JP3921327B2

JP3921327B2 - セラミックヒータ及びその製造方法

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Publication number: JP3921327B2
Application number: JP2000114313A
Authority: JP
Inventors: 智田中; 英治蔵原
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2000-04-14
Filing date: 2000-04-14
Publication date: 2007-05-30
Anticipated expiration: 2020-04-14
Also published as: US20010042746A1; US6787741B2; US6512210B2; US20030146206A1; DE10100125A1; DE10100125B4; JP2001297856A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、自動車用の空燃比検知センサ加熱用ヒータや気化器用ヒータ、半田ごて用ヒータなどに使用するセラミックヒータに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、アルミナを主成分とするセラミックス中に、Ｗ、Ｒｅ、Ｍｏ等の高融点金属からなる発熱抵抗体を埋設してなるアルミナセラミックヒータが、一般的に用いられている（特開昭６３−９８６０号、６３−５８４７９号公報等参照）。
【０００３】
例えば、円柱状のセラミックヒータを製造する場合は、図１に示すようにセラミックロッド２とセラミックグリーンシート３を用意し、セラミックグリーンシート３の一方面にＷ、Ｒｅ、Ｍｏ等の高融点金属のペーストを印刷して発熱抵抗体４とリード引出部６を形成した後、これらを形成した面が内側となるようにセラミックグリーンシート３を上記セラミックロッド２の周囲に巻付け、全体を焼成一体化することによりセラミックヒータ１を得ることができる。
【０００４】
この時、セラミックグリーンシート３上には、発熱抵抗体４に直接リード引出部６が接続され、該リード引出部６の末端にスルーホール７が形成され裏面の電極パッド８と該リード引出部６がスルーホール７で接続されている。スルーホール７には、必要に応じて導体ペーストが注入される。
【０００５】
そして、最終的なセラミックヒータ１では、図２に示すように側面に露出した電極パッド８にリード部材１０をロウ材層９によりロウ付けして接合し、このリード部材１０から通電することにより発熱抵抗体４が発熱するようになっていた。
【０００６】
セラミックヒータ１として、上記のようにリード部材１０をロウ付けせず、前記電極パッド８に外部端子を押圧するタイプのものもあるが、現在の市場動向からすると、上記のようにリード部材１０をロウ付けするタイプが主流となりつつある。
【０００７】
ロウ付けに際し、図３に示すように高融点金属からなる電極パッド８上には、Ｎｉ、Ｃｒ等の耐熱金属材料からなるメッキ層１１を形成し、その上にＦｅ−Ｎｉ合金やＮｉ、Ｃｒ等を含有する耐熱金属材料からなるリード部材１０をロウ付けするようにしていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、高融点金属からなる電極パッド８上にメッキ層１１を形成し、耐熱金属材料からなるリード部材１０をロウ付けした際に、ロウ付け強度が著しく低下するものが発生するという問題があった。
【０００９】
このロウ付け強度が著しく低下するものは、ロウ付け後のロウ材層９のメニスカスを観察すると、図７（ａ）、（ｂ）に示すような空隙部１２が発生していることが判った。
【００１０】
また、ロウ材層９のメニスカスと電極パッド８の大きさの関係について、ロウ材層９のメニスカスの端部が電極パッド８の端部まで達していると、引っ張り応力がかかった際にここから電極剥離が発生し断線するという問題があった。
【００１１】
また、リード部材１０がＮｉまたはＦｅ−Ｎｉ合金からなる場合、ロウ付け等の処理によりＦｅ−Ｎｉ合金の結晶粒径が大きくなり、振動と熱サイクルによる繰り返し疲労でロウ材層９近傍のリード部材１０にクラックが発生するという問題があった。
【００１２】
さらに、発熱抵抗体４に欠陥があると、その部分が異常発熱し、これによりさらに抵抗が増加して耐久性が劣化するという問題があった。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、鋭意検討した結果、セラミック体中に高融点金属を主成分とする発熱抵抗体を埋設し、前処理としてＰｄを含有する活性液に浸漬し、前記発熱抵抗体の端部に接続する電極パッド上にメッキ層を形成し、該メッキ層を介してリード部材をロウ材層により固定したセラミックヒータにおいて、前記ロウ材層中に含まれるＰｄの濃度が５００ｐｐｍ以下とすることにより、上記課題を解決できることを見出した。
【００１５】
また、前記電極パッドの端部からロウ材層の端部までの距離を０．２ｍｍ以上とすることによりロウ付け部の引っ張り強度を向上させることができた。
【００１６】
さらに、前記リード部材がＮｉもしくはＦｅ−Ｎｉ合金からなり、その平均粒径を４００μｍ以下とすることにより、振動および熱サイクル試験におけるクラックの発生を防止できる事が判った。
【００１７】
そして、発熱抵抗体のパターン欠陥については、上記発熱抵抗体のパターン欠陥の幅をパターン幅の１／２以下とすることにより、耐久性を向上できることが判った。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下本発明のセラミックヒータの実施の形態を、図１を用いて説明する。これは、セラミックヒータ１の展開図を示した図である。
【００１９】
セラミックグリーンシート３の表面には、発熱抵抗体４とリード引出部６が形成され、さらに、その裏面側に形成される電極パッド８との間をスルーホール７で接合した構造となっている。こうして準備されたセラミックグリーンシート３をセラミックロッド２の表面に、前記発熱抵抗体４が内側になるように密着焼成することによりセラミックヒータ１とする。
【００２０】
この焼結したセラミックヒータ１の電極パッド８には、図３に示すように焼成後メッキ層１１を形成する。このメッキ層１１は、リード部材１０を電極パッド８の表面にロウ付けする際に、ロウ材の流れを良くし、ロウ付け強度を増すためである。通常１〜５μｍ厚みのメッキ層１１を形成する。メッキ層１１の材質としては、Ｎｉ、Ｃｒ、もしくはこれらを主成分とする複合材料を使用することができる。
【００２１】
このメッキ層１１を形成する場合、メッキ厚みを管理するために、通常無電解メッキを使用する。無電解メッキを使用する場合、メッキの前処理としてＰｄを含有する活性液に浸漬する。このＰｄが、メッキ処理後メッキ層１１に残留し、ロウ付け時にロウ材層９に拡散する場合がある。
【００２２】
このロウ材層９に含有されるＰｄの含有量が５００ｐｐｍを越えると、ロウ付け部の強度が低下し、リード部１０が電極パッド８から容易に剥離するようになるので、好ましくない。これに対し、ロウ材層９に含有されるＰｄの含有量を５００ｐｐｍ以下にすれば、良好なロウ付け強度を維持できる。
【００２３】
活性液中のＰｄは、電極パッド８の表面に単層吸着することが好ましい。通常は、このようにして単層吸着したＰｄが、無電解メッキを施した際にメッキする金属と置換され、この金属層を核にメッキ層１１が形成される。ロウ材層９中のＰｄ量が増加する理由は、活性化処理時の活性液中のＰｄ濃度が高すぎたり、活性化処理の時間が長すぎたりすると、電極パッド８表面にＰｄが多層吸着され、メッキ時に十分置換されず残留するためと推定される。
【００２４】
活性液中のＰｄの濃度を９０ｐｐｍ以下にし、処理時間を２０分以下にすればロウ材層９に含有されるＰｄの量を５００ｐｐｍ以下に安定して調節することができる。通常、このＰｄによる活性化処理は４０〜８０℃、好ましくは６０±５℃程度の温度で処理される。
【００２５】
また、ロウ材層９の外観については、図７（ａ）、（ｂ）に示すようなロウ材層９のメニスカスの中央付近に内部に向かう空隙部１２が、実質的に存在しないことが好ましい。図６に示すように、Ｐｄ量を５００ｐｐｍ以下に管理したロウ材層９には、ロウ材の結晶粒界と思われる浅い溝が亀の甲状に形成されているが、図７（ａ）（ｂ）に示すような深い空隙部１２は存在しない。このように、ロウ材層９に空隙部１２が存在するものと、ロウ材層９の強度が低下するものとは、相関がある。この空隙部１２は、ロウ材層９が冷却されるとき最後に固化する部分に空隙部１２が発生しているように見える。この空隙部１２は、図７（ｂ）に示すようにロウ材層９を横断するように形成されている部分もある。そして、空隙部１２の内部に、後から形成したメッキ層１１が入り込んでいることが確認できる。
【００２６】
また、原因は判らないが、Ｐｄの含有量が増えるに従って、ロウ材層９のＨｖ硬度が低下する傾向になることが判っている。これは、Ｐｄ含有量が増えると空隙部１２が多くなりこれによってＨｖ硬度が低下するものと思われる。
【００２７】
さらに、メッキ処理はロウ付けの前後に実施する場合が多いが、特に、ロウ付け前に実施するメッキに関する活性化処理のＰｄ量の調整が重要である。
【００２８】
また、活性液には、Ｐｄとともに活性液の安定剤としてＰｂが使用されている。このＰｂの濃度は、Ｐｄに対し同等か若干少な目に調整されているが、このＰｂも処理条件によりＰｄの残留とほとんど比例的にロウ材層９中に含有されるようになる。そのため、できるだけＰｂ量に関しても少ない活性液とすることが好ましい。
【００２９】
リード部１０を固定するロウ材層９としては、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｕ−Ｃｕ、Ａｕ−Ｎｉ、Ａｇ、Ａｇ−Ｃｕ系のロウ材が使用される。好ましくは、Ａｕ−Ｃｕロウとしては、Ａｕ含有量が２５〜９５重量％としＡｕ−ＮｉロウとしてはＡｕ含有量が５０〜９５重量％とすると、ロウ付け温度を１０００℃程度に設定でき、ロウ付け後の残留応力を低減できるので良い。また、湿度が高い雰囲気中で使用する場合、Ａｕ系、Ｃｕ系のロウ材を用いた方がマイグレーションが発生しにくくなるので好ましい。
【００３０】
また、ロウ材層９の表面には、メッキ層１３を形成することが腐食からロウ材層９を保護するために好ましい。
【００３１】
また、図４に示すように電極パッド８の端部からロウ材層９の端部までの距離ａが少なくとも０．２ｍｍ以上あるようにすることが好ましい。前記距離ａが０．２ｍｍ未満であると、電極パッド８の端部がロウ材の収縮時に引っ張られて剥離しやすくなり、ロウ付け強度が低下するので、好ましくない。
【００３２】
また、前記電極パッド８に形成されるスルーホール７の位置と前記ロウ材層９の端部との距離ｂを少なくとも０．２ｍｍ以上にすると、良好なロウ付け強度を維持することができる。これにより、メッキ層１１の表面に形成したロウ材層９が固化する際に大きく収縮し、電極パッド８を剥がしてしまうというような不具合を防止できるからである。
【００３３】
次にリード部材１０の材質としては、耐熱性良好なＮｉ系やＦｅ−Ｎｉ系合金等を使用することが好ましい。発熱抵抗体４からの熱伝達により、使用中にリード部１０の温度が上昇し、劣化する可能性があるからである。
【００３４】
中でも、リード部材１０の材質としてＮｉやＦｅ−Ｎｉ合金を使用する場合、その平均結晶粒径を４００μｍ以下とすることが好ましい。前記平均粒径が４００μｍを越えると、使用時の振動および熱サイクルにより、ロウ付け部近傍のリード部材１０が疲労し、クラックが発生するので好ましくない。他の材質についても、例えばリード部材１０の粒径がリード部材１０の厚みより大きくなると、ロウ材層９とリード部材１０の境界付近の粒界に応力が集中して、クラックが発生するので好ましくない。
【００３５】
なお、ロウ付けの際の熱処理は、試料間のバラツキを小さくするためには、ロウ材の融点より十分余裕をとった高めの温度で熱処理する必要があるが、リード部材１０の平均結晶粒径を４００μｍ以下と小さくするためには、ロウ付けの際の温度をできるだけ下げ、処理時間を短くすればよい。
【００３６】
また、セラミック体中にＷ、Ｍｏ、Ｒｅ等の高融点金属を主成分とする発熱抵抗体を埋設したセラミックヒータ１において、図５（ｃ）に示すように、発熱抵抗体４のパターン欠陥１４の幅ｄがパターン幅ｃの１／２以下とすることが好ましい。これは、前記欠陥１４の幅ｄがパターン幅ｃの１／２を越えると、この部分で局部発熱し、発熱抵抗体４の抵抗値が大きくなり、耐久性が劣化するので、好ましくない。
【００３７】
このような欠陥が発生する原因は、発熱抵抗体４をプリント形成する時に、プリント製版にゴミが付着したためパターンが欠けてしまったり、異物が混入し焼成時に焼失したりすることにより発生するものと思われる。プリントや密着工程で、生のセラミックグリーンシート３を取り扱う工程があるが、この工程の清浄度を向上させるとともに、万一の欠陥の発生に関して、上記寸法以上の欠陥を取り除くための検査工程の整備が重要である。
【００３８】
また、セラミックヒータ１の材質としては、Ａｌ₂Ｏ₃８８〜９５重量％、ＳｉＯ₂２〜７重量％、ＣａＯ０．５〜３重量％、ＭｇＯ０．５〜３重量％、ＺｒＯ₂１〜３重量％からなるアルミナを使用することが好ましい。Ａｌ₂Ｏ₃含有量をこれより少なくすると、ガラス質が多くなるため通電時のマイグレーションが大きくなるので好ましくない。また、逆にＡｌ₂Ｏ₃含有量をこれより増やすと、内蔵する発熱抵抗体４の金属層内に拡散するガラス量が減少し、セラミックヒータ１の耐久性が劣化するので好ましくない。ここで、セラミックスとしてアルミナの例を示したが、本発明で示したことは、アルミナ質セラミックスに限定されることではなく、窒化珪素質セラミックス、窒化アルミニウム質セラミックス、炭化珪素質セラミックス等、また、セラミックヒータのみならず、Ａｕ系のロウ付けを実施する全てのものに当てはまる現象である。
【００３９】
セラミックヒータの形状としては、円筒および円柱状に加え、図５（ａ）（ｂ）に示すような板状のものであっても構わない。
【００４０】
板状のセラミックヒータの製法について説明すると、セラミックグリーンシート３の表面にＷ、Ｍｏ、Ｒｅ等の高融点金属を主成分とするペーストを用いて発熱抵抗体４、リード引出部６、およびスルーホール７を形成し、その裏面には電極パッド８を形成する。そして、発熱抵抗体４を形成した面にさらに別のセラミックグリーンシート３を重ねて密着し、１５００〜１６００℃の還元雰囲気中で焼成することにより、板状のセラミックヒータ１とする。また、焼成後、電極パッド８の上にはメッキ層を形成し、リード部材１０をロウ材層９で固定した後、さらにロウ材層９の上にメッキ層を形成する。
【００４１】
また、セラミックヒータ１の寸法については、例えば外径ないしは幅が２〜２０ｍｍ、長さが４０〜２００ｍｍ程度にすることが可能である。自動車の空燃比センサ加熱用のセラミックヒータ１としては、外径ないしは幅が２〜４ｍｍ、長さが５０〜６５ｍｍとすることが好ましい。
【００４２】
さらに、自動車用の用途では、発熱抵抗体４の発熱長さが３〜１５ｍｍとなるようにすることが好ましい。発熱長さが３ｍｍより短くなると、通電時の昇温を早くすることができるが、セラミックヒータ１の耐久性を低下させる。また、発熱長さを１５ｍｍより長くすると昇温速度が遅くなり、昇温速度を早くしようとするとセラミックヒータ１の消費電力が大きくなるので好ましくない。ここで、発熱長さというのは、図１で示す発熱抵抗体４の往復パターンの部分である。この発熱長さは、その目的とする用途により、選択されるものである。
【００４３】
【実施例】
実施例１
Ａｌ₂Ｏ₃を主成分とし、ＳｉＯ₂、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＺｒＯ₂を合計１０重量％以内になるように調整したセラミックグリーンシート３を準備し、この表面に、Ｗ−Ｒｅからなる発熱抵抗体４とＷからなるリード引出部６をプリントした。また、裏面には電極パッド８をプリントした。発熱抵抗体４は、発熱長さ５ｍｍで４往復のパターンとなるように作製した。
【００４４】
そして、Ｗからなるリード引出部６の末端には、スルーホール７を形成し、
ここにペーストを注入する事により電極パッド８とリード引出部６間の導通をとった。スルーホール７の位置は、ロウ付けを実施した場合にロウ付け部９の内側に入るように形成した。こうして準備したセラミックグリーンシート３をセラミックロッド２の周囲に密着し、１５００〜１６００℃で焼成することにより、セラミックヒータ１とした。
【００４５】
その後、図３に示すように電極パッド８の表面にＰｄを含む活性液を用いた活性化処理を実施し、厚み３μｍの無電解Ｎｉメッキからなるメッキ層１１を形成し、６００℃のＨ₂−Ｎ₂気流中で熱処理した後、Ａｕ−Ｃｕロウを用いて１０２０℃でＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金からなるリード部材１０をロウ付けした。活性化処理は、活性液中のＰｄ濃度を３０ｐｐｍ、６０ｐｐｍ、９０ｐｐｍ、１００ｐｐｍ、１２０ｐｐｍ、１５０ｐｐｍと変量し、さらに処理時間を２、１０、２０、３０分、６０分と変量して、各々５０本のサンプルを作製し、ロウ付け後のロウ材層９中のＰｄ濃度と、リード部材１０の引っ張り強度を測定した。引っ張り方向は、ロウ付け面に対し垂直方向とした。また、前記活性処理液の温度は、６０±５℃として処理した。
【００４６】
また、ロウ材層９の断面を鏡面研磨し、この面について１００ｇ荷重でＨｖ硬度を測定した。測定は、５点測定しその平均値を結果として表記した。
【００４７】
なお、ロウ材層９中のＰｄ量の測定はＥＰＭＡ法により、日本電子（株）製のエレクトロンプローブＸ線マイクロアナライザＪＸＡ−８６００Ｍを用いて、加速電圧１５ｋＶ、電流３×１０^-7Ａ、分析面積５０μｍ角の条件で、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ量を定量し、ＺＡＦ法により定量補正してＰｄ含有量を評価した。
【００４８】
これらの結果を、表１に示した。
【００４９】

【００５０】
表１から判るように、リード部の接合強度が低いサンプルに共通しているのは、ロウ材中のＰｄ含有量である。ロウ材層９中のＰｄ含有量が５００ｐｐｍより多いＮｏ．６〜８、１２は、リード強度が１２０Ｎ以下と低い値になった。ロウ材層９の外観は、図７（ａ）（ｂ）に示したような空隙部１２を有しており、破壊モードは、ロウ材層９を引き裂くようなリードハガレであった。
【００５１】
これに対し、ロウ材層９中のＰｄ含有量を５００ｐｐｍ以下としたＮｏ．１〜５、９、１０、１１は、ロウ材層９の外観は、図６に示したように空隙部１２を含んでおらず、またリード部の引っ張り強度が２００Ｎ以上と高く、良好であった。破壊モードは、磁器部割れであり、ロウ付け強度が高いことを示していた。
【００５２】
また、ロウ材層９中のＰｄ含有量を５００ｐｐｍ以下にする手法については、Ｎｏ．５、６に示した活性処理液のＰｄ濃度が１００ｐｐｍのものは、ロウ材層９中のＰｄがばらつき、Ｎｏ．６のようにＰｄ含有量が６００ｐｐｍとなるものは、リード強度が低下した。また、前記濃度を１２０〜１５０ｐｐｍとしたＮｏ．７、８、および前記濃度を６０ｐｐｍとし処理時間を６０分以上としたＮｏ．１２は、リード強度が低下した。これに対し、活性液のＰｄ濃度を８０ｐｐｍ以下とし、処理時間を２０分以下としたＮｏ．１〜４、９、１０は、２００Ｎ以上の高いリード強度を安定して示した。
【００５３】
そして、リード強度が低下したＮｏ．６〜８、１２は、ロウ材層９の空隙部１２が見られた。これ以外のサンプルには空隙部１２は観察できなかった。これにより、ロウ材層９の外観の空隙部１２と強度の低下との間には、相関があることが判った。
【００５４】
また、ロウ材部９のＨｖ硬度についても、リード部材１０の引っ張り強度の高いものは、１５０程度の高い値が得られ、引っ張り強度の低いものは１２０〜１３０程度の低い値となることが確認できた。
【００５５】
実施例２
ここでは、ロウ材層９の材質とリード部材１０の引っ張り強度の関係を調査した。Ｐｄの活性化処理は実施例１のＮｏ．２と同様にして、ロウ材層９の組成をＡｕ：Ｃｕの重量比で２０：８０、３０：７０、５０：５０、７０：３０、９０：１０、Ａｕ１００としたサンプル、およびＡｕ：Ｎｉの重量比で２０：８０、３０：７０、５０：５０、７０：３０、９０：１０としたサンプルを各１０本作製した。
【００５６】
そして、これらのサンプルを４０℃と４００℃の間で３分加熱３分冷却のサイクルで熱サイクルを５０００サイクルかけて、その前後のリード部材１０の引っ張り強度を測定した。
【００５７】
結果を表２に示した。
【００５８】
【表２】

【００５９】
表２から判るように、１、２、７、８、１２は、サイクル耐久後のリード部材１０の引っ張り強度が１００Ｎ以下と低下した。これに対し、ロウ材中のＡｕ含有量が３０重量％以上としたＮｏ．３〜６、９〜１１は、耐久後も、１００Ｎ以上の引っ張り強度を維持していた。１、２、７、８、１２に共通しているのは、ロウ付け温度が１０００℃を５０℃前後越えて高めとなっている点である。
【００６０】
ただし、使用上必要な引っ張り強度は耐久後２０Ｎ程度であり、例えばＣｕ１００％のロウ材を用いてロウ付けしても２０Ｎ以上の引っ張り強度は確保できるので、使用上は問題ない。以上のように、リード部材１０を固定するロウ材層９として、Ａｕ−Ｃｕロウ、Ａｕ−Ｎｉロウ、Ｃｕロウ、Ａｕロウ等を使用できることが判った。
【００６１】
実施例３
ここでは、電極パッド８の端部からロウ材部９の端部までの距離ａと、リード部材１０の引っ張り強度の関係を調べた。前記距離ａを０．０５、０．１、０．２、０．３、０．４、０．５ｍｍと変更し、リード部材１０の引っ張り強度を測定した。
【００６２】
その他のサンプル作製工程は、実施例１と同様とした。結果は、表３に示した。
【００６３】
【表３】

【００６４】
表３に示したように、電極パッドの端部とロウ材層の端部との距離ａを０．０５、０．１としたＮｏ．１、２は、リード部材１０の引っ張り強度が１００Ｎ以下となり、好ましくなかった。破壊部を観察すると、電極パッド８の端部から電極が剥がれて破壊していることが判った。
【００６５】
これに対し、前記距離ａを０．２ｍｍ以上としたＮｏ．３〜６は１８０Ｎ以上の良好な引っ張り強度を維持していた。
【００６６】
実施例４
ここでは、電極パッド８に形成されるスルーホール７とロウ材層９のメニスカス端部との距離ｂを０．０５、０．１、０．２、０．５ｍｍと変更して、該距離ｂとリード部１０の引っ張り強度の関係を調査した。
【００６７】
その他のサンプル作製工程は、実施例１と同様とした。結果は、表４に示した。
結果は表４に示した。
【００６８】
【表４】

【００６９】
表４に示したように、スルーホール７とロウ材層９の端部の距離ｂが、０．０５、０．１ｍｍであるＮｏ．１、２は、リード部１０の引っ張り強度が１００Ｎ以下と低い値となった。また、破壊モードを確認すると、スルーホールの部分が破壊の起点となっていることが判った。
【００７０】
これに対し、前記距離ｂを０．２ｍｍ以上としたＮｏ．３〜６は、２００Ｎ以上の良好な引っ張り強度を示した。
【００７１】
実施例５
ここでは、リード部材１０の材料をＮｉもしくはＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金とし、その平均結晶粒径と熱サイクル耐久後のリード部材１０へのクラックの発生との関係を調査した。Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金の厚みは０．５ｍｍ、ロウ付けする部分の寸法は、２．５ｍｍ×２ｍｍとして、ロウ材層９の端部のクラックの発生を評価した。熱サイクルの条件は、４０℃と４００℃の間を３分加熱２分冷却のサイクルを５０００サイクルかけて評価した。また、リード部材１０の平均粒径の求め方は、リード部材１０を取り付けたセラミックヒータ１を樹脂に固定し、これを鏡面研磨したのち、エッチング処理を施して粒界を除去し、４０倍の写真を撮影し長さ１０ｃｍの線を引いてその線上にかかる粒界数を測定し、２５００μｍを粒界数で除することにより、平均粒径を求めた。
【００７２】
クラックは、４０倍の双眼顕微鏡で確認した。
【００７３】
結果を表５に示した。
【００７４】
【表５】

【００７５】
表５から判るように、リード部材１０の金属の平均粒径が４００μｍを越える値となったＮｏ．４およびＮｏ．８は、熱サイクル試験後の外観を観察したところ、リード部材１０とロウ材層９の端部にクラックが発生していた。これに対し、前記粒径が４００μｍ以下であるＮｏ．１〜３、５〜７には、クラックが発生しなかった。
【００７６】
実施例６
ここでは、発熱抵抗体パターンに存在するパターン欠陥とセラミックヒータ１の耐久性の関係を調査した。まず、セラミックグリーンシート３の表面に発熱抵抗体４とリード引出部６を形成する。そして、前記発熱抵抗体４の一部を除去し意図的に欠陥を発生させた後、その裏面側に形成される電極パッド８との間をスルーホール７を形成し、こうして準備されたセラミックグリーンシート３をセラミックロッド２の表面に、前記発熱抵抗体４が内側になるように密着焼成することによりセラミックヒータ１を得た。前記欠陥の幅ｄを、パターン幅ｃに対し１／１０、２／１０、３／１０、４／１０、５／１０、６／１０、７／１０の幅とし、欠陥長さをパターン幅とした試料を作製した。
【００７７】
評価は、セラミックヒータの最高発熱部が１１００℃になる電圧を２分間印加し、２分間強制冷却するサイクルを５０００サイクル印加し、セラミックヒータ１の抵抗変化率が１０％を越えるものはＮＧとし、抵抗変化率が１０％以内であったものはＯＫとして評価した。
【００７８】
結果を表６に示した。
【００７９】
【表６】

【００８０】
表６から判るように、パターン幅に対する欠陥の幅の寸法を６／１０、７／１０としたＮｏ．６、７は、サイクルテスト後の抵抗変化率が、１０％を越えてしまった。これに対し、前記欠陥の幅を１／２以下にしたＮｏ．１〜５は、抵抗変化率が１０％以下であり、良好な耐久性を示した。
【００８１】
【発明の効果】
本発明によれば、セラミック体中に高融点金属を主成分とする発熱抵抗体を埋設し、前処理としてＰｄを含有する活性液に浸漬し、前記発熱抵抗体の端部に接続する電極パッド上にメッキ層を形成し、該メッキ層を介してリード部材をロウ材層により固定したセラミックヒータにおいて、前記ロウ材層中に含まれるＰｄの濃度が５００ｐｐｍ以下とすることにより、リード部材のロウ付け部における接合強度を向上させ、耐久性良好なセラミックヒータを得ることができるようになった。
【００８２】
また、前記リード部材の平均結晶粒子径を４００μｍ以下とすることにより、使用中の熱サイクルに対して耐久性良好なセラミックヒータとすることができる。
【００８３】
そして、発熱抵抗体のパターン欠陥の幅をパターン幅の１／２以下にすることにより、耐久性良好なセラミックヒータとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のセラミックヒータの展開斜視図である。
【図２】本発明のセラミックヒータのロウ材層の断面図である。
【図３】本発明のセラミックヒータのリード部の拡大断面図である。
【図４】本発明のセラミックヒータの電極パッド部の投影図である。
【図５】本発明の別の実施形態を示す図であり、（ａ）は展開斜視図、（ｂ）は斜視図、（ｃ）は発熱抵抗体の平面図である。
【図６】本発明のセラミックヒータのロウ付け部の斜視図である。
【図７】従来のセラミックヒータの図であり、（ａ）ロウ付け部の斜視図であり、（ｂ）は、そのＸ−Ｘ断面図である。
【符号の説明】
１：セラミックヒータ
２：セラミックロッド
３：セラミックグリーンシート
４：発熱抵抗体
６：リード引出部
７：スルーホール
８：電極パッド
９：ロウ材部
１０：リード部材
１１：メッキ部
１２：空隙部

Claims

セラミック体中に高融点金属を主成分とする発熱抵抗体を埋設し、前処理としてＰｄを含有する活性液に浸漬し、前記発熱抵抗体の端部に接続する電極パッド上に無電解メッキによってメッキ層を形成し、該メッキ層を介してリード部材をロウ材層により固定したセラミックヒータであって、
前記ロウ材層中に含まれるＰｄの濃度が５００ｐｐｍ以下であることを特徴とするセラミックヒータ。
前記ロウ材層中に内部に向かう空隙部が実質的に存在しないことを特徴とする請求項１に記載のセラミックヒータ。
前記ロウ材層がＡｕ−Ｃｕロウ、Ａｕ−Ｎｉロウ、Ｃｕロウ、Ａｕロウのいずれかであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のセラミックヒータ。
前記ロウ材層の表面に、さらにＮｉを含有するメッキ層が形成されていることを特徴とする請求項１乃至３に記載のセラミックヒータ。
前記電極パッドの端部からロウ材層の端部までの距離が０．２ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１乃至４に記載のセラミックヒータ。
前記電極パッドと発熱抵抗体の端部を接続するスルーホールの位置が、前記ロウ材層の端部から０．２ｍｍ以上離れていることを特徴とする請求項１乃至５に記載のセラミックヒータ。
前記リード部材がＮｉもしくはＦｅ−Ｎｉ合金からなり、その平均結晶粒径が４００μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至６に記載のセラミックヒータ。
前記発熱抵抗体のパターン欠陥の幅が、パターン幅の１／２以下の幅であることを特徴とする請求項１乃至７に記載のセラミックヒータ。
セラミック体中に高融点金属を主成分とする発熱体が埋設されており、該発熱抵抗体の端部に接続する電極パッド上にメッキ層を介してリード部材がロウ材層により固定されたセラミックヒータの製造方法において、
前記メッキ層を形成する工程は、
前記電極パッドを、Ｐｄ濃度が９０ｐｐｍ以下の活性液に浸漬して、処理時間を２０分以下行なう前処理工程と
前記前処理工程後、無電解メッキを行なうメッキ工程とを具えることを特徴とするセラミックヒータの製造方法。
前記ロウ材層中に含まれるＰｄの濃度が５００ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項９に記載のセラミックヒータの製造方法。