KR100879291B1 - 전계 방출 표시 소자 및 이 소자의 후면 기판 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
후면 기판 상에서 캐소드 전극과 에미터 밑에 배치되는 언더게이트 전극을 구비한 전계 방출 표시 소자 및 이 소자의 후면 기판 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 표시 소자는, 후면 기판의 일면에 라인 패턴으로 제공되는 게이트 전극과; 상기 게이트 전극들을 덮으면서 후면 기판의 전면(全面)에 제공되며, 우물형 함몰부를 구비하는 다층 구조의 절연층과; 상기 절연층 위에 게이트 전극과 수직으로 교차하도록 라인 패턴으로 제공되며, 폭방향 일부가 상기 함몰부 내측에 배치되는 캐소드 전극과; 상기 함몰부의 내측에서 캐소드 전극의 가장자리에 제공되는 에미터와; 후면 기판에 대향하는 전면 기판의 일면에 제공되는 애노드 전극과; 애노드 전극 표면에 제공되는 형광막;을 포함하며, 인접하는 함몰부 사이의 절연층에는 게이트 전극을 노출시키기 위한 비아홀이 더욱 제공되고, 절연층의 상측 표면 및 비아홀의 내측 표면에는 게이트 전극과 통전하는 카운터 전극이 더욱 구비된다.
전계, 언더 게이트, 우물, 함몰, 절연, 캐소드, 카본 나노튜브, 카운터,
Description
도 1은 종래 기술에 따른 전계 방출 표시 소자의 개략적인 단면도.
도 2는 도 1의 에미터에서 방출되는 전자의 궤적 및 전계 분포를 나타내는 도면.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 전계 방출 표시 소자의 개략적인 단면도.
도 4는 도 3의 에미터에서 방출되는 전자의 궤적 및 전계 분포를 나타내는 도면.
도 5a 내지 5f는 도 3의 후면 기판 제조 방법을 나타내는 제1 실시예에 따른 공정도를 나타내는 도면.
도 6a 내지 6f는 도 3의 후면 기판 제조 방법을 나타내는 제2 실시예에 따른 공정도를 나타내는 도면.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계 방출 표시 소자의 개략적인 단면도.
도 8a 내지 8h는 도 7의 후면 기판 제조 방법을 나타내는 제3 실시예에 따른 공정도를 나타내는 도면.
도 9a 내지 9h는 도 7의 후면 기판 제조 방법을 나타내는 제4 실시예에 따른 공정도를 나타내는 도면.
본 발명은 후면 기판 상에서 캐소드 전극과 에미터 밑에 배치되는 언더게이트 전극을 구비한 전계 방출 표시 소자 및 소자의 후면 기판 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 전계 방출 표시소자는 냉음극을 전자 방출원으로 사용하여 이미지를 구현하는 평판 디스플레이로서, 최근에는 저전압(대략 10∼15V) 조건에서 전자를 방출하는 탄소계 물질을 이용하여 스크린 인쇄와 같은 후막 공정을 통해 에미터를 형성하는 기술이 연구되고 있다.
한편, 전계 방출 표시 소자가 캐소드, 애노드 및 게이트 전극을 구비하는 3극관 구조로 이루어질 때, 공지의 전계 방출 표시 소자는 후면 기판 상에 캐소드 전극과 에미터를 형성하고, 캐소드 전극과 에미터 위로 절연층을 개재하여 게이트 전극을 형성하며, 전면 기판 상에 애노드 전극과 형광막을 배치한 구조로 이루어진다.
그러나 전술한 3극관 구조에서 후막 공정을 통해 에미터를 형성하는 것은 기술적으로 매우 어려운 점이 있다. 이는 에미터를 형성하기 위해 게이트 전극과 절연층에 홀을 형성하고, 홀 내부에 탄소계 물질을 스크린 인쇄할 때, 탄소계 물질이 캐소드 전극과 게이트 전극에 걸쳐 형성되어 두 전극간 쇼트를 유발하기 때문이다.
따라서 도 1에 도시한 바와 같이 캐소드 전극(102)과 에미터(104) 밑으로 절연층(106)을 개재하여 후면 기판(108)에 게이트 전극(110)을 배열한 이른바 언더게이트 전극 구조가 국내 공개특허 공개번호 2001-58675호에 개시되어 있는바, 이러한 언더게이트 전극 구조는 에미터(104)가 절연층(106)의 상부에 형성되므로 에미터 형성이 용이하여 대면적 소자 제작이 용이하고, 캐소드 전극(102)과 게이트 전극(110)간 쇼트 발생이 전혀 없는 큰 장점이 있다.
그러나 전술한 언더게이트 전극 구조에서는 에미터(104)가 절연층(106)의 상부에 제공되므로 애노드 전극(112)의 고전압으로 인해 전자 방출이 일어나게 되는 다이오드형 전자 방출을 억제하는 것이 용이하지 않다. 또한, 도 2에 도시한 바와 같이 에미터(104)의 폭방향 에지에서 방출된 전자가 포물선을 그리면서 애노드 전극(112) 쪽으로 이동하게 되므로, 방출 전자빔의 방출 폭이 넓어져 자신과 마주하는 화소의 형광층(114) 뿐만 아니라 인접 화소의 형광층에도 영향을 주게 되고, 이로 인해 색순도 저하 및 미세화소 형성이 어려운 문제점이 있다.
또한, 게이트 전극(110)에 인가된 전압에 의한 전위를 에미터(104)에 효과적으로 집속시키는 것이 용이하지 않아 일반 게이트 구조의 소자, 즉 후면 기판 상에 캐소드 전극과 에미터를 형성하고, 캐소드 전극과 에미터 위로 절연층을 개재하여 게이트 전극을 형성한 표시 소자에 비해 전자 방출 효율이 저하되고, 구동 전압이 증가하는 단점을 갖고 있다.
본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 애노 드 전위에 의한 다이오드형 전자 방출을 억제할 수 있고, 에미터에서 방출되는 전자의 방출 각을 수직 방향으로 유도함으로써 빔 퍼짐을 최대한 억제할 수 있는 전계 방출 표시 소자 및 이 소자의 후면 기판 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,
후면 기판의 일면에 라인 패턴으로 제공되는 게이트 전극과;
상기 게이트 전극들을 덮으면서 후면 기판의 전면(全面)에 제공되며, 우물형 함몰부를 구비하는 다층 구조의 절연층과;
상기 절연층 위에 게이트 전극과 수직으로 교차하도록 라인 패턴으로 제공되며, 폭방향 일부가 상기 함몰부 내측에 배치되는 캐소드 전극과;
상기 함몰부의 내측에서 캐소드 전극의 가장자리에 제공되는 에미터와;
후면 기판에 대향하는 전면 기판의 일면에 제공되는 애노드 전극과;
애노드 전극 표면에 제공되는 형광막;
을 포함하는 전계 방출 표시 소자를 제공한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 의하면, 상기 함몰부는 절연층의 상측 표면에 대해 경사지게 형성되는 2개의 측부 경사면과, 상기 측부 경사면들 사이의 중앙 평면으로 이루어지며, 에미터는 폭방향 에지 부분이 상기 애노드 전극을 향하도록 측부 경사면에 배치된다.
이러한 구성의 전계 방출 표시 소자는,
후면 기판에 게이트 전극을 형성하는 단계와;
상기 게이트 전극의 위로 제1 절연막을 형성하는 단계와;
상기 제1 절연막 위로 제2 절연막을 형성하는 단계와;
상기 제2 절연막에 우물형의 함몰부를 형성하는 단계와;
상기 게이트 전극과 수직으로 교차하도록, 제2 절연막의 상측 표면 및 함몰부의 내측 일부 표면에 라인 패턴의 캐소드 전극을 형성하는 단계와;
상기 함몰부의 내측으로 캐소드 전극의 일부 폭을 덮도록 에미터를 형성하는 단계;
를 포함하는 본 발명의 제1 실시예에 따른 제조 방법에 의해 제조할 수 있다.
상기한 제조 방법에 있어서, 제1 절연막은 비감광성 절연 페이스트를 인쇄, 건조 및 소성하여 형성하고, 제2 절연막은 감광성 절연 페이스트를 인쇄 및 건조하여 형성하며, 함몰부는 제2 절연막을 노광, 현상 및 소성하여 형성할 수 있다.
다른 방법으로, 제1 절연막은 비감광성 절연 페이스트를 인쇄, 건조 및 소성하여 형성하고, 제2 절연막은 비감광성 절연 페이스트를 인쇄 및 건조하여 형성하며, 함몰부는 제2 절연막을 식각 및 소성하여 형성할 수 있다.
또다른 방법으로, 제1 절연막은 감광성 절연 페이스트를 인쇄, 건조 및 소성하여 형성하고, 제2 절연막은 비감광성 절연 페이스트를 인쇄 및 건조하여 형성하며, 함몰부는 제2 절연막을 식각 및 소성하여 형성하거나, 또는, 제1 절연막은 감광성 절연 페이스트를 인쇄, 건조 및 소성하여 형성하고, 제2 절연막은 감광성 절연 페이스트를 인쇄 및 건조하여 형성하며, 함몰부는 제2 절연막을 노광, 현상 및 소성하여 형성할 수 있다.
그리고, 상기한 전계 방출 표시 소자는,
후면 기판에 게이트 전극을 형성하는 단계와;
상기 게이트 전극의 위로 제1 절연막을 형성하는 단계와;
상기 제1 절연막에 우물형의 함몰부를 형성하는 단계와;
상기 제1 절연막 위로 제2 절연막을 형성함으로써, 제1 절연막의 함몰부에 채워지는 제2 절연막에 의해 상기 제2 절연막이 상기 함몰부를 구비하도록 하는 단계와;
상기 게이트 전극과 수직으로 교차하도록, 제2 절연막의 상측 표면 및 함몰부의 내측 일부 표면에 라인 패턴의 캐소드 전극을 형성하는 단계와;
상기 함몰부의 내측으로 캐소드 전극의 일부 폭을 덮도록 에미터를 형성하는 단계;
를 포함하는 본 발명에 따른 제2 실시예의 제조 방법에 의해 제조할 수도 있다.
상기 제2 실시예의 제조 방법에 있어서, 제1 절연막은 비감광성 절연 페이스트를 인쇄 및 건조하여 형성하고, 상기 함몰부는 제1 절연막을 식각 및 소성하여 형성하며, 상기 제2 절연막은 감광성 절연 페이스트를 인쇄, 건조 및 소성하여 형성할 수 있다.
다른 방법으로, 제1 절연막은 비감광성 절연 페이스트를 인쇄 및 건조하여 형성하고, 함몰부는 제1 절연막을 식각 및 소성하여 형성하며, 제2 절연막은 비감광성 절연 페이스트를 인쇄, 건조 및 소성하여 형성할 수 있다.
또다른 방법으로, 제1 절연막은 감광성 절연 페이스트를 인쇄 및 건조하여 형성하고, 함몰부는 제1 절연막을 노광, 현상 및 소성하여 형성하며, 제2 절연막은 비감광성 절연 페이스트를 인쇄, 건조 및 소성하여 형성하거나, 또는 제1 절연막은 감광성 절연 페이스트를 인쇄 및 건조하여 형성하고, 함몰부는 제1 절연막을 노광, 현상 및 소성하여 형성하며, 제2 절연막은 감광성 절연 페이스트를 인쇄, 건조 및 소성하여 형성할 수 있다.
본 발명의 전계 방출 표시 소자는 인접하는 함몰부 사이의 절연층에, 게이트 전극을 노출시키기 위한 비아홀을 제공하고, 절연층의 상측 표면 및 비아홀의 내측 표면에 게이트 전극과 통전하는 카운터 전극을 제공할 수 있다.
상기한 카운터 전극을 갖는 전계 방출 표시 소자는,
후면 기판에 게이트 전극을 형성하는 단계와;
상기 게이트 전극의 위로 제1 절연막을 형성하는 단계와;
상기 제1 절연막 위로 제2 절연막을 형성하는 단계와;
상기 제2 절연막에 우물형의 함몰부 및 제2 비아홀부를 형성하는 단계와;
상기 제1 절연막에 제1 비아홀부를 형성하여 제1 및 제2 비아홀부로 이루어지는 비아홀을 완성하는 단계와;
상기 게이트 전극과 수직으로 교차하도록, 상기 제2 절연막의 상측 표면 및 함몰부의 내측 일부 표면에 라인 패턴의 캐소드 전극을 형성하는 단계와;
상기 제2 절연막의 상측 표면 및 비아홀의 내측 표면에 상기 게이트 전극과 통전하는 카운터 전극을 형성하는 단계와;
상기 함몰부의 내측으로 캐소드 전극의 일부 폭을 덮도록 에미터를 형성하는 단계;
를 포함하는 본 발명의 제3 실시예에 따른 제조 방법에 의해 제조하는 것이 가능하다.
상기한 제3 실시예의 제조 방법에 있어서, 제1 절연막은 비감광성 절연 페이스트를 인쇄, 건조 및 소성하여 형성하고, 제2 절연막은 감광성 절연 페이스트를 인쇄 및 건조하여 형성하며, 함몰부 및 제2 비아홀부는 제2 절연막을 노광, 현상 및 소성하여 형성하고, 제1 비아홀부는 제1 절연막을 식각하여 형성할 수 있다.
다른 방법으로, 제1 절연막은 비감광성 절연 페이스트를 인쇄, 건조 및 소성하여 형성하고, 제2 절연막은 비감광성 절연 페이스트를 인쇄 및 건조하여 형성하며, 함몰부 및 제2 비아홀부는 제2 절연막을 식각 및 소성하여 형성하고, 제1 비아홀부는 제1 절연막을 식각하여 형성할 수 있다.
또다른 방법으로, 제1 절연막은 감광성 절연 페이스트를 인쇄, 건조 및 소성하여 형성하고, 제2 절연막은 비감광성 절연 페이스트를 인쇄 및 건조하여 형성하며, 함몰부 및 제2 비아홀부는 제2 절연막을 식각 및 소성하여 형성하고, 제1 비아홀부는 제1 절연막을 노광 및 현상하여 형성할 수 있다.
그리고, 또다른 방법으로, 제1 절연막은 감광성 절연 페이스트를 인쇄, 건조 및 소성하여 형성하고, 제2 절연막은 감광성 절연 페이스트를 인쇄 및 건조하여 형성하며, 함몰부 및 제2 비아홀부는 제2 절연막을 노광, 현상 및 소성하여 형성하고, 제1 비아홀부는 제1 절연막을 노광 및 현상하여 형성할 수 있다.
전술한 카운터 전극을 갖는 전계 방출 표시 소자는 본 발명의 제4 실시예에 따른 제조 방법에 의해 제조할 수도 있는데, 상기 제4 실시예의 제조 방법은,
후면 기판에 게이트 전극을 형성하는 단계와;
상기 게이트 전극의 위로 제1 절연막을 형성하는 단계와;
상기 제1 절연막에 우물형의 함몰부 및 제1 비아홀부를 형성하는 단계와;
상기 제1 절연막 위로 제2 절연막을 형성함으로써, 상기 함몰부 및 제1 비아홀부에 채워지는 제2 절연막에 의해 상기 제2 절연막이 함몰부 및 제2 비아홀부를 구비하도록 하는 단계와;
상기 제1 절연막의 제1 비아홀부에 채워진 제2 절연막을 제거하여 제1 및 제2 비아홀부로 이루어지는 비아홀을 완성하는 단계와;
상기 게이트 전극과 수직으로 교차하도록, 상기 제2 절연막의 상측 표면 및 함몰부의 내측 일부 표면에 라인 패턴의 캐소드 전극을 형성하는 단계와;
상기 제2 절연막의 상측 표면 및 비아홀의 내측 표면에 상기 게이트 전극과 통전하는 카운터 전극을 형성하는 단계와;
상기 함몰부의 내측으로 캐소드 전극의 일부 폭을 덮도록 에미터를 형성하는 단계;
를 포함한다.
제4 실시예의 제조 방법에 있어서, 제1 절연막은 비감광성 절연 페이스트를 인쇄 및 건조하여 형성하고, 제2 절연막은 감광성 절연 페이스트를 인쇄 및 건조하여 형성하며, 함몰부 및 제1 비아홀부는 제1 절연막을 식각 및 소성하여 형성하고, 제1 비아홀부에 채워진 제2 절연막은 노광, 현상 및 소성하여 제거할 수 있다.
다른 방법으로, 제1 절연막은 비감광성 절연 페이스트를 인쇄 및 건조하여 형성하고, 제2 절연막은 비감광성 절연 페이스트를 인쇄 및 건조하여 형성하며, 함몰부 및 제1 비아홀부는 제1 절연막을 식각 및 소성하여 형성하고, 제1 비아홀부에 채워진 제2 절연막은 식각 및 소성하여 제거할 수 있다.
또다른 방법으로, 제1 절연막은 감광성 절연 페이스트를 인쇄 및 건조하여 형성하고, 제2 절연막은 비감광성 절연 페이스트를 인쇄 및 건조하여 형성하며, 함몰부 및 제1 비아홀부는 제1 절연막을 노광, 현상 및 소성하여 형성하고, 제1 비아홀부에 채워진 제2 절연막은 식각 및 소성하여 제거할 수 있다.
그리고, 또다른 방법으로, 제1 절연막은 감광성 절연 페이스트를 인쇄 및 건조하여 형성하고, 제2 절연막은 감광성 절연 페이스트를 인쇄 및 건조하여 형성하며, 함몰부 및 제1 비아홀부는 제1 절연막을 노광, 현상 및 소성하여 형성하고, 제1 비아홀부에 채워진 제2 절연막은 노광, 현상 및 소성하여 제거할 수 있다.
전술한 제1 내지 제4 실시예의 제조 방법에 있어서, 함몰부는 제2 절연막의 상측 표면에 대해 경사지게 형성되는 2개의 측부 경사면과, 상기 측부 경사면들 사이의 중앙 평면을 구비하는 형상으로 형성하는 것이 바람직한데, 이러한 구성의 함몰부에는 에미터를의 폭방향 에지 부분을 상기 후면 기판과 마주보는 전면 기판을 향하도록 측부 경사면에 배치할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참고하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 전계 방출 표시소자의 단면도를 도시한 것이고, 도 4는 도 3의 에미터에서 방출되는 전자빔 궤적을 도시한 것이며, 도 5 및 도 6은 도 3에 도시한 소자의 후면 기판 제조 방법의 제1 및 제2 실시예를 나타내는 공정도를 도시한 것이다.
도시한 바와 같이 본 실시예의 전계 방출 표시소자는, 대향 배치되는 전, 후면 기판(12,14)을 포함하며, 후면 기판(14)에는 전계 형성으로 전자를 방출하는 구성이, 그리고 전면 기판(12)에는 전자에 의해 소정의 이미지를 구현하는 구성이 제공된다.
보다 구체적으로, 상기 후면 기판(14)에는 다수의 게이트 전극(16)이 라인 패턴으로 제공되고, 게이트 전극(16)들을 덮으면서 후면 기판(14) 전면(全面)으로 절연층(18)이 제공되며, 절연층(18) 위에는 게이트 전극(16)과 수직으로 교차하도록 다수의 캐소드 전극(20)이 라인 패턴으로 제공되고, 캐소드 전극(20) 및 절연층(18) 일부 표면에는 전자를 방출하는 에미터(22)가 제공된다.
여기서, 에미터(22)는 카본 나노튜브(carbon nanotube), 흑연, 다이아몬드상 카본(DLC; Diamond Liked Carbon) 등을 포함하는 탄소계 물질로 이루어지며, 이 탄소계 물질을 페이스트 형태로 제작한 다음 이를 캐소드 전극(20) 위에 후막 인쇄하여 에미터(22)를 형성할 수 있다.
한편, 후면 기판(14)과 마주보는 전면 기판(22)에는 전자 가속에 필요한 고전압(대략 1∼5 kV)이 인가되는 투명한 애노드 전극(24)과, 전자에 의해 여기되어 가시광을 방출하는 형광막(26)이 제공되며, 상기 양 기판(12,14)은 도시하지 않은 다수의 스페이서들에 의해 일정한 셀 갭이 유지된다.
상기한 구성에 따라, 캐소드 전극(20)과 게이트 전극(16) 사이에 소정의 직류 또는 교류 전압을 인가하고, 애노드 전극(24)에 고전압을 인가하면, 캐소드 전극(20)과 게이트 전극(16)의 전압 차에 의해 에미터(22) 주변에 전계가 형성되어 에미터(22)로부터 전자가 방출되고, 방출된 전자는 애노드 전압에 의해 형광막(26)에 도달하여 이 형광막(26)을 발광시킨다.
이러한 구성의 후면 기판(14) 구조에 있어서, 본 실시예의 상기 절연층(18)은 다층 구조, 바람직하게는 2층 구조로 이루어진다.
상술하면, 절연층(18)은 후면 기판(14)에 도포되는 제1 절연막(18a)과, 제1 절연막(18a)상에 도포되는 제2 절연막(18b)으로 이루어지는데, 상기 제2 절연막(18b)에는 우물형 함몰부(28)가 제공된다. 상기 함몰부(28)는 캐소드 전극(20)과 게이트 전극(16) 간의 간격은 축소하는 한편 캐소드 전극(20)과 애노드 전극(24)간의 간격은 증가시키는 방향으로 캐소드 전극(20)을 설치할 수 있도록 하기 위한 것으로, 제2 절연막(18b)의 상측 표면에 대해 경사지게 형성되는 2개의 측부 경사면(28a)과, 측부 경사면(28a)들 사이의 중앙 평면(28b)으로 이루어진다.
그리고, 캐소드 전극(20)은 폭방향 일부가 상기 함몰부(28)의 중앙 평면(28b) 일부까지 배치되도록 상기 제2 절연막(18b)상에 도포되며, 에미터(22)는 폭방향 에지 부분이 상기 애노드 전극(24)을 향하도록 측부 경사면(28a)까지 도포된다.
이러한 구성의 전계 방출 표시 소자는 에미터(22)가 함몰부(28) 내측에 제공되므로, 애노드 전압에 의한 다이오드형 전자 방출을 억제할 수 있고, 도 1의 종래 소자에 비해 고전위의 애노드 전압을 인가할 수 있어 휘도가 향상된다.
그리고, 에미터(22)의 에지 부분이 애노드 전극(24)을 향해 솟아 있는 형태가 되므로, 상기 에지 부분에 전계 집중이 효과적으로 이루어지게 되어 전자 방출이 용이하게 일어나게 된다. 따라서, 종래 소자에 비해 게이트 전극(16)에 저전위의 구동 전압을 인가할 수 있으므로, 전력 소모 및 구동 회로 제작 등에 있어 유리하다.
또한, 에미터(22)에서 방출되는 전자는 도 4에 도시한 바와 같이 종래의 소자에 비해 빔 퍼짐이 적으므로, 콘트라스트가 높고 색 분리가 뚜렷한 효과가 있다.
이러한 구성의 전계 방출 표시 소자에 있어서, 상기 후면 기판은 다음의 공정에 따라 제조할 수 있다.
도 5a 내지 도 5f는 본 발명의 제1 실시예에 따른 후면 기판 제조 방법을 나타내는 공정도를 도시한 것으로, 먼저, 후면 기판(14)에 게이트 전극(16)을 형성하고, 이어서, 제1 절연막(18a) 및 제2 절연막(18b)을 순차적으로 인쇄하여 절연층(18)을 형성하며, 제2 절연막(18b)에 우물형 함몰부(28)를 형성한다(도 5a 내지 5d 참조).
여기에서, 상기 게이트 전극(16)은 ITO(Indium Tin Oxide) 박막을 스퍼터링법을 이용하여 형성하고 이를 공지와 같이 후면 노광하여 패터닝함으로써 형성할 수 있다. 이때, 게이트 전극(16)의 두께는 1000∼3000Å 정도가 적당한데, 저항값 등을 고려하여 그 이상의 두께로 형성할 수도 있으며, 대면적 소자 제조시에는 게이트 전극의 저항을 낮추기 위해 구리, 알루미늄, 은, 탄탈륨 등의 금속으로 이루어지는 버스 전극을 게이트 전극에 적층할 수도 있다.
그리고, 상기한 절연층(18)은 비감광성 절연 페이스트를 인쇄, 건조 및 소성하여 제1 절연막(18a)을 형성하고, 제1 절연막(18a) 위로 감광성 절연 페이스트를 인쇄 및 건조하여 제2 절연막(18b)을 형성할 수 있으며, 함몰부(28)는 제2 절연막(18b)을 노광, 현상 및 소성하여 형성할 수 있다.
도시하지는 않았지만, 다른 예로 상기 절연층(18)은 비감광성 절연 페이스트를 인쇄, 건조 및 소성하여 제1 절연막(18a)을 형성하고, 비감광성 절연 페이스트를 인쇄 및 건조하여 제2 절연막(18b)을 형성하며, 제2 절연막(18b)을 식각 및 소성하여 함몰부(28)를 형성할 수 있다.
또다른 예로, 제1 절연막(18a)은 감광성 절연 페이스트를 인쇄, 건조 및 소성하여 형성하고, 제2 절연막(18b)은 비감광성 절연 페이스트를 인쇄 및 건조하여 형성하며, 함몰부(28)는 제2 절연막(18b)을 식각 및 소성하여 형성할 수 있다.
그리고, 또다른 예로, 감광성 절연 페이스트를 인쇄, 건조 및 소성하여 제1 절연막(18a)을 형성하고, 제1 절연막(18a) 위로 감광성 절연 페이스트를 인쇄 및 건조하여 제2 절연막(18b)을 형성하며, 제2 절연막(18b)을 노광, 현상 및 소성하여 함몰부(28)를 형성할 수 있다.
이와 같이, 상기한 절연층(18)을 형성함에 있어서, 제1 절연막(18a)을 비감광성 물질로 형성한 경우에는 제2 절연막(18b)을 감광성 또는 비감광성 물질로 형 성할 수 있으며, 제1 절연막(18a)을 감광성 물질로 형성한 경우에도 제2 절연막(18b)을 감광성 또는 비감광성 물질로 형성하는 것이 가능하다.
위에서 설명한 바와 같이 제2 절연막(18b)에 우물형의 함몰부(28)를 형성한 후에는 도 5e에 도시한 바와 같이, 제2 절연막(18b)의 상측 표면 및 함몰부(28)의 내측 일부 표면에 라인 패턴의 캐소드 전극(20)을 스퍼터링 방법에 의해 형성함으로써 게이트 전극(16)과 수직으로 교차하는 캐소드 전극(20)을 형성하고, 도 5f에 도시한 바와 같이 함몰부(28)의 내측으로 캐소드 전극(20)의 일부 폭을 덮도록 수 마이크로미터 두께의 에미터(22)를 형성한다. 이때, 상기 에미터(22)는 폭방향 에지 부분이 함몰부(28)의 측부 경사면(28a)까지 도포되도록 하여 상기 에지 부분이 애노드 전극(24)을 향하도록 한다.
이러한 구성의 제조 방법은 후막 공정을 이용하여 절연층(18)을 형성함으로써, 공정이 간단하고 저렴하며, 대면적 소자 제작이 용이하고, 절연성 확보가 용이한 효과가 있다.
또한, 감광성 절연 페이스트와 비감광성 절연 페이스트를 적절히 조합하여 공정을 진행함으로써, 막 두께에 비해 절연막 형성을 위한 공정 시간의 단축이 가능하다.
그리고, 게이트 및 캐소드 전극 재료로서 금속 또는 ITO 박막을 사용함으로써 비교적 미세한 단위 화소를 갖는 소자 제작이 가능하다.
상기한 구성의 전계 방출 표시 소자는 도 6a 내지 도 6f는 본 발명의 제2 실시예에 따른 제조 방법에 따라 제조하는 것도 가능하다.
상술하면, 본 실시예의 제조 방법은 먼저, 후면 기판(14)에 게이트 전극(16)을 형성하고, 게이트 전극(16)의 위로 제1 절연막(18a)을 형성하며, 제1 절연막(18a)에 우물형의 함몰부(28)를 형성하고, 함몰부(28)가 형성된 제1 절연막(18a) 위로 제2 절연막(18b)을 인쇄 형성한다(도 6a 및 6d 참조).
이와 같이 함몰부(28)가 형성된 제1 절연막(18a) 위로 제2 절연막(18b)을 형성하면 제1 절연막(18a)의 함몰부에 채워지는 제2 절연막(18b)에 의해 상기 제2 절연막(18b)이 함몰부(28)를 구비하게 된다.
여기에서, 상기 제1 절연막(18a)은 비감광성 절연 페이스트를 인쇄 및 건조하여 형성하고, 함몰부(28)는 제1 절연막(18a)을 식각 및 소성하여 형성하며, 제2 절연막(18b)은 감광성 절연 페이스트를 인쇄, 건조 및 소성하여 형성할 수 있다.
도시하지는 않았지만, 제1 절연막(18a)에 함몰부(28)를 먼저 형성한 후 제2 절연막(18b)을 형성하는 다른 예로, 비감광성 절연 페이스트를 인쇄 및 건조하여 제1 절연막(18a)을 형성하고, 제1 절연막(18a)을 식각 및 소성하여 함몰부(28)를 형성하며, 비감광성 절연 페이스트를 인쇄, 건조 및 소성하여 제2 절연막(18b)을 형성할 수 있다.
또다른 예로, 제1 절연막(18a)은 감광성 절연 페이스트를 인쇄 및 건조하여 형성하고, 함몰부(28)는 제1 절연막(18a)을 노광, 현상 및 소성하여 형성하며, 제2 절연막(18b)은 비감광성 절연 페이스트를 인쇄, 건조 및 소성하여 형성할 수 있다.
물론, 감광성 절연 페이스트를 인쇄 및 건조하여 제1 절연막(18a)을 형성하고, 제1 절연막(18a)을 노광, 현상 및 소성하여 함몰부(28)를 형성하며, 감광성 절 연 페이스트를 인쇄, 건조 및 소성하여 제2 절연막(18b)을 형성하는 것도 가능하다.
위에서 설명한 바와 같이 제2 절연막(18b)에 우물형의 함몰부(28)를 형성한 후에는 도 6e에 도시한 바와 같이, 제2 절연막(18b)의 상측 표면 및 함몰부(28)의 내측 일부 표면에 라인 패턴의 캐소드 전극(20)을 형성하고, 도 6f에 도시한 바와 같이 함몰부(28)의 내측으로 캐소드 전극(20)의 일부 폭을 덮도록 수 마이크로미터 두께의 에미터(22)를 형성한다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계 방출 표시 소자의 개략적인 단면도를 도시한 것이고, 도 8 및 도 9는 도 7의 실시예에 따른 소자의 후면 기판 제조 방법을 나타내는 제3 및 제4 실시예에 의한 공정도를 도시한 것이다.
본 실시예의 전계 방출 표시 소자는 전술한 도 3의 실시예와 기본적인 구성이 동일하다.
즉, 후면 기판(14)에는 게이트 전극(16), 함몰부(28)를 구비하는 절연층(18), 폭방향 일부가 함몰부(28) 내측에 배치되는 캐소드 전극(20), 함몰부(28)의 내측에 배치되어 전자를 방출하는 에미터(22)가 제공된다.
이러한 구성의 소자에 있어서, 본 실시예는 게이트 전극(16)과 통전되는 카운터 전극(30)을 더욱 구비하는바, 이를 위해 상기 절연층(18)에는 카운터 전극(30)이 배치되는 비아홀(32)이 제공된다. 상기 카운터 전극(30)은 캐소드 전극(20)과 쇼트되지 않는 범위 내에서 절연층(18) 및 비아홀(32) 내측에 형성되는 것으로, 대략 장방형으로 이루어지며, 장방형 이외에 다른 패턴으로도 형성 가능하 다.
이로서 상기 카운터 전극(30)은 게이트 전극(16)에 소정의 구동 전압이 인가되어 에미터(22)와의 사이에 전자 방출을 위한 전계를 형성할 때, 카운터 전극(30) 자신도 에미터(22)를 향해 전자 방출을 위한 전계를 추가로 형성하여, 전계 방출 표시소자의 구동 전압을 낮추는 역할을 한다.
상기한 카운터 전극(30)을 갖는 전계 방출 표시 소자의 후면 기판은 본 발명의 제3 및 제4 실시예에 따른 제조 방법에 의해 제조할 수 있다.
먼저, 도 8a 내지 8h를 참조하여 제3 실시예의 제조 방법을 설명하면 다음과 같다.
도 8a에 도시한 바와 같이 후면 기판(14)에 게이트 전극(16)을 형성한 후에는 도 8b 및 도 8c에 각각 도시한 바와 같이 게이트 전극(16)의 위로 제1 절연막(18a)과 제2 절연막(18b)을 순차적으로 형성한다.
이어서, 제2 절연막(18b)에 우물형의 함몰부(28) 및 제2 비아홀부(32b)를 형성하고(도 8d 참조), 제1 절연막(18a)에 제1 비아홀부(32a)를 형성하여 제1 및 제2 비아홀부(32a,32b)로 이루어지는 비아홀(32)을 완성한다(도 8e 참조).
이와 같이 함몰부(28) 및 비아홀(32)을 형성한 후에는 제2 절연막(18b)의 상측 표면 및 함몰부(28)의 내측 일부 표면에 라인 패턴의 캐소드 전극(20)을 형성하고(도 8f 참조), 제2 절연막(18b)의 상측 표면 및 비아홀(32)의 내측 표면에 게이트 전극(16)과 통전하는 카운터 전극(30)을 형성한다(도 8g 참조).
여기에서, 상기 캐소드 전극(20) 및 카운터 전극(30)은 전술한 실시예들에서 와 마찬가지로 금속 박막을 스퍼터링하여 형성할 수 있으며, 위에서는 양 전극들(20,30)을 순차적으로 형성하는 것을 예로 들어 설명하였지만 상기 양 전극들(20,30)을 동시에 형성하는 것도 가능하다.
위에서 설명한 바와 같이 캐소드 전극(20)과 카운터 전극(30)을 형성한 후에는 전술한 실시예들에서와 마찬가지로 함몰부(28)의 내측으로 캐소드 전극(20)의 일부 폭을 덮도록 에미터(22)를 형성한다(도 8h 참조).
본 발명의 제3 실시예에 따른 제조 방법을 실시함에 있어서, 제1 절연막(18a)은 비감광성 절연 페이스트를 인쇄, 건조 및 소성하여 형성하고, 제2 절연막(18b)은 감광성 절연 페이스트를 인쇄 및 건조하여 형성하며, 함몰부(28) 및 제2 비아홀부(32b)는 제2 절연막(18b)을 노광, 현상 및 소성하여 형성하고, 제1 비아홀부(32a)는 제1 절연막(18a)을 식각하여 형성할 수 있다.
도시하지는 않았지만, 함몰부(28) 및 비아홀(32)을 형성하는 다른 예로, 제1 절연막(18a)은 비감광성 절연 페이스트를 인쇄, 건조 및 소성하여 형성하고, 제2 절연막(18b)은 비감광성 절연 페이스트를 인쇄 및 건조하여 형성하며, 함몰부(28) 및 제2 비아홀부(32b)는 제2 절연막(18b)을 식각 및 소성하여 형성하고, 제1 비아홀부(32a)는 제1 절연막(18a)을 식각하여 형성할 수도 있다.
또다른 예로, 감광성 절연 페이스트를 인쇄, 건조 및 소성하여 제1 절연막(18a)을 형성하고, 비감광성 절연 페이스트를 인쇄 및 건조하여 제2 절연막(18b)을 형성하며, 함몰부(28) 및 제2 비아홀부(32b)는 제2 절연막(18b)을 식각 및 소성하여 형성하고, 제1 비아홀부(32a)는 제1 절연막(18a)을 노광 및 현상 하여 형성하는 것도 가능하다.
물론, 감광성 절연 페이스트를 인쇄, 건조 및 소성하여 제1 절연막(18a)을 형성하고, 감광성 절연 페이스트를 인쇄 및 건조하여 제2 절연막(18b)을 형성하며, 함몰부(28) 및 제2 비아홀부(32b)는 제2 절연막(18b)을 노광, 현상 및 소성하여 형성하고, 제1 비아홀부(32a)는 제1 절연막(18a)을 노광 및 현상하여 형성할 수도 있다.
다음으로, 본 발명의 제4 실시예에 따른 제조 방법을 도 9a 내지 9h를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
먼저, 후면 기판(14)에 게이트 전극(16)을 형성하고, 게이트 전극(16)의 위로 제1 절연막(18a)을 형성하며, 제1 절연막(18a)에 우물형의 함몰부(28) 및 제1 비아홀부(32a)를 형성하고, 함몰부(28) 및 제1 비아홀부(32a)가 형성된 제1 절연막(18a) 위로 제2 절연막(18b)을 인쇄 형성한다(도 9a 내지 9d 참조).
이와 같이 함몰부(28) 및 제1 비아홀부(32a)가 형성된 제1 절연막(18a) 위로 제2 절연막(18b)을 형성하면 제1 절연막(18a)의 함몰부(28) 및 제1 비아홀부(32a)에 채워지는 제2 절연막(18b)에 의해 상기 제2 절연막(18b)이 함몰부(28) 및 제2 비아홀부(32b)를 구비하게 된다.
이어서, 상기 제1 절연막(18a)의 제1 비아홀부(32a)에 채워진 제2 절연막(18b)을 제거하여 제1 및 제2 비아홀부(32a,32b)로 이루어지는 비아홀(32)을 완성하고(도 9e 참조), 제2 절연막(18b)의 상측 표면 및 함몰부(28)의 내측 일부 표면에 라인 패턴의 캐소드 전극(20)을 형성하며(도 9f 참조), 제2 절연막(18b)의 상측 표면 및 비아홀(32)의 내측 표면에 상기 게이트 전극(16)과 통전하는 카운터 전극(30)을 형성하고(도 9g 참조), 함몰부(28)의 내측으로 캐소드 전극(20)의 일부 폭을 덮도록 에미터(22)를 형성한다(도 9h 참조).
도시하지는 않았지만, 전술한 제4 실시예의 제조 방법을 실시함에 있어서 상기 제1 절연막은 비감광성 절연 페이스트를 인쇄 및 건조하여 형성하고, 상기 제2 절연막은 감광성 절연 페이스트를 인쇄 및 건조하여 형성하며, 상기 함몰부 및 제1 비아홀부는 제1 절연막을 식각 및 소성하여 형성하고, 상기 제1 비아홀부에 채워진 제2 절연막은 노광, 현상 및 소성하여 제거할 수 있다.
다른 예로는, 비감광성 절연 페이스트를 인쇄 및 건조하여 제1 절연막을 형성하고, 비감광성 절연 페이스트를 인쇄 및 건조하여 제2 절연막을 형성하며, 제1 절연막을 식각 및 소성하여 함몰부 및 제1 비아홀부를 형성하고, 제1 비아홀부에 채워진 제2 절연막을 식각 및 소성하여 제거하는 것도 가능하다.
그리고, 또다른 예로, 제1 절연막은 감광성 절연 페이스트를 인쇄 및 건조하여 형성하고, 제2 절연막은 비감광성 절연 페이스트를 인쇄 및 건조하여 형성하며, 함몰부 및 제1 비아홀부는 제1 절연막을 노광, 현상 및 소성하여 형성하고, 제1 비아홀부에 채워진 제2 절연막은 식각 및 소성하여 제거할 수 있다.
물론, 감광성 절연 페이스트를 인쇄 및 건조하여 제1 절연막을 형성하고, 감광성 절연 페이스트를 인쇄 및 건조하여 제2 절연막을 형성하며, 함몰부 및 제1 비아홀부는 제1 절연막을 노광, 현상 및 소성하여 형성하고, 제1 비아홀부에 채워진 제2 절연막은 노광, 현상 및 소성하여 제거하는 것도 가능하다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.
위에서 자세히 설명한 바와 같이 본 발명의 전계 방출 표시 소자는, 에미터가 함몰부 내측에 제공되므로, 애노드 전압에 의한 다이오드형 전자 방출을 억제할 수 있고, 종래 소자에 비해 고전위의 애노드 전압을 인가할 수 있어 휘도가 향상된다.
그리고, 에미터의 에지 부분이 애노드 전극을 향해 솟아 있는 형태가 되므로, 상기 에지 부분에 전계 집중이 효과적으로 이루어지게 되어 전자 방출이 용이하게 일어나게 된다. 따라서, 종래 소자에 비해 게이트 전극에 저전위의 구동 전압을 인가할 수 있으므로, 전력 소모 및 구동 회로 제작 등에 있어 유리하다.
또한, 에미터에서 방출되는 전자는 종래의 소자에 비해 빔 퍼짐이 적으므로, 콘트라스트가 높고 색 분리가 뚜렷한 효과가 있다.
그리고, 상기한 전계 방출 표시 소자의 후면 기판을 제조하는 본 발명의 방법에 의하면, 후막 공정을 이용하여 절연층을 형성함으로써, 공정이 간단하고 저렴하며, 대면적 소자 제작이 용이하고, 절연성 확보가 용이한 효과가 있다.
또한, 감광성 절연 페이스트와 비감광성 절연 페이스트를 적절히 조합하여 공정을 진행함으로써, 막 두께에 비해 절연막 형성을 위한 공정 시간의 단축이 가 능하다.
그리고, 게이트 및 캐소드 전극 재료로서 금속 또는 ITO 박막을 사용함으로써 비교적 미세한 단위 화소를 갖는 소자 제작이 가능한 등의 효과가 있다.
Claims (33)
- 후면 기판의 일면에 라인 패턴으로 제공되는 게이트 전극과;상기 게이트 전극들을 덮으면서 후면 기판의 전면(全面)에 제공되며, 우물형 함몰부를 구비하는 다층 구조의 절연층과;상기 절연층 위에 게이트 전극과 수직으로 교차하도록 라인 패턴으로 제공되며, 폭방향 일부가 상기 함몰부 내측에 배치되는 캐소드 전극과;상기 함몰부의 내측에서 캐소드 전극의 가장자리에 제공되는 에미터와;후면 기판에 대향하는 전면 기판의 일면에 제공되는 애노드 전극과;애노드 전극 표면에 제공되는 형광막;을 포함하는 전계 방출 표시 소자.
- 제 1항에 있어서, 상기 함몰부는 절연층의 상측 표면에 대해 경사지게 형성되는 2개의 측부 경사면과, 상기 측부 경사면들 사이의 중앙 평면으로 이루어지는 전계 방출 표시 소자.
- 제 2항에 있어서, 상기 에미터는 폭방향 에지 부분이 상기 애노드 전극을 향하도록 측부 경사면에 배치되는 전계 방출 표시 소자.
- 제 3항에 있어서, 상기 절연층은 비감광성 재질의 제1 절연막과, 상기 제1 절연막 위에 제공되는 감광성 재질의 제2 절연막으로 이루어지는 전계 방출 표시 소자.
- 제 3항에 있어서, 상기 절연층은 비감광성 재질의 제1 및 제2 절연막으로 이루어지는 전계 방출 표시 소자.
- 제 3항에 있어서, 상기 절연층은 감광성 재질의 제1 절연막과, 상기 제1 절연막 위에 제공되는 비감광성 재질의 제2 절연막으로 이루어지는 전계 방출 표시 소자.
- 제 3항에 있어서, 상기 절연층은 감광성 재질의 제1 및 제2 절연막으로 이루어지는 전계 방출 표시 소자.
- 제 1항 내지 제 7항중 어느 한 항에 있어서, 인접하는 함몰부 사이의 절연층에는 게이트 전극을 노출시키기 위한 비아홀이 제공되며, 상기 절연층의 상측 표면 및 비아홀의 내측 표면에는 게이트 전극과 통전하는 카운터 전극이 더욱 구비되는 전계 방출 표시 소자.
- 제 8항에 있어서, 상기 에미터는 카본 나노튜브(carbon nanotube), 흑연, 및 다이아몬드상 카본(DLC) 중 하나 이상을 포함하는 탄소계 물질로 이루어지는 전계 방출 표시 소자.
- 제 8항에 있어서, 상기 게이트 전극은 ITO 박막을 포함하는 전계 방출 표시 소자.
- 후면 기판에 게이트 전극을 형성하는 단계와;상기 게이트 전극의 위로 제1 절연막을 형성하는 단계와;상기 제1 절연막 위로 제2 절연막을 형성하는 단계와;상기 제2 절연막에 우물형의 함몰부를 형성하는 단계와;상기 게이트 전극과 수직으로 교차하도록, 제2 절연막의 상측 표면 및 함몰부의 내측 일부 표면에 라인 패턴의 캐소드 전극을 형성하는 단계와;상기 함몰부의 내측으로 캐소드 전극의 일부 폭을 덮도록 에미터를 형성하는 단계;를 포함하는 전계 방출 표시 소자의 후면 기판 제조 방법.
- 제 11항에 있어서, 상기 제1 절연막은 비감광성 절연 페이스트를 인쇄, 건조 및 소성하여 형성하고, 상기 제2 절연막은 감광성 절연 페이스트를 인쇄 및 건조하여 형성하며, 상기 함몰부는 제2 절연막을 노광, 현상 및 소성하여 형성하는 전계 방출 표시 소자의 후면 기판 제조 방법.
- 제 11항에 있어서, 상기 제1 절연막은 비감광성 절연 페이스트를 인쇄, 건조 및 소성하여 형성하고, 상기 제2 절연막은 비감광성 절연 페이스트를 인쇄 및 건조하여 형성하며, 상기 함몰부는 제2 절연막을 식각 및 소성하여 형성하는 전계 방출 표시 소자의 후면 기판 제조 방법.
- 제 11항에 있어서, 상기 제1 절연막은 감광성 절연 페이스트를 인쇄, 건조 및 소성하여 형성하고, 상기 제2 절연막은 비감광성 절연 페이스트를 인쇄 및 건조하여 형성하며, 상기 함몰부는 제2 절연막을 식각 및 소성하여 형성하는 전계 방출 표시 소자의 후면 기판 제조 방법.
- 제 11항에 있어서, 상기 제1 절연막은 감광성 절연 페이스트를 인쇄, 건조 및 소성하여 형성하고, 상기 제2 절연막은 감광성 절연 페이스트를 인쇄 및 건조하여 형성하며, 상기 함몰부는 제2 절연막을 노광, 현상 및 소성하여 형성하는 전계 방출 표시 소자의 후면 기판 제조 방법.
- 후면 기판에 게이트 전극을 형성하는 단계와;상기 게이트 전극의 위로 제1 절연막을 형성하는 단계와;상기 제1 절연막에 우물형의 함몰부를 형성하는 단계와;상기 제1 절연막 위로 제2 절연막을 형성함으로써, 제1 절연막의 함몰부에 채워지는 제2 절연막에 의해 상기 제2 절연막이 상기 함몰부를 구비하도록 하는 단계와;상기 게이트 전극과 수직으로 교차하도록, 제2 절연막의 상측 표면 및 함몰부의 내측 일부 표면에 라인 패턴의 캐소드 전극을 형성하는 단계와;상기 함몰부의 내측으로 캐소드 전극의 일부 폭을 덮도록 에미터를 형성하는 단계;를 포함하는 전계 방출 표시 소자의 후면 기판 제조 방법.
- 제 16항에 있어서, 상기 제1 절연막은 비감광성 절연 페이스트를 인쇄 및 건조하여 형성하고, 상기 함몰부는 제1 절연막을 식각 및 소성하여 형성하며, 상기 제2 절연막은 감광성 절연 페이스트를 인쇄, 건조 및 소성하여 형성하는 전계 방출 표시 소자의 후면 기판 제조 방법.
- 제 16항에 있어서, 상기 제1 절연막은 비감광성 절연 페이스트를 인쇄 및 건조하여 형성하고, 상기 함몰부는 제1 절연막을 식각 및 소성하여 형성하며, 상기 제2 절연막은 비감광성 절연 페이스트를 인쇄, 건조 및 소성하여 형성하는 전계 방출 표시 소자의 후면 기판 제조 방법.
- 제 16항에 있어서, 상기 제1 절연막은 감광성 절연 페이스트를 인쇄 및 건조하여 형성하고, 상기 함몰부는 제1 절연막을 노광, 현상 및 소성하여 형성하며, 상기 제2 절연막은 비감광성 절연 페이스트를 인쇄, 건조 및 소성하여 형성하는 전계 방출 표시 소자의 후면 기판 제조 방법.
- 제 16항에 있어서, 상기 제1 절연막은 감광성 절연 페이스트를 인쇄 및 건조하여 형성하고, 상기 함몰부는 제1 절연막을 노광, 현상 및 소성하여 형성하며, 상기 제2 절연막은 감광성 절연 페이스트를 인쇄, 건조 및 소성하여 형성하는 전계 방출 표시 소자의 후면 기판 제조 방법.
- 후면 기판에 게이트 전극을 형성하는 단계와;상기 게이트 전극의 위로 제1 절연막을 형성하는 단계와;상기 제1 절연막 위로 제2 절연막을 형성하는 단계와;상기 제2 절연막에 우물형의 함몰부 및 제2 비아홀부를 형성하는 단계와;상기 제1 절연막에 제1 비아홀부를 형성하여 제1 및 제2 비아홀부로 이루어지는 비아홀을 완성하는 단계와;상기 게이트 전극과 수직으로 교차하도록, 상기 제2 절연막의 상측 표면 및 함몰부의 내측 일부 표면에 라인 패턴의 캐소드 전극을 형성하는 단계와;상기 제2 절연막의 상측 표면 및 비아홀의 내측 표면에 상기 게이트 전극과 통전하는 카운터 전극을 형성하는 단계와;상기 함몰부의 내측으로 캐소드 전극의 일부 폭을 덮도록 에미터를 형성하는 단계;를 포함하는 전계 방출 표시 소자의 후면 기판 제조 방법.
- 제 21항에 있어서, 상기 제1 절연막은 비감광성 절연 페이스트를 인쇄, 건조 및 소성하여 형성하고, 상기 제2 절연막은 감광성 절연 페이스트를 인쇄 및 건조하여 형성하며, 상기 함몰부 및 제2 비아홀부는 제2 절연막을 노광, 현상 및 소성하여 형성하고, 상기 제1 비아홀부는 제1 절연막을 식각하여 형성하는 전계 방출 표시 소자의 후면 기판 제조 방법.
- 제 21항에 있어서, 상기 제1 절연막은 비감광성 절연 페이스트를 인쇄, 건조 및 소성하여 형성하고, 상기 제2 절연막은 비감광성 절연 페이스트를 인쇄 및 건조하여 형성하며, 상기 함몰부 및 제2 비아홀부는 제2 절연막을 식각 및 소성하여 형성하고, 상기 제1 비아홀부는 제1 절연막을 식각하여 형성하는 전계 방출 표시 소자의 후면 기판 제조 방법.
- 제 21항에 있어서, 상기 제1 절연막은 감광성 절연 페이스트를 인쇄, 건조 및 소성하여 형성하고, 상기 제2 절연막은 비감광성 절연 페이스트를 인쇄 및 건조하여 형성하며, 상기 함몰부 및 제2 비아홀부는 제2 절연막을 식각 및 소성하여 형성하고, 상기 제1 비아홀부는 제1 절연막을 노광 및 현상하여 형성하는 전계 방출 표시 소자의 후면 기판 제조 방법.
- 제 21항에 있어서, 상기 제1 절연막은 감광성 절연 페이스트를 인쇄, 건조 및 소성하여 형성하고, 상기 제2 절연막은 감광성 절연 페이스트를 인쇄 및 건조하 여 형성하며, 상기 함몰부 및 제2 비아홀부는 제2 절연막을 노광, 현상 및 소성하여 형성하고, 상기 제1 비아홀부는 제1 절연막을 노광 및 현상하여 형성하는 전계 방출 표시 소자의 후면 기판 제조 방법.
- 후면 기판에 게이트 전극을 형성하는 단계와;상기 게이트 전극의 위로 제1 절연막을 형성하는 단계와;상기 제1 절연막에 우물형의 함몰부 및 제1 비아홀부를 형성하는 단계와;상기 제1 절연막 위로 제2 절연막을 형성함으로써, 상기 함몰부 및 제1 비아홀부에 채워지는 제2 절연막에 의해 상기 제2 절연막이 함몰부 및 제2 비아홀부를 구비하도록 하는 단계와;상기 제1 절연막의 제1 비아홀부에 채워진 제2 절연막을 제거하여 제1 및 제2 비아홀부로 이루어지는 비아홀을 완성하는 단계와;상기 게이트 전극과 수직으로 교차하도록, 상기 제2 절연막의 상측 표면 및 함몰부의 내측 일부 표면에 라인 패턴의 캐소드 전극을 형성하는 단계와;상기 제2 절연막의 상측 표면 및 비아홀의 내측 표면에 상기 게이트 전극과 통전하는 카운터 전극을 형성하는 단계와;상기 함몰부의 내측으로 캐소드 전극의 일부 폭을 덮도록 에미터를 형성하는 단계;를 포함하는 전계 방출 표시 소자의 후면 기판 제조 방법.
- 제 26항에 있어서, 상기 제1 절연막은 비감광성 절연 페이스트를 인쇄 및 건조하여 형성하고, 상기 제2 절연막은 감광성 절연 페이스트를 인쇄 및 건조하여 형성하며, 상기 함몰부 및 제1 비아홀부는 제1 절연막을 식각 및 소성하여 형성하고, 상기 제1 비아홀부에 채워진 제2 절연막은 노광, 현상 및 소성하여 제거하는 전계 방출 표시 소자의 후면 기판 제조 방법.
- 제 26항에 있어서, 상기 제1 절연막은 비감광성 절연 페이스트를 인쇄 및 건조하여 형성하고, 상기 제2 절연막은 비감광성 절연 페이스트를 인쇄 및 건조하여 형성하며, 상기 함몰부 및 제1 비아홀부는 제1 절연막을 식각 및 소성하여 형성하고, 상기 제1 비아홀부에 채워진 제2 절연막은 식각 및 소성하여 제거하는 전계 방출 표시 소자의 후면 기판 제조 방법.
- 제 26항에 있어서, 상기 제1 절연막은 감광성 절연 페이스트를 인쇄 및 건조하여 형성하고, 상기 제2 절연막은 비감광성 절연 페이스트를 인쇄 및 건조하여 형성하며, 상기 함몰부 및 제1 비아홀부는 제1 절연막을 노광, 현상 및 소성하여 형성하고, 상기 제1 비아홀부에 채워진 제2 절연막은 식각 및 소성하여 제거하는 전계 방출 표시 소자의 후면 기판 제조 방법.
- 제 26항에 있어서, 상기 제1 절연막은 감광성 절연 페이스트를 인쇄 및 건조하여 형성하고, 상기 제2 절연막은 감광성 절연 페이스트를 인쇄 및 건조하여 형성 하며, 상기 함몰부 및 제1 비아홀부는 제1 절연막을 노광, 현상 및 소성하여 형성하고, 상기 제1 비아홀부에 채워진 제2 절연막은 노광, 현상 및 소성하여 제거하는 전계 방출 표시 소자의 후면 기판 제조 방법.
- 제 11항 내지 제 30항중 어느 한 항에 있어서, 상기 함몰부는 제2 절연막의 상측 표면에 대해 경사지게 형성되는 2개의 측부 경사면과, 상기 측부 경사면들 사이의 중앙 평면을 구비하는 형상으로 형성하는 전계 방출 표시 소자의 후면 기판 제조 방법.
- 제 31항에 있어서, 상기 에미터의 폭방향 에지 부분을 상기 후면 기판과 마주보는 전면 기판을 향하도록 측부 경사면에 배치하는 전계 방출 표시 소자의 후면 기판 제조 방법.
- 제 32항에 있어서, 상기 게이트 전극은 ITO 박막을 후면 노광하여 형성하는 전계 방출 표시 소자의 후면 기판 제조 방법.
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| KR20020067240A (ko) * | 2001-02-16 | 2002-08-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 카본 나노튜브 에미터를 갖는 전계 방출 표시소자 |
| KR20020083007A (ko) * | 2001-04-25 | 2002-11-01 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계 방출 표시소자와 그의 제조 방법 |
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2002
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Patent Citations (4)
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