JP4585205B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
15、35…ゲート酸化膜(ゲート絶縁膜)
16、36…ポリシリコン膜
18、38、56…タングステン膜(金属膜)
19、39…アモルファス層(反応防止層)
20…シリコン窒化膜(保護膜)
21…選択的に形成された酸化膜
23…シリコン窒化膜(保護膜)
40、47、57、61…タングステン酸化膜(金属酸化膜)
41、45、58、62…シリコン窒化膜(第1の保護膜)
42、46、59、63…シリコン窒化膜(第2の保護膜)
Claims (6)
- 半導体基板の主表面側に配線構成用のタングステン膜を形成する工程と、
550℃を越えない温度でCVD炉内に前記半導体基板を導入することにより、前記タングステン膜の表面上にタングステン酸化膜を形成する工程と、
前記CVD炉内において、750℃よりも低い温度にて第1のシリコン窒化膜を前記タングステン酸化膜の表面に形成する工程と、
前記第1のシリコン窒化膜の表面に750℃よりも高い温度で第2のシリコン窒化膜を形成する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記タングステン膜はゲート配線構成用又はゲート配線以外の配線構成用の膜の少なくとも一部を構成する膜であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上に少なくともタングステン膜を有するゲート配線構成用の配線膜を形成する工程と、
550℃を越えない温度でCVD炉内に前記半導体基板を導入することにより、前記タングステン膜の表面上にタングステン酸化膜を形成する工程と、
前記CVD炉内において、750℃よりも低い温度にて第1のシリコン窒化膜を前記タングステン酸化膜の表面に形成する工程と、
前記第1のシリコン窒化膜の表面に750℃よりも高い温度で第2のシリコン窒化膜を形成する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上に少なくともタングステン膜を有するゲート配線構成用の配線膜を形成する工程と、
前記配線膜をパターニングしてゲート配線を形成する工程と、
550℃を越えない温度でCVD炉内に前記半導体基板を導入することにより、前記パターニングされたタングステン膜の表面上にタングステン酸化膜を形成する工程と、
前記CVD炉内において、750℃よりも低い温度にて第1のシリコン窒化膜を前記タングステン酸化膜の表面に形成する工程と、
前記第1のシリコン窒化膜の表面に750℃よりも高い温度で第2のシリコン窒化膜を形成する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板の主面側に少なくともタングステン膜を有するゲート配線以外の配線構成用の配線膜を形成する工程と、
550℃を越えない温度でCVD炉内に前記半導体基板を導入することにより、前記タングステン膜の表面上にタングステン酸化膜を形成する工程と、
前記CVD炉内において、750℃よりも低い温度にて第1のシリコン窒化膜を前記タングステン酸化膜の表面に形成する工程と、
前記第1のシリコン窒化膜の表面に750℃よりも高い温度で第2のシリコン窒化膜を形成する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板の主面側に少なくともタングステン膜を有するゲート配線以外の配線構成用の配線膜を形成する工程と、
前記配線膜をパターニングしてゲート配線以外の配線を形成する工程と、
550℃を越えない温度でCVD炉内に前記半導体基板を導入することにより、前記パターニングされたタングステン膜の表面上にタングステン酸化膜を形成する工程と、
前記CVD炉内において、750℃よりも低い温度にて第1のシリコン窒化膜を前記タングステン酸化膜の表面に形成する工程と、
前記第1のシリコン窒化膜の表面に750℃よりも高い温度で第2のシリコン窒化膜を形成する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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