TWI477788B - 偵測發光二極體短路的方法及其裝置 - Google Patents

偵測發光二極體短路的方法及其裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI477788B
TWI477788B TW102110334A TW102110334A TWI477788B TW I477788 B TWI477788 B TW I477788B TW 102110334 A TW102110334 A TW 102110334A TW 102110334 A TW102110334 A TW 102110334A TW I477788 B TWI477788 B TW I477788B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
circuit
voltage
node
detecting
coupled
Prior art date
Application number
TW102110334A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201341815A (zh
Inventor
Shu Min Lin
Original Assignee
Realtek Semiconductor Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Realtek Semiconductor Corp filed Critical Realtek Semiconductor Corp
Priority to TW102110334A priority Critical patent/TWI477788B/zh
Publication of TW201341815A publication Critical patent/TW201341815A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI477788B publication Critical patent/TWI477788B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/006—Electronic inspection or testing of displays and display drivers, e.g. of LED or LCD displays
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/44—Testing lamps
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2607—Circuits therefor
    • G01R31/2632—Circuits therefor for testing diodes
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/50—Testing of electric apparatus, lines, cables or components for short-circuits, continuity, leakage current or incorrect line connections
    • G01R31/52—Testing for short-circuits, leakage current or ground faults

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Circuit Arrangement For Electric Light Sources In General (AREA)

Description

偵測發光二極體短路的方法及其裝置
本發明是有關於一種電子電路，且特別是有關於一種用以偵測發光二極體短路的電子電路及其方法。
近來，顯示面板(panel)係應用於許多電子產品上。例如：數位電視、數位監示器、智慧手機、筆記型電腦、平板電腦、ipad、…等各式各樣的電子產品上。顯示面板(panel)須有一個背光設備用以提供光源。目前較常見的背光設備係利用多顆發光二極體(LED)來提供光源。其中該多顆發光二極體可分成4串或8串(channel)以進行控制。
一般而言，在發光二極體背光控制器(back-light controller)的電路應用上，傳統的發光二極體短路偵測電路係偵測發光二極體串(LED channel)的負端電壓ISEN，當發光二極體有燒掉(短路)發生時，發光二極體串的跨壓會變小導致發光二極體串的負端電壓ISEN提高，利用偵測發光二極體串負端電壓ISEN的變化，即可得知發光二極體串短路發生的數目。然而，發光二極體串的跨壓通常約為30~60伏特，因此要用上述機制來偵測發光二極體串短路數目，一般都需要使用特殊的高壓製程來實現。當有使用到特殊的高壓製程時，則無法將其偵測電路整合使用一般製程的積體電路中，特別是在系統在晶片(system on chip，soc)的應用上。
此外，由於背光控制器係用以控制發光二極體的亮/暗(ON/OFF)，一般而言，當面板尺寸愈大，則所須的發光二極體的串數、或是每串的數量就會愈多。若對一個發光二極體串進行短路偵測須要該背光控制器的節點(PIN)數量愈少時，則愈可節省到背光控制器的節點數。例如：當對一個發光二極體串進行短路偵測須要該背光控制器的愈多節點(PIN) 時，則該背光控制器就會被佔用到愈多節點(PIN)，造成生產成本提高。
由於傳統作法存在著一些問題點。所以，本發明提出一個偵測發光二極體短路的電子電路及其方法，以克服上述的至少一個問題點。
本發明係有關於一種偵測發光二極體短路的電子電路及其方法。
根據本發明，提出了一種偵測電路，包括一第一節點、一電流源、一電壓產生電路、一第一比較電路。第一節點係與一第一外部電路耦接，其中，第一外部電路包括有複數個發光二極體相串接。電流源產生一電流至第一節點。電壓產生電路係藉由一第二節點，以輸出一節點電壓至第一外部電路。第一比較電路具有二個輸入端分別耦接第一節點以及一參考電壓，第一比較電路比較二個輸入端的電壓以產生一第一比較信號。其中，第一比較信號用以指示複數個發光二極體中是否有短路情形。
根據本發明，提出了一種偵測方法，該方法係被使用來偵測一發光二極體串中是否具有短路情形，該方法包括有下列步驟：首先，提供一電流至一第一節點，其中，第一節點係透過一耐壓元件與一發光二極體串相耦接。提供一第一電壓至一第二節點，其中，耐壓元件係與第二節點相耦接，耐壓元件的一控制端係接收與第一電壓相對應的一第二電壓。接著，依據位於第一節點之電壓位準產生一第一比較信號。其中，第一比較信號係指示出發光二極體串中的至少一個發光二極體是否短路情形。
為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
LEDs‧‧‧發光二極體串
D0~DN‧‧‧二極體
M0、M1‧‧‧電晶體
R1、R2、RI1、RI2‧‧‧電阻
100‧‧‧偵測電路
101‧‧‧電壓產生電路
102、104‧‧‧分壓電路
105‧‧‧比較電路
106‧‧‧模式控制電路
107‧‧‧通用輸入輸出電路
第1圖繪示依照本發明之偵測電路之一實施例的示意圖。
第2圖繪示依照本發明之電壓產生電路之一實施例的示意 圖。
第3圖繪示依照本發明之偵測電路之一第二實施例的示意圖。
第4A、圖繪示依照本發明之偵測電路一模式之一實施例之示意圖。
第4B圖繪示係為依照本發明之偵測電路另一模式之一實施例之示意圖。
第4C圖繪示係為依照本發明之偵測電路另一模式之一實施例之示意圖。
第4D圖繪示係為依照本發明之偵測電路另一模式之一實施例之示意圖。
第5圖繪示係為依照本發明之偵測電路之另一實施例之示意圖。
第1圖繪示依照本發明之偵測電路之一實施例的示意圖。發光二極體短路偵測電路100係透過一第一節點ISEN1與一第二節點CRT與一第一外部電路EC1相耦接。一實施例，第一外部電路EC1包括有一發光二極體串LEDs。該發光二極體串LEDs包含有複數個發光二極體相串接。偵測電路100係用以偵測第一外部電路EC1之發光二極體串LEDs是否存有短路情形。該偵測電路100包括有：一電壓產生電路101、一(可調)電流源103、一第二分壓電路104、以及一比較電路105。一實施例，該一第一節點ISEN1與第二節點CRT係可為積體電路(IC)的不同接腳(PIN)。
該第一外部電路EC1可能具有許多實施態樣。在一實施例中，該第一外部電路EC1除了具有發光二極體串LEDs之外，還包括有：一第一分壓電路102、以及一耐壓元件M1。第一分壓電路102係耦接於工作電壓VX以及該第二節點CRT之可控之節點電壓VCRT之間。第一分壓電路102接收節點電壓VCRT，且利用二個阻抗元件(例如是電阻R1、R2)分壓工作電壓VX與節點電壓之壓差，產生一第一分壓V1至第一分壓電路102 之輸出端，其中，該第一分壓V1的電壓值係為(R1VX+R2VCRT)/(R1+R2)。由於節點電壓VCRT係可調的。換言之，該第一分壓V1的電壓值亦為可調的。
耐壓元件M1的閘極係耦接於該第一分壓電路102的輸出，也就是，該耐壓元件M1的閘極係接收該第一分壓V1。換言之，該耐壓元件M1的工作區係受到該第一分壓V1的控制。電壓產生電路101係用以產生節點電壓VCRT，藉由第二節點CRT輸出節點電壓VCRT至外部電路EC。
電流源103產生一電流I至第一節點ISEN1，以流通發光二極體串LEDs點亮發光二極體串LEDs，並於該第一節點ISEN1產生一電壓信號V ISEN1。一實施例，電流源103為可調電流源。
第二分壓電路104係與該第一節點ISEN1相耦接以接收電壓信號V ISEN1，第二分壓電路104分壓電壓信號VISEN1(例如是利用電阻RI1與RI2來進行分壓)，以產生一第二分壓V2給比較電路105。若電壓信號V ISEN1的大小在尚未進行分壓前就已適用於比較電路105，不需要再進行分壓，則第二分壓電路104係可省略。
比較電路105具有二個輸入端分別耦接該第一節點ISEN1以及一參考電壓VREF，接收該二個輸入端之電壓(設有第二分壓電路104時為第二電壓V2與參考電壓VREF)，並比較第二分壓V2(當第二分壓電路104係可省略時，則為電壓信號V ISEN1)及參考電壓VREF，來產生一比較信號LED_SHORT。其中，參考電壓VREF依據一發光二極體短路之電壓大小來進行設定(例如：參考電壓VREF設為等於或是略大於一發光二極體短路之電壓大小)，比較信號LED_SHORT用以指示第一外部電路EC1之複數個發光二極體中是否有短路情形。例如：當第二分壓V2大於參考電壓VREF時，則比較電路105判斷出第一外部電路EC1之發光二極體串LEDs中至少一個發光二極體有發光二極體短路，以輸出比較信號LED_SHORT。換言之，比較電路105依據位於該第一節點ISEN1之電壓位準來產生一第一比較信號。偵測電路100及其方法是利用一個外部耐壓元件M1(一實施例為一電晶體)來阻擋(抵抗)發光二極體串LEDs電流導通(調亮)下，節點ISEN0的高電壓(例如是30V~60V)。在耐壓元件M1(例如是一實施例之電晶體型號2N7002)的閘極(gate)提供適當的電壓就能確保節點電壓V ISEN1永 遠小於偵測電路100所能承受的最高電壓。一實施例，在發光二極體串LEDs在電流導通(dimming on)時，為了讓積體電路的偵測電路，例如是比較電路105，可以確實的偵測到節點電壓V ISEN1，耐壓元件M1應操作在線性區，因此須供給耐壓元件M1的閘極電壓至大於欲偵測發光二極體短路電壓之上。一實施例，可設定供給耐壓元件M1的閘極電壓應大於全部之該複數個發光二極體之短路電壓總合電壓值加上耐壓元件M1之臨界電壓值之電壓。
一實施例，耐壓元件M1可為型號2N7002之電晶體，當然，本發明不限於此，耐壓元件M1可為目前現有或未來發展出之各種耐壓之元件。
第2圖繪示本發明之電壓產生電路101之一實施例的示意圖。該電壓產生電路101包括有串接之一第一電晶體MI0與一第二電晶體MI1、串接之複數個二極體D0~DN。
串接之第一電晶體MI0與第二電晶體MI1，係耦接於一第一電源V1st與該第二節點CRT之間，其中，第一電晶體MI0之第三端(控制端)接收一反相時脈訊號CKDDB。其中，反相時脈訊號CKDDB為時脈訊號CKDD(未圖示)的反相信號，時脈訊號CKDD係用以進行發光二極體串LEDs之數位調光(digital dimming)。
串接之複數個二極體D0~DN，係耦接於一第二電源V2st與該第二節點CRT之間。
當時脈產生電路101之數位調光功能啟動(on)時一CKDD=1，CKDDB=0，第一電晶體MI0被關掉(off)，假如此時節點電壓VCRT比複數個二極體D0~DN耦接之電壓(例如5V)高，則電流I會流過二極體D0、D1及D2到電壓5V處。假設每個二極體D0~Dn之臨界電壓Vth=0.7V，以本圖之示例來看節點電壓VCRT會等於7.1V。此時利用第一分壓電路102之分壓，耐壓元件M1之閘極可接收到一高於發光二極體短路電壓之電壓，例如接收一大於VREF+Vth之電壓，例如10V。
當時脈產生電路101之數位調光(digital dimming)功能關掉(off)-CKDD=0，CKDDB=1，第一電晶體MI0導通，節點電壓VCRT會被拉到0V，此時二極體D0~Dn為逆偏，二極體D0~Dn不會有電流流過。而耐壓元件M1閘極接收之電壓，利用第一分壓電路102分壓後例如可為8V。 所以經由時脈產生電路101之數位調光啟動/關掉(digital dimming on/off)之功能，節點電壓VCRT會有7.1V與0V的電壓變化。此時節點電壓VCRT會產生如圖示中0V與7V上下變動之信號。而耐壓元件M1耦接之電壓，可如圖示中8V與10V上下變動之信號，以在耐壓元件M1之工作區操作。
一實施例，電晶體MI1可為一LDnMOS電晶體，可為耐壓8V之電晶體。電晶體MI0為MOS電晶體(可為耐壓3.3V之電晶體)。當然，本發明不限於此，電晶體MI0與MI1可為目前現有或未來發展出之各種電晶體，例如電晶體MI1可為一耐壓電晶體用以保護電晶體MI0。換言之，第二電晶體MI1的崩潰電壓(breakdown voltage)高於第一電晶體MI0的崩潰電壓。
須注意，如第5圖所示，本發明一實施例之偵測電路100，可包括一第三節點ISEN2、及至少一第二比較電路105’，用以同時量測複數個發光二極體串LEDs’。第三節點ISEN2係與一第二外部電路EC2耦接，第二外部電路EC2包括有複數個發光二極體相串接形成一發光二極體串LEDs’。第二比較電路105’具有二個輸入端分別耦接第三節點ISEN2以及參考電壓VREF，第二比較電路105’產生一第二比較信號LED_SHORT’用以指示第二外部電路EC2發光二極體串LEDs’之複數個發光二極體中是否有短路情形。比較電路105與比較電路105’的工作原理相同，故省略其說明
一實施例，如第3圖所示，本發明之發光二極體短路偵測電路100更包含一模式控制電路106。模式控制電路106包含有複數個控制模式，對於不同的發光二極體背光控制器(LED back light controller)之應用下，設定各種對應積體電路(IC)之控制模式。一實施例，模式控制電路106之複數個控制模式用以控制複數個開關SW1、SW2~SWN之動作，利用設定其模式控制電路參數來控制開關之動作，例如控制第4A、4B、4C圖之開關SW1、SW2及SW3導通(on)與關掉(oft)，以選擇積體電路內部之對應電路。一實施例，如第3圖所示，例如可設定開關是否耦接一通用輸入輸出電路(GPIO Circuit)107與任一接腳(節點)，以共用接腳(節點)而達到減少晶片之接腳數量。
一實施例，如第4A圖所示，發光二極體短路偵測電路100 進入偵測模式，欲偵測包含複數顆發光二極體之發光二極體串LEDs。此時，欲偵測發光二極體串LEDs之短路電壓可能比電壓產生電路101調光關掉(dimming off)時節點ISEN1之電壓大。調光關掉時，節點電壓VCRT為0V，則可設定模式控制電路106之一模式一控制電壓產生電路101耦接該第二節點CRT以導通(on)開關SW1，關掉(off)開關SW2、SW3。此時電壓產生電路101耦接節點CRT，以控制節點電壓VCRT之大小，再配合第一分壓電路102則耐壓元件M1之閘極端在電壓產生電路之調光導通(dimming on)時的電壓比調光關掉(dimming off)之電壓大。在耐壓元件M1導通時，電流I流過發光二極體串LEDs、耐壓元件M1節點ISEN1、及第二分壓電路104之電阻RI1至比較電路105之非反相輸入端，以比較電壓V2與參考電壓VREF產生發光二極體串LEDs是否短路之判斷結果LED_SHORT。請注意，此時積體電路之短路偵測，僅需使用兩個節點CRT與ISEN，可減少習知技術中偵測發光二極體串短路電路之接腳使用數目。
一實施例，如第4B圖所示，當發光二極體短路偵測電路100進入偵測模式，且於積體電路內部元件之閘極端能承受的電壓比電壓產生電路101之調光關掉(dimming off)之節點ISEN1之電壓還小時，為防止積體電路之損壞，則模式控制電路106設定一模式控制第二分壓電路104對第一節點ISEN1的電壓V ISEN1進行分壓，即讓SW3也導通(on)，導通(on)開關SW1、SW3，關掉(off)開關SW2。節點ISEN1之電壓經由第二分壓電路104之電阻RI1、RI2分壓，使積體電路中比較電路105之非反相輸入端之電壓V2變的比節點ISEN1電壓V ISEN1要小之電壓，以保護積體電路(IC)內部元件不會因輸入電壓過高而被損壞。此時，積體電路之短路偵測，亦僅需使用兩個節點CRT與ISEN。
如第4C圖所示，一實施例，當發光二極體短路偵測電路100進入非偵測模式，且發光二極體串LESs之總和短路電壓比電壓產生電路101之調光關掉(dimming off)時節點ISEN1之電壓還小時，此時待測之發光二極體數目可能為一顆發光二極體，則模式控制電路106可設定一模式讓第二節點CRT耦接一通用輸入輸出電路107，而不耦接電壓產生器101，即導通(on)開關SW2，關掉(off)開關SW1、SW3。此時偵測電路100不需要用到電壓產生電路101，節點CRT不需要提供數位調光(digital dimming)信號給耐壓 元件M1之閘極。耐壓元件M1接收工作電壓VX。依此方式，可將多出之節點CRT耦接通用輸入輸出電路107來應用。須注意，此時積體電路之短路偵測，僅需使用一個節點ISEN，更減少習知技術中偵測發光二極體串短路電路之接腳使用數目。
如第4D圖所示，一實施例，延續第4C圖之發光二極體短路偵測電路100之非偵測模式，當發光二極體串LEDs之總和短路電壓比電壓產生電路101之調光關掉(dimming off)時節點ISEN1之電壓還小，且假設積體電路內部元件之閘極端能承受的電壓比電壓產生電路101之調光關掉(dimming off)之節點ISEN1之電壓還小時，為防止積體電路損壞，則模式控制電路106可設定一模式讓SW3也導通(on)，即導通(on)開關SW2、SW3，關掉(off)開關SW1。節點ISEN1之電壓經由第二分壓電路104之電阻RI1、RI2分壓，使積體電路之比較電路105之非反相輸入端之電壓V2比節點ISEN1電壓V ISEN1要小之電壓，以保護積體電路內部元件不會因輸入電壓過高而被損壞。此時，積體電路之短路偵測，亦僅需使用一個節點ISEN。
由以上敘述可知，利用模式控制電路設定參數，可使積體電路內部切換成多種模式，使接腳CRT能擁有複數種使用功能，更能達成節省接腳之功效。
綜上所述，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
LEDs‧‧‧發光二極體串
M1‧‧‧耐壓元件
R1、R2、RI1、RI2‧‧‧電阻
100‧‧‧偵測電路
101‧‧‧電壓產生電路
102、104‧‧‧分壓電路
105‧‧‧比較電路
106‧‧‧模式控制電路

Claims (14)

  1. 一種偵測電路，包括：一第一節點，係與一第一外部電路耦接，其中，該第一外部電路包括有複數個發光二極體相串接；一電流源，產生一電流至該第一節點；一電壓產生電路，係藉由一第二節點，輸出一節點電壓以驅動該第一外部電路；以及一第一比較電路，具有二個輸入端分別耦接該第一節點以及一參考電壓，該第一比較電路比較該二個輸入端的電壓以產生一第一比較信號，其中，該第一比較信號用以指示該複數個發光二極體中是否有短路情形。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之偵測電路，其中該第一外部電路還包括有一第一耐壓元件與一第一分壓電路，該耐壓元件之閘極耦接該第一分壓電路之輸出端，該第一分壓電路接收該第二節點電壓，並提供一電壓至該輸出端。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之偵測電路，其中提供至該耐壓元件之閘極電壓大於全部之該複數個發光二極體之短路電壓總合電壓值加上該耐壓元件之臨界電壓值之電壓。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之偵測電路，還包括：一第三節點，係與一第二外部電路耦接，該第二外部電路包括有複數個發光二極體相串接；以及一第二比較電路，具有二個輸入端分別耦接該第三節點以及該參 考電壓，該第二比較電路產生一第二比較信號用以指示該第二外部電路之該複數個發光二極體中是否有短路情形。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之偵測電路，其中該電壓產生電路包括有：串接之一第一電晶體與一第二電晶體，係耦接於一第一電源與該第二節點之間，其中，該第一電晶體之第三端接收一反相時脈訊號；以及串接之複數個二極體，係耦接於一第二電源與該第二節點之間。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之偵測電路，其中該第二電晶體的崩潰電壓高於該第一電晶體的崩潰電壓。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之偵測電路，更包含一模式控制電路，該模式控制電路包含有複數個控制模式，該模式控制電路用以控制複數個開關之動作。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之偵測電路，其中，當該偵測電路進入偵測模式時，該模式控制電路控制一該開關將該電壓產生電路耦接該第二節點。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之偵測電路，其中，當該偵測電路進入偵測模式時，該模式控制電路更控制一第二分壓電路對該第一節點的電壓進行分壓。
  10. 如申請專利範圍第7項所述之偵測電路，當偵測電路進入非偵測模式時，該模式控制電路讓該第二節點耦接一通用輸入輸出電路，而不耦接該電壓產生電路。
  11. 一種偵測方法，該方法係被使用來偵測一發光二極體串中是否具有短路情形，該方法包括：提供一電流至一第一節點，其中，該第一節點係透過一耐壓元件與一發光二極體串相耦接；提供一第一電壓至一第二節點，其中，該耐壓元件係與該第二節點相耦接，該耐壓元件的一控制端係接收與該第一電壓相對應的一第二電壓；以及依據位於該第一節點之電壓位準產生一第一比較信號，其中，該第一比較信號係指示出該發光二極體串中的至少一個發光二極體是否短路情形。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之偵測方法，進入一偵測模式時，提供該第一電壓至該第二節點。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之偵測方法，其中，進入該偵測模式，對該第一節點的電壓進行分壓。
  14. 如申請專利範圍第12項所述之偵測方法，其中，進入一非偵測模式時，將該第二節點耦接一通用輸入輸出電路。
TW102110334A 2012-04-10 2013-03-22 偵測發光二極體短路的方法及其裝置 TWI477788B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW102110334A TWI477788B (zh) 2012-04-10 2013-03-22 偵測發光二極體短路的方法及其裝置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW101112549 2012-04-10
TW102110334A TWI477788B (zh) 2012-04-10 2013-03-22 偵測發光二極體短路的方法及其裝置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201341815A TW201341815A (zh) 2013-10-16
TWI477788B true TWI477788B (zh) 2015-03-21

Family

ID=49291798

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102110334A TWI477788B (zh) 2012-04-10 2013-03-22 偵測發光二極體短路的方法及其裝置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9329243B2 (zh)
CN (1) CN103369804B (zh)
TW (1) TWI477788B (zh)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5056921B2 (ja) * 2010-08-24 2012-10-24 カシオ計算機株式会社 半導体光源装置、半導体光源制御方法及び投影装置
JP2013167776A (ja) * 2012-02-16 2013-08-29 Mitsubishi Electric Corp 投射型映像表示装置
CN104062532B (zh) 2013-03-18 2017-03-22 戴泺格集成电路（天津）有限公司 检测led串中led短路或led串之间匹配性的方法和系统
CN105093048B (zh) * 2014-04-30 2018-03-13 比亚迪股份有限公司 端口检测系统及具有其的车辆
DE102014112171B4 (de) * 2014-08-26 2018-01-25 Osram Oled Gmbh Verfahren zum Erkennen eines Kurzschlusses in einem ersten Leuchtdiodenelement und optoelektronische Baugruppe
JP6293623B2 (ja) * 2014-09-05 2018-03-14 株式会社東芝 半導体検査装置
US9689930B2 (en) * 2014-10-07 2017-06-27 Infineon Technologies Ag Single LED failure detection in a LED chain
TWI566491B (zh) * 2015-01-23 2017-01-11 ding-cheng Lai Power protection devices and three-phase power protection devices
US9989574B2 (en) * 2015-05-27 2018-06-05 Infineon Technologies Ag System and method for short-circuit detection in load chains
CN104931896B (zh) * 2015-06-24 2018-07-06 兴威电脑（昆山）有限公司 灯具耐压点亮功率测试装置及其切换控制电路
JP7305303B2 (ja) * 2018-03-20 2023-07-10 三菱電機株式会社 駆動装置及びパワーモジュール
US11495120B2 (en) * 2018-04-10 2022-11-08 Advancetrex Sensor Technologies Corp. Universal programmable optic/acoustic signaling device with self-diagnosis
CN110189689A (zh) * 2019-06-20 2019-08-30 深圳市艾希亿智能科技有限公司 Led显示控制电路

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201040550A (en) * 2009-05-15 2010-11-16 Ene Technology Inc Apparatus and method for detecting faulty diode
US20100289982A1 (en) * 2009-05-15 2010-11-18 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device, led driving circuit, and apparatus for displaying an image
TW201110811A (en) * 2009-09-11 2011-03-16 Iwatt Inc Adaptive switch mode LED driver
CN102196623A (zh) * 2010-03-16 2011-09-21 登丰微电子股份有限公司 具有电路检测功能的发光二极管驱动电路与电力转换电路
TWM423974U (en) * 2011-04-29 2012-03-01 Princeton Technology Corp A driver circuit for LED device and a voltage detection device thereof
US20120068714A1 (en) * 2010-09-20 2012-03-22 Sih-Ting Wang Short Detection Circuit, Light-Emitting Diode Chip, Light-Emitting Diode Device and Short Detection Method
TW201234924A (en) * 2010-12-08 2012-08-16 Rohm Co Ltd Drive circuit for optical element and light emitting device and electronic device using same

Family Cites Families (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4045623A (en) * 1976-05-03 1977-08-30 Luis Albert Arce Short circuit indicator for a terminator matrix
US4435700A (en) * 1978-12-01 1984-03-06 Alley Patrick H Event detection and indication system
US4395767A (en) * 1981-04-20 1983-07-26 Control Data Corporation Interconnect fault detector for LSI logic chips
US4532436A (en) * 1983-09-30 1985-07-30 Rca Corporation Fast switching circuit
US4891743A (en) * 1987-11-09 1990-01-02 Enercon Industries Corporation Power supply controller
JP2752640B2 (ja) * 1988-08-07 1998-05-18 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社 中間レベル発生回路
DE69232211T2 (de) * 1991-12-09 2002-06-27 Fujitsu Ltd Flash-Speicher mit besserer Löschbarkeit und dessen Schaltung
US5684415A (en) * 1995-12-22 1997-11-04 Symbios Logic Inc. 5 volt driver in a 3 volt CMOS process
US5781026A (en) * 1996-03-28 1998-07-14 Industrial Technology Research Institute CMOS level shifter with steady-state and transient drivers
US6075448A (en) * 1998-05-21 2000-06-13 Verkhovskiy; Yan Apparatus and method for testing an electrical circuit
KR100296911B1 (ko) * 1998-10-28 2001-08-07 박종섭 전류 방향 감지 증폭기
DE19950135A1 (de) * 1999-10-18 2001-04-19 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Ansteuerschaltung für LED und zugehöriges Betriebsverfahren
GB2365130B (en) * 2000-07-20 2005-01-19 Honeywell Control Syst Improved proximity sensor and related methods
US6842321B2 (en) * 2001-03-27 2005-01-11 Texas Instruments Incorporated Supply independent low quiescent current undervoltage lockout circuit
JP2003249383A (ja) * 2002-02-25 2003-09-05 Patoraito:Kk Ｌｅｄ表示灯の故障診断回路
KR100521370B1 (ko) * 2003-01-13 2005-10-12 삼성전자주식회사 파워 검출부를 구비하여 누설 전류 경로를 차단하는 레벨쉬프터
JP3916163B2 (ja) * 2004-02-19 2007-05-16 ローム株式会社 電流方向検出回路及びそれを備えたスイッチングレギュレータ
JP4698592B2 (ja) * 2004-06-25 2011-06-08 スパンション エルエルシー 電圧制御回路および半導体装置
JP4657789B2 (ja) * 2005-04-21 2011-03-23 ローム株式会社 昇圧型スイッチング電源装置及びこれを備えた電子機器
KR100691326B1 (ko) * 2005-09-16 2007-03-12 삼성전자주식회사 디스플레이장치
US20090002034A1 (en) * 2006-02-09 2009-01-01 Nxp B.V. Circuit Arrangement and Method for Detecting a Power Down Situation of a Voltage Supply Source
TWI299405B (en) * 2006-03-02 2008-08-01 Macroblock Inc Method and apparatus for silent current detection
GB0622199D0 (en) * 2006-11-07 2006-12-20 Cambridge Silicon Radio Ltd Rail to rail flash
US7675246B2 (en) * 2006-12-18 2010-03-09 Addtek Corp. Driving circuit and related driving method for providing feedback control and open-circuit protection
US7876103B2 (en) * 2007-02-27 2011-01-25 GE Lighting Solutions, LLC LED chain failure detection
WO2008117247A2 (en) * 2007-03-28 2008-10-02 Nxp B.V. Electronic device with a high voltage tolerant unit
JP2009044081A (ja) * 2007-08-10 2009-02-26 Rohm Co Ltd 駆動装置
US20090085542A1 (en) * 2007-09-27 2009-04-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Drive system for power semiconductor device
US20090155674A1 (en) * 2007-12-18 2009-06-18 Mitsumi Electronic Co., Ltd. Battery Pack, Portable Device, Internal Short Detecting Method, and Internal Short Detecting Program
WO2009119066A1 (ja) * 2008-03-25 2009-10-01 ローム株式会社 発光ダイオードの駆動回路
US7550934B1 (en) * 2008-04-02 2009-06-23 Micrel, Inc. LED driver with fast open circuit protection, short circuit compensation, and rapid brightness control response
US8054603B2 (en) * 2008-10-08 2011-11-08 Himax Analogic, Inc. Power converter, short detection circuit thereof, and method for detecting short
US8214165B2 (en) * 2008-12-30 2012-07-03 International Business Machines Corporation Apparatus, system, and method for precise early detection of AC power loss
TW201029513A (en) * 2009-01-22 2010-08-01 Ite Tech Inc Controlling circuit and controlling method
US20100327835A1 (en) * 2009-06-26 2010-12-30 Intersil Americas Inc. Integrator for providing overshoot protection and light switching mode during non-zero load condition for an led driver circuitry
TWI419609B (zh) * 2009-08-19 2013-12-11 Novatek Microelectronics Corp 具有同時偵測開路及短路功能之發光二極體裝置及其方法
CN102026438B (zh) * 2009-09-18 2014-04-16 立锜科技股份有限公司 发光元件控制电路与控制方法、及用于其中的集成电路
DE102010005907B4 (de) * 2010-01-27 2015-06-11 Austriamicrosystems Ag Detektorschaltung und Verfahren zum Betreiben einer Detektorschaltung
US8456096B2 (en) * 2010-02-11 2013-06-04 Dongbu Hitek Co., Ltd. Thermally controlled driver/switching regulator, and methods of controlling and/or regulating a driver and/or switching regulator
TWI532028B (zh) * 2010-05-06 2016-05-01 立錡科技股份有限公司 平板顯示裝置、應用於平板顯示裝置之發光模組、與應用於發光模組中之積體電路
CN201805597U (zh) * 2010-09-29 2011-04-20 深圳麦格米特电气股份有限公司 一种线性恒流电路
JP5636241B2 (ja) * 2010-09-29 2014-12-03 ローム株式会社 Ｌｅｄ駆動装置
TW201216763A (en) * 2010-10-06 2012-04-16 Novatek Microelectronics Corp Light-emitting diode driving device, light-emitting diode device method for driving the same
TWI418247B (zh) * 2010-12-06 2013-12-01 Leadtrend Tech Corp 積體電路、控制方法、與光源提供系統
TWI426816B (zh) * 2010-12-21 2014-02-11 Au Optronics Corp 發光二極體的驅動電源控制電路與驅動電源控制方法
US8558463B2 (en) * 2011-01-11 2013-10-15 Panasonic Corporation LED matrix open/short detection apparatus and method
CN103444264A (zh) * 2011-01-12 2013-12-11 香港城市大学 电流平衡电路及方法
US9906018B2 (en) * 2011-01-20 2018-02-27 Triune Systems, LLC Electrical line status monitoring system
TWM418292U (en) * 2011-05-18 2011-12-11 Richtek Technology Corp Light emitting device open/short detection circuit
TWI430239B (zh) * 2011-05-19 2014-03-11 Realtek Semiconductor Corp 應用於背光源的操作電路及其相關方法
US9192014B2 (en) * 2011-07-19 2015-11-17 Nxp B.V. LED short circuit protection
CN102243854B (zh) * 2011-08-18 2013-10-16 深圳市华星光电技术有限公司 一种led背光驱动方法、液晶显示装置及led背光驱动电路
KR101876561B1 (ko) * 2011-08-26 2018-07-10 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치와 이의 구동방법
US9232587B2 (en) * 2011-09-30 2016-01-05 Advanced Analogic Technologies, Inc. Low cost LED driver with integral dimming capability
KR101955034B1 (ko) * 2011-12-07 2019-03-07 매그나칩 반도체 유한회사 Ｌｅｄ 어레이 쇼트여부 감지회로 및 이를 이용한 ｌｅｄ 구동장치
US8896319B2 (en) * 2012-02-24 2014-11-25 Richtek Technology Corporation Light emitting device control circuit and short detection circuit thereof
US8970115B2 (en) * 2012-03-28 2015-03-03 Dialog Semiconductor Inc. Delaying startup under fault conditions

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201040550A (en) * 2009-05-15 2010-11-16 Ene Technology Inc Apparatus and method for detecting faulty diode
US20100289982A1 (en) * 2009-05-15 2010-11-18 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device, led driving circuit, and apparatus for displaying an image
TW201110811A (en) * 2009-09-11 2011-03-16 Iwatt Inc Adaptive switch mode LED driver
CN102196623A (zh) * 2010-03-16 2011-09-21 登丰微电子股份有限公司 具有电路检测功能的发光二极管驱动电路与电力转换电路
US20120068714A1 (en) * 2010-09-20 2012-03-22 Sih-Ting Wang Short Detection Circuit, Light-Emitting Diode Chip, Light-Emitting Diode Device and Short Detection Method
TW201234924A (en) * 2010-12-08 2012-08-16 Rohm Co Ltd Drive circuit for optical element and light emitting device and electronic device using same
TWM423974U (en) * 2011-04-29 2012-03-01 Princeton Technology Corp A driver circuit for LED device and a voltage detection device thereof

Also Published As

Publication number Publication date
US9329243B2 (en) 2016-05-03
CN103369804B (zh) 2017-02-08
US20130265056A1 (en) 2013-10-10
TW201341815A (zh) 2013-10-16
CN103369804A (zh) 2013-10-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI477788B (zh) 偵測發光二極體短路的方法及其裝置
US9378673B2 (en) Organic light emitting display device and driving method thereof
US10523122B2 (en) Power supply apparatus and display apparatus including the same
US20150156846A1 (en) Over-current protection circuit, led backlight driving circuit and liquid crystal device
TWI404310B (zh) 電源管理與控制模組以及液晶顯示器
US8179059B2 (en) Circuit and method for controlling light emitting device, and integrated circuit therefor
US9429965B2 (en) Multiple chip voltage feedback technique for driving LED's
WO2015090186A1 (zh) 过压过流保护电路及电子装置
US20130322059A1 (en) LED Backlight System and Display Device
US9013107B2 (en) Load driving apparatus relating to light-emitting-diodes
WO2014187018A1 (zh) 短路保护电路以及具有短路保护电路的电子装置
TW201325318A (zh) 短路偵測電路以及控制方法
TW202022457A (zh) 發光模組、驅動晶片以及驅動方法
US8189313B1 (en) Fault detection and handling for current sources
KR102634473B1 (ko) 패널구동장치 및 표시장치
US20110115405A1 (en) Illumination circuit having bypass circuit controllable according to voltage change of series circuit thereof
TW201808053A (zh) 發光二極體驅動裝置及驅動裝置的短路保護方法
US20150221249A1 (en) Backlight unit and display apparatus having the same
US20120274224A1 (en) Voltage detecting device for led driver
CN107682951B (zh) Led灯控制和按键输入分时复用电路及其控制方法
US9966757B2 (en) Over-voltage protection circuit and electronic device
KR102037516B1 (ko) 표시장치
WO2023184572A1 (zh) 背光模组及显示装置
TWI430238B (zh) 應用於背光源的操作電路及其相關方法
US8471487B2 (en) Light emitting module driving circuit and related method