JP2002373569A - 電子源およびその製造方法 - Google Patents

電子源およびその製造方法

Info

Publication number
JP2002373569A
JP2002373569A JP2001181988A JP2001181988A JP2002373569A JP 2002373569 A JP2002373569 A JP 2002373569A JP 2001181988 A JP2001181988 A JP 2001181988A JP 2001181988 A JP2001181988 A JP 2001181988A JP 2002373569 A JP2002373569 A JP 2002373569A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
carbon
based material
substrate
cathode
electron source
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001181988A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazutoshi Morikawa
和敏 森川
Shuji Iwata
修司 岩田
Kozaburo Shibayama
耕三郎 柴山
Masaaki Kai
政明 開
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP2001181988A priority Critical patent/JP2002373569A/ja
Publication of JP2002373569A publication Critical patent/JP2002373569A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 陰極表面の凹凸や突起を抑制することによ
り、引き出し電極と陰極とのあいだの間隔を一様にし、
電子放出の均一な電子源を得る。 【解決手段】 基板上にカーボン系材料を陰極形状のパ
ターンに形成し、その後形成したカーボン系材料表面の
凹凸および突起をロールの押し付け処理やプレス処理に
よって押し潰す。カーボン系材料の表面粗さが小さくな
るので、引き出し電極と陰極とのあいだの距離が一定と
なり、一様かつ安定した電子放出が可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、平板型表示装置
(フラットパネルディスプレイ)などに用いられる冷陰
極電子源に関し、とくにカーボン系の材料を使用した電
子源およびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、コンピュータの表示装置やテレビ
ジョンの受像機には、いわゆるブラウン管と呼ばれる陰
極線管(CRT)が多用されてきた。これらCRTは、
内部に電子銃を備えており、電子銃からの電子ビームを
表示面上の蛍光体に衝突させ、蛍光体を発光させること
によって表示を行なっている。電子銃の電子源として
は、陰極を加熱して熱電子を放出させる熱電子源が使用
されている。
【0003】一方、近年では、省スペースや低消費電力
の観点から、フラットパネルディスプレイの開発がさか
んに行われており、ヒータを必要としない冷陰極の電子
源の開発が進んでいる。とくに、電子源として電界放出
型の陰極を備え、これらを平面上に多数配置してなる電
界放出型のフラットパネルディスプレイは、高輝度、広
視野角、高速応答そして低消費電力の実現が可能な自発
光型表示装置として注目されている。
【0004】なかでも、陰極にカーボンナノチューブを
用いた電界放出型の電子源は、複雑でコストのかかる半
導体プロセスを必要とせず、スクリーン印刷やCVD法
によって形成が可能であるため、とくに注目されてい
る。
【0005】陰極にカーボンナノチューブを用いた電界
放出型の電子源は、たとえば、特開2000−9081
3公報明細書に開示されている。図12に示されている
ように、基板41上に電極42が形成されており、電極
42上に陰極43が形成されている。陰極43は、カー
ボンナノチューブを含有するカーボン系材料からなる。
また、基板41上には、絶縁層44が形成されており、
絶縁層44上に引き出し電極45が形成されている。
【0006】引き出し電極45に電圧を印加することに
より、陰極43から電子46が引き出される。引き出さ
れた電子46は、対向するもう一枚の基板に向かって飛
行し、基板上の蛍光体に衝突してこれを発光させる。
【0007】このような電子源を用いるフラット・パネ
ル・ディスプレイを、図13を参照して説明する。基板
上に複数の電極42が平行に並んで形成され、これに直
交して、やはり複数の引き出し電極45が平行に形成さ
れている。電極42上かつ引き出し電極45との交点に
は、カーボンナノチューブを含んだカーボン系材料によ
り陰極43が形成されている。複数ある電極42および
引き出し電極45を適宜選択し、適当な電圧を加えるこ
とにより、任意の交点の陰極43において電子を放出さ
せることが可能である。放出された電子は対向する基板
上の蛍光体に衝突し、蛍光体を発光させる。つまり、縦
横の電極42、引き出し電極45の選択によって、任意
の位置の蛍光体を発光させることができ、所望の表示を
得ることができる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】ところで、以上のよう
に構成された電子源において、電子放出を行うために引
き出し電極に印加する引き出し電圧は、引き出し電極と
陰極との間隔で決まる。たとえば、陰極と引き出し電極
との間隔が小さい場合には、小さな引き出し電圧で充分
な量の電子放出が得られる。陰極と引き出し電極との間
隔が大きい場合には、同程度の電子放出を得るために必
要な引き出し電圧は大きくなる。このため、電子放出量
を精度よく制御するためには、陰極の膜厚および表面の
凹凸の管理が重要である。
【0009】ところで、通常、カーボンナノチューブは
アーク放電などによって製造され、カーボン系粒子に付
着した状態で得られる。このカーボン系粒子に溶剤など
を加えてペースト化し、スクリーン印刷によって基板上
に印刷し、乾燥と焼成を行なうことによってカーボンナ
ノチューブを用いた陰極が得られるが、カーボン系粒子
の粒径が数μm程度あり、さらにこれらカーボン系粒子
が凝集して20〜30μm以上の大きさの塊となること
もある。このため、得られた陰極の表面は、このカーボ
ン系粒子によって凹凸していることになる。また、凝集
したカーボン系粒子が大きな突起となることもある。
【0010】これら陰極表面の凹凸や突起により、引き
出し電極と陰極との間隔がばらつくことになり、印加電
圧と電子放出量との関係が場所によって一定しない、す
なわち均一な表示が得られないという問題が生じる。
【0011】そこで本発明は、陰極表面の凹凸や突起を
抑制することにより、引き出し電極と陰極とのあいだの
間隔を一様にし、電子放出の均一な電子源を得ることを
目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、基板上
に陰極形状に形成したカーボン系材料に対し、ロールの
押し付け処理やプレス処理を加えて、表面の凹凸および
突起を押し潰す。表面の凹凸が低減され、カーボン系材
料の膜厚が一様となる。この結果、引き出し電極と陰極
とのあいだの距離が一定となり、一様かつ安定した電子
放出が可能となる。
【0013】回転するロールをカーボン系材料パターン
に押し付けて、表面の凹凸または突起を押し潰すとよ
い。さらに、ロールの回転と同一方向に、カーボン系材
料パターンが形成された基板を移動させるとよい。ある
いは、基板を固定し、ロールを回転させつつ基板と平行
に移動させてもよい。
【0014】また、カーボン系材料パターンが形成され
た基板をプレス処理することによって、カーボン系材料
パターンの表面の凹凸または突起を押し潰してもよい。
【0015】カーボン系材料パターンとロールまたはプ
レス器のあいだに平坦な基板を介装し、この基板によっ
てカーボン系材料パターンの表面の凹凸または突起を押
し潰してもよい。
【0016】基板上のカーボン系材料は、ペースト状に
したカーボン形材料を陰極形状のパターンにスクリーン
印刷して形成することができる。また、CVD法によっ
てカーボン系材料を選択的に成長させることにより、基
板上にカーボン系材料を形成することもできる。
【0017】カーボン系材料には、カーボンナノチュー
ブ、フラーレン、カーボンナノホーン、ナノパーティク
ル、カーボンナノウォールのうちの1つもしくは複数、
あるいはすべてが含まれていることが望ましい。
【0018】
【発明の実施の形態】以下、添付の図面を参照して、本
発明の実施の形態を具体的に説明する。
【0019】実施の形態1 本発明の一実施の形態における電子源の製造方法を、図
1の概略図に示す。本実施の形態は、基板上に形成した
カーボンナノチューブ陰極に対し、ロールによる押し付
け処理を加えることを特徴とする。
【0020】基板1上に、カーボンナノチューブを含有
したカーボン系材料2が形成されている。基板1に用い
る材料としては、カーボン系材料の焼成時の高温に耐え
うるガラスなどが望ましい。カーボン系材料2は、カー
ボン系粒子をペースト化して印刷し、乾燥および焼成を
行なうことにより形成する。したがって、カーボン系材
料2の表面には、カーボン系粒子に起因する凹凸および
凝集したカーボン系粒子に起因する突起が存在する。
【0021】そこで本実施の形態では、カーボン系材料
2に対しロールによる押し付け処理を加え、凹凸および
突起の緩和を行なう。
【0022】ロールによる押し付け処理は、回転する2
つのロール、すなわち上ロール4、下ロール5によって
行なわれる。上ロール4および下ロール5は同一の仕様
であり、ロール長さは500mm、ロール径は56mm
である。また、上ロール4の回転方向8と下ロール5の
回転方向9は反対方向である。さらに、上ロール4およ
び下ロール5は、それぞれ矢印6、7で示されているよ
うに、基板に向かって加圧されている。ロールへの印加
圧力は0.2〜0.3MPaである。
【0023】この上ロール4と下ロール5とのあいだに
基板1を挿入し、矢印10に示す方向へ進行させる。基
板の進行速度は10mm/秒である。この押し付け処理
により、カーボン系材料の表面の凹凸および突起を押し
潰すことができる。
【0024】本実施の形態によれば、上下2つのロール
により、基板に対し簡便に均一な荷重をかけることがで
きる。また、ロール押し付け処理を複数回繰り返す事
で、より効果的に突起を押し潰すことができる。
【0025】なお、図2に示すように、カーボン系材料
2上に保護カバー3を配置し、上ロール4とカーボン系
材料2との直接接触を防止してもよい。保護カバー3
は、基板1と同一の材料でもかまわない。
【0026】ところで、カーボン系材料を基板上に形成
したあとであれば、ロールによる押し付け処理はいつ行
なってもよい。ただし、スクリーン印刷で陰極を形成す
る場合、カーボン系材料がロールや保護カバーに付着し
にくい、溶剤成分の乾燥後にロールによる押し付け処理
を行なうことが望ましい。
【0027】押し付け処理による凹凸および突起の緩和
を、図3および図4の模式図にて説明する。図3は押し
付け処理前の基板を示した図である。基板1上に電極1
1が形成され、電極11上にカーボン系材料12が形成
されている。カーボン系材料12の表面には、カーボン
系粒子に起因する凹凸および突起が存在している。
【0028】図4は押し付け処理後の基板を示した図で
ある。押し付け処理によってカーボン系材料の表面の凹
凸および突起が緩和され、表面の平坦な陰極13を得る
ことが可能である。
【0029】図3および図4の例では、電極11とカー
ボン系材料12(陰極13)とが積層されて電気的接続
を形成していた。しかし、図5に示すように、電極14
とカーボン系材料15とが基板に平行な方向で電気的に
接続されている場合であっても、本発明の電子源の製造
方法によれば、押し付け処理によって、図6に示す表面
の凹凸の少ない陰極16を得ることが可能である。
【0030】なお、冷陰極の代表例としてカーボンナノ
チューブを用いた陰極を説明したが、フラーレン、カー
ボンナノホーン、ナノパーティクル、カーボンナノウォ
ールなどカーボン系材料を用いた冷陰極であれば同様
に、押し付け処理によって陰極表面の平坦性を高めるこ
とが可能である。
【0031】また、カーボン系材料をスクリーン印刷
し、乾燥と焼成とを行なって陰極を形成する場合を例と
して説明したが、CVD法によってカーボン系材料を基
板上に選択的に(すなわち陰極のパターンに)成長させ
て陰極を形成する場合であっても、同様に、押し付け処
理によって陰極表面の平坦性を高めることが可能であ
る。
【0032】実施の形態2 本発明のほかの実施の形態における電子源の製造方法
を、図7および図8の概略図に示す。本実施の形態は、
基板上に形成したカーボンナノチューブ陰極に対し、ロ
ールによる押し付け処理を加えることを特徴とする。
【0033】図7に示す実施の形態においては、ステー
ジ21上に置かれた基板1に対し、移動するロール22
によって押し付け処理が行なわれる。ロール22は、矢
印23に示されているとおり、ステージ21に向かって
加圧されている。また、ロールの進行方向25は、ロー
ルの回転方向24に合わせてある。表面にカーボン系材
料2が形成されている基板1をステージ21上に置き、
ロール22を基板1に向かって押し付けつつ、進行方向
25へ移動させる。この処理によって、カーボン系材料
の凹凸および突起を押し潰し、平坦なカーボンナノチュ
ーブ陰極を得ることができる。
【0034】また、図8に示す実施の形態においては、
ロール27は移動させず、基板1を置いたステージ26
を進行方向30に移動させる。ロール27を回転方向2
9に回転させながら矢印28に示す方向に加圧し、表面
にカーボン系材料2が形成されている基板1に押し付
け、カーボン系材料の凹凸および突起を押し潰して、平
坦なカーボンナノチューブ陰極を得ることができる。
【0035】なお、図9、図10に示すように、ロール
22、27とカーボンナノチューブを含有したカーボン
系材料2とが直接接触することを防ぐために、保護カバ
ー3を介装させてもよい。保護カバーは、基板1と同一
材料でもかまわない。
【0036】実施の形態3 本発明の別の実施の形態における電子源の製造方法を、
図11の概略図に示す。本実施の形態は、基板上に形成
したカーボンナノチューブ陰極に対し、プレスによる押
し付け処理を加えることを特徴とする。
【0037】図11に示す本実施の形態において、基板
1上にカーボンナノチューブを含有したカーボン系材料
2が形成されている。この基板1をステージ31上に設
置し、プレス器32を押し当てて矢印33に示すとおり
加圧する。この処理により、カーボン系材料2の凹凸お
よび突起を押し潰すことができる。
【0038】プレス器32への印加圧力は、プレスによ
る押し付け処理後のカーボン系材料の表面状態によって
決めればよいが、0.01〜0.05MPa/cm2
度が目安となる。押し付け処理による表面の平坦化によ
って電子放出量の均一化が図れる。したがって、電子源
の使用目的や使用条件を勘案の上、必要な表面状態が得
られるような圧力をプレス器32に印加すればよい。
【0039】なお、基板1がプレス器32に比べて大き
い場合には、基板1上でプレス器32を当てる場所をか
えながら、複数回に分けてプレス処理を行なえばよい。
また、実施の形態1および2と同様、プレス器32と基
板1とのあいだに保護カバー3を介装させてもよい。
【0040】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
カーボン系材料表面の凹凸および突起を押し潰して、陰
極表面の凹凸を低減できる。その結果、引き出し電極と
陰極とのあいだの距離が一定となり、一様かつ安定した
電子放出が可能となる。
【0041】したがって、本発明による電子源を用いた
フラットパネルディスプレイでは、印加電圧によって精
度よく表示を制御することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施の形態における電子源製造方
法を説明する概略図である。
【図2】 本発明の一実施の形態における電子源製造方
法を説明する概略図である。
【図3】 押し付け処理前の基板を示した模式図であ
る。
【図4】 本発明による押し付け処理後の基板を示す模
式図である。
【図5】 押し付け処理前の基板を示した模式図であ
る。
【図6】 本発明による押し付け処理後の基板を示す模
式図である。
【図7】 本発明のほかの実施の形態における電子源製
造方法を説明する概略図である。
【図8】 本発明のほかの実施の形態における電子源製
造方法を説明する概略図である。
【図9】 本発明のほかの実施の形態における電子源製
造方法を説明する概略図である。
【図10】 本発明のほかの実施の形態における電子源
製造方法を説明する概略図である。
【図11】 本発明の別の実施の形態における電子源製
造方法を説明する概略図である。
【図12】 従来の電子源の一例を示した図である。
【図13】 図12の電子源を用いたフラットパネルデ
ィスプレイを説明する図である。
【符号の説明】
1 基板、2 カーボン系材料、3 保護カバー、4
上ロール、5 下ロール、6 上ロール加圧方向、7
下ロール加圧方向、8 上ロール回転方向、9 下ロー
ル回転方向、10 基板進行方向、11 電極、12
(凹凸および突起を有する)カーボン系材料、13 陰
極(平坦化されたカーボン系材料)、14 電極、15
(凹凸および突起を有する)カーボン系材料、16
陰極(平坦化されたカーボン系材料)、21 ステー
ジ、22 ロール、23 ロール加圧方向、24 ロー
ル回転方向、25 ロール進行方向、26 ステージ、
27 ロール、28 ロール加圧方向、29 ロール回
転方向、30 ステージ進行方向、31 ステージ、3
2 プレス器、33 プレス器加圧方向、41基板、4
2 電極、43 陰極、44 絶縁層、45 引き出し
電極、46 電子。
フロントページの続き (72)発明者 柴山 耕三郎 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 開 政明 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 三 菱電機株式会社内 Fターム(参考) 5C031 DD17

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板上にカーボン系材料からなる陰極を
    形成した電子源であって、該カーボン系材料からなる陰
    極の表面の凹凸または突起が押し潰されていることを特
    徴とする電子源。
  2. 【請求項2】 陰極にカーボン系材料を用いた電子源の
    製造方法であって、該陰極を形成する工程が、基板上に
    カーボン系材料により陰極形状のパターンを形成する工
    程と、形成したカーボン系材料パターンの表面の凹凸ま
    たは突起を押し潰す工程とからなる電子源の製造方法。
  3. 【請求項3】 前記形成したカーボン系材料パターン
    に、回転するロールを押し付けて表面の凹凸または突起
    を押し潰すことを特徴とする請求項2記載の電子源の製
    造方法。
  4. 【請求項4】 前記ロールの回転方向と同一方向に、前
    記カーボン系材料パターンを形成した基板を移動させる
    ことを特徴とする請求項3記載の電子源の製造方法。
  5. 【請求項5】 前記カーボン系材料パターンを形成した
    基板を固定し、前記ロールを回転させながら該基板上を
    移動させることを特徴とする請求項3記載の電子源の製
    造方法。
  6. 【請求項6】 前記カーボン系材料パターンを形成した
    基板をプレス処理することによって、該カーボン系材料
    パターンの表面の凹凸または突起を押し潰すことを特徴
    とする請求項2記載の電子源の製造方法。
  7. 【請求項7】 前記形成したカーボン系材料パターン上
    に平坦な基板を設置し、該基板を介してカーボン系材料
    パターンの表面の凹凸または突起を押し潰すことを特徴
    とする請求項3、4、5または6記載の電子源の製造方
    法。
  8. 【請求項8】 ペースト状にしたカーボン形材料を陰極
    形状のパターンにスクリーン印刷することにより、基板
    上にカーボン系材料からなる陰極形状のパターンを形成
    することを特徴とする請求項2、3、4、5、6または
    7記載の電子源の製造方法。
  9. 【請求項9】 CVD法によってカーボン系材料を選択
    的に成長させることにより、基板上にカーボン系材料か
    らなる陰極形状のパターンを形成することを特徴とする
    請求項2、3、4、5、6、7または8記載の電子源の
    製造方法。
  10. 【請求項10】 前記カーボン系材料に、カーボンナノ
    チューブ、フラーレン、カーボンナノホーン、ナノパー
    ティクル、カーボンナノウォールのうちの1つもしくは
    複数、あるいはすべてが含まれていることを特徴とする
    請求項1記載の電子源。
JP2001181988A 2001-06-15 2001-06-15 電子源およびその製造方法 Pending JP2002373569A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001181988A JP2002373569A (ja) 2001-06-15 2001-06-15 電子源およびその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001181988A JP2002373569A (ja) 2001-06-15 2001-06-15 電子源およびその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002373569A true JP2002373569A (ja) 2002-12-26

Family

ID=19022168

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001181988A Pending JP2002373569A (ja) 2001-06-15 2001-06-15 電子源およびその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002373569A (ja)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006049066A (ja) * 2004-08-04 2006-02-16 Dialight Japan Co Ltd 電界電子放出素子およびその製造方法ならびに照明装置
JP2006066315A (ja) * 2004-08-30 2006-03-09 Dialight Japan Co Ltd バックライト用電界電子放出型蛍光管
JP2006120621A (ja) * 2004-09-21 2006-05-11 Masaru Hori 燃料電池用セパレータ、燃料電池用電極構造、それらの製造方法、及びこれを備えた固体高分子型燃料電池
JP2006120332A (ja) * 2004-10-19 2006-05-11 Dialight Japan Co Ltd 液晶表示装置用バックライト装置
JP2006196417A (ja) * 2005-01-17 2006-07-27 Dialight Japan Co Ltd 冷陰極蛍光ランプの駆動方法およびその駆動電源
US7109663B2 (en) 2003-06-11 2006-09-19 Canon Kabushiki Kaisha Electron emission device, electron source, and image display having dipole layer
JP2006294545A (ja) * 2005-04-14 2006-10-26 Dialight Japan Co Ltd 真空管
JP2008505832A (ja) * 2004-07-06 2008-02-28 ナノプロプリエタリー,インコーポレイテッド 電界放出用途のためのカーボンナノチューブの活性化
US7583016B2 (en) 2004-12-10 2009-09-01 Canon Kabushiki Kaisha Producing method for electron-emitting device and electron source, and image display apparatus utilizing producing method for electron-emitting device
US7811625B2 (en) 2002-06-13 2010-10-12 Canon Kabushiki Kaisha Method for manufacturing electron-emitting device
KR20220106422A (ko) * 2021-01-22 2022-07-29 주식회사 일렉필드퓨처 캐소드 에미터 기판의 제조방법, 이에 의해 제조된 캐소드 에미터 기판 그리고, 이를 포함하는 엑스레이소스

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7811625B2 (en) 2002-06-13 2010-10-12 Canon Kabushiki Kaisha Method for manufacturing electron-emitting device
US7259520B2 (en) 2003-06-11 2007-08-21 Canon Kabushiki Kaisha Electron emission device, electron source, and image display having dipole layer
US7682213B2 (en) 2003-06-11 2010-03-23 Canon Kabushiki Kaisha Method of manufacturing an electron emitting device by terminating a surface of a carbon film with hydrogen
US7109663B2 (en) 2003-06-11 2006-09-19 Canon Kabushiki Kaisha Electron emission device, electron source, and image display having dipole layer
JP2008505832A (ja) * 2004-07-06 2008-02-28 ナノプロプリエタリー,インコーポレイテッド 電界放出用途のためのカーボンナノチューブの活性化
JP2006049066A (ja) * 2004-08-04 2006-02-16 Dialight Japan Co Ltd 電界電子放出素子およびその製造方法ならびに照明装置
JP4591950B2 (ja) * 2004-08-30 2010-12-01 株式会社ピュアロンジャパン バックライト用電界電子放出型蛍光管
JP2006066315A (ja) * 2004-08-30 2006-03-09 Dialight Japan Co Ltd バックライト用電界電子放出型蛍光管
JP2006120621A (ja) * 2004-09-21 2006-05-11 Masaru Hori 燃料電池用セパレータ、燃料電池用電極構造、それらの製造方法、及びこれを備えた固体高分子型燃料電池
JP2006120332A (ja) * 2004-10-19 2006-05-11 Dialight Japan Co Ltd 液晶表示装置用バックライト装置
JP4628744B2 (ja) * 2004-10-19 2011-02-09 株式会社ピュアロンジャパン 液晶表示装置用バックライト装置
US7583016B2 (en) 2004-12-10 2009-09-01 Canon Kabushiki Kaisha Producing method for electron-emitting device and electron source, and image display apparatus utilizing producing method for electron-emitting device
JP2006196417A (ja) * 2005-01-17 2006-07-27 Dialight Japan Co Ltd 冷陰極蛍光ランプの駆動方法およびその駆動電源
JP4685457B2 (ja) * 2005-01-17 2011-05-18 株式会社ピュアロンジャパン 冷陰極蛍光ランプの駆動方法およびその駆動電源
JP2006294545A (ja) * 2005-04-14 2006-10-26 Dialight Japan Co Ltd 真空管
KR20220106422A (ko) * 2021-01-22 2022-07-29 주식회사 일렉필드퓨처 캐소드 에미터 기판의 제조방법, 이에 의해 제조된 캐소드 에미터 기판 그리고, 이를 포함하는 엑스레이소스
KR102526595B1 (ko) 2021-01-22 2023-04-28 주식회사 일렉필드퓨처 캐소드 에미터 기판의 제조방법, 이에 의해 제조된 캐소드 에미터 기판 그리고, 이를 포함하는 엑스레이소스

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6436221B1 (en) Method of improving field emission efficiency for fabricating carbon nanotube field emitters
US6448709B1 (en) Field emission display panel having diode structure and method for fabricating
US7582001B2 (en) Method for producing electron-emitting device and electron-emitting apparatus
KR100911370B1 (ko) 고 신뢰성 cnt 페이스트의 제조 방법 및 cnt 에미터제조 방법
US7843118B2 (en) Electron-emitting device, electron source using the same, image display apparatus, and information displaying and reproducing apparatus
US20070046165A1 (en) Pixel structure for an edge-emitter field-emission display
US6750604B2 (en) Field emission display panels incorporating cathodes having narrow nanotube emitters formed on dielectric layers
JP2002373569A (ja) 電子源およびその製造方法
Guo et al. Fabrication of field emission display prototype utilizing printed carbon nanotubes/nanofibers emitters
JP2006086118A (ja) 電界放出素子及びその製造方法
Itoh et al. Development of field emission displays
US5838103A (en) Field emission display with increased emission efficiency and tip-adhesion
WO2003085692A1 (fr) Dispositif d'affichage a cathode froide et procede de production dudit dispositif d'affichage a cathode froide
US7432217B1 (en) Method of achieving uniform length of carbon nanotubes (CNTS) and method of manufacturing field emission device (FED) using such CNTS
JP4119279B2 (ja) 表示装置
JP2006190665A (ja) 電界放出表示装置
US8294355B2 (en) Field emission device and field emission display using same
KR100556747B1 (ko) 전계 방출 소자
Jang et al. Application of carbon nanotubes to the cathode ray tube-electron gun
JP3663171B2 (ja) Fedパネル及びその製造方法
JP2002509339A (ja) 被覆ワイヤーのイオン衝撃された黒鉛電子エミッタ
US20050231097A1 (en) Electron-emission type field-emission display and method of fabricating the same
KR100539736B1 (ko) 전계 방출 소자
KR100532999B1 (ko) 전계 차폐판을 구비한 탄소 나노튜브 전계방출소자
JP3136415B2 (ja) 画像表示装置の製造方法