JP2006269317A - 画像表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 走査線電極の全長にわたって一様な膜厚で均一な低抵抗とし、走査線電極の局部的な抵抗ムラや段切れを抑制して、高品質の画像表示装置を提供する。
【解決手段】 第1の基板となる絶縁基板SUB1の主面を加工した溝MZに埋設した走査線下部電極GL−L、第1絶縁層INS1、信号線電極DL、第2の絶縁層INS2、第3の絶縁層INS3、および走査線上部電極GL−Hの積層構造とする。電子源EMを信号線電極DLと第2の絶縁層INS2および走査線上部電極GL−Hで構成する。
【選択図】 図4
【解決手段】 第1の基板となる絶縁基板SUB1の主面を加工した溝MZに埋設した走査線下部電極GL−L、第1絶縁層INS1、信号線電極DL、第2の絶縁層INS2、第3の絶縁層INS3、および走査線上部電極GL−Hの積層構造とする。電子源EMを信号線電極DLと第2の絶縁層INS2および走査線上部電極GL−Hで構成する。
【選択図】 図4
Description
本発明は、マトリクス状に配置された複数の電子源から放出された電子で蛍光体を発光させて画像を表示するフラットパネル方式の画像表示装置に関する。
微小で集積可能な冷陰極電子源を用いて画像を表示する装置として、特に、薄型のフラットパネル方式のディスプレイ(FPD)と略称される表示装置として、電界放出型(FED)、金属―絶縁体―金属型(MIM)、金属―絶縁体―半導体型(MIS)、表面伝導型、あるいは金属―絶縁体―半導体−金属型等の電子源を用いた表示装置などがある。ここでは、MIMを例として説明する。また、この種のフラットパネル方式の画像表示装置を単にパネルとも称する。この種の画像表示装置に関する従来技術を開示したものとしては、特許文献1を挙げることができる。
特開2004−111053号公報
FED等の画像表示装置は、絶縁基板の主面に、第一の方向に延在し、前記第一の方向に交差する第二の方向に並設された多数の信号線電極と、この信号線電極の上層に絶縁層を介して交差する多数の走査線電極を有し、信号線電極と走査線電極の交差部で該走査線電極とは平面的に隣接する信号線電極に電子源を形成している。一本の走査線電極には、当該走査線電極に交差する多数の信号線電極に対応する多数の電子源が接続しており、同一の走査線電極に接続する電子源は全て同時に動作する。そのため、走査線電極には大きな電流が流れる。したがって、走査線電極は低抵抗であることが要求される。
特に、パネルのサイズが大型化すると、走査線電極に交差する信号線電極の数も多くなり、走査線電極の長さも長くなるため、給電端から遠くなるほど、電子源を駆動するための電力が低下し、表示画像に輝度ムラが生じて、高品質の画像表示が出来なくなる。そのため、走査線電極の低抵抗化は大きな課題の一つとなっている。
特許文献1では、電子源の下部電極を信号線とし、シート抵抗の低い上部給電電極を走査線とすることで走査線(本発明の走査線電極)に生じる電圧降下を許容値内として輝度ムラの発生を抑制した画像表示装置が記載されている。
また、従来の画像表示装置では、絶縁基板の主面に信号線(本発明の信号線電極) を形成し、その上層に走査線(本発明の走査線電極)が形成される。そして、該上層に形成された走査線の低抵抗化のために、この走査線を厚膜化したものがある。従来の構造は走査線を信号線の上に形成する構造であるが、信号線を形成した時点では凹凸がある。このような凹凸面の上に、スパッタリング等で長手方向に均一な膜厚の薄膜の走査線を形成することは難しい。さらに、従来の構造では、信号線の形成後、走査線の形成前に電子源を形成する構造であるため、電子源を有する信号線形成面の上に銀ペーストの塗布と焼成で厚膜の走査線を形成することは、電子源を破壊するような高温プロセスを伴うことから実現は難しい。
従来技術では、第1の基板を構成する絶縁基板の主面に、先ず信号線電極を形成し、この上に走査線電極を交差させて形成することから、走査線電極は段差のある信号線電極の上に形成することになる。この段差は走査線電極の膜厚を不均一にして局部的な抵抗ムラを生じさせる原因となったり、所謂段切れを引き起こす可能性がある。
本発明の目的は、走査線電極を、その全長にわたって略々一様な膜厚で略々均一な低抵抗を有するものとし、走査線電極の局部的な抵抗ムラや段切れを抑制して、高品質の画像表示装置を提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明は、絶縁基板の主面に溝を加工し、あるいは該主面上に絶縁膜を堤部とした凹部を形成して、この溝または凹部に走査線下部電極を埋設する。埋設する走査線下部電極の上面は基板の主面と略々同一面となるようにして、その上層に形成する信号線電極の形成面を略々平坦化する。この上に絶縁層を介して信号線電極を配置する。そして、走査線下部電極の上に信号線電極とトンネル絶縁膜および走査線上部電極とで電子源を形成することで、走査線下部電極と走査線上部電極からなる走査線電極の幅を広くし、あるいは銀ペースト等の導電性粒子を混錬したペーストの塗布と焼成で走査線下部電極を厚膜化することにより、走査線電極を低抵抗化した。本発明の特徴を例示すれば以下のとおりである。
本発明の画像表示装置は、絶縁基板の主面に、第一の方向に延在し、前記第一の方向に交差する第二の方向に並設された多数の走査線下部電極と、
前記走査線下部電極の上に当該走査線下部電極と絶縁され、前記第二の方向に延在し、前記第一の方向に並設された多数の信号線電極と、
前記信号線電極の上面に形成された電子加速層と、
前記電子加速層を覆って形成され、前記信号線電極の側部で前記走査線下部電極に電気的に接続された走査線上部電極とを有し、
前記電子加速層の形成領域に、前記信号線電極、前記電子加速層、および前記走査線上部電極の積層で形成した多数の電子源をマトリクス配置した表示領域を有する第1の基板と、
透明絶縁基板の主面に、前記電子源から放出された電子を加速する加速電極と、前記電子源のそれぞれに対応して配置され、前記電子源からの電子の励起で発光する蛍光体を形成した第2の基板と、
前記第1の基板と前記第2の基板の各主面を対向させ、両基板の間で、かつ前記表示領域を周回して設置され、前記第1の基板と前記第2の基板とで真空容器を構成する封止枠とを備え、
前記第1の基板に、当該第1の基板の主面に掘り込んだ溝を設け、この溝に前記走査線下部電極を埋設した。埋設した走査線下部電極の上面は第1の基板の主面と同じ面になるようにする。
前記走査線下部電極の上に当該走査線下部電極と絶縁され、前記第二の方向に延在し、前記第一の方向に並設された多数の信号線電極と、
前記信号線電極の上面に形成された電子加速層と、
前記電子加速層を覆って形成され、前記信号線電極の側部で前記走査線下部電極に電気的に接続された走査線上部電極とを有し、
前記電子加速層の形成領域に、前記信号線電極、前記電子加速層、および前記走査線上部電極の積層で形成した多数の電子源をマトリクス配置した表示領域を有する第1の基板と、
透明絶縁基板の主面に、前記電子源から放出された電子を加速する加速電極と、前記電子源のそれぞれに対応して配置され、前記電子源からの電子の励起で発光する蛍光体を形成した第2の基板と、
前記第1の基板と前記第2の基板の各主面を対向させ、両基板の間で、かつ前記表示領域を周回して設置され、前記第1の基板と前記第2の基板とで真空容器を構成する封止枠とを備え、
前記第1の基板に、当該第1の基板の主面に掘り込んだ溝を設け、この溝に前記走査線下部電極を埋設した。埋設した走査線下部電極の上面は第1の基板の主面と同じ面になるようにする。
また、本発明の画像表示装置は、絶縁基板の主面に、第一の方向に延在し、前記第一の方向に交差する第二の方向に並設された多数の走査線下部電極と、
前記走査線下部電極の上に当該走査線下部電極と絶縁され、前記第二の方向に延在し、前記第一の方向に並設された多数の信号線電極と、
前記信号線電極の上面に形成された電子加速層と、
前記電子加速層を覆って形成され、前記信号線電極の側部で前記走査線下部電極に電気的に接続された走査線上部電極とを有し、
前記電子加速層の形成領域に、前記信号線電極、前記電子加速層、および前記走査線上部電極の積層で形成した多数の電子源をマトリクス配置した表示領域を有する第1の基板と、
透明絶縁基板の主面に、前記電子源から放出された電子を加速する加速電極と、前記電子源のそれぞれに対応して配置され、前記電子源からの電子の励起で発光する蛍光体を形成した第2の基板と、
前記第1の基板と前記第2の基板の各主面を対向させ、両基板の間で、かつ前記表示領域を周回して設置され、前記第1の基板と前記第2の基板とで真空容器を構成する封止枠とを備え、
前記第1の基板の主面に、絶縁膜を堤部とした凹部を設け、この凹部に前記走査線下部電極を埋設した。埋設した走査線下部電極の上面は第1の基板の主面と同じ面になるようにする。
前記走査線下部電極の上に当該走査線下部電極と絶縁され、前記第二の方向に延在し、前記第一の方向に並設された多数の信号線電極と、
前記信号線電極の上面に形成された電子加速層と、
前記電子加速層を覆って形成され、前記信号線電極の側部で前記走査線下部電極に電気的に接続された走査線上部電極とを有し、
前記電子加速層の形成領域に、前記信号線電極、前記電子加速層、および前記走査線上部電極の積層で形成した多数の電子源をマトリクス配置した表示領域を有する第1の基板と、
透明絶縁基板の主面に、前記電子源から放出された電子を加速する加速電極と、前記電子源のそれぞれに対応して配置され、前記電子源からの電子の励起で発光する蛍光体を形成した第2の基板と、
前記第1の基板と前記第2の基板の各主面を対向させ、両基板の間で、かつ前記表示領域を周回して設置され、前記第1の基板と前記第2の基板とで真空容器を構成する封止枠とを備え、
前記第1の基板の主面に、絶縁膜を堤部とした凹部を設け、この凹部に前記走査線下部電極を埋設した。埋設した走査線下部電極の上面は第1の基板の主面と同じ面になるようにする。
また、本発明は、前記第1の基板と前記第2の基板の間を橋絡して、前記第1の基板と前記第2の基板の主面間の間隔を規制するスペーサを設けることができる。
本発明では、前記走査線下部電極をアルミニウムあるいはアルミニウム合金等の金属薄膜のエッチングでパターニングされた薄膜配線、あるいは銀ぺーストの焼成で形成された厚膜配線とすることができる。
なお、本発明では、前記第1の基板の主面における前記走査線下部電極の下層に下地膜を有することができ、この下地膜として窒化シリコンと酸化シリコンの積層膜を用いる。
本発明は、上記構成および後述する実施の形態に開示する構成に限定されるものではなく、本発明の技術思想を逸脱することなく、種々の変更が可能である。
本発明によれば、電子源を走査線下部電極より上に配置できるため、走査線下部電極をアルミニウムあるいはアルミニウム合金等の薄膜のエッチング加工等によるパターニングで形成する場合は、当該電極の配線幅を広くして低抵抗化による輝度ムラを抑制した高品質の画像表示装置が実現される。また、走査線下部電極を形成後に、信号線電極を形成できるので、走査線下部電極を銀ペースト等の印刷、焼成で厚膜配線として形成でき、低抵抗化が実現される。さらに、走査線下部電極を絶縁基板の主面に掘り込んだ溝に埋設したり、あるいは該主面に絶縁層を堤部とした凹部に埋設することで、略々一様な膜厚で、略々均一な低抵抗化が実現される。また、その上層に形成される信号線電極も略々平坦な面上に形成できるため、信号線の段切れや膜厚の不均一を抑制して、同様に高品質の画像表示装置が実現される。
以下、本発明の実施の形態について実施例の図面を用いて詳細に説明する。
図1は、本発明に係る画像表示装置の実施例1を説明する画素部分を模式的に説明する平面図である。図2は図1のA−A’線に沿った断面図である。また、図3は、下地膜を有する絶縁基板を用いた場合の図2と同様の断面図である。そして、図4は、図1のB−B’線に沿った断面図、図5は、下地膜を有する絶縁基板を用いた場合の図4と同様の断面図である。
図1と図2において、画像表示装置の第1の基板を構成する絶縁基板SUB1の内面(主面)に走査線を構成する多数の走査線下部電極GL−Lが形成されている。実施例1では、絶縁基板として下地膜を有しないガラス基板を用いている。走査線下部電極GL−Lはアルミニウムとネオジムの合金(Al−Nd)の薄膜をホトリソグラフィ技法を用いたエッチングでパターニングする等の薄膜加工技術で形成される。
走査線下部電極GL−Lは、図1に示したように、第一の方向(X方向)に延在し、第
一の方向と交差(ここでは直交)する第二の方向(Y方向)に多数並設される。この走査線下部電極GL−Lの上層に交差し、窒化シリコンを好適とする第1絶縁層INS1で絶縁された信号線電極DLが形成されている。信号線電極DLはアルミニウムとネオジムの合金(Al−Nd)でよく、Y方向に延在し、X方向に多数並設される。
一の方向と交差(ここでは直交)する第二の方向(Y方向)に多数並設される。この走査線下部電極GL−Lの上層に交差し、窒化シリコンを好適とする第1絶縁層INS1で絶縁された信号線電極DLが形成されている。信号線電極DLはアルミニウムとネオジムの合金(Al−Nd)でよく、Y方向に延在し、X方向に多数並設される。
信号線電極DLに対して、電子源EMの電子加速層となるトンネル絶縁膜を構成する領域に第2の絶縁層INS2を介在させ、その他の領域には第3の絶縁層INS3を介在させて走査線上部電極GL−Hが形成される。第2の絶縁層INS2は信号線電極DLの表面を陽極酸化したものを採用できる。走査線上部電極GL−Hはイリジウム(Ir)、白金(Pt)、金(Au)などの貴金属が好適である。図2に示したように、走査線上部電極GL−Hは第3の絶縁層INS3を貫通させたコンタクトホールCHで走査線下部電極GL−Lに電気的に接続され、走査線下部電極GL−Lと走査線上部電極GL−Hとで走査線が構成される。
電子源EMは、信号線電極DLと第2の絶縁層INS2および走査線上部電極GL−Hとの積層部分で構成される。第2の絶縁層INS2は第3の絶縁層INS3よりも薄く形成され、電子加速層あるいはトンネル絶縁膜とも呼ばれる。図1に示したように、この電子源EMは、平面で見て、走査線下部電極GL−Lの内側において信号線電極DL上に位置する。そのため、走査線下部電極GL−Lは、隣接する走査線下部電極GL−L同士がコンタクトしない程度で幅広く形成することができ、低抵抗化が可能となる。なお、走査線上部電極GL−Hは走査線下部電極GL−Lと同幅またはそれ以下の幅で形成すればよい。なお、下地膜を有する絶縁基板を用いた場合は、図3に示したようになる。
図1のB−B’線に沿う電子源EM部分の断面は、図4に示したように、第1の基板となる絶縁基板SUB1の主面を加工した溝MZに埋設した走査線下部電極GL−L、第1絶縁層INS1、信号線電極DL、第2の絶縁層INS2、第3の絶縁層INS3、および走査線上部電極GL−Hの積層構造となっている。そして、電子源EMは信号線電極DLと第2の絶縁層INS2(電子加速層)および走査線上部電極GL−Hで構成される。また、下地膜INS4を有するガラス基板を用いた場合は、図5に示したようになる。図5では、下地膜INS4が溝MZの底部とその近傍(溝の斜面)にも存在して走査線下部電極GL−Lとガラス基板SUB1との間に介在しているが、下地膜INS4を溝MZの底部とその近傍に有しない構造とすることも可能である。
実施例1により、一様な膜厚で、均一な低抵抗化を実現した走査線下部電極を形成して、その表面を絶縁基板の主面に平坦なものとすることができる。そのため、パネルのサイズが大型化した場合でも、走査線の給電端からの距離増加による輝度ムラが抑制され、信号線電極も平坦面に形成できるため、段切れや膜厚の不均一が抑制され、高品質の画素表示装置を実現することができる。
図6は、本発明に係る画像表示装置の実施例2を説明するための図1のB−B'線に沿った図4と同様の断面図である。図6の実施例2では、ガラス基板SUB1の主面に絶縁層INS5を堤部として該絶縁層INS5を溝状に除去した凹部UBを形成して、この凹部UBに走査線下部電極GL−Lを埋設した。ガラス基板SUB1の主面において、走査線下部電極GL−Lと絶縁層INS5の表面はほぼ同一面とする。この上に絶縁層INS1を形成した後、信号線電極DLを形成する。この後は実施例1と同様の積層構造とする。また、下地膜INS4を有するガラス基板を用いた場合は、図7に示したようになる。図7では、下地膜INS4が凹部UBの底部とその近傍(凹部UBの斜面)にも存在して走査線下部電極GL−Lとガラス基板SUB1との間に介在しているが、下地膜INS4を凹部UBの底部とその近傍に有しない構造とすることも可能である。
実施例2により、一様な膜厚で、均一な低抵抗化を実現した走査線下部電極を形成して、その表面を絶縁基板の主面に平坦なものとすることができる。そのため、パネルのサイズが大型化した場合でも、走査線の給電端からの距離増加による輝度ムラが抑制され、信号線電極も平坦面に形成できるため、段切れや膜厚の不均一が抑制され、高品質の画素表示装置を実現することができる。
実施例1および実施例2における下地層としては、窒化シリコンSiNと酸化シリコンSiOが好適である。この下地層を設けることで、ガラス基板からのナトリウムイオン(Na+)、カリウムイオン(K+)が走査線下部電極GL−Lや信号線電極DL側に拡散するのが防止され、これらのイオンによる電極等の劣化を抑制することができる。
また、走査線下部電極GL−Lには、銀等の導電性粒子を混錬したペーストをスクリーン印刷などで塗布し、焼成することで厚膜の走査線下部電極とすることができる。これにより、低抵抗の走査線下部電極GL−Lを実現できる。
特に、走査線下部電極GL−Lを銀ペースト等の塗布と焼成で厚膜電極として形成する実施例2では、ガラス基板の主面が必ずしも平坦でなくてもよい。
図8は、本発明の画像表示装置の実施例1のより具体的な構成を説明する3面図であり、図8(a)は平面図、図8(b)はX方向側面図、図8(c)はY方向側面図を示す。図8には第1の基板の絶縁基板を構成するガラス基板SUB1の主面に下地層を有しないタイプのものとして示してあるが、下地層を有するものでも下地層を除く構成は図8と同様である。
図8において、ガラス基板SUB1の主面に走査線下部電極GL−Lが形成されている。この走査線下部電極GL−Lは、実施例1で説明したガラス基板SUB1の主面に加工した溝MZに銀ペーストを塗布し、焼成したものである。銀ペーストの塗布と焼成後、絶縁層INS3、信号線電極DL、走査線上部電極GL−Hなどを形成し、信号線電極DLと走査線下部電極GL−Lの交差部分に電子源EDを配置した画像表示装置が得られる。電子源EDは、信号線電極DLを下側の電極とし、この信号線電極DLの上面に形成したトンネル絶縁膜の上層を覆って走査線下部電極GL−Lに接続する走査線上部電極GL−Hを上側の電極として構成される。なお、図8には、前記の実施例1に示した絶縁層INS3以外の各絶縁層や絶縁膜は図示を省略した。
次に、本発明による画素表示装置の製造プロセスの全体を図9乃至図19を用いて説明する。図9から図11は実施例1で説明した第1の基板の製造プロセスを、図12から図14は、実施例2で説明した第1の基板の製造プロセスの説明図である。また、図15から図17は、実施例1および実施例2で説明した第2の基板の製造プロセスの説明図である。そして、図18と図19は、第1の基板と第2の基板をパネルに組み立てて画像表示装置とする製造プロセスの説明図である。なお、以下のプロセスでは下地層を有しないガラス基板を用いた場合を説明するが、下地層を有するガラス基板を用いた場合も同様である。
図9乃至図11を用いて第1基板の製造プロセスを説明する。ここでは、第1基板を構成するガラス基板の主面をサンドブラスト加工で溝を形成する。しかし、溝加工はサンドブラストに限るものではなく、フッ酸を用いたエッチング加工、その他の基地のガラス面加工技術を用いることができる。
図9において、ガラス基板SUB1を純水洗浄し、ベーキングして除歪する(1)。洗浄した後、形成する溝に対応する部分を除いたパターンに耐ブラスト性のレジストANT−Bをスクリーン印刷機を用いて印刷し、乾燥炉内で80℃程度に加熱してレジスト内の溶剤を除去する(2)。レジストANT−Bの膜厚の典型例としては、例えば10μmである。レジストANT−Bのパターンを形成したガラス基板SUB1にサンドブラスト装置を用いて削り加工を施し、溝MZを形成する。溝MZの深さは、例えば15μm程度である。その後、レジストANT−Bを剥離除去する(3)。レジストANT−Bの剥離では、3wt%水酸化ナトリウム水溶液で膨潤して洗浄し、除去する。除去後、乾燥する。なお、耐ブラスト性の感光性レジストを塗布し、乾燥し、ホトリソグラフィ技法を用い、形成する溝に対応する部分を除いた部分に感光性レジストを残す方法を採用することもできる。
スクリーン印刷機を用いて、銀ペーストを加工した溝MZに充填し、埋設されるように印刷し、焼成炉で500℃程度に加熱してバインダを除去することで、走査線下部電極GL−Lとする(4)。そして、走査線下部電極GL−Lとガラス基板SUB1の主面とに段差が生じないように研磨する。
図10において、スクリーン印刷機を用いて、誘電体ガラスペーストを走査線下部電極GL−Lと直交する方向に所望のパターンに印刷する。これを焼成炉で500℃程度に加熱し、焼成して絶縁層INS1を形成する(5)。この上の全面に、スパッタ装置を用いてAl−Nd(Al+2w%Nd)を膜厚が400nmに成膜する(6)。
Al−Nd膜に直交する信号線電極のパターンにエッチングレジストRGを厚さ10μmに形成し、乾燥炉内で80℃程度に加熱してエッチングレジストRG内の溶剤を除去する(7)。エッチング装置で、エッチング液としてPAN(40℃)を用い、Al−Nd膜の信号線電極DLを形成する。剥離装置でNMPを用いてエッチングレジストを溶解し除去し、洗浄する(8)。
図11において、エッチング加工して形成した信号線電極の上に、DC反応性スパッタ装置で絶縁層として酸窒化シリコンSiONを200nmの膜厚に成膜する。レジストのドライフィルムをラミネ―タを用いて積層する。これをレーザ直描装置を用いて所用箇所を露光する。これを現像して露光箇所以外のレジストを除去する。(9)レジストパターン箇所以外の絶縁層SiONをドライエッチング装置で除去する。そして、剥離装置でNMPを用いてエッチングレジストを溶解し除去する(10)。
陽極酸化装置で化成液を用いて、膜厚10nm程度の陽極酸化膜Al2O3を形成してトンネル絶縁膜INS2を得る(11)。これを洗浄し、乾燥する。以下、スパッタ装置でIn/Pt/Au膜を成膜して走査線上部電極GL−Hとする。この走査線上部電極GL−Hは、図1、図2に示したように、コンタクトホールCHで走査線下部電極GL−Lに電気的に接続している。そして、レーザ装置を用いて走査線ごとに分離する。
次に、図12乃至図14により実施例2で説明した第1の基板の製造プロセスを説明する。ここでは、ガラス基板の主面に、絶縁膜を堤部とした凹部を形成し、この凹部に走査線下部電極を埋設する。先ず、図12において、第1の基板となるガラス基板SUB1を洗浄し、べークして除歪する(1)。その主面に絶縁層INS4としてSiO2を成膜する(2)。ガラスペーストをスクリーン印刷して凹部の堤部となる絶縁層INS5を形成する(3)。この凹部に埋設する如くスクリーン印刷で銀ペーストを印刷し、焼成して走査線下部電極GL−Lを形成する(4)。
図13において、絶縁層1としてガラスペーストをスクリーン印刷し、焼成する(5)。この上にAl−Ndをスパッタし(6)、信号線電極のパターンに開口を有するエッチングレジストを印刷する(7)。エッチングを施して信号線電極DLを形成し、レジストを剥離し、洗浄する(8)。
図14において、信号線電極DLを覆って絶縁層INS3を塗布し、レジストを塗布し、乾燥後、信号線電極DLの電子源形成部分に開口を有する如く露光、現像する(9)。レジストを剥離し、洗浄する(10)。絶縁層INS3の開口部に露呈する信号線電極DLに陽極酸化処理を施してトンネル絶縁膜INS2とする(11)。以下、スパッタ装置でIn/Pt/Au膜を成膜して走査線上部電極GL−Hとする。この走査線上部電極GL−Hは、図1、図2に示したように、コンタクトホールCHで走査線下部電極GL−Lに電気的に接続している。そして、レーザ装置を用いて走査線ごとに分離する。
図15乃至図17を用いて第2の基板の製造プロセスを説明する。先ず、図15において、第2の基板となるガラス基板SUB2を洗浄し、除歪のべークを施す(1)。ブラックマトリクス用の膜として、CrO2―Crをスパッタする(2)。この上にホトレジストRGを塗布し、乾燥後、ブラックマトリクスのパターンを有するマスクを用いて露光し現像し(3)、エッチングを施してブラックマトリクスBMを形成する。レジストを除去し、洗浄する(4)。
図16において、形成したブラックマトリクスBMの緑(G)開口に緑の蛍光体(G)を印刷し、乾燥する(5)。次いで、ブラックマトリクスBMの青(B)開口に緑の蛍光体(B)を印刷し、乾燥する(6)、そしてブラックマトリクスBMの赤(R)開口に赤の蛍光体(R)を印刷し、乾燥する(7)。最後に、ブラックマトリクスBMと3色の蛍光体(G)(B)(R)からなる蛍光面を覆って保護・平滑化膜Fを塗布する(8)。
図17において、保護・平滑化膜Fの上に陽極(加速電極)ADとなるアルミニウムを成膜する(9)。図16において形成した各色蛍光体と平滑化膜に含まれる、有機物から成るバインダを除去し(10)、所定位置にディスペンサを用いてフリットFGを塗布し(11)、スペーサSPCを植立し、フリットに含まれる、有機物から成るバインダを除去する(12)。
次に、図18と図19を用いて第1の基板と第2の基板を組み立てるプロセスを説明する。先ず、図18において、第1の基板(所謂、カソード基板)SUB1をドライ洗浄する(1)。洗浄した第1の基板SUB1の主面を覆って走査線上部電極GL−Hとなる金(Au)、白金(Pt)、イリジウム(Ir)の何れか又はこれらの合金膜をスパッタする(2)。スパッタした走査線上部電極GL−Hを、レーザにより走査線下部電極GL−Lの境界に沿って分離する(3)。封止枠を設置する位置にフリットFGを塗布する(4)。
図19において、封止枠(枠ガラス)MFCを用意し、洗浄する(5)。洗浄した封止枠MFCの両面に、ディスペンサを用いてフリットFGを塗布する(6)。フリットに含まれる、有機物から成るバインダを除去する(7)。第1の基板SUB1に封止枠MFCを乗せ、その上に第2の基板SUB2を重ねて加熱し、フリットFGを溶融して第1の基板SUB1と封止枠MFCおよび第2の基板SUB2を接着し、内部を真空引きして封着する(8)。こうして、画像表示装置が組み立てられる。
以上の説明では走査線下部電極GL−Lを下層とし、これに交差させて信号線電極DLを積層した構成を前提としたが、従来の構造と同様に信号線電極DLを下層とした構造に対しても本発明を適用できる。
図20は、信号線電極を走査線電極の下層とした画像表示装置に本発明を適用した実施例を説明する画素部分を模式的に説明する平面図である。図21は図20のA−A’線に沿った断面図である。また、図22は、下地膜を有する絶縁基板を用いた場合の図21と同様の断面図である。そして、図23は、図20のB−B’線に沿った断面図、図24は、下地膜を有する絶縁基板を用いた場合の図23と同様の断面図である。
図20と図21および図22において、画像表示装置の第1の基板を構成する絶縁基板SUB1の内面(主面)に信号線電極DLが形成されている。図23と図24に示したように、信号線電極DLは絶縁基板SUB1の主面に加工した溝MZに埋設してある。なお、図22と図24は下地膜である絶縁層INS4を有する点を除いて図21と同様であるので、絶縁層INS4以外の構成の説明は図21と図23で行う。
信号線電極DLの上に絶縁層INS2を形成し、さらに絶縁層INS3を形成する。絶縁層INS2とINS3の電子源形成部分をエッチング処理して信号線電極DLを露出させる。露出させた信号線電極DLの表面を陽極酸化してトンネル絶縁膜とする。そして、絶縁層INS3の電子源の一方の側の上に走査線下部電極GL−Lを形成した後、この走査線下部電極GL−Lとトンネル絶縁膜および絶縁層INS3を覆って走査線上部電極GL−Hを形成する。走査線下部電極GL−Lは走査線のバス電極であり、低抵抗化を実現する。電子源EMはトンネル絶縁膜を挟んだ信号線電極DLと走査線上部電極GL−Hの積層構造で構成される。
図25と図26は、信号線電極を走査線電極の下層とした画像表示装置に本発明を適用した他の施例を説明する画素部分を模式的に説明する図20のB−B’線に沿った断面図である。図26は絶縁基板SUB1の主面に下地膜を形成した点を除いて図25と同様であるので、図25を参照して説明する。この例では、絶縁基板SUB1の主面に絶縁層INS5を形成し、この絶縁層INS5を堤部とした凹部UBに信号線電極を埋設したものである。その他の構成は前記の構成例と同様である。
これらの構成によっても、信号線電極の上層に、一様な膜厚で、均一な低抵抗化を実現した走査線下部電極を形成して、低抵抗化でき、パネルのサイズが大型化した場合でも、走査線の給電端からの距離増加による輝度ムラが抑制され、高品質の画素表示装置を実現することができる。
SUB1・・・第1の基板、SUB2・・・第2の基板、GL−L・・・走査線下部電極、GL−H・・・走査線上部電極、DL・・・信号線電極、INS1・・・第1絶縁層、INS2・・・第2絶縁層、INS3・・・第3絶縁層、INS4・・・第4絶縁層、INS5・・・第5絶縁層、EM・・・電子源。
Claims (10)
- 絶縁基板の主面に、第一の方向に延在し、前記第一の方向に交差する第二の方向に並設された多数の走査線下部電極と、
前記走査線下部電極の上に当該走査線下部電極と絶縁され、前記第二の方向に延在し、前記第一の方向に並設された多数の信号線電極と、
前記信号線電極の上面に形成された電子加速層と、
前記電子加速層を覆って形成され、前記信号線電極の側部で前記走査線下部電極に電気的に接続された走査線上部電極とを有し、
前記電子加速層の形成領域に、前記信号線電極、前記電子加速層、および前記走査線上部電極の積層で形成した多数の電子源をマトリクス配置した表示領域を有する第1の基板と、
透明絶縁基板の主面に、前記電子源から放出された電子を加速する加速電極と、前記電子源のそれぞれに対応して配置され、前記電子源からの電子の励起で発光する蛍光体を形成した第2の基板と、
前記第1の基板と前記第2の基板の各主面を対向させ、両基板の間で、かつ前記表示領域を周回して設置され、前記第1の基板と前記第2の基板とで真空容器を構成する封止枠とを備え、
前記第1の基板に、当該第1の基板の主面に掘り込んだ溝を有し、前記走査線下部電極が前記溝に埋設されていることを特徴とする画像表示装置。 - 前記第1の基板の主面に下地膜を有することを特徴とする請求項1に記載の画像表示装置。
- 前記下地膜は、前記溝の底面と前記走査線下部電極との間にも有することを特徴とする請求項2に記載の画像表示装置。
- 絶縁基板の主面に、第一の方向に延在し、前記第一の方向に交差する第二の方向に並設された多数の走査線下部電極と、
前記走査線下部電極の上に当該走査線下部電極と絶縁され、前記第二の方向に延在し、前記第一の方向に並設された多数の信号線電極と、
前記信号線電極の上面に形成された電子加速層と、
前記電子加速層を覆って形成され、前記信号線電極の側部で前記走査線下部電極に電気的に接続された走査線上部電極とを有し、
前記電子加速層の形成領域に、前記信号線電極、前記電子加速層、および前記走査線上部電極の積層で形成した多数の電子源をマトリクス配置した表示領域を有する第1の基板と、
透明絶縁基板の主面に、前記電子源から放出された電子を加速する加速電極と、前記電子源のそれぞれに対応して配置され、前記電子源からの電子の励起で発光する蛍光体を形成した第2の基板と、
前記第1の基板と前記第2の基板の各主面を対向させ、両基板の間で、かつ前記表示領域を周回して設置され、前記第1の基板と前記第2の基板とで真空容器を構成する封止枠とを備え、
前記第1の基板の主面に、絶縁膜を堤部とした凹部を有し、前記走査線下部電極が前記凹部に埋設されていることを特徴とする画像表示装置。 - 前記第1の基板の主面に下地膜を有することを特徴とする請求項4に記載の画像表示装置。
- 前記第1の基板と前記第2の基板の間を橋絡して、前記第1の基板と前記第2の基板の主面間の間隔を規制するスペーサを備えたことを特徴とする請求項1又は4に記載の画像表示装置。
- 前記走査線下部電極がアルミニウム又はアルミニウム合金薄膜のエッチングでパターニングされた薄膜配線であることを特徴とする請求項1又は4に記載の画像表示装置。
- 前記走査線下部電極が銀ぺーストの焼成で形成された厚膜配線であることを特徴とする請求項1又は4に記載の画像表示装置。
- 前記第1の基板の主面における前記走査線下部電極の下層に下地膜を有することを特徴とする請求項1又は4に記載の画像表示装置。
- 前記下地膜が窒化シリコンと酸化シリコンの積層膜からなることを特徴とする請求項1又は4に記載の画像表示装置。
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