JP4101787B2 - マルチゲート構造の薄膜トランジスタおよびその製造方法 - Google Patents
マルチゲート構造の薄膜トランジスタおよびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4101787B2 JP4101787B2 JP2004132507A JP2004132507A JP4101787B2 JP 4101787 B2 JP4101787 B2 JP 4101787B2 JP 2004132507 A JP2004132507 A JP 2004132507A JP 2004132507 A JP2004132507 A JP 2004132507A JP 4101787 B2 JP4101787 B2 JP 4101787B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- insulating layer
- layer
- gate insulating
- covering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 28
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 39
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 39
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 34
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 26
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 22
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 18
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 18
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 256
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 21
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 16
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
- H01L29/6675—Amorphous silicon or polysilicon transistors
- H01L29/66757—Lateral single gate single channel transistors with non-inverted structure, i.e. the channel layer is formed before the gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
- H01L29/78618—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure
- H01L29/78621—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure with LDD structure or an extension or an offset region or characterised by the doping profile
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78645—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with multiple gate
Description
前記第3領域、前記第4領域、前記第5領域、前記第6領域、前記第7領域、前記第8領域および前記第9領域は、いずれも同じ導電型のイオンドープ領域であり、前記第1領域は第1チャネル領域、前記第2領域は第2チャネル領域、前記第9領域は第1ライトドープ領域、前記第4領域は第2ライトドープ領域、前記第5領域は第3ライトドープ領域、前記第3領域は第4ライトドープ領域、前記第6領域は第5ライトドープ領域、前記第7領域は第1ヘビードープ領域、前記第8領域は第2ヘビードープ領域であることが好ましい。
る領域であって、活性層34の第7領域347を覆うべく延伸する延伸領域40cをさらに有している。ここで、延伸領域40cの厚さは、第1被覆領域40b1の厚さよりもは
るかに小さくなっているため、LDD領域およびソース/ドレイン領域の形成には影響しないという点に特徴がある。また、第2ゲート絶縁層42も、第2被覆領域42b2から
延伸する領域であって、活性層34の第8領域348を覆うべく延伸する延伸領域42cをさらに有しており、同様に、延伸領域42cの厚さは、第2被覆領域42b2の厚さよりもはるかに小さくなっているため、LDD領域およびソース/ドレイン領域の形成には影響しないという点に特徴がある。本発明の実施例2による薄膜トランジスタは、実施例1において述べたのと同様の諸長所を備えるものである。これについては上述したのでその説明は省く。
32 バッファ層
34 活性層
341 第1領域
342 第2領域
343 第3領域
344 第4領域
345 第5領域
346 第6領域
347 第7領域
348 第8領域
349 第9領域
36 絶縁層
38 導電層
38I 第1ゲート層
38II 第2ゲート層
40 第1ゲート絶縁層
40a 中央領域
40b1 第1被覆領域
40b2 第2被覆領域
40c 延伸領域
42 第2ゲート絶縁層
42a 中央領域
42b1 第1被覆領域
42b2 第2被覆領域
42c 延伸領域
44 イオン注入によるライトドーピング
46 フォトレジスト層
48 イオン注入によるライトドーピング
Claims (6)
- 基板、
前記基板上に形成され、第1ライトドープ領域と、該第1ライトドープ領域の両側にそれぞれ形成される第2ライトドープ領域および第3ライトドープ領域と、該第2ライトドープ領域および該第3ライトドープ領域の外側にそれぞれ形成される第1チャネル領域および第2チャネル領域と、該第1チャネル領域および該第2チャネル領域の外側にそれぞれ形成される第4ライトドープ領域および第5ライトドープ領域と、該第4ライトドープ領域および該第5ライトドープ領域の外側にそれぞれ形成される第1ヘビードープ領域および第2ヘビードープ領域と、を有する活性層、
前記活性層上に形成され、前記第1チャネル領域を覆う中央領域と、前記第4ライトドープ領域を覆う第1被覆領域と、前記第2ライトドープ領域を覆う第2被覆領域と、を有する第1ゲート絶縁層、
前記活性層上に形成され、前記第2チャネル領域を覆う中央領域と、前記第3ライトドープ領域を覆う第1被覆領域と、前記第5ライトドープ領域を覆う第2被覆領域と、を有する第2ゲート絶縁層、
前記第1ゲート絶縁層上に形成され、前記第1ゲート絶縁層の中央領域を覆う第1ゲート層、ならびに
前記第2ゲート絶縁層上に形成され、前記第2ゲート絶縁層の中央領域を覆う第2ゲート層、
から構成され、
前記第2ライトドープ領域の端縁は、前記第1ゲート絶縁層第2被覆領域の端縁に整合し、前記第3ライトドープ領域の端縁は、前記第2ゲート絶縁層第1被覆領域の端縁に整合し、前記第4ライトドープ領域の端縁は、前記第1ゲート絶縁層第1被覆領域の端縁に整合し、前記第5ライトドープ領域の端縁は、前記第2ゲート絶縁層第2被覆領域の端縁に整合しており、
前記第2ライトドープ領域と前記第3ライトドープ領域とが同じ不純物濃度および長さを有し、前記第4ライトドープ領域と前記第5ライトドープ領域とが同じ不純物濃度および長さを有し、
前記第2ライトドープ領域および前記第3ライトドープ領域の不純物濃度は、前記第1ライトドープ領域、前記第4ライトドープ領域および前記第5ライトドープ領域の不純物濃度よりも小さく、
前記第1ライトドープ領域、前記第2ライトドープ領域、前記第3ライトドープ領域、前記第4ライトドープ領域および前記第5ライトドープ領域ならびに前記第1ヘビードープ領域および前記第2ヘビードープ領域は、いずれも同じ導電型のイオンドープ領域であるマルチゲート構造の薄膜トランジスタ。 - 前記第1ゲート絶縁層は、前記第1ゲート絶縁層の第1被覆領域から延伸して、前記活性層の第1ヘビードープ領域を覆い、その厚さが前記第1ゲート絶縁層の第1被覆領域の厚さよりも小さい延伸領域をさらに有し、
前記第2ゲート絶縁層は、前記第2ゲート絶縁層の第2被覆領域から延伸して、前記活性層の第2ヘビードープ領域を覆い、その厚さが前記第2ゲート絶縁層の第2被覆領域の厚さよりも小さい延伸領域をさらに有し、
前記第1ゲート絶縁層の第2被覆領域および前記第2ゲート絶縁層の第1被覆領域から延伸して、前記第1ライトドープ領域を覆い、その厚さが前記第1ゲート絶縁層の第2被
覆領域および前記第2ゲート絶縁層の第1被覆領域の厚さよりも小さい延伸領域をさらに有している請求項1記載のマルチゲート構造の薄膜トランジスタ。 - 前記基板が透明絶縁基板またはガラス基板であり、
前記活性層が半導体シリコン層またはポリシリコン層であり、
前記第1ゲート絶縁層が酸化シリコン層、窒化シリコン層、窒酸化シリコン層またはこれらの組み合せからなる堆積層であり、かつ、
前記第2ゲート絶縁層が酸化シリコン層、窒化シリコン層、窒酸化シリコン層またはこれらの組み合せからなる堆積層である請求項1記載のマルチゲート構造の薄膜トランジスタ。 - 基板を用意する工程、
前記基板上に活性層を形成する工程、
前記活性層を覆うように前記基板上に絶縁層を形成する工程、
前記絶縁層上に導電層を形成する工程、
エッチングを行って、前記導電層を第1ゲート層と第2ゲート層とに形成すると共に、前記絶縁層を、前記第1ゲート層に覆われた中央領域、該中央領域の一方側に形成される第1被覆領域、および該中央領域の他方側に形成される第2被覆領域からなる第1ゲート絶縁層と、前記第2ゲート層に覆われた中央領域、該中央領域の一方側に形成される第1被覆領域、および該中央領域の他方側に形成される第2被覆領域からなる第2ゲート絶縁層とに形成し、かつ、隣り同士に位置する前記第1ゲート絶縁層の第2被覆領域と前記第2ゲート絶縁層の第1被覆領域との間、前記第1ゲート絶縁層の第1被覆領域の外側、および前記第2ゲート絶縁層の第2被覆領域の外側にある前記活性層を露出させる工程、
前記活性層にイオン注入によるライトドーピングを行って、前記第1ゲート絶縁層の中央領域および前記第2ゲート絶縁層の中央領域の下方にそれぞれアンドープ領域である第1領域および第2領域を、前記第1ゲート絶縁層の第1被覆領域および第2被覆領域の下方にそれぞれ第1の不純物濃度を有したライトドープ領域である第3領域および第4領域を、前記第2ゲート絶縁層の第1被覆領域および第2被覆領域の下方にそれぞれ第1の不純物濃度を有したライトドープ領域である第5領域および第6領域を、前記第1ゲート絶縁層の第1被覆領域の外側に第2の不純物濃度を有したライトドープ領域である第7領域を、前記第2ゲート絶縁層の第2被覆領域の外側に第2の不純物濃度を有したライトドープ領域である第8領域を、前記第1ゲート絶縁層の第2被覆領域と前記第2ゲート絶縁層の第1被覆領域との間に第2の不純物濃度を有したライトドープ領域である第9領域を形成する工程、
前記活性層にイオン注入によるヘビードーピングを行って、前記第3領域および前記第5領域を第3の不純物濃度を有したライトドープ領域とすると共に、前記第7領域および前記第8領域をヘビードープ領域とする工程、
からなり、
前記第3領域の端縁は、前記第1ゲート絶縁層第1被覆領域の端縁に整合し、前記第4領域の端縁は、前記第1ゲート絶縁層第2被覆領域の端縁に整合し、前記第5領域の端縁は、前記第2ゲート絶縁層第1被覆領域の端縁に整合し、前記第6領域の端縁は、前記第2ゲート絶縁層第2被覆領域の端縁に整合しており、
前記第3領域と前記第6領域とは同じ不純物濃度および長さを有し、前記第4領域と前記第5領域とは同じ不純物濃度および長さを有し、
前記第4領域および前記第5領域の不純物濃度は、前記第3領域、前記第6領域および前記第9領域の不純物濃度よりも小さく、
前記第3領域、前記第4領域、前記第5領域、前記第6領域、前記第7領域、前記第8領域および前記第9領域は、いずれも同じ導電型のイオンドープ領域であり、
前記第1領域は第1チャネル領域、前記第2領域は第2チャネル領域、前記第9領域は第1ライトドープ領域、前記第4領域は第2ライトドープ領域、前記第5領域は第3ライ
トドープ領域、前記第3領域は第4ライトドープ領域、前記第6領域は第5ライトドープ領域、前記第7領域は第1ヘビードープ領域、前記第8領域は第2ヘビードープ領域であるマルチゲート構造の薄膜トランジスタ製造方法。 - 前記エッチングにおいて、前記第1ゲート絶縁層の第2被覆領域と前記第2ゲート絶縁層の第1被覆領域との間、前記第1ゲート絶縁層の第1被覆領域の外側、および前記第2ゲート絶縁層の第2被覆領域の外側にある前記活性層を露出させずに、
前記第1ゲート絶縁層の第1被覆領域から延伸して、前記第7領域を覆い、その厚さが前記第1ゲート絶縁層の第1被覆領域の厚さよりも小さい延伸領域と、前記第2ゲート絶縁層の第2被覆領域から延伸して、前記第8領域を覆い、その厚さが前記第2ゲート絶縁層の第2被覆領域の厚さよりも小さい延伸領域と、前記第1ゲート絶縁層の第2被覆領域および前記第2ゲート絶縁層の第1被覆領域から延伸して、前記第9領域を覆い、その厚さが前記第1ゲート絶縁層の第2被覆領域および前記第2ゲート絶縁層の第1被覆領域の厚さよりも小さい延伸領域を残す請求項4記載の製造方法。 - 前記基板が透明絶縁基板またはガラス基板であり、
前記活性層が半導体シリコン層またはポリシリコン層であり、
前記第1ゲート絶縁層が酸化シリコン層、窒化シリコン層、窒酸化シリコン層またはこれらの組み合せからなる堆積層であり、かつ、
前記第2ゲート絶縁層が酸化シリコン層、窒化シリコン層、窒酸化シリコン層またはこれらの組み合せからなる堆積層である請求項4記載の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW92109879A TWI221339B (en) | 2003-04-28 | 2003-04-28 | Thin film transistor with a self-aligned lightly doped structure and its manufacturing method |
TW092134005A TW200520229A (en) | 2003-12-03 | 2003-12-03 | Thin film transistor of multi-gate structure and its manufacturing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004327999A JP2004327999A (ja) | 2004-11-18 |
JP4101787B2 true JP4101787B2 (ja) | 2008-06-18 |
Family
ID=33422349
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004132507A Expired - Fee Related JP4101787B2 (ja) | 2003-04-28 | 2004-04-28 | マルチゲート構造の薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7238963B2 (ja) |
JP (1) | JP4101787B2 (ja) |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7238963B2 (en) * | 2003-04-28 | 2007-07-03 | Tpo Displays Corp. | Self-aligned LDD thin-film transistor and method of fabricating the same |
US7592628B2 (en) * | 2006-07-21 | 2009-09-22 | Tpo Displays Corp. | Display with thin film transistor devices having different electrical characteristics in pixel and driving regions |
US20080042131A1 (en) * | 2006-08-15 | 2008-02-21 | Tpo Displays Corp. | System for displaying images including thin film transistor device and method for fabricating the same |
TWI327447B (en) * | 2006-10-16 | 2010-07-11 | Chimei Innolux Corp | Method of fabricating a thin film transistor |
CN100437948C (zh) * | 2007-02-07 | 2008-11-26 | 友达光电股份有限公司 | 薄膜晶体管及半导体元件的制作方法 |
US20090072313A1 (en) * | 2007-09-19 | 2009-03-19 | International Business Machines Corporation | Hardened transistors in soi devices |
US20090085039A1 (en) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Tpo Displays Corp. | Image display system and fabrication method thereof |
JP2010056541A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-03-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
TWI440139B (zh) * | 2008-11-21 | 2014-06-01 | Innolux Corp | 薄膜電晶體之製造方法及具有該薄膜電晶體陣列基板之製造方法 |
KR101041141B1 (ko) | 2009-03-03 | 2011-06-13 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법 |
KR101015849B1 (ko) * | 2009-03-03 | 2011-02-23 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막트랜지스터, 그의 제조방법 및 이를 포함하는 유기전계발광표시장치 |
KR101049799B1 (ko) * | 2009-03-03 | 2011-07-15 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막트랜지스터, 그의 제조방법 및 이를 포함하는 유기전계발광표시장치 |
US8232603B2 (en) * | 2009-03-19 | 2012-07-31 | International Business Machines Corporation | Gated diode structure and method including relaxed liner |
KR101056428B1 (ko) * | 2009-03-27 | 2011-08-11 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막트랜지스터, 그의 제조방법, 및 이를 포함하는 유기전계발광표시장치 |
TWI650848B (zh) | 2009-08-07 | 2019-02-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置和其製造方法 |
KR101094295B1 (ko) * | 2009-11-13 | 2011-12-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 다결정 실리콘층의 제조방법, 박막트랜지스터의 제조방법, 및 유기전계발광표시장치의 제조방법 |
US9040395B2 (en) | 2012-08-10 | 2015-05-26 | Dimerond Technologies, Llc | Apparatus pertaining to solar cells having nanowire titanium oxide cores and graphene exteriors and the co-generation conversion of light into electricity using such solar cells |
US8586999B1 (en) | 2012-08-10 | 2013-11-19 | Dimerond Technologies, Llc | Apparatus pertaining to a core of wide band-gap material having a graphene shell |
US8829331B2 (en) | 2012-08-10 | 2014-09-09 | Dimerond Technologies Llc | Apparatus pertaining to the co-generation conversion of light into electricity |
TWI595659B (zh) | 2012-09-14 | 2017-08-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
CN103178006B (zh) * | 2013-03-29 | 2015-09-23 | 上海和辉光电有限公司 | 调整低温多晶硅晶体管阀值电压的方法 |
KR102173707B1 (ko) * | 2013-05-31 | 2020-11-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
CN104701175A (zh) * | 2013-12-10 | 2015-06-10 | 昆山国显光电有限公司 | 一种薄膜晶体管的制造方法 |
US10032924B2 (en) | 2014-03-31 | 2018-07-24 | The Hong Kong University Of Science And Technology | Metal oxide thin film transistor with channel, source and drain regions respectively capped with covers of different gas permeability |
US9443957B1 (en) * | 2015-03-12 | 2016-09-13 | International Business Machines Corporation | Self-aligned source and drain regions for semiconductor devices |
CN104867983A (zh) * | 2015-04-13 | 2015-08-26 | 北京大学 | 一种LDD/Offset结构薄膜晶体管及其制备方法 |
US10504939B2 (en) | 2017-02-21 | 2019-12-10 | The Hong Kong University Of Science And Technology | Integration of silicon thin-film transistors and metal-oxide thin film transistors |
EP3977521A4 (en) | 2019-06-03 | 2023-05-10 | Dimerond Technologies, LLC | HIGH EFFICIENCY BROADBAND GAP/GRAPHENE SEMICONDUCTOR HETEROJUNCTION SOLAR CELLS |
Family Cites Families (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3122177B2 (ja) | 1991-08-09 | 2001-01-09 | 旭硝子株式会社 | 薄膜トランジスタとその製造方法 |
JP2564725B2 (ja) * | 1991-12-24 | 1996-12-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Mos型トランジスタの作製方法 |
US6624477B1 (en) * | 1992-10-09 | 2003-09-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2935083B2 (ja) | 1992-10-22 | 1999-08-16 | カシオ計算機株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
JP3474604B2 (ja) | 1993-05-25 | 2003-12-08 | 三菱電機株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製法 |
JPH07135323A (ja) * | 1993-10-20 | 1995-05-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 薄膜状半導体集積回路およびその作製方法 |
TW299897U (en) * | 1993-11-05 | 1997-03-01 | Semiconductor Energy Lab | A semiconductor integrated circuit |
JPH07211912A (ja) | 1994-01-21 | 1995-08-11 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
JP4307574B2 (ja) * | 1996-09-03 | 2009-08-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | アクティブマトリクス表示装置 |
JP3392672B2 (ja) * | 1996-11-29 | 2003-03-31 | 三洋電機株式会社 | 表示装置 |
JPH10198292A (ja) * | 1996-12-30 | 1998-07-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
TW386238B (en) * | 1997-01-20 | 2000-04-01 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
JP3856889B2 (ja) * | 1997-02-06 | 2006-12-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 反射型表示装置および電子デバイス |
JP3980178B2 (ja) * | 1997-08-29 | 2007-09-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 不揮発性メモリおよび半導体装置 |
TW381187B (en) * | 1997-09-25 | 2000-02-01 | Toshiba Corp | Substrate with conductive films and manufacturing method thereof |
JP4223094B2 (ja) * | 1998-06-12 | 2009-02-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電気光学表示装置 |
US6274887B1 (en) * | 1998-11-02 | 2001-08-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method therefor |
US6617644B1 (en) * | 1998-11-09 | 2003-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
US6777716B1 (en) * | 1999-02-12 | 2004-08-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor display device and method of manufacturing therefor |
EP2500941A3 (en) * | 1999-06-02 | 2017-05-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US6384427B1 (en) * | 1999-10-29 | 2002-05-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device |
TW521256B (en) * | 2000-05-18 | 2003-02-21 | Semiconductor Energy Lab | Electronic device and method of driving the same |
US7223643B2 (en) | 2000-08-11 | 2007-05-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
US6624051B1 (en) * | 2000-08-25 | 2003-09-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor thin film and semiconductor device |
JP4954366B2 (ja) * | 2000-11-28 | 2012-06-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
SG103846A1 (en) * | 2001-02-28 | 2004-05-26 | Semiconductor Energy Lab | A method of manufacturing a semiconductor device |
TW480735B (en) * | 2001-04-24 | 2002-03-21 | United Microelectronics Corp | Structure and manufacturing method of polysilicon thin film transistor |
JP4831885B2 (ja) * | 2001-04-27 | 2011-12-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US6952023B2 (en) * | 2001-07-17 | 2005-10-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
JP4439766B2 (ja) * | 2001-08-02 | 2010-03-24 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタ装置及びその製造方法 |
JP4056720B2 (ja) * | 2001-08-30 | 2008-03-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 結晶質半導体膜の作製方法 |
KR100458710B1 (ko) * | 2001-11-06 | 2004-12-03 | 네오폴리((주)) | Oeld용 결정질 실리콘 박막트랜지스터 패널 및 제작방법 |
US6911675B2 (en) * | 2001-11-30 | 2005-06-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix display device and manufacturing method thereof |
JP4021194B2 (ja) | 2001-12-28 | 2007-12-12 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタ装置の製造方法 |
KR100485531B1 (ko) | 2002-04-15 | 2005-04-27 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 다결정 실리콘 박막트랜지스터와 그 제조방법 |
JP2003023014A (ja) | 2002-05-20 | 2003-01-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2003002372A (ja) | 2002-06-12 | 2003-01-08 | Athena Kogyo Co Ltd | 即席食品等の容器及びその容器本体 |
US7238963B2 (en) * | 2003-04-28 | 2007-07-03 | Tpo Displays Corp. | Self-aligned LDD thin-film transistor and method of fabricating the same |
US7145209B2 (en) * | 2003-05-20 | 2006-12-05 | Tpo Displays Corp. | Thin film transistor and fabrication method thereof |
-
2004
- 2004-04-27 US US10/833,487 patent/US7238963B2/en active Active
- 2004-04-28 JP JP2004132507A patent/JP4101787B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-02-21 US US11/709,480 patent/US7897445B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20070238229A1 (en) | 2007-10-11 |
JP2004327999A (ja) | 2004-11-18 |
US7238963B2 (en) | 2007-07-03 |
US7897445B2 (en) | 2011-03-01 |
US20040227195A1 (en) | 2004-11-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4101787B2 (ja) | マルチゲート構造の薄膜トランジスタおよびその製造方法 | |
US7572690B2 (en) | Method of fabricating CMOS thin film transistor (TFT) and CMOS TFT fabricated using the same | |
US7388265B2 (en) | Thin film transistor and fabrication method thereof | |
TWI675487B (zh) | 電晶體元件及半導體佈局結構 | |
US6734034B2 (en) | Transistor and associated driving device | |
TWI533408B (zh) | 薄膜電晶體和主動矩陣有機發光二極體組件及製造方法 | |
KR20050118717A (ko) | FinFET 디바이스 구조의 형성 방법 | |
US20050258488A1 (en) | Serially connected thin film transistors and fabrication methods thereof | |
US7674658B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
US8476123B2 (en) | Method for manufacturing thin film transistor array panel | |
US11245042B2 (en) | Thin film transistor, fabricating method thereof, display substrate and display apparatus | |
WO2019200824A1 (zh) | Ltps tft基板的制作方法及ltps tft基板 | |
US20050074914A1 (en) | Semiconductor device and method of fabrication the same | |
KR100307457B1 (ko) | 박막 트랜지스터의 제조 방법 | |
WO2016029551A1 (zh) | 制作薄膜晶体管的方法及薄膜晶体管 | |
US20190393096A1 (en) | Semiconductor device and fabrication method thereof | |
US6730548B1 (en) | Method of fabricating a thin film transistor | |
JP3862692B2 (ja) | 低濃度ドレインを有する半導体装置の製造方法 | |
TW201921070A (zh) | 陣列基板 | |
TWI239653B (en) | Series structure on thin film transistors and method for fabricating the same | |
KR101128100B1 (ko) | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
CN117673118A (zh) | 半导体结构及其形成方法 | |
JPH11233774A (ja) | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
CN115763550A (zh) | Sgt半导体器件的栅间介质层的制造方法 | |
KR0167605B1 (ko) | 모스 트랜지스터 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060223 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071002 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071225 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080129 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080130 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080226 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080319 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110328 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120328 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130328 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130328 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140328 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |