JP4154356B2 - 電子放出素子、電子源、画像表示装置及びテレビ - Google Patents
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Description
(A)カソード電極と、
(B)該カソード電極上に配置された、表面にダイポール層を有する絶縁層と、
(C)引き出し電極と、
を有し、前記カソード電極と前記引き出し電極との間に電子を放出させるための駆動電圧を印加して電子を放出させる電子放出素子であって、
前記絶縁層が、アモルファスカーボンを主体とする厚さが1nm以上10nm以下のカーボン層であり、
前記ダイポール層が、前記カーボン層の表面を水素で終端することにより形成されており、
前記駆動電圧を前記カソード電極と前記引き出し電極との間に印加している時及び印加していない時の両方において、前記カーボン層の表面が正の電子親和力を示し、
前記駆動電圧が、前記絶縁層の表面における伝導帯よりも前記ダイポール層に接する真空障壁が高い状態で、電子を、前記カソード電極から前記絶縁層と前記真空障壁とをトンネルさせて、放出する駆動電圧である
ことを特徴とする。
前記絶縁層表面の表面粗さが、RMS表記で前記絶縁層の膜厚の1/10より小さい。
前記カソード電極表面の基板表面の表面粗さが、RMS表記で前記絶縁層の膜厚の1/10より小さい。
前記カソード電極の表面と前記絶縁層との間に、抵抗層が配置されてなる。
また、本発明の電子源は、前記電子放出素子が前記引き出し電極としてのゲート電極を備え、該電子放出素子がX方向及びY方向に行列状に複数個配されており、同じ行に配された複数の電子放出素子の各々を構成するカソード電極およびゲート電極のうちの一方を共通に接続する複数のX方向配線と、同じ列に配された複数の電子放出素子の各々を構成するカソード電極およびゲート電極のうちの他方を共通に接続する複数のY方向配線とを備えたマトリクス配置の電子源であることを特徴とし、本発明は、該電子源と、該電子源と離れて配置されたアノード電極及び発光体とを有することを特徴とする画像表示装置を提供する。
さらに、前記画像表示装置は、前記複数のX方向配線の中から所定のX方向配線を選択し、当該選択したX方向配線に走査信号を印加する走査信号印加手段と、前記複数のY方向配線の各々に変調信号を印加する変調信号印加手段とを備えることを好ましい態様として含む。
またさらに、本発明は、前記本発明の画像表示装置とテレビ信号の受信回路とを備えることを特徴とするテレビを提供する。
予め、その表面を十分に洗浄した、石英ガラス、Na等の不純物含有量を減少させたガラス、青板ガラス、基板表面にSiO2を積層した積層体、セラミックスなどから構成される絶縁性基板のうち、いずれか一つを基板31として用い、基板31上に電極層71を積層する。
図7(a)に示すように電極層71上に絶縁層2を堆積する。絶縁層2は蒸着法、スパッタ法、HFCVD(Hot Filament CVD)法、プラズマCVD法等の一般的成膜技術で形成されるが、その方法は限定されない。絶縁層2の膜厚としては、電子がトンネルすることができる膜厚の範囲で設定され、好ましくは数4nm〜10nmの範囲で選択される。
電極層71をカソード電極1とゲート電極32に分離するため、フォトレジスト72のパターニングを行う〔図7(b)〕。
エッチング処理を行い、図7(c)に示すように、電極層71を2つの電極(ゲート電極32とカソード電極1)に分離する。電極層71及び絶縁層2のエッチング工程では、平滑且つ垂直、或いは平滑且つテーパー形状であるようなエッチング面を形成することが望ましく、それぞれの材料に応じて、エッチング方法を選択すれば良い。ドライでもウエットでも構わない。通常、開口部(凹部)73の幅Wは素子を構成する材料や抵抗値、電子放出素子の材料の仕事関数と駆動電圧、必要とする電子放出ビームの形状により適宜設定される。また、ゲート電極32とカソード電極1との間隔Wは数百nm〜100μmに好ましくは設定される。
図7(d)に示すように、レジスト72を除去する。
最後に熱処理により絶縁層2の表面を化学修飾することで水素の終端処理を行い、ダイポール層20を形成する。図7(e)の74はその雰囲気を示している。上記熱処理は水素と炭化水素ガスとを含む雰囲気中で加熱することによって行ってもよい。また、炭化水素ガスとしては、特にアセチレンガス、エチレンガス、メタンガス等、鎖状炭化水素が好ましい。
図10に示す製造方法に従って、本発明にかかる、ダイポール層を備えた半導体層(電子放出膜)を作製した。図10中の符号は、図7で用いた符号と同様である。
Rf電源:13.56MHz
Rfパワー:7.7W/cm2
ガス圧:0.6Pa
雰囲気ガス:N2/Ar(N2:10%)
基板温度:室温
ターゲット:Ti
である。
熱処理温度:600℃
加熱方式:ランプ加熱
処理時間:60min
混合ガス比:メタン/水素=15/6
熱処理時圧力:6.65KPa
図10に示した製造方法に沿って、本発明にかかるダイポール層を備えた絶縁層を作製した。
Rf電源:13.56MHz
Rfパワー:110W/cm2
ガス圧:0.5Pa
基板温度:300℃
ターゲット:SiO2
熱処理温度:600℃
加熱方式:ランプ加熱
処理時間:60min
混合ガス比:メタン/水素=15/6
熱処理時圧力:7KPa
図7に示した製造工程に沿って電子放出素子を作製した。
基板31に石英を用い、十分洗浄を行った後スパッタ法により電極層71として厚さ500nmのTiNを形成した。
次いでECRプラズマCVD法により炭素膜を6nm程度堆積し、半導体層2を形成した〔図7(a)〕。このときはDLC(ダイアモンドライクカーボン)が成長する条件で形成した。成長条件を以下に示す。
ガス:CH4
マイクロ波パワー:400W
基板バイアス:−90V
ガス圧:25mmPa
基板温度:室温
次に、図7(b)に示すように、フォトリソグラフィーで、ポジ型フォトレジスト(AZ1500/クラリアント社製)のスピンコーティング、フォトマスクパターンを露光し、現像し、マスクパターン(レジスト72)を形成した。
図7(c)に示すように、マスクパターンをマスクとして、DLC膜とTiN電極を連続してドライエッチングした。尚、ゲート電極−カソード電極の熱処理時にごく僅かながら生成されるカーボンによるリークを低減させるためにエッチングは石英も多少エッチングされる程度の多少オーバーエッチングぎみで行った。
図7(d)に示すように、マスクパターンを完全に除去した。
最後に図7(e)に示すように、メタンと水素の混合ガス雰囲気中で基板加熱処理を行い、DLCからなる絶縁層2表面にダイポール層20を形成し、電子放出素子を完成させた。熱処理条件を以下に示す。
熱処理温度:600℃
加熱方式:ランプ加熱
処理時間:60min
混合ガス比:メタン/水素=15/6
熱処理時圧力:6KPa
実施例3で作製した電子放出素子を用いて画像表示装置を作製した。
(工程1)
先ず、図16(a)に示すように、基板31に石英を用い、十分洗浄を行った後スパッタ法により電極層71として厚さ500nmのTiNを形成した。
次に、抵抗層161として、厚さ50nmのカーボンをスパッタ法により成膜した。このときのカーボンは、抵抗値として、1×106Ωとなるように調整した。
ターゲット:グラファイト
ガス:Ar
r.f.パワー:500W
ガス分圧:0.27Pa
次いでECRプラズマCVD法により絶縁層2として炭素膜を6nm程度堆積した。このときはDLCが成長する条件で形成した。成長条件を以下に示す。
ガス:CH4
マイクロ波パワー:400W
基板バイアス:−90V
ガス圧:25mmPa
基板温度:室温
次に、図16(b)に示すように、フォトリソグラフィーで、ポジ型フォトレジスト(AZ1500/クラリアント社製)のスピンコーティング、フォトマスクパターンを露光し、現像し、マスクパターン(レジスト72)を形成した。
図16(c)に示すように、マスクパターンをマスクとして、絶縁層2と抵抗層161と電極層71を連続してドライエッチングした。尚、エッチングは石英も多少エッチングされる程度の多少オーバーエッチングぎみで行った。尚、本実施例では、開口部73の幅Wは2μmに設定した。
図16(d)に示すように、マスクパターンを完全に除去した。尚、膜応力は少なく、膜はがれやその他のプロセス上の問題は起きなかった。
最後に図16(e)に示すように、水素雰囲気中(99.9%水素)で基板を630℃、60分間ランプ加熱で熱処理を行い、本実施例の電子放出素子を完成させた。
(工程1)
先ず、図17(a)に示すように、基板31に石英を用い、十分洗浄を行った後スパッタ法により電極層71として厚さ500nmのTiNを形成した。
次に、図17(b)に示すように、フォトリソグラフィーで、ポジ型フォトレジスト(AZ1500/クラリアント社製)のスピンコーティング、フォトマスクパターンを露光し、現像し、マスクパターン(レジスト72)を形成した。
図17(c)に示すように、マスクパターンをマスクとして、電極層71をドライエッチングした。尚、エッチングは石英も多少エッチングされる程度の多少オーバーエッチングぎみで行った。
次に、抵抗層161として、厚さ50nmのカーボンをスパッタ法により成膜した。このときのカーボンは、抵抗値として、1×107Ωとなるように調整した。
ターゲット:グラファイト
ガス:Ar
r.f.パワー:500W
ガス分圧:0.27Pa
次いでECRプラズマCVD法により絶縁層2として炭素膜を6nm程度堆積した。このときはDLCが成長する条件で形成した。成長条件を以下に示す。
ガス:CH4
マイクロ波パワー:400W
基板バイアス:−90V
ガス圧:25mmPa
基板温度:室温
次に、図17(f)に示すように、フォトリソグラフィーで、ポジ型フォトレジスト(AZ1500/クラリアント社製)のスピンコーティング、フォトマスクパターンを露光し、現像し、マスクパターン(レジスト72’)を形成した。
図17(g)に示すように、マスクパターンをマスクとして、絶縁層2と抵抗層161とを連続してドライエッチングした後、マスクパターンを完全に除去した。尚、本実施例では、開口部73の幅Wは1μmに設定した。尚、膜応力は少なく、膜はがれその他のプロセス上の問題は起きなかった。
最後に図17(h)に示すように、水素雰囲気中(99.9%水素)で基板を630℃、60分間ランプ加熱で熱処理を行い、本実施例の電子放出素子を完成させた。
本実施例では、実施例5及び実施例6でそれぞれ作製した電子放出素子を多数配列した電子源をそれぞれ形成し、それぞれの電子源を用いた画像表示装置を作製した。
2 絶縁層
3 引き出し電極
4 真空障壁
5 界面
6 電子
20 ダイポール層
21 炭素原子
22 水素原子
31 基板
32 ゲート電極
33 アノード電極
71 電極層
72,72’ フォトレジスト
73 開口部(凹部)
74 雰囲気
81 電子源基体
82 X方向配線
83 Y方向配線
84 電子放出素子
85 開口部
91 リアプレート
92 支持枠
93 ガラス基体
94 蛍光膜
95 メタルバック
96 フェースプレート
97 外囲器
98 高圧端子
141 半導体膜
161 抵抗層
Claims (10)
- (A)カソード電極と、
(B)該カソード電極上に配置された、表面にダイポール層を有する絶縁層と、
(C)引き出し電極と、
を有し、前記カソード電極と前記引き出し電極との間に電子を放出させるための駆動電圧を印加して電子を放出させる電子放出素子であって、
前記絶縁層が、アモルファスカーボンを主体とする厚さが1nm以上10nm以下のカーボン層であり、
前記ダイポール層が、前記カーボン層の表面を水素で終端することにより形成されており、
前記駆動電圧を前記カソード電極と前記引き出し電極との間に印加している時及び印加していない時の両方において、前記カーボン層の表面が正の電子親和力を示し、
前記駆動電圧が、前記絶縁層の表面における伝導帯よりも前記ダイポール層に接する真空障壁が高い状態で、電子を、前記カソード電極から前記絶縁層と前記真空障壁とをトンネルさせて、放出する駆動電圧であることを特徴とする電子放出素子。 - 前記絶縁層表面の表面粗さが、RMS表記で前記絶縁層の膜厚の1/10より小さい請求項1に記載の電子放出素子。
- 前記カソード電極表面の表面粗さが、RMS表記で前記絶縁層の膜厚の1/10より小さい請求項1又は2に記載の電子放出素子。
- 前記カソード電極の表面と前記絶縁層との間に、抵抗層が配置されてなることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の電子放出素子。
- 請求項1乃至4のいずれかに記載の電子放出素子を複数有することを特徴とする電子源。
- 請求項5に記載の電子源と蛍光体とを有することを特徴とする画像表示装置。
- 前記電子放出素子が前記引き出し電極としてのゲート電極を備え、該電子放出素子がX方向及びY方向に行列状に複数個配されており、同じ行に配された複数の電子放出素子の各々を構成するカソード電極およびゲート電極のうちの一方を共通に接続する複数のX方向配線と、同じ列に配された複数の電子放出素子の各々を構成するカソード電極およびゲート電極のうちの他方を共通に接続する複数のY方向配線とを備えたマトリクス配置の電子源であることを特徴とする請求項5に記載の電子源。
- 請求項7に記載の電子源と、該電子源と離れて配置されたアノード電極及び蛍光体とを有することを特徴とする画像表示装置。
- 前記複数のX方向配線の中から所定のX方向配線を選択し、当該選択したX方向配線に走査信号を印加する走査信号印加手段と、前記複数のY方向配線の各々に変調信号を印加する変調信号印加手段とを備えることを特徴とする請求項8に記載の画像表示装置。
- 請求項6、8、9のいずれか1項に記載の画像表示装置とテレビ信号の受信回路とを備えることを特徴とするテレビ。
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