JP2560805B2 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JP2560805B2
JP2560805B2 JP63252318A JP25231888A JP2560805B2 JP 2560805 B2 JP2560805 B2 JP 2560805B2 JP 63252318 A JP63252318 A JP 63252318A JP 25231888 A JP25231888 A JP 25231888A JP 2560805 B2 JP2560805 B2 JP 2560805B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bonding
bonding pad
semiconductor substrate
bonding pads
signal buffer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP63252318A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0298950A (ja
Inventor
充矢 木下
整人 山形
博司 宮本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP63252318A priority Critical patent/JP2560805B2/ja
Priority to US07/331,358 priority patent/US4974053A/en
Publication of JPH0298950A publication Critical patent/JPH0298950A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2560805B2 publication Critical patent/JP2560805B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49838—Geometry or layout
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/50—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor for integrated circuit devices, e.g. power bus, number of leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04042—Bonding areas specifically adapted for wire connectors, e.g. wirebond pads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05552—Shape in top view
    • H01L2224/05554—Shape in top view being square
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485—Material
    • H01L2224/48505—Material at the bonding interface
    • H01L2224/48699—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al)
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49171—Fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49175—Parallel arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01014—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1015—Shape
    • H01L2924/1016—Shape being a cuboid
    • H01L2924/10161—Shape being a cuboid with a rectangular active surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12042—LASER
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/30105—Capacitance

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置に関し、特に、半導体装置のパッ
ケージの一辺のみにリード端子を設けることを要するパ
ッケージ規格と、半導体装置のパッケージの向い合う二
辺にリード端子を設けることを要するパッケージ規格
と、両者いずれにも適しボンデイングパッドの配置を有
する半導体装置に関する。
〔従来の技術〕
従来の半導体装置としては、例えば、昭和63年電子情
報通信学会春季全国大会Ｃ−309において示された、第
４図に示すようなものが知られている。第４図におい
て、１は半導体基板を表し、半導体基板１の長辺方向両
側には複数のボンデイングパッドＢが配置されている。
このような、半導体基板１の長辺方向両側に複数のボン
デイングパッドを持つ半導体基板１を20ピンSOJ（スモ
ール・アウトライン・Ｊ−リーデッド・パッケージ）に
実装した状態での部分平面図を第５図に、20ピンZIP
（ジグザグ・インライン・パッケージ）に実装した状態
での部分平面図を第６図に、それぞれ示す。ここで、例
えば4MビットダイナミックRAMでは、第７図および第８
図に示すように、20ピンSOJはパッケージの短辺方向の
幅が350milすなわち約8.9mmの規格があり、20ピンZIPは
パッケージの高さが400milすなわち約10.16mmの規格が
ある。
第５図において、SOJ2に装着された半導体基板１の各
ボンデイングパッド4a〜4e及び6a〜6eは、それぞれパッ
ケージに形成されたリード７にボンデイングワイヤ８に
よって結線される。第６図は、半導体基板１をZIPに実
装した状態での配置図であり、第５図と同一の部分には
同一の番号を付して説明を省略する。
第６図に示す半導体装置においては、ZIP9長辺のリー
ド端子を設けていない側にもリード配線が必要となり、
一方、前述のようにパッケージの大きさは定められてい
るので、半導体基板１の短辺の長さｌが制限され、半導
体基板１の面積が制約を受けるという問題点がある。一
例として4MビットダイナミックRAMの場合を考えると、
ソフトエラー等の問題に対して充分な信頼性を得るため
に、メモリセルの各々に少なくとも30フエムト・フアラ
ド程度のキャパシタ１個を設ける必要があり、そのため
にメモリセル１個の大きさは例えば長辺５μｍ程度短辺
２μｍ程度とされている。しかるに上記のように半導体
基板１の短辺の長さｌが制限されるならば、メモリセル
の短辺方向の長さがさらに厳しく制限され、結果として
著しい加工が必要となる。
上記のような問題点を解決する方法として知られてい
る、１個の半導体基板の周辺部に同一信号用のボンデイ
ングパッドを少なくとも２個互いに間隔を隔てて設けた
ことを特徴とする半導体装置の部分平面図を第９図に示
す。第９図において、１は半導体基板であり、半導体基
板１上の短辺方向の周辺部に第１のA0信号用ボンデイン
グパッド10a、A2信号用ボンデイングパッド10b、A1信号
用ボンデイングパッド10cなどが互いに間隔を隔てて設
けられており、半導体基板１上の長辺方向の周辺部に第
２のA0信号用ボンデイングパッド10dが設けられてい
る。第１のA0信号用ボンデイングパッド10aと第２のA0
信号用ボンデイングパッド10dとは内部配線11により接
続されており、第１のA0信号用ボンデイングパッド10a
と第２のA0信号用ボンデイングパッド10dとの接続点は
内部配線11によりバッファ回路12に接続されている。
第10図は、第９図の半導体装置をセラミックパッケー
ジに実装した場合の構造を示す部分平面図である。図に
おいて、半導体基板１がセラミックパッケージ13に実装
されている。セラミックパッケージ13の短辺方向の周辺
部に第１のA0信号用ボンデイングパッド10a、A2信号用
ボンデイングパッド10b、A1信号用ボンデイングパッド1
0cなどと対応するようにA0信号用端子14a、A2信号用端
子14b、A1信号用端子14cなどが互いに間隔を隔てて設け
られている。第１のA0信号用ボンデイングパッド10aとA
0信号用端子14aとはボンデイングワイヤ15aにより、A2
信号用ボンデイングパッド10bとA2信号用端子14bとはボ
ンデイングワイヤ15bにより、A1信号用ボンデイングパ
ッド10cとA1信号用端子14cとはボンデイングワイヤ15c
によりボンデイングされている。この場合、A0信号用の
ボンデイングパッドとして第１のA0信号用ボンデイング
パッド10aを使用しており、第２のA0信号用ボンデイン
グパッド10dはボンデイングされていない。また、A0信
号用端子14a、A2信号用端子14b、A1信号用端子14cはそ
れぞれこのセラミックパッケージ13の外表面に露出する
外部信号入力用の第５ピン、第６ピン、第７ピン（図示
せず）に接続されている。ここで、図中の，，は
ピン番号を表わしている。第５ピン、第６ピン、第７ピ
ンにそれぞれ外部信号であるA0信号、A2信号、A1信号が
入力される。
第11図は、第９図の半導体装置をプラスチックモール
ドパッケージに実装した場合の構造を示す部分平面図で
ある。図において、半導体基板１がプラスチックモール
ドパッケージ20に実装されている。プラスチックモール
ドパッケージ20上に半導体基板１を取り囲むようにA0信
号用端子16a、A2信号用端子16b、A1信号用端子16cなど
が互いに間隔を隔てて設けられている。第２のA0信号用
ボンデイングパッド10dとA0信号用端子16aとはボンデイ
ングワイヤ15aにより、A2信号用ボンデイングパッド10b
とA2信号用端子16bとはボンデイングワイヤ15bにより、
A1信号用ボンデイングパッド10cとA1信号用端子16cとは
ボンデイングワイヤ15cによりボンデイングされてい
る。この場合、A0信号用のボンデイングパッドとして第
２のA0信号用ボンデイングパッド10dを使用しており、
第１のA0信号用ボンデイングパッド10aはボンデイング
されていない。また、A0信号用端子16a、A2信号用端子1
6b、A1信号用端子16cはそれぞれこのプラスチックモー
ルドパッケージ20の外表面に露出する外部信号入力用の
第５ピン、第６ピン、第７ピン（図示せず）に接続され
ている。ここで、図中の，，はピン番号を表わし
ている。第５ピン、第６ピン、第７ピンにそれぞれ外部
信号であるA0信号、A2信号、A1信号が入力される。
以上のように、半導体基板を実装するパッケージの種
類に応じて２個の同一外部信号用ボンデイングパッドの
うちのいずれかのボンデイングパッドを使用することに
より、半導体チップのボンデイングパッドとパッケージ
の端子とのボンデイングが容易になるというメリットが
ある。
しかしながら、この例の従来の半導体装置において
は、外部信号であるA0信号に対して２個の同一外部信号
用ボンデイングパッドが常に接続されていることになる
ので、外部信号入力ピンから見た入力容量が大きくな
り、この入力容量は、場合によってはその許容値を越え
てしまうという問題点がある。それを解決するための公
開特許公報昭62−244144に示された従来の半導体装置の
例の構造を示す部分平面図を第12図に示す。初めにこの
装置の構成について説明する。第12図において、半導体
基板１上に、第１のA0信号用ボンデイングパッド10a、
第２のA0信号用ボンデイングパッド10d、内部バッファ
回路12、電源用ボンデイングパッド30、スイッチ切換用
ボンデイングパッド31およびスイッチ39が設けられてい
る。電源用ボンデイングパッド30は、半導体基板１の実
装時にパッケージ（図示せず）上に設けられた電圧Vcc
の電源端子（図示せず）とボンデイングされ、この電源
用ボンディングパッド30の近傍にスイッチ切換用ボンデ
イングパッド31が配置されている。スイッチ39は、Ｎチ
ャンネルMOSトランジスタ34と、インバータ32、33と、
ＰチャンネルMOSトランジスタ35、38、ＮチャンネルMOS
トランジスタ36、37とから構成されている。スイッチ切
換用ボンデイングパッド31はインバータ32、33を介して
ＰチャンネルMOSトランジスタ35のゲートおよびＮチャ
ンネルMOSトランジスタ37のゲートに接続される。スイ
ッチ切換用ボンデイングパッド31とインバータ32の接続
点はＮチャンネルMOSトランジスタ34のドレインに接続
され、このトランジスタのソースは接地され、このトラ
ンジスタのゲートは電圧Vccの電源線に接続される。Ｐ
チャンネルMOSトランジスタ35のドレインはＮチャンネ
ルMOSトランジスタ36のドレインに接続され、Ｐチャン
ネルMOSトランジスタ35のソースはＮチャンネルMOSトラ
ンジスタ36のソースに接続される。また、Ｎチャンネル
MOSトランジスタ37のドレインはＰチャンネルMOSトラン
ジスタ38のドレインに接続され、ＮチャンネルMOSトラ
ンジスタ37のソースはＰチャンネルMOSトランジスタ38
のソースに接続される。インバータ32とインバータ33の
接続点はＮチャンネルMOSトランジスタ36のゲートおよ
びＰチャンネルMOSトランジスタ38のゲートに接続され
る。第１のA0信号用ボンデイングパッド10aはＰチャン
ネルMOSトランジスタ35、ＮチャンネルMOSトランジスタ
36のドレインに接続され、第２のA0信号用ボンデイング
パッド10dはＮチャンネルMOSトランジスタ37、Ｐチャン
ネルMOSトランジスタ38のドレインに接続される。Ｐチ
ャンネルMOSトランジスタ35、ＮチャンネルMOSトランジ
スタ36のソースおよびＮチャンネルMOSトランジスタ3
7、ＰチャンネルMOSトランジスタ38のソースは内部バッ
ファ回路12に接続される。11は内部配線を示している。
次にこの半導体装置の動作について説明する。まず、
パッケージ上の電源端子をスイッチ切換用ボンデイング
パッド31にボンデイングしない場合について説明する。
このとき、ノードＡは、ＮチャンネルMOSトランジスタ3
4が常に導通状態になるため接地電位、すなわち“L"レ
ベルになり、ノードＢは“H"レベルになり、ノードＣは
“L"レベルになる。このため、ＰチャンネルMOSトラン
ジスタ35、ＮチャンネルMOSトランジスタ36は導通状態
に、ＮチャンネルMOSトランジスタ37、ＰチャンネルMOS
トランジスタ38は非導通状態になり、第１のA0信号用ボ
ンデイングパッド10aは内部バッファ回路12に接続さ
れ、第２のA0信号用ボンデイングパッド10dは内部バッ
ファ回路12から分離される。一方、パッケージ上の電源
端子をボンデイングワイヤ41により電源用ボンデイング
パッド30にボンデイングするとき、同時にパッケージ上
の電源端子をボンデイングワイヤ42によりスイッチ切換
用ボンデイングパッド31にボンデイングする場合につい
て説明する。このとき、ノードＡは強制的に“H"レベル
となるので、ノードＢは“L"レベルになり、ノードＣは
“H"レベルになる。このため、ＰチャンネルMOSトラン
ジスタ35、ＮチャンネルMOSトランジスタ36は非導通状
態に、ＮチャンネルMOSトランジスタ37、ＰチャンネルM
OSトランジスタ38は導通状態になり、第１のA0信号用ボ
ンデイングパッド10aは内部バッファ回路12から分離さ
れ、第２のA0信号用ボンデイングパッド10dは内部バッ
ファ回路12に接続される。
以上のように、パッケージ上の電源端子をスイッチ切
換用ボンデイングパッド31にボンデイングするかしない
かにより、第１のA0信号用ボンデイングパッド10aおよ
び第２のA0信号用ボンデイングパッド10dのうち１個の
ボンデイングパッドが内部バッファ回路に接続され、残
りのボンデイングパッドが内部バッファ回路12から分離
されるので、半導体基板１上に同一外部信号用ボンデイ
ングパッドを２個設けているにもかかわらず、外部信号
入力ピンから見た入力容量を、半導体基板上に１個の外
部信号用ボンデイングパッドのみを設けている場合の入
力容量とほぼ等しくすることができる。
上記例に示したようなボンデイングパッド切り替えの
手段を応用した半導体装置の１例を、第13図に図示す
る。第13図に示した半導体記憶装置は、4Mビットダイナ
ミックRAMである。この4MビットダイナミックRAMは、4M
語×１ビットのダイナミックRAMとして使うことも、1M
語×４ビットのダイナミックRAMとして使うこともでき
る。その切換えには、切換え用ボンデイングパッド（図
示しない）に信号を与えるなどの手段を用いる。上記の
２通りの場合それぞれについて、半導体基板１をSOJ2に
装着した例を、第14図及び第15図に示す。第14図におい
ては、半導体記憶装置は4M語×１ビットのダイナミック
RAMとして使われ、第15図においては、半導体記憶装置
は1M語×４ビットのダイナミックRAMとして使われてい
る。第13図、第14図及び第15図において、ボンデイング
パッドA9aとボンデイングパッドA9bには同一の信号が対
応しており、第12図に示したような手段でこれを切換え
ることによって、第14図ではボンデイングパッドA9b
が、第15図ではボンデイングパッドA9aが、それぞれ結
線に用いられている。しかしながら、この例では、第５
図及び第６図に示した困難は解決されていない。
また、第16図に示す、公開特許公報昭62−122139に示
された半導体基板１のような例も知られている。第16図
において、50aと50b、51aと51bはそれぞれ同一の信号に
対応するボンデイングパッドであり、第12図に示したよ
うな手段で切換用ボンデイングパッド（図示しない）に
信号を与えることにより、ボンデイングパッド50aとボ
ンデイングパッド50bのいずれかが、またボンデイング
パッド51aとボンデイングパッド51bのいずれかが選択さ
れる。この例の半導体基板１を、ZIP及びDIP（デュアル
・インライン・パッケージ）に実装した例を第17図及び
第18図に示す。第17図及び第18図に見るように上記の方
法はZIP及びDIPには適切である。しかし、この方法はSO
Jに半導体基板１を実装するには不適切である。第19図
に、この例の半導体基板１をSOJに装着した例を示す。
第19図において記号ｄで示すように、半導体基板１の面
積が制限され、著しい微細加工が必要となる場合があ
る。
〔発明が解決しようとする課題〕
第６図に示す半導体装置においては、半導体基板の長
さｌが制限され、半導体基板１の面積が制限を受けると
いう問題点があった。また、第12図に示したボンデイン
グパッドの切換えを利用した、第13図及び第16図の例
も、SOJとZIPの両方について上記の半導体基板１の面積
に対する制限を避けることはできないという問題点があ
った。
本発明は、以上のような従来の問題点に鑑みてなされ
たもので、半導体基板１の面積に対する上記制約を取り
除くことにより、より多くの素子の半導体基板１への組
み込みを容易にすることを目的としている。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の請求項１に係る発明の半導体装置は、半導体
基板の４辺にそれぞれ設けられる第１ないし第４のボン
ディングパッド領域にそれぞれ複数のボンディングパッ
ドを設け、他方の長辺側に位置する第２のボンディング
パッド領域に設けられた複数のボンディングパッド、ま
たは短辺側に位置する第３及び第４のボンディングパッ
ド領域に設けられた、第２のボンディングパッド領域に
設けられた複数のボンディングパッドに同一信号が対応
する複数のボンディングパッドのどちらか一方と、それ
らに対応する複数の信号用バッファ回路とを電気的に接
続する接続手段を設けたものである。
本発明の請求項２に係る発明の半導体装置は、請求項
１における接続手段を、信号用バッファ回路と、第２の
ボンディングパッド領域に設けられたボンディングパッ
ド、または第３及び第４のボンディングパッド領域に設
けられたボンディングパッドのどちらか一方とを電気的
に接続する配線としたものである。
本発明の請求項３に係る発明の半導体装置は、請求項
１における接続手段を、第２のボンディングパッド領域
に設けられた複数のボンディングパッドに対応して設け
られる複数の接続部を有し、各接続部は、対応する信号
用バッファ回路と第２のボンディングパッド領域に設け
られた対応するボンディングパッドとの間に接続された
第１のスイッチング手段と、対応する信号用バッファ回
路と第３及び第４のボンディングパッド領域に設けられ
た対応するボンディングパッドとの間に接続された第２
のスイッチング手段とを有したものとしたものである。
本発明の請求項４に係る発明の半導体装置は、接続手
段を、第２のボンディングパッド領域に設けられた複数
のボンディングパッドに対応して設けられる複数の接続
部を有し、各接続部が、対応する信号用バッファ回路と
第２のボンディングパッド領域に設けられた対応するボ
ンディングパッドとの間に接続されたレーザー照射など
によて切断される第１の切断点と、対応する信号用バッ
ファ回路と第３及び第４のボンディングパッド領域に設
けられた対応するボンディングパッドとの間に接続され
たレーザー照射などによって切断される第２の切断点と
を有したものとしたものである。
本発明の請求項５に係る発明の半導体装置は、請求項
１ないし請求項４における接続手段において、他方の長
辺側に位置する第２のボンディングパッド領域に設けら
れた複数のボンディングパッドとそれらに対応する複数
の信号用バッファ回路とを電気的に接続し、短辺側に位
置する第３及び第４のボンディングパッド領域に設けら
れた複数のボンディングパッドとそれらに対応する複数
の信号用バッファ回路とを電気的に非接続としたもので
ある。
本発明の請求項６に係る発明の半導体装置は、請求項
１ないし請求項４における接続手段において、短辺側に
位置する第３及び第４のボンディングパッド領域に設け
られた複数のボンディングパッドとそれらに対応する複
数の信号用バッファ回路とを電気的に接続し、他方の長
辺側に位置する第２のボンディングパッド領域に設けら
れた複数のボンディングパッドとそれらに対応する複数
の信号用バッファ回路とを電気的に非接続としたもので
ある。
本発明の請求項７に係る発明の半導体装置は、半導体
基板の４辺にそれぞれ設けられる第１ないし第４のボン
ディングパッド領域にそれぞれ複数のボンディングパッ
ドを設け、他方の長辺側に位置する第２のボンディング
パッド領域に設けられた複数のボンディングパッドとそ
れらに対応する複数の信号用バッファ回路とを電気的に
接続し、短辺側に位置する第３及び第４のボンディング
パッド領域に設けられた複数のボンディングパッドとそ
れらに対応する複数の信号用バッファ回路とを電気的に
非接続とする接続手段と、一端がパッケージ内にて半導
体基板の一方の長辺と対向して位置し、ボンディングワ
イヤにて第１のボンディングパッド領域に設けられた対
応のボンディングパッドと接続され、他端が半導体基板
の一方の長辺側にてパッケージ外部に延在する複数のリ
ード端子と、一端がパッケージ内にて半導体基板の他方
の長辺の対向して位置し、ボンディングワイヤにて第２
のボンディングパッド領域に設けられた対応のボンディ
ングパッドと接続され、他端が半導体基板の他方の長辺
側にてパッケージ外部に延在する複数のリード端子とを
設けたものである。
本発明の請求項８に係る発明の半導体装置は、半導体
基板の４辺にそれぞれ設けられる第１ないし第４のボン
ディングパッド領域にそれぞれ複数のボンディングパッ
ドを設け、短辺側に位置する第３及び第４のボンディン
グパッド領域に設けられた複数のボンディングパッドと
それらに対応する複数の信号用バッファ回路とを電気的
に接続し、他方の長辺側に位置する第２のボンディング
パッド領域に設けられた複数のボンディングパッドとそ
れらに対応する複数の信号用バッファ回路とを電気的に
非接続とする接続手段と、一端がパッケージ内にて半導
体基板の一方の長辺と対向して位置し、ボンディングワ
イヤにて第１のボンディングパッド領域に設けられた対
応のボンディングパッドと接続され、他端が半導体基板
の一方の長辺側にてパッケージ外部に延在する複数のリ
ード端子と、一端がパッケージ内にて半導体基板の一方
の短辺と対向して位置し、ボンディングワイヤにて第３
のボンディングパッド領域に設けられた対応のボンディ
ングパッドと接続され、他端が半導体基板の一方の長辺
側にてパッケージ外部に延在する複数のリード端子と、
一端がパッケージ内にて半導体基板の他方の短辺と対向
して位置し、ボンディングワイヤにて第４のボンディン
グパッド領域に設けられた対応のボンディングパッドと
接続され、他端が半導体基板の一方の長辺側にてパッケ
ージ外部に延在する複数のリード端子とを設けたもので
ある。
［作用］ この発明の請求項１の発明にあっては、接続手段によ
って、他方の長辺側に位置する第２のボンディングパッ
ド領域に設けられた複数のボンディングパッドとそれら
に対応する複数の信号用バッファ回路との電気的接続
と、短辺側に位置する第３及び第４のボンディングパッ
ド領域に設けられた、第２のボンディングパッド領域に
設けられた複数のボンディングパッドに同一信号が対応
する複数のボンディングパッドとそれらに対応する複数
の信号用バッファ回路との電気的接続とが選択的に行わ
れるため、パッケージの２つの長辺にリード端子が設け
られたものと、パッケージの１つの長辺のみにリード端
子が設けられたものとに対して、半導体基板の面積に対
する制限が取り除かれる。
この発明の請求項２の発明にあっては、請求項１と同
様に作用するほか、接続手段が配線であるため、配線パ
ターンの形成時に、必要とする配線だけを形成可能にす
る。
この発明の請求項３の発明にあっては、請求項１と同
様に作用するほか、接続手段が、一方だけが導通状態と
される第１及び第２のスイッチング手段を有しているた
め、ボンディングワイヤの接続時に任意の接続を可能に
する。
この発明の請求項４の発明にあっては、請求項１と同
様に作用するほか、接続手段が、レーザー照射などによ
って切断される第１及び第２の切断点を有しているた
め、チップ形成後に任意の接続を可能にする。
この発明の請求項５の発明にあっては、請求項１ない
し請求項４と同様に作用するほか、接続手段によって、
他方の長辺側に位置する第２のボンディングパッド領域
に設けられた複数のボンディングパッドとそれらに対応
する複数の信号用バッファ回路とが電気的に接続され、
短辺側に位置する第３及び第４のボンディングパッド領
域に設けられた複数のボンディングパッドとそれらに対
応する複数の信号用バッファ回路とが電気的に非接続と
されるため、パッケージの２つの長辺にリード端子が設
けられたものに対して、半導体基板の面積に対する制限
が取り除かれる。
この発明の請求項６の発明にあっては、請求項１ない
し請求項４と同様に作用するほか、接続手段によって、
短辺側に位置する第３及び第４のボンディングパッド領
域に設けられた複数のボンディングパッドとそれらに対
応する複数の信号用バッファ回路とが電気的に接続さ
れ、他方の長辺側に位置する第２のボンディングパッド
領域に設けられた複数のボンディングパッドとそれらに
対応する複数の信号用バッファ回路とが電気的に非接続
とされるため、パッケージの１つの長辺のみにリード端
子が設けられたものに対して、半導体基板の面積に対す
る制限が取り除かれる。
この発明の請求項７の発明にあっては、接続手段によ
って、他方の長辺側に位置する第２のボンディングパッ
ド領域に設けられた複数のボンディングパッドとそれら
に対応する複数の信号用バッファ回路とが電気的に接続
され、短辺側に位置する第３及び第４のボンディングパ
ッド領域に設けられた複数のボンディングパッドとそれ
らに対応する複数の信号用バッファ回路とが電気的に非
接続されるため、パッケージの２つの長辺にリード端子
が設けられたものに対して、半導体基板の面積に対する
制限が取り除かれる。
この発明の請求項８の発明にあっては、接続手段によ
って、短辺側に位置する第３及び第４のボンディングパ
ッド領域に設けられた複数のボンディングパッドとそれ
らに対応する複数の信号用バッファ回路とが電気的に接
続され、他方の長辺側に位置する第２のボンディングパ
ッド領域に設けられた複数のボンディングパッドとそれ
らに対応する複数の信号用バッファ回路とが電気的に非
接続とされるため、パッケージの１つの長辺のみにリー
ド端子が設けられたものに対して、半導体基板の面積に
対する制限が取り除かれる。
〔実施例〕
本発明に関る半導体装置の一例の部分平面を第１図及
び第２図に示す。第１図及び第２図において、第５図及
び第６図と同一、または相当する部分については同一の
符号を付し、説明を省略する。
また、第１図及び第２図は、一方の短辺側しか示して
いないが、他方の短辺側においても、ボンディングパッ
ドとリードフレーム（リード端子）との関係は同様にな
っているものである。
第１図及び第２図において、ボンデイングパッドの4a
と5a、4bと5b、4cと5c、4dと5d、4eと5eには、それぞれ
同一の信号が対応しており、それらは切換えることがで
きる。その切換えの手段の一例の部分平面図を、第３図
ａ及び第３図ｂに示す。第３図ａ及び第３図ｂにおい
て、１は半導体基板であり、３は回路領域であり、11は
内部配線であり、12は内部バッファ回路であり、B1及び
B2は共に同一の信号に対応する互いに隔たったボンデイ
ングパッドである。この例では、内部配線11の素材はア
ルミニウムとする。半導体装置の製造過程において、内
部配線11を生成する際に、異なる２つのマスクパターン
を用いることによって、内部配線11のつながるボンデイ
ングパッドを、第３図ａのようにボンデイングパッドB1
にも、第３図ｂのようにボンデイングパッドB2にもする
ことができ、結果として、ボンデイングパッドB1とボン
デイングパッドB2を切換えることができる。この手段に
は、第12図に示した手段と比較して、余分な切換用の素
子や内部配線11を必要としないという利点がある。
上記のような手段でボンデイングパッドの4aと5a、4b
と5b、4cと5c、4dと5d、4eと5eを切換えることが可能な
半導体基板１を20ピンSOJに装着した一例の部分平面図
が第１図である。第１図に示すように、半導体基板１の
長辺方向両側にあるボンデイングパッドのみをボンデイ
ングに用いるので、第19図に示したような問題点は生じ
ず、より大きな面積の半導体基板１をSOJに装着するこ
とが可能になる。また、同様に、ボンデイングパッドの
4aと5a、4bと5b、4cと5c、4dと5d、4eと5eを切換えるこ
とが可能な半導体基板１を20ピンZIPに装着した一例の
部分平面図を第２図に示す。第２図に示すように、半導
体基板の長辺方向片側および短辺方向両側にあるボンデ
イングパッドのみをボンデイングに用いるので、第６図
に示したような問題点は生じず、より大きな面積の半導
体基板１をZIPに装着することが可能になる。
なお、上記実施例においては内部配線11はアルミニウ
ムとしたが、アルミニウム以外の導電性の素材の内部配
線11を用いても本発明は同様の効果を奏する。また、ボ
ンデイングパッドの切換え手段として第12図に示した手
段を用いても、本発明は同様の効果を奏する。さらに、
第３図ｃ、第３図ｄ、第３図ｅに示した手段も、同様に
ボンデイングパッドの切換えに用いることができる。第
３図ｃ、第３図ｄ、第３図ｅにおいて、第３図ａ及び第
３図ｂと同一または相当する部分には同一の符号を付
し、説明を省略する。第３図ｃのようにボンデイングパ
ッドB1とボンデイングパッドB2の両方に内部配線11が結
線された半導体基板１において、第１の切断点C1か、又
は第２の切断点C2かのいずれかをレーザー照射などの手
段で切断することにより、ボンデイングパッドB1とボン
デイングパッドB2を、第３図ｄと第３図ｅに示すように
選択する。
また、上記実施例では20ピンSOJと20ピンZIPを例示し
たが、本発明は、半導体装置のパッケージの向い合う二
辺にリード端子を設けることを要するパッケージ規格
と、半導体装置のパッケージの一辺のみにリード端子を
設けることを要するパッケージ規格の両者いずれにも適
した半導体装置に広く応用することができる。
〔発明の効果〕
この発明の請求項１の発明は、他方の長辺側に位置す
る第２のボンディングパッド領域に設けられた複数のボ
ンディングパッド、または短辺側に位置する第３及び第
４のボンディングパッド領域に設けられた、第２のボン
ディングパッド領域に設けられた複数のボンディングパ
ッドに同一信号が対応する複数のボンディングパッドの
どちらか一方と、それらに対応する複数の信号用バッフ
ァ回路とが接続手段によって電気的に接続されるので、
パッケージの２つの長辺にリード端子が設けられたもの
とパッケージの１つの長辺のみにリード端子が設けられ
たものとに対して、半導体装置の面積に対する制限が取
り除かれ、半導体基板として大きな面積のものを用いる
ことができるという効果を有する。
この発明の請求項２の発明は、請求項１と同様の効果
を奏するほか、接続手段が配線であるため、配線パター
ンの形成時に必要とする配線だけの形成で良く、余分な
切り換え用の素子や内部配線を必要としないという効果
を有する。
この発明の請求項３の発明は、請求項１と同様の効果
を奏するほか、接続手段が、一方だけが導通状態とされ
る第１及び第２のスイッチング手段を有しているため、
ボンディングワイヤの接続時に任意の接続を行うことが
でき、複数種のパッケージに対して同じチップを形成し
ておけるという効果を有する。
この発明の請求項４の発明は、請求項１と同様の効果
を奏するほか、接続手段が、レーザー照射などによって
切断される第１及び第２の切断点を有しているため、チ
ップ形成時に任意の接続を行うことができ、複数種のパ
ッケージに対して同じチップを形成しておけるという効
果を有する。
この発明の請求項５の発明は、請求項１ないし請求項
４と同様の効果を奏するほか、接続手段によって、他方
の長辺側に位置する第２のボンディングパッド領域に設
けられた複数のボンディングパッドとそれらに対応する
複数の信号用バッファ回路とを電気的に接続し、短辺側
に位置する第３及び第４のボンディングパッド領域に設
けられた複数のボンディングパッドとそれらに対応する
複数の信号用バッファ回路とを電気的に非接続とするの
で、パッケージの２つの長辺にリード端子が設けられた
ものに対して、半導体基板の面積に対する制限が取り除
かれ、半導体基板として大きな面積のものを用いること
ができるという効果を有する。
この発明の請求項６の発明は、請求項１ないし請求項
４と同様の効果を奏するほか、接続手段によって、短辺
側に位置する第３及び第４のボンディングパッド領域に
設けられた複数のボンディングパッドとそれらに対応す
る複数の信号用バッファ回路とを電気的に接続し、他方
の長辺側に位置する第２のボンディングパッド領域に設
けられた複数のボンディングパッドとそれらに対応する
複数の信号用バッファ回路とを電気的に非接続とするの
で、パッケージの１つの長辺のみにリード端子が設けら
れたものに対して、半導体基板の面積に対する制限が取
り除かれ、半導体基板として大きな面積のものを用いる
ことができるという効果を有する。
この発明の請求項７の発明は、接続手段によって、他
方の長辺側に位置する第２のボンディングパッド領域に
設けられた複数のボンディングパッドとそれらに対応す
る複数の信号用バッファ回路とを電気的に接続し、短辺
側に位置する第３及び第４のボンディングパッド領域に
設けられた複数のボンディングパッドとそれらに対応す
る複数の信号用バッファ回路とを電気的に非接続とする
ので、パッケージの２つの長辺にリード端子が設けられ
たものに対して、半導体基板の面積に対する制限が取り
除かれ、大きな面積の半導体基板がパッケージに収納さ
れた半導体装置を得ることができるという効果を有す
る。
この発明の請求項８の発明は、接続手段によって、短
辺側に位置する第３及び第４のボンディングパッド領域
に設けられた複数のボンディングパッドとそれらに対応
する複数の信号用バッファ回路とを電気的に接続し、他
方の長辺側に位置する第２のボンディングパッド領域に
設けられた複数のボンディングパッドとそれらに対応す
る複数の信号用バッファ回路とを電気的に非接続とする
ので、パッケージの１つの長辺のみにリード端子が設け
られたものに対して、半導体基板の面積に対する制限が
取り除かれ、大きな面積の半導体基板がパッケージに収
納された半導体装置を得ることができるという効果を有
する。
【図面の簡単な説明】
第１図、第２図及び第３図は、本発明に関る半導体装置
の一例の部分平面図である。第４図、第９図、第13図〜
第19図は、従来の半導体装置の例を示す平面図である。
第５図、第６図、第10図〜第12図は、従来の半導体装置
の例を示す部分平面図である。第７図、第８図は、従来
の半導体装置の例を示す斜視図である。 図において、１は半導体基板、２はSOJ、３は回路領
域、4a〜4e、5a〜5e、6a〜6eはボンデイングパッド、７
はリードフレーム、８はボンデイングワイヤ、９はZIP
である。 なお、各図中同一符号は同一又は相当部分を示す。

Claims (8)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】信号が入力されるため、または信号を出力
    するための複数の信号用バッファ回路及び内部回路が形
    成される回路領域と、一方の長辺側に位置する第１のボ
    ンディングパッド領域と、他方の長辺側に位置する第２
    のボンディングパッド領域と、一方の短辺側に位置する
    第３のボンディングパッド領域と、他方の短辺側に位置
    する第４のボンディングパッド領域とを有する半導体基
    板、 上記半導体基板の第１のボンディングパッド領域に設け
    られ、それぞれが回路領域に形成された対応する信号用
    バッファ回路に電気的に接続される複数のボンディング
    パッド、 上記半導体基板の第２のボンディングパッド領域に設け
    られ、それぞれが回路領域に形成された信号用バッファ
    回路に対応して設けられる複数のボンディングパッド、 上記半導体基板の第３及び第４のボンディングパッド領
    域に設けられ、それぞれが上記第２のボンディングパッ
    ド領域に設けられた複数のボンディングパッドに、同一
    信号が対応して設けられる複数のボンディングパッド、 上記半導体基板に設けられ、上記第２のボンディングパ
    ッド領域に設けられた複数のボンディングパッドまたは
    上記第３及び第４のボンディングパッド領域に設けられ
    た複数のボンディングパッドのどちらか一方と、対応す
    る複数の信号用バッファ回路とを電気的に接続する接続
    手段 を備えた半導体装置。
  2. 【請求項２】接続手段は、信号用バッファ回路と、第２
    のボンディングパッド領域に設けられた対応するボンデ
    ィングパッドまたは第３及び第４のボンディングパッド
    領域に設けられた対応するボンディングパッドのどちら
    か一方とを電気的に接続する配線であることを特徴とす
    る請求項１に記載の半導体装置。
  3. 【請求項３】接続手段は、第２のボンディングパッド領
    域に設けられた複数のボンディングパッドに対応して設
    けられる複数の接続部を有し、 各接続部は、対応する信号用バッファ回路と第２のボン
    ディングパッド領域に設けられた対応するボンディング
    パッドとの間に接続された第１のスイッチング手段と、 対応する信号用バッファ回路と第３及び第４のボンディ
    ングパッド領域に設けられた対応するボンディングパッ
    ドとの間に接続された第２のスイッチング手段と を有していることを特徴とする請求項１に記載の半導体
    装置。
  4. 【請求項４】接続手段は、第２のボンディングパッド領
    域に設けられた複数のボンディングパッドに対応して設
    けられる複数の接続部を有し、 各接続部は、対応する信号用バッファ回路と第２のボン
    ディングパッド領域に設けられた対応するボンディング
    パッドとの間に接続されたレーザー照射などによって切
    断される第１の切断点と、 対応する信号用バッファ回路と第３及び第４のボンディ
    ングパッド領域に設けられた対応するボンディングパッ
    ドとの間に接続されたレーザー照射などによって切断さ
    れる第２の切断点と を有していることを特徴とする請求項１に記載の半導体
    装置。
  5. 【請求項５】接続手段は、第２のボンディングパッド領
    域に設けられた複数のボンディングパッドと対応する複
    数の信号用バッファ回路とを電気的に接続し、第３及び
    第４のボンディングパッド領域に設けられた複数のボン
    ディングパッドと対応する複数の信号用バッファ回路と
    を電気的に非接続とすることを特徴とする請求項１ない
    し請求項４のいずれかに記載の半導体装置。
  6. 【請求項６】接続手段は、第３及び第４のボンディング
    パッド領域に設けられた複数のボンディングパッドと対
    応する複数の信号用バッファ回路とを電気的に接続し、
    第２のボンディングパッド領域に設けられた複数のボン
    ディングパッドと対応する複数の信号用バッファ回路と
    を電気的に非接続とすることを特徴とする請求項１ない
    し請求項４のいずれかに記載の半導体装置。
  7. 【請求項７】信号が入力されるため、または信号を出力
    するための複数の信号用バッファ回路及び内部回路が形
    成される回路領域と、一方の長辺側に位置する第１のボ
    ンディングパッド領域と、他方の長辺側に位置する第２
    のボンディングパッド領域と、一方の短辺側に位置する
    第３のボンディングパッド領域と、他方の短辺側に位置
    する第４のボンディングパッド領域とを有する半導体基
    板、 上記半導体基板の第１のボンディングパッド領域に設け
    られ、それぞれが回路領域に形成された対応する信号用
    バッファ回路に電気的に接続される複数のボンディング
    パッド、 上記半導体基板の第２のボンディングパッド領域に設け
    られ、それぞれが回路領域に形成された信号用バッファ
    回路に対応して設けられる複数のボンディングパッド、 上記半導体基板の第３及び第４のボンディングパッド領
    域に設けられ、それぞれが上記第２のボンディングパッ
    ド領域に設けられた複数のボンディングパッドに対応し
    て設けられる複数のボンディングパッド、 上記半導体基板に設けられ、上記第２のボンディングパ
    ッド領域に設けられた複数のボンディングパッドと対応
    する複数の信号用バッファ回路とを電気的に接続し、上
    記第３及び第４のボンディングパッド領域に設けられた
    複数のボンディングパッドと対応する複数の信号用バッ
    ファ回路とを電気的に非接続とする接続手段、 上記半導体基板を収納するパッケージ、 一端が上記パッケージ内にて上記半導体基板の一方の長
    辺と対向して位置するとともに、他端が上記半導体基板
    の一方の長辺側にて上記パッケージ外部に延在する複数
    のリード端子、 一端が上記パッケージ内にて上記半導体基板の他方の長
    辺と対向して位置するとともに、他端が上記半導体基板
    の他方の長辺側にて上記パッケージ外部に延在する複数
    のリード端子、 一端が上記半導体基板の一方の長辺と対向して位置する
    複数のリード端子の一端と上記第１のボンディングパッ
    ド領域に設けられた複数のボンディングパッドとをそれ
    ぞれ接続する複数のボンディングワイヤ、 一端が上記半導体基板の他方の長辺と対向して位置する
    複数のリード端子の一端と上記第２のボンディングパッ
    ド領域に設けられた複数のボンディングパッドとをそれ
    ぞれ接続する複数のボンディングワイヤ を備えた半導体装置。
  8. 【請求項８】信号が入力されるため、または信号を出力
    するための複数の信号用バッファ回路及び内部回路が形
    成される回路領域と、一方の長辺側に位置する第１のボ
    ンディングパッド領域と、他方の長辺側に位置する第２
    のボンディングパッド領域と、一方の短辺側に位置する
    第３のボンディングパッド領域と、他方の短辺側に位置
    する第４のボンディングパッド領域とを有する半導体基
    板、 上記半導体基板の第１のボンディングパッド領域に設け
    られ、それぞれが回路領域に形成された対応する信号用
    バッファ回路に電気的に接続される複数のボンディング
    パッド、 上記半導体基板の第２のボンディングパッド領域に設け
    られ、それぞれが回路領域に形成された信号用バッファ
    回路に対応して設けられる複数のボンディングパッド、 上記半導体基板の第３及び第４のボンディングパッド領
    域に設けられ、それぞれが上記第２のボンディングパッ
    ド領域に設けられた複数のボンディングパッドに対応し
    て設けられる複数のボンディングパッド、 上記半導体基板に設けられ、上記第３及び第４のボンデ
    ィングパッド領域に設けられた複数のボンディングパッ
    ドと対応する複数の信号用バッファ回路とを電気的に接
    続し、上記第２のボンディングパッド領域に設けられた
    複数のボンディングパッドと対応する複数の信号用バッ
    ファ回路とを電気的に非接続とする接続手段、 上記半導体基板を収納するパッケージ、 一端が上記パッケージ内にて上記半導体基板の一方の長
    辺と対向して位置するとともに、他端が上記半導体基板
    の一方の長辺側にて上記パッケージ外部に延在する複数
    のリード端子、 一端が上記パッケージ内にて上記半導体基板の一方の短
    辺と対向して位置するとともに、他端が上記半導体基板
    の一方の長辺側にて上記パッケージ外部に延在する複数
    のリード端子、 一端が上記パッケージ内にて上記半導体基板の他方の短
    辺と対向して位置するとともに、他端が上記半導体基板
    の一方の長辺側にて上記パッケージ外部に延在する複数
    のリード端子、 一端が上記半導体基板の一方の長辺と対向して位置する
    複数のリード端子の一端と上記第１のボンディングパッ
    ド領域に設けられた複数のボンディングパッドとをそれ
    ぞれ接続する複数のボンディングワイヤ、 一端が上記半導体基板の一方の短辺と対向して位置する
    複数のリード端子の一端と上記第３のボンディングパッ
    ド領域に設けられた複数のボンディングパッドとをそれ
    ぞれ接続する複数のボンディングワイヤ、 一端が上記半導体基板の他方の短辺と対向して位置する
    複数のリード端子の一端と上記第４のボンディングパッ
    ド領域に設けられた複数のボンディングパッドとをそれ
    ぞれ接続する複数のボンディングワイヤ を備えた半導体装置。
JP63252318A 1988-10-06 1988-10-06 半導体装置 Expired - Lifetime JP2560805B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63252318A JP2560805B2 (ja) 1988-10-06 1988-10-06 半導体装置
US07/331,358 US4974053A (en) 1988-10-06 1989-03-31 Semiconductor device for multiple packaging configurations

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63252318A JP2560805B2 (ja) 1988-10-06 1988-10-06 半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0298950A JPH0298950A (ja) 1990-04-11
JP2560805B2 true JP2560805B2 (ja) 1996-12-04

Family

ID=17235587

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63252318A Expired - Lifetime JP2560805B2 (ja) 1988-10-06 1988-10-06 半導体装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US4974053A (ja)
JP (1) JP2560805B2 (ja)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5208782A (en) * 1989-02-09 1993-05-04 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit device having a plurality of memory blocks and a lead on chip (LOC) arrangement
US5217917A (en) * 1990-03-20 1993-06-08 Hitachi, Ltd. Semiconductor memory device with improved substrate arrangement to permit forming a plurality of different types of random access memory, and a testing method therefor
JP2531827B2 (ja) * 1990-04-25 1996-09-04 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
JP2925337B2 (ja) * 1990-12-27 1999-07-28 株式会社東芝 半導体装置
US5436197A (en) * 1993-09-07 1995-07-25 Motorola, Inc. Method of manufacturing a bonding pad structure
JP3462921B2 (ja) * 1995-02-14 2003-11-05 三菱電機株式会社 半導体装置
US5796171A (en) * 1996-06-07 1998-08-18 Lsi Logic Corporation Progressive staggered bonding pads
JPH1022299A (ja) * 1996-07-08 1998-01-23 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体集積回路
US6362426B1 (en) * 1998-01-09 2002-03-26 Micron Technology, Inc. Radiused leadframe
US5936877A (en) 1998-02-13 1999-08-10 Micron Technology, Inc. Die architecture accommodating high-speed semiconductor devices
JP5214082B2 (ja) * 2001-07-25 2013-06-19 インヴェンサス・コーポレイション 半導体装置
KR100719376B1 (ko) * 2006-01-05 2007-05-17 삼성전자주식회사 실장 불량을 줄일 수 있는 패드 구조체를 구비하는 반도체장치
GB201300744D0 (en) * 2013-01-16 2013-02-27 Acuregen Ltd An Intradermal Needle
DE112014006418T5 (de) 2014-04-25 2016-12-15 Intel Corporation Package-Substrat für integrierte Schaltungen

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57207356A (en) * 1981-06-15 1982-12-20 Fujitsu Ltd Semiconductor device
JPS59125644A (ja) * 1982-12-29 1984-07-20 Fujitsu Ltd 半導体装置
JPS6032534A (ja) * 1983-08-02 1985-02-19 Sanyo Electric Co Ltd 小型電動機
JPH0763066B2 (ja) * 1983-06-29 1995-07-05 富士通株式会社 半導体装置
JPS6010651A (ja) * 1983-06-30 1985-01-19 Toshiba Corp 半導体装置
JPS6046041A (ja) * 1983-08-24 1985-03-12 Nec Corp 半導体装置
JPS6098652A (ja) * 1983-11-02 1985-06-01 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JPS60198835A (ja) * 1984-03-23 1985-10-08 Nec Corp 半導体記憶装置
FR2569944B1 (fr) * 1984-09-07 1987-11-27 Rockall France Sa Ste Nle Bouton d'oreille inviolable pour le marquage du betail
JPS6242552A (ja) * 1985-08-20 1987-02-24 Fujitsu Ltd 半導体装置
JPS62109333A (ja) * 1985-11-04 1987-05-20 インタ−ナショナル　ビジネス　マシ−ンズ　コ−ポレ−ション 半導体パツケ−ジ
JPS62114256A (ja) * 1985-11-13 1987-05-26 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
US4789889A (en) * 1985-11-20 1988-12-06 Ge Solid State Patents, Inc. Integrated circuit device having slanted peripheral circuits
JPS62122139A (ja) * 1985-11-21 1987-06-03 Nec Corp 半導体記憶装置
JP2605687B2 (ja) * 1986-04-17 1997-04-30 三菱電機株式会社 半導体装置
JP2601838B2 (ja) * 1987-09-19 1997-04-16 株式会社日立製作所 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
JPS6481253A (en) * 1987-09-22 1989-03-27 Nec Corp Package of semiconductor integrated circuit

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0298950A (ja) 1990-04-11
US4974053A (en) 1990-11-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6337579B1 (en) Multichip semiconductor device
US5373188A (en) Packaged semiconductor device including multiple semiconductor chips and cross-over lead
JP2537014B2 (ja) 電子素子用リ―ドフレ―ム・パッケ―ジ
US6348400B1 (en) Method and apparatus for implementing selected functionality on an integrated circuit device
JP2605687B2 (ja) 半導体装置
JP2560805B2 (ja) 半導体装置
US5164817A (en) Distributed clock tree scheme in semiconductor packages
US5300796A (en) Semiconductor device having an internal cell array region and a peripheral region surrounding the internal cell array for providing input/output basic cells
JPH04307943A (ja) 半導体装置
JPS61117858A (ja) 半導体装置
US5304737A (en) Semiconductor package
US5554881A (en) Constitution of an electrode arrangement in a semiconductor element
US5869884A (en) Semiconductor device having lead terminal on only one side of a package
JPS617657A (ja) マルチチツプパツケ−ジ
JPH0697666A (ja) 電子装置
JPS629654A (ja) 集積回路装置実装パツケ−ジ
JP2915319B2 (ja) 半導体装置
JP2555991B2 (ja) パッケージ
JPS6251231A (ja) 半導体集積回路装置
KR950013050B1 (ko) 엘오씨(Lead On Chip)용 리드 프레임
JPH1027863A (ja) 半導体装置
JPH0297049A (ja) 集積回路用パッケージ装置
JPS6037758A (ja) 半導体装置
JPH10313088A (ja) 半導体素子、および、半導体装置とその製造方法
JPH0795581B2 (ja) 半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080919

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080919

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090919

Year of fee payment: 13

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090919

Year of fee payment: 13