JPS6315435A - 半導体装置用パツケ−ジ - Google Patents
半導体装置用パツケ−ジInfo
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- JPS6315435A JPS6315435A JP16027086A JP16027086A JPS6315435A JP S6315435 A JPS6315435 A JP S6315435A JP 16027086 A JP16027086 A JP 16027086A JP 16027086 A JP16027086 A JP 16027086A JP S6315435 A JPS6315435 A JP S6315435A
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- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1901—Structure
- H01L2924/1904—Component type
- H01L2924/19041—Component type being a capacitor
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概黄〕
を導体装置用パッケージの改良である。
゛ト導体チップ搭載領域の近傍に抵抗・キャパシタ等の
素子Ma用のパッドとリードワイヤとの間をまたいで抵
抗・キャパシタ等の素子を取り付け、半導体チップと接
続されるボンディングワイヤはこのパッドに接続するこ
ととした半導体装置用パッケージである。
素子Ma用のパッドとリードワイヤとの間をまたいで抵
抗・キャパシタ等の素子を取り付け、半導体チップと接
続されるボンディングワイヤはこのパッドに接続するこ
ととした半導体装置用パッケージである。
本発明は半導体装置用パッケージの改良に関する。特に
、半導体装置の実装に要する占有面積を減少し、また、
静電耐量を向上する改良に関する。
、半導体装置の実装に要する占有面積を減少し、また、
静電耐量を向上する改良に関する。
半導体装置は、セラミックパッケージ、プラスチックパ
ッケージ等の半導体装置用パッケージに収納して使用さ
れるが、従来技術に係る半導体装置用パッケージは、単
に、半導体チップの機械的な固定・保護、外部雰囲気か
らの保護、放熱の手段、外部引き出し端子の保護手段等
として機イ距することを期待されている。そのため、従
来技術に係る半導体装置用パッケージは、第2図にその
平面図を示すように、半導体装置用パッケージ本体lに
、半導体チップ収容位置2と、リードワイヤ3と、ボン
ディングワイヤ4とを配設して構成されており1機能部
品は含んでいない。
ッケージ等の半導体装置用パッケージに収納して使用さ
れるが、従来技術に係る半導体装置用パッケージは、単
に、半導体チップの機械的な固定・保護、外部雰囲気か
らの保護、放熱の手段、外部引き出し端子の保護手段等
として機イ距することを期待されている。そのため、従
来技術に係る半導体装置用パッケージは、第2図にその
平面図を示すように、半導体装置用パッケージ本体lに
、半導体チップ収容位置2と、リードワイヤ3と、ボン
ディングワイヤ4とを配設して構成されており1機能部
品は含んでいない。
ところで、半導体装置を使用する回路には、抵抗やキャ
パシタ等の1段能部品が当然に付属するので、これらの
部品は、実装にあたって、半導体装置用パッケージの外
部に取り付けられていた。
パシタ等の1段能部品が当然に付属するので、これらの
部品は、実装にあたって、半導体装置用パッケージの外
部に取り付けられていた。
そのため、半導体装置の実装に要する占有面積が大きい
という欠点があり、また、半導体装置の!A造工程にお
いては、静電耐量が小さいという欠点があった。
という欠点があり、また、半導体装置の!A造工程にお
いては、静電耐量が小さいという欠点があった。
本発明の目的は、これらの欠点を解消することにあり、
実装に要する占有面積が小さくすることができ、静電m
ff1を大きくすることができる゛ト導体装首用パッケ
ージを提供することにある。
実装に要する占有面積が小さくすることができ、静電m
ff1を大きくすることができる゛ト導体装首用パッケ
ージを提供することにある。
上記の目的を達成するために本発明が採った1段は、半
導体チップ搭載領域の近傍に抵抗・キャパシタ等の素子
搭載用のパッドを付加し、このパッドとリードワイヤと
の間をまたいで抵抗・キャパシタ等の素子を取り付け、
半導体チップと接続されるボンディングワイヤはこのパ
ッドに接続することにある。
導体チップ搭載領域の近傍に抵抗・キャパシタ等の素子
搭載用のパッドを付加し、このパッドとリードワイヤと
の間をまたいで抵抗・キャパシタ等の素子を取り付け、
半導体チップと接続されるボンディングワイヤはこのパ
ッドに接続することにある。
なお、抵抗・キャパシタ等の素子が不要なときは、ボン
ディングワイヤは直接リードワイヤと接続される。
ディングワイヤは直接リードワイヤと接続される。
従来技術に係る半導体パフケージの内部には不使用空間
が残っているので、これを有効利用すれば、上記の欠点
を解消しうるとの若想を。
が残っているので、これを有効利用すれば、上記の欠点
を解消しうるとの若想を。
抵抗・キャパシタ等の素子を搭載する素子p5佐用パッ
ドという概念を導入して具体化して完成したものである
。
ドという概念を導入して具体化して完成したものである
。
以下1図面を参照しり覧、本発明の一実施例に係る半導
体装置用パッケージについてさらに説明する。
体装置用パッケージについてさらに説明する。
第1図参照
図は本発明の一実施例に係る半導体装置用パッケージの
構成図である。
構成図である。
図において、lは半導体装2mパッケージ本体であり、
セラミック材よりなる箱状部材またはプラスチック材の
成形体よりなる。2は半導体チップ搭載領域であり、金
属板よりなり、ここに半導体チップ5が乗せられる。3
はリードワイヤであり金属板よりなる。
セラミック材よりなる箱状部材またはプラスチック材の
成形体よりなる。2は半導体チップ搭載領域であり、金
属板よりなり、ここに半導体チップ5が乗せられる。3
はリードワイヤであり金属板よりなる。
6が本発明の要旨に係る抵抗・キャパシタ等の素子を搭
載する素子搭載用パッドであり、抵抗・キャパシタ等の
素子7は、この抵抗・キャパシタ等の素子it用パッド
6とリードワイヤ3との間をまたいで取り付けられる。
載する素子搭載用パッドであり、抵抗・キャパシタ等の
素子7は、この抵抗・キャパシタ等の素子it用パッド
6とリードワイヤ3との間をまたいで取り付けられる。
そして、ボンディングワイヤ4は半導体チップ5と抵抗
・キャパシタ等の素子を搭載する素子搭載用パッド6ま
たはリードワイヤ3との間に設けられる。
・キャパシタ等の素子を搭載する素子搭載用パッド6ま
たはリードワイヤ3との間に設けられる。
なお、抵抗番キャパシタ等の素子7が不要なときは、ボ
ンディングワイヤ4が直接リードワイヤ3と接続される
ことは既に上記したとおりである。
ンディングワイヤ4が直接リードワイヤ3と接続される
ことは既に上記したとおりである。
以上説明せるとおり、本発明に係る半導体チップパッケ
ージは、半導体チップ搭載領域の近傍に抵抗・キャパシ
タ等の素子搭載用のパッドが付加され、このパッドとリ
ードワイヤとの間をまたいで抵抗・キャパシタ等の素子
が取り付けられ、半導体チップと接続されるボンディン
グワイヤはこのパッドに接続されることとされているの
で、実装に要する占有面積が小さく、静電耐量が大きい
、さらに、外付は部品数が減少することになり、ダンピ
ング抵抗会カップリングコンデンサ等を半導体装置用パ
ッケージ中に内蔵しうろことになる。
ージは、半導体チップ搭載領域の近傍に抵抗・キャパシ
タ等の素子搭載用のパッドが付加され、このパッドとリ
ードワイヤとの間をまたいで抵抗・キャパシタ等の素子
が取り付けられ、半導体チップと接続されるボンディン
グワイヤはこのパッドに接続されることとされているの
で、実装に要する占有面積が小さく、静電耐量が大きい
、さらに、外付は部品数が減少することになり、ダンピ
ング抵抗会カップリングコンデンサ等を半導体装置用パ
ッケージ中に内蔵しうろことになる。
第1図は、本発明の一実施例に係る半導体装ご用パッケ
ージの構成図である。 第2図は、従来技術に係る半導体装置用パッケージの構
成図である。 l・・・半導体装ユ用パッケージ本体。 2・・Φ半導体チップ搭載領域、 3日・リードワイヤ、 4・・・ボンディングワイヤ、 5・・・半導体チップ、 6・・・素子塔載用パッド。 7・φ・素子。 + (’i、、 )’ 代理人 弁理士 井桁貞−−8゜ ′1 /′ 従来技術 第 2 図 本考案 第10
ージの構成図である。 第2図は、従来技術に係る半導体装置用パッケージの構
成図である。 l・・・半導体装ユ用パッケージ本体。 2・・Φ半導体チップ搭載領域、 3日・リードワイヤ、 4・・・ボンディングワイヤ、 5・・・半導体チップ、 6・・・素子塔載用パッド。 7・φ・素子。 + (’i、、 )’ 代理人 弁理士 井桁貞−−8゜ ′1 /′ 従来技術 第 2 図 本考案 第10
Claims (1)
- 半導体チップ搭載領域(2)の近傍に、素子搭載用パッ
ド(6)が設けられ、素子(7)は前記素子搭載用パッ
ド(6)とリードワイヤ(3)との間をまたいで設けら
れ、ボンディングワイヤ(4)は前記半導体チップ搭載
領域(2)に搭載される半導体チップ(5)と前記素子
搭載用パッド(6)との間を接続するように設けられる
ことを特徴とする半導体装置用パッケージ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16027086A JPS6315435A (ja) | 1986-07-08 | 1986-07-08 | 半導体装置用パツケ−ジ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16027086A JPS6315435A (ja) | 1986-07-08 | 1986-07-08 | 半導体装置用パツケ−ジ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6315435A true JPS6315435A (ja) | 1988-01-22 |
Family
ID=15711368
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16027086A Pending JPS6315435A (ja) | 1986-07-08 | 1986-07-08 | 半導体装置用パツケ−ジ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6315435A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5459350A (en) * | 1993-01-13 | 1995-10-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Resin sealed type semiconductor device |
US6229201B1 (en) * | 1997-02-18 | 2001-05-08 | The Whitaker Corporation | Integrated circuit having a parasitic resonance filter |
US6380623B1 (en) * | 1999-10-15 | 2002-04-30 | Hughes Electronics Corporation | Microcircuit assembly having dual-path grounding and negative self-bias |
US6728113B1 (en) * | 1993-06-24 | 2004-04-27 | Polychip, Inc. | Method and apparatus for non-conductively interconnecting integrated circuits |
-
1986
- 1986-07-08 JP JP16027086A patent/JPS6315435A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5459350A (en) * | 1993-01-13 | 1995-10-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Resin sealed type semiconductor device |
US6728113B1 (en) * | 1993-06-24 | 2004-04-27 | Polychip, Inc. | Method and apparatus for non-conductively interconnecting integrated circuits |
US6229201B1 (en) * | 1997-02-18 | 2001-05-08 | The Whitaker Corporation | Integrated circuit having a parasitic resonance filter |
US6380623B1 (en) * | 1999-10-15 | 2002-04-30 | Hughes Electronics Corporation | Microcircuit assembly having dual-path grounding and negative self-bias |
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