JP4657789B2 - 昇圧型スイッチング電源装置及びこれを備えた電子機器 - Google Patents

昇圧型スイッチング電源装置及びこれを備えた電子機器 Download PDF

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Description

本発明は、入力電圧を昇圧して出力電圧を生成する昇圧型スイッチング電源装置(チョッパ型電源装置)に関するものである。
図6(a)に示す通り、従来の昇圧型スイッチング電源IC[Integrated Circuit]100は、それに集積化されたパワートランジスタPTを用いて、外付けされたインダクタLexに流れる電流をスイッチング制御し、同じく外付けのショットキーバリアダイオードSBD及び平滑コンデンサCexから成る整流平滑手段を用いて、負荷Zへの出力電圧Voutを生成する構成とされていた。
なお、本願発明に関するその他の従来技術としては、回路を構成したときにさまざまな問題点を招来する寄生ダイオードによる不具合の発生を防止することができる半導体装置(特許文献1を参照)や、整流素子としてMOSFETを用いた場合にもMOSFETでの電圧降下を抑制し、整流効率の低下を防止することができる整流回路(特許文献2を参照)、並びに、電源回路の出力段回路の占有面積を低減でき、出力端子に負荷と並列に接続されたコンデンサからの逆流を容易に阻止できる電源回路(特許文献3を参照)などが種々開示・提案されている。
特開平8−186261号公報(図3) 特開平11−233730号公報 特開2003−347913号公報
確かに、上記従来の昇圧型スイッチング電源IC100であれば、パワートランジスタPTのオン/オフ制御(デューティ制御)を行うことにより、入力電圧Vinを昇圧して出力電圧Voutを得ることが可能である。
しかしながら、図6(a)に示す昇圧型スイッチング電源IC100では、装置の駆動を停止するに際して、パワートランジスタPTのスイッチング制御を止めても、入力電圧Vinの印加端から負荷Zへの電流経路が遮断されるわけではないため、入力電圧Vinの変動等によって負荷Zにリーク電流が流れてしまうおそれがあり、パワーオフ機能としては不十分である、という課題があった。
上記課題を解決する手段としては、図6(b)に示すように、上記の電流経路を遮断するトランジスタQexを外付けする構成が考えられるが、当該構成では、トランジスタQexの実装に伴い、当該昇圧型スイッチング電源IC100を搭載する電子機器全体としての小型化・軽薄化が阻害される、という課題があった。
また、上記トランジスタQexを外付けした構成としても、図6(c)に示すように、負荷Zに対する出力電圧Voutの供給端が低電位端にショート(地絡)した場合には、インダクタLex若しくはショットキーバリアダイオードSBDに大電流が流れ、これらの素子が破壊されてしまう、という課題もあった。
なお、先述の特許文献1〜3で開示・提案されている従来技術は、いずれも、入力電圧Vinの印加端から負荷Zへの電流経路を適切に遮断する技術ではなく、上記課題を解決し得るものではなかった。
本発明は、上記の問題点に鑑み、状況に応じて入力電圧の印加端から負荷への電流経路を適切に遮断することが可能な昇圧型スイッチング電源装置を提供し、もってこれを搭載した電子機器の小型化並びに信頼性の向上に貢献することを目的とする。
上記された目的を達成するために、本発明に係る昇圧型スイッチング電源装置は、外付けのインダクタを介して入力電圧が印加される入力端子と;負荷への出力電圧が引き出される出力端子と;前記入力端子と所定の基準電圧端との間に接続された出力トランジスタと;前記入力端子と前記出力端子との間に接続された第1のPチャネル電界効果トランジスタと;前記出力端子と第1のPチャネル電界効果トランジスタのバックゲートとの間に接続された第2のPチャネル電界効果トランジスタと;前記出力トランジスタ、並びに、第1、第2のPチャネル電界効果トランジスタのスイッチング制御を行うスイッチング制御部と;を集積化して成り、前記スイッチング制御部は、入力電圧を昇圧して出力電圧を得る際には、第2のPチャネル電界効果トランジスタを常時オン状態とした上で、前記出力トランジスタ及び第1のPチャネル電界効果トランジスタを相補的にスイッチング制御する一方、装置の駆動を停止する際には、前記出力トランジスタ、並びに、第1、第2のPチャネル電界効果トランジスタをいずれもオフ状態になるように制御する構成(第1の構成)としている。
このような構成とすることにより、第1のPチャネル電界効果トランジスタを介する電流経路は元より、これに付随するボディダイオードを介した電流経路をも、第2のPチャネル電界効果トランジスタによって遮断することができる。従って、リーク電流遮断用のトランジスタを外付けしていた従来構成と異なり、これを搭載する電子機器の小型化・軽薄化を阻害することなく、状況に応じて入力電圧の印加端から負荷への電流経路を適切に遮断することが可能となる。
なお、上記第1の構成から成る昇圧型スイッチング電源装置は、前記入力電圧が直接印加される電源端子と;ソースが第1のPチャネル電界効果トランジスタのバックゲートに接続され、ドレインが前記電源端子に接続され、ゲートが前記出力端子に接続された第3のPチャネル電界効果トランジスタと;を集積化して成る構成(第2の構成)にするとよい。このような構成とすることにより、出力電圧が所定の電位レベルまで低下したとき、第1、第2のPチャネル電界効果トランジスタのバックゲートを入力電圧に固定し、そのオフ状態をより確実なものとすることが可能となる。
また、上記第1または第2の構成から成る昇圧型スイッチング電源装置において、前記スイッチング制御部は、装置の駆動を停止するに際して、第1、第2のPチャネル電界効果トランジスタのゲートに前記入力電圧を印加する構成(第3の構成)にするとよい。このような構成とすることにより、出力電圧を急峻に立ち下げることができる。また、当該構成であれば、入力端子に現れる電圧が装置の駆動停止と同時に跳ね上がることを回避することができるため、装置の耐圧マージンを不必要に高めずに済むようになる。
なお、上記第2、第3の構成を組み合わせた場合には、第1、第2のPチャネル電界効果トランジスタがオン状態となる期間において、第3のPチャネル電界効果トランジスタをオフ状態とし、第1、第2のPチャネル電界効果トランジスタのバックゲートをフロート状態とすることができるので、第3のPチャネル電界効果トランジスタを介して、電源端子から電力供給を受ける内部回路に過大電流が流入することを回避し、その素子破壊を防止することが可能となる。
また、上記第1または第2の構成から成る昇圧型スイッチング電源装置において、前記スイッチング制御部は、装置の駆動を停止する際、第1、第2のPチャネル電界効果トランジスタのゲートに前記出力電圧を印加する構成(第4の構成)としてもよい。このような構成とすることにより、装置を何度もオン/オフさせる必要がある場合でも、電力損失を低減し、その効率を高めることが可能となる。
また、上記第1〜第4いずれかの構成から成る昇圧型スイッチング電源装置は、前記出力電圧に応じて変動する帰還電圧と所定の目標設定電圧との差分を増幅して誤差電圧信号を生成する誤差増幅器と、所定の三角波電圧信号を生成する発振器と、前記誤差電圧信号と前記三角波電圧信号を比較してPWM信号を生成するPWMコンパレータと、を集積化して成り、前記スイッチング制御部は、入力電圧を昇圧して出力電圧を得る際、前記PWM信号に基づいて、前記出力トランジスタ及び第1のPチャネル電界効果トランジスタを相補的にスイッチング制御する構成(第5の構成)にするとよい。このような構成とすることにより、出力電圧をその目標設定値に合わせ込むことができる。
また、上記第1〜第5いずれかの構成から成る昇圧型スイッチング電源装置は、前記出力電圧を監視して、前記スイッチング制御部に出力ショートが生じているか否かを報知するための出力ショート検出信号を生成する出力ショート検出回路を有して成り、前記スイッチング制御部は、前記出力ショート検出信号に基づいて出力ショートが生じたことを認識したとき、前記出力トランジスタ、並びに、第1、第2のPチャネル電界効果トランジスタをいずれもオフ状態とする構成(第6の構成)にするとよい。このような構成であれば、インダクタからスイッチング電源装置に短絡電流が流れることを防ぐことができ、延いては、装置内部の素子や外付け部品の破壊を未然に回避することが可能となる。
なお、上記第6の構成から成る昇圧型スイッチング電源装置において、前記出力ショート検出回路は、前記出力電圧が所定の閾値電圧を下回ったときに、その出力論理を反転するコンパレータと;装置が起動してから所定の出力検出マスク期間中には、前記コンパレータの出力論理に依らず、一定の出力を行う一方、前記出力検出マスク期間の経過後は、前記コンパレータの出力論理を反映して、前記出力ショート検出信号の出力論理を反転させる出力検出マスク手段と;を有して成り、前記スイッチング制御部は、前記出力ショート検出信号に応じて出力ショートが生じたことを認識し、前記出力トランジスタ、並びに第1、第2のPチャネル電界効果トランジスタをいずれもオフ状態とする構成(第7の構成)にするとよい。このような構成とすることにより、前記コンパレータの出力検出不能に起因する起動時の立ち上げ不良を防ぐことが可能となる。
また、本発明に係る電子機器は、装置電源であるバッテリと、前記バッテリの出力変換手段と、を有して成る電子機器であって、前記出力変換手段として、上記第1〜第7いずれかの構成から成る昇圧型スイッチング電源装置を備えて成る構成としている。このような構成とすることにより、電子機器の小型化並びに信頼性向上を図ることが可能となる。
上記したように、本発明に係る昇圧型スイッチング電源装置であれば、入力電圧の印加端から負荷への電流経路を状況に応じて適切に遮断することが可能となり、延いては、これを搭載した電子機器の小型化並びに信頼性向上に貢献することが可能となる。
以下では、携帯電話端末に搭載され、バッテリの出力電圧を変換して端末各部(例えばTFT[Thin Film Transistor]液晶パネル)の駆動電圧を生成するDC/DCコンバータに本発明を適用した場合を例に挙げて説明を行う。
図1は、本発明に係る携帯電話端末の一実施形態を示すブロック図(特に、TFT液晶パネルへの電源系部分)である。本図に示すように、本実施形態の携帯電話端末は、装置電源であるバッテリ10と、バッテリ10の出力変換手段であるDC/DCコンバータ20と、携帯電話端末の表示手段であるTFT液晶パネル30と、を有して成る。なお、本図には明示されていないが、本実施形態の携帯電話端末は、上記構成要素のほか、その本質機能(通信機能など)を実現する手段として、送受信回路部、スピーカ部、マイク部、表示部、操作部、メモリ部など、を当然に有して成る。
DC/DCコンバータ20は、バッテリ10から印加される入力電圧Vinから一定の出力電圧Voutを生成し、該出力電圧VoutをTFT液晶パネル30に供給する。
図2は、DC/DCコンバータ20の一構成例を示す回路図(一部にブロックを含む)である。本図に示す通り、本実施形態のDC/DCコンバータ20は、スイッチング電源IC21のほか、外付けのインダクタLex、平滑コンデンサCex、及び、抵抗Rexを有して成る昇圧型スイッチングレギュレータ(チョッパ型レギュレータ)である。
スイッチング電源IC21は、回路ブロック的に見ると、スイッチ駆動回路211と、出力帰還回路212と、出力ショート(地絡)検出回路213と、を有するほか、外部との電気的な接続手段として、外部端子T1〜T4を有して成る。なお、スイッチング電源IC21には、上記した回路ブロックのほか、その他の保護回路ブロック(低入力誤動作防止回路や熱保護回路など)を適宜組み込んでも構わない。
スイッチ駆動回路211は、スイッチング制御部CTRLと、Nチャネル電界効果トランジスタN1と、Pチャネル電界効果トランジスタP1〜P3と、を有して成る。
出力帰還回路212は、誤差増幅器ERRと、直流電圧源E1と、発振器OSCと、コンパレータCMP1と、を有して成る。
出力ショート(地絡)検出回路213は、コンパレータCMP2と、定電流源I1と、コンデンサC1と、スイッチ素子SWと、インバータINVと、Nチャネル電界効果トランジスタN2〜N3と、抵抗R1〜R3と、論理和回路ORと、を有して成る。
スイッチング制御部CTRLの電源入力端、並びに、その他の内部回路(不図示)の電源入力端は、いずれも、外部端子T1(電源端子)に接続されている。
トランジスタN1のドレインは、外部端子T2(入力端子)に接続されている。トランジスタN1のソースは、接地されている。トランジスタN1のゲートは、スイッチング制御部CTRLのゲート信号出力端に接続されている。
トランジスタP1のドレインは、外部端子T2に接続されている。トランジスタP1のソースは、外部端子T3(出力端子)に接続されている。トランジスタP1のゲートは、スイッチング制御部CTRLのゲート信号出力端に接続されている。なお、トランジスタP1のドレインとバックゲートとの間には、アノードがドレインに接続され、カソードがバックゲートに接続された形で、ボディダイオードBD1が付随している。
トランジスタP2のドレインは、外部端子T3に接続されている。トランジスタP2のソースは、トランジスタP1のバックゲートに接続されている。トランジスタP2のゲートは、スイッチング制御部CTRLのゲート信号出力端に接続されている。トランジスタP2のバックゲートは、自身のソースに接続されている。なお、トランジスタP2のドレインとバックゲートとの間には、アノードがドレインに接続され、カソードがバックゲートに接続された形で、ボディダイオードBD2が付随している。
トランジスタP3のドレインは、外部端子T1に接続されている。トランジスタP3のソースは、トランジスタP1のバックゲートに接続されている。トランジスタP3のゲートは、外部端子T3に接続されている。トランジスタP3のバックゲートは、自身のソースに接続されている。
誤差増幅器ERRの反転入力端(−)は、外部端子T4(出力帰還端子)に接続されている。誤差増幅器ERRの非反転入力端(+)は、直流電圧源E1の正極端に接続されている。直流電圧源E1の負極端は接地されている。コンパレータCMP1の非反転入力端(+)は、誤差増幅器ERRの出力端に接続されている。コンパレータCMP1の反転入力端(−)は、発振器OSCの出力端に接続されている。コンパレータCMP1の出力端は、スイッチング制御部CTRLのPWM信号入力端に接続されている。
コンパレータCMP2の非反転入力端(+)は、外部端子T3に接続されている。コンパレータCMP2の反転入力端(−)は、電源ラインと接地端との間に直列接続される抵抗R2、R3の接続ノードに接続されている。コンパレータCMP2の出力端は、論理和回路ORの一入力端に接続されている。スイッチ素子SWの一端は、定電流源I1を介して電源ラインに接続されている。スイッチ素子SWの他端は、コンデンサC1を介して接地される一方、トランジスタN2のゲート及びトランジスタN3のドレインにも各々接続されている。スイッチ素子SWの制御端は、起動信号Sstartの印加端に接続されている。トランジスタN2のドレインは、抵抗R1を介して電源ラインに接続される一方、論理和回路ORの他入力端にも接続されている。トランジスタN2、N3のソースは接地されている。トランジスタN3のゲートは、インバータINVを介して、起動信号Sstartの印加端に接続されている。論理和回路ORの出力端は、スイッチング制御部CTRLの検出信号入力端に接続されている。
スイッチング電源IC21の外部において、外部端子T1は、バッテリ10から与えられる入力電圧Vinの印加端に接続される一方、インダクタLexの一端にも接続されている。外部端子T2は、インダクタLexの他端に接続されている。外部端子T3は、平滑コンデンサCexを介して接地される一方、負荷であるTFT液晶パネル30の発光ダイオード列LEDのアノード端に接続されている。外部端子T4は、抵抗Rexを介して接地される一方、発光ダイオード列LEDのカソード端にも接続されている。
まず、上記構成から成るスイッチング電源IC21の基本動作(直流/直流変換動作)について説明する。
トランジスタN1は、スイッチング制御部CTRLからのゲート電圧Vnに応じてスイッチング制御(開閉制御)される出力トランジスタであり、トランジスタP1は、スイッチング制御部CTRLからのゲート電圧Vp1に応じてスイッチング制御(開閉制御)される同期整流トランジスタである。
スイッチング制御部CTRLは、入力電圧Vinを昇圧して出力電圧Voutを得るに際し、トランジスタP2を常時オン状態とした上で、トランジスタN1、P1を相補的にスイッチング制御する。
なお、本明細書中で用いている「相補的」という文言は、トランジスタN1、P1のオン/オフが完全に逆転している場合のほか、貫通電流防止の観点からトランジスタN1、P1のオン/オフ遷移タイミングに所定の遅延を与えている場合をも含むものとする。
トランジスタN1がオン状態にされると、インダクタLexには、トランジスタN1を介して、接地端に向けたスイッチ電流が流れ、その電気エネルギが蓄えられる。なお、トランジスタN1のオン期間において、すでに平滑コンデンサCexに電荷が蓄積されていた場合、負荷である発光ダイオード列LEDには、平滑コンデンサCexからの電流が流れることになる。また、このとき、同期整流素子であるトランジスタP1は、トランジスタN1のオン状態に対して相補的にオフ状態とされるため、平滑コンデンサC1からトランジスタN1に向けて電流が流れ込むことはない。
一方、トランジスタN1がオフ状態にされると、インダクタLexに生じた逆起電圧によって、そこに蓄積されていた電気エネルギが放出される。このとき、トランジスタP1は、トランジスタN1のオフ状態に対して相補的にオン状態とされるため、外部端子T2からトランジスタP1を介して流れる電流は、外部端子T3から負荷である発光ダイオード列LEDに流れ込むとともに、平滑コンデンサCexを介して接地端にも流れ込み、該平滑コンデンサCexを充電することになる。上記の動作が繰り返されることによって、負荷である発光ダイオード列LEDには、平滑コンデンサCexにより平滑された直流出力が供給される。
このように、本実施形態のスイッチング電源IC21は、トランジスタN1、P1のスイッチング制御により、入力電圧Vinを昇圧して出力電圧Voutを生成するチョッパ型昇圧回路の一構成要素として機能するものである。
次に、上記構成から成るスイッチング電源IC21の出力帰還制御について説明する。
スイッチング電源IC21において、誤差増幅器ERRは、抵抗Rexの一端から引き出される出力帰還電圧Vfb(出力電圧Voutの実際値に相当)と、直流電圧源E1で生成される参照電圧Vref(出力電圧Voutの目標設定値Vtargetに相当)との差分を増幅して誤差電圧信号Verrを生成する。すなわち、誤差電圧信号Verrの電圧レベルは、出力電圧Voutがその目標設定値Vtargetよりも低いほど、高レベルとなる。一方、発振器OSCは、所定の三角波電圧信号Vslopeを生成する。
コンパレータCMP1は、誤差電圧信号Verrと三角波電圧信号Vslopeとを比較してPWM[Pulse Width Modulation]信号を生成するPWMコンパレータである。すなわち、PWM信号のオンデューティ(単位期間に占めるトランジスタN1のオン期間の比)は、誤差電圧信号Verrと三角波電圧信号Vslopeとの相対的な高低に応じて逐次変動する。具体的に述べると、出力電圧Voutがその目標設定値Vtargetよりも低いほど、PWM信号のオンデューティは大きくなり、出力電圧Voutがその目標設定値Vtargetに近付くにつれて、PWM信号のオンデューティは小さくなる。
スイッチング制御部CTRLは、入力電圧Vinを昇圧して出力電圧Voutを得るに際し、PWM信号に応じてトランジスタN1及びトランジスタP1を相補的にスイッチング制御する。具体的に述べると、スイッチング制御部CTRLは、PWM信号のオン期間には、トランジスタN1をオン状態、トランジスタP1をオフ状態とする一方、PWM信号のオフ期間には、トランジスタN1をオフ状態、トランジスタP1をオン状態とする。
このように、本実施形態のスイッチング電源IC21は、誤差電圧信号Verrに基づく出力帰還制御により、出力電圧Voutをその目標設定値Vtargetに合わせ込むことができる。
次に、上記構成から成るスイッチング電源IC21の駆動停止動作(パワーオフ動作)について、図2及び図3を参照しながら、詳細に説明する。図3は、スイッチング電源IC21のパワーオフ動作の一例を説明するための図であり、特に、装置の駆動を停止するに際して、トランジスタP1、P2のゲートに入力電圧Vinを印加する場合の装置挙動を示している。
時刻t1にて、スイッチング電源IC21にパワーオフが指示されると、トランジスタN1には、ゲート電圧Vnとして接地電位が印加され、トランジスタN1はオフ状態とされる。これにより、スイッチング電源IC21の昇圧動作は停止される。
一方、トランジスタP1、P2には、ゲート電圧Vp1、Vp2としていずれも入力電圧Vinが印加される。ただし、出力電圧Voutは、未だ入力電圧Voutよりも高いレベルを維持しているため、トランジスタP1、P2のゲート電位(Vin)は、そのソース電位(Vout)よりも低い状態となる。従って、トランジスタP1、P2は、上記ゲート電圧の変遷に依らず、引き続きオン状態に維持される。その結果、平滑コンデンサCexの蓄積電荷は、トランジスタP1を介して、入力電圧Vinの印加端側へと急速に放電され、出力電圧Voutは急峻に低下する(時刻t1〜t2)。
このように、スイッチング電源IC21のパワーオフに際して、トランジスタP1、P2のゲートに入力電圧Vinを印加する構成とすることにより、出力電圧Voutを急峻に立ち下げることができる。また、当該構成であれば、外部端子T2に現れる電圧Vxが上記パワーオフと同時に跳ね上がることを回避することができるため、スイッチング電源IC21の耐圧マージンを不必要に高めずに済むようになる。
その後、時刻t2にて、出力電圧Voutが入力電圧Vinまで低下すると、トランジスタP1、P2はオフ状態に遷移される。これにより、外部端子T2から発光ダイオード列LEDへの電流経路を遮断することができるので、これ以後に入力電圧Vinの変動等が生じた場合であっても、発光ダイオード列LEDへのリーク電流を適切に防止することが可能となる。また、当該構成であれば、リーク電流遮断用のトランジスタ(図6(b)を参照)を外付けする必要がないので、携帯電話端末全体としての小型化・軽薄化を阻害することもない。時刻t2以後、出力電圧Voutは、図示しない内部のプルダウン回路により、約10[ms]で0[V]になる。
なお、上記したトランジスタP2は、トランジスタP1に付随するボディダイオードBD1を介した電流経路を遮断する手段として設けられている。すなわち、トランジスタP1のスイッチング特性を高めるべく、単純にトランジスタP1のバックゲートとソースを接続した構成では、ボディダイオードBD1を介して、インダクタLexから発光ダイオード列LEDへの電流経路が存在するところ、当該電流経路上にトランジスタP2を配設し、かつ、スイッチング電源IC21の駆動停止に際して、トランジスタP1、P2をいずれもオフ状態とする構成とすることにより、上記電流経路を遮断して、インダクタLexから発光ダイオード列LEDへのリーク電流を防止することが可能となる。
一方、トランジスタP3について見ると、そのゲート電位(出力電圧Vout)は、時刻t1〜t2には、先述の通り急峻に低下していき、時刻t2にて、トランジスタP1、P2がオフ状態とされて以後も、緩やかながら継続的に低下していく。これに対して、トランジスタP3のソース電位Vyは、時刻t1〜t2には、出力電圧Voutとともに急峻に低下する一方、時刻t2以後については、ボディダイオードBD1を介して外部端子T2に吊られるため、電圧Vx(入力電圧Vin)に維持される。従って、トランジスタP3は、出力電圧VoutがVin−VGS1.0[V]程度に低下するまで、オフ状態に維持され、時刻t3にて、出力電圧Voutが上記電位レベルにまで低下した時点で、何ら制御を要することなく、自発的にオン状態へと遷移される。すなわち、トランジスタP3は、出力電圧Voutが上記の電位レベルにまで低下したとき、トランジスタP1、P2のバックゲートをその時点での最高電位である入力電圧Vinに固定する手段であると言える。このような構成とすることにより、トランジスタP1、P2のバックゲートを高電位にバイアスし、そのオフ状態をより確実なものとすることが可能となる。
また、ここで重要なことは、トランジスタP1、P2がオン状態となる時刻t1〜t2(すなわち、平滑コンデンサCexに蓄積された電荷の急速放電期間)において、トランジスタP3がオフ状態とされ、トランジスタP1、P2のバックゲートがフロート状態とされることである。このような動作が実現されることにより、トランジスタP3を介して外部端子T1から電力供給を受ける内部回路に過大電流が流入することを回避し、その素子破壊を防止することが可能となる。
なお、上記の実施形態では、装置の駆動を停止するに際して、トランジスタP1、P2のゲートに入力電圧Vinを印加する場合を例に挙げて説明を行ったが、本発明の構成はこれに限定されるものではなく、図4に示すように、装置の駆動を停止するに際して、トランジスタP1、P2のゲートに出力電圧Voutを印加する構成としても構わない。
このような構成とした場合、時刻t1にて、スイッチング電源IC21にパワーオフが指示された時点で、トランジスタP1、P2はオフ状態に遷移される。その結果、先述の実施形態に比べると、平滑コンデンサCexに蓄積された電荷の放電経路が少なくなり、出力電圧Voutは徐々に低下することになる。従って、スイッチング電源IC21を何度もオン/オフさせる必要がある場合には、当該構成を採用することで、電力損失を低減し、その効率を高めることが可能となる。
ただし、パワーオフと同時にトランジスタP1、P2をオフ状態に遷移させる当該構成では、インダクタLexに蓄積された電気エネルギによって、外部端子T2に現れる電圧Vxが上記パワーオフと同時に跳ね上がるおそれがある。そのため、当該構成を採用する際には、スイッチング電源IC21の耐圧マージンを十分に高めておく必要がある。
最後に、上記構成から成るスイッチング電源IC21の出力ショート保護動作について図5を参照しながら詳細に説明する。
時刻t4にて、スイッチング電源IC21が外部からのイネーブル信号により動作を開始すると、出力電圧Voutは、所定の傾きをもって徐々にその上昇を開始する。なお、時刻t4以前にも、入力電圧Vinとして3.6[V]は印加されているので、図5の波形となる。
コンパレータCMP2は、出力電圧Voutと所定の閾値電圧(抵抗R2、R3の接続ノードから引き出される入力電圧Vinの分圧電圧)とを比較する手段であり、その比較出力である電圧信号Vbの論理(ハイレベル/ローレベル)は、出力電圧Voutと閾値電圧との相対的な高低に応じて変遷する。より具体的に述べると、出力電圧Voutが閾値電圧よりも高いときには、電圧信号Vbの論理がハイレベルとなり、そうでないときには、電圧信号Vbの論理がローレベルとなる。従って、当該電圧信号Vbの論理を監視することで、出力ショート(地絡)の発生有無を検出することが可能となる。
ただし、スイッチング電源IC21の動作開始直後は、コンパレータCMP2自体の出力検出不能期間であり、電圧信号Vbの論理は、出力電圧Voutの上昇に依らず、ローレベルのままとなる。従って、当該電圧信号Vbをそのまま出力ショート検出信号(スイッチング制御部CTRLに出力ショートが生じているか否かを報知するための信号)として用いると、スイッチング電源IC21を起動してからしばらくの期間、出力ショートが誤検出されることになる。
そこで、本実施形態のスイッチング電源IC21では、上記誤検出を回避すべく、次のような信号処理(出力検出マスク処理)が行われる。
すなわち、本実施形態のスイッチング電源IC21では、上記スイッチング電源IC21の動作開始に合わせて、スイッチ素子SWの開閉制御を行うための起動信号Sstartが入力(図5ではハイレベル遷移)され、スイッチ素子SWがオン状態、トランジスタN3がオフ状態とされる。なお、トランジスタN3は、起動信号Sstartの非入力時にオン状態とされるコンデンサC1の放電手段である。
上記のスイッチ制御により、コンデンサC1の充電が開始され、トランジスタN2のゲート端に印加される電圧信号Vaが徐々に上昇を開始する。このとき、電圧信号Vaが所定の閾値電圧Vthに達するまでは、トランジスタN2がオフ状態に維持され、そのドレインから引き出される電圧信号Vc(出力検出マスク信号)はハイレベルのままとなる。
なお、電圧信号Vaが閾値電圧Vthに達するまでの所要期間(時刻t4〜t5)は、出力検出マスク期間に相当する期間であって、先述したコンパレータCMP2の出力検出不能期間よりも長く設定されている。当該マスク期間の長短は、定電流源I1で生成する定電流値、若しくは、コンデンサC1の容量値を適宜選択することで、容易に調整することが可能である。
論理和回路ORは、電圧信号Vb、Vcの論理和演算で得られた電圧信号を出力ショート検出信号Vdとしてスイッチング制御部CTRLに送出する。従って、出力ショート検出信号Vdの論理は、電圧信号Vb、Vcの一方でもハイレベルであればハイレベルとなり、電圧信号Vb、Vcがいずれもローレベルである場合にのみローレベルとなる。
ここで、電圧信号Vaが閾値電圧Vthに達するまでの期間(時刻t4〜t5)は、先述した通り、電圧信号Vcがハイレベルとなる。そのため、当該期間中は、コンパレータCMP2の出力検出不能に起因して、電圧信号Vbがローレベルに維持されたとしても、その論理が電圧信号Vcのハイレベルによってマスクされ、出力ショート検出信号Vdの論理がハイレベルとなる。従って、当該論理の出力ショート検出信号Vdを受けたスイッチング制御部CTRLでは、出力ショートが生じていないと認識して、通常動作を行うことができるので、起動時の立ち上げ不良を防ぐことが可能となる。
その後、コンデンサC1の充電が進み、時刻t5にて、電圧信号Vaが閾値電圧Vthに達すると、トランジスタN2がオン状態に遷移され、そのドレインから引き出される電圧信号Vcがローレベル(ほぼ接地電位)に変遷される。このとき、時刻t5では、既にコンデンサCMP2の出力検出が可能となっており、出力電圧Voutの立ち上がりに応じて、電圧信号Vbがハイレベルとなっている。従って、論理和回路ORで得られる出力ショート検出信号Vdの論理は、電圧信号Vbの論理状態を反映してハイレベルとなり、当該論理の出力ショート検出信号Vdを受けたスイッチング制御部CTRLでは、出力ショートが生じていないと認識して、通常動作を行うことが可能となる。
一方、時刻t6にて、出力ショート(地絡)が発生した場合、出力電圧Voutは接地電位まで立ち下がるため、電圧信号Vbはローレベルに変遷される。また、このとき、スイッチ素子SWは、起動信号Sstartの入力によってオン状態とされたままであり、電圧信号Vaは、引き続き閾値電圧Vthを上回った状態に維持され、トランジスタN2もオン状態のままとされている。すなわち、電圧信号Vcは、それまでの通り、ローレベルに維持される。その結果、電圧信号Vb、Vcがいずれもローレベルとなるため、論理和回路ORで得られる出力ショート検出信号Vdの論理はローレベルに変遷される。従って、当該論理の出力ショート検出信号Vdを受けたスイッチング制御部CTRLでは、出力ショートが生じたことを認識して、トランジスタN1及びトランジスタP1、P2をいずれもオフ状態とし、装置の動作を停止することが可能となる。このようなシャットダウン制御により、インダクタLexからスイッチング電源IC21に短絡電流が流れることを防ぐことができ、延いては、IC内部の素子や外付け部品の破壊を未然に回避することが可能となる。
なお、上記の実施形態では、コンデンサC1の充電動作を利用して出力検出マスク信号を生成する構成を例に挙げて説明を行ったが、本発明の構成はこれに限定されるものではなく、例えば、タイマ回路等を用いて、上記出力検出マスク処理を実現する構成としても構わない。
また、上記の実施形態では、携帯電話端末に搭載され、バッテリ10の出力変換手段として用いられるDC/DCコンバータ20に本発明を適用した場合を例に挙げて説明を行ったが、本発明の適用対象はこれに限定されるものではなく、本発明は、昇圧型スイッチング電源装置全般に広く適用することが可能である。
また、本発明の構成は、上記実施形態のほか、発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることが可能である。
本発明は、昇圧型スイッチング電源装置を搭載する電子機器の小型化並びに信頼性の向上を図る上で有用な技術であり、バッテリ仕様の電子機器など、スイッチング電源装置を搭載するあらゆる電子機器に好適な技術である。
は、本発明に係る携帯電話端末の一実施形態を示すブロック図である。 は、DC/DCコンバータ20の一構成例を示す回路図である。 は、スイッチング電源IC21のパワーオフ動作の一例を説明するための図である。 は、スイッチング電源IC21のパワーオフ動作の別の一例を説明するための図である。 は、スイッチング電源IC21の出力ショート保護動作の一例を説明するための図である。 は、DC/DCコンバータの一従来例を示す回路図である。
符号の説明
10 バッテリ
20 DC/DCコンバータ(スイッチングレギュレータ)
30 TFT液晶パネル
21 スイッチング電源IC
211 スイッチ駆動回路
212 出力帰還回路
213 出力ショート(地絡)検出回路
CTRL スイッチング制御部
N1〜N3 Nチャネル電界効果トランジスタ
P1〜P3 Pチャネル電界効果トランジスタ
ERR 誤差増幅器
E1 直流電圧源
OSC 発振器
CMP1〜CMP2 コンパレータ
I1 定電流源
C1 コンデンサ
R1〜R3 抵抗
SW スイッチ素子
INV インバータ
OR 論理和回路
T1〜T4 外部端子
Lex インダクタ(外付け)
Cex 平滑コンデンサ(外付け)
Rex 抵抗(外付け)

Claims (7)

  1. 外付けのインダクタを介して入力電圧が印加される入力端子と;負荷への出力電圧が引き出される出力端子と;前記入力端子と所定の基準電圧端との間に接続された出力トランジスタと;前記入力端子と前記出力端子との間に接続された第1のPチャネル電界効果トランジスタと;前記出力端子と第1のPチャネル電界効果トランジスタのバックゲートとの間に接続された第2のPチャネル電界効果トランジスタと;前記出力トランジスタ、並びに、第1、第2のPチャネル電界効果トランジスタのスイッチング制御を行うスイッチング制御部と;前記入力電圧が直接印加される電源端子と;ソースが第1のPチャネル電界効果トランジスタのバックゲートに接続され、ドレインが前記電源端子に接続され、ゲートが前記出力端子に接続された第3のPチャネル電界効果トランジスタと;を集積化して成り、前記スイッチング制御部は、入力電圧を昇圧して出力電圧を得る際には、第2のPチャネル電界効果トランジスタを常時オン状態とした上で、前記出力トランジスタ及び第1のPチャネル電界効果トランジスタを相補的にスイッチング制御する一方、装置の駆動を停止する際には、前記出力トランジスタ、並びに、第1、第2のPチャネル電界効果トランジスタをいずれもオフ状態になるように制御することを特徴とする昇圧型スイッチング電源装置。
  2. 前記スイッチング制御部は、装置の駆動を停止する際、第1、第2のPチャネル電界効果トランジスタのゲートに前記入力電圧を印加することを特徴とする請求項1に記載の昇圧型スイッチング電源装置。
  3. 前記スイッチング制御部は、装置の駆動を停止する際、第1、第2のPチャネル電界効果トランジスタのゲートに前記出力電圧を印加することを特徴とする請求項1に記載の昇圧型スイッチング電源装置。
  4. 前記出力電圧に応じて変動する帰還電圧と所定の目標設定電圧との差分を増幅して誤差電圧信号を生成する誤差増幅器と、所定の三角波電圧信号を生成する発振器と、前記誤差電圧信号と前記三角波電圧信号を比較してPWM信号を生成するPWMコンパレータと、を集積化して成り、前記スイッチング制御部は、入力電圧を昇圧して出力電圧を得る際、前記PWM信号に基づいて、前記出力トランジスタ及び第1のPチャネル電界効果トランジスタを相補的にスイッチング制御することを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれかに記載の昇圧型スイッチング電源装置。
  5. 前記出力電圧を監視して、前記スイッチング制御部に出力ショートが生じているか否かを報知するための出力ショート検出信号を生成する出力ショート検出回路を有して成り、前記スイッチング制御部は、前記出力ショート検出信号に基づいて出力ショートが生じたことを認識したとき、前記出力トランジスタ、並びに、第1、第2のPチャネル電界効果トランジスタをいずれもオフ状態とすることを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれかに記載の昇圧型スイッチング電源装置。
  6. 前記出力ショート検出回路は、前記出力電圧が所定の閾値電圧を下回ったときに、その出力論理を反転するコンパレータと;装置が起動してから所定の出力検出マスク期間中には、前記コンパレータの出力論理に依らず一定の出力を行う一方、前記出力検出マスク期間の経過後は、前記コンパレータの出力論理を反映して、前記出力ショート検出信号の出力論理を反転させる出力検出マスク手段と;を有して成り、前記スイッチング制御部は、前記出力ショート検出信号に応じて出力ショートが生じたことを認識し、前記出力トランジスタ、並びに、第1、第2のPチャネル電界効果トランジスタをいずれもオフ状態とすることを特徴とする請求項5に記載の昇圧型スイッチング電源装置。
  7. 装置電源であるバッテリと、前記バッテリの出力変換手段と、を有して成る電子機器であって、前記出力変換手段として、請求項1〜請求項6のいずれかに記載の昇圧型スイッチング電源装置を備えて成ることを特徴とする電子機器。
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