JP4655092B2 - 回路モジュールおよびこの回路モジュールを用いた回路装置 - Google Patents

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Description

本発明は、平板状基板と枠状基板とを接合した回路モジュールおよびこの回路モジュールを用いた回路装置に関するものである。
従来、実装密度を高めて小型化できる回路モジュールとして、特許文献１〜４に記載のものがある。この回路モジュールは、セラミック基板などの平板状基板の表面に複数の接続電極を形成するとともに、樹脂などの枠状基板の表面に前記複数の接続電極に対応する複数の接続電極を形成し、平板状基板の表面に枠状基板の表面を対向させて、平板状基板の接続電極と枠状基板の接続電極とをはんだなどの導電性接合材を用いて接合したものである。枠状基板の内側の平板状基板の表面には、半導体素子のような回路部品が搭載され、この回路部品を覆うように、枠状基板の内側面と平板状基板の表面とで構成されるキャビティに封止樹脂が充填される。
キャビティに封止樹脂を充填するのは、平板状基板上に搭載された回路部品の保護（回路部品がワイヤボンディングで平板状基板に接続される場合には、ワイヤーよれによる短絡防止、ベアチップやフリップチップの場合には微細端子間への異物混入による短絡等の防止）と機械的強度向上とを目的としている。このような封止樹脂には、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂が広く用いられている。
封止樹脂をキャビティに充填した後、熱硬化させる際、樹脂はある割合で収縮する。その際の収縮応力が枠状基板にも作用し、枠状基板を内側に引っ張るような力が働く。セラミックのヤング率は１００〜３００ＧＰａ程度であるのに対し、樹脂のヤング率は１０〜６０ＧＰａ程度であり、セラミック基板よりなる平板状基板は殆ど変形しないが、樹脂製の枠状基板は変形しやすい。近年、回路モジュールはさらなる小型化が求められており、枠状基板の幅が数百μｍ程度と非常に狭いものとなってきているため、さらに変形しやすくなる。その結果、封止樹脂の収縮応力で枠状基板が内側に変形するといった問題が発生することがある。
特開平６−２１６３１４号公報 特開平７−５０３５７号公報 特開２０００−１０１３４８号公報 特開２００１−３３９１３７号公報
そこで、本発明の好ましい実施形態の目的は、平板状基板と枠状基板とで構成されるキャビティに封止樹脂を充填・硬化させた際、その収縮応力によって枠状基板が内側へ変形するのを抑制できる回路モジュールおよびこの回路モジュールを用いた回路装置を提供することにある。
前記目的を達成するため、本発明の好ましい実施形態に係る回路モジュールは、第１主面の周縁部に複数の接続電極が配置された平板状基板と、第１主面上に前記接続電極に対応する複数の接続電極が配置された枠状基板とを備え、前記平板状基板の複数の前記接続電極と前記枠状基板の複数の前記接続電極とが導電性接合材を介してそれぞれ接続されており、前記枠状基板の内側面と前記平板状基板の第１主面とで構成されるキャビティに回路部品が収納されており、前記回路部品を覆うように、前記キャビティに封止樹脂が充填・硬化された回路モジュールにおいて、前記枠状基板の接続電極の中心は、前記平板状基板の接続電極の中心よりも、前記枠状基板の内側方向にずれていることを特徴とするものである。
従来の回路モジュールでは、平板状基板と枠状基板とを接合するはんだや導電性接着剤などの接合材が硬化する際、不均一な応力がかからないように、平板状基板の接続電極と枠状基板の接続電極とは正確に対向する位置、つまり互いの接続電極の中心を一致させて配置していた。これに対し、本発明では、枠状基板の接続電極の中心を、平板状基板の接続電極の中心よりも枠状基板の内側方向にずらした位置に設けている。平板状基板と枠状基板とで構成されるキャビティに封止樹脂を充填・硬化させた際、封止樹脂の硬化収縮応力Ｆ１は、従来と同様に枠状基板に対して内側に引っ張る方向に働く。これに対し、枠状基板の接続電極と平板状基板の接続電極との間に設けられる導電性接合材にも、同様に硬化収縮応力Ｆ２が作用し、その応力Ｆ２は、枠状基板の接続電極の中心が平板状基板の接続電極の中心よりも内側にずれているため、枠状基板の接続電極を外側へ引っ張る方向に働く。その結果、封止樹脂の収縮応力Ｆ１を導電性接合材の収縮応力Ｆ２で緩和して、封止樹脂の収縮応力Ｆ１による影響を小さくすることができる。換言すると、接合材により応力Ｆ２を予め作用させておき、樹脂硬化時の応力Ｆ１を押さえ込むことができる。その結果、枠状樹脂の変形を抑制でき、枠状基板の接続電極と平板状基板の接続電極との接続信頼性が向上する。なお、本発明において、「平板状基板」とは、枠状基板に接続される複数の接続電極が同一平面上に設けられた基板であればよく、枠状基板が接続される平面部以外の部分に、凸部や凹部が設けられていてもよい。
枠状基板の接続電極の内側縁が平板状基板の接続電極の内側縁より、枠状基板の内側方向にずれているのが好ましい。上記のように枠状基板の接続電極の内側縁を平板状基板の接続電極の内側縁より内側方向にずらした場合には、はんだなどの接合材が一方の接続電極と他方の接続電極との間で幅方向に引き延ばされた形で硬化するので、その硬化収縮応力Ｆ２を大きくすることができる。その結果、封止樹脂の収縮応力Ｆ１を導電性接合材の収縮応力Ｆ２でより効果的に緩和することができる。なお、本発明では、枠状基板の接続電極の中心は平板状基板の接続電極の中心よりも内側にずれた位置にあればよく、必ずしも枠状基板の接続電極の内側縁が平板状基板の接続電極の内側縁より内側にずれている必要はない。例えば、平板状基板の接続電極が枠状基板の接続電極より幅広である場合には、両接続電極の内側縁が同一位置あるいは平板状基板の接続電極の内側縁が枠状基板の接続電極の内側縁より内側にずれている場合も存在する。
平板状基板の第１主面の周縁部に複数の接続電極を枠状に配列し、枠状基板の第１主面上に複数の接続電極を枠状に配列し、枠状基板の各接続電極の中心を、平板状基板の各接続電極の中心よりも、枠状基板の中心方向にそれぞれずらせたものがよい。平板状基板および枠状基板の接続電極は、対向する２辺にのみ配置されていてもよいし、枠状（４辺）に配置されていてもよい。また、枠状に配置した場合でも、対向する２辺のみ平板状基板と枠状基板の接続電極がずれていてもよいし、４辺すべてで平板状基板と枠状基板の接続電極がずれていてもよい。このように４辺すべてで平板状基板と枠状基板の接続電極がずれている場合、枠状基板の４辺すべてに対して封止樹脂の収縮応力Ｆ１を導電性接合材の収縮応力Ｆ２で緩和することができるので、枠状基板の変形を効果的に抑制できる。
平板状基板をセラミック基板とし、枠状基板を樹脂基板としたものがよい。平板状基板および枠状基板を共にセラミック基板または樹脂基板で構成してもよいが、平板状基板をセラミック基板とし、枠状基板を樹脂基板とした場合には、平板状基板の機械的強度が高く、封止樹脂による変形を防止できるとともに、樹脂製の枠状基板によって熱サイクル信頼性を高めることができる。また、平板状基板としてセラミック多層基板を用いた場合、基板の内部に複雑な回路を構成できるので、回路密度を高めることができる。
平板状基板の第１主面と対向する第２主面に、別の回路部品を搭載してもよい。この場合には、平板状基板の両面に回路部品を搭載することができ、実装密度を高めることができる。このような回路部品としては、平板状基板に対してはんだなどを用いて表面実装する表面実装部品でもよいし、フェースアップで搭載した後、ワイヤーボンディングする集積回路素子、さらにはバンプを用いてフェースダウン実装する回路素子でもよい。
枠状基板の第１主面と対向する第２主面上に、接続電極と層間接続導体を介して接続された端子電極を形成するのがよい。この場合には、回路モジュールをマザー基板などに実装する場合に、端子電極を設ける必要があるが、この端子電極を枠状基板の第１主面と対向する第２主面上に形成することによって、平板状基板をマザー基板から離した位置に保持できる。そのため、マザー基板から伝わる平板状基板への応力波及や熱伝達を枠状基板によって抑制できる。層間接続導体としては、枠状基板の内部を貫通するビアホール導体であってもよいし、スルーホールでもよく、さらに枠状基板の外側面または内側面に形成されたパターン電極であってもよい。
枠状基板の第２主面に端子電極を形成した回路モジュールを、マザー基板の主面上にはんだ等の導電性接合材を介して実装した回路装置であって、マザー基板の主面上に、枠状基板の端子電極に対応する表面電極を設け、枠状基板の端子電極の中心を、マザー基板の表面電極の中心よりも、枠状基板の内側方向にずらしたものがよい。上述のように、枠状基板の接続電極と平板状基板の接続電極との位置関係によって、封止樹脂の収縮応力Ｆ１を導電性接合材の収縮応力Ｆ２によって緩和することができるが、必ずしも封止樹脂の収縮応力Ｆ１を完全に解消できる訳ではない。そこで、この場合には枠状基板の端子電極の中心をマザー基板の表面電極の中心よりも内側方向にずらすことで、導電性接合材の収縮応力Ｆ２と同一方向の応力Ｆ３を、回路モジュールをマザー基板に実装するための導電性接合材にも発生させ、より効果的に封止樹脂の収縮応力Ｆ１を緩和するものである。
枠状基板の第２主面上に複数の端子電極を枠状に配列し、マザー基板の主面上に複数の表面電極を枠状に配列し、枠状基板の各端子電極の中心を、マザー基板の各表面電極の中心よりも、枠状基板の中心方向にそれぞれずらすのがよい。この場合は、上記の平板状基板の接続電極と枠状基板の接続電極との関係と同様であり、４辺すべてでマザー基板の表面電極と枠状基板の端子電極がずれている場合、枠状基板の４辺すべてに対して導電性接合材の収縮応力Ｆ３を発生させることができるので、枠状基板の変形を効果的に抑制できる。
 発明の好ましい実施形態の効果
以上のように、本発明の好ましい実施形態によれば、枠状基板の接続電極の中心を平板状基板の接続電極の中心よりも内側方向にずらした位置に設けたので、枠状基板の接続電極と平板状基板の接続電極との間に設けられる導電性接合材の硬化収縮応力Ｆ２が、枠状基板を外側へずらそうとする方向に働き、封止樹脂の収縮応力Ｆ１を緩和することができる。その結果、封止樹脂の収縮応力Ｆ１による影響を小さくすることができ、枠状基板の変形を抑制でき、枠状基板の接続電極と平板状基板の接続電極との接続信頼性が向上する。
本発明にかかる回路モジュールの一実施形態の断面図である。 図１に示す回路モジュールの底面図である。 図１に示す回路モジュールの製造方法の前半を示す工程図である。 図１に示す回路モジュールの製造方法の後半を示す工程図である。 図１に示す回路モジュールをマザー基板に実装した回路装置の断面図である。 図５の要部拡大図である。
（第１実施形態）
図１，図２は本発明にかかる回路モジュールの第１実施形態を示す。この回路モジュールＡは、平板状基板（以下、配線基板と呼ぶ）１に枠状基板（以下、端子板と呼ぶ）１０を接合した構造となっている。
配線基板１は、例えばＬＴＣＣ（Low-Temperature Co-firable Ceramic：低温焼結セラミック）などの複数のセラミック層を積層してなるセラミック多層基板であり、第２主面には複数のランド電極２が形成され、その上に複数の回路部品３が接続されている。また、配線基板１の表層や内層には銀や銅を主とする電極パターンが設けられており、キャパシタやインダクタのような受動素子パターンや回路部品３と受動素子とを接続するための配線パターンを形成している。この例では、回路部品３はランド電極２にはんだ付けされたたとえば積層型セラミックコンデンサ等の表面実装部品と、ランド電極２にバンプを介してフェースダウン実装されたたとえば半導体デバイス等の表面実装部品との組み合わせであるが、これに限るものではない。ランド電極２は、配線基板１の内部に設けられたビアホール導体４および内部配線５を介して第１主面に形成された複数の接続電極６または複数のパッド電極７と接続されている。接続電極６は配線基板１の第１主面の周縁部に枠状に配置されている。パッド電極７は枠状に配置された接続電極６より内側の領域に形成されており、配線基板１の第１主面に搭載された集積回路素子などの回路部品８とボンディングワイヤ９を介して接続されている。この例では、配線基板１の第１主面に集積回路素子８を搭載したが、積層型セラミックコンデンサ等の表面実装部品や半導体デバイス等のフェースダウン実装部品などを搭載してもよい。
端子板１０は枠状の樹脂基板よりなり、その外形寸法は配線基板１よりやや小さい。配線基板１の第１主面と対向する端子板１０の第１主面には、複数の接続電極１２が枠状に配置されている。図１に示すように、接続電極１２の中心は配線基板１の接続電極６の中心よりも、端子板１０の内側方向にαだけずれている。この例では、接続電極１２の内側縁は接続電極６の内側縁よりβだけ内側へずれている。接続電極１２と接続電極６とが同一形状である場合には、α＝βであるが、接続電極６が接続電極１２より幅広（図１の左右方向の寸法が大きい）である場合には、α＞βとなることもある。配線基板１の接続電極６と端子板１０の接続電極１２とは、はんだや導電性接着剤などの導電性接合材２０を介して電気的に接続され、かつ機械的に接合されている。上記のように接続電極１２の中心と接続電極６の中心との間にずれαがあるため、接合材２０は内外方向に延びた状態で硬化している。そのため、端子板１０の接続電極１２には矢印で示すように外向きの硬化収縮応力Ｆ２が作用する。なお、このとき応力Ｆ２に反作用する力が働くが、この力は枠状端子板１０のコーナ部に集中し、枠状端子板１０の壁部分には応力Ｆ２が残っている。ただし、端子板１０の接続電極１２の中心は、配線基板１の接続電極６の投影面内にあることが好ましい。接続電極１２の中心が接続電極６の投影面内から外れる場合、配線基板１と端子板１０との接続の際、接合材２０に働く応力が大きくなりすぎ、端子板１０と配線基板１との接合強度が低下することがある。
端子板１０の第２主面には、接続電極１２と対応する複数の端子電極１３が枠状に配置されており、接続電極１２と端子電極１３とは、端子板１０を厚み方向に貫通するビアホール導体１４を介して相互に接続されている。この例では、接続電極１２と端子電極１３とは同一形状であり、かつ端子板１０の表裏主面の同一位置で対向している。接続電極１２と端子電極１３とを接続する層間接続導体としては、ビアホール導体１４に限らず、端子板１０の外側面または内側面に形成された接続用パターン電極であってもよいし、スルーホール導体であってもよい。スルーホール導体とは、端子板１０を厚み方向に貫通する穴の内面に電極を形成したものである。なお、層間接続導体が金属薄板を折り曲げ加工した薄板状導体であり、端子板１０がこの薄板状導体を樹脂でモールド成型してなるモールド樹脂性の端子板であることが特に好ましい。層間接続導体が金属薄板を折り曲げ加工したものであれば、端子板１０に応力が加わったとしても、層間接続導体が断線することなく、接続信頼性を確保できる。
端子板１０を配線基板１に導電性接合材２０を介して接合することによって、キャビティ１１が形成される。接合材２０を含む端子板１０の厚みは、配線基板１の第１主面に搭載されたボンディングワイヤ９を含む回路部品８の高さより厚く設定されている。端子板１０と配線基板１とで形成されるキャビティ１１には、封止樹脂２１が充填・硬化されており、ボンディングワイヤ９を含む回路部品８の全体が封止樹脂２１の中に埋設されている。接合材２０を含む端子板１０の厚みは、ボンディングワイヤ９を含む回路部品８の高さより厚いので、封止樹脂２１の表面が端子板１０より突出することはない。封止樹脂２１の硬化によって、図１に示すように、端子板１０に対して内向きの硬化収縮応力Ｆ１が作用する。しかし、上述のように接合材２０に外向きの硬化収縮応力Ｆ２が作用するので、封止樹脂２１の硬化収縮応力Ｆ１が接合材２０の硬化収縮応力Ｆ２で緩和され、封止樹脂の収縮応力Ｆ１による端子板１０に対する影響を小さくすることができる。その結果、端子板１０の変形を抑制でき、接続電極６，１２の接続信頼性が向上する。また、配線基板１としてのセラミック多層基板に対しては、接合材２０の引っ張り応力や封止樹脂２１の硬化収縮応力により、内側中心方向に向かって圧縮応力が作用するので、配線基板１自身の機械的強度も大きくなる。
配線基板１に端子板１０を接合した状態において、配線基板１と端子板１０との間には複数の接合材２０が介在しており、隣合う接合材２０の間に隙間が発生する。封止樹脂２１の充填時にこの接合材２０の隙間から封止樹脂２１が外部に流れだすと、外観不良や外周面への回り込みによる接続不良などを発生させる可能性がある。そこで、封止樹脂２１を熱硬化性樹脂と無機フィラーとの混合樹脂組成物で構成し、接合材２０の隙間から封止樹脂２１が外部に流れ出さない程度の粘度に調整している。なお、封止樹脂２１を熱硬化性樹脂と無機フィラーとの混合樹脂組成物で構成した場合、無機フィラーの含有率によって粘度だけでなく、耐熱性、耐湿性、熱膨張係数、さらには硬化収縮応力Ｆ１も調整できる。熱硬化性樹脂としては、例えば耐熱性、耐湿性に優れたエポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂などを用いることができ、無機フィラーとしては、例えばアルミナ、シリカ、チタニアなどを用いることができる。
ここで、回路モジュールＡの製造方法を、図３，図４を参照して説明する。図３の（ａ）は、配線基板１を準備した状態を示す。ここでは、接続電極６とパッド電極７とが配線基板１の上側を向くように配置されている。図３の（ｂ）は、配線基板１の接続電極６上にはんだペースト２０ａを塗布し、その上から端子板１０を配置した状態を示す。配線基板１の接続電極６に対して、端子板１０の接続電極１２は内側にαだけずれた位置に配置されている。その後、リフローはんだ付けを行う。図３の（ｃ）は、はんだペースト２０ａを溶融、硬化させ、はんだ付けを終了した状態を示す。はんだペースト２０ａが溶融、硬化する際、はんだの表面張力によって端子板１０は自動的にバランスの取れた中央位置で安定する。つまり、全周に配置されたはんだペースト２０ａに均等な表面張力が作用するので、端子板１０は配線基板１に対して一方に偏ることなく接合される。
図４の（ａ）は、端子板１０で囲まれた配線基板１の第１主面に回路部品８を搭載するとともに、ボンディングワイヤ９によって回路部品８とパッド電極７とを接続した状態を示す。図４の（ｂ）は、端子板１０と配線基板１とで形成されたキャビティ１１内に封止樹脂２１を充填した状態を示す。封止樹脂２１は、ワイヤ９の隙間や回路部品８の周囲へ容易に流れ込むことができるが、接合材２０間の隙間から外部へ漏れ出ることがない粘度に設定されている。その後、封止樹脂２１を熱硬化させるが、そのとき封止樹脂２１は硬化収縮を起こし、図１に示す応力Ｆ１が発生する。しかし、応力Ｆ１と対向する応力Ｆ２が導電性接合材２０によって与えられるので、応力Ｆ１が応力Ｆ２によって緩和され、端子板１０の変形を抑制できる。最後に、図４の（ｃ）のように、配線基板１の裏面側にあるランド電極２に回路部品３を接続することによって、回路モジュールＡが完成する。
図５，図６は回路モジュールＡをマザー基板３０に実装した状態を示す。プリント配線基板等のマザー基板３０の表面には、複数の表面電極３１が枠状に配列されており、これらの表面電極３１と端子板１０の端子電極１３とがはんだ、導電性接着剤などの導電性接合材３２を介して電気的に接続され、かつ機械的に接合されている。図６に示すように、表面電極３１の中心は端子板１０の端子電極１３の中心に対して外側方向にγだけずれている。この例では、端子電極１３と表面電極３１とが略同一形状であり、端子電極１３の内側縁は表面電極３１の内側縁よりδだけ内側へずれている。そのため、接合材３２は端子板１０の内外方向に延びた状態で硬化し、端子電極１３には矢印で示すように外向きの硬化収縮応力Ｆ３が作用する。
上記のように回路モジュールＡをマザー基板３０に実装した状態では、配線基板１と端子板１０とを接合する接合材２０によって接続電極１２に外向きの応力Ｆ２が作用し、封止樹脂２１の硬化によって端子板１０に内向きの応力Ｆ１が作用し、さらに回路モジュールＡとマザー基板３０とを接合する接合材３２によって端子電極１３に外向きの応力Ｆ３が作用する。つまり、端子板１０にかかる内向きの応力Ｆ１を外向きの応力Ｆ２，Ｆ３で緩和する形となるので、端子板１０にかかる応力が軽減され、端子板１０の変形を解消あるいは抑制できる。
前記実施形態では、子基板状態の配線基板１を準備し、この配線基板１に端子板１０を接合する例について説明したが、集合基板状態の配線基板１を準備し、その配線基板１に複数の端子板１０を接合し、回路部品８の搭載、封止樹脂２１の充填後、子基板に分割する方法を用いてもよい。端子板１０の外形寸法は配線基板１の外形寸法より小さいので、集合基板状態の配線基板１に端子板１０をそれぞれ実装することができる。また、集合基板を子基板に分割する場合、ダイサーなどでカットしてもよいし、チョコレートブレイクで分割してもよい。本発明の配線基板は平板状であるが、平板状とはその表面が完全に平面である場合だけでなく、浅い凹凸部が形成されたものでもよい。例えば、特許文献１に示されるように配線基板に浅い凹部を形成し、その中に回路部品を搭載するようにしてもよい。前記各実施形態では、配線基板の接続電極および端子板の接続電極を、共に枠状すなわち４辺すべてに配置したが、対向する２辺あるいは３辺に接続電極を配置してもよい。この場合も、２辺または３辺において、端子板の接続電極の中心を配線基板の接続電極の中心よりも内側方向にずらせればよい。

Claims (8)

  1. 第１主面の周縁部に複数の接続電極が配置された平板状基板と、第１主面上に前記接続電極に対応する複数の接続電極が配置された枠状基板とを備え、
    前記平板状基板の複数の前記接続電極と前記枠状基板の複数の前記接続電極とが導電性接合材を介してそれぞれ接続されており、
    前記枠状基板の内側面と前記平板状基板の前記第１主面とで構成されるキャビティに回路部品が収納されており、
    前記回路部品を覆うように、前記キャビティに封止樹脂が充填・硬化された回路モジュールにおいて、
    前記枠状基板の接続電極の中心は、前記平板状基板の接続電極の中心よりも、前記枠状基板の内側方向にずれていることを特徴とする回路モジュール。
  2. 前記枠状基板の接続電極の内側縁が前記平板状基板の接続電極の内側縁より、前記枠状基板の内側方向にずれていることを特徴とする請求項１に記載の回路モジュール。
  3. 前記平板状基板の前記第１主面の周縁部には前記複数の接続電極が枠状に配列されており、
    前記枠状基板の前記第１主面上には複数の接続電極が枠状に配列されており、
    前記枠状基板の各接続電極の中心は、前記平板状基板の各接続電極の中心よりも、前記枠状基板の中心方向にそれぞれずれていることを特徴とする請求項１または２に記載の回路モジュール。
  4. 前記平板状基板はセラミック基板であり、前記枠状基板は樹脂基板である、請求項１ないし３のいずれか１項に記載の回路モジュール。
  5. 前記平板状基板の前記第１主面と対向する第２主面には、別の回路部品が搭載されている、請求項１ないし４のいずれか１項に記載の回路モジュール。
  6. 前記枠状基板の前記第１主面と対向する第２主面上には、前記接続電極と層間接続導体を介して接続された端子電極が形成されていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の回路モジュール。
  7. 請求項６に記載の回路モジュールを、マザー基板の主面上に導電性接合材を介して実装した回路装置であって、
    前記マザー基板の主面上には、前記枠状基板の端子電極に対応する表面電極が設けられており、
    前記枠状基板の端子電極の中心は、前記マザー基板の表面電極の中心よりも、前記枠状基板の内側方向にずれていることを特徴とする回路装置。
  8. 前記枠状基板の前記第２主面上には複数の端子電極が枠状に配列されており、
    前記マザー基板の主面上には、複数の表面電極が枠状に配列されており、
    前記枠状基板の各端子電極の中心は、前記マザー基板の各表面電極の中心よりも、前記枠状基板の中心方向にそれぞれずれていることを特徴とする請求項７に記載の回路装置。
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