JP4524759B2 - 混合された非同期メモリ動作および同期メモリ動作のための検出回路 - Google Patents
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Description
擬似静的メモリと呼ばれるメモリ装置のクラスは、典型的には、静的ランダム・アクセス・メモリ(SRAM)装置と機能的に等価なメモリ装置であるが、従来の動的ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)セルに基づくメモリ・コアを持っている。一般的に、これらのメモリ装置は、従来のSRAMを動作させるのと同じ方法で動作可能である。当業界では公知のように、両タイプのメモリ・セル間の主たる相違点は、DRAMメモリ・セルには、記憶データを維持するのに定期的なリフレッシュが必要なのに対して、SRAMメモリ・セルにはその必要がない点である。したがって、擬似静的メモリ装置は、DRAMメモリ・コアの必要なリフレッシュ動作を行わせる内部リフレッシュ回路を含む。しかしながら、リフレッシュ動作は、ユーザにとって透過的であるため、装置がリフレッシュ動作を必要としないかに見える。
本発明は、メモリ・アドレス信号、制御信号およびクロック信号を受信するメモリ装置用のメモリ・アクセス・モードを検出し、開始するメモリ・アクセス・モード検出回路への道を示すものである。メモリ・アクセス・モード検出回路は、メモリ・アドレス信号、制御信号およびクロック信号を受信するモード検出回路を含む。このモード検出回路は、メモリ・アドレス信号または制御信号の第一コンビネーションの受信に応答して第一モード検出信号を生成する。これは、非同期アクセス・リクエストを指示することができる。メモリ・アクセス・モード検出回路中にさらに含まれる遅延回路は、モード検出回路に接続され、第一モード検出信号の受信後、ある時間遅延を以って遅れた第一モード検出信号を生成し、第一モード・アクセス動作を開始する。このモード検出回路は、さらに第二モード検出信号を生成し、制御信号の第二コンビネーションおよびアクティブ・クロック信号の受信に応答して第二モード・メモリ・アクセス動作を開始する。これによって、同期アクセス・リクエストが指示されうる。第二モード検出信号を受信するのに応えて、遅延回路は、その時間遅延をリセットし、遅れた第一モード検出信号を生成しない。これによって、非同期アクセスを取り消し、その代わり同期アクセスを開始する。
次に示す本発明の典型的な実施形態の詳細な説明においては、添付図面を参照する。図面は本明細書の一部を形成し、図中、本発明が実施されうる具体的・典型的な実施形態が図示によって示される。他の例においては、公知の回路、制御信号、およびタイミング・プロトコルは、本発明を不必要に混乱させることを避けるために、詳細には示していない。これらの実施形態は、十分詳しく説明されているので、当業者であれば本発明を実施することができる。他の実施形態は、本発明の精神または範囲から逸脱することなく、利用されうるし、修正されうる。次の詳細な説明は、したがって、限定的な意味で解釈されるべきものではなく、本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲によってのみ規定されるべきものである。
Claims (50)
- メモリ・アドレス信号および制御信号を受信するメモリ装置中のメモリ・アクセス動作を開始するためのモード検出回路であって、前記モード検出回路が、
メモリ・アドレス信号および制御信号を受信可能な第一モード検出回路であって、第一コンビネーションの制御信号およびメモリ・アドレス信号の受信に応じて、第一モード検出信号を生成可能な第一モード検出回路、
前記制御信号およびクロック信号を受信するために接続された第二モード検出回路であって、第二コンビネーションの制御信号およびアクティブ・クロック信号の受信に応じて、第二モード検出信号を生成可能な第二モード検出回路、
前記第一モード検出回路および前記第二モード検出回路に接続され、第一モード活性化信号を出力可能な遅延回路であって、前記遅延回路が最後に受信した前記第一モード検出信号の受信のあと時間遅延を以って前記第一モード活性化信号を生成可能であり、さらに前記第二モード検出信号の受信に応じて前記第一モード活性化信号の生成を抑制する遅延回路、および
前記遅延回路および前記第二モード検出回路にそれぞれ接続された出力回路であって、前記第一モード活性化信号または前記第二モード検出信号の受信に応じてメモリ・アクセス動作を開始する活性化信号を出力端子に提供可能な出力回路、を含むモード検出回路。 - 請求項1のモード検出回路であって、前記第一モード検出信号、前記第二モード検出信号、前記第一モード活性化信号、および前記活性化信号が、第一モード検出パルス、第二モード検出パルス、第一モード活性化パルスおよび活性化パルスを含むモード検出回路。
- 請求項1のモード検出回路であって、前記出力回路が二入力ORゲートを含むモード検出回路。
- 請求項1のモード検出回路であって、前記第一モード検出回路が、非同期メモリ・アクセス動作を指示する第一コンビネーションの制御信号の受信に応じて第一モード検出信号を生成するモード検出回路。
- 請求項1のモード検出回路であって、前記第二モード検出回路が、同期メモリ・アクセス動作を指示する第二コンビネーションの制御信号の受信に応じて第二モード検出信号を生成するモード検出回路。
- 請求項1のモード検出回路であって、前記遅延回路が、
前記第一モード検出信号を受信するように前記第一モード検出回路に接続された第一遅延ステージ、および前記第一モード活性化信号が提供される出力を有する最終遅延ステージを有する遅延ステージのチェーンであって、各遅延ステージが第一および第二入力および出力を有し、前記第一または第二入力のどちらかに印加される信号の立ち下がりエッジをステージ時間遅延によって該出力を遅れて伝播する遅延ステージのチェーン、および
前記遅延ステージのチェーンに接続されたリセット回路であって、前記第一モード活性化信号の出力を前記第二モード検出信号の受信に応じて妨げるために前記遅延ステージのチェーンを無効にするリセット回路、
を含むモード検出回路。 - メモリ・アドレス信号および制御信号を受信するマルチ・モード・メモリ装置のためのメモリ・アクセス・モード回路であって、前記メモリ・アクセス・モード回路が、
第一メモリ・アクセス・モードを検出し、それに応じて第一モード検出パルスを生成する第一モード検出回路、
第二メモリ・アクセス・モードを検出し、それに応じて第二モード検出パルスを生成する第二モード検出回路、
最終の前記第一モード検出パルスの受信後、時間遅延を以って遅れた第一モード検出パルスを生成するように前記第一モード検出回路に接続された遅延回路であって、前記第二モード検出パルスの受信に応じて前記遅延時間をリセットするように前記第二モード検出回路にさらに接続された遅延回路、および
前記遅延回路および前記第二モード検出回路に接続されたメモリ・アクセス活性化回路であって、前記メモリ・アクセス活性化回路が第一メモリ・アクセス動作を前記遅れた第一モード検出パルスの受信に応じて活性化し、第二メモリ・アクセス動作を前記第二モード検出パルスの受信に応じて活性化するメモリ・アクセス活性化回路、
を含むメモリ・アクセス・モード回路。 - 請求項7のメモリ・アクセス・モード回路であって、前記第一モード検出回路が、前記制御信号および前記メモリ・アドレス信号を受信する非同期モード検出回路を含み、前記非同期モード検出回路がメモリ・アドレス信号または非同期モード・アクセス動作を指示する制御信号コンビネーションのどちらかの受信に応じて前記第一モード検出パルスを生成する、メモリ・アクセス・モード回路。
- 請求項7のメモリ・アクセス・モード回路であって、前記第二モード検出回路が、前記制御信号およびクロック信号を受信する同期モード検出回路を含み、前記同期モード検出回路がアクティブ・クロック信号および同期モード・アクセス動作を指示する制御信号コンビネーションの受信に応じて前記第二モード検出パルスを生成する、メモリ・アクセス・モード回路。
- 請求項7のメモリ・アクセス・モード回路であって、前記第一メモリ・アクセス動作が、非同期メモリ・アクセス動作であり、前記第二メモリ・アクセス動作が同期メモリ・ア
クセス動作である、メモリ・アクセス・モード回路。 - 請求項7のメモリ・アクセス・モード回路であって、前記遅延回路が、
前記第一モード検出パルスを受信するように前記第一モード検出回路に接続された第一遅延ステージおよび前記遅れた第一モード検出パルスが提供される出力を有する最終遅延ステージを有する遅延ステージのチェーンであって、各遅延ステージが、第一および第二入力および出力を有し、且つ、前記第一または第二入力のどちらかに印加される信号の立ち下がりエッジをその出力への伝播からステージ時間遅延だけ遅らせる遅延ステージのチェーン、および
前記第二モード検出回路および前記遅延ステージのチェーンに接続されたリセット回路であって、前記リセット回路が、前記遅延ステージのチェーンを前記第二モード検出パルスの受信に応じて前記遅れた第一モード検出パルスの出力を妨げるために無効にするリセット回路、
を含むメモリ・アクセス・モード回路。 - メモリ・アドレス信号、制御信号およびクロック信号を受信するメモリ装置のためのメモリ・アクセス・モード検出回路であって、前記メモリ・アクセス・モード検出回路が、
前記メモリ・アドレス信号、前記制御信号、およびクロック信号を受信可能なモード検出回路であって、前記モード検出回路が前記メモリ・アドレス信号および第一コンビネーションの制御信号の受信に応じて第一モード検出信号を生成可能であり、第二コンビネーションの制御信号およびアクティブ・クロック信号への受信に応じて第二メモリ・アクセス動作を開始するための第二モード検出信号を生成するモード検出回路、および
第一モード・メモリ・アクセス動作を開始するために、前記第一モード検出信号の受信後、ある時間遅延を以て遅れた第一モード検出信号を生成可能に前記モード検出回路に接続され、前記第二モード検出信号の受信に応じて、前記遅れた第一モード活性化信号の生成を妨げるために前記時間遅延をリセットする遅延回路、
を含むメモリ・アクセス・モード検出回路。 - 請求項12のメモリ・アクセス・モード検出回路であって、前記第一モード・メモリ・アクセス動作が、非同期メモリ・アクセス動作であり、且つ前記第二モード・メモリ・アクセス動作が、同期メモリ・アクセス動作であるメモリ・アクセス・モード検出回路。
- 請求項12のメモリ・アクセス・モード回路であって、前記モード検出回路が、
前記制御信号が受信される制御信号ノード、および前記メモリ・アドレス信号が受信されるアドレス信号ノードを有する非同期モード検出回路であって、メモリ・アドレス信号または非同期モード・アクセス動作を指示する制御信号コンビネーションの中のどちらかの受信に応じて前記第一モード検出信号を生成する前記非同期モード検出回路、および
前記制御信号が受信される制御信号ノードおよびクロック信号が受信されるクロック・ノードを有する同期モード検出回路であって、アクティブ・クロック信号および同期モード・アクセス動作を指示する制御信号のコンビネーションの受信に応じて前記第二モード検出信号を生成する前記同期モード検出回路、
を含むメモリ・アクセス・モード回路。 - 請求項12のメモリ・アクセス・モード検出回路であって、前記遅延回路が、
前記第一モード検出信号を受信するように前記モード検出回路に接続された第一遅延ステージ、および前記遅れた第一モード検出信号が提供される出力を有する最終遅延ステージを有する遅延ステージのチェーンであって、各遅延ステージが第一および第二入力ならびに出力を有し、第一または第二入力の中のどちらかに印加される信号の立ち下がりエッジをその出力への伝播からステージ時間遅延だけ遅らせる遅延ステージのチェーン、および
前記モード検出回路および前記遅延ステージのチェーンに接続されたリセット回路であって、前記リセット回路が、前記第二モード検出信号の受信に応じて前記遅れた第一モード検出信号の出力を妨げるように前記遅延ステージのチェーンを無効にするリセット回路、
を含むメモリ・アクセス・モード検出回路。 - メモリ・アドレス信号、制御信号およびクロック信号を受信するメモリ装置であって、前記メモリ装置が、
揮発性メモリ・セルのアレー、
前記メモリ・アレーにアクセスするように前記揮発性メモリ・セルのアレーに接続されたメモリ・アレー・アクセス回路、および
前記メモリ・アドレス信号、前記制御信号および前記クロック信号を受信可能なメモリ・アクセス・モード検出回路を含み、前記メモリ・アクセス・モード検出回路が、
前記メモリ・アドレス信号、前記制御信号、および前記クロック信号を受信可能なモード検出回路であって、前記モード検出回路が前記メモリ・アドレス信号および第一コンビネーション制御信号の受信に応じて第一モード・メモリ・アクセス動作を開始するために第一モード検出信号を生成可能であり、第二コンビネーションの制御信号およびアクティブ・クロック信号への受信に応じて第二モード・メモリ・アクセス動作を開始するための第二モード検出信号を生成可能なモード検出回路、および
前記モード検出回路に接続され、前記第一モード検出信号の受信後に時間遅延を以って遅れた第一信号を生成し、前記第二モード検出信号の受信に応じて前記時間遅延をリセットし、第二モード・アクセス動作を開始するために第二モード活性化信号を生成可能な遅延回路、を含む、
メモリ装置。 - 請求項16のメモリ装置であって、前記第一モード・メモリ・アクセス動作が、非同期メモリ・アクセス動作であり、且つ前記第二モード・メモリ・アクセス動作が非同期メモリ・アクセス動作であるメモリ装置。
- 請求項16のメモリ装置であって、前記メモリ・アクセス・モード検出回路の前記モード検出回路が、
前記制御信号が受信される制御信号ノード、および前記メモリ・アドレス信号が受信されるアドレス信号ノードを有する非同期モード検出回路であって、メモリ・アドレス信号または非同期モード・アクセス動作を指示する制御信号コンビネーションの中のどちらかの受信に応じて、前記第一モード検出信号を生成する前記非同期モード検出回路、および
制御信号が受信される制御信号ノード、およびクロック信号が受信されるクロック・ノードを有する同期モード検出回路であって、アクティブ・クロック信号、および同期モード・アクセス動作を指示する制御信号コンビネーションの受信に応じて前記第二モード検出信号を生成する前記同期モード検出回路、
を含むメモリ装置。 - 請求項16のメモリ装置であって、前記メモリ・アクセス・モード検出回路の前記遅延回路が、
前記第一モード検出信号を受信するように前記モード検出回路に接続された第一遅延ステージ、および前記遅れた第一モード検出信号が提供される出力を有する最終遅延ステージを有する遅延ステージのチェーンであって、各遅延ステージが第一および第二入力ならびに出力を有し、第一または第二入力の中のどちらかに印加される信号の立ち下がりエッジをその出力への伝播からステージ時間遅延だけ遅らせる遅延ステージのチェーン、および
前記モード検出回路および前記遅延ステージのチェーンに接続されたリセット回路であって、前記リセット回路が、前記第二モード検出信号の受信に応じて前記遅れた第一モード検出信号の出力を妨げるように前記遅延ステージのチェーンを無効にするリセット回路、
を含むメモリ装置。 - 請求項16のメモリ装置であって、前記揮発性メモリ・セルのアレーが、DRAMメモリ・セルのアレーを含み、前記DRAMメモリ・セルのアレーへのアクセスがアクセス・イベントのシーケンスを含むアクセス・サイクルの終了によって制限される、メモリ装置。
- 請求項20のメモリ装置であって、前記メモリ・アレー・アクセス回路が、前記アクセス・イベントのシーケンスにしたがって、前記DRAMメモリ・セルのアレーにアクセスするためのDRAMアレー・アクセス回路を含むメモリ装置。
- メモリ・アドレス信号、制御信号およびクロック信号を受信するメモリ装置であって、前記メモリ装置が、
揮発性メモリ・セルのアレー、
前記メモリ・アレーにアクセスするために前記揮発性メモリ・セルのアレーに接続されたメモリ・アレー・アクセス回路、および
前記メモリ・アドレス信号、前記制御信号、および前記クロック信号を受信可能なメモリ・アクセス・モード検出回路、
を含むメモリ装置であって、前記メモリ・アクセス・モード検出回路が、
第一メモリ・アクセス・モードを検出し、それに応じて第一モード検出パルスを生成可能な第一モード検出回路、
第二メモリ・アクセス・モードを検出し、それに応じて第二モード検出パルスを生成可能な第二モード検出回路、
最終の前記第一モード検出パルスの受信後、時間遅延を以って遅れた第一モード検出パルスを生成可能に前記第一モード検出回路に接続された遅延回路であって、前記遅延回路がさらに前記第二モード検出回路に接続されて遅延回路を前記第二モード検出パルスの受信に応じてリセット可能な遅延回路、および
前記遅延回路および前記第二モード検出回路に接続されたメモリ・アクセス活性化回路であって、前記メモリ・アクセス活性化回路が、第一メモリ・アクセス動作を前記遅れた第一モード検出パルスの受信に応じて活性化可能であり、且つ、第二メモリ・アクセス動作を前記第二モード検出パルスの受信に応じて活性化可能なメモリ・アクセス活性化回路、
を含むメモリ装置。 - 請求項22のメモリ装置であって、前記メモリ・アクセス・モード回路の第一モード検出回路が、制御信号が受信される制御信号ノード、およびメモリ・アドレス信号が受信されるアドレス信号ノードを有する非同期モード検出回路を含み、前記非同期モード検出回路が、メモリ・アドレス信号または非同期モード・アクセス動作を指示する制御信号コンビネーションの中のどちらかの受信に応じて前記第一モード検出パルスを生成する非同期モード検出回路を含む、メモリ装置。
- 請求項22のメモリ装置であって、前記メモリ・アクセス・モード回路の第二モード検出回路が、制御信号が受信される制御信号ノード、およびクロック信号が受信されるクロック・ノードを有する同期モード検出回路を含み、前記同期モード検出回路が、アクティブ・クロック信号および同期モード・アクセス動作を指示する制御信号コンビネーションの受信に応じて前記第二モード検出パルスを生成する、メモリ装置。
- 請求項22のメモリ装置であって、前記第一メモリ・アクセス動作が非同期メモリ・アクセス動作であり、且つ前記第二メモリ・アクセス動作が同期メモリ・アクセス動作である、メモリ装置。
- 請求項22のメモリ装置であって、前記メモリ・アクセス・モード回路の前記遅延回路が、
前記第一モード検出パルスを受信するように前記第一モード検出回路に接続された第一遅延ステージおよび前記遅れた第一モード検出パルスが提供される出力を有する最終遅延ステージを有する遅延ステージチェーンであって、各遅延ステージが、第一および第二入力および出力を有し、且つ、前記第一または第二入力のどちらかに印加される信号の立ち下がりエッジをその出力への伝播からステージ時間遅延だけ遅らせる遅延ステージのチェーン、および
前記第二モード検出回路および前記遅延ステージのチェーンに接続されたリセット回路であって、前記リセット回路が、前記第二モード検出パルスの受信に応じて前記遅れた第一モード検出パルスの出力を妨げるように前記遅延ステージのチェーンを無効にするリセット回路、
を含むメモリ装置。 - 請求項22のメモリ装置であって、前記揮発性メモリ・セルのアレーが、DRAMメモリ・セルのアレーを含み、それへのアクセスがアクセス・イベントのシーケンスを含むアクセス・サイクルの終了によって制限される、メモリ装置。
- 請求項27のメモリ装置であって、前記メモリ・アレー・アクセス回路が、前記アクセス・イベントのシーケンスにしたがって、前記DRAMメモリ・セルのアレーにアクセスするためのDRAMアレー・アクセス回路を含むメモリ装置。
- コンピュータ・システムであって、
データ入力装置、
データ出力装置、
前記データ入力および出力装置に接続されたプロセッサ、および
前記プロセッサに接続されたメモリ装置、
を含むコンピュータ・システムであって、前記メモリ装置がメモリ・アドレス信号、制御信号およびクロック信号を受信し、前記メモリ装置が、
揮発性メモリ・セルのアレー、
前記揮発性メモリ・セルのアレーに前記メモリ・アレーにアクセスするために接続されたメモリ・アレー・アクセス回路、および
前記メモリ・アドレス信号、前記制御信号および前記クロック信号を受信可能なメモリ・アクセス・モード検出回路、
を含み、前記メモリ・アクセス・モード検出回路が、
前記メモリ・アドレス信号、前記制御信号、および前記クロック信号を受信可能なモード検出回路であって、前記モード検出回路が前記メモリ・アドレス信号および第一コンビネーションの制御信号の受信に応じて第一モード・メモリ・アクセス動作を開始するために第一モード検出信号を生成可能であり、第二コンビネーションの制御信号およびアクティブ・クロック信号の受信に応じて第二モード・メモリ・アクセス動作を開始するために第二モード検出信号を生成可能なモード検出回路、および
前記モード検出回路に接続され、前記第一モード検出信号の受信後に、ある時間遅延を以って遅延した前記第一モード検出信号を生成可能であり、さらに前記第二モード検出信号の受信に応じて、前記時間遅延をリセット可能であり、第二モード・アクセス動作を開始するために前記第二モード活性化信号を生成する遅延回路、を含むメモリ・アクセス・モード検出回路、
を含むメモリ装置を含むコンピュータ・システム。 - 請求項29のコンピュータ・システムであって、前記メモリ装置の前記第一モード・メモリ・アクセス動作が非同期メモリ・アクセス動作であり、且つ前記第二モード・メモリ・アクセス動作が同期メモリ・アクセス動作である、コンピュータ・システム。
- 請求項29のコンピュータ・システムであって、前記メモリ装置の前記モード検出回路が、
前記制御信号が受信される制御信号ノード、および前記メモリ・アドレス信号が受信されるアドレス信号ノードを有する非同期モード検出回路であって、メモリ・アドレス信号または非同期モード・アクセス動作を指示する制御信号コンビネーションの中のどちらかの受信に応じて、前記第一モード検出信号を生成する前記非同期モード検出回路、および
制御信号が受信される制御信号ノード、およびクロック信号が受信されるクロック・ノードを有する同期モード検出回路であって、アクティブ・クロック信号、および同期モード・アクセス動作を指示する制御信号コンビネーションの受信に応じて前記第二モード検出信号を生成する前記同期モード検出回路、
を含むコンピュータ・システム。 - 請求項29のコンピュータ・システムであって、前記メモリ装置の前記遅延回路が、
前記第一モード検出信号を受信するように前記モード検出回路に接続された第一遅延ステージ、および前記遅れた第一モード検出信号が提供される出力を有する最終遅延ステージを有する遅延ステージのチェーンであって、各遅延ステージが第一および第二入力ならびに出力を有し、第一または第二入力の中のどちらかに印加される信号の立ち下がりエッジをその出力への伝播からステージ時間遅延だけ遅らせる遅延ステージのチェーン、および
前記モード検出回路および前記遅延ステージのチェーンに接続されたリセット回路であって、前記リセット回路が、前記第二モード検出信号の受信に応じて前記遅れた第一モード検出信号の出力を妨げるように前記遅延ステージのチェーンを無効にするリセット回路、
を含むコンピュータ・システム。 - 請求項29のコンピュータ・システムであって、前記揮発性メモリ・セルのアレーが、DRAMメモリ・セルのアレーを含み、前記DRAMメモリ・セルのアレーへのアクセスがアクセス・イベントのシーケンスを含むアクセス・サイクルの終了によって制限される、コンピュータ・システム。
- 請求項33のコンピュータ・システムであって、前記メモリ装置の前記メモリ・アレー・アクセス回路が、前記アクセス・イベントのシーケンスにしたがって、前記DRAMメモリ・セルのアレーにアクセスするためのDRAMアレー・アクセス回路を含むコンピュータ・システム。
- コンピュータ・システムであって、
データ入力装置、
データ出力装置、
前記データ入力および出力装置に接続されたプロセッサ、および
前記プロセッサに接続されたメモリ装置、
を含むコンピュータ・システムであって、前記メモリ装置がメモリ・アドレス信号、制御信号およびクロック信号を受信し、前記メモリ装置が、
揮発性メモリ・セルのアレー、
前記揮発性メモリ・セルのアレーに前記メモリ・アレーにアクセスするために接続されたメモリ・アレー・アクセス回路、および
前記メモリ・アドレス信号、前記制御信号および前記クロック信号を受信可能なメモリ・アクセス・モード検出回路、
を含み、前記メモリ・アクセス・モード検出回路が、
第一メモリ・アクセス・モードを検出し、それに応じて第一モード検出パルスを生成するための第一モード検出回路、
第二メモリ・アクセス・モードを検出し、それに応じて第二モード検出パルスを生成するための第二モード検出回路、
最終の前記第一モード検出パルスの受信後、ある時間遅延を以って遅れた第一モード検出パルスを生成するように前記第一モード検出回路に接続された遅延回路であって、前記遅延回路がさらに前記第二モード検出回路に接続されて遅延回路を前記第二モード検出パルスの受信に応じてリセットする遅延回路、および
前記遅延回路および前記第二モード検出回路に接続されたメモリ・アクセス活性化回路であって、前記メモリ・アクセス活性化回路が、第一メモリ・アクセス動作を前記遅れた第一モード検出パルスの受信に応じて活性化し、且つ、第二メモリ・アクセス動作を前記第二モード検出パルスの受信に応じて活性化するメモリ・アクセス活性化回路、
を含むコンピュータ・システム。 - 請求項35のコンピュータ・システムであって、前記メモリ装置の前記第一モード検出回路が、制御信号およびメモリ・アドレス信号を受信する非同期モード検出回路を含み、前記非同期モード検出回路が、前記メモリ・アドレス信号または非同期モード・アクセス動作を指示する制御信号コンビネーションの中のどちらかの受信に応じて前記第一モード検出パルスを生成する、コンピュータ・システム。
- 請求項35のコンピュータ・システムであって、前記メモリ装置の第二モード検出回路が、制御信号が受信される制御信号およびクロック信号を受信する同期モード検出回路を含み、前記同期モード検出回路が、アクティブ・クロック信号および同期モード・アクセス動作を指示する制御信号コンビネーションの受信に応じて前記第二モード検出パルスを生成する、コンピュータ・システム。
- 請求項35のコンピュータ・システムであって、前記メモリ装置の前記第一メモリ・アクセス動作が非同期メモリ・アクセス動作であり、且つ前記第二メモリ・アクセス動作が同期メモリ・アクセス動作である、コンピュータ・システム。
- 請求項35のコンピュータ・システムであって、前記メモリ装置の前記遅延回路が、
前記第一モード検出パルスを受信するように前記第一モード検出回路に接続された第一遅延ステージ、および前記遅れた第一モード検出パルスが提供される出力を有する最終遅延ステージを有する遅延ステージのチェーンであって、各遅延ステージが第一および第二入力ならびに出力を有し、第一または第二入力の中のどちらかに印加される信号の立ち下がりエッジをその出力への伝播からステージ時間遅延だけ遅らせる遅延ステージのチェーン、および
前記第二モード検出回路および前記遅延ステージのチェーンに接続されたリセット回路であって、前記リセット回路が、前記第二モード検出パルスの受信に応じて前記遅れた第一モード検出パルスの出力を妨げるように前記遅延ステージのチェーンを無効にするリセット回路、
を含む、コンピュータ・システム。 - 請求項35のコンピュータ・システムであって、前記揮発性メモリ・セルのアレーが、DRAMメモリ・セルのアレーを含み、前記DRAMメモリ・セルのアレーへのアクセスがアクセス・イベントのシーケンスを含むアクセス・サイクルの終了によって制限される
、コンピュータ・システム。 - 請求項40のコンピュータ・システムであって、前記メモリ装置の前記メモリ・アレー・アクセス回路が、前記アクセス・イベントのシーケンスにしたがって、前記DRAMメモリ・セルのアレーにアクセスするためのDRAMアレー・アクセス回路を含む、コンピュータ・システム。
- メモリ・アドレス信号、制御信号およびクロック信号を受信するメモリ装置においてメモリ・アクセス動作を開始する方法であって、前記方法が、
メモリ・アドレス信号または第一モード・メモリ・アクセス動作を指示する制御信号コンビネーションの受信に応じて第一モード検出パルスを、生成するステップ、
前記第一モード・メモリ・アクセス動作を開始する第一モード活性化パルスを生成するために、最終の前記生成された第一モード検出パルスを時間遅延を以って遅らせるステップ、
クロック信号および第二モード・メモリ・アクセス動作を指示する前記制御信号の第二コンビネーションの受信に応じて第二モード検出パルスを、生成するステップ、
前記遅れた第一モード検出パルスの前記生成を抑制するステップ、および
前記第二モード・メモリ・アクセス動作を前記第二モード検出パルスに応じて開始するステップ、
を含む方法。 - 請求項42の方法であって、メモリ・アドレス信号または第一モード・メモリ・アクセス動作を指示する制御信号コンビネーションの受信に応じて第一モード検出パルスを、生成するステップが、メモリ・アドレス信号または非同期メモリ・アクセス動作を指示する制御信号コンビネーションの受信に応じて第一モード検出パルスを生成するステップを含む方法。
- 請求項42の方法であって、クロック信号および第二モード・メモリ・アクセス動作を指示する第二コンビネーションの前記制御信号の受信に応じて第二モード検出パルスを生成するステップが、前記クロック信号および同期メモリ・アクセス動作を指示する第二コンビネーションの前記制御信号の受信に応じて第二モード検出パルスを、生成するステップを含む方法。
- 請求項42の方法であって、
前記第一モード・メモリ・アクセス動作を開始する前記第一モード活性化パルスを生成するために、最終の前記生成された第一モード検出パルスを時間遅延を以って遅らせるステップが、前記第一モード検出パルスの前記立ち下がりエッジに基づいて遅れシーケンスを開始するステップ、および前記遅れシーケンスの終了に先立って任意の新しい第一モード検出パルスの前記立ち下がりエッジに応じて前記遅れシーケンスをリセットするステップ、および前記遅れシーケンスを前記第一モード検出パルスの前記立ち下がりエッジから再開するステップを含み、前記遅れた第一モード検出パルスの前記生成を抑制するステップが、前記遅れシーケンスをリセットし、前記第一モード活性化パルスの生成を妨げるステップを含む方法。 - 請求項42の方法であって、前記第二モード・アクセス動作を前記第二モード検出パルスに応じて開始するステップが、同期DRAMメモリ・アクセス・サイクルを開始するステップを含む方法。
- DRAMメモリ・セル・コアを有するメモリ装置においてメモリ・アクセス動作を活性化し、メモリ・アドレス信号、制御信号、およびクロック信号を受信する方法であって、
前記方法が、
前記メモリ・アドレス信号または第一モード・メモリ・アクセス動作を指示する第一コンビネーションの制御信号の受信に応じて、前記最終メモリ・アドレス信号または前記第一コンビネーションの制御信号の受信後、時間遅延を以って第一モード活性化信号を生成するステップであって、前記時間遅延が前記第一モード・メモリ・アクセス動作が前記DRAMメモリ・セル・コア中で終了することができるように十分長いものとするステップ、および
アクティブ・クロック信号、および第二モード・メモリ・アクセス動作を指示する第二コンビネーションの制御信号の受信に応じて、前記DRAMメモリ・セル・コア中で前記第二モード・メモリ・アクセス動作を開始するために第二モード活性化信号を生成し、前記第一モード活性化信号の生成を妨げるステップ、
を含む方法。 - 請求項47の方法であって、前記メモリ・アドレス信号または前記第一モード・メモリ動作を指示する前記第一コンビネーネーションの制御信号の受信に応じて第一モード活性化信号を生成するステップが、前記メモリ・アドレス信号、または非同期メモリ・アクセス動作を指示する制御信号コンビネーションの受信に応じて前記第一モード活性化信号を生成するステップを含む方法。
- 請求項47の方法であって、アクティブ・クロック信号および第二モード・メモリ・アクセス動作を指示する第二コンビネーションの制御信号の受信に応じて第二モード活性化信号を生成するステップが、前記アクティブ・クロック信号および同期メモリ・アクセス動作を指示する第二コンビネーションの制御信号の受信に応じて第二モード活性化信号を生成するステップを含む方法。
- 請求項47の方法であって、最終の前記メモリ・アドレス信号または前記第一コンビネーションの制御信号の受信後、時間遅延を以って前記第一モード活性化信号を生成するステップが、
前記メモリ・アドレス信号または前記第一コンビネーションの制御信号における遷移の検出に応じて遷移検出パルスを生成するステップ、
前記遷移検出パルスの前記立ち下がりエッジに基づいて遅れシーケンスを開始するステップ、
前記遅れシーケンスの終了に先立って生成される新しい遷移検出パルスの前記立ち下がりエッジに応じて前記遅れシーケンスをリセットし、前記遅れシーケンスを前記新しい遷移検出パルスの前記立ち下がりエッジから再開するステップ、および
第一モード活性化シーケンスを前記遅れシーケンスの終了に応じて生成するステップ、を含む方法。
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