JP4685023B2 - 高純度ZrB2粉末及びその製造方法 - Google Patents
高純度ZrB2粉末及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4685023B2 JP4685023B2 JP2006539192A JP2006539192A JP4685023B2 JP 4685023 B2 JP4685023 B2 JP 4685023B2 JP 2006539192 A JP2006539192 A JP 2006539192A JP 2006539192 A JP2006539192 A JP 2006539192A JP 4685023 B2 JP4685023 B2 JP 4685023B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- powder
- purity
- zrb
- zro
- single crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B35/00—Boron; Compounds thereof
- C01B35/02—Boron; Borides
- C01B35/04—Metal borides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/16—Heating of the molten zone
- C30B13/20—Heating of the molten zone by induction, e.g. hot wire technique
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12014—All metal or with adjacent metals having metal particles
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12535—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.] with additional, spatially distinct nonmetal component
- Y10T428/12576—Boride, carbide or nitride component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
- Y10T428/2982—Particulate matter [e.g., sphere, flake, etc.]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
ZrB2の結晶構造は、六角網目状の硼素の層とジルコニウム金属の層が交互に重なった構造を有している。上記の基板の用途には、単結晶を育成する必要となるが、この単結晶基板を製造するには、一般に高周波誘導加熱FZ法(浮遊帯域溶融法)によって行われている(非特許文献1参照)。
従来技術として、例えば特許文献1に示すように、ZrB2粉末に、熱分解により主としてSiCに転換し得る有機珪素化合物を添加し、成形後、常圧焼結する高密度ZrB2焼結体の製造方法が提案されている。
しかし、これは高硬度、高耐熱性、高耐食性等の性質を利用した切削工具や熱機関部品に使用するもので、本質的にZrB2の純度は問題外であった。
このようなことから、高純度ZrB2粉末の製造に関する論文がある(非特許文献2参照)。しかし、この高純度ZrB2粉末の製造工程は、ZrO2のB4CとCによる還元であり、多量のCの含有は避けられない。
また、同文献の表1に示されている通り、純度はZrO2:99.0%、B4C:97%レベルであり、不純物としてSi、Fe等が多量に混入しており、単結晶基板を得るために必要な高純度ZrB2粉末を得るための、十分な純度が得られているとは言えない。
電子情報通信学会編、信学技報、大谷茂樹著「ZrB2基板作製の現状」、頁17〜19、vol.102、No.114(2002) China Building Materials Academy, Beijing(北京) 100024, China(中国), H. ZHAO 外2名著「PREPARATION OF ZIRCONIUM BORIDE POWDER」頁573〜576、(1995)、5th Ins Symp Ceram. Mater. Compon. Engines 1994
1)C及びガス成分の不純物を除き、純度が99.9wt%以上であることを特徴とする高純度ZrB2粉末
2)不純物であるHf及びTiの含有量が、それぞれ0.1wt%以下であることを特徴とする上記1記載の高純度ZrB2粉末
3)不純物であるFe、Cr、Nbの含有量が、それぞれ0.05wt%以下であることを特徴とする上記1又は2記載の高純度ZrB2粉末
4)不純物であるCの含有量が、0.1wt%以下であることを特徴とする上記1〜3のいずれかに記載の高純度ZrB2粉末
6)Zrスポンジの原料を電子ビーム溶解・鋳造して、インゴットを製造する工程、次にこれを切削により切粉とした後、この切粉を水素化してZrH2とする工程、これを微粉砕した後、脱水素化してZr粉末とし、さらにこのZr粉末を高温・酸素雰囲気中で酸化させてZrO2の微粉とする工程、このZrO2微粉にBを混合し、ZrO2を還元して、ZrB2粉末を得る工程からなることを特徴とする高純度ZrB2粉末の製造方法。
を提供する。
上記に述べたように、ZrB2それ自体は、主として切削工具や熱機関部品に使用するのが目的であり、純度の向上は問題視されてこなかったのが現状である。
本発明においては、高純度ZrB2粉末に含有される不純物のHf及びTiの含有量を、それぞれ0.1wt%以下とすることができる。
さらに、ZrB2粉末の粒径100μm以下とすることにより、FZ法(浮遊帯域溶融法)による融液からのZrB2単結晶を製造する際に使用するZrB2焼結体用として最適な、緻密で均一な焼結体を得ることができる。
微粉砕したZrH2を脱水素化し、Zr粉末とする。これによって、99.9wt%以上の純度を持つZr粉末を得ることができる。
さらに、このZr粉末を高温(500〜900°Cに加熱)、かつ酸素雰囲気中で酸化させてZrO2の微粉とする。そして、このZrO2微粉にB(ボロン)粉末を混合し、ZrO2をBによって直接合成(還元)して、純度が99.9wt%以上であるZrB2粉末を得る。
純度3NレベルのZrスポンジの原料を用いて、電子ビーム溶解し、鋳造して、99.99wt%以上の純度であるインゴットを製造した。
次に、これを切削して切粉とし、この切粉を水素化してZrH2とし、さらにこれを微粉砕し、平均粒径数mmの微粉砕ZrH2を得た。この微粉砕したZrH2を800°Cの温度に加熱し、脱水素化してZr粉末とした。これによって、99.99wt%の純度を持つZr粉末を得た。
さらに、このZr粉末を800°Cに加熱し、かつ酸素雰囲気中で酸化させてZrO2の微粉とした。次に、このZrO2微粉に、99wt%の純度を有するB(ボロン)を混合し、ZrO2をBによって直接合成(還元)して、C及びガス成分除きで99.95wt%以上の純度のZrB2粉末を得た。本実施例1で製造した各不純物の含有量を表1に示す。
これを高周波誘導加熱FZ法(浮遊帯域溶融法)により、インゴットを製造した。これによって、不純物が少なく大型の単結晶インゴットが得られた。
このようにして得た単結晶を鏡面研磨し、エッチング処理して、単結晶の大きさを測定し、さらにこの結晶中に存在するピット類の欠陥と1μm以上の気孔の数を測定した。この結果を表1に示す。
Ti含有量の高い純度2NレベルのZrスポンジの原料を用いて、電子ビーム溶解し、鋳造して、99.9wt%以上の純度であるインゴットを製造した。
次に、これを切削して切粉とし、この切粉を水素化してZrH2とし、さらにこれを微粉砕し、平均粒径数mmの微粉砕ZrH2を得た。この微粉砕したZrH2を600°Cの温度に加熱し、脱水素化してZr粉末とした。これによって、99.9wt%の純度を持つZr粉末を得た。
さらに、このZr粉末を800°Cに加熱し、かつ酸素雰囲気中で酸化させてZrO2の微粉とした。
次に、このZrO2微粉に、C含有量の低い99wt%の純度を有するB(ボロン)を混合し、ZrO2をBによって直接合成(還元)して、C及びガス成分除きで99.9wt%以上の純度のZrB2粉末を得た。本実施例2で製造した各不純物の含有量を表1に示す。
さらに、これを高周波誘導加熱FZ法(浮遊帯域溶融法)により、インゴットを製造した。これによって、不純物が少なく大型の単結晶インゴットが得られた。
このようにして得た単結晶を鏡面研磨し、エッチング処理して、単結晶の大きさを測定し、さらにこの結晶中に存在するピット類の欠陥と1μm以上の気孔の数を測定した。この結果を表1に示す。
Hf含有量の高い純度2NレベルのZrスポンジの原料を用いて、電子ビーム溶解し、鋳造して、99.9wt%の純度であるインゴットを製造した。
次に、これを切削して切粉とし、この切粉を水素化してZrH2とし、さらにこれを微粉砕し、平均粒径数mmの微粉砕ZrH2を得た。この微粉砕したZrH2を600°Cの温度に加熱し、脱水素化してZr粉末とした。これによって、99.9wt%の純度を持つZr粉末を得た。
さらに、このZr粉末を800°Cに加熱し、かつ酸素雰囲気中で酸化させてZrO2の微粉とした。次に、このZrO2微粉に、99wt%の純度を有するB(ボロン)を混合し、ZrO2をBによって直接合成(還元)して、C及びガス成分除きで99.9wt%レベルの純度のZrB2粉末を得た。本実施例3で製造した各不純物の含有量を表1に示す。
これを高周波誘導加熱FZ法(浮遊帯域溶融法)により、インゴットを製造した。これによって、不純物が少なく大型の単結晶インゴットが得られた。
このようにして得た単結晶を鏡面研磨し、エッチング処理して、単結晶の大きさを測定し、さらにこの結晶中に存在するピット類の欠陥と1μm以上の気孔の数を測定した。この結果を表1に示す。
純度3NレベルのZrスポンジを用いて溶媒抽出法により高純度化し、さらに電子ビーム溶解を数回繰返し、99.999wt%の純度のインゴットを製造した。これを実施例1と同様にして、ZrO2微粉を製造し、さらに99.999wt%のBと直接合成して、C及びガス成分除きで99.99wt%のZrB2を得た。本実施例4で製造した各不純物の含有量を表1に示す。このようにして得た単結晶を鏡面研磨し、エッチング処理して、単結晶の大きさを測定し、さらにこの結晶中に存在するピット類の欠陥と1μm以上の気孔の数を測定した。この結果を表1に示す。
特にHf含有量の高い純度95wt%レベルのZrスクラップを水素化してZrH2とし、さらにこれを微粉砕し、平均粒径数mmの微粉砕ZrH2を得た。この微粉砕したZrH2を600°Cの温度に加熱し、脱水素化してZr粉末とした。これによって、95wt%の純度を持つZr粉末を得た。
さらに、このZr粉末を800°Cに加熱し、かつ酸素雰囲気中で酸化させてZrO2の微粉とした。次に、このZrO2微粉に、95wt%の純度を有するB(ボロン)を混合し、ZrO2をBによって直接合成(還元)して、95wt%レベルの純度のZrB2粉末を得た。本比較例1で製造した各不純物の含有量を表2に示す。
これを高周波誘導加熱FZ法(浮遊帯域溶融法)により、インゴットを製造したが、結晶が微細となり、単結晶インゴットが得られなかった。また、欠陥と気孔が非常に多く測定不能であった。
Hf、Zr、C含有量の高い純度99wt%のZrスポンジを用い、水素化し、さらに脱水素処理して純度99wt%のZr粉末を得た。これに純度95%レベルのB粉を混合し、直接合成してZrB2粉末を得た。本比較例2で製造した各不純物の含有量を表2に示す。また、欠陥と気孔が非常に多く、比較例1と同様に測定不能であった。
これを高周波誘導加熱FZ法(浮遊帯域溶融法)により、インゴットを製造したが、結晶が微細となり、大型の単結晶インゴットが得られなかった。
C及びHf含有量が若干高い純度99.9wt%のZrスポンジを用い、水素化し、さらに脱水素処理して純度99.9wt%のZr粉末を得た。これに純度95%レベルのB粉を混合し、直接合成してZrB2粉末を得た。本比較例3で製造した各不純物の含有量を表2に示す。
これを高周波誘導加熱FZ法(浮遊帯域溶融法)により、インゴットを製造したが、結晶が微細となり、大型の単結晶インゴットが得られなかった。ここで、ようやく欠陥密度と気孔密度が測定できたが、各々4×107個/cm2、53個と非常に多かった。
Hf含有量の低い純度99.9wt%のZrスポンジを用い、水素化し、さらに脱水素処理した後、酸化し純度99.9wt%のZrO2粉末を得た。これに純度99%レベルのB粉を混合し、直接合成してZrB2粉末を得た。本比較例4で製造した各不純物の含有量を表2に示す。
これを高周波誘導加熱FZ法(浮遊帯域溶融法)により、インゴットを製造したが、結晶が微細となり、大型の単結晶インゴットが得られなかった。比較例3と同様に、欠陥密度と気孔密度が測定できたが、各々6×105個/cm2、15個と非常に多かった。
Claims (1)
- Zrスポンジの原料を電子ビーム溶解・鋳造して、インゴットを製造する工程、次にこれを切削により切粉とした後、この切粉を水素化してZrH2とする工程、これを微粉砕した後、脱水素化してZr粉末とし、さらにこのZr粉末を高温・酸素雰囲気中で酸化させてZrO2の微粉とする工程、このZrO2微粉にBを混合し、ZrO2を還元して、ZrB2粉末を得る工程からなることを特徴とする高純度ZrB2粉末の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006539192A JP4685023B2 (ja) | 2004-10-07 | 2005-09-05 | 高純度ZrB2粉末及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004294873 | 2004-10-07 | ||
JP2004294873 | 2004-10-07 | ||
JP2006539192A JP4685023B2 (ja) | 2004-10-07 | 2005-09-05 | 高純度ZrB2粉末及びその製造方法 |
PCT/JP2005/016214 WO2006038406A1 (ja) | 2004-10-07 | 2005-09-05 | 高純度ZrB2粉末及びその製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011000037A Division JP2011088819A (ja) | 2004-10-07 | 2011-01-04 | 高純度ZrB2粉末及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2006038406A1 JPWO2006038406A1 (ja) | 2008-05-15 |
JP4685023B2 true JP4685023B2 (ja) | 2011-05-18 |
Family
ID=36142489
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006539192A Expired - Fee Related JP4685023B2 (ja) | 2004-10-07 | 2005-09-05 | 高純度ZrB2粉末及びその製造方法 |
JP2011000037A Pending JP2011088819A (ja) | 2004-10-07 | 2011-01-04 | 高純度ZrB2粉末及びその製造方法 |
JP2013132633A Pending JP2013216574A (ja) | 2004-10-07 | 2013-06-25 | 高純度ZrB2粉末 |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011000037A Pending JP2011088819A (ja) | 2004-10-07 | 2011-01-04 | 高純度ZrB2粉末及びその製造方法 |
JP2013132633A Pending JP2013216574A (ja) | 2004-10-07 | 2013-06-25 | 高純度ZrB2粉末 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8585995B2 (ja) |
JP (3) | JP4685023B2 (ja) |
TW (1) | TWI265159B (ja) |
WO (1) | WO2006038406A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011063486A (ja) * | 2009-09-18 | 2011-03-31 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 高純度金属ホウ化物粒子の製造方法及びその方法により得られた高純度金属ホウ化物粒子 |
JP5780540B2 (ja) * | 2010-12-24 | 2015-09-16 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 二ホウ化ジルコニウム粉末及びその合成方法 |
CN102050628A (zh) * | 2011-01-04 | 2011-05-11 | 上海大学 | 一种制备超细二硼化锆粉体的方法 |
CN102417188B (zh) * | 2011-08-30 | 2013-10-16 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种低氧含量亚微米级过渡金属硼化物粉体的制备方法 |
CN105084901A (zh) * | 2015-06-29 | 2015-11-25 | 中国矿业大学 | 一种制备硼化锆(ZrB2)陶瓷先驱体的新方法 |
CN105197954B (zh) * | 2015-09-29 | 2018-03-30 | 山东理工大学 | 棒状硼化锆粉体的合成方法 |
CN105645422B (zh) * | 2016-01-06 | 2018-06-15 | 昆明理工大学 | 一种液相法制备球形超细硼化锆粉体的工艺 |
CN108585889B (zh) * | 2018-04-28 | 2021-04-16 | 武汉科技大学 | 一种棒状硼化锆-片状碳化硅单晶复合粉体及其制备方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63282165A (ja) * | 1987-05-11 | 1988-11-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 酸化ジルコニウムとホウ化物を含む混合粉末及びそれらを含む複合焼結体の製造方法 |
JPS63297273A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-05 | Ube Ind Ltd | ZrB↓2焼結体の製造方法 |
JPH07277734A (ja) * | 1994-04-08 | 1995-10-24 | Tosoh Corp | ホウ化ジルコニウム系多孔体 |
JP2004203666A (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Kyocera Corp | ZrB2単結晶及びその製造方法並びに半導体薄膜用基板 |
JP2005145787A (ja) * | 2003-11-18 | 2005-06-09 | Kyocera Corp | 半導体育成用基板および半導体装置 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4414180A (en) * | 1981-10-13 | 1983-11-08 | Fisher Robert P | Method for generating chlorine dioxide gas |
DE3572468D1 (en) * | 1984-07-10 | 1989-09-28 | Asahi Glass Co Ltd | Zrb2 composite sintered material |
JPS627673A (ja) * | 1985-06-19 | 1987-01-14 | 旭硝子株式会社 | ZrB↓2系焼結体 |
JPS6395113A (ja) * | 1986-10-13 | 1988-04-26 | Kawasaki Steel Corp | 金属硼化物を主成分とする微粉末の製造方法 |
US4952532A (en) * | 1987-10-06 | 1990-08-28 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Sintered body having high corrosion resistance and containing ZRB2 |
JPH02239156A (ja) * | 1989-03-13 | 1990-09-21 | Central Glass Co Ltd | 二ホウ化金属系焼結体およびその製造方法 |
JPH0585830A (ja) * | 1991-09-26 | 1993-04-06 | Showa Denko Kk | 硼化ジルコニウム系焼結体及びその製造法 |
JPH05116961A (ja) * | 1991-10-24 | 1993-05-14 | Olympus Optical Co Ltd | 光学素子成形用型 |
US5688731A (en) * | 1996-11-13 | 1997-11-18 | Eastman Kodak Company | Ceramic articles containing doped zirconia having high electrical conductivity |
EP1743949B1 (en) * | 2000-10-02 | 2012-02-15 | JX Nippon Mining & Metals Corporation | High-purity zirconium or hafnium metal for sputter targets and thin film applications |
NO20010929D0 (no) * | 2001-02-23 | 2001-02-23 | Norsk Hydro As | FremgangsmÕte for utøvelse av termiske reaksjoner mellom reaktanter samt en ovn for samme |
JP4060803B2 (ja) * | 2002-03-28 | 2008-03-12 | カウンシル・オブ・サイエンティフィック・アンド・インダストリアル・リサーチ | ホウ化ジルコニウム粉末の製造方法 |
JP4140324B2 (ja) * | 2002-09-10 | 2008-08-27 | 住友金属鉱山株式会社 | 金属ホウ化物粉末及びその製造方法 |
-
2005
- 2005-09-05 WO PCT/JP2005/016214 patent/WO2006038406A1/ja active Application Filing
- 2005-09-05 US US11/576,577 patent/US8585995B2/en active Active
- 2005-09-05 JP JP2006539192A patent/JP4685023B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-09-16 TW TW094132010A patent/TWI265159B/zh not_active IP Right Cessation
-
2011
- 2011-01-04 JP JP2011000037A patent/JP2011088819A/ja active Pending
-
2013
- 2013-06-25 JP JP2013132633A patent/JP2013216574A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63282165A (ja) * | 1987-05-11 | 1988-11-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 酸化ジルコニウムとホウ化物を含む混合粉末及びそれらを含む複合焼結体の製造方法 |
JPS63297273A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-05 | Ube Ind Ltd | ZrB↓2焼結体の製造方法 |
JPH07277734A (ja) * | 1994-04-08 | 1995-10-24 | Tosoh Corp | ホウ化ジルコニウム系多孔体 |
JP2004203666A (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Kyocera Corp | ZrB2単結晶及びその製造方法並びに半導体薄膜用基板 |
JP2005145787A (ja) * | 2003-11-18 | 2005-06-09 | Kyocera Corp | 半導体育成用基板および半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8585995B2 (en) | 2013-11-19 |
TW200611885A (en) | 2006-04-16 |
JP2013216574A (ja) | 2013-10-24 |
US20080075648A1 (en) | 2008-03-27 |
TWI265159B (en) | 2006-11-01 |
JP2011088819A (ja) | 2011-05-06 |
JPWO2006038406A1 (ja) | 2008-05-15 |
WO2006038406A1 (ja) | 2006-04-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2013216574A (ja) | 高純度ZrB2粉末 | |
CN110002879B (zh) | 一种致密超硬的高熵硼化物陶瓷及其制备方法和应用 | |
JP5032318B2 (ja) | 複合焼結体 | |
JP4955936B2 (ja) | 高熱伝導率・高強度窒化ケイ素セラミックス及びその製造方法 | |
JP5444384B2 (ja) | 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体 | |
US20090105062A1 (en) | Sintered Wear-Resistant Boride Material, Sinterable Powder Mixture, for Producing Said Material, Method for Producing the Material and Use Thereof | |
JPS5826018A (ja) | 高密度炭化ケイ素焼結体を製造するための炭化ケイ素粉末およびそれを含有する組成物 | |
JP5674009B2 (ja) | 高硬度導電性ダイヤモンド多結晶体およびその製造方法 | |
CN112830791A (zh) | 一种高熵陶瓷及其制备方法和应用 | |
JP2017039997A (ja) | アルミニウム合金−セラミックス複合材およびアルミニウム合金−セラミックス複合材の製造方法 | |
JPH1017396A (ja) | セラミックス複合材料 | |
CN111196730B (zh) | 一种高热导率氮化硅陶瓷材料及其制备方法 | |
CN113443919A (zh) | 一种非晶态合金喷嘴材料及其制备方法 | |
CN108892528B (zh) | 一种多孔氮化硅陶瓷材料及其制备方法 | |
JP4976973B2 (ja) | 複合セラミックスの製造方法 | |
Liu et al. | Fabrication of electrically conductive barium aluminum silicate/silicon nitride composites with enhanced strength and toughness | |
CN111943682B (zh) | 一种高韧性耐氧化的织构化高熵陶瓷及其制备方法和应用 | |
JP5673945B2 (ja) | 窒化ケイ素系セラミックスの製造方法 | |
JP6258040B2 (ja) | サファイア単結晶育成用坩堝、サファイア単結晶育成方法およびサファイア単結晶育成用坩堝の製造方法 | |
KR102414539B1 (ko) | 탄화규소 분말, 탄화규소 소결체 및 이의 제조방법 | |
JPS6344713B2 (ja) | ||
JP2687633B2 (ja) | 窒化珪素焼結体の製造方法 | |
JP2008087986A (ja) | 複合セラミックス | |
BR102021022128A2 (pt) | Pastilha de diamante policristalino produzida via hpht utilizando o molibdênio como agente sinterizante | |
JPH04280871A (ja) | 窒化珪素質焼結体及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100713 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20100813 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100824 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20101109 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110104 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20110117 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110208 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110209 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140218 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |