JP4976973B2 - 複合セラミックスの製造方法 - Google Patents
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特許文献1には導電性物質が低熱膨張セラミックス中に少なくとも部分的に連続した状態で拡散している複合セラミック材料が開示されている。また、特許文献2には、Al2O3に導電性の炭化物、ホウ化物などを30〜95重量%分散した導電性セラミックスが開示されている。
特許文献3には4a〜6a族の金属がアルコキシド中に分散したものから、それを加水分解して沈殿させ、不活性ガス中で炭化処理することにより平均粒子径が10nm〜100nmの炭化物を得る技術が開示されている。特許文献4には、チタンを含む有機物ゲルを作製し、ゲルを熱処理することによりサブミクロンの炭化チタンを得る技術が開示されている。
混合はボールミルやアトライター、ブラストミルなどを用いて行うが、両粉末が均一に混合される必要がある。
プレス成形は、金型プレスや冷間静水圧プレス(CIP)法を用いる。こうして得られた圧粉体に必要であれば中間加工を行う。
また、以下の発明の開示で詳細に述べていないが、焼結を促進したり粒成長を抑制するために添加される焼結助材(たとえばMgO,Y2O3,Yb2O3,CeO2,CaOなど)については、焼結体自体の特性を大きく変えることない一般的な割合(〜3重量%)は本発明に含むものである。
1.炭化物の含有量が5〜25体積%、残部が酸化物。
2.炭化物の長径(円形ではない結晶は最も長い距離)が4μm以上のものがないこと。
3.任意の炭化物粒子の周囲1μm以内には別の炭化物粒子が少なくとも1つ存在すること。
4.相対密度が99%以上であること。より望ましくは99.7%以上であること。
5.平均粒子が0.05μmの研磨砥粒を用いた鏡面ラップにより、面の状態が算術平均粗さ0.0005Ra(μm)以下を、より好ましくは0.0002Ra(μm)以下を実現できること。
6.電気抵抗率が複合セラミックスを構成する炭化物単体と比較して100倍以下であること。
1.炭化物の含有量は、焼結体の特性が得られる範囲でなら、少ない方がよい。炭化物の粒子同士の結合は、剥離を起こしやすく、そのために可能な限り酸化物と結合している方が望ましい。1.に示す要件は、炭化物結晶同士の結合を少なくするために必要である。また、炭化物が5体積%以下の添加では、複合材料として求められる靭性や酸化物の粒成長を抑制するのに不十分であり、25体積%を超える量添加すれば、酸化物の利点が活かされないばかりでなく、炭化物が粗大な結晶になりやすくなり、反って求めるもとめる性質が得られなくなる。
2.炭化物は、焼結、緻密化の際に、ネッキングを起こす。加工時のチッピング、剥離性を考えるならば、炭化物粒子は可能な限り小さく酸化物中に分散させることが望ましい。また、4μmを越える粗大粒は、たとえば精密加工時や皮膜形成の際にチッピング、面粗れ、脱粒など悪影響を及ぼす。
3.任意の炭化物粒子の周囲1μm以内には別の炭化物粒子が少なくとも1つ存在すること。この場合の一つとは、炭化物の粒子全体ではなく、図2に示すように、粒子の少なくとも一部を示す。また、距離は2つの粒子の距離が最も近いところをとる。炭化物粒子は酸化物粒子成長を抑制するいわゆるピン止め効果が期待できる。炭化物の1μm以内に別の炭化物粒子があることは、このピン止め効果が最大限に生かされている状態である。更によいことに、切断や研削加工の際に、例えば一片が5μmのどの正方形を取ってみても、酸化物と炭化物の量が一様であり、切断や研削抵抗を一様とすることができる。加工を微視的にみた際も、極めて一様な加工ができる。よって、より面精度を上げることも可能であり、加工機の負荷も一様で、加工時のいわゆるビビリがなく良好な状態で行うことができる。
4.本発明における複合焼結体は、磁気ヘッド基板、半導体製造用部材、切削工具、耐摩部材等を想定しているが、この際の密度は最低でも99%、望ましくは99.7%以上のが適している。99%以上まで密度を上げるためには、焼結温度の低い酸化物のみが焼結するだけでは実現できず、炭化物の少なくともネッキングが必要となってくる。
5.緻密化と炭化物を微細分散することにより、平均粒子径が0.05μmのダイヤモンドラップを十分行うことにより、それによってえられる面粗度が算術平均粗さ0.0005Ra(μm)以下、より好ましくは0.0002Ra(μm)以下を得ることができる。ラップに使うメディアはダイヤモンドが一般的であるが、SiCなどの炭化物セラミックや酸化物セラミックス粒子なども用いることができる。この面粗度は単一組成の1相のセラミックスであれば出すことができるが、酸化物−炭化物複合セラミックスでは難しかった。理由は、酸化物と炭化物のラップレート(鏡面加工にて削れる割合)が異なるためである。図1に示すが、炭化物の粗大粒子がある場合は、図1(b)に示すように、炭化物と酸化物の段差が大きくなる。これは、表面に露出している部分から炭化物が優先的に削り取られるが、その露出部分が大きくなればなるほど、凹部のダイヤモンド粒子の流れが良くなることに起因する。これに対して本発明は、炭化物の粗大粒子がないことから図1(a)に示すように、それらの段差を小さくでき、ついては面粗さを低く押さえることが可能である。なお、図1中の網掛け部は酸化物(粒界は省略した)、白い島状の部分が炭化物結晶である。また、以上は酸化物粒子の方が硬い場合を示したが、炭化物粒子の方が硬い場合でも、炭化物が微細に分散されていれば粒子同士の間隔が短いために、マトリックスである酸化物も砥粒に大きく削られにくくなり、面粗度は上がる。
6.炭化物粒子は電気の主な動通経路となるが、隣の炭化物粒子と最大でも1μmしか離れていないことにより、電気抵抗率を、複合材料を構成するする炭化物の2〜100倍の酸化物−炭化物複合材料を得ることができる。一般的に、絶縁体セラミックス中に導電性セラミックスを添加した場合は、導電性セラミックスの量が約27〜30体積%以上でなければ、1010Ω・cmなどと、絶縁体に近い電機抵抗率しか得られない。本発明には、導電性の炭化物を5〜25体積%であっても、炭化物の電気抵抗値に比較的近い電気抵抗値まで下げることができる。電気抵抗率を低く抑えることができれば、製造上では電気加工が可能となり、電子部品用品や静電気を嫌う部材に用いられる際にも有用であることがある。なお、本出願にはただ単に「導電性の炭化物」「絶縁性の酸化物」と記載しているが、導電性、半導電性、絶縁性の明確な区分は無いために、「導電性の炭化物」は電気伝導率が1×10−1Ω・cm以下のもの、「絶縁性の酸化物」は電気抵抗が109Ω・cm以上のものとして記載を行っている。
相対密度が99%以上であり、平均粒子が0.05μmの砥粒を用いて鏡面ラップした際の算術平均粗さが0.0005Ra以下まで加工できることを特徴とする複合セラミックスを得ることにより、炭化物粗粒がチッピングや脱粒の原因にならず、平滑な面粗度を得ることができた。
原料粉末として、平均粒子径はできるだけ小さい、例えば0.3μm以下のAl2O3粉末を準備する。また、20体積%を占めるTiCとしては平均粒子径が10nm〜200nmの微細粉末を用いる。TiC粒子も焼結時にネッキングを起こし、Al2O3粒子およびTiC粒子と密接に接合する。TiCの粒成長を見越して、原材料では前記範囲とすることが望ましい。この平均粒子径範囲であれば、分散性が高いために1500℃〜1700℃程度で、焼結および緻密化が十分に進行した後でも、TiCの凝集が小規模なものにとどまり、その平均粒子径を0.4μm以下に制御することができる。200nmを越える粉末を使用すれば、十分に緻密な焼結体とした場合のTiCの結晶は、粒成長のために平均結晶粒径は最低でも500〜1000nmまで粗大化してしまう。また、10nm未満の粒子径の粉末は、TiC粒子を得ることが非常に難しくなるために、産業的に利用しづらい状況である。TiCの微細粉の製造方法は、有機含チタンを溶媒にて液体状にし、それに炭素源を加えて炉内で炭化処理する方法が一般的であるが、機械的なミリング、ジェット粉砕など、十分な粒子径がえられるのであればその手段は問わない。
平均粒子径が10nmのTiCを20体積%、焼結をアルゴンガス中1450℃にて行なった、この試料を試料1とする。
また、試料2以降は、組成、炭化物の粒子径、焼結温度、温度条件をさまざま変えて最も高密度を得た際のデータである。
(成形・焼結)
成形はプレス成形にて、所望の形を得ることができる。圧粉体に工作機にて中間加工も行うことができる。得られた成形体を、非還元雰囲気の炉にて1500〜1800℃程度で焼結が可能である。雰囲気はアルゴンガス、窒素ガスなどを用いて、10気圧程度で加圧する方法がより望ましい。本実験では焼結温度を調整し、理論密度比でもっとも密度が高くえられる条件を探し、その温度で焼結をした結果である。
また、目的物が切削チップや板状の部材のように平面状であれば、HP(ホットプレス)を用いて成形、焼結を同時に行うことも可能である。この際の温度は1400〜1700℃、雰囲気はアルゴン雰囲気とした。ホットプレスの圧力は、30MPaで統一した。
さらに上記いずれの場合でも、焼結後にHIP処理を行うことで、更にポアを少なくすることもできる。
表1および表2に示す組成、焼結条件で焼結した焼結体をその相対密度(対理論密度比)、炭化物結晶同士の最大距離、炭化物の最大粒子径(結晶で円形でない場合は、結晶を長くなるようにとった長さ、長径)、平均砥粒が0.05μmのダイヤモンド粒子を用いた鏡面ラップ機で20時間ラップ処理をした際の中心線平均粗さ(Ra)を測定した。
なお、前記組織は光学顕微鏡で1mm2を観察することで行った。この結果を表3および表4に示す。
(評価 組織・ラップ面粗度)
表3および表4の本発明の試料は、任意の炭化物粒子との最も近い炭化物粒子は1μm以下であり、最大炭化物粒子径は4μm以下であった。密度はいずれも高く、十分実用に耐える範囲のものが得られた。ラップ面の面粗度もいずれも低く、精密加工に適していることが分かった。表には記載していないが、本発明複合セラミックスはさらに、砥粒の番手を上げる(粒子を小さく)することにより、0.0001(μm)Raを下回ることが確認された。
*比較例8および*比較例18に示す試料は、炭化物粉末量が多すぎるために、分散した炭化物粒子同士がネッキングを起こし、粗大粒を形成していた。
Claims (1)
- 原料粉末として
絶縁性の酸化物からなる平均粒子径0.3μm以下の酸化物75〜95体積%と、
下記A群の少なくとも1種以上からなる平均粒子径が10〜100nmの炭化物5〜25%とを
混合後にプレス成形しホットプレスにて焼結を行い、
さらにHIP処理して得ることを特徴とする、
絶縁性の酸化物中に、5〜25体積%の導電性の炭化物を微細に分散した複合セラミックスで、任意の炭化物粒子の周囲1μm以内には別の炭化物粒子が少なくとも1つ存在し、組織中に長径で4μm以上の炭化物の粗粒がなく、相対密度が99.7%以上であり、平均粒子が0.05μm以下の研磨砥粒を用いて鏡面ラップした際の中心線平均粗さRaが0.0005Ra(μm)以下まで加工できることを特徴とする複合セラミックスの製造方法。
A群:TiC、WC、Cr3C2、TaC、ZrC、NbC
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