CN102050628A - 一种制备超细二硼化锆粉体的方法 - Google Patents

一种制备超细二硼化锆粉体的方法 Download PDF

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甄强
高林
李榕
孙凌云
马杰
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Abstract

本发明涉及一种制备超细二硼化锆粉体的方法,属于陶瓷材料技术领域。该方法是:将原料按照一定的摩尔比配料:ZrO2:B2O3:B4C:C12H22O11=3:2~4:1~3:1,加入酒精充分研磨,干燥,将混合料压制成坯体。将坯体放入石墨或者刚玉坩埚中,坯体周围包埋分析纯的活性炭,放入高温电炉中,在流动的高纯氩气保护下进行反应合成,合成温度为1450~1550℃,保温1~6小时。随炉冷却之后,将坯体取出,充分研磨至超细粉体。本发明采用的原料成本低,设备与操作流程简单。经XRD分析,仅有二硼化锆物相,二硼化锆平均晶粒尺寸小于100nm,SEM观察结果表明平均颗粒尺寸小于500nm。

Description

一种制备超细二硼化锆粉体的方法
技术领域
本发明涉及一种制备超细二硼化锆粉体的方法,属于陶瓷材料技术领域。
背景技术
二硼化锆具有陶瓷和金属的双重特性,因具有高熔点、高强度、高硬度、导电导热性好、良好的阻燃性、耐热性、抗氧化性、耐腐蚀性、捕集中子等特点,在高温结构陶瓷材料、复合材料、电极材料、薄膜材料、耐火材料、核控制材料等领域得到了重要应用。
目前,二硼化锆粉体的制备方法主要有:直接合成法、还原剂还原法、电解氧化物法、自蔓延高温合成法、气相法和机械合成法等。直接合成法用的金属锆和单质硼原料比较昂贵,且合成的粉末粒度大,活性低,不利于粉末烧结与加工处理,同时合成环境温度高、能耗大。通过电解含锆金属氧化物和三氧化二硼的熔融盐浴法,再经过处理可以得到ZrB2粉末,此方法操作比较的简单,适合规模化生产,但是在反应过程中容易引入杂质,导致产物的纯度不高,而且三氧化二硼在高温下容易汽化,导致硼元素的损耗大。气相法制备的多为ZrB2薄膜和涂层,目前有等离子涂层法、物理气相沉积法、化学气相沉积法、等离子增强CVD法、RPECVD法、激光CVD法等。自蔓延高温合成法方法简单、反应速度快、时间短、能耗小、合成粉末活性高,有利于后期的烧结与加工,但由于其反应速度太快,反应不易完全彻底,杂相较多,反应过程不易控制。机械合成法是通过对氧化锆、氧化硼、金属铝或者金属镁长时间机械球磨来制备ZrB2的方法,该方法不仅能耗大,而且很容易带入杂质,杂质去除困难。传统的碳热还原法在H2气氛中需要加热到1800℃,或者在真空条件下加热到1700~1800℃,产物的颗粒尺寸粗大,杂质去除困难。
本发明的制备方法使用的初始原料颗粒小,混合均匀,加热温度较低,所以,此方法制备的超细二硼化锆粉体的纯度高且颗粒尺寸小,制备流程比较简单,原料的成本低,易于规模化生产。
发明内容
本发明的目的是提供一种以纳米尺寸的二氧化锆粉体,易溶解于酒精的三氧化二硼和蔗糖作为主要原料,有利于原料的充分混合,加入碳化硼,补充硼源,采用简单的设备与操作流程来制备超细二硼化锆粉体的方法。
本发明的目的是通过下述方案达到的。
本发明的一种制备超细二硼化锆粉体的方法,该方法包括如下步骤。
A. 采用了纳米尺寸的二氧化锆粉体、易溶解于酒精的三氧化二硼和蔗糖作为主要原料,有利于原料的充分混合,加入碳化硼,补充硼源。将原料按照一定的摩尔比配料:Zr02:B2O3:B4C:C12H22O11=3:2~4:1~3:1,加入酒精充分研磨,干燥,将混合料压制成坯体;
B. 将坯体放入石墨或者刚玉坩埚中,坯体周围包埋分析纯的活性炭,放入高温电炉中,在流动的高纯氩气保护下进行反应合成,合成温度为1450~1550℃,保温1~6小时。随炉冷却之后,将坯体取出,充分研磨至超细粉体。
本发明中的反应机理如下所述:
26 ZrO2 + 6 B2O3 +10 B4C +5 C12H22O11 = 26 ZrB2 +70 CO(g) +55 H2O(g),所述的超细二硼化锆粉体是指粒度在微米以下的二硼化锆粉体。
本方法制备的超细二硼化锆,经XRD分析,仅有二硼化锆物相,二硼化锆平均晶粒尺寸小于100nm。SEM观察结果表明平均颗粒尺寸小于500nm。
本发明的特点是:1)原料成本低:采用的纳米尺寸的二氧化锆粉体、易溶解于酒精的三氧化二硼和蔗糖,都是非常常见且易获得的。2)反应机理简单:26 ZrO2 + 6 B2O3 +10 B4C +5 C12H22O11 = 26 ZrB2 +70 CO(g) +55 H2O(g)。3)设备与操作流程简单:采用可控气氛的高温电炉,包埋活性炭,在流动的高纯氩气保护下反应合成。4)合成粉体的纯度较高,粒度较小。
具体实施方式
现将本发明的具体实施例叙述于后。
实施例1
本实施例提供一种制备超细二硼化锆粉体的方法,其具体制备步骤如下:
A.     将原料按照一定的摩尔比配料:Zr02:B2O3:B4C:C12H22O11=3:4:2:1,其中Zr02为纳米尺寸的二氧化锆粉体,加入酒精充分研磨,干燥,将混合料压制成坯体。
B.     将坯体放入刚玉坩埚中,坯体周围包埋分析纯的活性炭,放入高温电炉中,在流动的高纯氩气保护下进行反应合成,合成温度为1500℃,保温3小时。随炉冷却之后,将坯体取出,充分研磨至超细粉体。
本方法制备的超细二硼化锆,经XRD分析,仅有二硼化锆物相,二硼化锆平均晶粒尺寸小于100nm,SEM观察结果表明平均颗粒尺寸小于500nm。

Claims (1)

1.一种制备超细二硼化锆粉体的方法,其特征在于:该方法包括如下步骤:
A. 按照摩尔比为Zr02:B2O3:B4C:C12H22O11=3:2~4:1~3:1进行配料,其中Zr02为纳米尺寸的二氧化锆粉体,加入酒精充分研磨,干燥,将混合料压制成坯体;
B. 将坯体放入石墨或者刚玉坩埚中,坯体周围包埋分析纯的活性炭,放入高温电炉中,在流动的高纯氩气保护下进行反应合成,合成温度为1450~1550℃,保温1~6小时,随炉冷却之后,将坯体取出,充分研磨至超细粉体。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102249688A (zh) * 2011-05-25 2011-11-23 山东理工大学 硼化锆粉体的制备方法
CN103588216A (zh) * 2013-10-23 2014-02-19 航天材料及工艺研究所 一种硼/碳热还原法低温制备硼化锆粉体的方法
CN109574673A (zh) * 2018-11-01 2019-04-05 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种利用废弃硼化物陶瓷制备硼化物粉体的方法
CN113149676A (zh) * 2021-06-02 2021-07-23 哈尔滨工程大学 一种利用两步法烧结原位增韧碳化硼基复相陶瓷的方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006038406A1 (ja) * 2004-10-07 2006-04-13 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. 高純度ZrB2粉末及びその製造方法
CN101830478A (zh) * 2010-04-02 2010-09-15 北京航空航天大学 一种采用硼热还原与碳热还原协同调控合成亚微米ZrB2粉的方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006038406A1 (ja) * 2004-10-07 2006-04-13 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. 高純度ZrB2粉末及びその製造方法
CN101830478A (zh) * 2010-04-02 2010-09-15 北京航空航天大学 一种采用硼热还原与碳热还原协同调控合成亚微米ZrB2粉的方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
《材料导报》 20071130 贾全利等 溶胶一凝胶微波碳热还原制备二硼化锆粉体 第65-67页 1 第21卷, 第11A期 *
《武汉理工大学学报》 20050331 方舟等 原料配比与温度对热压烧结ZrB2陶瓷的影响 第1-4页 1 第27卷, 第3期 *

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102249688A (zh) * 2011-05-25 2011-11-23 山东理工大学 硼化锆粉体的制备方法
CN103588216A (zh) * 2013-10-23 2014-02-19 航天材料及工艺研究所 一种硼/碳热还原法低温制备硼化锆粉体的方法
CN103588216B (zh) * 2013-10-23 2015-09-23 航天材料及工艺研究所 一种硼/碳热还原法低温制备硼化锆粉体的方法
CN109574673A (zh) * 2018-11-01 2019-04-05 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种利用废弃硼化物陶瓷制备硼化物粉体的方法
CN109574673B (zh) * 2018-11-01 2021-11-02 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种利用废弃硼化物陶瓷制备硼化物粉体的方法
CN113149676A (zh) * 2021-06-02 2021-07-23 哈尔滨工程大学 一种利用两步法烧结原位增韧碳化硼基复相陶瓷的方法

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