、中空のケッチェンブラックでは、空隙率が50%を超えるものが存在している。現在市販されているケッチェンブラックとしては、空隙率が約60容量%と約78容量%の2種であり、これらを好適に使用することができる。
[酸化ルテニウム内包ナノカーボン複合構造体の粒径]
本発明の酸化ルテニウム内包ナノカーボン複合構造体は、中空の一次粒子が融着した二次粒子ナノカーボンの内側部グラフェン層に酸化ルテニウムのナノ粒子が高分散していることを特徴とする。酸化ルテニウム内包ナノカーボン複合構造体の空隙率は30容量%以上であり、酸化ルテニウム内包ナノカーボン複合構造体を構成する二次粒子の粒径は、通常300nm以下、好ましくは100nm以上300nm以下の範囲である。酸化ルテニム内包ナノカーボン複合構造体を構成する二次粒子の粒径がこの範囲にある場合には、最適な比静電容量を発現することができる。
[酸化ルテニウムの含有量]
本発明の酸化ルテニウム内包ナノカーボン複合構造体における酸化ルテニウムの含有量は、複合構造体全体に対して、通常5質量%以上95質量%以下、好ましくは7.8質量%以上75質量%以下の範囲である。酸化ルテニウムの含有量は、電気化学キャパシタとして要求されるエネルギー密度とコストとの関係により、用いられる用途によって変化する。例えば、中程度のエネルギー密度が必要であり、低コストでのデバイスの製造を要求する用途(例えば自動車用途など)では、5〜50質量%程度、一方で、コストにこだわらず大きなエネルギー密度が要求される用途(例えば携帯電話のメモリバックアップなど)では、50〜95質量%のものが使用されると思われる。
[酸化ルテニウム内包ナノカーボン複合構造体の製造方法]
以下に、本発明の酸化ルテニウム内包ナノカーボン複合構造体の製造方法を説明するが、本発明においては特にこれに限定されるものではない。
本発明の酸化ルテニウム内包ナノカーボン複合構造体の製造方法は、前駆体調整工程と、酸化ルテニウム形成工程と、中空ナノカーボン再凝集工程と、を含むものである。
<前駆体調整工程>
前駆体調整工程においては、空隙率30容量%以上、好ましくは50容量%以上の中空構造を有する導電性中空ナノカーボンを水に高分散させ、その後、塩化ルテニウム水溶液を加えることにより、塩化ルテニウムが中空ナノカーボンの外表面に吸着した状態の前駆体を調製する。
<酸化ルテニウム形成工程>
酸化ルテニウム形成工程においては、上記の前駆体調整工程により得られた前駆体に適当なずり応力を与えることにより、中空ナノカーボンを構成する炭素のグラフェンの一部を粉砕し、中空ナノカーボンの凝集二次粒子を粉砕すると共に一次粒子を部分的に破断・開口させながら、水酸化ナトリウム水溶液を加えることでゾル−ゲル反応を進行させることにより、酸化ルテニウムのナノ粒子を形成させる。ずり応力により、中空ナノカーボンの凝集体がほぐれ、二次粒子径が減少すると同時に、前駆体を構成する塩化ルテニウムの高分散化が起こる。更に、中空ナノカーボン一次粒子のグラフェン層の破断・開口と同時に、ゾル−ゲル反応の進行により、中空ナノカーボンのグラフェン内側および外側で、数ナノメーターの酸化ルテニウムの一次粒子を形成させて高分散化させる。
酸化ルテニウム形成工程におけるずり応力を掛ける方法としては特に制限はないが、中空ナノカーボンの凝集二次粒子を粉砕すると共に一次粒子を部分的に破断・開口させつつ、ゾル−ゲル反応を進行させてメカノケミカルな効果を簡便に与える方法としては、例えば、遠心力を掛け、器壁に於けるずり応力を利用することが挙げられる。
この際の応力のエネルギーとしては、0.5MPa以上2MPa以下の範囲が好ましく、具体的には、20,000G〜75,000Gの遠心力処理(遠心処理)を行うことが挙げられる。これにより、中空ナノカーボンのグラフェン層表面および内側部の両側において、酸化ルテニウムがナノドットで超高分散した複合構造体を得ることができる。遠心処理に要する時間は、遠心力反応場の強度にもよるが、通常3分から20分間程度である。
酸化ルテニウム形成工程においては、形成される酸化ルテニウムは、ナノ粒子の成長の段階でずり応力がかかる。このため、粒子があるサイズまで成長しても、ずり応力により粉砕され、したがって、形成される酸化ルテニウムの粒子は微細化される。微細化した粒子はカーボン内壁に担持され、それ以上大きく成長しない。このようなメカニズムで酸化ルテニウムがナノ微細化し、0.5〜2nmという小さいナノ粒子を得ることができる。
<中空ナノカーボン再凝集工程>
最後に、ずり応力を止めることにより、破断されたグラフェン層を再び配列させる。この際、破断・開口された中空ナノカーボン一次粒子は、酸化ルテニウム一次粒子を内包しながら再凝集し、シャープな粒度分布を有する、平均粒子径が減少した二次粒子が形成され、中空ナノカーボンの内側部グラフェン層に酸化ルテニウムが高分散した複合構造体を得ることができる。
得られた酸化ルテニウム内包ナノカーボン複合構造体は、通常、ろ過、乾燥して、粉体として使用する。
[酸化ルテニウム内包ナノカーボン複合構造体の製造方法の具体例]
具体例として、本発明の複合構造体の製造過程におけるずり応力をかける方法を遠心処理とした場合のメカニズムを図1に模式的に示す。STEP1では、遠心処理により、中空ナノカーボン凝集体がほぐれ、二次粒子径が減少する。同時に、前駆体である塩化ルテニウム(RuCl)の高分散化が起こる。次いで、中空ナノカーボン一次粒子のグラフェン層が破断されると同時に、塩化ルテニウム(RuCl)が酸化ルテニウム(RuO・nHO)に変化する(STEP2)。酸化ルテニウム(RuO・nHO)の生成は、破断したグラフェン層の内側部や外側部で起こる。更に、STEP3で、遠心処理を止めると、破断されたグラフェン層が再び配列し、中空構造を取り戻す。その際、酸化ルテニウム(RuO・nHO)ナノドットが中空ナノカーボンの内側部グラフェン層へ取り込まれる。グラフェン層の外側部のベーサルな面には酸化ルテニウム(RuO・nHO)は付きにくいためである。この様にして、STEP4の酸化ルテニウム(RuO・nHO)ナノドットを内包した中空ナノカーボンが得られる。
[酸化ルテニウム内包ナノカーボン複合構造体の比静電容量]
本発明の酸化ルテニウム内包ナノカーボン複合構造体の比静電容量は、材料となるカーボンブラックに対する塩化ルテニウムの使用割合や、ナノカーボン破断・開口工程における遠心力反応場の強度によって異なるが、酸化ルテニウム内包ナノカーボン複合体の重量基準で、三電極式測定法で測定した場合、通常400F/g以上、好ましくは500F/g以上600F/g以下の範囲の比静電容量のものを得ることも可能である。
[酸化ルテニウム内包ナノカーボン複合構造体の用途]
本発明の酸化ルテニウム内包ナノカーボン複合構造体は、そのまま電極材料として使用することが出来る。例えば、水、アルコール、又はN−メチルピロリジン等の溶媒に分散させてスラリーとし、アルミニウムシート、チタンシート、カーボンシート等に塗布することで電極となる。
本発明の酸化ルテニウム内包ナノカーボン複合構造体を電極材料として使用し、定法により電極化し、電気化学キャパシタを構築した場合には、水系電解液及び/又は非水系電解液中において400F/g以上600F/g以下という高い比容量を発現し、従来の電気2重層キャパシタの数倍の値に達するキャパシタを得ることができる。
使用する電解液としては、例えば、硫酸を3〜30重量%含む水溶液、水酸化ナトリウムや水酸化カリウムを3〜30重量%含む水溶液、好ましくはプロピレンカーボネート中にテトラエチルアンモニウムテトラボレートやテトラメチルアンモニウムテトラフルオロボレートを15〜30重量%含んだもの等を例示することができる。
以下、実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明するが、本発明は、その要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。例えば、ここでは水和酸化ルテニウムについての例を示すが、酸化ルテニウムであってもよい。
[中空ナノカーボンの分散]
先ず、水とケッチェンブラック(ケッチェン・ブラック・インターナショナル社製、商品名:ケッチェンブラックEC600JD、空隙率78Vol.%、一次粒子径40nm、平均二次粒径337.8nm)0.35gを遠心処理装置に入れ、75,000Gで5分間、遠心処理して水にナノカーボンを高分散化させた。なお、遠心力は次式により求めた値である。
ここで、Nは回転数(rpm)、Rはロータの半径(cm)である。
表1に、使用したケッチェンブラック及び遠心処理した後のケッチェンブラックの平均粒子径(二次粒子の平均粒径)と粒度分布を示す。平均粒子径(二次粒子の平均粒径)および粒度分布は、大塚電子社製レーザー光散乱計ELS−8000により測定した。遠心処理によって粒度分布範囲が狭くなり、また、平均粒子径(二次粒子の平均粒径)も減少していることから、遠心処理によりケッチェンブラックが高分散状態になったと考えられる。
<実施例1>
遠心処理装置の中で上記の中空ナノカーボン(ケッチェンブラック、ケッチェン・ブラック・インターナショナル社製、商品名:ケッチェンブラックEC600JD、空隙率78Vol.%、一次粒子径40nm、平均二次粒径337.8nm)を高分散化させ、これに10mMの塩化ルテニウム水溶液を加え、引き続き高分散化させることにより、中空ナノカーボンの内外に塩化ルテニウムが吸着した前駆体を調製した。これに30mMの水酸化ナトリウム水溶液を添加してpH7とし、75,000Gの遠心力で10分間遠心処理し、表面ゾル−ゲル反応を進行させることにより、酸化ルテニウム内包ナノカーボン複合構造体を得た。
得られた酸化ルテニウム内包ナノカーボン複合構造体をアスピレーターと吸引瓶、フィルターフォルダーを用いてろ過し、100℃で6時間乾燥することにより、0.5水和酸化ルテニウムのナノ粒子が中空ナノカーボンの内外グラフェン層に高分散している酸化ルテニウム内包ナノカーボン複合構造体粉末を得た(サンプルA)。図2および図3にサンプルAのTEM像を示す。
図2および図3においては、一次粒子径30〜40nmの中空ナノカーボンが、ストラクチャーと呼ばれる数珠状のネットワークを形成し、300〜500nmの二次粒子を形成していることが観察される。このネットワークは電子パスとして機能すると考えられる。また、中空ナノカーボンの一次粒子は球形ではなく、歪んだ構造をとっており、これは、中空ナノカーボンの一次粒子を形成しているグラフェン層が一度破壊され、再配列していることに起因する。また、中空ナノカーボンの一次粒子の内部に、直径0.5〜2nmの酸化ルテニウムナノ粒子が単分散して存在していることが確認できる。
<実施例2>
実施例1において、表面ゾル−ゲル反応の遠心処理時間を20分間とした他は、実施例1と同様にして、酸化ルテニウム内包ナノカーボン複合構造体粉末を得た(サンプルB)。図4にサンプルBのTEM像を示す。
図4においては、一次粒子径約20nmの中空ナノカーボンが凝集体を形成しており、その二次粒子径は約200〜300nmであることが分かる。中空ナノカーボンに内包された酸化ルテニウムナノドット(平均直径1nm)はサンプルAと比較して、より凝集しており、また、中空ナノカーボンの一次粒子を形成しているグラフェン層が一度破壊され、再配列したことに起因し、球形が崩れていることがわかる。
[測定評価]
実施例1(サンプルA)及び実施例2(サンプルB)で得られたサンプルについて、一次粒子の平均粒径、酸化ルテニウム粒子の平均粒径、および三電極式測定法で測定した場合の重量基準による比静電容量を測定した。一次粒子の平均粒径および酸化ルテニウム粒子の平均粒径は、大塚電子社製レーザー光散乱計ELS−8000により測定を行なった。また、粉体の比静電容量測定は、粉体を水又は1−メチルピロリドンやアセトニトリル、プロピレンカーボネート等に混ぜてスラリーとし、それをカーボン、アルミニウム、ニッケル、銅などの集電体基板に塗布、乾燥したものをコインセルの正、負極とし、充放電試験やサイクリックボルタンメトリーにより行った。結果を表2に示す。
[サイクリックボルタモグラムの測定]
実施例1で得られた酸化ルテニウム内包ナノカーボン複合構造体(サンプルA)を水に分散させてスラリーとし、それを平坦なカーボン電極表面に塗布・乾燥し、キャパシタ試験電極を得た。得られた電極を作用電極に用い、参照電極に銀塩化銀電極を用いて、3電極法により、サイクリックボルタモグラムを測定した。電解液には、30重量%硫酸溶液を使用した。結果を図5に示す。
図5から、本発明の酸化ルテニウム内包ナノカーボン複合構造体からなるキャパシタ試験電極は、複合体重量基準で400〜600F/g、酸化ルテニウム重量基準で1060〜1200F/gという大きな比容量を発現することがわかる。また、充放電速度を速くしても容量のロスはほとんどない(2mV/sから100mV/sまで速くした場合で、5〜10%のロス)。更に、充放電サイクルによる容量低下もほとんど見られない(100,000サイクル後の容量の減少:5%)。また、15〜30重量%のテトラエチルアンモニウムテトラフルオロボレートを溶解したプロピレンカーボネート電解液を使用して同様の測定を行なったところ、同様の結果が得られた。
上記の結果から、キャパシタとしてのエネルギー密度と出力密度を計算した。エネルギー密度としては、E=0.5×V2×C/4の式を用い、C=420F/g、作動電圧V=0.8Vを代入して計算した。その結果、エネルギー密度は33.6Wh/kgとなった。また、P=E/sで表される出力密度(sは、一回の放電に必要な時間)は、s=4秒で300F/gの値が得られ、この値からE=24Wh/kgとなるため、計算の結果、21600W/kgとなる。
この値を従来の電気二重層キャパシタと比較すると、エネルギー密度で2〜3倍、出力密度で10〜15倍大きい。また、特許文献1に記載されている水酸化ルテニウムをベースとしたキャパシタの値である、エネルギー密度16.9Wh/kg、及び出力密度3244W/kgと比較しても、エネルギー密度で約2倍、出力密度で約7倍大きい。したがって、本発明の酸化ルテニウム内包ナノカーボン複合構造体を電極材料として用いることにより、高性能なキャパシタが構築され、実用化したときのメリットやインパクトは大きい。
<実施例3>
実施例1において、45,000Gで10分間遠心処理した他は、実施例1と同様にして、酸化ルテニウム内包ナノカーボン複合構造体粉末を得た(サンプルC)。得られたサンプルCについて、サンプルA及びサンプルBと同様な評価を行った。その結果、平均二次粒径380nm、一次粒子の平均粒径30nm、酸化ルテニウム粒子の平均粒径は10nmであった。また、比静電容量は300F/gであった。
<比較例1>
実施例1において、遠心処理を行わなかった以外は、実施例1と同様にして、酸化ルテニウム担持ナノカーボン粉末を得た。得られた粉末を用いてサンプルA及びサンプルBと同様な評価を行った。
<比較例2>
実施例1において、中実のカーボン粉末である電気化学工業社製、粒状アセチレンブラック(空隙率22容量%、一次粒子径35nm、平均二次粒径360nm)を使用した以外は、実施例1と同様にして、酸化ルテニウム担持カーボン粉末を得た。得られた粉末を用いてサンプルA及びサンプルBと同様な評価を行った。比較例1、2で得られた評価結果を、実施例1(サンプルA)の値と対比させ、表3に示す。
本発明で得られる酸化ルテニウム内包ナノカーボン複合構造体は、電気自動車用キャパシタや電力事業用の電力貯蔵素子、燃料電池や太陽電池等との組み合わせで用いられる電力貯蔵素子、非常用電源やバックアップ電源に用いられるキャパシタ等の電気エネルギー貯蔵素子として好適であり、高容量の電気化学キャパシタの電極材料として、極めて有用性が高い。

Claims (8)

  1. 酸化ルテニウムのナノ粒子が、空隙率30容量%以上の中空ナノカーボンの内側部グラフェン層に高分散していることを特徴とする酸化ルテニウム内包ナノカーボン複合構造体。
  2. 前記酸化ルテニウムのナノ粒子は、水和数が0.3以上2.0以下の水和酸化ルテニウムである請求項1記載の酸化ルテニウム内包ナノカーボン複合構造体。
  3. 前記酸化ルテニウムのナノ粒子径は、10nm以下である請求項1又は2記載の酸化ルテニウム内包ナノカーボン複合構造体。
  4. 粒径が300nm以下である請求項1から3いずれか記載の酸化ルテニウム内包ナノカーボン複合構造体。
  5. 前記酸化ルテニウムの含有量は、酸化ルテニウム内包ナノカーボン複合構造体全体に対して5質量%以上95質量%以下である請求項1から4いずれか記載の酸化ルテニウム内包ナノカーボン複合構造体。
  6. 酸化ルテニウム内包ナノカーボン複合構造体の重量基準による比静電容量が、100F/g以上である請求項1から5いずれか記載の酸化ルテニウム内包ナノカーボン複合構造体。
  7. 請求項1から6いずれか記載の酸化ルテニウム内包ナノカーボン複合構造体を電極材料とする電気化学キャパシタ。
  8. 水系電解液及び/又は非水系電解液中における、酸化ルテニウム内包ナノカーボン複合構造体の重量基準による比静電容量が、400F/g以上600F/g以下である請求項7記載の電気化学キャパシタ。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9252419B2 (en) 2011-09-09 2016-02-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Positive electrode for lithium secondary battery, manufacturing method thereof, and lithium secondary battery
US9293770B2 (en) 2012-04-10 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Graphene oxide, positive electrode for nonaqueous secondary battery using graphene oxide, method of manufacturing positive electrode for nonaqueous secondary battery, nonaqueous secondary battery, and electronic device
US9373834B2 (en) 2011-12-16 2016-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming positive electrode for lithium-ion secondary battery
US9385366B2 (en) 2012-08-27 2016-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Positive electrode for secondary battery, secondary battery, and method for fabricating positive electrode for secondary battery
US10243214B2 (en) 2011-06-03 2019-03-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing electrode

Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101084623B (zh) * 2004-10-29 2012-02-01 北电网络有限公司 带阻滤波器
CN100346876C (zh) * 2006-04-14 2007-11-07 浙江大学 碳表面负载中空铂钌合金纳米粒子电催化剂及其制备方法
WO2008070318A2 (en) * 2006-10-23 2008-06-12 Cleveland State University Nitric oxide sensor
US7794840B2 (en) * 2007-03-15 2010-09-14 Yazaki Corporation Capacitors comprising organized assemblies of carbon and non-carbon compounds
JP2008244354A (ja) * 2007-03-28 2008-10-09 Nippon Chemicon Corp 電気化学素子用電極
JP2008244355A (ja) * 2007-03-28 2008-10-09 Nippon Chemicon Corp 電気化学素子用電極
JP2008277790A (ja) * 2007-03-30 2008-11-13 Nippon Chemicon Corp 電気二重層キャパシタ
JP2008252002A (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Nippon Chemicon Corp 電気化学素子用電極
CN101162651B (zh) * 2007-09-27 2010-06-02 南京航空航天大学 水系钌基复合金属氧化物超级电容器
JP5348952B2 (ja) * 2008-06-30 2013-11-20 中部電力株式会社 電気化学キャパシタ及びその製造方法
WO2010001765A1 (ja) * 2008-07-04 2010-01-07 日産自動車株式会社 排気ガス浄化用触媒
US20100055464A1 (en) * 2008-07-08 2010-03-04 Chien-Min Sung Graphene and Hexagonal Boron Nitride Planes and Associated Methods
US9484155B2 (en) * 2008-07-18 2016-11-01 University Of Maryland Thin flexible rechargeable electrochemical energy cell and method of fabrication
US8178155B2 (en) * 2009-01-27 2012-05-15 Applied Materials, Inc. Carbon-based ultracapacitor
CN101550003B (zh) * 2009-04-22 2012-10-03 湖南大学 纳米石墨烯基复合吸波材料及其制备方法
CN101894679B (zh) * 2009-05-20 2011-09-28 中国科学院金属研究所 一种石墨烯基柔性超级电容器及其电极材料的制备方法
US20110038100A1 (en) * 2009-08-11 2011-02-17 Chun Lu Porous Carbon Oxide Nanocomposite Electrodes for High Energy Density Supercapacitors
CN101714463B (zh) * 2009-12-14 2012-08-15 浙江大学 一种超级电容器用石墨烯/Ru纳米复合材料及其制备方法
JP5624788B2 (ja) * 2010-03-31 2014-11-12 日本ケミコン株式会社 金属酸化物ナノ粒子を分散坦持したカーボン
CN102005307B (zh) * 2010-09-28 2012-09-05 中国科学院电工研究所 一种石墨烯负载氧化钌的电极材料的制备方法
WO2012164334A1 (en) 2011-05-31 2012-12-06 Indian Institute Of Technology Madras Electrode and/or capacitor formation
US9218916B2 (en) 2011-06-24 2015-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Graphene, power storage device, and electric device
CN102354604B (zh) * 2011-08-05 2012-11-07 贵州大学 复合电极超级电容器及其制备方法
US9249524B2 (en) 2011-08-31 2016-02-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of composite oxide and manufacturing method of power storage device
KR102029506B1 (ko) 2011-09-30 2019-10-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 그래핀 및 축전 장치, 및 이들의 제작 방법
CN103035922B (zh) 2011-10-07 2019-02-19 株式会社半导体能源研究所 蓄电装置
KR20130049441A (ko) * 2011-11-04 2013-05-14 삼성전기주식회사 전극 활물질 조성물, 이의 제조 방법, 및 이를 이용한 전기 화학 캐패시터
US9487880B2 (en) 2011-11-25 2016-11-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Flexible substrate processing apparatus
JP5857767B2 (ja) * 2012-02-02 2016-02-10 東レ株式会社 積層基板
US9680272B2 (en) 2012-02-17 2017-06-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming negative electrode and method for manufacturing lithium secondary battery
JP5719859B2 (ja) 2012-02-29 2015-05-20 株式会社半導体エネルギー研究所 蓄電装置
US9225003B2 (en) 2012-06-15 2015-12-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing storage battery electrode, storage battery electrode, storage battery, and electronic device
JP5725566B2 (ja) * 2012-10-29 2015-05-27 日本ケミコン株式会社 反応方法
JP6159228B2 (ja) 2012-11-07 2017-07-05 株式会社半導体エネルギー研究所 非水系二次電池用正極の製造方法
US9673454B2 (en) 2013-02-18 2017-06-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sodium-ion secondary battery
US9490472B2 (en) 2013-03-28 2016-11-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing electrode for storage battery
PL404381A1 (pl) 2013-06-19 2014-12-22 Instytut Elektrotechniki Sposób wytwarzania tlenkowego materiału elektrodowego, tlenkowy materiał elektrodowy i zastosowanie tlenkowego materiału elektrodowego
US20150044560A1 (en) 2013-08-09 2015-02-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electrode for lithium-ion secondary battery and manufacturing method thereof, and lithium-ion secondary battery
JP6745587B2 (ja) 2014-05-29 2020-08-26 株式会社半導体エネルギー研究所 電極の製造方法
CN104465122B (zh) * 2014-11-28 2017-07-21 中国科学院过程工程研究所 超级电容器用空心结构或摇铃型二氧化钌/碳复合纳米材料、制备方法及其用途
JP6167127B2 (ja) * 2015-03-31 2017-07-19 日本ケミコン株式会社 電極、及び電気化学素子
US10981791B2 (en) 2015-04-13 2021-04-20 Garmor Inc. Graphite oxide reinforced fiber in hosts such as concrete or asphalt
CN105954334B (zh) * 2016-05-04 2018-11-23 嘉兴学院 一种用于检测二苯胺的分子印迹电化学传感器及其应用
JP6499688B2 (ja) * 2017-03-06 2019-04-10 日本ケミコン株式会社 電極材料の製造方法、及び電気化学素子の製造方法
CN107651676B (zh) * 2017-09-26 2020-04-07 昆明理工大学 一种提高石墨烯的水分散性的优化方法
CN109859955B (zh) * 2018-11-27 2021-02-09 昆明理工大学 一种二氧化钌/炭复合电极材料的制备方法
JP6803582B2 (ja) * 2019-03-06 2020-12-23 株式会社ダイセル 電気化学キャパシタ用電極形成材料
US10844483B1 (en) 2019-12-16 2020-11-24 Quantum Elements Development, Inc. Quantum printing methods
CN111628187A (zh) * 2020-05-05 2020-09-04 江苏大学 一种碳载氧化钌催化剂及其制备方法
CN112397316B (zh) * 2020-11-02 2022-06-10 南京信息工程大学 氧化钌水化物-钌纳米颗粒复合材料及其制备方法和应用
US11484941B2 (en) * 2020-12-15 2022-11-01 Quantum Elements Development Inc. Metal macrostructures
US11862395B2 (en) * 2021-11-30 2024-01-02 Nissan North America, Inc. Energy bank including integrated supercapacitor-battery structures
US11817260B2 (en) 2021-11-30 2023-11-14 Nissan North America, Inc. Integrated supercapacitor-battery structure

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000036441A (ja) * 1998-07-17 2000-02-02 Fuji Electric Co Ltd 電気エネルギー貯蔵素子およびその製造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5621609A (en) * 1994-12-09 1997-04-15 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Composite electrode materials for high energy and high power density energy storage devices
US20020122985A1 (en) * 2001-01-17 2002-09-05 Takaya Sato Battery active material powder mixture, electrode composition for batteries, secondary cell electrode, secondary cell, carbonaceous material powder mixture for electrical double-layer capacitors, polarizable electrode composition, polarizable electrode, and electrical double-layer capacitor
CN1300812C (zh) * 2001-10-31 2007-02-14 中国科学院上海冶金研究所 一种高容量电化学电容器的制造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000036441A (ja) * 1998-07-17 2000-02-02 Fuji Electric Co Ltd 電気エネルギー貯蔵素子およびその製造方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10243214B2 (en) 2011-06-03 2019-03-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing electrode
US9252419B2 (en) 2011-09-09 2016-02-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Positive electrode for lithium secondary battery, manufacturing method thereof, and lithium secondary battery
US9556536B2 (en) 2011-09-09 2017-01-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Positive electrode for lithium secondary battery, manufacturing method thereof, and lithium secondary battery
US9935313B2 (en) 2011-09-09 2018-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Positive electrode for lithium secondary battery, manufacturing method thereof, and lithium secondary battery
US9373834B2 (en) 2011-12-16 2016-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming positive electrode for lithium-ion secondary battery
US9293770B2 (en) 2012-04-10 2016-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Graphene oxide, positive electrode for nonaqueous secondary battery using graphene oxide, method of manufacturing positive electrode for nonaqueous secondary battery, nonaqueous secondary battery, and electronic device
US9385366B2 (en) 2012-08-27 2016-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Positive electrode for secondary battery, secondary battery, and method for fabricating positive electrode for secondary battery
US11108038B2 (en) 2012-08-27 2021-08-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Positive electrode for secondary battery, secondary battery, and method for fabricating positive electrode for secondary battery

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