JP4128766B2 - 半導体メモリ装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、DRAM(dynamic random access memory)に関し、さらにはDRAMのメモリセルにおけるデータのセンシングに関する。
【0002】
【従来の技術】
DRAMの高集積化に伴って、高密度化されるデータ伝送ライン(例えば、ビットライン)に関した問題点が発生している。
一般に、メモリセルに貯蔵されたデータを感知する動作は、先ず、選択されたワードラインによってメモリセルの伝達トランジスタが活性化され、そのメモリセルに連結されたビットラインへの電荷分配が実施されることによりなされる。次に、そのビットラインに割り当てられたセンスアンプ(センス増幅器)によってビットライン対の間の電位差が増幅され、その後、入出力ラインに増幅されたデータが伝送される。
メモリセルを含んで入出力ライン以前までのデータ感知経路に含まれる部分は、1次的にデータを感知する回路として一般にメモリセルコア回路と呼ばれる。
【0003】
図1はメモリセルコア回路の一例を示す。
図1に示すように、ビットライン対BLi(又は、BLj)/BLBi(又はBLBj)にはメモリセルMCが多数連結され、各々のビットライン対に分離トランジスタ対N1/N2及びN3/N4が配置されている。分離トランジスタ対N1/N2及びN3/N4の間でセンスアンプSAがビットライン対に連結され、各ビットライン対にはNMOSトランジスタ対N5/N6及びN7/N8で各々構成されたビットラインプリチャージ/等化回路PQi及び PQjが連結されている。
【0004】
図1のメモリセルコア回路でのデータ感知動作は図2を参照して説明する。i番目のブロックが選択されると仮定する。i番目のブロックに属する分離トランジスタ対N1及びN2のゲートに印加される分離信号IS0iがハイレベルになり、j番目のブロックに属する分離トランジスタ対N3及びN4のゲートに印加される分離信号IS0jはローレベルになる。従って、i番目のブロックのビットライン、例えば、BLi及びBLBiはハイレベルである等化信号EQiによってビットラインプリチャージ/等化電圧VBLにプリチャージ及び等化される。その後、ワードラインWLi0が選択されると、メモリセルMCに貯蔵されたデータに応じてメモりセルMCとビットラインBLiとの間の電荷分配が始まる。この時、ビットラインBLBiは初期のプリチャージ電圧VBLで充電される。センスアンプ制御信号SAEがハイレベルになるに従ってセンスアンプSAはビットラインBLiとBLBiとの間の微少な電位差を増幅する。
【0005】
センスアンプSAが信頼性のある感知増幅動作を実行するためには、電荷分配によって発生するBLi及びBLBiの間の電位差が少なくともセンスアンプSAの差動増幅を誘発させ得る程度ではなければならない。しかし、同時に活性化されるビットライン対BLi及びBLBiは、図3に示すように、並行に配列されるので、相互容量成分(結合容量成分)によって干渉される。選択されたメモリセルがデータ“1”を貯蔵していたものとすると、電荷分配によってBLiの電圧は上昇する。この時、BLiに加えられる電圧の上昇分をΔVとすると、センスアンプSAで感知増幅動作が発生する前のBLiの電圧はVBL+ΔVになる。一方、この時のBLBiの電圧は、理論的にはプリチャージ/等化レベルであるVBLを維持しなければならないが、BLiとの相互容量成分によって約VBL+0.2(VBL+ΔV)のレベルになる。これはBLiとBLBiとの間の電位差を減らしてセンスアンプで感知増幅動作をすることを難しくする。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
このような感知動作での損失を改善するために、開放型ビットライン構造で駆動されるビットライン対を交互に配置する方式が米国特許第5,383,159号又は日本公開特許昭61−255591号に開示されている。例えば、米国特許第5,383,159号には、同時に駆動されるビットライン対が互いに対角方向に配列されている。前記米国特許に開示されている方法に従えば、1つのビットライン対(例えば、図1のBLi/BLBj)が駆動される間に、他のビットライン対(例えば、BLj/BLBi)は等化信号によってビットライン電圧(例えば、VBL)にプリチャージ/等化される。従って、前述したビットラインの間の干渉は抑制できる。しかし、プリチャージ/等化トランジスタの連結状態及び等化信号のタイミングが調節されなければならない短所がある。
さらに、DRAMの高集積化と高速動作化とに伴って、感知動作に関した信号の活性及び非活性と、それらの有機的な動作タイミングとを構成できる時間的な余裕が次第になくなってくる。
従って、より効率的なメモリセルコア回路の構成及び感知方式が必要になる。
【0007】
本発明は、前述した問題点を解決するためのものであり、データ感知動作を効果的に実行できる装置を備えた半導体メモリ装置を提供することを目的とする。
【0008】
本発明は、ビットライン対の間の相互容量成分(又は、結合容量成分)を減少させ、高集積構造にとって有効なメモリセルコア回路の構造を備えた半導体メモリ装置を提供することを他の目的とする。
【0009】
本発明は、ビットラインのプリチャージ及び等化のための別途の信号を使用しなくても信頼性のあるデータ感知動作を実行できる半導体メモリ装置を提供することを他の目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明は、ビットラインとセンスアンプとを連結する分離トランジスタ(M1〜4)とビットラインと基準電圧とを連結するプリチャージトランジスタ(M5〜8)とを含む半導体メモリ装置であって、センスアンプが形成された領域の左右側に各々位置して当該両側各々にビットラインと相補ビットラインとを含む片側の第1ブロック領域及び他方側の第2ブロック領域と、第1ブロック領域でワードライン方向に伸長する第1分離信号と第2分離信号を各々伝送する第1及び第2導電線(GPi1、GPj1)と、第2ブロック領域でワードライン方向に伸長する第1分離信号と第2分離信号とを各々伝送する第3及び第4導電線(GPir、GPjr)と、第1ブロック領域で第1導電線の下部に形成されて第1ビットラインとセンスアンプとを連結する第1導電領域(M1)と、第1ブロック領域で第2導電線の下部に形成されて第1相補ビットラインとセンスアンプとを連結する第2導電領域(M2)と、第2ブロック領域で第4導電線の下部に形成されて第2ビットラインとセンスアンプとを連結する第3導電領域(M3)と、第2ブロック領域で第3導電線の下部に形成されて第2相補ビットラインとセンスアンプとを連結する第4導電領域(M4)と、第1ブロック領域で第2導電線の下部に形成されて第1ビットラインと基準電圧とを連結する第5導電領域(M5)と、第1ブロック領域で第1導電線の下部に形成されて第1相補ビットラインと基準電圧とを連結する第6導電領域(M6)と、第2ブロック領域で第3導電線の下部に形成されて第2ビットラインと基準電圧とを連結する第7導電領域(M7)と、第2ブロック領域で第4導電線の下部に連結されて第2相補ビットラインと基準電圧とを連結する第8導電領域(M8)とを含む。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、添付した図を参照して、本発明の望ましい実施形態を詳細に説明する。
【0014】
図4は本発明によるメモリセルコア回路の構成を示す。図4を参照すると、i番目のブロックのビットライン対BLiとBLBiとの間に、直列に連結されたNMOSトランジスタM5及びM6で構成されたプリチャージ回路10が連結され、j番目のブロックのビットライン対BLjとBLBjとの間に、直列に連結されたNMOSトランジスタM7及びM8で構成されたプリチャージ回路20が連結されている。ビットラインBLiとセンシングノードSNとの間には分離トランジスタM1が連結され、センシングノードSNとj番目のビットラインBLjとの間には分離トランジスタM3が連結されている。ビットラインBLBiとセンシングノードSNBとの間には分離トランジスタM2が連結され、センシングノードSNBとビットラインBLBjとの間には分離トランジスタM4が連結されている。
【0015】
分離トランジスタ及びプリチャージトランジスタのソース及びドレインの連結状態は図1と同一であるが、そのゲートは本発明の連結方式に従って特徴化されている。即ち、プリチャージのトランジスタM6及びM7のゲートは、分離トランジスタM1及びM4のゲートと共に分離信号IS0iに共通に接続され、プリチャージトランジスタM5及びM8のゲートは、分離トランジスタM2及びM3のゲートと共に分離信号IS0jに共通に接続される。このような回路構成は、図1の従来技術のように別途のプリチャージ信号EQi(又は、EQj)を使用しなくて、分離信号IS0i(又は、IS0j)だけの制御によってビットラインのプリチャージ機能まで制御できるようにするためである。
【0016】
図5を参照して、図4の回路構成によって実行されるビットラインのプリチャージ及びデータ感知動作を説明する。i番目のブロックが選択されると仮定する。iブロックの分離信号IS0iは全感知期間の間ハイレベルを維持し、jブロックの分離信号IS0jは時刻t1でハイレベルからローレベルに遷移する。従って、時刻t1まで、プリチャージ回路10及び20のトランジスタM5〜M8がターンオンされるので、ビットラインBLi/BLBi及びBLj/BLBjは全部プリチャージ電圧VBLで充電される。
【0017】
時刻t1以降からはj番目のブロックの分離信号IS0jがローレベルになるので、分離トランジスタM2及びM3とプリチャージトランジスタM5及びM8とはターンオフされる。この時、IS0iはハイレベルに維持されるので、分離トランジスタM1及びM4はビットラインBLi及びBLBjをセンスアンプSAに各々連結させた状態にある。
【0018】
時刻t2で、選択されたワードラインWLi0がハイレベルに活性化されると、選択されたメモリセルMCiとビットラインBLiとの間の電荷分配が始まり、ビットラインBLBjには基準電圧が充電される。
従って、センスアンプSAは時刻t3でセンスアンプ制御信号SAEがハイレベルに活性化されるに従って、ビットラインBLiとBLBjとの間の微少な電位差に応じてそれらの間の電位差を増幅する。
【0019】
このような感知動作による結果を図8に示す。図8は選択されたワードラインが活性化された後、センスアンプがターンオンされる前に電荷分配が実施されるビットラインの間の電位差を示す。図8のグラフに示すように、従来(old)に比べて本発明(new)のビットラインの電位差が約0.01Vだけ大きい。このような効果は同時に駆動されるビットラインを交互に配置する従来方式による結果と類似であるが、前述のように、ビットラインプリチャージ/等化のための別途の信号を使用しなくて、分離信号だけでそのような結果を得ることができる点で異なる。
【0020】
図5には示していないが、j番目のブロックが選択される場合、分離信号IS0jが全感知期間の間ハイレベルに維持されるので、ビットラインBLi及びBLBjがビットラインプリチャージ電圧VBLで充電される。分離信号IS0iが時刻t1でローレベルに遷移した後、ワードラインWLj0が時刻t2でハイレベルに活性化されると、ビットラインBLBi及びBLjの間に微少な電位差が発生する。次に、時刻t3でセンスアンプ制御信号SAEがハイレベルに活性化されると、前述したBLi及びBLBjの間の電位差の増幅のように、センスアンプSAによってビットラインBLBi及びBLjの間の電位差が実質的に増幅される。
【0021】
上述したような相互容量成分によるセンシング動作の抵抗率を改善するビットライン等化及びセンシング動作を実現するために、実際の製造に必要なレイアウトを説明する図を図6及び図7に示す。図6はレイアウトの形状を示す。図7は、図6に従って設計されたレイアウトの実施形態として、センスアンプSAが形成された領域を中心として左右側にビットラインと分離トランジスタ及びプリチャージトランジスタとのパターンを示す。図4の等価回路上では分離信号IS0i及びIS0jを伝送する信号線が交差するが、実際的な製造工程ではそのような信号線として使用されるゲートポリシリコン層が同一の工程段階で同一の層順位で形成されるので、これらを交差させることは難しい。
【0022】
従って、図6又は図7に示すように、分離信号の伝送のためのゲートポリシリコン層GPi1、GPj1、GPjr、GPirが一直線に各々配置され、そのような配置形態に合わせるために分離トランジスタ及びプリチャージトランジスタのN+拡散領域を効率的に配置する。即ち、i番目のブロックの分離信号IS0iのためのゲートポリシリコン層をセンスアンプSAの領域を中心として左右側に各々GPi1及びGPirに分け、j番目の分離信号IS0jのためのゲートポリシリコン層もセンスアンプSAの領域を中心として左右側に各々GPj1、GPjrに分けて配置する。図示しないが、センスアンプの領域にはビットラインセンスアンプだけでなくビットラインと入出力ラインのと間の連結を担当する入出力ゲート用トランジスタが形成されている。
【0023】
分離信号のためのゲートポリシリコン層が一直線に配置されているので、それらに連結される分離トランジスタ又はプリチャージトランジスタをそれの下部に形成する。即ち、ゲートポリシリコン層GPi1の下部には、分離トランジスタM1と予備充電/等化トランジスタM6とのN+拡散領域を平面上の別の位置で形成する。ゲートポリシリコン層GPj1の下部には、分離トランジスタM2と予備充電/等化トランジスタM5とのN+拡散領域を平面上の別の位置で形成する。又、ゲートポリシリコン層GPirの下部には、分離トランジスタM3とプリチャージトランジスタM8とのN+拡散領域を平面上の別の位置で形成する。ゲートポリシリコン層GPjrの下部には、分離トランジスタM4とプリチャージトランジスタM7とのN+拡散領域を平面上の別の位置で形成する。分離トランジスタM2とプリチャージトランジスタM6との拡散領域は拡張された拡散領域NA26を通じて連結され、分離トランジスタM1とプリチャージトランジスタM5との拡散領域はブリッジポリシリコン層BP15を通じて連結される。又、分離トランジスタM2とプリチャージトランジスタM4との拡散領域はブリッジポリシリコン層BP24を通じて連結され、分離トランジスタM1と分離トランジスタM3との各拡散領域はブリッジポリシリコン層BP13を通じて連結される。一方、分離トランジスタM3とプリチャージトランジスタM7との拡散領域は拡張された拡散領域NA37を通じて連結され、分離トランジスタM4とプリチャージトランジスタM8との拡散領域はブリッジポリシリコン層BP48を通じて連結される。予備充電/等化トランジスタとビットラインプリチャージ電圧VBLとの間の連結は従来と同一の方式によって連結される。
【0024】
ブリッジポリシリコン層BP15、BP13、BP24及びBP48は、ビットラインポリシリコン層BPと同一の製造段階で1つのマスクを使用して形成される層として、拡散領域のパターンでは連結されないトランジスタの拡散領域を連結するための手段である。従って、ブリッジポリシリコン層のための別途のマスク工程は不要である。図6又は図7に示すレイアウトでは、M2(又は、M3)とM6(又は、M7)との拡散領域を拡張された拡散領域を通じて連結し、M1(又は、M3)とM4(又は、M8)との拡散領域をブリッジポリシリコン層で連結するが、M2(又は、M3)とM6(又は、M7)との拡散領域をブリッジポリシリコン層を通じて連結し、M1(又は、M3)とM4(又は、M8)との拡散領域を拡張された拡散領域を通じて連結することもできる。
【0025】
【発明の効果】
前述のように、本発明は、ビットラインの間の相互容量成分による干渉によって感知効率が低下することを抑制できるだけでなく、別途のビットラインプリチャージ信号を使用しなくても信頼性のあるデータ感知動作を実行できる長所がある。又、本発明は、ビットラインとセンスアンプとの間の連結を制御する分離信号を利用してビットラインのプリチャージを実行するので、感知動作の制御が容易である。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来のメモリコアの構成を示す回路図である。
【図2】図1によるデータ感知方式を示す動作タイミング図である。
【図3】図1による従来のレイアウト図である。
【図4】本発明によるメモリコアの構成を示す回路図である。
【図5】図4によるデータ感知方式を示す動作タイミング図である。
【図6】図4によるビットラインの連結構造を示す説明図である。
【図7】本発明によって図4の回路を実現したレイアウト図である。
【図8】本発明と従来のビットラインとの電圧差を示すグラフである。
【符号の説明】
IS0i,IS0j: 分離信号
VBL: ビットラインプリチャージ/等化電圧
M1〜M4: 分離トランジスタ
M5〜M8: ビットラインプリチャージトランジスタ
BP: ビットラインポリシリコン層
BP15,BP13,BP24,BP48: ブリッジポリシリコン層
NA26,NA37: 拡張拡散領域
Claims (1)
- ビットラインとセンスアンプとを連結する分離トランジスタ(M1〜4)と前記ビットラインと基準電圧とを連結するプリチャージトランジスタ(M5〜8)とを含む半導体メモリ装置において、
センスアンプが形成された領域の左右側に各々位置し、当該両側各々にビットラインと相補ビットラインとを含む片側の第1ブロック領域及び他方側の第2ブロック領域と、
前記第1ブロック領域でワードライン方向に伸長する、第1分離信号と第2分離信号を各々伝送する第1及び第2導電線(GPi1、GPj1)と、
前記第2ブロック領域でワードライン方向に伸長する前記第1分離信号と前記第2分離信号とを各々伝送する第3及び第4導電線(GPir、GPjr)と、
前記第1ブロック領域で前記第1導電線の下部に形成されて第1ビットラインと前記センスアンプとを連結する第1導電領域(M1)と、
前記第1ブロック領域で前記第2導電線の下部に形成されて第1相補ビットラインと前記センスアンプとを連結する第2導電領域(M2)と、
前記第2ブロック領域で前記第4導電線の下部に形成されて第2ビットラインと前記センスアンプとを連結する第3導電領域(M3)と、
前記第2ブロック領域で前記第3導電線の下部に形成されて第2相補ビットラインと前記センスアンプとを連結する第4導電領域(M4)と、
前記第1ブロック領域で前記第2導電線の下部に形成されて前記第1ビットラインと前記基準電圧とを連結する第5導電領域(M5)と、
前記第1ブロック領域で前記第1導電線の下部に形成されて前記第1相補ビットラインと前記基準電圧とを連結する第6導電領域(M6)と、
前記第2ブロック領域で前記第3導電線の下部に形成されて前記第2ビットラインと前記基準電圧とを連結する第7導電領域(M7)と、
前記第2ブロック領域で前記第4導電線の下部に連結されて前記第2相補ビットラインと前記基準電圧とを連結する第8導電領域(M8)とを含むことを特徴とする半導体メモリ装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2000-0066805A KR100395877B1 (ko) | 2000-11-10 | 2000-11-10 | 반도체 메모리의 데이타 감지 장치 |
KR2000-066805 | 2000-11-10 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002157884A JP2002157884A (ja) | 2002-05-31 |
JP4128766B2 true JP4128766B2 (ja) | 2008-07-30 |
Family
ID=19698366
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001319535A Expired - Fee Related JP4128766B2 (ja) | 2000-11-10 | 2001-10-17 | 半導体メモリ装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6473348B2 (ja) |
JP (1) | JP4128766B2 (ja) |
KR (1) | KR100395877B1 (ja) |
DE (1) | DE10144245B4 (ja) |
TW (1) | TW507197B (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10302224B4 (de) * | 2003-01-20 | 2007-09-13 | Infineon Technologies Ag | Integrierter Speicher |
KR100573826B1 (ko) * | 2005-03-24 | 2006-04-26 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 기억 소자의 센스 앰프 구동 회로 및 구동 방법 |
US20070070755A1 (en) * | 2005-09-28 | 2007-03-29 | Dong-Keun Kim | Semiconductor memory device having shared bit line sense amplifier scheme and driving method thereof |
JP4781783B2 (ja) * | 2005-10-31 | 2011-09-28 | エルピーダメモリ株式会社 | 半導体記憶装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
2000
- 2000-11-10 KR KR10-2000-0066805A patent/KR100395877B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2001
- 2001-05-21 TW TW090112058A patent/TW507197B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-07-05 US US09/899,637 patent/US6473348B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-09-05 DE DE10144245A patent/DE10144245B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2001-10-17 JP JP2001319535A patent/JP4128766B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6473348B2 (en) | 2002-10-29 |
DE10144245B4 (de) | 2007-06-06 |
US20020057622A1 (en) | 2002-05-16 |
KR20020036562A (ko) | 2002-05-16 |
KR100395877B1 (ko) | 2003-08-25 |
DE10144245A1 (de) | 2002-06-20 |
TW507197B (en) | 2002-10-21 |
JP2002157884A (ja) | 2002-05-31 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040825 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061205 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070918 |
|
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|
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120523 Year of fee payment: 4 |
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