JP4635051B2 - 半導体装置の製造方法および基板処理装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法および基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4635051B2 JP4635051B2 JP2007528480A JP2007528480A JP4635051B2 JP 4635051 B2 JP4635051 B2 JP 4635051B2 JP 2007528480 A JP2007528480 A JP 2007528480A JP 2007528480 A JP2007528480 A JP 2007528480A JP 4635051 B2 JP4635051 B2 JP 4635051B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- hydrogen chloride
- processing chamber
- silicon
- chlorine
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/24—Deposition of silicon only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02381—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02636—Selective deposition, e.g. simultaneous growth of mono- and non-monocrystalline semiconductor materials
Description
表面の少なくとも一部にシリコン窒化膜またはシリコン酸化膜を有し、かつシリコン表面が露出したシリコン基板を処理室内に挿入し、
前記処理室内に少なくともシラン系のガスを導入する第1ステップと、少なくとも塩素ガスまたはフッ素ガスまたは塩化水素ガスを導入する第2ステップとを交互に複数回繰り返して、前記シリコン表面に選択的にエピタキシャル膜を成長させる半導体装置の製造方法であって、
前記第1ステップより第2ステップが先行して、前記交互の繰り返しが開始され、
前記第1ステップと第2ステップとを交互に複数回繰り返す際、複数回実行される第2ステップの内、最初に実行される第2ステップで導入される塩素ガスまたはフッ素ガスまたは塩化水素ガスの導入時間・流量は、それ以後に実行される第2ステップでの塩素ガスまたはフッ素ガスまたは塩化水素ガスの導入時間・流量よりも長いまたは多い半導体装置の製造方法が提供される。
本発明の他の態様によれば、
表面の少なくとも一部にシリコン窒化膜またはシリコン酸化膜を有し、かつシリコン表面が露出したシリコン基板を処理する処理室と、
前記処理室内に少なくともシラン系のガスと、塩素ガスまたはフッ素ガスまたは塩化水素ガスとを導入するガス導入部と、
前記ガス導入部を制御する制御装置であって、前記ガス導入部から前記処理室内に少なくとも前記シラン系のガスを導入する第1ステップと、少なくとも前記塩素ガスまたはフッ素ガスまたは塩化水素ガスを導入する第2ステップとを交互に複数回繰り返して、前記シリコン表面に選択的にエピタキシャル膜を成長させる場合に、前記第1ステップより第2ステップを先行させて、前記交互の繰り返しを開始させ、前記第1ステップと第2ステップとを交互に複数回繰り返すときは、複数回実行される第2ステップの内、最初に実行される第2ステップで導入される前記塩素ガスまたはフッ素ガスまたは塩化水素ガスの導入時間・流量が、それ以後に実行される第2ステップでの前記塩素ガスまたはフッ素ガスまたは塩化水素ガスの導入時間・流量よりも長いまたは多くなるように、前記ガス導入部を制御する前記制御装置と、
を有する基板処理装置が提供される。
表面の少なくとも一部にシリコン窒化膜またはシリコン酸化膜を有し、かつシリコン表面が露出したシリコン基板を処理室内に挿入し、
前記処理室内に少なくともシラン系のガスを導入する第1ステップと、少なくとも塩素ガスまたはフッ素ガスまたは塩化水素ガスを導入する第2ステップとを交互に複数回繰り返して、前記シリコン表面に選択的にエピタキシャル膜を成長させる半導体装置の製造方法であって、
前記第1ステップより第2ステップが先行して、前記交互の繰り返しが開始され、
前記第1ステップと第2ステップとを交互に複数回繰り返す際、複数回実行される第2ステップの内、最初に実行される第2ステップで導入される塩素ガスまたはフッ素ガスまたは塩化水素ガスの導入時間・流量は、それ以後に実行される第2ステップでの塩素ガスまたはフッ素ガスまたは塩化水素ガスの導入時間・流量よりも長いまたは多い半導体装置の製造方法が提供される。
さらに、本発明の好ましい実施形態によれば、
表面の少なくとも一部にシリコン窒化膜またはシリコン酸化膜を有し、かつシリコン表面が露出したシリコン基板を処理する処理室と、
前記処理室内に少なくともシラン系のガスと、塩素ガスまたはフッ素ガスまたは塩化水素ガスとを導入するガス導入部と、
前記ガス導入部を制御する制御装置であって、前記ガス導入部から前記処理室内に少なくとも前記シラン系のガスを導入する第1ステップと、少なくとも前記塩素ガスまたはフッ素ガスまたは塩化水素ガスを導入する第2ステップとを交互に複数回繰り返して、前記シリコン表面に選択的にエピタキシャル膜を成長させる場合に、前記第1ステップより第2ステップを先行させて、前記交互の繰り返しを開始させ、前記第1ステップと第2ステップとを交互に複数回繰り返すときは、複数回実行される第2ステップの内、最初に実行される第2ステップで導入される前記塩素ガスまたはフッ素ガスまたは塩化水素ガスの導入時間・流量が、それ以後に実行される第2ステップでの前記塩素ガスまたはフッ素ガスまたは塩化水素ガスの導入時間・流量よりも長いまたは多くなるように、前記ガス導入部を制御する前記制御装置と、
を有する基板処理装置が提供される。
アウタチューブ205、マニホールド209およびシールキャップ219等により処理室201を構成している。
i)初回の第2ステップによるエッチングガス供給は、2回目以降の第2ステップによるエッチングガス供給時間以上流す。過度のエッチングガスを流した後の第1ステップによる初回成長工程では、Si表面での成長は遅くなるが、 選択破れは生じないからである。
ii)2回目以降の第2ステップによるエッチングガス供給流量よりも、初回の流量を多くして、時間を2回目以降と同じにする。
ステップ102において成長温度を500〜700℃に設定する。
その結果、本発明は、半導体装置の製造方法および基板処理装置に特に好適に利用できる。
Claims (7)
- 表面の少なくとも一部にシリコン窒化膜またはシリコン酸化膜を有し、かつシリコン表面が露出したシリコン基板を処理室内に挿入し、
前記処理室内に少なくともシラン系のガスを導入する第1ステップと、少なくとも塩素ガスまたはフッ素ガスまたは塩化水素ガスを導入する第2ステップとを交互に複数回繰り返して、前記シリコン表面に選択的にエピタキシャル膜を成長させる半導体装置の製造方法であって、
前記第1ステップより第2ステップが先行して、前記交互の繰り返しが開始され、
前記第1ステップと第2ステップとを交互に複数回繰り返す際、複数回実行される第2ステップの内、最初に実行される第2ステップで導入される塩素ガスまたはフッ素ガスまたは塩化水素ガスの導入時間は、それ以後に実行される第2ステップでの塩素ガスまたはフッ素ガスまたは塩化水素ガスの導入時間よりも長い半導体装置の製造方法。 - 表面の少なくとも一部にシリコン窒化膜またはシリコン酸化膜を有し、かつシリコン表面が露出したシリコン基板を処理室内に挿入し、
前記処理室内に少なくともシラン系のガスを導入する第1ステップと、少なくとも塩素ガスまたはフッ素ガスまたは塩化水素ガスを導入する第2ステップとを交互に複数回繰り返して、前記シリコン表面に選択的にエピタキシャル膜を成長させる半導体装置の製造方法であって、
前記第1ステップより第2ステップが先行して、前記交互の繰り返しが開始され、
前記第1ステップと第2ステップとを交互に複数回繰り返す際、複数回実行される第2ステップの内、最初に実行される第2ステップで導入される塩素ガスまたはフッ素ガスまたは塩化水素ガスの流量は、それ以後に実行される第2ステップで導入される塩素ガスまたはフッ素ガスまたは塩化水素ガスの流量よりも多い半導体装置の製造方法。 - 前記シラン系のガスは、モノシランガスまたはジシランガスである請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1ステップと第2ステップのそれぞれが実行された後に水素ガスを導入するステップを更に備え、該水素ガス導入ステップにてシリコン表面に付着した塩素もしくはフッ素原子を取り除く請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 塩素ガスまたはフッ素ガスまたは塩化水素ガスを導入する時に、水素ガスを同時に導入する請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 表面の少なくとも一部にシリコン窒化膜またはシリコン酸化膜を有し、かつシリコン表面が露出したシリコン基板を処理する処理室と、
前記処理室内に少なくともシラン系のガスと、塩素ガスまたはフッ素ガスまたは塩化水素ガスとを導入するガス導入部と、
前記ガス導入部を制御する制御装置であって、前記ガス導入部から前記処理室内に少なくとも前記シラン系のガスを導入する第1ステップと、少なくとも前記塩素ガスまたはフッ素ガスまたは塩化水素ガスを導入する第2ステップとを交互に複数回繰り返して、前記シリコン表面に選択的にエピタキシャル膜を成長させる場合に、前記第1ステップより第2ステップを先行させて、前記交互の繰り返しを開始させ、前記第1ステップと第2ステップとを交互に複数回繰り返すときは、複数回実行される第2ステップの内、最初に実行される第2ステップで導入される前記塩素ガスまたはフッ素ガスまたは塩化水素ガスの導入時間が、それ以後に実行される第2ステップでの前記塩素ガスまたはフッ素ガスまたは塩化水素ガスの導入時間よりも長くなるように、前記ガス導入部を制御する前記制御装置と、
を有する基板処理装置。 - 表面の少なくとも一部にシリコン窒化膜またはシリコン酸化膜を有し、かつシリコン表面が露出したシリコン基板を処理する処理室と、
前記処理室内に少なくともシラン系のガスと、塩素ガスまたはフッ素ガスまたは塩化水素ガスとを導入するガス導入部と、
前記ガス導入部を制御する制御装置であって、前記ガス導入部から前記処理室内に少なくとも前記シラン系のガスを導入する第1ステップと、少なくとも前記塩素ガスまたはフッ素ガスまたは塩化水素ガスを導入する第2ステップとを交互に複数回繰り返して、前記シリコン表面に選択的にエピタキシャル膜を成長させる場合に、前記第1ステップより第2ステップを先行させて、前記交互の繰り返しを開始させ、前記第1ステップと第2ステップとを交互に複数回繰り返すときは、複数回実行される第2ステップの内、最初に実行される第2ステップで導入される前記塩素ガスまたはフッ素ガスまたは塩化水素ガスの流量が、それ以後に実行される第2ステップで導入される前記塩素ガスまたはフッ素ガスまたは塩化水素ガスの流量よりも多くなるように、前記ガス導入部を制御する前記制御装置と、
を有する基板処理装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005221842 | 2005-07-29 | ||
JP2005221842 | 2005-07-29 | ||
PCT/JP2006/314687 WO2007013464A1 (ja) | 2005-07-29 | 2006-07-25 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2007013464A1 JPWO2007013464A1 (ja) | 2009-02-05 |
JP4635051B2 true JP4635051B2 (ja) | 2011-02-16 |
Family
ID=37683359
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007528480A Active JP4635051B2 (ja) | 2005-07-29 | 2006-07-25 | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8466049B2 (ja) |
JP (1) | JP4635051B2 (ja) |
TW (1) | TWI424496B (ja) |
WO (1) | WO2007013464A1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170104380A (ko) * | 2016-03-07 | 2017-09-15 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 오목부의 매립 방법 및 처리 장치 |
KR20170113273A (ko) * | 2016-03-30 | 2017-10-12 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 실리콘막의 형성 방법 및 형성 장치, 및 기억 매체 |
US10822714B2 (en) | 2016-03-07 | 2020-11-03 | Tokyo Electron Limited | Method of growing crystal in recess and processing apparatus used therefor |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8282733B2 (en) | 2007-04-02 | 2012-10-09 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Manufacturing method of semiconductor apparatus |
JP2008277777A (ja) * | 2007-04-02 | 2008-11-13 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法 |
JP4918453B2 (ja) * | 2007-10-11 | 2012-04-18 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス供給装置及び薄膜形成装置 |
JP2010092979A (ja) * | 2008-10-06 | 2010-04-22 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法 |
JP5564311B2 (ja) * | 2009-05-19 | 2014-07-30 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置及び基板の製造方法 |
JP5393895B2 (ja) | 2010-09-01 | 2014-01-22 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
JP5632687B2 (ja) * | 2010-09-10 | 2014-11-26 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
JP6349234B2 (ja) * | 2014-02-19 | 2018-06-27 | 東京エレクトロン株式会社 | シリコン酸化膜の形成方法、及び、シリコン酸化膜の形成装置 |
US9653282B2 (en) | 2014-07-29 | 2017-05-16 | Applied Materials, Inc. | Silicon-containing substrate cleaning procedure |
JP6391171B2 (ja) * | 2015-09-07 | 2018-09-19 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体製造システムおよびその運転方法 |
KR102458309B1 (ko) | 2015-12-28 | 2022-10-24 | 삼성전자주식회사 | SiOCN 물질막의 형성 방법 및 반도체 소자의 제조 방법 |
EP3513426A4 (en) * | 2016-09-14 | 2020-06-10 | Applied Materials, Inc. | DEGASSING CHAMBER FOR ARSENIC ASSOCIATED PROCESSES |
JP6867188B2 (ja) * | 2017-02-27 | 2021-04-28 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP6778139B2 (ja) | 2017-03-22 | 2020-10-28 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
JP7221187B2 (ja) * | 2019-09-30 | 2023-02-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法、及び成膜装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08153688A (ja) * | 1994-09-13 | 1996-06-11 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP2003086511A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-20 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子の選択エピタキシャル成長法 |
JP2005183514A (ja) * | 2003-12-17 | 2005-07-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05217921A (ja) * | 1991-09-13 | 1993-08-27 | Motorola Inc | 材料膜のエピタキシアル成長を行うための温度制御された処理 |
US6489241B1 (en) * | 1999-09-17 | 2002-12-03 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for surface finishing a silicon film |
JP4215447B2 (ja) * | 2002-04-17 | 2009-01-28 | 信越半導体株式会社 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 |
US7468311B2 (en) * | 2003-09-30 | 2008-12-23 | Tokyo Electron Limited | Deposition of silicon-containing films from hexachlorodisilane |
US7312128B2 (en) * | 2004-12-01 | 2007-12-25 | Applied Materials, Inc. | Selective epitaxy process with alternating gas supply |
US7358194B2 (en) * | 2005-08-18 | 2008-04-15 | Tokyo Electron Limited | Sequential deposition process for forming Si-containing films |
-
2006
- 2006-07-25 JP JP2007528480A patent/JP4635051B2/ja active Active
- 2006-07-25 WO PCT/JP2006/314687 patent/WO2007013464A1/ja active Application Filing
- 2006-07-25 US US11/921,562 patent/US8466049B2/en active Active
- 2006-07-28 TW TW095127581A patent/TWI424496B/zh active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08153688A (ja) * | 1994-09-13 | 1996-06-11 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP2003086511A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-20 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子の選択エピタキシャル成長法 |
JP2005183514A (ja) * | 2003-12-17 | 2005-07-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170104380A (ko) * | 2016-03-07 | 2017-09-15 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 오목부의 매립 방법 및 처리 장치 |
KR102116165B1 (ko) | 2016-03-07 | 2020-06-05 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 오목부의 매립 방법 및 처리 장치 |
US10822714B2 (en) | 2016-03-07 | 2020-11-03 | Tokyo Electron Limited | Method of growing crystal in recess and processing apparatus used therefor |
KR20170113273A (ko) * | 2016-03-30 | 2017-10-12 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 실리콘막의 형성 방법 및 형성 장치, 및 기억 매체 |
KR102158406B1 (ko) * | 2016-03-30 | 2020-09-22 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 실리콘막의 형성 방법 및 형성 장치, 및 기억 매체 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2007013464A1 (ja) | 2007-02-01 |
US8466049B2 (en) | 2013-06-18 |
US20090104740A1 (en) | 2009-04-23 |
TWI424496B (zh) | 2014-01-21 |
JPWO2007013464A1 (ja) | 2009-02-05 |
TW200746297A (en) | 2007-12-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4635051B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 | |
JP5023004B2 (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
JP4809175B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4694209B2 (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
KR100996689B1 (ko) | 반도체장치의 제조방법, 막생성방법 및 기판처리장치 | |
JP5235142B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 | |
US8012885B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
US8293592B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus | |
JP4324632B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 | |
JP4324418B2 (ja) | 基板処理装置および半導体デバイスの製造方法 | |
JP2005340283A (ja) | 基板処理装置 | |
JP5214778B2 (ja) | 基板処理装置及び半導体デバイスの製造方法 | |
JP2009260015A (ja) | 基板の製造方法及び基板処理装置 | |
JP2006059938A (ja) | 基板処理装置 | |
JP5032059B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、及び基板処理装置 | |
CN109891555B (zh) | 低温外延层形成方法 | |
JP2007088225A (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
JP2007056288A (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
JP2008103508A (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
JP2010073714A (ja) | 基板処理方法 | |
JP2010073860A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2005259927A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2006216586A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2005277259A (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100706 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100901 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100928 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101013 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101102 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101119 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4635051 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131126 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |