JP4618348B2 - 積層コンデンサ - Google Patents

Description

本発明は、積層コンデンサに関する。

２ラインの伝送線路におけるノイズ対策用の積層コンデンサが、下記特許文献１に記載されている。この積層コンデンサは、一方の伝送ラインに接続するための第１の信号線用端子と、他方の伝送ラインに接続するための第２の信号線用端子と、グランドパッドに接続するための第１と第２のグランド端子とを備え、第１の信号線用端子と第１のグランド端子との間に第１のコンデンサが接続され、第２の信号線用端子と第２のグランド端子との間に第２のコンデンサが接続されている。
特開２００６−５９９７７号公報

ノイズ対策用の積層コンデンサには、低インピーダンスの帯域幅がより広いものが求められている。そこで本発明は、低インピーダンスの帯域幅をより広くすることが可能な積層コンデンサを提供することを目的とする。

本発明の積層コンデンサは、複数の誘電体層が積層されたコンデンサ素体と、コンデンサ素体の外表面に配置された、第１の信号端子と第２の信号端子とグランド端子と、コンデンサ素体内に配置された、グランド電極層と第１〜第３の信号電極層と、を備え、グランド電極層は、グランド端子に接続され、第１の信号電極層は、第１の信号端子に接続されると共に、グランド電極層と対向して第１のコンデンサを構成し、第２の信号電極層は、第１の信号端子に接続されると共に、グランド電極層と対向して第２のコンデンサを構成し、第３の信号電極層は、第２の信号端子に接続されると共に、グランド電極層と対向して第３のコンデンサを構成し、第１のコンデンサの静電容量と第２のコンデンサの静電容量とは、互いに異なることを特徴とする。

本発明の積層コンデンサでは、グランド電極層と第１〜第３の信号電極層とによって、第１〜第３のコンデンサが形成される。第１のコンデンサと第２のコンデンサとは、第１の信号端子とグランド端子との間で並列接続されている。この並列接続された第１及び第２のコンデンサは、第１の信号端子と第２の信号端子との間で第３のコンデンサと直列接続されている。このため、グランド端子をグランドに接続し、第１の信号端子と第２の信号端子とをそれぞれ２ラインの信号ラインに接続することで、１つの積層コンデンサで、２ラインの伝送線路それぞれとグランドとの間にそれぞれ接続されるコンデンサを構成することができる。この本発明の積層コンデンサは、第１のコンデンサの静電容量と第２のコンデンサの静電容量とが互いに異なるので、低インピーダンスの帯域幅をより広くできる。

好ましくは、コンデンサ素体内に配置された第４の信号電極層を備え、第４の信号電極層は、第２の信号端子に接続されると共に、グランド電極層と対向して第４のコンデンサを構成し、第３のコンデンサの静電容量と第４のコンデンサの静電容量とは、互いに異なる。

この場合、グランド電極層と第１〜第４の信号電極層とによって、第１〜第４のコンデンサが形成される。第３のコンデンサと第４のコンデンサとは、第２の信号端子とグランド端子との間で並列接続されている。この並列接続された第３及び第４のコンデンサは、第１の信号端子と第２の信号端子との間で第１及び第２のコンデンサと直列接続されている。この本発明の積層コンデンサは、第３のコンデンサの静電容量と第４のコンデンサの静電容量とが互いに異なるので、低インピーダンスの帯域幅をより広くできる。また、４つのコンデンサを形成することにより、第１の信号端子とグランドとの間と、第２の信号端子とグランド端子の間とに、それぞれ２つずつコンデンサを配置して、対称性を向上させることができる。

好ましくは、第１〜第４の信号電極層は、同一層に配置され、第１の信号電極層の面積と第２の信号電極層の面積とは、互いに異なり、第３の信号電極層の面積と第４の信号電極層の面積とは、互いに異なる。

これにより、容易に、第１のコンデンサの静電容量と第２のコンデンサの静電容量とを異ならせ、第３のコンデンサ静電容量と第４のコンデンサの静電容量とを異ならせることができる。また、第１〜第４の信号電極層を同一層に配置することにより、積層コンデンサにおける積層数を抑制し、積層コンデンサの小型化を実現することができる。

好ましくは、グランド端子は、互いに離間して配置された第１のグランド端子と第２のグランド端子とを含み、グランド電極層は、互いに離間して配置された第１のグランド電極層と第２のグランド電極層とに分割され、第１のグランド電極層は、第１のグランド端子と接続され、第１の信号電極層と対向する領域を有し且つ第２の信号電極層と対向する領域を有さず、第２のグランド電極層は、第２のグランド端子と接続され、第２の信号電極層と対向する領域を有し且つ第１の信号電極層と対向する領域を有さない。

この場合、第１のグランド電極層と第１の信号電極層とによって第１のコンデンサが形成され、第２のグランド電極層と第２の信号電極層とによって第２のコンデンサが形成される。そして、第１のグランド電極層は、第２の信号電極層と対向する領域を有さず、第２のグランド電極層は第１の信号電極層と対向する領域を有さない。このため、第１のコンデンサと第２のコンデンサとの間に発生するクロストークを抑制できる。

好ましくは、第１のグランド電極層は、分割され、当該分割された一方の電極部分と他方の電極部分とは、互いに離間して配置され、第１のグランド電極層の分割された一方の電極部分は、第１のグランド端子と接続されると共に第１の信号電極層と対向する領域を有し、第１のグランド電極層の分割された他方の電極部分は、第１のグランド端子と接続されると共に第３の信号電極層と対向する領域を有する。

この場合、第１のグランド電極層の分割された一方の電極部分と第１の信号電極層とによって第１のコンデンサが形成され、第１のグランド電極層の分割された他方の電極部分と第３の信号電極層とによって第３のコンデンサが形成される。このため、第１のグランド電極層を共有して第１のコンデンサと第３のコンデンサとを形成する場合より、第１のコンデンサと第３のコンデンサとの間に発生するクロストークを抑制できる。

好ましくは、第１のグランド電極層の分割された一方の電極部分は、第３の信号電極層と対向する領域を有さず、第１のグランド電極層の分割された他方の電極部分は、第１の信号電極層と対向する領域を有さない。

この場合、第１のコンデンサの形成に寄与する第１のグランド電極層の分割された一方の電極部分は、第３のコンデンサの形成に寄与する第３の信号電極層と対向する領域を有さず、第３のコンデンサの形成に寄与する第１のグランド電極層の分割された他方の電極部分は、第１のコンデンサの形成に寄与する第１の信号電極層と対向しない。このため、第１のコンデンサと第３のコンデンサとの間に発生するクロストークを更に抑制できる。

好ましくは、コンデンサ素体は、略直方体形状に形成され、互いに対向する第１の短側面と第２の短側面と、互いに対向する第１の長側面と第２の長側面と、を有し、第１の信号端子は、第１の短側面に配置され、第２の信号端子は、第２の短側面に配置され、第１のグランド端子は、第１の長側面に配置され、第２のグランド端子は、第２の長側面に配置されている。

本発明によれば、低インピーダンスの帯域幅をより広くすることが可能な積層コンデンサを提供することができる。

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。

（第１実施形態）
図１〜図４を参照して、本実施形態に係る積層コンデンサＣ１の構成について説明する。図１は、本実施形態に係る積層コンデンサの斜視図である。図２は、本実施形態に係る積層コンデンサに含まれるコンデンサ素体の分解斜視図である。図３は、本実施形態に係る積層コンデンサの断面構成を示す図である。図４は、本実施形態に係る積層コンデンサの等価回路図である。

図１に示されるように、積層コンデンサＣ１は、コンデンサ素体１を有する。このコンデンサ素体１は、略直方体状であり、互いに対向する長方形状の第１の主面２及び第２の主面３と、互いに対向する第１の短側面４及び第２の短側面５と、互いに対向する第１の長側面６及び第２の長側面７と、を有している。

積層コンデンサＣ１は、コンデンサ素体１の外表面に互いに離間して配置された第１の信号端子１１と第２の信号端子１２と第１のグランド端子１３と第２のグランド端子１４とを備える。

第１の信号端子１１は、コンデンサ素体１の第１の短側面４に配置されている。第１の信号端子１１は、第１の短側面４の全面を覆い、第１及び第２の主面２，３並びに第１及び第２の長側面６，７の端部（第１の側面４側の端部）に亘って形成されている。第２の信号端子１２は、コンデンサ素体１の第２の短側面５に配置されている。第２の信号端子１２は、第２の短側面５の全面を覆い、第１及び第２の主面２，３並びに第１及び第２の長側面６，７の端部（第１の側面５側の端部）に亘って形成されている。

第１のグランド端子１３は、コンデンサ素体１の第１の長側面６に配置されている。第１のグランド端子１３は、第１の長側面６上において、第１及び第２の短側面４，５の対向方向での略中央部を覆い、第１の主面２及び第２の主面３に亘って形成されている。第２のグランド端子１４は、コンデンサ素体１の第２の長側面７に配置されている。第２のグランド端子１４は、第２の長側面７上において、第１及び第２の短側面４，５の対向方向での略中央部を覆い、第１の主面２及び第２の主面３に亘って形成されている。第１のグランド端子１３と第２のグランド端子１４とは、第１及び第２の長側面６，７の対向方向で対向している。

第１及び第２の信号端子１１，１２と第１及び第２のグランド端子１３，１４は、例えば導電性金属粉末及びガラスフリットを含む導電性ペーストをコンデンサ素体１の外表面の塗布し、焼き付けることによって形成される。必要に応じて、焼き付けられた第１及び第２の信号端子１１，１２と第１及び第２のグランド端子１３，１４の上にめっき層が形成されることもある。

図２に示されるように、コンデンサ素体１は、複数の誘電体層９を有している。コンデンサ素体１は、複数の誘電体層９が第１及び第２の主面２，３が対向する方向に積層されることにより構成されている。各誘電体層９は、例えば誘電体セラミック（ＢａＴｉＯ３系、Ｂａ(Ｔｉ，Ｚｒ)Ｏ３系、又は（Ｂａ，Ｃａ）ＴｉＯ３系等の誘電体セラミック）を含むセラミックグリーンシートの焼結体から構成され、誘電体としての特性を有する。なお、実際の積層コンデンサＣ１では、各誘電体層９は、互いの間の境界が視認できない程度に一体化されている。

図２及び図３に示されるように、積層コンデンサＣ１は、第１〜第４の信号電極層２１〜２４とグランド電極層３１とを備えている。なお、図３は、コンデンサ素体１の第１及び第２の長側面６，７と平行な断面構造を示している。図３（ａ）は、第１及び第３の信号電極層２１，２３を含む断面構造を示し、図３（ｂ）は、第２及び第４の信号電極層２２，２４を含む断面構造を示している。

第１〜第４の信号電極層２１〜２４とグランド電極層３１は、積層型の電気素子の内部電極として通常用いられる導電性材料（例えば、卑金属であるＮｉ等）からなる。第１〜第４の信号電極層２１〜２４とグランド電極層３１は、上記導電性材料を含む導電性ペーストの焼結体として構成される。

この第１〜第４の信号電極層２１〜２４は、コンデンサ素体１内に誘電体層９と平行に配置されている。第１〜第４の信号電極層２１〜２４は、同一層に互いに離間して配置されている。第１〜第４の信号電極層２１〜２４は、それぞれ矩形形状を呈している。

第１の信号電極層２１は、第１の短側面４側且つ第２の長側面７側に配置されている。第１の信号電極層２１の第２の長側面７側の一辺が、第２の長側面７と平行になり且つ第２の長側面７と離間するように、第１の信号電極層２１が配置されている。第１の信号電極層２１の第１の短側面４側の一辺は、第１の短側面４に露出している。このため、第１の信号電極層２１は、第１の短側面４を覆う第１の信号端子１１と物理的且つ電気的に接続されている。

第２の信号電極層２２は、第１の短側面４側且つ第１の長側面６側に配置されている。第２の信号電極層２２の第１の長側面６側の一辺が、第１の長側面６と平行になり且つ第１の長側面６と離間するように、第２の信号電極層２２が配置されている。第２の信号電極層２２の第１の短側面４側の一辺は、第１の短側面４に露出している。このため、第２の信号電極層２２は、第１の短側面４を覆う第１の信号端子１１と物理的且つ電気的に接続されている。

第３の信号電極層２３は、第２の短側面５側且つ第２の長側面７側に配置されている。第３の信号電極層２３の第２の長側面７側の一辺が、第２の長側面７と平行になり且つ第２の長側面７と離間するように、第３の信号電極層２３が配置されている。第３の信号電極層２３の第２の短側面５側の一辺は、第２の短側面５に露出している。このため、第３の信号電極層２３は、第２の短側面５を覆う第２の信号端子１２と物理的且つ電気的に接続されている。

第４の信号電極層２４は、第２の短側面５側且つ第１の長側面６側に配置されている。第４の信号電極層２４の第１の長側面６側の一辺が、第１の長側面６と平行になり且つ第１の長側面６と離間するように、第４の信号電極層２４が配置されている。第４の信号電極層２４の第２の短側面５側の一辺は、第２の短側面５に露出している。このため、第４の信号電極層２４は、第２の短側面５を覆う第２の信号端子１２と物理的且つ電気的に接続されている。

第１〜第４の信号電極層２１〜２４は、第１の長側面６と第２の長側面７との対向方向の長さが互いに同程度である。第１の信号電極層２１と第３の信号電極層２３とは、第１の短側面４と第２の短側面５との対向方向に並んで配置されている。そして、第１の信号電極層２１の面積は、第３の信号電極層２３の面積より小さい。ここで、面積とは、誘電体層９の積層方向から見た面積である。

第２の信号電極層２２と第４の信号電極層２４とは、第１の短側面４と第２の短側面５との対向方向に並んで配置されている。そして、第２の信号電極層２２の面積は、第４の信号電極層２４の面積より大きい。第２の信号電極層２２の面積は、第３の信号電極層２３の面積と同程度であり、第４の信号電極層２４の面積は、第１の信号電極層２１の面積と同程度である。

グランド電極層３１は、第１〜第４の信号電極層２１〜２４が配置された層と誘電体層９を介して積層方向に隣り合う層に配置されている。グランド電極層３１は、略矩形状に形成されている。グランド電極層３１は、略矩形状を構成する４辺がそれぞれ第１，第２の短側面４，５，第１，第２の長側面６，７と平行且つ離間するように配置されている。

グランド電極層３１は、第１の長側面６側の一辺の中央部から第１の長側面６へ引き出されて、その端部が第１の長側面６に露出した引き出し部３２を有している。この第１の長側面６に露出した引き出し部３２の端部を覆うように第１のグランド端子１３が形成されているので、グランド電極層３１と第１のグランド端子１３とが、物理的且つ電気的に接続されている。

グランド電極層３１は、第２の長側面７側の一辺の中央部から第２の長側面７へ引き出されて、その端部が第２の長側面７に露出した引き出し部３２を有している。この第２の長側面７に露出した引き出し部３２の端部を覆うように第２のグランド端子１４が形成されているので、グランド電極層３１と第２のグランド端子１４とが、物理的且つ電気的に接続されている。

グランド電極層３１は、第１〜第４の信号電極層２１〜２４それぞれと誘電体層９を挟んで積層方向に互いに対向している。グランド電極層３１が含む領域３１Ａは、積層方向から見て、第１の信号電極層２１と重なり合っている。グランド電極層３１の領域３１Ａと第１の信号電極層２１とは、第１のコンデンサＣ１１を構成する。誘電体層９において、グランド電極層３１の領域３１Ａと第１の信号電極層２１とによって挟まれた領域は、第１のコンデンサＣ１１の静電容量成分を実質的に生じさせる領域である。

グランド電極層３１が含む領域３１Ｂは、積層方向から見て、第２の信号電極層２２と重なり合っている。グランド電極層３１の領域３１Ｂと第２の信号電極層２２とは、第２のコンデンサＣ１２を構成する。誘電体層９において、グランド電極層３１の領域３１Ｂと第２の信号電極層２２とによって挟まれた領域は、第２のコンデンサＣ１２の静電容量成分を実質的に生じさせる領域である。

第２のコンデンサＣ１２を構成する第２の信号電極層２２とグランド電極層３１の領域３１Ｂとが互いに対向する面積は、第１のコンデンサＣ１１を構成する第１の信号電極層２１とグランド電極層３１の領域３１Ａとが互いに対向する面積より大きい。このため、第２のコンデンサＣ１２の静電容量は、第１のコンデンサＣ１１の静電容量より大きい。

グランド電極層３１が含む領域３１Ｃは、積層方向から見て、第３の信号電極層２３と重なり合っている。グランド電極層３１の領域３１Ｃと第３の信号電極層２３とは、第３のコンデンサＣ１３を構成する。誘電体層９において、グランド電極層３１の領域３１Ｃと第３の信号電極層２３とによって挟まれた領域は、第３のコンデンサＣ１３の静電容量成分を実質的に生じさせる領域である。

第３のコンデンサＣ１３を構成する第３の信号電極層２３とグランド電極層３１の領域３１Ｃとが互いに対向する面積は、第１のコンデンサＣ１１を構成する第１の信号電極層２１とグランド電極層３１の領域３１Ａとが互いに対向する面積より大きい。このため、第３のコンデンサＣ１３の静電容量は、第１のコンデンサＣ１１の静電容量より大きい。

第３のコンデンサＣ１３を構成する第３の信号電極層２３とグランド電極層３１の領域３１Ｃとが互いに対向する面積は、第２のコンデンサＣ１２を構成する第２の信号電極層２２とグランド電極層３１の領域３１Ｂとが互いに対向する面積と同程度である。このため、第３のコンデンサＣ１３の静電容量は、第２のコンデンサＣ１２の静電容量と同程度である。

グランド電極層３１が含む領域３１Ｄは、積層方向から見て、第４の信号電極層２４と重なり合っている。グランド電極層３１の領域３１Ｄと第４の信号電極層２４とは、第４のコンデンサＣ１４を構成する。誘電体層９において、グランド電極層３１の領域３１Ｄと第４の信号電極層２４とによって挟まれた領域は、第４のコンデンサＣ１４の静電容量成分を実質的に生じさせる領域である。

第４のコンデンサＣ１４を構成する第４の信号電極層２４とグランド電極層３１の領域３１Ｄとが互いに対向する面積は、第３のコンデンサＣ１３を構成する第３の信号電極層２３とグランド電極層３１の領域３１Ｃとが互いに対向する面積より小さい。このため、第４のコンデンサＣ１４の静電容量は、第３のコンデンサＣ１３の静電容量より小さい。

第４のコンデンサＣ１４を構成する第４の信号電極層２４とグランド電極層３１の領域３１Ｄとが互いに対向する面積は、第１のコンデンサＣ１１を構成する第１の信号電極層２１とグランド電極層３１の領域３１Ａとが互いに対向する面積と同程度である。このため、第４のコンデンサＣ１４の静電容量は、第１のコンデンサＣ１１の静電容量と同程度である。

このように構成された積層コンデンサＣ１では、第１の信号端子１１と第２の信号端子１２とは、互いに絶縁され、この第１及び第２の信号端子１１，１２は、第１及び第２のグランド端子１３，１４と絶縁されている。

図４に示されるように、積層コンデンサＣ１では、第１の信号端子１１と第１及び第２のグランド端子１３，１４との間に、互いに静電容量の異なる第１のコンデンサＣ１１と第２のコンデンサＣ１２とが並列接続されている。第２の信号端子１２と第１及び第２のグランド端子１３，１４との間に、互いに静電容量の異なる第３のコンデンサＣ１３と第４のコンデンサＣ１４とが並列接続されている。そして、第１の信号端子１１と第２の信号端子１２との間に、第１及び第２のコンデンサＣ１１，Ｃ１２と第３及び第４のコンデンサＣ１３，Ｃ１４とが直列接続されている。

積層コンデンサＣ１は、第１の主面２又は第２の主面３が他の部品（例えば、回路基板や電子部品等）に対向して実装される。例えば、差動伝送ライン等を構成する２つの信号伝送ラインＳＬにそれぞれ第１の信号端子１１と第２の信号端子１２とが接続される。第１及び第２のグランド端子１３，１４は、グランドラインＧＬにそれぞれ接続される。これにより、積層コンデンサＣ１は、一つで、２つの信号伝送ラインＳＬのノイズを除去する機能を発揮する。なお、積層コンデンサＣ１と同様な構成を有していても、なんらかの構造欠陥が生じて、第１の信号電極１１と第２の信号電極１２とが導通した場合は、積層コンデンサＣ１としてのノイズ除去機能は不能となり、回路をショートさせることとなる。

以上のように、本実施形態によれば、第１の信号端子１１と第１及び第２のグランド端子１３，１４との間に、互いに静電容量の異なる第１のコンデンサＣ１１と第２のコンデンサＣ１２とが並列接続されている。このため、低インピーダンスの帯域幅を広くすることができる。また、第２の信号端子１２と第１及び第２のグランド端子１３，１４との間に、互いに静電容量の異なる第３のコンデンサＣ１３と第４のコンデンサＣ１４とが並列接続されている。このため、低インピーダンスの帯域幅を広くすることができる。

本実施形態によれば、４つの第１〜第４のコンデンサＣ１１〜Ｃ１４を形成し、第１の信号端子１１と第１及び第２のグランド端子１３，１４との間と、第２の信号端子１２と第１及び第２のグランド端子１３，１４の間とに、それぞれ２つずつコンデンサを並列接続する。このため、第１の信号端子１１と第２の信号端子１２とに対する対称性を向上させることができる。特に、第１の信号端子１１と第１及び第２のグランド端子１３，１４との間で形成される静電容量と、第２の信号端子１２と第１及び第２のグランド端子１３，１４の間で形成される静電容量とは同程度なので、より対称性を向上させることができる。

本実施形態によれば、第１〜第４の信号電極層２１〜２４をそれぞれグランド電極３１と一層の誘電体層９を介して対向するように配置している。このため、第１の信号電極層２１の面積と第２の信号電極層２２と面積を異ならせることで、容易に第１のコンデンサＣ１１の静電容量と第２のコンデンサＣ１２の静電容量とを異ならせることができる。また、第３の信号電極層２３の面積と第４の信号電極層２４と面積を異ならせることで、容易に第３のコンデンサＣ１３の静電容量と第４のコンデンサＣ１４の静電容量とを異ならせることができる。

本実施形態によれば、第１〜第４の信号電極層２１〜２４は、同一層に配置されている。これにより、形成される第１〜第４のコンデンサＣ１１〜Ｃ１４において所望の静電容量を得るための信号電極層及び誘電体層の積層総数が少なくなるため、積層コンデンサＣ１（コンデンサ素体１）の低背化を図ることができる。

本実施形態によれば、第１〜第４の信号電極層２１〜２４をそれぞれグランド電極３１と誘電体層９を介して対向するように配置して、第１〜第４のコンデンサＣ１１〜Ｃ１４を形成している。このため、グランド電極層３１を第１〜第４のコンデンサＣ１１〜Ｃ１４において共有することができる。よって、積層コンデンサＣ１の小型化を実現できる。

また、グランド電極層３１は、第１のコンデンサＣ１１と第１及び第２のグランド端子１３，１４とを接続する機能、第２のコンデンサＣ１２と第１及び第２のグランド端子１３，１４とを接続する機能、第３のコンデンサＣ１３と第１及び第２のグランド端子１３，１４とを接続する機能、第４のコンデンサＣ１４と第１及び第２のグランド端子１３，１４とを接続する機能を兼ねている。このため、積層コンデンサＣ１の小型化を実現できる。

引き続いて、本発明に係るその他の実施形態について説明する。その他の実施形態に係る積層コンデンサは、第１実施形態に係る積層コンデンサＣ１と比べて、信号電極層及びグランド電極層の構成が異なる。以下、第１実施形態の積層コンデンサＣ１と異なる構成について主に説明し、同じ構成については説明を省略する。

（第２実施形態）
図５，図６を参照して、第２実施形態に係る積層コンデンサＣ２の構成について説明する。図５は、本実施形態に係る積層コンデンサに含まれるコンデンサ素体の分解斜視図である。図６は、本実施形態に係る積層コンデンサの等価回路図である。

図５に示されるように、本実施形態に係る積層コンデンサＣ２は、上記第１実施形態の積層コンデンサＣ１と同様な第１〜第４の信号電極層２１〜２４を備える。本実施形態に係る積層コンデンサＣ２は、上記のグランド電極層３１に変えて、第１のグランド電極層４１と第２のグランド電極層４２とを備える。

第１及び第２のグランド電極層４１，４２は、第１〜第４の信号電極層２１〜２４が配置された層と誘電体層９を介して積層方向に隣り合う層に、互いに離間して配置されている。第１及び第２のグランド電極層４１，４２は、略矩形状に形成され、その長手方向は、第１の短側面４と第２の短側面５の対向方向と平行に配置されている。第１及び第２のグランド電極層４１，４２は、同形状且つ同程度の面積に形成され、短手方向に並んで配列している。

第１のグランド電極層４１は、第２の長側面７側に配置され、略矩形状を構成する４辺がそれぞれ第１，第２の短側面４，５，第１，第２の長側面６，７と平行且つ離間するように配置されている。第１のグランド電極層４１における第１の長側面６と第２の長側面７との対向方向の長さは、第１〜第４の信号電極層２１〜２４の同方向の長さと同程度である。

第１のグランド電極層４１は、第２の長側面７側の一辺の中央部から第２の長側面７へ引き出されて、その端部が第２の長側面７に露出した引き出し部４３を有している。この第２の長側面７に露出した引き出し部４３の端部を覆うように第２のグランド端子１４が形成されているので、第１のグランド電極層４１と第２のグランド端子１４とが、物理的且つ電気的に接続されている。

第１のグランド電極層４１は、第１の信号電極層２１と第３の信号電極層２３それぞれと誘電体層９を挟んで積層方向に互いに対向している。第１のグランド電極層４１は、第１の信号電極層２１と積層方向から見て重なる領域４１Ａと、第３の信号電極層２３と積層方向から見て重なる領域４１Ｂを有している。第１のグランド電極層４１は、第２の信号電極層２２及び第４の信号電極層２４と互いに対向する領域を有していない。

第１のグランド電極層４１の領域４１Ａと第１の信号電極層２１とは、第１のコンデンサＣ２１を構成する。誘電体層９において、第１のグランド電極層４１の領域４１Ａと第１の信号電極層２１とによって挟まれた領域は、この第１のコンデンサＣ２１の静電容量成分を実質的に生じさせる領域である。

第１のグランド電極層４１の領域４１Ｂと第３の信号電極層２３とは、第３のコンデンサＣ２３を構成する。誘電体層９において、第１のグランド電極層４１の領域４１Ｂと第３の信号電極層２３とによって挟まれた領域は、この第３のコンデンサＣ２３の静電容量成分を実質的に生じさせる領域である。

第３のコンデンサＣ２３を構成する第３の信号電極層２３と第１のグランド電極層４１の領域４１Ｂとが互いに対向する面積は、第１のコンデンサＣ２１を構成する第１の信号電極層２１と第１のグランド電極層４１の領域４１Ａとが互いに対向する面積より大きい。このため、第３のコンデンサＣ２３の静電容量は、第１のコンデンサＣ２１の静電容量より大きい。

第２のグランド電極層４２は、第１の長側面６側に配置され、略矩形状を構成する４辺がそれぞれ第１，第２の短側面４，５，第１，第２の長側面６，７と平行且つ離間するように配置されている。第２のグランド電極層４２における第１の長側面６と第２の長側面７との対向方向の長さは、第１〜第４の信号電極層２１〜２４の同方向の長さと同程度である。

第２のグランド電極層４２は、第１の長側面６側の一辺の中央部から第１の長側面６へ引き出され、その端部が第１の長側面６に露出した引き出し部４４を有している。この第１の長側面６に露出した引き出し部４４の端部を覆うように第１のグランド端子１３が形成されているので、第２のグランド電極層４２と第１のグランド端子１３とが、物理的且つ電気的に接続されている。

第２のグランド電極層４２は、第２の信号電極層２２と第４の信号電極層２４それぞれと誘電体層９を挟んで積層方向に互いに対向している。第２のグランド電極層４２は、第２の信号電極層２２と積層方向から見て重なる領域４２Ａと、第４の信号電極層２４と積層方向から見て重なる領域４２Ｂとを有している。第２のグランド電極層４２は、第１の信号電極層２１及び第３の信号電極層２３と互いに対向する領域を有していない。

第２のグランド電極層４２の領域４２Ａと第２の信号電極層２２とは、第２のコンデンサＣ２２を構成する。誘電体層９において、第２のグランド電極層４２の領域４２Ａと第２の信号電極層２２とによって挟まれた領域は、この第２のコンデンサＣ２２の静電容量成分を実質的に生じさせる領域である。

第２のコンデンサＣ２２を構成する第２の信号電極層２２と第２のグランド電極層４２の領域４２Ａとが互いに対向する面積は、第１のコンデンサＣ２１を構成する第１の信号電極層２１と第１のグランド電極層４１の領域４１Ａとが互いに対向する面積より大きい。このため、第２のコンデンサＣ２２の静電容量は、第１のコンデンサＣ２１の静電容量より大きい。

第２のコンデンサＣ２２を構成する第２の信号電極層２２と第２のグランド電極層４２の領域４２Ａとが互いに対向する面積は、第３のコンデンサＣ２３を構成する第３の信号電極層２３と第１のグランド電極層４１の領域４１Ｂとが互いに対向する面積と同程度である。このため、第２のコンデンサＣ２２の静電容量は、第３のコンデンサＣ２３の静電容量と同程度である。

第２のグランド電極層４２の領域４２Ｂと第４の信号電極層２４とは、第４のコンデンサＣ２４を構成する。誘電体層９において、第２のグランド電極層４２の領域４２Ｂと第４の信号電極層２４とによって挟まれた領域は、この第４のコンデンサＣ２４の静電容量成分を実質的に生じさせる領域である。

第４のコンデンサＣ２４を構成する第４の信号電極層２４と第２のグランド電極層４２の領域４２Ｂとが互いに対向する面積は、第３のコンデンサＣ２３を構成する第３の信号電極層２３と第１のグランド電極層４１の領域４１Ｂとが互いに対向する面積より小さい。このため、第４のコンデンサＣ２４の静電容量は、第３のコンデンサＣ２３の静電容量より小さい。

第４のコンデンサＣ２４を構成する第４の信号電極層２４と第２のグランド電極層４２の領域４２Ｂとが互いに対向する面積は、第１のコンデンサＣ２１を構成する第１の信号電極層２１と第１のグランド電極層４１の領域４１Ａとが互いに対向する面積と同程度である。このため、第４のコンデンサＣ２４の静電容量は、第１のコンデンサＣ２１の静電容量と同程度である。

以上のように第１のグランド電極層４１と第２のグランド電極層４２が構成された結果、第１実施形態に係る積層コンデンサＣ１が有するグランド電極層３１が、第１のグランド電極層４１と第２のグランド電極層４２とに分割された状態となる。

このように構成された積層コンデンサＣ２では、第１の信号端子１１と第２の信号端子１２とは、互いに絶縁され、この第１及び第２の信号端子１１，１２は、第１及び第２のグランド端子１３，１４と絶縁されている。この積層コンデンサＣ２は、上記実施形態と同様に、第１及び第２のグランド端子１３，１４が、グランドラインＧＬにそれぞれ接続されることにより、第１及び第２のグランド端子１３，１４は、電気的に接続される。

図６に示されるように、積層コンデンサＣ２では、第１の信号端子１１と第１及び第２のグランド端子１３，１４との間に、互いに静電容量の異なる第１のコンデンサＣ２１と第２のコンデンサＣ２２とが並列接続されている。第２の信号端子１２と第１及び第２のグランド端子１３，１４との間に、互いに静電容量の異なる第３のコンデンサＣ２３と第４のコンデンサＣ２４とが並列接続されている。そして、第１の信号端子１１と第２の信号端子１２との間に、第１及び第２のコンデンサＣ２１，Ｃ２２と第３及び第４のコンデンサＣ２３，Ｃ２４とが直列接続されている。

以上のように、本実施形態によれば、第１の信号端子１１と第１及び第２のグランド端子１３，１４との間に、互いに静電容量の異なる第１のコンデンサＣ２１と第２のコンデンサＣ２２とが並列接続されている。また、第２の信号端子１２と第１及び第２のグランド端子１３，１４との間に、互いに静電容量の異なる第３のコンデンサＣ２３と第４のコンデンサＣ２４とが並列接続されている。このため、低インピーダンスの帯域幅を広くすることができる。

本実施形態によれば、第１のグランド電極層４１と第１及び第３の信号電極２１，２３とによって第１及び第３のコンデンサＣ２１，Ｃ２３が形成され、第２のグランド電極層４２と第２及び第４の信号電極層２２，２４とによって第２及び第４のコンデンサＣ２２，Ｃ２４が形成される。そして、第１のグランド電極層４１は、第２及び第４の信号電極層２２，２４と対向する領域を有さず、第２のグランド電極層４２は第１及び第３の信号電極層２１，２３と対向する領域を有さない。このため、第１及び第３のコンデンサＣ２１，２３と第２及び第４のコンデンサＣ２２，２４との間に発生するクロストークを抑制できる。

本実施形態によれば、第１及び第２のグランド電極層４１，４２は、同一層に配置されている。これにより、形成される第１〜第４のコンデンサＣ１１〜Ｃ１４において所望の静電容量を得るための信号電極層及び誘電体層の積層総数が少なくなるため、積層コンデンサＣ２（コンデンサ素体１）の低背化を図ることができる。

また、第１及び第２のグランド電極層４１，４２が離間して配置されることにより、第１のグランド電極層４１と第２のグランド電極層４２との間から誘電体層９の表面が露出する。この第１のグランド電極層４１と第２のグランド電極層４２との間から露出した誘電体層９の表面は、第１及び第２のグランド電極層４１，４２と第１〜第４の信号電極層２１〜２４との間に挟まれた誘電体層９と密着する。このため、第１及び第２のグランド電極層４１，４２を挟む２層の誘電体層９の密着強度を向上させることができる。

本実施形態によれば、第１及び第３の信号電極層２１，２３をそれぞれ第１のグランド電極層４１と誘電体層９を介して対向するように配置して第１及び第３のコンデンサＣ２１，Ｃ２３を形成している。このため、第１のグランド電極層４１を第１のコンデンサＣ２１と第３のコンデンサＣ２３とで共有することができる。また、第２及び第４の信号電極層２２，２４をそれぞれ第２のグランド電極層４２と誘電体層９を介して対向するように配置して第２及び第４のコンデンサＣ２２，Ｃ２４を形成している。このため、第２のグランド電極層４２を第２のコンデンサＣ２２と第４のコンデンサＣ２４とで共有することができる。よって、積層コンデンサＣ２の小型化を実現できる。

更に、第１のグランド電極層４１は、第１のコンデンサＣ２１と第２のグランド端子１４とを接続する機能、第３のコンデンサＣ２３と第２のグランド端子１４とを接続する機能を兼ねている。第２のグランド電極層４２は、第２のコンデンサＣ２３と第１のグランド端子１３とを接続する機能、第４のコンデンサＣ４４と第１のグランド端子１３とを接続する機能を兼ねている。このため、積層コンデンサＣ２の小型化を実現できる。

（第３実施形態）
図７〜図９を参照して、第３実施形態に係る積層コンデンサＣ３の構成について説明する。図７は、本実施形態に係る積層コンデンサに含まれるコンデンサ素体の分解斜視図である。図８は、本実施形態に係る積層コンデンサの断面構造を示す図である。図９は、本実施形態に係る積層コンデンサの等価回路図である。

図７，図８に示されるように、本実施形態に係る積層コンデンサＣ３は、上記第１実施形態の積層コンデンサＣ１と同様な第１〜第４の信号電極層２１〜２４を備える。本実施形態に係る積層コンデンサＣ３は、上記のグランド電極層３１に変えて、第１のグランド電極層（一方の電極部分）５１、第２のグランド電極層５２，第３のグランド電極層（他方の電極部分）５３，第４のグランド電極層５４を備える。

なお、図８は、コンデンサ素体１の第１及び第２の長側面６，７と平行な断面構造を示している。図８（ａ）は、第１及び第３の信号電極層２１，２３を含む断面構造を示し、図８（ｂ）は、第２及び第４の信号電極層２２，２４を含む断面構造を示している。

第１〜第４のグランド電極層５１〜５４は、第１〜第４の信号電極層２１〜２４が配置された層と誘電体層９を介して積層方向に隣り合う層に、互いに離間して配置されている。第１〜第４のグランド電極層５１〜５４は、略同形状且つ同程度の面積に形成され、第１及び第２の短側面４，５の対向方向と第１及び第２の長側面６，７の対向方向とに沿って２つずつ配列している。第１〜第４のグランド電極層５１〜５４は、略矩形形状に形成され、この略矩形状を構成する４辺がそれぞれ第１，第２の短側面４，５，第１，第２の長側面６，７と平行且つ離間するように配置されている。

第１のグランド電極層５１は、第１の短側面４側且つ第２の長側面７側に配置されている。第１のグランド電極層５１は、第２の長側面７側の第２の短側面５側の部分から第２の長側面７へ引き出され、その端部が第２の長側面７に露出した引き出し部５５を有している。この第２の長側面７に露出した引き出し部５５の端部を覆うように第２のグランド端子１４が形成されているので、第１のグランド電極層５１と第２のグランド端子１４とが、物理的且つ電気的に接続されている。

第１のグランド電極層５１は、第１の信号電極層２１と積層方向から見て重なる領域５１Ａを有している。この領域５１Ａは、第１の信号電極層２１と誘電体層９を挟んで積層方向に互いに対向している。これにより、第１のグランド電極層５１の領域５１Ａと第１の信号電極層２１とは、第１のコンデンサＣ３１を構成する。

第１のグランド電極層５１は、第３の信号電極層２３と積層方向から見て重なる領域５１Ｂを有している。この領域５１Ｂは、第３の信号電極層２３の第１の短側面４側の領域２３Ｂと誘電体層９を挟んで積層方向に互いに対向している。これにより、第１のグランド電極層５１の領域５１Ｂと第３の信号電極層２３の領域２３Ｂとは、第５のコンデンサＣ３５を構成する。なお、第１のグランド電極層５１は、第２の信号電極層２２と第４の信号電極層２４と互いに対向する領域を有していない。

第２のグランド電極層５２は、第１の短側面４側且つ第１の長側面６側に配置されている。第２のグランド電極層５２は、第１の長側面６側の第２の短側面５側の部分から第１の長側面６へ引き出されて、端部が第１の長側面６に露出した引き出し部５６を有している。この第１の長側面６に露出した引き出し部５６の端部を覆うように第１のグランド端子１３が形成されているので、第２のグランド電極層５２と第１のグランド端子１３とが、物理的且つ電気的に接続されている。

第２のグランド電極層５２は、第２の信号電極層２２と積層方向から見て重なる領域５２Ａを有している。この領域５２Ａは、第２の信号電極層２２の第１の短側面４側の領域２２Ａと誘電体層９を挟んで積層方向に互いに対向している。これにより、第２のグランド電極層５２の領域５２Ａと第２の信号電極層２２の領域２２Ａとは、第２のコンデンサＣ３２を構成する。なお、第２のグランド電極層５２は、第１，第３，第４の信号電極層２１，２３，２４と互いに対向する領域を有していない。

第３のグランド電極層５３は、第２の短側面５側且つ第２の長側面７側に配置されている。第３のグランド電極層５３は、第２の長側面７側の第１の短側面４側の部分から第２の長側面７へ引き出されて、端部が第２の長側面７に露出した引き出し部５７を有している。この第２の長側面７に露出した引き出し部５７の端部を覆うように第２のグランド端子１４が形成されているので、第３のグランド電極層５３と第２のグランド端子１４とが、物理的且つ電気的に接続されている。

第３のグランド電極層５３は、第３の信号電極層２３と積層方向から見て重なる領域５３Ａを有している。この領域５３Ａは、第３の信号電極層２３の第２の短側面５側の領域２３Ａと誘電体層９を挟んで積層方向に互いに対向している。これにより、第３のグランド電極層５３の領域５３Ａと第３の信号電極層２３の領域２３Ａとは、第３のコンデンサＣ３３を構成する。なお、第３のグランド電極層５３は、第１，第２，第４の信号電極層２１，２２，２４と互いに対向する領域を有していない。

第４のグランド電極層５４は、第２の短側面５側且つ第１の長側面６側に配置されている。第４のグランド電極層５４は、第１の長側面６側の第１の短側面４側の部分から第１の長側面６へ引き出されて、端部が第１の長側面６に露出した引き出し部５８を有している。この第１の長側面６に露出した引き出し部５８の端部を覆うように第１のグランド端子１３が形成されているので、第４のグランド電極層５４と第１のグランド端子１３とが、物理的且つ電気的に接続されている。

第４のグランド電極層５４は、第４の信号電極層２４と積層方向から見て重なる領域５４Ａを有している。この領域５４Ａは、第４の信号電極層２４と誘電体層９を挟んで積層方向に互いに対向している。これにより、第４のグランド電極層５４の領域５４Ａと第１の信号電極層２４とは、第４のコンデンサＣ３４を構成する。

第４のグランド電極層５４は、第２の信号電極層２２と積層方向から見て重なる領域５４Ｂを有している。この領域５４Ｂは、第２の信号電極層２２の第２の短側面５側の領域２２Ｂと誘電体層９を挟んで積層方向に互いに対向している。これにより、第４のグランド電極層５４の領域５４Ｂと第２の信号電極層２２の領域２２Ｂとは、第６のコンデンサＣ３６を構成する。なお、第４のグランド電極層５４は、第１の信号電極層２１と第３の信号電極層２３と互いに対向する領域を有していない。

以上のように第１〜第４のグランド電極層５１〜５４が構成されることにより、第２実施形態に係る積層コンデンサＣ２が有する第１のグランド電極層４１と第２のグランド電極層４２がそれぞれ、第１のグランド電極層５１と第２のグランド電極層５２とに分割され、第３のグランド電極層５３と第４のグランド電極層５４とに分割された状態となる。

このように構成された本実施形態に係る積層コンデンサＣ３では、第１の信号端子１１と第２の信号端子１２とは、互いに絶縁され、この第１及び第２の信号端子１１，１２は、第１及び第２のグランド端子１３，１４と絶縁されている。この積層コンデンサＣ３は、上記実施形態と同様に、第１及び第２のグランド端子１３，１４が、グランドラインＧＬにそれぞれ接続されることにより、第１及び第２のグランド端子１３，１４は、電気的に接続される。

図９に示されるように、本実施形態の積層コンデンサＣ３では、第１の信号端子１１と第１及び第２のグランド端子１３，１４との間に、第１のコンデンサＣ３１と第２のコンデンサＣ３２と第５のコンデンサＣ３５が並列接続されている。第２の信号端子１２と第１及び第２のグランド端子１３，１４との間に、第３のコンデンサＣ３３と第４のコンデンサＣ３４と第６のコンデンサＣ３６とが並列接続されている。そして、第１の信号端子１１と第２の信号端子１２との間に、第１，第２，第５のコンデンサＣ３１，Ｃ３２，Ｃ３５と、第３，第４，第６のコンデンサＣ３３，Ｃ３４，Ｃ３６とが直列接続されている。

以上のように、本実施形態によれば、第１の信号端子１１と第１及び第２のグランド端子１３，１４との間に、互いに静電容量の異なる第１のコンデンサＣ３１と第２のコンデンサＣ３２と第５のコンデンサＣ３５が並列接続されている。また、第２の信号端子１２と第１及び第２のグランド端子１３，１４との間に、互いに静電容量の異なる第１のコンデンサＣ３１と第２のコンデンサＣ３２と第５のコンデンサＣ３５が並列接続されている。このため、低インピーダンスの帯域幅を広くすることができる。

本実施形態によれば、第１及び第３のグランド電極層５１，５３は、第２及び第４の信号電極層２２，２４と積層方向に対向する領域を有してない。第２及び第４のグランド電極層５２，５４は、第１及び第３の信号電極層２１，２３と積層方向に対向する領域を有していない。このため、第１及び第３の信号電極層２１，２３，第１及び第３のグランド電極層５１，５３によって形成される第１，第３，第５のコンデンサＣ３１，３３，３５と、第２及び第４の信号電極層２２，２４，第２及び第４のグランド電極層５２，５４によって形成される第２，第４，第６のコンデンサＣ３２，３４，３６との間で発生するクロストークを抑制できる。

また、第１〜第４のグランド電極層５１〜５４が同一層に離間して配置されることにより、第１〜第４のグランド電極層５１〜５４の各グランド電極層の間から誘電体層９の表面が露出する。この露出した誘電体層９の表面は、第１〜第４のグランド電極層５１〜５４と第１〜第４の信号電極層２１〜２４との間に挟まれた誘電体層９と密着する。このため、第１〜第４のグランド電極層５１〜５４を挟む２層の誘電体層９の密着強度を向上させることができる。

（第４実施形態）
図１０〜図１２を参照して、第４実施形態に係る積層コンデンサＣ４の構成について説明する。図１０は、本実施形態に係る積層コンデンサに含まれるコンデンサ素体の分解斜視図である。図１１は、本実施形態に係る積層コンデンサの断面構造を示す図である。図１２は、本実施形態に係る積層コンデンサの等価回路図である。

図１０，図１１に示されるように、本実施形態に係る積層コンデンサＣ４は、上記第１〜第４の信号電極層２１〜２４に変えて、第１〜第４の信号電極層６１〜６４を備える。積層コンデンサＣ４は、第１〜第４のグランド電極層７１〜７４を備える。この第１〜第４のグランド電極層７１〜７４は、上記の第１〜第４のグランド電極層５１〜５４とそれぞれ同形状で同位置に配置されている。

なお、図１１は、コンデンサ素体１の第１及び第２の長側面６，７と平行な断面構造を示している。図１１（ａ）は、第１及び第３の信号電極層６１，６３を含む断面構造を示し、図１１（ｂ）は、第２及び第４の信号電極層６２，６４を含む断面構造を示している。

第１〜第４の信号電極層６１〜６４は、それぞれ矩形形状を呈して、同一層に互いに離間して配置されている。

第１の信号電極層６１は、第１の短側面４側且つ第２の長側面７側に配置されている。第１の信号電極層６１の第２の長側面７側の一辺が、第２の長側面７と平行になり且つ第２の長側面７と離間するように、第１の信号電極層６１が配置されている。第１の信号電極層６１の第１の短側面４側の一辺は、第１の短側面４に露出している。このため、第１の信号電極層６１は、第１の短側面４を覆う第１の信号端子１１と物理的且つ電気的に接続されている。

第２の信号電極層６２は、第１の短側面４側且つ第１の長側面６側に配置されている。第２の信号電極層６２の第１の長側面６側の一辺が、第１の長側面６と平行になり且つ第１の長側面６と離間するように、第２の信号電極層６２が配置されている。第２の信号電極層６２の第１の短側面４側の一辺は、第１の短側面４に露出している。このため、第２の信号電極層６２は、第１の短側面４を覆う第１の信号端子１１と物理的且つ電気的に接続されている。

第３の信号電極層６３は、第２の短側面５側且つ第２の長側面７側に配置されている。第３の信号電極層６３の第２の長側面７側の一辺が、第２の長側面７と平行になり且つ第２の長側面７と離間するように、第３の信号電極層６３が配置されている。第３の信号電極層６３の第２の短側面５側の一辺は、第２の短側面５に露出している。このため、第３の信号電極層６３は、第２の短側面５を覆う第２の信号端子１２と物理的且つ電気的に接続されている。

第４の信号電極層６４は、第２の短側面５側且つ第１の長側面６側に配置されている。第４の信号電極層６４の第１の長側面６側の一辺が、第１の長側面６と平行になり且つ第１の長側面６と離間するように、第４の信号電極層６４が配置されている。第４の信号電極層６４の第２の短側面５側の一辺は、第２の短側面５に露出している。このため、第４の信号電極層６４は、第２の短側面５を覆う第２の信号端子１２と物理的且つ電気的に接続されている。

第１の信号電極層６１の面積は、第２の信号電極層６２の面積より小さい。第２の信号電極層６２の面積は、第４の信号電極層６４の面積より大きい。第２の信号電極層６２の面積は、第３の信号電極層６３の面積と同程度であり、第４の信号電極層６４の面積は、第１の信号電極層６１の面積と同程度である。

第１〜第４のグランド電極層７１〜７４は、第１〜第４の信号電極層６１〜６４が配置された層と誘電体層９を介して積層方向に隣り合う層に、互いに離間して配置されている。第１〜第４のグランド電極層７１〜７４は、略同形状且つ同程度の面積に形成され、第１及び第２の短側面４，５の対向方向と第１及び第２の長側面６，７の対向方向とに沿って２つずつ配列している。第１〜第４のグランド電極層７１〜７４は、略矩形形状に形成され、この略矩形状を構成する４辺がそれぞれ第１，第２の短側面４，５，第１，第２の長側面６，７と平行且つ離間するように配置されている。

第１のグランド電極層７１は、第１の短側面４側且つ第２の長側面７側に配置されている。第１のグランド電極層７１は、第２の長側面７側の第２の短側面５側の部分から第２の長側面７へ引き出され、その端部が第２の長側面７に露出した引き出し部７５を有している。この第２の長側面７に露出した引き出し部７５の端部を覆うように第２のグランド端子１４が形成されているので、第１のグランド電極層７１と第２のグランド端子１４とが、物理的且つ電気的に接続されている。

第１のグランド電極層７１は、第１の信号電極層６１と積層方向から見て重なる領域７１Ａを有している。すなわち、領域７１Ａは、第１の信号電極層６１と誘電体層９を挟んで積層方向に互いに対向している。これにより、第１のグランド電極層７１の領域７１Ａと第１の信号電極層６１とは、第１のコンデンサＣ４１を構成する。なお、第１のグランド電極層７１は、第２〜第４の信号電極層６２〜６４と互いに対向する領域を有していない。

第２のグランド電極層７２は、第１の短側面４側且つ第１の長側面６側に配置されている。第２のグランド電極層７２は、第１の長側面６側の第２の短側面５側の部分から第１の長側面６へ引き出されて、端部が第１の長側面６に露出した引き出し部７６を有している。この第１の長側面６に露出した引き出し部７６の端部を覆うように第１のグランド端子１３が形成されているので、第２のグランド電極層７２と第１のグランド端子１３とが、物理的且つ電気的に接続されている。

第２のグランド電極層７２は、第２の信号電極層６２と積層方向から見て重なる領域７２Ａを有している。すなわち、この領域７２Ａは、第２の信号電極層６２と誘電体層９を挟んで積層方向に互いに対向している。これにより、第２のグランド電極層７２の領域７２Ａと第２の信号電極層６２とは、第２のコンデンサＣ４２を構成する。なお、第２のグランド電極層７２は、第１，第３，第４の信号電極層６１，６３，６４と対向する領域を有していない。

第３のグランド電極層７３は、第２の短側面５側且つ第２の長側面７側に配置されている。第３のグランド電極層７３は、第２の長側面７側の第１の短側面４側の部分から第２の長側面７へ引き出されて、端部が第２の長側面７に露出した引き出し部７７を有している。この第２の長側面７に露出した引き出し部７７の端部を覆うように第２のグランド端子１４が形成されているので、第３のグランド電極層７３と第２のグランド端子１４とが、物理的且つ電気的に接続されている。

第３のグランド電極層７３は、第３の信号電極層６３と積層方向から見て重なる領域７３Ａを有している。すなわち、この領域７３Ａは、第３の信号電極層６３と誘電体層９を挟んで積層方向に互いに対向している。これにより、第３のグランド電極層７３の領域７３Ａと第３の信号電極層６３とは、第３のコンデンサＣ４３を構成する。なお、第３のグランド電極層７３は、第１，第２，第４の信号電極層６１，６２，６４と互いに対向する領域を有していない。

第４のグランド電極層７４は、第２の短側面５側且つ第１の長側面６側に配置されている。第４のグランド電極層７４は、第１の長側面６側の第１の短側面４側の部分から第１の長側面６へ引き出されて、端部が第１の長側面６に露出した引き出し部７８を有している。この第１の長側面６に露出した引き出し部７８の端部を覆うように第１のグランド端子１３が形成されているので、第４のグランド電極層７４と第１のグランド端子１３とが、物理的且つ電気的に接続されている。

第４のグランド電極層７４は、第４の信号電極層６４と積層方向から見て重なる領域７４Ａを有している。すなわち、この領域７４Ａは、第４の信号電極層６４と誘電体層９を挟んで積層方向に互いに対向している。これにより、第４のグランド電極層７４の領域７４Ａと第１の信号電極層６４とは、第４のコンデンサＣ４４を構成する。なお、第４のグランド電極層７４は、第１〜第３の信号電極層６１〜６３と互いに対向する領域を有していない。

以上形成された第１のコンデンサＣ４１と第２のコンデンサＣ４２とは、それぞれを構成する電極層の互いに対向する面積が異なる。第１のコンデンサＣ４１の静電容量は、第第２のコンデンサＣ４２の静電容量より小さい。第３のコンデンサＣ４３と第４のコンデンサＣ４４とは、それぞれを構成する電極層の互いに対向する面積が異なる。第３のコンデンサＣ４３の静電容量は、第４のコンデンサＣ４４の静電容量より大きい。なお、第１のコンデンサＣ４１と第４のコンデンサＣ４４との静電容量は同程度であり、第２のコンデンサＣ４２と第３のコンデンサＣ４３との静電容量は同程度である。

このように構成された本実施形態に係る積層コンデンサＣ４では、第１の信号端子１１と第２の信号端子１２とは、互いに絶縁され、この第１及び第２の信号端子１１，１２は、第１及び第２のグランド端子１３，１４と絶縁されている。この積層コンデンサＣ４は、上記実施形態と同様に、第１及び第２のグランド端子１３，１４が、グランドラインＧＬにそれぞれ接続されることにより、第１及び第２のグランド端子１３，１４は、電気的に接続される。

図１２に示されるように、本実施形態の積層コンデンサＣ４では、第１の信号端子１１と第１及び第２のグランド端子１３，１４との間に、互いに静電容量の異なる第１のコンデンサＣ４１と第２のコンデンサＣ４２とが並列接続されている。第２の信号端子１２と第１及び第２のグランド端子１３，１４との間に、互いに静電容量の異なる第３のコンデンサＣ４３と第４のコンデンサＣ４４とが並列接続されている。そして、第１の信号端子１１と第２の信号端子１２との間に、第１及び第２のコンデンサＣ４１，Ｃ４２と、第３及び第４のコンデンサＣ４３，Ｃ４４とが直列接続されている。

以上のように、本実施形態によれば、第１の信号端子１１と第１及び第２のグランド端子１３，１４との間に、互いに静電容量の異なる第１のコンデンサＣ４１と第２のコンデンサＣ４２とが並列接続されている。また、第２の信号端子１２と第１及び第２のグランド端子１３，１４との間に、互いに静電容量の異なる第１のコンデンサＣ４１と第２のコンデンサＣ４２とが並列接続されている。このため、低インピーダンスの帯域幅を広くすることができる。

本実施形態によれば、第１のグランド電極層７１は、第２〜第４の信号電極層６２〜６４と積層方向に対向する領域を有していない。第２のグランド電極層７２は、第１，第３，第４の信号電極層６１，６３，６４と積層方向に対向する領域を有していない。第３のグランド電極層７３は、第１，第２，第４の信号電極層６１，６２，６４と積層方向に対向する領域を有していない。第４のグランド電極層７４は、第１〜第３の信号電極層６１〜６３と積層方向に対向する領域を有していない。このため、第１〜第４のコンデンサＣ４１〜Ｃ４４との互いの間で発生するクロストークを抑制することができる。

以上、本発明の好適な実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。

例えば、第１実施形態において、第２のグランド端子１４を有することとしたが、なくてもよい。第１〜第４の実施形態において、第４の信号電極層２４，６４を有することとしたが、なくてもよい。第１〜第４の実施形態において、第１〜第４の信号電極層２１〜２４，６１〜６４は、それぞれ同一層に配置されることとしたが、異なる層に配置されていてもよい。第２〜第４の実施形態において、第１及び第２のグランド電極層４１，４２、第１〜第４のグランド電極層５１〜５４，７１〜７４は、それぞれ同一層に配置されることとしたが、異なる層に配置されていてもよい。

第１実施形態に係る積層コンデンサの斜視図である。 第１実施形態に係る積層コンデンサに含まれるコンデンサ素体の分解斜視図である。 第１実施形態に係る積層コンデンサの断面構成を示す図である。 第１実施形態に係る積層コンデンサの等価回路図である。 第２実施形態に係る積層コンデンサに含まれるコンデンサ素体の分解斜視図である。 第２実施形態に係る積層コンデンサの等価回路図である。 第３実施形態に係る積層コンデンサに含まれるコンデンサ素体の分解斜視図である。 第３実施形態に係る積層コンデンサの断面構成を示す図である。 第３実施形態に係る積層コンデンサの等価回路図である。 第４実施形態に係る積層コンデンサに含まれるコンデンサ素体の分解斜視図である。 第４実施形態に係る積層コンデンサの断面構成を示す図である。 第４実施形態に係る積層コンデンサの等価回路図である。

符号の説明

Ｃ１〜Ｃ４…積層コンデンサ、Ｃ１１〜Ｃ１４，Ｃ２１〜Ｃ２４，Ｃ３１〜Ｃ３４，Ｃ４１〜Ｃ４２…第１〜第４のコンデンサ、１…コンデンサ素体、４，５…第１，第２の短側面、６，７…第１，第２の長側面、９…誘電体層、１１，１２…第１，第２の信号端子、１３，１４…第１，第２のグランド端子、２１〜２４，６１〜６４…第１〜第４の信号電極層、３１…グランド電極層、４１，４２…第１，第２のグランド電極層、５１〜５４，７１〜７４…第１〜第４のグランド電極層。

Claims (6)

1. 複数の誘電体層が積層されたコンデンサ素体と、
   前記コンデンサ素体の外表面に配置された、第１の信号端子と第２の信号端子とグランド端子と、
   前記コンデンサ素体内に配置された、グランド電極層と第１〜第３の信号電極層と、
   を備え、
   前記グランド電極層は、前記グランド端子に接続され、
   前記第１の信号電極層は、前記第１の信号端子に接続されると共に、前記グランド電極層と対向して第１のコンデンサを構成し、
   前記第２の信号電極層は、前記第１の信号端子に接続されると共に、前記グランド電極層と対向して第２のコンデンサを構成し、
   前記第３の信号電極層は、前記第２の信号端子に接続されると共に、前記グランド電極層と対向して第３のコンデンサを構成し、
   前記第１のコンデンサの静電容量と前記第２のコンデンサの静電容量とは、互いに異なり、
   前記グランド端子は、互いに離間して配置された第１のグランド端子と第２のグランド端子とを含み、
   前記グランド電極層は、互いに離間して配置された第１のグランド電極層と第２のグランド電極層とに分割され、
   前記第１のグランド電極層は、前記第１のグランド端子と接続され、前記第１の信号電極層と対向する領域を有し且つ前記第２の信号電極層と対向する領域を有さず、
   前記第２のグランド電極層は、前記第２のグランド端子と接続され、前記第２の信号電極層と対向する領域を有し且つ前記第１の信号電極層と対向する領域を有さないことを特徴とする積層コンデンサ。
2. 前記コンデンサ素体内に配置された第４の信号電極層を備え、
   前記第４の信号電極層は、前記第２の信号端子に接続されると共に、前記グランド電極層と対向して第４のコンデンサを構成し、
   前記第３のコンデンサの静電容量と前記第４のコンデンサの静電容量とは、互いに異なることを特徴とする請求項１に記載の積層コンデンサ。
3. 前記第１〜第４の信号電極層は、同一層に配置され、
   前記第１の信号電極層の面積と前記第２の信号電極層の面積とは、互いに異なり、
   前記第３の信号電極層の面積と前記第４の信号電極層の面積とは、互いに異なることを特徴とする請求項２に記載の積層コンデンサ。
4. 前記第１のグランド電極層は、分割され、当該分割された一方の電極部分と他方の電極部分とは、互いに離間して配置され、
   前記第１のグランド電極層の分割された一方の電極部分は、前記第１のグランド端子と接続されると共に前記第１の信号電極層と対向する領域を有し、前記第１のグランド電極層の分割された他方の電極部分は、前記第１のグランド端子と接続されると共に前記第３の信号電極層と対向する領域を有することを特徴とする請求項１に記載の積層コンデンサ。
5. 前記第１のグランド電極層の分割された一方の電極部分は、前記第３の信号電極層と対向する領域を有さず、
   前記第１のグランド電極層の分割された他方の電極部分は、前記第１の信号電極層と対向する領域を有さないことを特徴とする請求項４に記載の積層コンデンサ。
6. 前記コンデンサ素体は、略直方体形状に形成され、互いに対向する第１の短側面と第２の短側面と、互いに対向する第１の長側面と第２の長側面と、を有し、
   前記第１の信号端子は、前記第１の短側面に配置され、
   前記第２の信号端子は、前記第２の短側面に配置され、
   前記第１のグランド端子は、前記第１の長側面に配置され、
   前記第２のグランド端子は、前記第２の長側面に配置されていることを特徴とする請求項１、４、及び５のいずれか一項に記載の積層コンデンサ。
   
   
   

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