JP4017186B2 - 集積回路を非導電的に相互接続する方法及び装置 - Google Patents
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Description
発明の分野
本発明は、一般的にはエレクトロニック及びマイクロエレクトロニックパッケージングの分野に関し、より詳しくはマルチチップパッケージに、そのようにパッケージされたシステムを組立て、試験し、修復する方法に、そしてそのようにパッケージされた回路間で容量性結合を介して通信する方法に関する。特に関心のある分野はデジタルシステム、即ちマルチステートもしくはバイナリ論理の規則に従って動作する重要な構成要素を含むシステムである。
【0002】
関連出願との相互参照
本出願は1993年6月24日付本願発明者らによる米国特許出願S/N08/082,328号“集積回路を非導電的に相互接続する方法及び装置”の部分継続である。上記'328号出願は本明細書に参照されている。
【0003】
発明の背景
パッケージング技術
エレクトロニックシステムは通常、成分の階層的なパッケージとして実現されている。抵抗器及びトランジスタのような受動的な、もしくは能動的な電子素子及びそれらの配線は、典型的にはメモリもしくは論理ユニットに組合わされ、それらが回路及びデバイスに組合わされ、それらがより大きい機能ユニットに組合わされる等々によってシステムのレベルまで組合わされて行く。
【0004】
各々のより高い階層レベルは設計者に、より大きい生産性を与えるが、パッケージを論理的にも物理的にも接続するための費用に関しては妥協を余儀なくされている。これらのレベルにおいてデバイス間でデータを通信し、タイミングをとるためにはパッケージが提供する信号相互接続手段が必要である。パッケージは電力手段をも提供し、また物理的な支持、熱除去及び保護のような他の要求をも満たしている。
【0005】
協定によればパッケージングレベルには0−4の5つの段階が存在するが、これらのレベルは明確に定義されてはいない。ハードウェアシステムの段階の基準となる例は、裸の半導体ウエーハであり、これは、未切断の(すなわちダイとして切り出されていない)“レベル0”のパッケージと呼ばれることもある。たとえ爾後に基板がサブユニットに分割されても、製造段階中に多くの成分が同時に共通の基板上に形成される。例えば、配線、メモリもしくは論理ゲートを半導体ウェーハの表面に集積回路として形成した後に、個々のダイに切断することができる。ダイの例は、半導体材料上に実現されたマイクロエレクトロニックデバイス、ジョセフソン接合を担持する超電導体、及び他の量子干渉デバイスを担持する材料を含む。
【0006】
典型的には個々のダイが取り付けられて“レベル1”パッケージが形成され、このパッケージは機械的安定性、保護、冷却及び熱消散、電力及び接地、及び他のパッケージへの信号ライン(クロッキングを含む)の相互接続を提供する。例には、DIP、セラミック、表面取付けされた及びソケット取付けされたパッケージが含まれる。
【0007】
“レベル2”パッケージは、1つもしくはそれ以上のレベル1もしくはレベル0のパッケージを担持し、それらの信号及び電力配線を相互接続するモジュールである。これは、典型的には印刷回路板(PCB)、印刷配線板(PWB)、もしくは熱伝導モジュールからなり、これらの目的のために1つもしくはそれ以上の相互接続されたパッケージをクラスタ化することができる。“レベル3”組立体は、典型的にはバックプレーンを用いてレベル1及びレベル2のパッケージを更に編成したものであるが、概念的にはレベル2もしくはレベル1のパッケージと異なることはない。“レベル4”パッケージは、低レベルのパッケージを、電源、環境システム、機械的システム、周辺装置等々と標準的に結合してシステム機能を与える。
【0008】
マルチチップモジュール(“MCM”もしくは“レベル11/2”パッケージ)は複数のダイ及び/または関連相互接続部を保持及び相互接続するためにレベル2もしくはレベル3のようなパッケージとしてのモジュラー機能を与える。少なくともMCMは信号を分配し、また通常は電力もMCMによって分配される。MCMはまた、もしくは単に、その構成ダイを古いレベル1もしくはレベル0のパッケージとしてカプセル封じし、それによって保護を与える。またMCMは、ダイとヒートシンク用基板とを通じさせ、それによって熱を消散させる。
【0009】
厳格に言えば、MCMは、その相互接続トポロジによって実際に定義される段階のどのようなレベルのパッケージとしても処理することができる。産業界では“チップ”という用語をレベル0ダイ及びレベル1パッケージの両方に互換的に使用していることに注目されたい(例えば、通常マルチ「チップ」モジュールと称せられているものは、実際にはマルチダイモジュールである)。本明細書において使用するチップという用語は、特記されていない限り、レベル0パッケージかもしくはダイを意味している。本明細書において使用する“モジュール”もしくは“サブモジュール”という用語は総体的であることを意図しており、例えば1つもしくはそれ以上のレベル0ダイ、1つもしくはそれ以上のレベル1もしくはレベル0のチップ(パッケージされていようと、いまいと)、及び、勿論よりさらに高いレベルの集合のような、どのパッケージレベルを指すこともできる。
【0010】
現在のMCM技術
MCMは、裸であろうとカプセル封じされていようと、それに取付けられ導電的に結合されている2つもしくはそれ以上のダイを含む。MCMは電力及びダイ間信号配線を提供する。若干りMCM技術では、ダイは基板に物理的に結合され、周辺に位置決めされている接点(例えばピン)にワイヤボンドされたリードがダイとマルチチップ基板との間の導電性接続を供給する。他の技術は、ダイのリードが周辺に、またはダイ領域の殆どにわたっての何れかに位置決めされ(ピン格子アレイ(PGA)または半田の盛り上がりのように)、マルチチップ基板上のそれぞれの接点に半田付けその他によって結合されている“フリップチップ”構成を使用している。
【0011】
現在、マルチチップパッケージング技術の幾つかのファミリーが標準にされている。いわゆるMCM−L技術は積層された有機的な基板を使用し、この基板にダイがフリップチップ、テープ自動ボンディング(TAB)、もしくはワイヤボンディングによって結合される。MCM−C技術においては、ダイはセラミック厚膜基板にフリップチップによって直接、もしくは予めパッケージされたキャリヤ内に間接的に取付けられる。セラミック基板は印刷及び焼成プロセスによるか、もしくはスクリーン済みのグリーンシートを積層して順次相互挿入することによって順次に形成される。MCM−D技術は沈積された薄膜基板を使用し、MCM−Cにおけるようにしてこの基板にダイを取付ける。これら3つの基本MCM技術にはバリエーションも存在している。例えば、あるバリエーションではプラスチックパッケージを使用し、コンパウンドのモールディングを含み、そしてリードフレームはいわゆるマルチチッププラスチッククワッドパックス(MCM−P)技術である。MCM−DCもしくはMCM−CDと呼はれる別の最新のバリエーションはセラミックマルチチップ基板上に沈積された薄膜を使用し、典型的には沈積されたポリマ・金属薄膜層内のダイ間信号配線と、共同焼成されたセラミック厚膜化基板内の電力/接地配線とを提供する。これらの技術の全ては産業界及び大学における多くの研究及び発明の対象である(1992年12月のProc. of the IEEEに所載のRao R. Tummalaの論文“Multichip Packaging-A Tutorial”を参照されたい)。
【0012】
高密度マルチチップモジュールの構成に多くのアプローチが提唱されている。IBM C4技術は、ダイを伏せた形態でフリップチップ内のマルチチップモジュールに取付ける。この配列はパッケージリードの寄生インダクタンスを最小にし、ダイの内部のどの点にもパッドを配置可能にする。典型的には、ダイはリフロー半田アプローチを使用してモジュールに取付けられる。ダイは、直径10乃至200ミクロンの半田球に続く幾つかの保護金属化層を各パッドに結合することによって盛り上がる。次いで複数のダイをマルチチップモジュール上に正確に位置決めし、その位置にリフロー半田付けされる。半田付けの検査はサーモグラフィもしくはラジオグラフィ技術を用いて遂行できるが、それ以外では困難であろう。パッドの位置は最早ダイ周辺に制限されることはなくなるが、シリコンとモジュールとの間の熱膨張係数が一致しないために、ダイの中心部分のある半径内に位置するように制約されることが多い。修復はモジュールを加熱し、ダイを取り除き、そして交換するダイをリフロー半田付けすることによって遂行する。
【0013】
“チップス・ファースト”で上向きにワイヤボンディングする、すなわち、最初にシリコンダイを同一平面に上向きに基板上に配置した後シリコンダイの間をワイヤボンディングして、高密度シリコン、セラミック、もしくは銅・ポリイミドのモジュールを形成するのは、普通のハイブリッド製造技術に類似しており、再加工及び結合の歩留りの悪さが伴う。GE/TIプロセスは、平坦な表面上に伏せて配置された選択された自由なダイの集まりから平らなウェーハ状のモジュールを形成し、次いでそれをポリイミドキャリや内にカプセル封じする。硬化させた後に、このキャリヤを裏返し、平坦化し、そして更なる金属化(たぶん多層の金属化)のためのモジュールとして使用する。ダイの平らな集合の頂部を金属化することの主たる長所には、精密なリトグラフィが達成可能であること、及び相互接続の寄生が極めて小さくなることが含まれる。
【0014】
プロセスは、ダイを3Dにスタックすることに概括することもできる。アービン(Irvine)センサアプローチでは、電気的に絶縁された裏面を有するダイは、ある縁に沿って整列されたパッドに接触するようにファンアウトされたリードを有し、パッドを精密に整列させた側がスタックされるように設計される。次いで露出された側が清潔にされ、研磨され、そして相互接続ラインの上が金属化される。このパッケージは極めて高密度であり熱量消散は制約され得るが、それでもリードは上記の縁まで走って他のダイへの経路へ戻さなければならない。
【0015】
クレイコンピュータアプローチにおいては、ダイのスタックに格子状に孔をあけ、めっきしてダイバイアス(vias)との導電性接触を形成し、次いでこれらの孔にねじった金電垂線を通し、ダイを僅かに分離してそれらを支持する。このパッケージは極めて高密度で概念的には平凡であるが、製造は極めて困難である。
【0016】
MCM技術に対する要望
現在の技術では、オンダイ(on-die)に留まるよりは、オフダイ(off-die)信号伝送の方が(電力、待ち時間、性能、及び回路面積に関して)遥かに費用がかさむ。オフダイ信号伝送は、同一のダイもしくは異なるダイ上の2点間でオフダイ配線を使用して通信することを意味している。従って、現在の技術における主たる設計の目的は、各ダイ上の回路の数を増加させてその回路の高価なオフダイ相互接続に対する比を増加させることである。しかしながら、ダイのサイズがある経済的に、そして技術的に実行可能な限界に接近すると、ランダムに発生する製造欠陥によって受容できないダイを発生する確率がポアソン分布で指数的に上昇するようになる。ダイが僅かに大きくなると歩留りはかなり低い率になるから、このいわゆる“表面対体積”(通信対計算)比によって、製造歩留りは大幅に制約され、従って、正常ダイ当たりの費用も大幅に制約される。
【0017】
マルチチップ技術に対する要望の大部分は、受容できる歩留りで任意に大きい半導体ダイを製造することができないことから発している。ダイのサイズが所与の技術によって実際に制限されるために、システム設計者は大きいデジタルシステムを複数のダイに分割することを余儀なくされている。不幸にも、典型的にはダイ間通信はパッケージング費用を数十乃至数百パーセント膨張させるから、これらの分割はシステム性能に劇的な衝撃を与える。
【0018】
マルチチップ技術は、近代的なCMOS技術におけるダイ内通信の費用を低下させる可能性をも提供する。もしオフダイ信号伝送が現在よりも若干でも安価になれば、ある点で、オフダイ信号伝送の方が、若干のダイ内通信についてのオンダイ配線よりも好ましくなる。今日のMCM技術の従事者によって認識されているこの要望が暗示するのは以下の通りである。即ち、非通信ゲート当たりの相互接続が大きいことを犠牲にしても、ダイはより小さくすべきである。ダイがより小さくなれば歩留りは大幅に向上し、面積当たりの費用が低下する。従ってもしより安価なMCM上のダイ内通信を使用することが可能になれば、設計者はサブユニットとして小さい、極めて歩留りの高いモノリシック集積回路ダイ(及びそれらのモジュール)を使用してあたかも単一の巨大なエレクトロニックデバイス(それらの相互接続を含む)の集合であるかのようにマルチチップモジュールを平易に処理することが可能になる。これは設計者にとって極めて有用であり、また半導体業者にとって費用効果が大きい。
【0019】
ダイ内信号にMCMを使用することは、同一ダイ上の点間の低インピーダンス(従って低分散)信号にとって極めて魅力的でもある。低分散同報はクロック分配にとって不可欠であり、2点間低分散は一般的にも有用である。
【0020】
マルチチップ技術の別の応用は、オンダイ相互接続をカストマイズ(もしくは個別化)する、もしくは変更パッドを巧みに処理することにある。特殊化された機能を一つにまとめたり、性能を試験したり、欠陥を削除したり、システムの基本接続を再限定したり、または変更パッドを巧みに処理する機能を遂行するために、相互接続を実験用組立盤によって、全ウェーハサイズまでのダイ内を、もしくはダイの集合の間をカストマイズすると有用である。現在では、カストマイズするには長い(ほぼ6週間)論理アレイマスキングプロセス、配線接合の信頼できないレーザ溶融/破壊、配線の微小組立て(マイクロファブリケーション)におけるかなりの費用、大規模(例えばワイヤラップ)組立て、耐久性の欠如(例えば、手動ワイヤード応急処理)、もしくはこれらの組合わせを必要とするのが一般である。MCMを適切に設計することにより、カストマイゼーションの大きい恩恵を享受することができる。
【0021】
ダイ間信号技術は、要求MCM技術に向かっている。信号経路を短くすると遅延が短くなりクロックレートを高速に(即ち、秒当たりの演算を多く)することができ、同期命令を幅広く(即ち、クロックチック当たりの動作を多く)することができるから、性能を高めるのに直接寄与することになる。ダイは一般的に平坦であるから、最長の信号経路がその直径として、もしくは大まかにその面積の平方根として概算される。平坦なMCMは、縁及び裏面へ走行するための配線オーバヘッドが少なくて済むから、小さ目のダイを使用してより高密度に製造することができる。原則的にエレクトロニックデバイスにおいてはそれを有用ならしめるダイを容積的に配置することができるが、オンダイ配線及びスタックにされたキャパシタを除いて現在の技術では普遍的ではない。MCMは原則的に空間充填技法で製造されるので、容積パッキングは平面パッキングよりも高密度であり、従って信号経路は遥かに短く(例えば、もしパッケージがその面積に比して薄ければチップパッケージ容積の立方根に比例して)保持される。
【0022】
信号ラインのための相互接続ネットワークの費用は、一般に、面積の関数(即ち、システムの面積の代理)及び層の数(即ち、密度及びレイアウト効率)として基準化され、目標として線形基準化が使用される。ある面積内のリードの数もしくはチップの数は、ワイヤボンドを使用する技術のような多くのパッケージング技術において大幅に費用を膨張させる。たとえある技術がリードの数として基準化することを回避したとしても、もしその技術がパッケージを形成するために半田盛り上げ導電性結合のような事前処理を必要とするならば、その技術は費用のかかる試験/修復サイクルを処理し、償還することによって、及び勿論経常費用及び資本費用のために歩留りが悪くなるので高価になる。
【0023】
たとえある大きいシステム及び小さいシステムにおいて、各平均平方インチ内で出入りする電線の数が同数であるとしても、大きい方のシステム内の電線は、平均よりも長く走行するので、小さい方のシステム内の電線よりもシステム密度の割合がより大きくなる。これが周知の“数の法則”であって、最少数の金属化層に抑えるようにレイアウトする際に考慮すべき重要な問題であり、金属化層の数は、一般的に、大きなチップの方が小さなチップに比べて大きくなる、すなわちチップの面積に比例して大きくなる。チップの機能のほとんど全てが意図した処理機能以外の通信に使用されるような漸近密度を越えると、原則的に、大きい高性能システムの製造可能性を抑制する。MCMは回路板に比べて高い相互接続密度に対する要求を満たすので、MCMが回路板に取って変わることができる。それによって、チップを三次元にわたってパッキングと共に三次元にわたる相互接続を行うことによりマンハッタン距離を短くすることができる。
【0024】
マルチチップに対するさらなる要望は、各々の特性を活用するためにハイブリッド材料を組合わせる費用と複雑さから発している。例えば、どのように大きい安価なシリコンCMOSチップでもGaAsの速度及び光学特性には及ばず、また他方の材料の上の一方の材料を成長させることはそれらを別々に形成させるよりも本質的に複雑である。
【0025】
さらなる要望は、パッケージジング階層の耐久値から発しており、マイクロプロセッサのような十分に記述された成分を有する標準化パッケージが、成分もしくは完全システムレベルパッケージングに比して種々の利点を持って市販されている。これらの階層を使用することの重要な利点には、低い価格、モジュールの高級化の可能性、十分に特色付けされた挙動、及び多重原始化が含まれる。設計者は階層の競合する便益及び費用を平衡させる。そのため、システム設計の自由度が必然的に制約されるが、複雑なシステム相互作用及び障害モードが比例的に減少する。
【0026】
さらなる要望は、パッケージ製造自体の困難さから発している。加工もしくは製造の複雑さ、プロセス要求、及びパッケージ費用がダイのそれに接近するかもしくはそれを超えるので、パッケージの費用及びターンアラウンドタイムはダイのそれら程に膨大になり得る。
【0027】
現在のMCM技術の問題点
過去数年にわたる種々の研究努力にも拘わらず、今日のMCM技術は未だに費用、性能、設計、製造可能性、信頼性及び修復性、並びに上述した要望に対する欠点に関する重大な問題を抱えている。
【0028】
現在のMCM技術は、既存の集積回路(“IC”)組立ラインに対して重大な再編成及び/または再方向付けを必要とする。MCMパッケージングの費用の長所を実現するためには高容量を必要とするが、MCM技術を利用するように既存の生産システム(高容量要求は既に存在している)を再実現するには、典型的に広範囲なシステム規模の再設計が必要である。システム販売者はこのような努力に合理的に抵抗し、その代わりに若干のICのクラスタを特定用途IC(ASIC)として実現することを選択している。これは一般的に、レベル2基板及びレベル1チップの局部的な再設計だけを含むものである。従って、MCM実現の直截的な費用が比較的高くなり、大きい容積を演繹的に予測することができないようなシステムに対してMCM技術を使用する勇気が挫かれている。(1992年12月のProc. of the IEEEに所載のBalde, J.W.の論文“Crisis in Technology:The Questionable U.S. Ability to Manufacture Thin-Film Multichip Modules.”を参照されたい。)
【0029】
TABの電気的性能、細いライン、もしくは半田盛り上げ導電性相互接続は導電性相互接続に関してはワイヤボンディングよりは遥かに良好にすることは可能であり、パッドカウントに対する制約は幾分少ないが、従来の技術のMCMプロセスは、半田球を配置するために組立てるか、もしくは組立てのための金属結合位置を製造する前にウェーハもしくはダイの特別な処理を必要とすることが多い。これらのプロセスは、特注ツール、及び標準ウェーハもしくはパッケージングラインに必要とされるよりも実質的に精緻なウェーハ製造事後処理をも必要とする。
【0030】
現在のMCM技術には修復可能性及びダイ取付け歩留りの問題も、主としてダイの取り外し及び交換の困難さの故に存在している。MCMを完全に組立てる(及びその代金の支払を受ける)前にMCM内のダイを試験することは、試験リグを犠牲にするか、もしくは中間接続のために時間を費やす必要があり、また動作速度で試験するために寄生を補償する費用を必要とするので、典型的には発送したMCMの数十パーセントの費用がかかる。顕微鏡プローブもしくはプローブのリグと物理的に接触させることは遅い動作であり、プローブ点に機械的な力を加えることは不揃い、疲れ、及び磨耗をもたらす。もしダイをレベル0から離してパッケージすれば、相互接続の一部だけが見えるようになる。それにも拘わらず、モジュールを再加工する(もしくは不可能であることを見出す)費用のためにモジュール組立ての前に、加工するダイを完全に選択すべきである。本質的には分解及び再組立を伴う修復方法は極めて困難であり、通常は、本質的に始めにMCMを製造するのに使用されるのと同一の精巧な、費用のかかる組立て技術が要求される。
【0031】
マルチチップモジュール設計の困難さ、機械的制約、及び費用は、導電性信号自体の欠点によって大きく助長される。導電性信号は現在の技術の従事者の間では不可避であることが殆ど世界的に理解されている(1993年のVan Nostrand Reinhold版、Daryl Ann Doane及びPaul D. FranzonのMultichip Module Packaging Technology and Alternativesを参照されたい)。一般に、導体は互いに接触し合う面を露出させなければならず、これらを遮蔽もしくは不活性化層の後ろに隠すことはできない。もし電気的経路内に(再)移動可能な構成要素が存在すればそこには露出された表面が存在し、そして露出された表面に若干の材料(例えば、貴金属)を使用しない限り(若干の非金属導体は酸化の問題を回避するが)導体は酸化を受けることになる。厄介な表面化学の複雑さには、機械的安定性(例えば、ホイスカリング)、有限の導電性(例えば、電荷担体飽和)、及び時間に依存する材料もしくは層変化(例えば、金属間化合物)が含まれる。非金属導体は他の化学的な問題を抱えている。もし経路全体が連続的に結合してあれば、修復及び試験には物理的に頑丈な材料が必要になる。導電的に結び合ったダイ、チップもしくはモジュールを修復/交換のために取り外すには、機械的な連係を切断し、半田、金属・金属結合の除去、ソケットからピンを抜く等が含まれ得る。このような破断は材料に疲れ(即ち、将来の障害モードの恐れを増加させ)と、導電性の塵挨による汚染とをもたらしかねない。導体・導体接合は、後刻再整列及び復旧を必要とする。半田付け(もしくは半田除去)による強い局所化された熱応力も含まれる。交換方法は、エレクトロニックシステム内の導電的に結合された成分の設計及び製造に苛酷な制約を提起する。
【0032】
たとえこれらの、もしくは他のアプローチが製造面で実現されたとしても、これらのアプローチは全て、導電性信号伝送路における直列インダクタンスによる性能の損失を受ける。半田盛り上げもしくはワイヤボンドされたダイで達成可能な性能の改善は、基本的には半田盛り上げもしくはワイヤボンドされた相互接続の過大な直列インダクタンスによって制限される。最新のMCM技術でも、現在の表面取付けIC技術と殆ど同じ性能限界が継続している。両技術のファミリーは、ダイと基板(MCMの場合)もしくはレベル2パッケージ(表面取付けICの場合)との間に信号を導電的に結合するためにボンディングワイヤ、半田盛り上げ、TAB、もしくはそれらの同等品を必要とするが、これらは不可避的に寄生直列インダクタンスを付与するものである。50−1000pH(ピコヘンリ)の寄生インダクタンスが典型的であり、オフチップを信号するためにかなりな待ち時間、周波数制約、及び電力要求を導入する。現在使用可能な最良MCM技術は、表面取付けIC技術に関して因習的に引用される10対1比に比較してオンダイ及びオフダイ通信間の格差を減少させるが、普通のMCM上のダイ間信号に関連付けられた重大なペナルティが残されている。現在のMCM技術は、機械的及び熱的問題、設計及び組立て制限、電力費用、複雑さ及び出費を欠点としている。
【0033】
現在の技術的状態は、導電的に信号する技術自体は現在のMCMに伴う多くの問題に対して直接責任がある。それはキャリヤ内のMCMパッケージもしくは構成ダイに取付けられた信号リードの密度、数、及び配列に機械的な及び費用限界を付与し、一般にさらなる費用を必要とし、しかもより多くの容積を、チップパッケージからのリードをレベル2回路基板、もしくはマルチチップキャリヤモジュール及び全ての局レベルにおけるパッケージングに取付けて相互接続するために必要とする。接触パッド及び取付けられたリードは離間させる必要があり、またMCMは同様に面積の要求を膨張させることから、一般にダイ及びその導電性リードを保持する典型的なレベル1パッケージは、含んでいるレベル0ダイの能動面積よりも遥かに大きい。各ダイ上では、導電性リードのファンアウト(接触パッドを簡単に試験し、配線するための)がチップ面積を処理する。十分な数の、十分に大きい、そして十分に分離した導電性パッドに関する実際の要望が、典型的にはチップの面積の数十パーセントという原因になっているが、数分の1パーセントからチップの面積の本質的に全てまでの範囲にわたることができる。若干のMCM技術では、印加される接触プローブ圧力もしくは他のプロセス段階が回路を破壊する恐れがあるので、パッド結合位置を能動回路の上に重ねることはできないから、パッドは有用エレクトロニクスデバイスを犠牲にして面積を専有する。この浪費される面積は金銭を必要とする(約$10−1000/平方インチ)。現在のアプローチは、配線長を最小にするためにダイの能動領域の周縁に(もしくは熱膨張の不一致を最小にするためにダイの中心に)パッドを配置することを強調し、またパッドカウントはダイの使用可能な周縁結合密度によって制限されることが多いので、多くの設計者は“パッド制限され”、チップ面積を浪費し、そして/または“ピン制限され”ているために、大きい高価なパッケージを開発している。ピンの代わりに使用することができる他のリードには半田、共融、もしくは軟金属(例えば、金)盛り上げ、ポリイミドもしくはテープ上にリトグラフされた導電性電線(例えば、銅、銀、もしくはアルミニウム)、及び先の尖ったプローブニードルが含まれる。
【0034】
現在のMCM技術は、異なる電圧レベルで動作するダイを相互接続するための特別な回路を必要とする。CMOSとGaAsのように、異なる材料で作られたダイは一般に異なる電圧レベルを使用する。Si TTLとSi ECLのように、たとえ同一材料であっても異なる回路技術で設計されたダイは一般に異なる電圧レベルを使用する。たとえ同一の技術で作られたダイであっても、シリコンのCMOSが5.0Vと3.3Vで動作するように、異なる電圧レベルを使用することさえある。
【0035】
回路を支援する信号は、ウェーハ製造中の製造変動に感応する。製造プロセスに応じて、1つのウェーハにまたがるもしくはウェーハ間の基本的な物理パラメータ(例えば、インピーダンス、キャパシタンス、インダクタンス)に、絶対的な及び空間的な変動が発生する。この変動のために、回路は異なるスペクトルの波形を発生させられ、形状及びスキューが影響され、振幅が異なるようになり、しきい値、雑音感受性、電力要求及び終端特性が影響を受ける。波形スペクトル及び振幅が信頼できないことは、ダイの歩留りがベル曲線分布に従い、高い周波数で動作できるのは極めて僅かであることを意味する。従って、設計者は性能範囲を補償するために保守的な設計原則を採用してきた。
【0036】
システム内のエレクトロニクスデバイスがMCM内にパッケージされていようと、他のどのようなレベルにパッケージされていようとも、デバイスへ電力は供給しなければならない。殆ど全ての先導MCM設計は、電力リード及び信号リードをレベル1において同一に扱うが、これは空間を浪費し、信号ラインの密度を増加させる重要な機会を失う。
【0037】
要約すれば、モジュラーエレクトロニックシステム内のモジュール間に信号を結合するために、現在のMCM技術に伴う上述した諸問題のもしくはそれ以上を軽減する改善された方法及び装置に対する大きい要望が未だに存在している。MCM技術は重要な応用ドメインを表しているが、後述するように本発明は、ダイ、ウェーハ、基板、MCM、システム等のような全てのレベルのエレクトロニックパッケージング及び相互接続に広く適用される。従って、発明者らは本発明を狭意に見ることなく、または好ましいMCM実施例の説明にとらわれない(但し、説明が明確に他を指示している場合を除く)ことを意図している。
【0038】
発明の目的
本発明の目的は、上述した従来技術の欠点の1もしくはそれ以上を軽減する、モジュールを相互接続する方法及び装置に関する。
【0039】
本発明の別の目的は、上述した従来技術の欠点の1もしくはそれ以上を軽減する、モジュール間で信号を結合する方法及び装置に関する。
【0040】
本発明の別の目的は、極めて高速でモジュール間に信号を結合する方法及び装置に関する。
【0041】
本発明の別の目的は、費用のかかる、もしくは奇異な製造技術を必要とすることなく改善されたモジュール内及びモジュール間信号結合を提供する方法及び装置に関する。
【0042】
本発明の別の目的は、短い信号経路を有するモジュラーエレクトロニックシステム、及びこのようなシステムの製造方法に関する。
【0043】
本発明の別の目的は、2つのダイ間、2つの基板間、もしくはダイと基板間の信号の少なくとも若干が容量性結合を介して通信するようなモジュラーエレクトロニックシステムに関する。
【0044】
本発明の別の目的は、2つのダイ間、2つの基板間、もしくはダイと基板間の信号の少なくとも若干が磁気結合を介して通信するようなモジュラーエレクトロニックシステムに関する。
【0045】
本発明の別の目的は、モジュールが他のモジュールに容量的に及び導電的に結合されでいるようなモジュラーエレクトロニックシステムに関する。
【0046】
本発明の別の目的は、モジュールが他のモジュールに磁気的に及び導電的に結合されているようなモジュラーエレクトロニックシステムに関する。
【0047】
本発明の別の目的は、モジュラーデジタルシステム内の他のモジュールに容量的にもしくは磁気的に結合されるようになっているモジュールに関する。
【0048】
本発明の別の目的は、物理的に両立できない材料のモジュールをモジュラーエレクトロニックシステム内へ統合し、容量性もしくは磁気的手段を介して信号を近くの物理的に両立できないモジュール間に結合する方法及び装置に関する。
【0049】
本発明の別の目的は、成分間の化学、導通状態、波の位相、製造技術、クロックレート、電圧レベル、論理状態の数、熱膨張特性、動作温度、周囲圧力、もしくは環境要求の差を補償するための付加的な手段を必要とせずに、2もしくはそれ以上のモジュール間に信号を結合する方法及び装置に関する。
【0050】
本発明の別の目的は、超電導モジュールから、もしくは該モジュールへ信号を結合する方法及び装置に関する。
【0051】
本発明の別の目的は、幾つかの異なる製造技術によって形成された複数のダイを備えたモジュール、及びこのようなモジュールを組立て、試験する方法に関する。
【0052】
本発明の別の目的は、単一のダイ上に経済的に保持することができるよりも多くの技術もしくはデジタルを備えたモジュール、及びこのようなモジュールを設計し、レイアウトする方法に関する。
【0053】
本発明の別の目的は、ダイ間、もしくはダイと基板との間の接続を容易に反転できるモジュール、及びこのような接続を可逆的に形成し、破る方法に関する。
【0054】
本発明の別の目的は、相互接続配線を破壊することなくサブモジールを修復し、交換する方法に関する。
【0055】
本発明の別の目的は、ダイを導入するプロセスも、もしくはダイを取り外すプロセスも、ダイもしくは基板の何れをも破損することがないMCMに関する。
【0056】
本発明の別の目的は、モジュラーエレクトロニックシステム内の望ましくないモジュールを識別し、交換する方法及び装置に関する。
【0057】
本発明の別の目的は、モジュラーエレクトロニックシステム内のモジュールを全速パラメトリック試験することによって、システムの性能を改善する方法に関する。
【0058】
本発明の別の目的は、モジュラーエレクトロニックシステム内のモジュールを全速試験することによって、システムの歩留りを改善する方法に関する。
【0059】
本発明の別の目的は、組立ての前にチップ及び大きいモジュールを全速試験することによって、MCMの歩留りを改善する方法に関する。
【0060】
本発明の別の目的は、モジュラーエレクトロニックシステム内のモジュールを選択的に交換することによって、システムの性能を改善する方法に関する。
【0061】
本発明の別の目的は、MCM基板の電気的特性と実質的に同一の電気的特性を有する試験機器で試験することによって選択された良好であることが既知の複数のモジュールを備えたMCMに関する。
【0062】
本発明の別の目的は、システム性能を修正もしくは改善するために、モジュールが選択的に交換されるMCMに関する。
【0063】
本発明の別の目的は、MCM内に取付ける前に全速試験するようになっているモジュール、及びこのようなモジュールを試験し、取付ける方法に関する。
【0064】
本発明の別の目的は、半田もしくはワイヤボンディングを使用せずにモジュールが基板に取付けられるMCMに関する。
【0065】
本発明の別の目的は、クロック信号が極めて低い分散で分配されるMCMもしくは他のモジュラーデジタルシステム、及びこのようなシステムにおいて極めて低い分散でクロック信号を分配する方法に関する。
【0066】
本発明の別の目的は、デジタル信号が基板上の伝送線を介してダイ間で通信され、これらの伝送線が容量的に、もしくは磁気的にダイに結合されているMCMに関する。
【0067】
本発明の別の目的は、伝送線を容量的に信号する手段に結合する装置及び方法、及びこのような結合を終端する方法及び装置に関する。
【0068】
本発明の別の目的は、容量的に信号する2つの手段の間に接続され、2つの分離したモジュール間に容量性経路を提供する伝送線に関する。
【0069】
本発明の別の目的は、結合された伝送線によって2つの分離したモジュールを容量的にもしくは磁気的に接続する方法及び装置に関する。
【0070】
本発明の目的は、モジュール間のデジタル信号の改善された信号対雑音比と高速伝送とを有するモジュラーエレクトロニックシステムにある。
【0071】
本発明の別の目的は、ダイ間接続の実質的な数がオフダイ信号経路を介して経路指定されるダイ、及びこのようなダイを設計する方法に関する。
【0072】
本発明の別の目的は、構成するモジュール間の信号の改善された経路指定、バシング(busing)、ネットワーキング、もしくはスイッチングを有するモジュラーエレクトロニックシステムにある。
【0073】
本発明の別の目的は、如何なるサイズのデバイス、回路、ブロック、及びモジュール間の相互接続をも最適化することを伴う、モジュラーエレクトロニックシステムをレイアウトする方法、及びそのように実現されるシステムに関する。
【0074】
本発明の別の目的は、複数の小さい高歩留りのダイに分割されたモジュラーエレクトロニックシステム、及び低費用、高性能なダイ内接続の設計に関する。
【0075】
本発明の別の目的は、設計、製造、組立て、または動作の不整合の負の効果が実質的に軽減されるモジュール、及びこれらの効果を絶縁する方法に関する。
【0076】
本発明の別の目的は、長い範囲の物理的整列の必要性を排除するようにモジュラーエレクトロニックシステムを設計し、製造し、組立て、もしくは動作させる方法に関する。
【0077】
本発明の別の目的は、モジュラーエレクトロニックシステムを電気的に、もしくは論理的に自己整列させる方法及び装置に関する。
【0078】
本発明の別の目的は、モジュラーエレクトロニックシステム内に低費用で、欠陥に寛容な、ウェーハスケール相互接続を提供する方法及び装置に関する。
【0079】
本発明の別の目的は、製造欠陥には関係なくウェーハスケールモジュールを動作させる方法に関する。
【0080】
本発明の別の目的は、所与の複雑さのモジュラーシステムに必要とされるパッケージング階層の数を減少させる方法及び装置に関する。
【0081】
本発明の別の目的は、モジュールの多くの階層的な層を支援するモジュラーエレクトロニックシステムに関する。
【0082】
本発明の別の目的は、より大きいシステムに対してビルディングブロックとして働く標準化された相互接続を使用するモジュラーエレクトロニックシステムに関する。
【0083】
本発明の別の目的は、階層的なモジュラーエレクトロニックシステム内のモジュールの組立て、及びモジュール間のインタフェースを標準化する方法及び装置に関する。
【0084】
本発明の別の目的は、モジュラーエレクトロニックシステムのパッケージ処理及び製造の費用を減少させる方法及び装置に関する。
【0085】
本発明の別の目的は、モジュラーエレクトロニックシステムを実験用組立盤上に組立てる、もしくはプロトタイプするターンアラウンドタイム、及び費用を減少させる方法及び装置に関する。
【0086】
本発明の別の目的は、標準化された部品のキットからモジュラーエレクトロニックシステムを組立てる方法及び装置に関する。
【0087】
本発明の別の目的は、モジュラーエレクトロニックシステムのパッケージ処理及び製造量のターンアラウンドタイム、及び費用を減少させる方法及び装置に関する。
【0088】
本発明の別の目的は、高速、低電力、安価、もしくはより多くの論理要素を有するシステムを設計し、製造し、組立て、そして動作させる方法、及びそのように実現されたシステムに関する。
【0089】
本発明の別の目的は、好ましいパッケージ(例えば、密度が高めで、小さめで、軽めで、平坦もしくは容量的制約に寛容な)を有するシステムを設計し、製造し、組立て、そして動作させる方法、及びそのように実現されたシステムに関する。
【0090】
本発明の別の目的は、高密度の、もしくは複数の信号相互接続を有するモジュラーエレクトロニックシステム、及びこのようなシステムを製造する方法に関する。
【0091】
本発明の別の目的は、エレクトロニックデバイスのウェーハ上の面積を、従来技術において使用される方法で得られるよりも多く再利用する製造及び設計方法、及びそのように実現されたシステムに関する。
【0092】
本発明の別の目的は、極めて大きい端子容量及び比較的低い費用を有する多層コネクタに関する。
【0093】
発明の概要
上述した目的の1もしくはそれ以上、並びに他の目的及び長所は、本発明のモジュラーエレクトロニックシステム及びその多くの用途によって提供される。
【0094】
要約すれば、本発明の一面は、少なくとも2つのモジュール(これらのモジュールの少なくとも一方は給電されている)と、非導電的に(例えば、容量的に、もしくは磁気的に)これらのモジュール間を通じさせる手段とを備えているジュラーエレクトロニックシステムに関する。
【0095】
本発明の別の面は、2もしくはそれ以上のダイが非導電性信号手段を介して通信するようなMCMに関する。MCMは基板を備え、この基板はその上に固定された複数のダイを有していることが好ましい。非導電的に信号する手段は結合された半キャパシタを備えていることが好ましい。一方の半キャパシタ板をダイ上に配置し、他方は基板もしくは別のダイ上に配置し、ダイ及び基板もしくは他のダイはこれらの半キャパシタ板を結合するように位置決めする。
【0096】
本発明の更に別の面は、本発明の非導電的信号技術に基づいてモジュラーエレクトロニックシステム、もしくはMCMを組立て、試験し、そして修復する方法及び装置に関する。
【0097】
本発明の更に別の面は、素子間の相互接続が非導電的であり、従って直接的な物理接触を必要としないようなモジュラーエレクトロニックシステム、もしくはMCMに関する。このモジュラーシステム、もしくはMCMは、システム内の熱応力を受け入れる、もしくは消散させるために非導電性接合の柔軟さを利用することが好ましい。
【0098】
本発明の更に別の面は、非導電的に相互接続されたモジュラーシステム内に組立てられるようになっており、外部からアクセス可能な半キャパシタ板と、好ましくは複数のエレクロトニックデバイスとを含むダイ、チップもしくはモジュールに関する。
【0099】
本発明の更に別の面は、各々が基板に取付けられている複数の異成分からなる素子を備え、基板内の伝送線もしくは電線に信号を非導電的に結合する手段を有しているMCMに関する。
【0100】
本発明の更に別の面は、エレクトロニック素子間で非導電的に信号する手段と、種々の誘電性、接着性、弾力性、及び他の材料を組合わせて使用することに関する。
【0101】
本発明の更に別の面は、非導電性相互接続を使用するモジュラーシステムを形成するために、高歩留りの、良好であることが既知のユニットを組立てることによってモジュラーエレクトロニックシステムの製造歩留りを増加させて費用を低下させ、またもし必要ならば、選択された素子を交換することによってシステムを修復もしくは最適化する方法に関する。
【0102】
本発明の更に別の面は、非導電性手段を介してモジュラーシステム内の素子間で区別して信号する方法、及びこのような信号方法を実現する受信器(レシーバ)及び送信器(トランスミッタ)に関する。
【0103】
本発明の更に別の面によれば、極めて高い周波数信号が伝送線結合によってモジュール間で通信される。この結合は平行にもしくは垂直に重なったマイクロストリップもしくはストリップラインセグメントで実現することが好ましい。モジュラーマイクロ波及びミリメートル波システムが、伝送線結合を介して通信するように好ましく組立てられる。
【0104】
本発明の更に別の面は、極めて大きい端子容量を有し、同様容量の普通のコネクタに比して比較的低費用の多層コネクタに関する。このコネクタは、各々が複数の半キャパシタを有する少なくとも2つの基板を備え、基板の一方の一部が他方より遠くへ伸びるように前後に取付けられる。伸びている基板から、及び/または該基板へ、信号を輸送するためにスペーサが使用され、多層コネクタ組立体のために均一な、平坦な足跡を提供する。これらのコネクタは、データバス用コネクタのような接続性の高い用途に使用するために事前組立てされた、規格部品として提供されることが好ましい。
【0105】
以上の、及び他の本発明の面を、以下の詳細な記述で説明する。この記述は本発明の種々の好ましい実施例を説明するものであり、以下の図面と共に読まれることを意図するものである。
【0106】
発明の詳細な説明
図1を参照する。図1は本発明によるモジュラーエレクトロニックシステム1の一実施例の例示部分を示す。図示のように、システム1は基板10、ダイ11、及び基板10とダイ11との間に容量性信号経路を提供する容量的に信号する手段13を備えている。容量的に信号する手段13は、例示的に“半キャパシタ”14及び15として示されている2つの電磁的に通信する領域を備えている。半キャパシタ14と15との間の間隙を部分的に、もしくは完全に充填するために誘電体17を使用することが好ましい。誘電体17は、容量性信号手段13の容量を増加させるために、ダイ11もしくは基板10の不活性化を行うために、ダイ11と基板10との間の熱伝導度を高めるために、そして/または基板10及びダイ11を機械的に結合もしくは支持するために使用することができる。
【0107】
図1に示すように、ダイ11はダイの活動表面上に実現されている複数のエレクトロニックデバイス12と、ダイの表面に導電性接点16として示されているダイに給電する手段をも含んでいる。
【0108】
ダイ11は、普通の低費用プロセスによって製造されたデジタル集積回路であることが好ましい。システム1は、後の図に示されているような容量的に信号する手段及び付加的なダイを含むことが好ましい。例えば、システム1はMCMを備えることができる。このようなシステムでは、ダイ11はエレクトロニックデバイス12が表面上に製造されたCMOSシリコンダイであることができ、基板10はGaAsで製造されたダイであることができる。
【0109】
後述するように、このようなシステムにおいて容量性信号手段13を使用することにより、普通の代替アプローチよりもかなりな利点が得られる。ダイを独立的にパッケージし、次いでそれらを導電的に一緒に配線するか、もしくは他方の領域上に一方の材料の結晶を成長させるような普通のアプローチは、本発明により製造される同一性能の対比的なシステムよりもかなり高価である。更に、これらの普通のシステムは、熱膨張応力が原因で一般に歩留りが低く、動作の信頼性が低い。
【0110】
ダイ11は、エレクトロニックデバイス12に給電するための1もしくはそれ以上の導電性接点16を含むことが好ましい。普通のシリコンCMOSダイ11の場合、導電性接点16はシリコンCMOSダイ上にリトグラフで形成された金属アルミニウム領域である。若干の応用では、腐食に対して保護するために、このアルミニウム領域の外面を金めっきすることが望ましいかも知れない。図示の例では、電力は基板10もしくは異なる基板に導電的に接続されている金属ファズ(fuzz)ボタンによって供給される。ファズボタン電力接続は、結合された半キャパシタ信号接続14及び15と組合って、ダイ11を連続的に基板10取付け、非破壊的に基板10から取り外すことを可能にし、それにより破壊的なアプローチに比して試験、修復もしくは性能最適化について重要な長所を提供する。このような非破壊的な取付け/取り外しサイクルに伴う容量的に信号する手段にまたがる力、トルク、もしくはエネルギ変動は実質的に零である。
【0111】
基板10は、高速信号を容易ならしめるために低誘電係数材料で製造することが好ましい。基板は受動であることも、能動であることもできる。受動基板の例は印刷配線基板であり、半キャパシタ15はリトグラフで画定された基板10の銅領域からなることが好ましい。能動基板の例は能動及び/または受動半導体デバイス及び配線の集まりである。典型的な能動要素に関しては後述する。
【0112】
超電導基板は、ダイ11と超電導基板10との間に何等の金属接触も存在しないことから、結合された半キャパシタの使用に特に適している。そのようにしなければ砕け易い高温超電導セラミック層に半田付けもしくは結合する際に発生するかも知れない材料問題は排除される。超電導伝送線(特に低分散)の伝播の利点の全ては保持される。終端抵抗器製造は潜在的に難しいが、これは転移温度以上にラインを局部的に加熱するか、十分に強い直流磁場を印加して超電導体を常規の抵抗領域にすることによって行うことができる。これらの技術は、事後製造段階において、加熱したり磁場を誘起させる電流を調整することによって終端抵抗の値を調整する手段をも提供する。
【0113】
例示してあるように、半キャパシタ14及び15は導電性の板からなる。ダイ半キャパシタ14は、CMOSシリコン集積回路11上にリトグラフで画定されたアルミニウム金属パッドからなることができる。集積回路の上側レベルの金属化されたダイ半キャパシタ14と、高密度基板10上に対向板を形成させて他方の半キャパシタ15として使用することにより十分な容量を実現することができる。
【0114】
結合された半キャパシタは、13のように1対1に結合された配列に、もしくは代替として1対多数もしくは多数対多数を結合する構造に形成することができる。結合された半キャパシタを介して信号を送ったり、受信したりする回路は、対応する半キャパシタの下もしくは横に有利に設けることができる。従って、板自体は使用可能なチップ面積を犠牲にしてリトグラフする必要はない。現在の技術に比して、本発明は高性能ダイ内信号回路を実現するのに必要な面積について重要な利点を提供する。
【0115】
結合された半キャパシタは、半キャパシタ14及び15が実効的に重なるように基板10に固定されたダイ11によって形成することが好ましい。重要なことに、従来のチップスファースト、半田付け、もしくはワイヤボンドされた接続を行う代わりに結合された半キャパシタを使用すると、高精密に整列させる必要性が実質的に緩和される。実際に、半キャパシタ14及び15のサイズもしくは形状は同一である必要はなく、製造公差、組立て誤差、もしくは熱的不揃いを原因とするような予測された不揃いの高価を軽減するように有利に最適化することができる。
【0116】
結合された半キャパシタのための回路のチップ面積/ビットは、導電的に結合されたオフダイ信号のための接続よりも実質的に少なくて済む。ドライバ及び受信器回路は、対応する半キャパシタ板の下に製造するように十分に小さい。板は現在の技術の接触パッド及びファンアウトリードよりも小さく、I/Oに関連していない回路を含む他の能動回路に重ねることができる。板はパッドよりも遥かに高密度にパックすることができ、主としてダイの周縁ではなく、ダイの表面のどの部分を占めても差し支えない。
【0117】
ダイの頂部上の金属化された70ミクロン×70ミクロンの板を使用すると、セパレータの誘電係数がK=112(TiO2セラミック)であり、また板の間隔が3.5ミクロンであるものとすれば、約1ピコファラドの結合された半キャパシタを実現することができる。これは1平方インチ当たり約105のリード線に等しいI/O表面密度を表している。二酸化チタンの100倍大きい誘電係数を有する配向されたチタン酸バリウム結晶のような代替誘電体材料を使用すれば、I/O密度を更に増加させることができる。しかしながら、一旦半キャパシタ板サイズがドライバ/受信器回路よりも小さくなり始め、ダイがI/Oパッドによって制限されているのではなく回路によって制限されている場合には、板が電気的に及び論理的に一緒に連動する複数の小板からなる場合、板を交流給電で使用する場合、もしくはアクセス可能な他の表面が表面空間と競争する光送信器/検出器のように機能する場合のような若干のシナリオの場合を除いて板のサイズを更に減少させる小さい点が存在する。
【0118】
標準半導体プロセスによって、能動回路を金属半キャパシタ板の下に実現することができる。これに対して、能動回路を導電性接触パッドの下に実現することは、この接触パッドに加わる機械力が下にあるドメインの電子的挙動を非可逆的に変更するので望ましくない。
【0119】
半キャパシタ14及び15は同一の材料で作る必要はなく、化学的に両立できない材料で形成することさえできる。半キャパシタは、単一のもしくは複数の層もしくはドメインとして、どのような均一なもしくは複合材料(金属、高Tcを含む超電導体、半導体、半金属、インピーダンスが変化するもしくはコンダクタンスが変化する材料を含む)から、どのような手段によって形成しても差し支えない。これらは、気体、気化した材料、液体、液化した材料、固体、凝固した材料、複合材、スラリ、ゲル、懸濁液、マトリクスその他を含む、物質のどのような状態もしくは形状で作ることもできる。
【0120】
半キャパシタ板のコンダクタンス、もしくは電荷担持能力は典型的にはかなり高いから、実効的な板と板の重なり及び分離、及び誘電体17の特性が結合された半キャパシタ13の性能を主に決定する。キャパシタ板を形成する方法はマイクロエレクトロニックス産業においては公知であるが、従来技術ではそれらをMCM及び他のモジュラー相互接続計画に適用することは認識されていない。
【0121】
半キャパシタ14及び15の板間の間隙は高誘電性材料で充填することも、もしくは空のままにしておく(空気もしくは真空で充填)こともできる。図示例では、誘電体17はエチレングリコールのような高誘電係数の流体である。誘電体17は各板上の一連の不活性化層(もしあれば)と中間絶縁体(もしあれば)との間に配置することができる。このような不活性化層は、金属化層の酸化物から及び/または高誘電軸に沿って配向された二酸化チタン、結晶質チタン酸バリウム、その他の電気化学の分野においては公知の、そして市販されている材料のような、エマルジョン被膜を塗布することから、安価に且つ容易に形成させることができる。
【0122】
板間の間隙を均一に維持することが重要な応用においては、ダイ11と基板10との間に、約5×25ミクロンの硝子棒であることが好ましい複数のスペーサ(スタンドオフ)を導入することが望ましいかも知れない。これらのスペーサはダイ11と基板10の固定されたZ高さ領域の間に配置することが好ましく、また能動回路の間に配置することは好ましくない。固定されたZ高さ領域が電源デカップリングキャパシタを備え、それによってスペーサを支持するのに使用される浪費領域を排除乃至は減少させると有利である。製造に際してこれらのスペーサが、後述する全速試験プロセス中のダイ11と基板10のZ位置を維持する。もし組立体試験に成功すれば、強い紫外線による短時間の露光を行って組立体を結合する。成功しなければ、最終的な潜在的に非可逆的な結合段階の前に、整列を洗練させることができるが、もしくはダイを交換または修復する(例えば、冗長資源を使用するように再構成することによって)ことができる。
【0123】
誘電体17を選択する際に、誘電体の温度の関数としての既知の腐食特性、きれいさ、及び粘度が、その誘電係数と共に極めて重要である。高誘電係数の固体のコロイド状懸濁液(例えば、スラリ内に適用されたセラミック状二酸化チタン)、並びにフルオリナート(Fluorinerts)のような無腐食性の低誘電係数の液体を充填材料として使用することができる。誘電体は、熱輸送特性、きれいさ、もしくは機械的安定性を活用するために、エチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリン、もしくはニトロベンゼンのような絶縁用液体、六フッ化ウランのようなガス、もしくは混合相懸濁材もしくはゲルであってよい。これらの材料の吸湿性が重要度なのであり、従って1,1,1トリクロロエチレンのような若干の(より低い誘電係数の)疎水性材料が好ましい。振動に対する、及び粘度もしくは誘電係数の変化に対する吸湿性及び温度依存感性が実現を複雑にするが、それらの処理は当分野においては公知である。被膜を適用する若干のプロセスはまた研磨段階を必要とする。
【0124】
液体誘電体は、部分的には、もしチップを移動させなければならなくとも剪断力が伝わらないこと、また部分的には、誘電体が耐掻き傷性であることから、若干のシステムにおいては有用である。チップ表面上のスペーサが高誘電液状グリセロールの面前で一定の分離を確保するが、短絡の恐れが無ければ必要としない。液体誘電体の場合、表面張力がダイ及び基板を互いに他に対して保持するのに十分である。
【0125】
1もしくは複数の中間絶縁体は、もし使用していれば、熱膨張を受け入れるように少なくとも一方の側上を滑るべきであり、例えば接着剤を使用してダイ、基板もしくはモジュールの一つに結合するか、もしくは何れにも結合されていないセロハンのようなモノリシック材料として維持することができる。液体誘電体、エラストマ、もしくは熱膨張を受け入れるように注意深く加工されたシステムを除いて、両表面への結合は避けるべきである。
【0126】
誘電係数の温度及び周波数依存性は、加工上重大な問題である。殆ど全ての既知の材料はそれらの誘電係数に複雑な周波数依存性を呈し、これが、結合された半キャパシタ間隙内へのそれらの使用の範囲を実効的に制限している。勿論、乾燥した空気もしくは真空はこの原則に対する例外を表しているが、それらの低い誘電係数及び圧縮可能性がそれらを魅力ないものにしている。
【0127】
MCM設計の分野においては、信号は取り囲んでいる誘電係数の平方根で光速を除した値より低い速度で配線内を伝播するので、一般に高誘電材料は回避されている。(例えば、1991年のIEEE Pressに所載のRobert Johnson, Robert Teng及びJohn Baldeの論文“Multichip Modules Systems Advantages, Major Constructions and Materials Technologies.”を参照されたい。)MCM分野における認識とは逆に、本発明では高誘電材料が中心的役割を有している。
【0128】
しかしながら高誘電材料の1つの欠陥は、それらが対向する半キャパシタの間の領域の外側へ電場を広げることであり、必然的に隣接する板の配置が広がることである。因みに、低誘電材料は隣接する板を密にパックすることを可能にするが、相応して電圧もしくは板の面積の増加もしくは板の分離の減少が犠牲になり、複雑さが伴うようになる。誘電体が均一で、板寸法が分離距離よりも遥かに大きいシステムの場合には、隣接する板は重大なクロストーク問題に直面することなく垂直分離のほぼ2倍の分離でパックすることができる。対向する板間の間隙の外側で誘電係数が低くされているようにパターン化された誘電体を使用すれば、板の単位面積当たりの半キャパシタのパッキング密度を僅かに密にすることは可能であるが、製造上の複雑さが増大する。誘電体は、対をなしている半キャパシタ間のしきい値上で容量を可能化/不能化するように加工することもできる。印刷配線基板を製造するための極めて低費用プロセスが印刷/複写産業(例えば、リトグラフィ)から公知であり、相互接続を実効的に画定する誘電体パターンを実現するために類似的に使用することができる。
【0129】
1対の結合された半キャパシタは容量的に信号する好ましい手段ではあるが、他のそのような手段も使用可能である。例えば、多層の容量的に結合された構造を構成して1もしくはそれ以上の中間導電性領域を2つの端半キャパシタの間に(好ましくは誘電体領域内に)配置し、実効的に2もしくはそれ以上のキャパシタの直列接続されたチェーンを形成することができる。重要なのは、このような多層構造は2つの端半キャパシタ間にどのような重なりをも必要としないことである。例えば、3層構造では、底板と中央導体との間、及び頂板と中央導体との間だけを重ねれば頂板と底板との間に容量的に信号する手段を実現するのに十分である。これらの構造を安価に形成するために、印刷/複写プロセス(例えば、ゼログラフィ)を適用することができる。
【0130】
図2を参照する。図2は、基板10上の1対の伝送線32及び33から、1対の結合された半キャパシタ13を横切って、ダイ11上の1対の伝送線34及び37へ、信号が区別されて結合されるようになっているモジュラーエレクトロニックシステムの例示部分を示している。伝送線32及び33を終端する手段が、ライン31aによって接地面に接続されている終端抵抗器31b及び31cによって基板10上に設けられている。
【0131】
有利なのは、伝送線34及び37が、ダイ11の若干のエレクトロニックデバイス12として実現されているオンダイドライバ及び/または受信器回路に接続されていることである。伝送線32及び33は、基板10上に実現されているドライバもしくは基板に、付加的な結合された半キャパシタを介して他のチップ、モジュールもしくは基板に、もしくは外部導電性リードに接続することができる。伝送線32及び33はマイクロストリップ、ストリップライン、もしくはスロットライン伝送線として実現することが好ましい。勿論若干の応用においては、通常の終端されていない金属もしくはポリシリコン相互接続でも十分である。
【0132】
図3を参照する。図3はダイ11と基板10との間に容量性及び導電性相互接続の両方を含むモジュラーエレクトロニックシステムの例示部分の部分分解図である。例示した導電性接触パッド45、46及び47は電力、接地、及び複数のI/O信号を基板10から受ける。導電性接続は、導電性接続手段41、42及び43がそれぞれの接点45、46及び47に接触するようにダイ11を基板10に取付けることによって達成される。重要なのは、これによってダイ11が基板10から非破壊的に取り外すことができることであり、それによって本発明に基づくモジュラーシステムのために実質的な製造、試験及び修復の利点が提供されるのである。
【0133】
導電性接続手段は、Cinch, Inc.製のCinapse(登録商標)のような金属ファズボタンからなることが好ましい。金属ファズボタン41、42、43を受け入れる基板10内の孔は、ダイ11が基板10に対して座するのをボタンが干渉しないようにするために、円錐形にテーパしていることが好ましい。代替導電性手段には、半田球、テープもしくはフィルム上の配線、結合された電線、接触プローブ、水銀のような液体金属、ガリウムのような低融点金属、及び特定の加工状況に適切であることができるような他の高コンダクタンス媒体が含まれる。
【0134】
有利なのは、導電性接続を選択されたファズボタンを減ずる(例えば、除去、腐食、もしくは駆逐)もしくは付加することによってカストマイズし、それによって選択されたファズボタンとそれぞれの接触パッドとの間の導電性接続を不能化もしくは可能化できることである。
【0135】
典型的には、導電性接続45、46、47は容量性結合より遥かに大きくすることができる。それは、電力供給が信号供給よりも稀であり、より大きいリードの低い抵抗の便益が得られるからである。しかしながら導電性接点は比較的極めて高価であり、結合された半キャパンタに比して障害を起こし易い。従って、信号のための経路に容量的に結合されている多くの広帯域幅の本発明の長所を維持しながら、直流電力リードだけの導電性接点の比較的粗な技術を使用することが有利である。
【0136】
ファズボタンのための接触パッドは、好ましい実施例ではそれぞれ0.3mm2を占める。これに対して、容量性結合を駆動するための回路は、1ミクロンCMOSプロセスでは約0.04mm2/半キャパシタを占める。複数の冗長接触パッドにより機械的接点の比較的低い信頼性を有利に補償することができる。
【0137】
図4を参照する。図4は、本発明により製造されたMCMの例示部分を示している。MCMは、基板10、第1のダイ11、及び第2のダイ61を備えている。(第1のダイ11及び第2のダイ61は単一のダイの異なる部分を表すこともできる。)終端された伝送線33は基板10上の半キャパシタ15及び65を相互接続しているので、第1のダイ11上の半キャパシタ14と第2のダイ61上の半キャパシタ64との間に信号経路が得られる。
【0138】
伝送線33は、半キャパシタ65と15との間に効率的な通信を提供している。重要なことには、半キャパシタ64(第2のダイ61上の)から伝送線33を介して半キャパシタ14(第1のダイ11上の)へ信号を結合するのに要する電力が、伝送線33の長さ51には実質的に無関係なことである。合理的に短い距離を超える通信に対しては、オフダイ経路指定(伝送線33を介して)が、同一信号の等価オンダイ経路指定よりも潜在的に優れた性能を提供する。これに対して、ダイと基板との間の導電性信号相互接続に基づく従来の技術のMCMにおける基板を介しての信号のオフダイ結合は、導電性ダイ/基板接続の過大な寄生インダクタンスが原因で実質的な性能ペナルティを含む。しかしながら伝送線及び終端してない配線の両方が経路にわたって統合された正味の直列抵抗から制約を受け、本発明は短い配線経路が達成され得ない限りこの問題を回避することはできない。この問題を、信号分散ではなく電力減衰の1つに制限するのに、以下に説明するモデム信号コーディング技術が有用である。
【0139】
第1のダイ11及び第2のダイ61は、基板10から電力を受けるための導電性接触パッド52をも含んでいる。
【0140】
有利なことに、ダイ11及び61は異なる、もしくは両立できない材料から形成することができる。例えば、第1のダイ11は低価格のCMOS集積回路からなることができ、一方第2のダイ61は光I/Oデバイスを含むGaAs集積回路からなることができる。ダイと基板との間の間隔50及び60は、ダイ11及び61の電子的もしくは物理的要求を受け入れる必要に応じて、同一にすることも、または異ならせることもできる。同様に、ダイ11及び61をそれぞれ基板10に結合する半キャパシタ内に類似の、または異なる誘電体17及び67を使用することができる。
【0141】
容量性相互接続の熱膨張に対する寛容さは、普通のMCMに対する本発明の重要な長所を表している。ダイ11及び61が大きい(例えば、ウェーハスケールの)ダイの異なる部分を表している場合には、熱膨張の不一致に起因する不揃い誤差が発生し、特に厄介になり得る。導電的に結合された従来技術のMCMにおいては、熱膨張問題により基板材料を特定ダイ材料(典型的にはシリコン)の熱膨張特性にできる限り精密に整合させるように、基板材料を選択する必要があった。これに対して本発明によれば、少なくとも穏当なサイズのダイに関しては、熱膨張制約から実質的に解放されて共通基板上に異種のダイもしくはモジュールを集積することが可能である。ダイ61と基板10との間の容量性相互接続の不揃い及び/または熱膨張に対する寛容さを増すためには、半キャパシタ65を半キャパシタ64よりも大きいサイズにすることが有利である。
【0142】
ダイのサイズが大きい場合には、基板10の熱膨張をダイの熱膨張に整合させることが主要な問題になる。大きいサイズのダイ及び基板がそれらの隣接する表面に沿って滑ることができるようにしてなければ、もしくは熱膨張係数を十分に一致させてない限りは、誘電体内に剪断応力が誘起されるようになる。更に、支持されていない標準ウェハーは70°の温度上昇で50ミクロン程度曲がり、基板、誘電体、及び大きいサイズのダイが従順でない限り、縁・縁熱を数℃以内で制御する必要があることを示唆している。
【0143】
図5を参照する。図5は図4と類似してMCMの例示部分を示しているが、信号基板10とは区別される電力基板70、並びにヒートシンクを含んでいる。
【0144】
電力基板70は、接地プレーン74、電力プレーン75、及びそれらの間に接続されているデカップリング容量79を含むことが好ましい。電力基板70上に素子76、77及び78で示されている複数の端子は、ダイ11上のそれぞれの端子に導電的に接続されていて、それぞれダイ11への接地、電力、及び複数の外部I/Oリードをなしている。
【0145】
接地プレーン74、電力プレーン75,及びそれらに関連する電力/接地配線は、低解像度リトグラフプロセスを使用して形成することが好ましい。電力基板70は、代替として金属、セラミック、有機ポリマ、シリコン、無機ポリマ、硝子、非晶質固体、結晶質固体、多結晶質固体、複合材料、異種多層材料等々のような材料から形成することができる。
【0146】
電力基板70は、応用に依存して堅い、もしくは柔軟な材料で作ることができ、また例えばチップ85上の光I/Oデバイス82からの及び該デバイスへの外部光I/O経路83を受入れる孔もしくは類似のパターン化された機能を含むことができる。有利なことに、電力基板70上の外部電力、接地、及びI/O端子71、72、及び73は、適切に構成されたピンもしくは他の外部リードにワイヤボンドすることができ、それによって普通のレベル1、11/2、2、もしくは3パッケージリードアウトを適切に設けることができる。
【0147】
電力基板70上の端子71、72及び73間の、及びチップ11上の同様端子間の導電性接続はリフロー半田、液体金属もしくは他の導体、金属ファズボタン、ピン及びソケット、他の機械的に従順な可逆もしくは不可逆接点によって、もしくはワイヤボンドもしくは他の溶接技術によって形成することができる。
【0148】
代替として、電力は、直流の代わりに集積された電池もしくは高周波交流電流を使用してダイ11もしくは他のダイへ供給し、それによって導電的に結合された接触点に対する如何なる要求をも不要にすることができる。電力を結合するのに光もしくは光に近い周波数を使用することは、それが伝送効率を増加させ、放射の分極が特にオンチップ回路を含む他の信号相互接続とのクロストーク干渉を減少させるので好ましい。代替として、メモリのような低電力(もしくは超電導)システムの場合、直流電力をダイ11上のモノシリックコイルを介してダイ11に誘導的に結合し、潜在的に何等かの直流接点の必要性を回避することができる。このようなモノリシックコイルは当分野においては公知であり、高性能磁気ディスクドライブのピックアップヘッドに広く使用されている。有利なことに、I/O(例えば、信号結合用半キャパシタ、半導体レーザ、光検出器等)に使用されるものを除く本質的に全てのダイの表面を電力の受信に使用することが可能である。
【0149】
図5は、ダイ11及び85からの熱を消散する手段をも示しており、この手段はヒートシンク81と、ヒートシンク81とダイ11及び85との間に位置決めされている熱エラストマ80とを備えている。熱エラストマ80は、窒化ホウ素で充填された有機エラストマのような高い熱伝導度を有する材料からなることが好ましい。代替として、ダイ11及び85とヒートシンク81との間を良好に熱接触させる他の公知の方法を使用することもでき、これにはダイとヒートシンクとを物理的に密着させ続けること、熱伝導性のグリースもしくはエポキシを使用すること、ヒートシンクとダイとを半田付けもしくは共融結合させること等が含まれる。
【0150】
異なるバルク電位で動作しているダイが同一のヒートシンクを共有している限り、熱エラストマが電気絶縁体であるか、導体であるかは通常は問題にはならない。しかし、この、及び他の理由から、電気絶縁体であることが好ましい。酸化アルミニウムもしくは(好ましくは)窒化ホウ素を含むセラミックをロードしたエラストマがこのようなアプローチの1つである。
【0151】
ヒートシンク81は、伝導、対流もしくは放射転送を含む標準の冷却技術で、もしくはヒートパイプにおけるように適当な材料の相変化によって冷却することができる。
【0152】
好ましくは、ヒートシンク81は圧力板84をも備えている。圧力板81を通して加えられる力84がダイ11及び85と基板10及び70との間の、及びダイ11及び85とヒートシンク81との間を密着させる。圧力によってダイ及び基板を互いに他に対して位置決めすると、MCM組立体を可逆的に組立てたり、分解したりする(例えば、修復、検査、試験、性能向上等のために)ことについて重要な利点が得られる。有利なことに、再形成可能なエラストマ80の使用がこれらの可逆性利点に更に寄与する。
【0153】
もし配線及び電力を担持するのに2つの別個の基板10及び70を使用するのであれば、熱膨張を整合させなければならない。しかしながらこの制約は、別個の電力及び信号基板を広く使用している普通のMCM設計が当面している制約と異なることはない。従って、基板10及び70の熱膨張を整合させる、もしくは補償する適切な技術は当分野においては公知である。
【0154】
信号基板10上に相互接続を形成することは極めて迅速であり、大量生産に従順である。基板10内の信号ラインは、マイクロストリップ、ストリップラインもしくはスロットラインとして形成すると有利である。一般に、配線密度の典型的な幾何学的増加を補償するように、基板10のサイズ(及び1もしくは複数のダイの数もしくはサイズ)が大きくなるにつれて、基板10上により多くの層が必要になる。有利なことに、基板10上にリトグラフで形成された伝送線の優れた電気的特性によって、レイアウト配線の密集を救済するためにロンガーザンミニマル(longer-than-minimal)指定経路を使用することができる。伝送線を終端している抵抗がリトグラフで形成されたものとすれば、基板10を製造する費用は面積の関数としてほぼ線形であるか、もしくは悪くとも緩やかに成長する幾何学的関数である。重要なのは、導電性信号に必要な多くの普通の接触接合の場合と同様に、製造費用が基板と1もしくは複数のダイとの間の信号相互接続の数に比例しないことである。残余の成分、即ち、電力基板70、ヒートシンク81、圧力板84、及び熱エラストマ層80の費用は、面積に伴ってほぼ線形に増減し、またダイ/基板信号相互接続の数には無関係である。
【0155】
図5には、ダイ11及び85のための2つの例示不活性化層構成も示されている。不活性化層86(ダイ11を覆う)及び層87(ダイ85を覆う)は、二酸化シリコン、窒化シリコン、ポリイミド、ホウ珪酸硝子、もしくは類似材料の薄い保護層であることが好ましい。例示したように、不活性化層87はダイ85の能動表面全体を覆い、一方不活性化層86はパターン化されていて半キャパシタ板14を覆ってはいない。共通の不活性化材料は、誘電体17の好ましい実施例に使用することを企図した多くの材料より遥かに低い誘電係数を有している。従って、好ましくは不活性化材料を半キャパシタ板上に使用すべきではなく、もし使用するのであれば、実際的な高い誘電係数を有するべきである。
【0156】
不活性化層86は、チップ製造プロセス中に除去されるその不活性化層のリトグラフで画定された領域によってパターン化し、次いでこれらの領域を選択的に除去する。有利なことに、リトグラフで画定された領域は、不活性化層が板に部分的に重なる半キャパシタを取り囲む境界領域を提供するように、半キャパシタ板よりも小さくすることができる。半キャパシタ板14の一部だけが不活性化されずに露出しているので、化学的汚染の流入が効率的に妨害される。
【0157】
これに対して、不活性化層87は半キャパシタ板64を覆っている。このアプローチは典型的に、結合された半キャパシタの使用可能な容量を減少させるが、露出された板境界における考え得る汚染の問題を排除する。
【0158】
何れの不活性化層構成においても、導電性接触52は現在の製造技術におけるように不活性化されていない。有利なことに、酸化もしくは腐食を回避するために貴金属接点が有用である。
【0159】
図5は、また、同程度の信号連系数と同様な密度のモジュラー・システムを形成する場合に、本発明にもとづくモジュラー・システムの製造および組立てのほうが、なぜ現在の技術によるものより簡単なのかを示している。半キャパシタ板と不動態化層の製造例では、標準的な半導体製造法が用いられ、誘電体自身をモジュラー・システムをまとめて保持するための接着剤とすることができ、また、ヒート・シンクと熱エラストマーが、主たる標準的横成要素となっている。同様に、基板(および、使用する場合には電力基板)も現在の技術で容易に大量生産することができる。CADレイアウト・ツールを用いる場合には若干の変更が必要となるが、ダイの上で半キャパシタ相互接続板を他の信号線のすぐ上に配置できる柔軟性のために、レイアウトの問題を簡単にすることができる。
【0160】
図5の実施形態を使用する場合には、相互接続の信頼性はきわめて高くなる。ファズ・ボタンは、信頼できる電気的コンタクトの確保に関してはプレス形成の金ワイヤやTABに匹敵する。ただし、いずれも、ハンダあるいはリソグラフィーによる金属接合ほどには機械的に頑丈ではない。しかし、現在、ファズ・ボタンは、修理/交換作業を処理するためのこれら導電性コンタクト手段の中では最も容易で最も信頼できるものである。容量性信号方式のためのこれらの手段は、誘電体を正しく選択したと仮定して、デザインによって、熱で生じる剪断応力を有意な量だけ減らすことができる。いずれにせよ、表面に対して垂直な熱応力と力は、導電性ボンドがいっしょに押されあるはハンダ付けされる従来のモジュラー・システムの場合より有意に低くなるであろう。
【0161】
信号方式のために容量性結合を用いることは、必要な導電性コンタクトの数が大幅に少なくなることを意味する(例、電力用、接地用、またはオフ・モジュールI/O用)。したがって、故障を予想するポアソンの統計が必要となる機械的構成要素の数は、導電性結合信号方式と比較してきわめて少ない。一般に、MCMレベル・モジュラー・システムでの重大な故障の形態には、ハンダの変形、電気移動、および金属−金属腐食が含まれる。MCMを組み立てる通常の方法では、モジュールが繰り返してダイに取り付けられまた取り外される。従来の製造方法では、これらの工程の間のダイへの導電性接続に関連するような形の故障によって収量が大きく減少ししたがって信頼性が損なわれる。このような収量量の損は、導電性接続の数と強く相関している。したがって、従来のMCM技術よりきわめて少ない導電性接続しか用いない本発明は、製造/組立収量、信頼性、補修性、コストの面でかなり有利である。これらの単純化の結果、また、設計および使用に関してもメリットが得られる。
【0162】
次に図6A−Dを参照して、これらの図は、図5のダイ11からダイ85へ結合されまた3−状態論理によって適当に支持された3−状態デジタル信号のための波形例を示す。
【0163】
図6Aは、高速デジタル・システムにおける代表的なデジタル波形を示す。この波形は、特定のクロック周期29の間の波形のレベルによって定義される一連の状態からなる。例えば、周期21の間の波形は、デジタル「1」をあらわす。周期22では、波形はデジタル「0」をあらわす。3−状態システムの場合、周期23の間の波形は、「−1」で示される状態をあらわす。波形は、ダイ11上のエレクトロニックデバイス12からつくられるデジタル回路によって生成される。
【0164】
容量性信号手段13を通る送信の前に、ダイ11上の送信回路は、図6Aのデジタル波形を図6Bに示すパルス状波形に変換する。この例では、3−状態送信器は、2−状態(2進)送信器では好ましいことに生じない後縁の遷移を抑制することに注意が必要である。送信器によって生成されるパルス状波形の例としては、クロック周期の特定部分の期間の論理状態をあらわすパルス24を挙げることができる。パルス状波形は、半キャパシタ14へあたえられ、そこから第一の半キャパシタ15、終端された伝送線33、および基板10上の第二の半キャパシタ65を経由して半コンデサー64まで移動する。
【0165】
図6Cは、半キャパシタ64上で受信されたパルス状波形を示すが、この受信は、半キャパシタ14から電気的距離を伝わる伝送の有限速度のために時間的にずれ、また電気の通路の一連の非ゼロのインピーダンスによって減哀したものとなっている。高速では、半キャパシタ板14および64の間のパルス状波形の伝送で、同じ電力で使用する従来の導電性相互接続よりはるかによい信号対ノイズ比を得ることができる。
【0166】
半キャパシタ64が受信した信号は、ダイ85上の受信回路に結合される。この受信回路は、図6Dに示すデジタル出力信号を生成する。この例では、3−状態受信器は、タイミング回路すなわちクロック信号へのアクセスを有し、したがって、「0」状態22ならびに送信器によって抑制された後縁を認識して復元することができる。明らかなように、図6の波形は、図6Aに示す最初のデジタル入力波形が遅延して復元されたものを示す。
【0167】
図6A−Dに示す波形は、単なる例に過ぎない。無数の信号方式が可能であり、その多くは、図6A−Dに示す簡単な非符号化3−状態信号終了方式より好ましいものである。とくに、差動2進信号方式は、ノイズのない点で大きく有利である。
【0168】
結合半キャパシタを横切る信号は、図6A−Dに示すパルス状デジタル信号モードを利用する必要はなく、代わりに、位相、周波数、振幅、および/または信号対ノイズ比のいくつかを組み合せた任意の変調を用いることができる。一例として、パルス幅変調(PWM)がある。信号は、結合半キャパシタを横切るDC成分の結合を必要としない任意の形式をとることができる。信号は、2進あるいは多状態符号化を含むものとすることができ、また、一群の半キャパシタ接合の場合には、チャンネルとして一以上の半キャパシタからの信号を包含する多ビット符号化をあらわすものとすることができる。
【0169】
現在の好ましい実施形態では、各々が1ビットをあらわし、結合半キャパシタ接合の「差動対」を横切って送られるパルスが用いられる。これは、基本的には、図6A−Dに示す手法を2進差動方式に用いたものである。電気通信事業で帯域幅が限られた通信路を用いてデジタル情報を通信する方法の多くは、DC成分がなく、したがって、本発明に関連して用いれば有利である。この種の方法として注意すべきものには、交互マーク反転コード(alternate mark inverse code)すなわちAMI符号および10B8コードがある。さらに、ナスの方法のように(ほぼ)一定数のゼロおよび1ビットをベースにした符号化方式は、限られた所与の電力に対してとくにすぐれた信号対ノイズ比を示す。周波数キー・シフト、位相符号化、および振幅符号化等、限られた帯域幅のために考案された多くのモデム手法も、QPSK等のハイブリッド符号化方式として有用である。一以上の信号チャンネルにまたがる符号化状態のための多次元球パッキング、リード・ソロモン・コード、トレリス・コード、その他のアルゴリズムを用いれば、チップ間信号帯域幅を、そのシステムに関するシャノンの限界まで最大限に広げることができ、それがクロック周波数より高くなる場合もある。とくに興味深いのは、帯域幅が限られた場合の符号化方式は、指数的にテーパの付いたストリップライン伝送線変圧器を通る信号伝送に用いることができ、結合半キャパシタの一部として高電圧スイングで低電流対低インピーダンスの伝送線での信号の整合を可能にするのでとくに興味深い。帯域幅を制限することによって、拡散性ラインから生じる困難な問題を効果的に避けることができる。このような拡散の主たる原因には、ラインの誘電係数の周波数依存性、周波数依存的誘電損、表皮効果、および電源抵抗から生じる損失が含まれる。
【0170】
次に図7を参照して、同図は、ダイが二つの基板にまたがるモジュール電子システムの一部分を例示したものである。架橋ダイ89は、少なくとも二つの半キャパシタ14a−bを含み、その各々が誘電体17a−bを介して異なる基板10a−b上の半キャパシタ15a−bに結合されている。架橋ダイ89は、好ましくは、そのエレクトロニックデバイス12上に実装された複数の能動性電子素子を含む。基板10aおよび10bは、構造が同じでもあるいは異なっていてもよい。同様に、半キャパシタ14a−bおよび15a−bも、好ましくは、予想される熱膨張および/または機械的ずれに対応できる寸法とされる。
【0171】
架橋ダイ89上の受動性または能動性信号通路は、半キャパシタ14aおよび14bを接続する。好ましくは、基板10aおよび10bの上の非両立性の信号波形、タイミング、および/または符号化の間の変換を行なうために能動性信号通路が用いられる。
【0172】
架橋ダイ89は、好ましくは、多数の基板が、架橋モジュール(この例では、ダイ)によって結合されたきわめて大きいシステムの一部をなすものである。マイクロエレクトロニック素子および/または配線を搭載した多数の基板は、図5および7に示すもののように主として平面である必要はなく、またきわめて大きいものとすることができる。本発明を用いれば、バーン・ドア・スケール・インテグレーションが可能である。図9、10、13、および39−40は、本発明を拡張可能な非平面および平面構成に広げた例である。
【0173】
架橋モジュールによって重ねられた縁部には、とくに振動が多い環境では座屈が生じるおそれがある。このような曲げあるいは膨張によって、構成可能なシステムの直径が大きく制限されるおそれがある。幸い、これらの問題は、実施者によく理解されており、好ましい実施形態にあっては、しなやかで機械的に振動を減衰させる誘電体または取付材料を組み合わせること、及び、容量性結合の大きさの変化を補償可能な程大きい半キャパシタと、デジタル信号レベルについて緩やかなスレッショルドを有する回路とを用いて改善することができる。
【0174】
次に図8を参照して、同図は、複数のダイ11、92、95、および基板10、90、93を含むモジュラー電子システムの一部分を図示したものである。図8において、ダイ11は、基板10に容量性結合されている。ダイ11を(誘電体17xおよび17yの中にモノリシックにつくられたものとして例示してある導体14yを介して)基板10に結合する容量性信号通路の複数階構造は、「実質的に重ねられて」いない板である半キャパシタ14xおよび15xの間に「効果的な重なり」を生成するものである。94aおよび15のような実質的に重ねられた半キャパシタは、事実上、効果的に重ね合わされている。
【0175】
基板10は、また、基板90に容量性結合されている。基板90ないでは、配線91が復数の半キャパシタ94aを複数の半キャパシタ94bに接続し、それによって基板10と基板93の間および基板10とダイ92の間にAC信号通路を形成している。基板93は、また、基板93上で複数の導電性パッド96に接着された複数の導電性リード線97を介してダイ95に導電性接続されている。
【0176】
例として、基板10は、プリント配線盤で構成することができ、基板90は、多層セラミック基板で構成することができる。基板93は、プラスチック裂キャリヤ・パッケージ98内でカプセル化することができ、またこのパッケージでは、ダイ95もカプセル化することが好ましい。モジュール92および11は、異なるダイをあらわす場合もあるし、同じダイまたはウェーハの異なる部分をあらわす場合もある。
【0177】
当業者には、本発明の手段によって単一または複数のダイが単一のまたは複数の基板に結合された多くの他の構成が可能なことが理解されよう。そのような他の構成を適当に選んで、特定の適用システムの特定の物理的、機械的、電気的、温度的、および経済的制約に対応することができる。すべての構成要素の−ダイまたは基板上での、より高度なレベルのモジュールとしては、熱・環境システム、機械的シャーシ等の上での−配分およびコストは、全システム的レベル0−4のパッケージの最適化の中で検討することができる。例えば、相互接続の方向に対して直角に容量性コンタクトを搭載した基板は、図16に示すようなバックプレーンまたはカード・ケージと同様なレベル3のパッケージの組立てを容易にすることができる。適用可能な物理的構成の数をさらに増やすためには、可橈性または連接式基板を使用することもできる。図9−10に示すように、大きいシステムの中で信号、クロック等を結合するためには、当接式または部分的重なり式基板を使用することもできる。電力があたえられたマイクロエレクトロニック素子を搭載した領域を他の領域または配線を搭載した基板に連系させるために容量性結合用の手段を用いれば、本発明から、タイル、格子、またはクラスター構を含む他の規則的または不規則的形状が得られることは明らかであろう。このような領域を組織的に集めた構成、例えばダイおよび/または基板を集めてモジュラー構成とすることも、同様の本発明からただちに得られることである。その種の他のシステム構成に特許請求の範囲に記載の本発明を用いる場合にも、そのような構成は、本発明の範囲に入ると考えるべきである。
【0178】
次に図9を参照して、同図は、本発明にもとづいて組み立てられた大規模モジュラー・システムの一部分を例示したものである。図9は、いわゆる「リープフロッグ(跳び蛙)」の形状を示す。信号は、第一のモジュールから第二のモジュールへ該第一および第二のモジュールを部分的に重ねる架橋モジュールを介して「跳ぶ」。このリープフロッグ・アセンブリー手法を用いてれば、大規模システムをきわめて経済的に組み立てることができる。
【0179】
図9において、ダイ115の一部分は基板123に重なっており、それによって半キャパシタ111および113が心合わせされて基板123とダイ115の間に容量性信号通路を形成する。このリープフロッグ構成は、基板124とともに続き、この基板は、結合半キャパシタ125および116を介してダイ115と部分的に重なりまた容量性結合される。同様に、基板140は、基板124と部分的に重なりまた容量性結合され、それによってリープフロッグ構成が延長される。好ましくは、このリープフロッグ手法を用いて電力が一つのダイ/基板から例えば前に述べたファズ・ボタン接続によって次のダイ/基板に分散される。
【0180】
図9には、また、複数の能動性素子をもちまた複数の結合半キャパシタ117を介して基板124に結合非架橋ダイ119(リープフロッグ構成の一部ではない)が示されている。同様に、非架橋ダイ136は、例えばオフ・ダイ通路(基板140内の)を用いて半キャパシタ133および135に近い能動性表面138上の回路に結合される。
【0181】
リープフロッグ構成にはいくつか特筆に値する利点がある。第一に、例えば単一の基板とダイが組み合わされる同程度の大きさのシステムと比較して熱膨張の負の作用が大きく低減される。すなわち、ダイ115がきわめて高温で使用されて半キャパシタ116および125の間にわずかなずれが生じたとしても、半キャパシタ117および128と半キャパシタ120および130の心合わせはほとんど影響を受けない。
【0182】
リープフロッグ構成の他の利点は、補修の容易さである。上端レベルのモジュール123、124、および136は、欠陥が生じても、システムをさらに分解することなく個々に交換することができる。下端のモジュール115、119、および140を交換する場合でも、多数のモジュールを有するシステムを比較的わずかしか分解する必要がない。
【0183】
リープフロッグ構成のさらに地の利点は、そのダイ間接続の高性能にある。すでに述べたように、結合半キャパシタ(または結合伝送線)は、同程度の大きさの導電性接続と比較して寄生インダクタンスが低い。さらに、リープフロッグ構成の中ではモジュールが重なるため、信号通路の長さも、例えば表面実装ダイを有するPC盤あるいはMCM等の周辺に分散したピンを利用する従来技術の場合より短くなる。このような短い信号通路と低い寄生インダクタンスを組み合わせることによって、システム全体の性能を大きく高めることができる。
【0184】
リープフロッグ構成は、また、従来の平面パッケージ法より密度を高めることができる。したがって、クロック・スキューの問題も有意に低減することができる。好ましくは、クロック信号は、リープフロッグ集積システム内の中央に配置されたモジュールから、各々が結合半キャパシタによって連系される一以上の伝送線部分からなる複数のクロック分配通路を介して放送される。このようなクロック分配通路は、好ましくは、回復論理(例、送信および/または受信回路)を含まず、したがってクロック信号に不必要なゲート遅延をもち込まないものとする。
【0185】
従来のMCMシステムでは、信号伝搬速度は誘電係数の平方根に逆比例するため、基板材料の誘電係数を低減させるために大きな努力が払われた。本発明のリープフロッグ構成は、信号通路の長さを低減するもので、信号伝搬時間を比較的に改善するため、有利である。したがって、本発明を用いれば、新規な低誘電係数の基板をもとめる必要なく、待ち時間の低減をはかることができる。
【0186】
リープフロッグ構成のさらに他の利点は、それによって、異質の両立性のないモジュールの集積が可能になることである。半導体ダイ115、ダイ119、およびダイ136の間で、電圧レベル、材料等は異なっていてもよく、それによって、システム・デザイナーは、高密度に集積されたシステム内部に各種の異なる技術の特殊な利点を活用することができる。同様に、基板123、124、および140の性質も、性能、信頼性、補修性、コスト、および他の要因を改善するために適当に選ぶことができる。例えば、ダイ115はカスタマーグレードのシリコンCMOSとし、ダイ119はダイヤモンド上のマイクロエレクトロニックを搭載し、ダイ136はジョセフィン接合をもつ高温超電導材料であり、基板123はFR4などのラミネート材料であり、基板124はチップ第一面上にリソグラフィーで形成された線などの薄膜からなる能動性基板であり、基板140はゼログラフィーで形成された厚膜とすることもできる。
【0187】
相互接続の安価さと異質の集積への適応性は、部分的または専門的機能を支持するために小さなダイあるいはモジュールを使用できることを意味する。これに対して、従来の技術は、一般的に、ダイ以外の信号方式のコストを理由に多数の機能的サブシステムを束ねて大規模集積回路にしようとするものであり、製造コストを増し、性能を犠牲にする場合が多かった(特定の構成要素のために最適でない例えばアナログ等の技術を使用するため)。容量性結合マルチ・チップ・システムが含む重要な構成要素の例としては、論理素子(例、フィールド・プログラマブル論理アレー)、(フィールド・プログラマブル)ゲート・アレー、プロセッサ、算術演算装置、ビット式操作装置(例、セルラー・オートマタ)、置換装置、連系ネットワーク、メモリー、非機械式アクチュエーター、センサー、部分的アナログまたはデジタル構成要素のアレー(例、各種の寸法の抵抗)等を挙げることができる。
【0188】
次に図10を参照して、同図は、すべてダイからつくられたリープフロッグ集積システムの一部分を例示したものである。基板123、124、および140(図9)をダイ163、164、および180で置換することで、論理および多の回路のより高密度な集積ならびに熱膨張係数のより完全な整合が可能になる。それ以外では、図10のダイ−ダイ−ダイ・リープフロッグ構成の性質と利点は、図9のダイ−基板−ダイ・リープフロッグ・アセンブリーあるいは図7の基板−ダイ−基板アセンブリーのそれと同様であり、したがって、ここではその説明を省略する。この種のシステムでは、電力は、ダイを通る孔またはダイに拡散されたコンタクトではなくダイの間の隙間を通って分配され、また、専用の電力基板および圧力板を用いることができ有利である。
【0189】
次に図11A−Bを参照して、同図は、容量性結合モジュラー・システム内のキャパシタ版の間のずれの作用を示す図である。図11Aは、容量性結合システムの一部分を示し、ダイ251、252、253、および254は完全に心合わせされ、半キャパシタ板の寸法と同じ重なり領域255、256、および257が画定されている。この理想的な構成では、容量性信号結合が最大化され、のぞまない漏話が最小化される。
【0190】
図11Bは、同じ部分を示すものであるが、ずれたダイ262がダイ252(図11Aの)にとって代わっている。ダイ262のずれは、領域265および256の面積を減少させ、ずれたダイの半キャパシタの重なりをあらわしている。したがって、ダイ262とダイ251および253の間の信号結合の大きさは減少する。ダイ262の半キャパシタと他の近接の導電性信号ラインまたは半キャパシタとの間の漏話も同じく増大するであろう。しかし、重要なことは、ダイ262のずれが、ダイ262に直接結合されていない他のダイ、例えばダイ254などの間の結合あるいは心合わせに影響しないことである。
【0191】
特定のダイのずれが予想されう場合には(例、ダイがきわめて高温で使用される)、その補償のためにそれらの特定のダイに関連する半キャパシタの寸法を大きくすることが好ましい。重要なことは、問題のダイに関連する特定の半キャパシタのみを多くくする必要があることである。したがって、システム中のオフ・ダイ接続の全体の密度の有意な減少は生じない。結合半キャパシタ接合の低コストあるいはそのずれに対する本体的な許容性のために、この種の接合は、マルチ・チップ・モジュールのみではなく異なる他の多くの用途で有用である。例えば、半キャパシタ接続を利用したケーブルは、従来のケーブルに比較して、コスト、信頼性、寸法、および性能の面で有利である(図21、39−40を参照)。同様に、ピン数の多いモジュラー式消費者用製品、例えばドッキング可能なラップトップ・コンピュータなども、本発明を用いて効果を挙げることができる。パッドが制限されたチップは、通常、本発明を用いて実装することができて有利である。この種のチップは、通常、信号経路選択ネットワーク、許容される同時1−0または0−1遷移の数によって寸法が制限される2進集積回路、および多くのきわめて小さいチップを構成する。
【0192】
次に図12A−Bを参照して、同図は、ずれの影響を最小限に抑えるために寸法の大きい半キャパシタ板を用いた例を示す。図12A−Bで、半キャパシタ272は、意図的に半キャパシタ273より大きくつくられている。これによって、ダイ274は、半キャパシタ板の重なりの面積に影響をあたえることなく(例270対271)、かなり膨張することができる(図12Bに示されるように)。
【0193】
さらに、272などの半キャパシタ板の寸法を大きくして用いれば、さもなければ近くの構造体に終端することになるより小さい半キャパシタ板からの端フィールド線のいくつかを終端させることができる。これによって、より小さい半キャパシタ板273から受ける漏話の量を低減することができて有利である。
【0194】
次に図13を参照して、同図は、異質な集積システムの一部分を例示し、また、本発明にもとづくモジュール集積のための各種の方法を説明した図である。
【0195】
図13のシステムは、実質的な空間充填パッケージ内に配置された二つの階層レベルを示す。ただし、同図に例示した集積技術には、2Dまたは3Dの階層的カプセル化という高いレベルの技術を用いた拡張可能なシステムが示されている。このシステムは、モジュール200、211、および219を含む。モジュール200は、容量性結合チッフ201および204からなる。モジュール211は、容量性結合チップ208および210からなる。モジュール219は、容量性結合チップ215および219aからなる。
【0196】
図13は、本発明にもとづいてモジュール200、211、および219を結合するための各種手段を例示したものである。ケーブル214は、モジュール200チップ204をモジュール211のチップ208へ結合する。モジュール200のチップ202とモジュール211のチップ210の間には、半キャパシタ203、半キャパシタ205、連係基板206、半キャパシタ207、および半キャパシタ209を経由する容量性信号通路が配設される。
【0197】
チップ215および219aのモジュール219への実装は、例示してある外部的にあたえられる形状的要件に対応するためにスペーサー212に対して角度を付けて行なわれる。モジュール211のチップ208とモジュール219のチップ215の間の容量性信号通路217は、可橈性連系基板216によって完成するが、この基板は、好ましくは非平面の形状的要件に対応するように可橈性材料でつくられる。モジュール219のチップ215は、さらに、外部の導体または光の接続部218からも入力を受ける。
【0198】
部分分解図の形で示してあるが、図13に示す部分的システムが実質的には空間充填アセンブリーを形成することは明らかであろう。すなわち、図13に示す空間充填アセンブリーは、それ自身、より大きいモジュラー式電子システムの一つのモジュラー部分となり得るものである。容積的に高密度な3D空間充填パッケージは、通常、2D実装より比較的短い平均通路長とより速いクロック周波数を有する。
【0199】
図13には、ヒートシンクは明確に示されていないが、本明細書の他の部分で説明するように容易に配置することができる。スペーサー212は、外部的にあたえられる形状的要件を満たすための機械的支持構造となるばかりでなく、チップ210および219aから熱を伝導する効果がある。
【0200】
次に図14を参照して、同図は、可橈性のあるいは等高の基板上にオプションの複数の超電導素子が一つの相として実装されている本発明一実施形態を示す。各々が複数のマイクロエレクトロニック素子を搭載した予め製造されたダイ231および239が単一の基板230の対向する面に取り付けられている。ダイ231と239の間の容量性信号方式は、やはり基板230の対向する面に実装されあるいは取り付けられた結合半キャパシタ232および238によってあたえられる。これらの半キャパシタは、平面である必要はないので好都合である。
【0201】
材料的な制約面で許されれば、両マイクロエレクトロニック素子および半キャパシタは、モノリシックは製造方法によって基板230に実装することが好ましい。例えば、材料の領域を基板230上に堆積させるかあるいは他の方法(例、イオン注入)で処理して生成する。好ましくは、基板230上に塗装または他の方法で堆積させた(好まし高Tc)超電導薄膜内にジョセフィン接合素子を実装する。
【0202】
基板230は、半キャパシタ232および238の間で適当な容量性結合を行なうように輪郭を形成される。図示の例では単純なU字形であるが、基板230には、ら旋状あるいは同軸円筒状など他の形状を使用することもできる。
【0203】
ダイ231および239、ならびに半キャパシタ232、238、光センサー240、および電力コンタクト・パッド241は、好ましくは、基板230の変形に先立って製造される。基板230は、可橈性の材料から製造中に二以上の個別の部分を接着または他の方法で結合させて形成するか、あるいは、製造中に熱または他の適当な処理によって変形させた剛性材料の単一の部分から形成する。
【0204】
電源および接地は、電力パッド241への導電性または放射性(例、容量性、誘導性、および/または光学性)コンタクトによって、あるいは盤上バッテリーによってあたえられる。超電導および地の低電カシステムでは、とくにAC電力手段235が機械的コンタクトの必要なしにパッド241に電力を伝えることができて好ましい。
【0205】
外部信号方式は、好ましくは、誘電体237を通って光センサー(またはドライバ)240に光学的に結合された光導体234によってあたえられる。あるいは、他の箇所で説明するように、容量性または磁気性手段を用いることもできる。
【0206】
次に図15を参照して、同図は、各種の寸法とパッケージ・レベルのモジュールを結合するための均一な容量性インタフェースを示すものである。図15では、モジュール274上に均一な容量性インタフェース276をまたモジュール277a−c上に均一な容量性インタフェース275を用いることによって、モジュール274へのモジュール277a−cの互換可能な接続が可能となる。
【0207】
容量性インタフェース275および276は、それぞれ、単一の半キャパシタと接着された誘電性部分を有する半キャパシタとして図示されている。実際のシステムでは、この種の容量性インタフェースは、好ましくは規格化されたフットプリント内に配置された複数の半キャパシタ(および光電導コンタクト)を有するものである。好ましくは、容量性インタフェース276は、インタフェース275に結合されるより多くの半キャパシタを有し、インタフェース276上の残りの半キャパシタは、テスト・モジュールへの結合、設計変更等に対応するために用いられる。
【0208】
図15には、他にも接続可能なモジュール277a−cが示されており、これらは、パッケージ階層内の異なるレベルをあらわしている。図示の例では、モジュール277aは、レベル−0の非パッケージ・ダイを有する。モジュール277bは、レベル−2のパッケージ・モジュールを有する。また、モジュール277cは、レベル−2またはレベル−3のパッケージ・モジュールを有する。
【0209】
本発明にもとづいて規格化された容量性インタフェース275および276を使用することで、製品および/またはシステムの改良のために改善された方法を用いることが容易となる。製品の改良に関しては、当初、標準あるいは半特注部品(例、モジュール277bまたは277c)の半特注アセンブリーを用いてあたえられたモジュールを実装する。製品が成熟し生産量が増大した段階で、モジュールを特注ASICダイ(例、モジュール277a)として再実装し、より高いレベルでの修正を必要とせずに製品に導入することが好ましいであろう。他の製品改良の方法、例えば、モジュール277cを277bと交交換する、あるいはレベル1−1/2MCM実装と交換する、などの方法も本発明の範囲内で可能である。
【0210】
本発明を、システム改良の面から説明すると、モジュール217a−cをきわめて平行的なコンピュータの機能ブロックの異なる実装と見ることもできる。特定のアプリケーションの要件に応じて、コンピュータ・メーカーは、低性能モジュール277a、中間性能モジュール277b、あるいは高性能モジュール277cを選択的に導入することができる。同様に、この種の機能的モジュールは、現場の変化に応じて特定のシステムの全体的な要件に合わせてクルードアップすることも可能である。
【0211】
先行技術のデザインを階層的に分解する場合に当面する問題としては、高レベルの機能を区分した後に、低レベルのモジュールをあたえられた技術では効果的に実装できないことが明らかになり、さらにその後に、最適でない(例、きわめて費用のかかる)技術の混ぜ合わせを避けるために再び高いレベルでの再区分を行なう必要が生じるような事態が想定される。本発明によって得られる改良された製品およびシステムの基礎には、本発明によって、パッケージの階層のすべてのレベルに均等に、共通の高密度で高性能のインタフェースを実装できることがある。階層的分解デザインの実施には、本発明にもとづく各サブモジュールごとの均一なインタフェースと機能的仕様を利用することができる。本発明は、共通のインタフェースを支持するもので、それによって、デザインの初期の段階で指定されたサブモジュールを、その機能を実施するために複数のダイと異なる技術が必要な場合でも、後の段階で実装することが可能となる。すなわち、本発明では、階層的システム内の特定のモジュールの実装が必ずしもモジュール間のインタフェースによって制約されないために、デザイナーが階層的分解の機能を利用する能力を大幅に高めるものである。実装が進行して、予想された技術がサブモジュールの実装に不適当であることが明らかとなった場合でも、通常は、高い次元の区分の作業をやり直す必要なく、他の技術またはMCMを使用して実装を進めることができる。
【0212】
次に図16を参照して、同図は、モジュール・システムを図示したものであり、そのモジュールシステムでは、複数のモジュールが、バックプレーンとして図示された支持シャーシに取り付けられた基板に容量性結合している。基板278が、そのバックプレーンを含み、さらに、複数のモジュール取付け用支持構造体279a−cを含む。支持構造体279a−cは、好ましくは、熱伝導性の高い材料で製造し、そこに取り付けられたモジュール280aからの熱の拡散を高めるようにする。各バックプレーンのスロット281は、好ましくは、支持構造体279a上に取り付けられ支持構造体279bに隣接して分解図で示すモジュラー・サブシステム282を収容する。
【0213】
モジュラー・サブシステム282は、複数のダイ280a−bおよび架橋基板280cを含む。ダイ280aは、ダイ280bに容量性相互接続される。導電性電力接続部は図示されていないが、これらは、図4−6に示したものと同様に実装することができる。架橋基板は、ダイ280aと基板278の間の容量性信号通路を提供する。基板278は、好ましくは、各種モジュラー・サブシステム282を相互接続する複数の終端された伝送線(図示しないが図5に全体的に示す)を含む。
【0214】
次に図17Aを参照して、同図は、先行技術のレベル1パッケージを上から見た斜視図である。単一のダイ289mは、通常はシリコンで形成され、通常はエポキシまたはセラミック材料で形成される基板289nによって支持される。複数の電力リード線289gおよび信号リード線289eは、通常はアルミニウム支柱から形成される。電力リード線289gは、ワイヤボンド289hを介して電力/接地コンタクト・パッド289iに導電性接触している。接地および電力レール289kは、電圧をダイ289m上に実装された回路に分配する。信号リード線288eは、低抵抗ファンアウト288b、コンタクト・パッド288c、およびワイヤボンド288dによってI/O回路288aに導電性結合されている。
【0215】
図17Aは、先行技術の基本的欠点を示している。ダイ289mの有用な不動体は、他のチップおよび/または他のパッケージ・レベルへの導電性信号方式を支持するために消費されている。図17Aで、信号方式のためのこの種の不動体は、コンタクト・パッド288c、該パッドへの低抵抗ファンアウト288b、およびドライバ/受信器288aを含んでいる。不動体を過度に利用することによるコストに加えて、先行技術は、さらに、ボンド・ワイヤ288dおよびパッケージ自身288nを必要とする。パッド288cがダイ289mの周辺に限定されている(それによってファンアウト288bを短くしている)場合には、p@あっどを収容するための十分な周囲部分を用意するために付加的な不動体が必要となる。すなわち、高密度のI/O端末を必要とするデザインは、さらに、浪費されるチップの不動体部分を増大させることになる。最後に、基板289nが存在することによって、パッケージ・パーソナル全体の寸法を裸のダイ289mのそれより何倍も大きくなる。
【0216】
図17Aは、また、先行技術で通常生じる信頼性および性能上の問題がどこから生じるかを示している。コンタクト接合288b−288cおよびボンド・リード線288dの直列インダクタンスは、通常、きわめて高く(例、05−10nH)、低域フィルターとして機能し、それにより、高いクロック周波数で信号ラインを駆動するためにより多くの電力が必要となる。導電性コンタクトは、主として論理ゲートに関係し、クロック周波数が増大しまたリソグラフィーの寸法が減少してものぞましいレベルにならない。最後に、導電性コンタクト接合は、機械的コンタクトをともない、それによって接続部をダイ289mと組み合わせまた分解する能力を制限し、その接続部の信頼性を低下させる。
【0217】
次に図17Bを参照して、同図は、本発明にもとづいて実装されたフリップ−チップ・レベル1モジュラー・システムの分解図である。基板289fは、ダイ289cと組み合わされ、また、好ましくは、終端された伝送線として実装される信号連系289bを構成する。電力/接地コンタクト・パッド289iは、導電性ファズ・ボタン289c可逆的に組み合わされ、基板289fとダイ289eの間の可逆的導電性連系を構成する。あるいは、基板289fは、コンタクト・パッド289iがハンダの突起、ワイヤボンド、ピン、またはボール・グリッド・アレーなどの従来の導電性コンタクト手段と組み合わされるように構成することもできる。ファンアウト289kは、ダイ289e上に実装された各種回路に電力を分配する。好ましくは、パルス信号方式を利用し半キャパシタ板289aの下に実装された一以上のドライバおよび/または受信器288aが、ギャップを横切って整合する半キャパシタ板289a−aaの間の信号を送受信する。このギャップは、好まし高い誘電率を有する材料で充填される。
【0218】
本発明の単一ダイ・システム(図17B)を先行技術の代表的な単一ダイ・システム(図17A)と比較すると、本発明が、ファンアウト288bおよびコンタクト・パッド288cの専用とされていた不動体の大部分を解放し、この部分を図17Bに示すような回路の実装に利用できるようにしたことがわかる。さらに、本発明は、ボンドワイヤ288cと外部信号リード線288dを有する要素に関連するコストをなくし、したがって、本発明の導電性電力コンタクト・パッド289cのためのコストは、先行技術の電力ボンドワイヤ289gとリード線289hのコストの合計より少なくなると思われる。
【0219】
基板289fおよび関連する誘電体の一インチ平方当たりコストは、基板289nのそれにほぼ匹敵する。しかし、基板289nは、通常、基板289fより小さいため、本発明によって基板のコストも低減される。本発明のシステム(図17B)は、通常、先行技術のシステムより高密度であるため、本発明では短い信号ラインしか必要とせず、それによって待ち時間および減衰損が減少する。
【0220】
ある種の先行技術のフリップ−チップでは、ハンダの突起等によってボンドワイヤ288bおよびリード線288cに必要な不動体が減らされている。しかし、このような先行技術でも、導電性連系に関連するのぞましくない直列インダクタンスが導入される。さらに、寸法の小さい結合半キャパシタ接合によって、多数の接合を安価で密度にしかも高収量で製造することが可能となる。さらに、本発明によって得られる簡単な組み合わせ法によって、鋳造工場でダイをMCMに組み込むことが可能になり、MCMあるいは盤の製造のためにダイを他の場所に出荷する必要がなくなった。
【0221】
次に図18A−Cを参照して、同図は、本発明にもとづくMCM(例を図4−5に示す)の組立てのいくつかの工程を示す。多くの方法を用いることができるが、図18A−Cは、組立て中に真空据付け法を用い方法を示している。
【0222】
図18Aを参照して、複数のダイ503は、誘電体502でコーティングされた高解像度基板503と光学的フィードバックおよびダイおよび基板両者の上の基準マークを用いて心合わせされる。これらの基準マークは、ダイの下の基板に開けられた穴を用いるかあるいはシリコンウェーハを通る赤外線影像を用いて追跡することができる。ダイと基板の間の見当の違いの程度を確認するために余分の基準マークを配設しておいてもよい。ダイ503の見当合わせは、選ばれた対のダイと基板の半キャパシタの間の容量を測定しまたそれを最大にすることによって確認し、心合わせの程度を微調整することができる。ピックンプレース式装置を用いた干渉計測法を用いることもできる。
【0223】
すべてのダイの心合わせがすんだら、−真空チャンバー505、真空ホース・アタッチメント506、およびO−リング504を用いて−基板501の下を真空にし、ダイ503を所定の位置にしっかりと据え付ける。
【0224】
次に図18Bを参照して、次に、エラストマー熱導体511および圧力いた/ヒートシンク510を所定の位置に置気、ボルト512とナット513で固定させてダイ503の裏側と接触させ、それによってしっかりとしたアセンブリーを形成する。
【0225】
次に図18Cを参照して、しっかりしたアセンブリーを逆立ちさせ、導電性コンタクト521を高解像度基板501の中に配置する。電力基板520はコンタクトの上に配置する。ボルト522とナット523を用いてこの電力基板を圧力板に押し当てて圧縮させることによってモジュールの組立てが完成する。
【0226】
他の好適な組立て法は、紫外線硬化性接着剤を用いるものである。この方法では、基板は、誘電材料でコーティングされ、紫外線硬化性接着剤が塗布され、次にダイが個々に配置され心合わせされ、さらに紫外線放射が行なわれて接着剤が硬化される。
【0227】
次に図19を参照して、同図は、全体の利得を調節するための手段を含む容量性信号通路を示す。利得の調節の必要性は、半キャパシタ板の横方向および/または角度のずれ(組立てまたは熱膨張による)、送信器または受信器に影響する加工処理のばらつき、誘電体内のばらつき、等を含む多くの要因から生じる。
【0228】
モジュール286上では、信号ライン286b上の入力信号に応答して、送信器286aが半キャパシタ286c上で信号を生成する。モジュール287上では、半キャパシタ287で受信した信号に応答して、受信器287aが信号ライン287b上に出力信号を生成する。
【0229】
図19は、入力286bと出力287bの間の信号対ノイズ比を最適にするために容量性結合された信号道路の全利得を調節するいくつかの手段を示。すなわち、(1)送信器286aの利得を調節する、(2)トリム板(a/k/a「小板」)286dを半キャパシタ286cと平行連動させるかまたは半キャパシタ286cから切断する、(3)トリム板287d−ddを半キャパシタ287と、平行連動させるかまたは半キャパシタ287から切断し、また/または受信器287aの利得を調節する、である。
【0230】
送信器構成手段286eは、送信器286aの利得および/またはトリム板286dと半キャパシタ286cの間の接続を制御する。同様に、受信器構成手段287eは、受信器287aの利得および/または取り向いた287d−ddと半キャパシタ287cの間の接続を制御する。このような構成手段を使用することによって、差動信号通路も容易に生成することができる。
【0231】
容量性信号通路の利得の調節は、静的にもあるいは動的にも行なうことができる。静的調節は、好ましくは、組立て(すなわち、286と287の組合わせ)の前に行ない、ダイ286と287の製造の偏差を補償する。その目的は、とくに弱い送信器がとくに弱い受信器と対に組み合わされるのを避けることにある。ダイ286の静的調節は、ダイ285を特性が明確なテスト・ダイに一時的に取り付けることを含む。テスト・ダイは、ダイ286からパルスを受信し、送信器構成手段286eのプログラムに用いられるフィードバックを提供し、それによって送信器286aの利得を通常の公差内に収まるように構成する。ダイ187の静的調節は、同様な手順を含み、一時的に取り付けられたテスト・ダイが特性の明確なパルスをダイ287にあたえ、受信器コスト手段287cの適当なプログラミングを可能にする。
【0232】
動的構成は、モジュール286および287の製造中または組み立てられたシステムの使用中に生じる利得偏差を補償する。動的構成は、好ましくはシステムの使用中に行ない、送信器構成手段286eおよび/または受信器構成手段287eを調節して容量性信号通路生横切る信号対ノイズ比が最適になるようにする。電気通信業界では、このような構成を行なうためのさまざまな方法が知られている。このような動的調節を行なう必要のある周期は、温度の変動、機械的応力、その他の周囲の環境条件に応じて、パワーアップ時に一回のみから毎秒数回まで大きな幅がある。
【0233】
構成手段286cと287aの間および大きなシステムでは素子の間で情報をリレーすることが好ましい。大きいシステムでは、好ましくは、記憶手段、分析およびデータ削減手段、診断手段、および報告および監査手段、ならびに他のサービスが提供される。大きいシステムでは、好ましくは、構成手段286eおよび287e内の各種設定値が、好ましはセンサー・データを含む両者からのデータに応じて共に最適化される。
【0234】
次に図20A−Bを参照して、同図は、本発明にもとづいてアプリケーションに固有のサブモジュール(ASSM)から構成されたアプリケーションに固有のモジュール(ASM)の例を示す図である。公知のように、CAD技術の進歩によってアプリケーションに固有の集積回路(ASIC)の利用が爆発的に増大し、システムの記憶されている記載内容が、集積回路マスクの特注CADシステムによって自動的に実装され、このマスクが次に製造されて標準レベル1パッケージに包装されるようになっている。従来の技術では、パッケージおよび復数ダイの相互接続の高いコストおよび性能上の限界から、アプリケーションに固有の複数ダイ・システムの実装(例、MCM)は、単一のダイASTCよりはるかにコストが高く付いた。しかし、本発明は、複数ダイ連系のコストおよび性能の限界の多くを除去するもので、それによって、アプリケーションに固有の複数ダイ・システム、ASSM、あるいはASMの実装化を経済的に有利に行なうことが可能となった。
【0235】
図20Bは、ハンダの突出部188を通る電力の導電性結合および誘電体189を通る容量性信号を行なうASSM186aおよび186を含むASMの例を示す。本発明のアセンブリー/試験方法を用いれば、高信頼性ASM129の製造をきわめて低コストにまた高い収量で行なうことができる。
【0236】
図20Aは、組合わせ前のASSM186aおよび186を示す。ASSM186は、一部分しか示されていない。ASSMは、好適に一以上の他のASSM186aと組み合わせることができる。ASSM186およびASSM186aは、いずれか一方または両方を、ASICににた方法を利用して特注で製造することもできるし、また/または特注の(フィールド)プログラマブルな論理部品に用いられる方法を用いて個人化することができる。
【0237】
構造的には、ASSM186aおよび186は、各々が好ましはそれぞれ複数の電子装置184aおよび184bを含む。導電性コンタクト・パッド181aおよび181bは、ハンダ・ボール188等を収容する構成とされ、ASSM186からASSM186aに動力を供給する手段を提供する。素子184aと184bの間の容量性信号方式は、配線185b、ドライバ/受信器183、結合半キャパシタ182bおよび182a、ドライバ/受信器183a、および配線185aによってあたえられる。ASSM186は、付加的なASSMを収容するために、オプションとして、付加的な配線185c、ドライバー/受信器183c、および半キャパシタ182cを含むものとすることができる。本発明にもとづくASM設計のパラダイムを使用すれば、アプリケーションに固有の実装技術の範囲を、単一のダイ上で実装するには大きすぎて許容できる収量が得られないシステムにも広げることが可能となる。
【0238】
次に図21を参照して、同図は、本発明の容量性インタフェースを利用したケーブル・インタフェースを示す。ケーブル410は、適当に選ばれた誘電性内側媒体419内に配置された複数の伝送線413を収容する外披418を有する。伝送線413は、各々が、好ましは、インタフェース412で半キャパシタ414に接続されて他の容量性終端されたケーブルまたはソケットと組み合わされるように構成された標準インタフェースを形成する。インタフェース414は、好ましくは、他のケーブルまたはコネクター・ソケットに取り付ける410ための手段415を含み、該手段は、ケーブル410を他の素子のインタフェースに配置して保持するための機械的案内、光学的配置、見当マーク、または他の手段をともなう。インタフェース414は、心合わせの安定性を高めるために平坦またはパターン化されたものとすることができる。ケーブル410は、さらに、インタフェース414で導電性連系を行なう構成とされた一以上のラインを含むものとすることができる。
【0239】
本発明にもとづく半キャパシタ・ケーブル・インタフェースを使用することによって、従来のケーブル接続に比較して多くの利点が得られる。結合半キャパシタによって、インタフェースでは、従来の導電性インタフェースよりインピーダンスがかなりすぐれた整合を行なうことができる。さらに、本発明によって、インタフェースで、かなり高密度の連系が可能となる。また、容量性ケーブル・インタフェースは、従来の導電性ケーブル接続より製造が簡単で信頼性が高い(汚染腐食に対する抵抗力の面から)。
【0240】
次に図22を参照して、同図は、モジュラー電子システムの一部を例示したもので、基板が、チップ間およびチップ内両方の容量性信号通路を提供する例である。チップ間容量性信号通路402は、チップ401aおよび401bを相互接続する。チップ内容量性信号通路403bは、伝送線および基板404上の二つのキャパシタを介してチップ400a上の二点を相互接続する。チップ内容量性信号通路403aも、同様に、チップ400b上の二点を相互接続する。信号通路は、単にチップ間またはチップ内である必要はないことに留意が必要である。例えば、基板404上の伝送線のパターンは、異質信号通路を実装した分岐を含み、チップ間およびチップ内相互接続両方を行なうものであってもよい。
【0241】
チップ400aおよび400bは、基板404からそれぞれ導電性電力接続部401aおよび401bによって電力が供給されるものとして例示されている。
あるいは、401bのような電力供給手段は、チップ400b、基板404、またはシステムの他の場所に配設されたバッテリーに接続できるようにして、外部電力接続部の必要性をなくすこともできる。電子装置に電力を供給するための手段は、多くのものが当業者には知られており、本発明のねらい添って好適に使用することができる。
【0242】
次に図23Aを参照して、同図は、本発明にもとづいて構成されたテスト・モジュール用装置の例を示す。テストされるモジュール296は、テスト・モジュール297に容量性結合を行ない、該テスト・モジュールは、テスト・ベクトルを駆動してテスト信号を受信する(また、オプションとしてテスト信号の評価も行なう)。テストされるモジュールまたはテスト・モジュールには、テスト・パターンおよび/またはテスト結果を記憶するための複数のラッチを配設することができる。重要なことは、テストされるモジュール296の視点から、テスト・モジュール297への電気的インタフェースが、実際のシステムに導入されたときにテストされるモジュール296が見るインタフェースと基本的に同じにつくられていることである。したがって、テストされるモジュール296は、テスト用取付け具の高次の寄生成分を収容できるように、そのドライバをデザインし直す必要なしに高速でテストできることが必要である。装置は、モジュール29内でテストされている回路が、基本的に寄生成分なしに全速力で操作される。待ち時間を除けば、テスト信号は、第二の「実際の」モジュールに結合されたときに見られるものとほぼ同じにすることができ、また、待ち時間は、任意に小さくすることができる。
【0243】
テスト信号の容量性検出は、先行技術によって知られている。例えば、米国特許第5274336号「容量性結合されたテスト・プローブ」を参照されたい。
この特許は、参考のため本出願文書に添付してある。
【0244】
従来のテスト法は、ダイ上の各コンタクト点とテスト用取付け具上の対応するプローブの間の実際の接触を含むものであった。それに対して、本発明は、好ましくは、テストされるモジュール296またはテスト・モジュール297の上の同調した回路が用いられ、テストされるモジュール296とテスト・モジュール297の上の一定の半キャパシタの間での容量性の極端化のサーボ制御(したがって心合わせ)が行なわれる形で、容量性心合わせを利用するものである。このような容量性心合わせによって、費用のかかる光学的心合わせ機器の必要性が軽減される。米国特許第4982333号「部品の容量案内式組立て」は、先行技術の容量性心合わせを記載している。この特許は、参考のために本出願文書に添付してある。しかし、このような方法は、特別の心合わせ用回路のためにダイの面積を浪費する必要性を軽減する本発明と組み合わせてもちればはるかに好適である。もちろん、心合わせの処理を容易にするために他の回路を利用することもできるが、同調回路は、その目的に有利であり、また、容量性手段は、すでに利用可能であるので好ましい。
【0245】
テスト中、テストされるモジュール296は、テスト・モジュール297に対し相対的に配置され、信号が複数のそれぞれに結合された半キャパンタ296aおよび297aの間を通過できるように組み合わされる。それぞれの導電性接続部296bおよび297bによって、テスト・モジュール297は、テスト中およびできれば微調整中、テストされるモジュール296に電力を供給する。
【0246】
テスト・アセンブリー296−297は、耐久性があり、モジュール296および297を組立て分解する工程によって、信号接合部296a−297aを横切る正または負の力またはエネルギーの変化を用いる必要なく組み立てることが好ましい。また、犠牲的テスト・リグあるいは導体−導体信号接合部の分離あるいは接合を必要としないことがのぞましい。
【0247】
再び図23Aを参照して、テストされるモジュール296およびテスト・モジュール297のいずれかまたは両方は、ダイス状にされないウェーハを有することが好ましい。テスト・モジュール297は、各々が特定の一以上の半キャパシタ297aに関連し、該特定の半キャパシタでテスト信号を生成しまた/または評価するように構成された複数のテスト回路を含むことが好適である。このようなテスト回路がテスト・モジュール297の能動的表面(好ましくは半キャパシタ297aの近くまたは下)に実装されると、テスト用の帯域幅を大きく増大させることができる。欠陥のあるテスト回路の存在を補償するためには、二以上の異なるテスト・モジュール297を用いてあたえられた一つのテストされるモジュール296を順次テストし、それによって、テストされるモジュール上の各回路(またはダイ)が、少なくとも一つのテスト・モジュール上で、確実に、少なくとも一つの作動するテスト回路によってテストされるようにする。
【0248】
ウェーハスケールテストモジュール297は、多くの構成要素が複数チップモジュールに組み立てられるときにマイクロメーター・カリパスとして使用され、それによって有効な長距離基準マークを提供することが好適である。
【0249】
テスト対象モジュール296を受動化する必要はない。もちろん、製造コストを下げ、テストを簡素化するためには、高誘電率材料を半キャパシタ296a上ではなく、複数の半キャパシタ297a上に配置してもよいことが利益である。設計よりも低い誘電率または大きな分離を使用することによって信頼性の低いドライバまたはレシーバの識別を助けることができるのが利益である。同様に、設計よりも高い誘電率または小さな分離を使用することによって超強力な通信回路をシミュレーションできることも利益である。パラメータテスト中のテスト対象モジュール296とテストモジュール297間の分離および/またはアライソメントを様々な環境極値のシミュレーションに使用することもできる。その結果として、クロック速度、温度、電圧等の極端な差異の置換を行うことによって、フルパラメータテストを簡単に行うことができる。
【0250】
先行技術では、テスト対象モジュール296に給電を行う手段が数多く知られている。好ましくは、テスト対象モジュール296には、可逆ファズボタン、コンプライアンス性導電性材料(すなわち、加熱時の共融はんだ、軟質もしくは弾性金属、又は硬化前の導電性ペーストのような良好な導電性を示す機械的に柔らかい材料)またはAMPATAR(tm)に似たスプリング式接点から形成された個々の接点296bと297bとの間の導電性接続によって給電を行う。
【0251】
図23A、25および26に関して検討したテストプロトコルは、非ダイシング半導体ウェーハのテストの場合の実例ではあるが、上記の比較的高レベルのモジュールがこの発明と関連した容量性インタフェースを採用する限りは、これらのテストプロトコルは実装階層のあらゆるレベルに対して適用可能である。
【0252】
この発明によって構成されたモジュールのテストには、従来の導電性相互接続モジュールのテストに比べて大きな利益がある。1つの利益はテスト固定具(例えばテストモジュール297)のコストの大幅削減である。従来のテストのコストは固定具とテスト対象モジュールとの間の導電性接続の数に大きく左右される。従来のシステムは、刺激されている各ノード毎および観察されているノード毎に導電性信号接続を必要とし、さらに、電源およびアースにも接続を必要とする。この発明の場合は、電源およびアース用のもの(例えば296bおよび297b)を除いたこれら全ての導電性接続が不要になる。裏側296cのネットワークを通じて電力およびアースをテスト対象モジュール296に適用し、それによって、テスト対象モジュール296とテストモジュール297との間の導電性接続を完全に不要にできることも利益である。いずれの場合にも、不導性結合テストモジュール297のコストの方が一般的には匹敵する導電性結合固定具のコストよりも大幅に低くなる。
【0253】
固定具とテスト対象モジュールとの間に非常に高密度の相互接続を必要とする場合は、この発明の不導性相互接続296a−297aの使用によって、テスト対象モジュール296とテストモジュール297との間の信号接続の数を大幅に増やすことが可能になる。従って、この発明はテスト対象モジュール296の可制御性および可観察性を大幅に向上させる。テスト対象モジュール296とテストモジュール297との間の相互接続密度を非常に高めるこの能力は非常に小さなモジュール(例えばシリコンダイ)のテストの際に特に真価を発揮し、試験方式の能力向上およびコスト低下の結果として上記のモジュール上に従来よりも大型および/または高密度の回路を経済的に製造できるようになる。既知良品ダイの確認がMCMの高歩留まり組立の経済性にとっては決定的に重要である。(ハッゲ他「ノウン・グッドICによるマルチチップモジュールの高歩留まり組立と効果的テスト戦略」、IEEE会報、1992年12月、および「既知良品ダイ」、国際マルチチップモジュール会議1993年度会報、国際ハイブリッドマイクロエレクトロニクス協会、バージニア州レストン1993年を参照)。MCMへの組立の前に欠陥ダイを確認する能力が現在のテスト技法には欠けていることによって、現在のMCMのコストの約50パーセントが生じている(タイ他、「MCM技術の探求と進展」、IEEEマルチチップモジュール会議MCMC-93、カリフォルニア州サンタクルスを参照)。この発明は、これらのコストを劇的に削減する新規性のあるテスト方法を提供する。これらの方法は、(典型的にはセクリフィカルテストリグ内へのダイの実装および不完全突き合わせまたは不完全特性化渦流の許容を必然的に伴う)既知良品ダイの確認の問題を、半導体製造関係者が対処の仕方を熟知している既知良品チップの問題に変えてしまう。さらに、モジュールを開き、疑いのあるチップの上に重なっている高解像度信号基板またはその他のチップのいくつかを取り外すだけで、モジュールへの組立後にも実装されたチップをテストできる。元の位置のチップまたは取り外し後のチップのいずれかに、専用テストリグを直接適用できる。
【0254】
さらに図23Aに関しては、テストモジュール297が、テスト対象モジュール296からのテストデータを半キャパシタ297aを通じて適用し、および/または受け取り、評価するために動作可能なテスト回路(図示してな)を組み込んでいることが利益である。上記の組み込みテスト回路は実質的に「内蔵自己テスト」(“BIST”)能力を提供するが、従来のアプローチが有していた不利益はなくなっている。従来の内蔵自己テストの場合は、テスト回路を作るために、テスト対象モジュール上の相当の面積を使用しなければならず、それがコストを上昇させ、テスト対象モジュールの性能お応歩留まりを低下させる。この発明の場合は、(テスト対象モジュールではなく)テストモジュール上にテスト回路を作ることが可能なので、従来の内蔵自己テストが有していたこれらの問題が解消するとともに、テスト機器および手順の低コスト性、高い可観察性/可制御性、広いテスト帯域幅等の利益は維持される。従って、この発明によるテストモジュール297へのテスト回路の組み込みは、モジュラー式電子システムのテスト、検査および修理に関する様々な新規性のあるアプローチを可能にするのである。自己テスト回路は内蔵させることはできるが、内蔵させる必要はない。このテスト方法が、電子ビームによる検査である境界走査法の使用またはテスト用プラズマの使用に不利益を与えたり、その使用を不可能にしたりすることはないが、比較によってその必要性が小さくなる。
【0255】
先行技術の場合は、内蔵自己テスト回路への変更のためには、コストが非常にかかるテスト対象モジュールのマスク交換が必要になる。上記のマスク交換はコストのかかる新たな故障モードおよび軽視できない副作用を持ち込むことが多く、その結果、さらなる技術変更が必要になり、市場までの時間が伸びることもある。この発明の場合は、通常は製造中の部品(つまりアスト対象モジュール296)に全く変更を加えなくても、内蔵テストハードウエア(つまりテストモジュール297上のテスト回路)に変更を加えることができ、それによって、生産部量のテスト作業中の変更に伴うコストおよびリスクが大幅に低下する。さらに、軍事用、高速民生用または低コスト民生用のような異なる仕様に対してテスト対象モジュール296を適合させるために、異なるテストモジュル297を採用できることも利益である。
【0256】
この方法および装置はあらゆるモジュール297をテストまたは検査することができ、従って製造可能なあらゆるモジュールをテストできることになる。先行技術、特にクロック速度が比較的速い場合は、完全にシステムに組み立てるまではテストすることができないダイまたはサブモジュールを作ることが可能であるが、組み合わせの点で非常に高価なものになることがある。(DEC社の36ビットジュピター機はテスト不能であることが判明し、従ってその理由で製造不能になり、DEC社の36ビット機シリーズは中止された。この発明によれば、テスト対象モジュールの実装の前にテストが行われるのが利益であり、先行技術の場合はそれが不可能なことが多い。
【0257】
さて次に、本発明による故障許容ウェーハスケールモジュラー電子システムのインプリメンテーションのための組み合わせ非ダイシングウェーハの使用を図示した図23Bについて説明する。重要な実例としては、ブレッドボード(オプションとして経路ネットワークを含む)用、ウェーハスケール集積自体用、およびウェーハスケール以下のマルチダイシステム内での用途がある。
【0258】
ブレッドボードは、カスタマイジングが容易な経路ネットワークの提供のような、この分野の関係者には周知の目的に役立つ。この発明を利用すれば、ウェーハスケールモジュールに容量性結合された相互結線基板397上の相互接続をカスタマイジングすることによって、切り出されていないウェーハスケールモジュール396のオフ・ダイ接続性を定義することもできる。上記のパーソナル化相互接続は、実験室内で取り扱うだけではなく、「出荷」に耐えるだけの耐久性を持たせることができる。容量性結合を使用するブレッドボード状相互接続基板397によって、ワイヤ巻き結合の用途および利点の大部分を活用することができ、しかも、ワイヤ巻きの使用によるサイズ、出力、信頼性、耐久性、部品数またはその他の点でハンディキャップを負うこともない。プログラマブル論理装置(PLD)の使用によって、相互接続基板397上の相互接続が電気的に構成可能にしてあるのが利益である。
【0259】
相互接続基板397上の相互接続のマトリックスを、リード線の数に比例した時間で配線するのではなく、平板印刷または一体化組立できるために、上記のように、この発明を利用すれば、ウェーハスケールシステムのパーソナル化は簡単である。従来のブレッドボードとは違って、上記の相互接続基板は機械的に安定しており、商業産生に適したコンパクトさを有している。それに加えて、397上に示された相互接続ネットワークを交換、再構成または別の形で変更することによって、サブモジュールを簡単にスワップインまたはスワップアウトすることもできる。
【0260】
メンテナンス戦略に応じて、切り出されていないウェーハスケールモジュール396上の不要な良品ダイには給電することもしないこともできる。適応配置または目標にするコンパイラ出力によって、機能の良好な余分なユニット、いわゆる「ホットスペア」を活用できるのも利益である。例えば、超長命令語(VLIW)コンパイラ技法を使用して、ウェーハスケールモジュール296上の、良好とされた回路のカスタム配置に最適なオブジェクトコードを生成することができる。
【0261】
再び図23Bに戻ると、上記のウェーハスケールモジュラーシステムのパーソナル化は、モジュール397上の半キャパシタ397aをプログラム可能に相互接続する経路ネットワークからなる相互接続基板397の使用によっても実現することができる。経路ネットワークは組み合わせカップル297a及び397aを再定義するための一般的手段を提供する。テストの際に、経路ネットワークを使用してモジュール297の配置の再構成を行うことが利益であり、それによって、第1テスト段階で見落としたテスト対象モジュール296上の回路をテストする第2テスト段階において、欠陥テスト回路に関連した半キャパシタ297aからの信号を他の機能し得るテスト回路に再経路指定する。
【0262】
相互接続基板397上の相互接続は、ハードウェア配置または組み込まれた経路ネットワークのソフトウェアプログラミングのいずれかによってパーソナル化することができる。ハードウエア側では、低解像度基板のカスタマイジングには、様々な技法を使用するリード線間相互の接続の開閉を必然的に伴う。接続を切るのが最も簡単である。高解像度基板のカスタマイジングは、リード線の金属化、レーザによるヒューズの開閉またはボーティングを含む多数の方法によって行うことができる。カスタマイズした多層の高解像度相互接続基板を迅速に形成するために、様々なゼログラフィーまたは通常のフォトレジスト方式を採用することもできる。
【0263】
ソフトウエア側では、製造後まで故障の正確なパターンが不明である場合にダイ間の通信を調停するための経路ネットワークまたはバスの使用方法を分析した大量の文献がある。通信に大きなコストがかかる場合に望ましいのであるが、ウェーハ上の個々のダイを大きくしなければならない場合は、その歩留まりは大きく低下し、良品ダイの相互接続が全く一般的な問題になる可能性がある。さらに悪い場合は、先行技術によるウェーハ集積の努力の多くの失敗が実証しているように、導電性接続による故障の除去に充当される面積が、ウェーハスケール製造によって得られた密度の利得を簡単に無くしてしまう可能性がある。
【0264】
バスまたは経路ネットワークは、詳細故障マップとは無関係に、有界故障密度について完全に一般的なものにすることができる。バスまたは経路ネットワークは劇的に再構成することもでき、スペアダイによるホットリスタートが可能になる。故障許容経路ネットワークまたはバスを、296のようなウェーハの全面積の重要で主要でさえある部分とすることもできる。モジュールレベルではないにしても、システムレベルでは、故障許容相互接続機構がコンポーネント数の多いシステム中では重要になる。上記の方式のインプリメンテーションの詳細は公刊されている文献から知ることができる。局所故障許容クラスタを開発し、比較的長距離の相互接続をできれば故障不許容にしておくことによって、大域相互接続方式を避けることができる。例えば、悪いユニットを隠蔽する完全な局所回路によって、9つの加算機構を、8つを必要とするクラスタに組み立てることもできる。その場合は、相互接続配線の外部カスタマイジングは不要である。
【0265】
次に、現在の技術(図24)によるMCMの製造とこの発明による(図25)によるウェーハスケールモジュールの製造とを比較した図24および25について説明する。
【0266】
図24に関しては、先行技術組立方式は典型的には初期連続段階420a、420b、420cおよび420dを必然的に伴い、それらの段階からの出力は個々には分離されている既知良品ダイの集合体である。段階420bと420cの順序を交換する方法もいくつかある。MCMへの組立は典型的には2つの方式のいずれかによって行われる。チップ・第1方式(段階420e〜f)では、良品ダイをプレーナー化ウェーハ状モジュールに組み立て、それに続いて、写真製版法を使用してインターチップ配線を行う。あるいはまた、より一般的なチップ・最終MCM組立方式(段階420g〜h)では、フリップ・チップ、ワイヤ接合またはTABによって既知良品ダイを上に接合するMCM基板に配線を行う。いずれの方式の場合も、既知良品ダイには、ダイを良品であると確認した初期段階420bテストの後に、相当の高温および/または機械応力を受ける加工が行われる。従って、多ダイシステムの動作を保証するためには、組み立てられたシステム(段階420i)の完全な機能テストが望ましい。
【0267】
次に、初期のステップ421a〜421bでは従来の製造方法と同じ手順であるこの発明によるウェーハスケールシステムの組立を示した図25について説明する。(しかしながら、段階421bにおけるテストが上記の図23に関して検討した方法を利用することが利益である)。しかしながら、ウェーハスケールモジュールが個々のダイに分離されることはない。むしろ、段階421eにおいては、既知良品ダイを相互接続し、給電を行う相互接続、半キャパシタおよび/または電源接続のパターンを実現し、希望のシステムを形成するために、段階421bの結果に応じて、相互接続基板397をパーソナル化する。段階421fにおいては、ウェーハスケールモジラーシステムを実現するために、切り出されていないウェーハスケールモジュール396をパーソナル化相互接続基板397と組み合わせる。ステップ421iはオプションで最終システムテストを行う。
【0268】
図25に示したウェーハスケール組立法の場合は、既知良品ダイが高温またはその他の物理的応力を受ける加工段階の対象とならないことが利益となる。従って、段階421bで良品であると確認されたダイが最終段階421iテストで故障する確率は図24の従来の方法に比べて劇的に低下する。さらに、たとえ上記の故障が起こったとしても、この発明による再加工の方がずっと簡単である。というのは、変更が相互接続基板397だけに限定され、切り出されていないウェーハスケールモジュール396を変更する必要がなく、いずれも損傷せずに、切り出されていないウェーハスケールモジュール396との組み合わせを簡単に変更できるからである。
【0269】
相互接続基板の低解像度の電源基板部分からの既知粗悪品ダイに応じて、電源および/またはアース接点、好ましくは金属突起397kのようなファズボタンを選択的に削除することによって、相互接続基板のパーソナル化を行うことが利益である。従って、粗悪品ダイには給電が行われず、粗悪品ダイ内のショートまたはその他の欠陥はシステムから絶縁される。切り出されていないウェーハの欠陥が点欠陥であれ領域欠陥であれ、電源および/またはアースへの接続を削除することによって欠陥を除去するこの方式は、欠陥ダイの切り出しと同じように効果的に粗悪品ダイを絶縁する。既知良品ダイに対してだけ電源接続を行うこともできる。
【0270】
再び図23Bに戻ると、相互接続基板397は、かつて教えられたものを含めた多数の方法によって製造することができる。切り出されていないウェーハスケールモジュール396と同じサイズでもよいし、サイズがもっと小さな規則または不規則タイル張り部分から構成されたものでもよい。1つまたは複数のウェーハあるいはダイ自体から構成されたものでもよい。リード線は導電性結合システムの場合と同じコストでファズボタンを通じて外側に出し、伝統的な方式でその他のコンポーネントにブレッドボードまたは接続することができる。
【0271】
切り出されていないウェーハスケールモジュール396のダイシングを行わないことによって、製造段階の節約になり、面積の消費量が減少する。ダイを分離するためには電気的に空のガターがまだ必要であるが、現在の技術では隣接ダイはわずか10ミクロン分離するだけでよく、これは現在のステッピングカメラ技術を考えれば現実的であり、ダイ上の隣接半キャパシタの分離に匹敵する。これは、2mm2ダイ用面積の1パーセント未満に相当する。(注意:これよりもはるかに小さな分離(例えばh=1ミクロン)によって容量性結合を設計した場合は、ガターの幅もライン幅のいくつかの標準偏差よりも大きいはずであるので、ライン幅は最適な状態であると考えなければならないであろう)。比較してみると、ダイの切り出しをしなければならない場合に必要なガターは典型的には幅が300〜900ミクロンであり、典型的には長方形格子内にウェーハを横断する共通縁突き合わせコードを有するように制限されている。上記の実施態様の場合は、共直線性が要求されることなく、その結果、非長方形レイアウトから長方形ダイを形成するためにパッドアウトされた面積が利用可能になり、先行技術ではガター内に平板印刷するのが典型的であった製造工程制御セルのプレースメントが簡単になる。切り出されていないウェーハスケールモジュール396のダイシングを行わないことによって、ハンドリング、切り出しまたは穿孔による応力誘発故障の発生も避けられ、これが歩留まりを高める。さらに、ウェーハスケールモジュールを形成するために使用されるアクティブダイの全てが単一のウェーハから派生しているという利益があるために、デバイスパラメータのウェーハ間での相違は無関係になる。
【0272】
次に、この発明によるウェーハスケールまたは類似のモジュラーシステムの組立、テストおよび再加工の一般的な流れを示した図26について説明する。モジュール431が既存の先行製造ストック(例えばコンフィギュレーション可能アレイ等)から当初に提供されるか、製造手段430によって製造される。その実性能の記述434を行うために、テスト手段433によってモジュール431の特性記述を行う。性能記述434に応じて、レイアウト生成手段が周知のCAD技法を使用して、相互接続基板の形状寸法記述436を生成する。形状寸法記述436に応じて、基板生成手段437が相互接続基板442をパーソナル化する。
【0273】
次に、組立手段432が基板442およびウェーハ431を(潜在的に動作可能な)モジュール443に組み立てる。システムテスト手段440がモジュール443の挙動を希望のシステム挙動の記述と比較する。もしモジュール443がテストに合格した場合は、システムテスト手段440はそのモジュールを既知良品モジュール441と認定する。一方、もしモジュール443の性能に問題があることを確認した場合は、システムテスト手段440は基板生成手段437に対する再加工指令を出し、その場合は、新または再加工相互接続基板が作られ、テストを受ける。
【0274】
様々な新規性のあるウェーハスケールシステムのテストおよび組立方法がこれまでに検討されてきた。この発明は、上記のモジュラーシステムの修理、最適化および/または再加工についても利益をもたらしてくれる。配線が組み合わせモジュール上に配置されることが利益であるために、先行技術による導電性結合システムの場合のテスト交換サイクルにおいて必要であるよりもはるかに少ない分解度で粗悪品であることが確認されたダイまたはサブモジュールを識別およびスワップアウトし、再組立することができる。この発明による非破壊組立および分解によって、テスト用に全システムを組み立て、サブモジュールに事実上損傷を与えずに修理用に分解できることが利益である。特に隣接にダイに対する衝撃が無く、アラインメン澄録のミスが許容され、金属疲労が無く、テストが簡単であるために、修理が簡単にできるのである。
【0275】
性能欠陥を修正できるように、再加工はモジュラーシステムの分解、およびモジュールの修理または交換を含んでいる。重要であるのは、再加工を動作不能モジュールの修理または交換だけではなく、すでに動作可能なシステムの性能を向上させるために低速またはその他の部分最適モジュールの修理または交換にも利用できることである。
【0276】
この発明によれば、容量性信号接続点の形成または切り離しの際に、あらゆる結合半キャパシタ対を横断する力、せん断力、トルク、エネルギー変化が実質的にゼロであることが利益である。上記の組立および分解には、信号接続点における温度上昇または低下がなく、信号接続点における温度の適用または除去がなく、信号接続点における導体間リード線の切断または結合がなく、信号接続点における溶融、凝固またはその他の相変化がなく、および/または信号接続点における液体、固体、ペースト、気体、プラズマ、溶剤、懸濁液またはそれらの組み合わせがないという利益がある。当業者は、様々な先行技術の分解方法のこれらの要件の全てを不要にしたことによって得られたコスト利益および複雑性利益を了承するであろう。
【0277】
次に、典型的な半導体製造工程における良品ダイスの歩留まりをダイサイズの関数として示した図27について説明する。1平方センチあたり平均1個の故障の場合は、点局在欠陥のポアソン分布は、0.10cm2のダイの場合は約90%、1.0cm2のダイの場合は約37%、3cm2のダイの場合は約5%の無欠陥歩留まりを予測しており、これは、一定の成熟したVLSI方式の場合については現実的な数字である。これらの条件の下では、60cm2ウェーハから、平均で、3cm2サイズの良品ダイが約1個、1cm2サイズが約21個、10mm2サイズが約540個製造されることになる。10cm2の良品ダイは平均でウェーハ22平方フィートあたり1個しか得られず、従って、実用的な設計目標にはならない。
【0278】
上記の歩留まり制約条件があるとすれば、平均故障密度(この実例では1.0cm2)よりもはるかに大きなシステムを、それ自体も大幅に歩留まりを向上させることができるサブユニット(例えばダイ)に分割してもよいことが利益となる。
【0279】
高度に抽象化すれば、サイズの選択は基本的にはシステムコストとシステム性能のトレードオフであると考えることができる。これらのシステム区分問題を分析する技法は従来の導電性相互接続システムについては周知であるが、この発明の容量性相互接続システムについての上記のトレードオフの分析には異なる歩留まりおよび異なるモデルが必要である。容量性相互接続システムについての典型的な歩留まりモデルを以下に示す。
【0280】
次に、典型的な容量性相互接続システムについてのダイサイズの関数としてのシステムコストのいくつかのグラフを示した図28について説明する。図28は、この発明を用いて大型ダイをより小さなダイに分割し、それらを結合することの価値を示している。信号線を接続するための基板のコストはダイ自体のコストよりもはるかに大幅に小さいと仮定され、従って、第1近似値まで無視することができる。一定量(例えば有効回路用には10cm2)のシリコン面積を必要とするシステムは、10cm2のもの1個、1.0cm2のもの10個または0.1cm2のもの100個、その他というように、様々な形に設計することが考えられる。10cm2の有効回路に加えて、追加面積をどんな場合にも電源およびアース用に用意しなければならないし、さらに、各分割ダイ上には、ドライバ、レベル・パルスコンバータ、パルス・レベルコンバータおよび/またはレシーバを含めた、単一ダイ内では不要であったダイ間通信のための「オーバヘッド」回路用にも、追加面積を用意しなければならい。図28では、各ダイ上の通信面積は、図解のために、下記のように数種類のスケールで評価してある。図形299aでは定数として(つまり、総個数とは無関係)、図形299eでは個数の一定倍数として(つまり、1個おきに通信を行うための回路のユニット)、図形299b、299cおよび299dではそれぞれ1/4、1/2および3/4を中間累乗した個数の一定倍数として評価を行ってある。リアルシステムのトレードオフはこれらの標準曲線の1つにほぼ類似することになる。さらに、典型的にはダイ25mm2あたり0.5mm2を占有するDC給電用接触パッドは、たとえダイがそのサイズの倍数ではなく、面積のステップ関数を採用したとしても、備える必要はなく、このことは曲線のセグメンテーションとして観察可能である。実例は、有効回路用の10.0cm2および電源パッド用の0.2cm2を有するシステムを実際に図示してある。
【0281】
例えば、通信回路が0.5mm2とシステムの10.0cm2が実装されているダイの数の平方根との積であると仮定される図形299cを考えてみよう。
・有効回路が各5mm2の200個のダイから構成されたシステム内では、各ダイは1対の電源・アース(0.5mm2)および7.1mm2(=0.5×2001/2)の通信回路を必要とし、従って実際は12.6mm2のダイになる。12.6mm2のダイの歩留まりは95パーセントであり、従って、全システムの「コスト」は約(200×12.6/0.95)=26.5cm2のウェーハ、つまり、上記の10.2cm2のシステムの2.6倍になる。非常に小さなダイはその電源パッドの「表面積対体積」サイズおよびダイ間通信用回路によって支配され、従って、たとえ歩留まりが高くても不十分である。
・有効回路が各20mm2の50個のダイから構成されたシステム内では、各ダイはやはり1対の電源・アースおよび3.6mm2(=0.5×501/2)の通信回路を必要とし、従って実際は24.1mm2のダイになる。24.1mm2のダイの歩留まりは82パーセントであり、従って、全システムの「コスト」は約14.7cm2のウェーハ、つまり、上記の10.2cm2システムの1.4倍になる。電源パッド、信号回路および有効回路のシミュレーション用に選択した特定のモデルの場合は、約20mm2のダイが最もコスト有効性の高いビルディングブロックを提供する。
・有効回路が各1.0mm2の10個のダイから構成されたシステム内では、各ダイは4対の電源・アース(2.0mm2)および1.6mm2(=0.5×101/2)の通信回路を必要とし、従って実際は103.6mm2のダイになる。103.6mm2のダイの歩留まりは37パーセントであり、従って、全システムの「コスト」は約28.0cm2のウェーハ、つまり、上記の10.2cm2のシステムの約11/4倍になる。大きなダイの場合は、設計効率の点での利益よりも製造歩留まりの点での損失の方が大きく、非常に大きなダイの場合は、有効回路とオーバヘッド回路の割合の点で魅力が大きいとはいえ、歩留まりはゼロに近い。
【0282】
次に、この発明による設計の流れを示した図29について説明する。システム記述451がCAD手段450に提供され、モジュラーシステム用の最適化設計を行うために、CAD手段450が入手可能または製造可能サブモジュール用の性能、歩留まり、信頼性およびコストモデルを利用するのが利益であり、この最適化設計は、ストックまたは製造手段452には部品リスト461として、実装および組立手段456には寸法形状の定義454として、テスト手段459にはシステムの予想挙動の定義453として提供される。
【0283】
部品455はストックまたは製造手段452から実装および組立手段456に提供される。モジュール458が組み立てられ、テスト手段459に提供され、テスト手段459はそのモジュールを既知良品モジュール460として認定するか、あるいは再加工または連続サイクル457を開始するかどうかを決定する。
【0284】
CAD手段450がモジュラーシステムのモジュールへの分割を最適化することが利益である。この発明によって標準パッドファンアトおよびワイヤボンディングへの依存の必要性が無くなるために、システム分割のサイズ(例えばダイサイズ)を相当程度柔軟に選択することが可能になる。従って、上記の図28に例示したような歩留まりモデリングがCAD手段450に組み込まれていることが利益であり、この発明に基づく半カスタムシステム用の設計工程の不可分の一部となっている。
【0285】
この発明によって、(異なる製造技術によってそれぞれが潜在的に実現される)複数のモジュールからなる不均質システムの低コスト集積が簡単になったことから、容量性相互接続システムの実現を最適化する際にCAD手段450が使用できる歩留まりモデルのライブラリを提供するために、上記の歩留まりモデルが全ての利用可能製造工程からの曲線近似データから導き出されることが利益である。上記の歩留まりモデルに加えて、CAD手段450が容量性相互接続システムのモジュールを実現するために利用可能な様々な技術の電気的性能特性およびその他の物理的性能のモデルを利用することも利益である。様々な技術資源のコスト、歩留まり、性能および物理特性のモデルを備えているので、CAD手段450は半カスタム容量性相互接続システムの分割および実現を最適化するための周知のアルゴリズムを利用する。上記の最適化には好ましくは(1)システムの構成に使用されるモジュールのタイプおよびサイズの選択、(2)実現のための特定のモジュールへのシステムの論理サブコンポーネントの割り当て、および/または(3)システムを実現するためのモジュールの容量性相互接続用のパターン基板または類似の手段の設計が含まれる。
【0286】
次に、この発明によるオフダイ容量性信号経路のブロックダイヤグラムを示した図30について説明する。図30に示した信号経路内では、デジタルデータ302は(1)トランスミッタ300に入力され、(2)伝送線またはワイヤ32aを通じてダイ半キャパシタ15aに結合され、(3)伝送線またはワイヤ34を通じて基板半キャパシタ14aから基板半キャパシタ14bに結合され、(4)伝送線またはワイヤ32bを通じてダイ半キャパシタ15bからレシーバ301に結合され、(5)レシーバ301からデジタル信号304として提供される。
【0287】
トランスミッタ300およびレシーバ301は同じダイ11(イントラダイ・オフダイ信号経路)上で実現してもよいし、異なるダイ(インターダイ信号経路)上で実現してもよい。トランスミッタ300およびレシーバ301は好ましくはダイ11のアクティブ表面上の、好ましくはそれぞれ半キャパシタ15aおよび15bのすぐ下で実現する。
【0288】
トランスミッタ300はデジタル入力信号302を容量性信号経路上での伝送に適した形に変換する。上記の変換は、例えば、レベルシフト、エッジ率修正、適当なキャリアの位相、周波数または振幅変調、非ゼロ復帰(NRZ)または代替マーク逆転(AMI)方式を使用するデータのコーディング等を含んでいることがある。
【0289】
デジタル出力信号を生成するために、レシーバ301は好ましくは半キャパシタ301から受け取った信号を逆変換する。好ましくは、レシーバ301は、検出、識別またはパルススライシング方式、あるいはNRZまたはAMIデータの回復によって、基板半キャパシタ14bから結合された変調信号をデジタルデータに変換する。好ましい実施態様においては、ライン32b上のレシーバに結合される波形はパルス波形またはレベル波形である。
【0290】
図30には図解のために単端容量性信号経路が示してある。しかしながら、後の図面に示したような差分信号方式が好ましいと考えられていることに注意すべきである。レシーバまたはドライバを複数の半キャパシタに接続できること、しかも、レシーバとドライバの両方を1つの半キャパシタまたは容量性結合手段の集合体に接続できることにも注意すべきである。さらに、伝送線34が単なる例示であることにも注意すべきである。レシーバおよび/またはトランスミッタは基板11上に直接実現でき、好ましくは半キャパシタ14aおよび/または14bの下方または近くに実現する。
【0291】
次は、トランスミッタ300の好ましい実施態様の最終段階を示した図31Aおよび31Bについて説明する。図31Aでは、トランスミッタは、出力信号32aを2つの電圧レベル312と313に迅速に切り換える手段300aを含んでおり、この迅速切換手段は、制御信号314aおよび314bによってそれぞれ制御されるスイッチ310および311からなる。制御信号314aおよび314bは、トランスミッタに入るデジタルデータ302によって決定される。
【0292】
図31Bは、CMOSインバータ300bからなる迅速切換手段の好ましい実施態様を示したものである。インバータ300bは単一の制御信号314しか必要とせず、この信号がPMOSスイッチ315とNMOSスイッチ316の両方を制御する。
【0293】
トランスミッタ300の切換装置300aは、出力32aが電圧レベルを切り換えた場合には、基板半キャパシタ14a(および伝送線34)に波形を与える。もし伝送線34が端末処理されている場合は、与えられた波形はパルスになる。もし配線が端末処理されていない場合は、波形はレベル電圧になる。
【0294】
次は、差分容量性信号経路をドライブするようにした切換手段の好ましい実施態様を示した図32について説明する。差分切換手段300cは制御信号インバータ321および4つのスイッチ322〜325からなる。制御信号314の状態に応じて、電圧レベル312および313の一方が出力ライン32aに結合され、もう一方の電圧レベルが出力ライン32aaに結合される。半キャパシタ15aおよび15aaは差分破壊を各基板半キャパシタ(図示してない)に与えるが、各基板半キャパシタに与えられる波形の極性は逆である。もし基板伝送線が端末処理されている場合は、与えられた波形はパルスになり、もし基板伝送線が端末処理されていない場合は、波形はレベル波形になる。
【0295】
次に、例示切換手段300と端末処理伝送線330の間のインタフェースの簡略化電気モデルを示した図33について説明する。レベル波形333が切換手段330aに適用され、この切換手段は類似波形をダイ半キャパシタ15aに結合する。それに応じて、パルス波形334が基板伝送線330に与えられる。伝送線330とACアース332の間に接続された端末処理抵抗331が伝送線330を端末処理する。
【0296】
次に、例示切換手段300と非端末処理基板配線ライン330bの間のインタフェースの簡略化電気モデルを示した図34について説明する。レベル波形333が切換手段330に適用され、この切換手段は類似の波形をダイ半キャパシタ15aに結合する。それに応じて、レベル波形335が基板伝送線330bに与えられる。キャパシタ336は非端末処理配線330bとACアース332の間の寄生キャパシタンスに相当する。キャパシタ336ならびに結合半キャパシタ15aおよび14aによって、電圧分割器が形成される。従って、波形335は波形333の減スイングバージョンに相当する。
【0297】
次に、この発明による好ましい差分オフダイ信号経路を示した図35について説明する。図35に示した経路内では、デジタルデータ302は(1)トランスミッタ300aに入力され、(2)配線ワイヤ34aおよび34aaを通じてダイ半キャパシタ15aおよび15aaに差分結合され、(3)配線34aおよび34bを通じてそれぞれ基板半キャパシタ14aおよび14aaから基板半キャパシタ14bおよび14bbに差分結合され、(4)伝送線32bおよび32bbを通じてダイ半キャパシタ15bおよび15bbからレシーバ301aに差分結合され、(5)レシーバ301aからデジタル信号304として提供される。
【0298】
差分トランスミッタ300aおよびレシーバ301aは同じダイ11(イントラダイ・オフダイ信号経路)上で実現してもよいし、異なるダイ(インターダイ信号経路)上で実現してもよい。トランスミッタ300aおよびレシーバ301aは好ましくはダイ11のアクティブ表面上の、好ましくはそれぞれ半キャパシタ15a〜15aaおよび15b〜15bbのすぐ下で実現する。例えば半キャパシタ14aa、15aa、14bbおよび15bbを拡大することによって、差分信号経路の片側を「基準ライン」として採用できることが利益である。
【0299】
単端容量性信号経路に関しては、伝送線34aおよび34b上の波形が好ましくはトランスミッタ300aとレシーバ301aの間で情報を伝送する。しかしながら、この発明による差分容量性信号経路を通じてデータを伝送するためには、振幅、位相、周波数またはSN比の変調に基づくその他の差分信号技術を使用することもできる。パルス波形とレベル波形の一定の組み合わせによって、トランスミッタが単端パルスをドライブし、レシーバが差分信号を読み取り、優先接地されたレベル波形を差分の他方の側として受け取るコンフイギュレーションのような、利益の大きな実現が可能になる。
【0300】
次に、図30に示した信号経路内での使用互換性のある例示した単一端のレシーバ301の概略図である図36について説明する。レシーバ301は、半キャパシタ15bによって受け取られ、配線32bを通じて結合されたパルス波形をデジタル出力304に変換する。レシーバ301は、入力ライン32bに結合されたバイアシング手段360、同様に入力ライン32bに結合されたスライシング手段361、および、スライシング手段に結合されたパルス・レベルコンバータ362からなる。
【0301】
バイアシング手段360は、入力ライン32bに結合された抵抗手段363、および抵抗手段に結合された電圧発生器手段364からなる。抵抗手段は好ましくはMOSトランジスタ365からなる。電圧発生器手段364は好ましくはフィードバック接続CMOSインバータからなり、この場合、希望のバイアス電圧が提供されるように、PMOSトランジスタ366とNMOSトランジスタ367の相対サイズが選択される。通常のインバータの切換閾値とほぼ等しいバイアス電圧が提供されるように、好ましくは、このトランジスタサイズ比率は所与の方式における通常のインバータのトランジスタサイズ比と同じである。抵抗装置363および電圧発生器装置364はプロセス変動をトレースするような設計になっている。複数の半キャパシタプレート15bをバイアスさせるために、単一の電圧発生器手段364を複数の抵抗手段363と組み合わせて使用してもよいことも利益である。
【0302】
スライシング手段361は図示されているように高閾値インバータ368および低閾値インバータ369からなり、両インバータとも入力ライン32bに結合されている。高閾値インバータ368は好ましくは、PMOSとNMOSのサイズ比が電圧発生器364の場合よりも大きいCMOSインバータからなる。スライシング手段は、パルスまたはレベル波形として半キャパシタ15bから結合された信号によって入力ライン32bに与えられた電圧の偏差を検出する。インバータ368および369の切換閾がプロセス変動をトレースするのが利益である。
【0303】
パルス・レベルコンバータ362は、インバータ372およびクロス結合NANDゲート373〜374を含んだR-Sフリップフロップからなり、全てが好ましくはCMOS内で実現される。パルス・レベルコンバータ362は、半キャパシタ15a上のトランミッタ300によってドライブされたデジタル波形を効果的に再構成する(図30を参照)。スライシング手段361からの出力370はパルス・レベルコンバータ362のセット入力をドライブし、それによって、正のパルスまたはレベル変化が入力ライン32bに与えられた場合は、デジタル出力304を低くドライブする。同様に、スライシング手段361からの出力371はパルス・レベルコンバータ362のリセット入力をドライブし、それによって、負のパルスまたはレベル変化が入力ライン32bに与えられた場合は、デジタル出力304を高くドライブする。パルス・レベルコンバータ362は好ましくは、トランスミミッタ300におけるデジタル入力波形302と実質上同じタイミングを有するデジタル出力波形304を提供するために、R-Sフリップフロップのセット経路とリセット経路内のタイミングが実質上同じなるように設計してある。
【0304】
次に、図35に示した信号経路内での使用互換性のある例示差分レシーバ301aの概略図である図37について説明する。差分レシーバは、バイアシング手段380、信号調整手段384、スライシング手段361およびパルス・レベルコンバータ362からなる。レンーバ301aは差分パルスまたはレベル波形入力を半キャパシタ15b〜15bbから受け取り、デジタル出力304を提供する。
【0305】
バイアシング手段380は、電圧発生器手段383、第1抵抗手段381および第2抵抗手段382からなる。電圧発生器手段383は好ましくは通常サイズのフィードバック接続CMOSインバータからなる。第1抵抗手段381は、電圧発生器手段383と入力ライン32bbの間に接続された適正サイズのNMOSトランジスタからなる。第2抵抗手段も同様に、電圧発生器手段383と入力ライン32bbの間に接続された適正サイズのNMOSトランジスタからなる。バイアシング手段380がプロセス変動をトレースするのが利益である。
【0306】
信号調整手段384は差分入力をライン32b〜32bbから受け取り、単端出力390を提供し、それによって、入力ライン32bおよび32bb上のコモンモードノイズまたはその他の信号の除去を強化する。信号調整手段384は図示されているようにDMC差分増幅器からなり、しかも、NMOS電流源385および負荷デバイスのゲート388および389が差分増幅器の1つの出力によってセルフバイアス化され、ライン32bおよび32bbからの差分入力がNMOS差分対386および387をドライブする。(チャッペル他、IEEEソリッドステート回路ジャーナル、1988年2月を参照)。この差分増幅器の設計によって、プロセス、温度および供給電圧の全体にわたっての公称NMOSインバータの入力閾値による素晴らしいトラッキング、ならびに良好なコモンモードおよび給電除去が可能になることが利益である。従って、信号調整手段384は、入力32bおよび32bbが同じである場合は、通常のCMOSインバータの切換閾値にほぼ等しい出力390を提供する。
【0307】
信号調整手段384からの単端出力はスライジング手段361に供給され、デジタル信号304を提供するために、スライジング手段361はパルス・レベルコンバータ362のセットおよびリセット入力370〜371をドライブする。スライジング手段361およびパスル・レベルコンバータ362については、図26に関してすでに説明済みである。
【0308】
次に、図38A〜Bについて説明する。図38Aは、モジュール470上の伝送線471およびモジュール473上の並列伝送線474を含めたモジュラーシステムの分解図である。結合された伝送線471および474が、モジュール470と474の間に非導電性信号手段を提供する。図38Bは代替配置の分解図であり、この場合、モジュール470上の伝送線471およびモジュール476上の垂直伝送線477が磁力によって結合し、それによって、モジュール470と476の間に非導電性信号手段を提供する。信号手段472はトランスミッタからなり、信号手段475はレシーバからなっており、その逆でもよい。
【0309】
容量性結合を利用する好ましい実施態様に関してこの発明の図解を行ってきたが、この発明によるモジュラーシステムを構成するためには、図38に示したような、他の非導電性相互接続モードを使用することもできる。「予備埋め込み極超高周波数集積回路のセルの間の相互接続デバイス」のタイトルを有する米特許明細書No.5,012,321には、予備埋め込み極超高周波数集積回路上にカスタム相互接続層を実現するための技法としての重なりマイクロストリップの間への伝送線結合の使用が開示されている。米特許明細書とこの発明には少なくとも2つの重要な相違点がある。(1)米明細書は、モジュラーシステム内の異なるモジュールの間の信号インターチップへの伝送線結合の使用、あるいは、明白な容量性結合基板を通じてのチップの2つのユニットの間の場合のような、オフチップ経路を通じてのイントラチップへの伝送線結合の使用を開示していない。(2)米明細書は「低周波数で動作する...シリコン上の集積回路」を明白に除外している。
【0310】
この発明による非導電性信号手段を実現するためには、誘電率を十分な高さにすることによって、上記の半キャパシタ結合法の代わりに、図38に示した伝送線結合を使用することも可能であり、従って、上記の代替信号手段をCMOSのようなシリコンベースシステムにも使用できることを、我々は発見している。
【0311】
特に、モジュラーマイクロ波およびミリ波システムが、システム内のモジュール間の非導電性信号手段として伝送線結合を採用できることが利益である。さらに、クロック信号等を結合伝送線を通じて分布させることも利益であるかもしれない。これらの環境および類似の環境においては、伝送線結合および容量性結合が代替非導電性信号手段となる。従って、この発明は、モジュールの少なくともいくつかが結合半キャパシタ、結合伝送線またはその両方を通じて通信を行うモジュラー電子システムを含んでいる。
【0312】
次に、(上部および下部表面509および512を有する)上部基板507、(上部および下部表面504および503を有する)下部基板502ならびに2つのスペーサ514および521からなる例示多層コネクタ501を示している図39について説明する。基板507および502は、529によって示されているように、好ましくは細長い。基板507および502は、上部基板507の延長部分513および520が下部基板502を超えてのび、下部基板502に隣接しないような位置に配置されている。スペーサ514および521は、下部基板502の下部表面と実質上整列している平面容量性インタフェースを提供するために、上部基板507の延長部分に接した状態で配置されている。コネクタ501は好ましく標準品として提供され、高性能容量性相互接続を提供するために、1つまたは複数のモジュール527と接する位置にある。
【0313】
信号配線506および511は両方の基板上で(基板が3つ以上の場合は、全ての基板上で)実現することができるので、コネクタは類似の先行技術構造の場合よりも低コストでより高密度の配線を提供する。特定の基板上に多くのレベルの配線を実現することも可能ではあるが、一般的には追加層は第1の数層の場合よりもコストがはるかに高くなる。従って、多くの配線層を有する高密度コネクタを必要とする場合は、単一の多層基板上に配線を実現するよりは、複数の基板の間に層を分散させる方がコストがずっと安い。
【0314】
下部基板502上の半キャパシタ505間の接続には、基板502上の配線506を利用する。上部基板507上の配線を通じての接続のために、信号がスペーサ514の下部表面518上の半キャパシタ516とスペーサ521の下部表面525上の半キャパシタ523の間の容量性信号経路に沿って伝わる。信号経路は図示されているように導体519、半キャパシタ515、誘電体528、半キャパシタ510、導体511、半キャパシタ522a、誘電体522b、半キャパシタ522および導体526を含む。スペーサを横断する容量性信号経路と関連した半キャパシタ例えば半キャパシタ516、515、522、523、およびその整合プレート−は、好ましくは、下部基板だけを横断する容量性信号経路と関連したもの、−例えば半キャパシタ505等−よりもサイズが大きい。
これが、容量性分割器として効果的に働くスペーサによって生じる信号振幅の損失を補償する。
【0315】
スペーサ514および521は、現在の技術を使用すれば簡単かつ安価に製造することができる。特に、上記のスペーサは、異方性導体と絶縁ストランドの密充填集合体を焼き鈍し、導体(つまり半キャパシタ515、516、522および523)の希望のパターンを露出させるために焼き鈍しされた集合体を切断することによって形成することもできる。スペーサ514および521は上部基板507と容量性整列させて、接合しても他の方法で固定してもよく、好ましくは標準品コネクタ501を形成する。
【0316】
次に、図39の2層コネクタの場合と類似の方法で構成した例示3層コネクタを示した図40について説明する。3層コネクタは、延長部分およびその上に実現された半キャパシタを有する追加上部基板541を含んでいる。2レベルスペーサ542は、最下部基板の下部表面と実質上整列している−半キャパシタ552からなる−平面容量性インタフェースを提供する。半キャパシタ549(モジュール547上)と半キャパシタ522(コネクタ上)とを容量性接続するために、モジュール547はこのインタフェースに隣接して配置されている。スペーサ543は、半キャパシタ553(基板上)と半キャパシタ550(モジュール上)の間に容量性信号経路を提供する。
【0317】
2レベルスペーサ542および543は、シングルピースユニットからなっていてもよいし、接着剤550によって接合されたツーピースユニットからなっていてもよい。標準品コネクタを形成するために、スペーサは好ましくは接合または他の方法で基板に固定する。コネクタ内における追加相互接続レベルは、追加基板544およびスペーサ545〜546を使用して実現することもできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるモジュラーエレクトロニックシステムの一実施例の例示部分を示す図である。
【図2】信号が、基板上の1対の伝送線から、1対の結合された半キャパシタと、ダイ上の1対の伝送線とに区別されて結合されるようになっているモジュラーエレクトロニックシステムの例示部分を示す図である。
【図3】ダイと基板との間の容量性及び導電性の両方の相互接続を含むモジュラーエレクトロニックシステムの例示部分の部分拡大図である。
【図4】本発明により製造されたMCMの例示部分を示す図である。
【図5】図4と類似のMCMの例示部分であるが、信号基板とは別個の電力基板、及びヒートシンクを含む図である。
【図6】図6A−Dは、本発明によりダイから基板へ容量的に結合されるデジタル(もしくはマルチステート)信号の例示波形を示す図である。
【図7】ダイが2つの基板を容量的に相互接続(“ブリッジ”)しているようなモジュラーエレトロニックシステムの例示部分を示す図である。
【図8】複数のダイ及び基板を含む非平坦モジュラーエレクトロニックシステムの例示部分を示す図である。
【図9】いわゆる“リープフロッグ”形状を使用している本発明により製造された大規模モジュラーシステムの例示部分を示す図である。
【図10】全体がダイから作られた“リープフロッグ”集積システムの例示部分を示す図である。
【図11】図11A−Bは、容量的に結合されたモジュラーシステム内のキャパシタ板間の不揃いの効果を示す図である。
【図12】図12A−Bは、容量的に結合されたシステム内の不揃いの影響を最小にするためにオーバサイズの半キャパシタ板の使用を示す図である。
【図13】本発明により製造された大規模の、異種集積されたモジュラーエレクトロニックシステムの例示部分を示す図である。
【図14】柔軟な基板上に複数の(任意選択的に超電導の)エレクトロニックデバイスが実現されているモジュラーエレクトロニックシステムを示す図である。
【図15】サイズ及びパッケージングレベルが変化するモジュールを結合するのに本発明による均一な容量性インタフェースの使用を示す図である。
【図16】複数のモジュールをバックプレーンに容量的に結合するモジュラーシステムを示す図である。
【図17A】従来技術の接続方法を示す図である。
【図17B】本発明の接続方法を示す図である。
【図18A】本発明によるMCM(図4−5に示すようなMCM)の組立ての1つの段階を示す図である。
【図18B】本発明によるMCM(図4−5に示すようなMCM)の組立ての1つの段階を示す図である。
【図18C】本発明によるMCM(図4−5に示すようなMCM)の組立ての1つの段階を示す図である。
【図19】総合利得を調整する手段を含む容量性信号経路を示す図である。
【図20A】本発明により製造された特定用途向けモジュール(ASM)の一例を示す図である。
【図20B】本発明により製造された特定用途向けモジュール(ASM)の一例を示す図である。
【図21】本発明の容量的に結合する技術を使用したケーブルインタフェースを示す図である。
【図22】基板がチップ内及びチップ間容量性信号経路を提供するモジュラーエレクトロニックシステムの例示部分を示す図である。
【図23A】本発明により製造された試験モジュールの例示装置を示す図である。
【図23B】本発明により製造されたウェーハスケールのモジュラーシステムを示す図である。
【図24】現在の技術におけるMCMの製造を示す図である。
【図25】本発明によるウェーハスケールのモジュールの製造を示す図である。
【図26】本発明によるウェーハスケールもしくは類似モジュラーシステムの組立て、試験、及び再加工の総合的な流れを示す図である。
【図27】典型的な半導体製造プロセスにおける良好なダイの歩留りをダイサイズの関数として示す図である。
【図28】例示の容量的に相互接続されたシステムのシステム費用の幾つかをダイサイズの関数としてプロットして示す図である。
【図29】本発明により製造されたモジュラーシステムの設計サイクルの流れを示す図である。
【図30】本発明によるオフダイ容量性信号経路のブロック線図である。
【図31A】送信器の好ましい実施例の最終段を示す図である。
【図31B】送信器の好ましい実施例の最終段を示す図である。
【図32】差動容量性信号経路を駆動するようになっているスイッチング手段の好まし実施例を示す図である。
【図33】例示スイッチング手段と終端された基板伝送線との間のインタフェースの簡易電気モデルを示す図である。
【図34】例示スイッチング手段と終端されていない基板配線ラインとの間のインタフェースの簡易電気モデルを示す図である。
【図35】好ましい差動オフダイ信号経路のブロック線図である。
【図36】図30に示す信号経路との使用に両立可能な単一端の受信器の一例を示す回路図である。
【図37】図35に示す信号経路との使用に両立可能な例示作動受信器回路図である。
【図38A】平行及び垂直結合された伝送線によるモジュール間の非導電性信号を示す図である。
【図38B】平行及び垂直結合された伝送線によるモジュール間の非導電性信号を示す図である。
【図39】本発明により製造された例示2層コネクタを示す図である。
【図40】本発明により製造された例示3層コネクタを示す図である。
Claims (10)
- 伝送線と該伝送線のためのグランドプレーンとを含む基板と、
デジタル回路と金属化層とを含むモノリシック集積回路チップと、
上記チップに給電する手段と、
一部が上記基板に一部が上記チップの金属化層に取り付けられた、上記チップと上記基板との間でデジタル信号を容量性結合する手段と、
を備え、
上記基板は半導体材料又は誘電体材料から成っており、
上記容量性結合手段は第1及び第2の接続された半キャパシタを備え、上記第1の半キャパシタは上記チップの一部でありそして上記第2の半キャパシタは上記基板の一部であり、上記第1及び第2の接続された半キャパシタは、ギャップで分離された効果的に重畳する導電性領域を備えており、
上記容量性結合手段のキャパシタンスは、上記導電性領域間の有効重畳面積を変えることによって変更することができる、
ことを特徴とするモジュラー電子システム。 - 上記チップに給電する手段は、上記チップと基板との間の導電性接続手段を含む請求項1に記載のモジュラー電子システム。
- 上記チップに給電する手段は、上記基板に配置された配電ネットワークを含む請求項1に記載のモジュラー電子システム。
- 熱を消散する手段を更に備えた請求項1に記載のモジュラー電子システム。
- 上記熱を消散する手段は、エラストマ材料、共融材料、半田、金属、グリース、ワックス、オイル又はダイヤモンドより成る群から選択された材料を含む請求項4に記載のモジュラー電子システム。
- 上記熱を消散する手段は、冷却すべきモジュールに比べて高い熱伝導率を持つ材料を含む請求項4に記載のモジュラー電子システム。
- 上記伝送線は、ストリップライン、マイクロストリップ又はスロットラインを含む請求項1に記載のモジュラー電子システム。
- 上記ギャップは、誘電体で少なくとも部分的に充填される請求項1に記載のモジュラー電子システム。
- 第2のチップと、
上記第2のチップと上記基板との間の容量性結合手段とを更に備えた請求項1に記載のモジュラー電子システム。 - 上記基板は、更に、上記チップと上記基板との間の上記容量性結合手段と、上記第2のチップと上記基板との間の上記容量性結合手段とに接続された伝送線を含む請求項9に記載のモジュラー電子システム。
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