JP2000048939A - 通電デバイスおよびその製造方法 - Google Patents
通電デバイスおよびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】リード線のろう付け部の耐久性及び信頼性が高
い通電デバイスを得る。 【解決手段】発熱体４と該発熱体４とに接続した取り出
し電極部６とをセラミック体１の内部に内蔵してなるセ
ラミックヒーター等の通電デバイスにおいて、該電極部
に付着する塩素量をＥＰＭＡ分析値で２０００カウント
以下とする。
い通電デバイスを得る。 【解決手段】発熱体４と該発熱体４とに接続した取り出
し電極部６とをセラミック体１の内部に内蔵してなるセ
ラミックヒーター等の通電デバイスにおいて、該電極部
に付着する塩素量をＥＰＭＡ分析値で２０００カウント
以下とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、石油ファンヒータ
ーの点火用・気化用及び酸素濃度検出用センサーの補助
加熱ヒーターなど各種産業機種に使用するセラミックヒ
ータ、あるいは半導体素子を搭載する基板やパッケー
ジ、さらには各種電子部品等、通電して機能を持たせる
ようにした通電デバイスに関する。
ーの点火用・気化用及び酸素濃度検出用センサーの補助
加熱ヒーターなど各種産業機種に使用するセラミックヒ
ータ、あるいは半導体素子を搭載する基板やパッケー
ジ、さらには各種電子部品等、通電して機能を持たせる
ようにした通電デバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、セラミック体に、発熱体、回
路等の導体を備え、この導体に通電することによって、
何らかの機能を持たせるようにした通電デバイスが使用
されている。
路等の導体を備え、この導体に通電することによって、
何らかの機能を持たせるようにした通電デバイスが使用
されている。
【０００３】この通電デバイスの一つとして、従来から
平板・ロッド状及び管状などの形状をしたセラミックヒ
ータが使用されている。中でも、車用の排気ガスセンサ
に使用されているロッド状のヒータは、世界的な地球環
境保護の動きに連動して、使用量が増加する傾向にあ
る。
平板・ロッド状及び管状などの形状をしたセラミックヒ
ータが使用されている。中でも、車用の排気ガスセンサ
に使用されているロッド状のヒータは、世界的な地球環
境保護の動きに連動して、使用量が増加する傾向にあ
る。
【０００４】図１に、ロッド状のセラミックヒータの概
略図を示す。該セラミックヒータは、発熱体Ａと該発熱
体Ａを内蔵したセラミック体１とよりなり、該セラミッ
ク体１には、内部の発熱体Ａに電力を供給するためのリ
ード線７がロウ付けされている。
略図を示す。該セラミックヒータは、発熱体Ａと該発熱
体Ａを内蔵したセラミック体１とよりなり、該セラミッ
ク体１には、内部の発熱体Ａに電力を供給するためのリ
ード線７がロウ付けされている。
【０００５】図２に示す如く、上記セラミック体１は、
セラミック軸３に発熱体Ａを印刷したセラミックグリー
ンシート２を巻き付けた構造である。上記発熱体Ａは、
通電により発熱する発熱部４及び該発熱部４と電極部６
との電気的導通を取るための引き出し部５とよりなる。
セラミック軸３に発熱体Ａを印刷したセラミックグリー
ンシート２を巻き付けた構造である。上記発熱体Ａは、
通電により発熱する発熱部４及び該発熱部４と電極部６
との電気的導通を取るための引き出し部５とよりなる。
【０００６】上記セラミックシート２には、図１に示し
た上記発熱体Ａとリード線７とを接続するための電極部
６が設けられている。上記電極部６は、引き出し部５と
の間のセラミックシート２に導体を充填したスルーホー
ル１２を設けることより、両者を電気的に接続する。
た上記発熱体Ａとリード線７とを接続するための電極部
６が設けられている。上記電極部６は、引き出し部５と
の間のセラミックシート２に導体を充填したスルーホー
ル１２を設けることより、両者を電気的に接続する。
【０００７】上記電極部６の構造を図３に示す。タング
ステン金属をメタライズ８し、Ｎｉめっき９を施しリー
ド線７をＡｕ−Ｃｕ系、およびＡｇ系等のロウ材でロウ
付けしている。また、ヒーター使用環境により、該電極
部６の温度・湿度などをによる劣化を防ぐために、更に
Ｎｉメッキを施すものもある。なお、管状のセラミック
ヒータは、上記棒状ヒータにおけるセラミック軸３が中
空になった構造である。
ステン金属をメタライズ８し、Ｎｉめっき９を施しリー
ド線７をＡｕ−Ｃｕ系、およびＡｇ系等のロウ材でロウ
付けしている。また、ヒーター使用環境により、該電極
部６の温度・湿度などをによる劣化を防ぐために、更に
Ｎｉメッキを施すものもある。なお、管状のセラミック
ヒータは、上記棒状ヒータにおけるセラミック軸３が中
空になった構造である。
【０００８】次に板状のセラミックヒータについて図４
に示す。上記棒状のセラミックヒータと同様に発熱体Ａ
と該発熱体Ａを内蔵したセラミック体１とよりなり、該
セラミック体１には、内部の発熱体Ａに電力を供給する
ためのリード線７がロウ付けされている。
に示す。上記棒状のセラミックヒータと同様に発熱体Ａ
と該発熱体Ａを内蔵したセラミック体１とよりなり、該
セラミック体１には、内部の発熱体Ａに電力を供給する
ためのリード線７がロウ付けされている。
【０００９】図５に示す如く、上記セラミック体１は、
後述する電極部６の形状に加工されたセラミックシート
１３に発熱体をＡを印刷したセラミックシート２を積層
した構造である。上記発熱体Ａは、通電により発熱する
発熱部４及び該発熱部４と電極部６との電気的導通を取
るための引き出し部５とよりなる。
後述する電極部６の形状に加工されたセラミックシート
１３に発熱体をＡを印刷したセラミックシート２を積層
した構造である。上記発熱体Ａは、通電により発熱する
発熱部４及び該発熱部４と電極部６との電気的導通を取
るための引き出し部５とよりなる。
【００１０】上記セラミックシート２には、図４に示し
た上記発熱体Ａとリード線７とを接続するための電極部
６が設けられている。上記電極部６は、引き出し部５上
の発熱体Ａとは逆方向の端に設けられている。。
た上記発熱体Ａとリード線７とを接続するための電極部
６が設けられている。上記電極部６は、引き出し部５上
の発熱体Ａとは逆方向の端に設けられている。。
【００１１】上記電極部６の構造を図６に示す。タング
ステン金属をメタライズ８し、Ｎｉめっき９を施しリー
ド線７をＡｕ−Ｃｕ系、Ａｇ系などのロウ材でロウ付け
している。また、ヒータ使用環境により、該電極部６の
温度・湿度などを防ぐために、更にロウ材表面にＮｉめ
っきを施すものもある。
ステン金属をメタライズ８し、Ｎｉめっき９を施しリー
ド線７をＡｕ−Ｃｕ系、Ａｇ系などのロウ材でロウ付け
している。また、ヒータ使用環境により、該電極部６の
温度・湿度などを防ぐために、更にロウ材表面にＮｉめ
っきを施すものもある。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】近年のセラミックヒー
タに求められる使用環境としては、高温、多湿の厳しい
雰囲気中での高寿命・高信頼性である。例えば、自動車
用の排気ガスセンサに使用されるセラミックヒータの場
合、水の侵入により、発熱したセラミックヒータやセン
サの熱衝撃による破壊を防止するため、防水加工が施さ
れる。ところが、現実には水が直接侵入しない場合で
も、水蒸気は空気と一緒に侵入するので、セラミックヒ
ータ発熱時は、ヒータ付近は、かなり高温多湿の状態に
なる。
タに求められる使用環境としては、高温、多湿の厳しい
雰囲気中での高寿命・高信頼性である。例えば、自動車
用の排気ガスセンサに使用されるセラミックヒータの場
合、水の侵入により、発熱したセラミックヒータやセン
サの熱衝撃による破壊を防止するため、防水加工が施さ
れる。ところが、現実には水が直接侵入しない場合で
も、水蒸気は空気と一緒に侵入するので、セラミックヒ
ータ発熱時は、ヒータ付近は、かなり高温多湿の状態に
なる。
【００１３】そして、上記の如くセラミックヒータ１の
電極部６にＡｕ／Ｃｕ系、Ａｇ系などのろう材でＮｉリ
ードをろう付けした構造、及びその上の最表面にＮｉめ
っきを全面施した構造において、メッキ工程にて塩素等
の酸化性腐食元素が若干残留する。そして、リード線７
やろう材の表面に酸化性腐食元素（特に塩素）が残留し
ていた場合、使用環境の影響でＮｉＣｌ2 、Ｎｉ（Ｏ
Ｈ）2 などの化合物を生成し、また、加熱冷却のサイク
ルにより、前記化合物付近に水の生成・蒸発を繰り返す
うちにこれらが濃縮され、Ｎｉのリード線４や、リード
線４とろう材１０界面、及びろう材１０とＮｉメッキ９
界面が塩素の孔食作用により腐食されるようになる。腐
食が進行すると最終的に電極部６とセラミックヒータへ
の電源供給部との導通が取れず、機能を満足しなくなる
という問題があった。
電極部６にＡｕ／Ｃｕ系、Ａｇ系などのろう材でＮｉリ
ードをろう付けした構造、及びその上の最表面にＮｉめ
っきを全面施した構造において、メッキ工程にて塩素等
の酸化性腐食元素が若干残留する。そして、リード線７
やろう材の表面に酸化性腐食元素（特に塩素）が残留し
ていた場合、使用環境の影響でＮｉＣｌ2 、Ｎｉ（Ｏ
Ｈ）2 などの化合物を生成し、また、加熱冷却のサイク
ルにより、前記化合物付近に水の生成・蒸発を繰り返す
うちにこれらが濃縮され、Ｎｉのリード線４や、リード
線４とろう材１０界面、及びろう材１０とＮｉメッキ９
界面が塩素の孔食作用により腐食されるようになる。腐
食が進行すると最終的に電極部６とセラミックヒータへ
の電源供給部との導通が取れず、機能を満足しなくなる
という問題があった。
【００１４】ここで、想定される反応式を以下に示し
た。
た。
【００１５】Ｎｉ線もしくはＮｉメッキの上に、塩化ニ
ッケル等の塩が付着し、湿度がその塩の臨界湿度を越え
ると塩が吸湿して周囲に水が生成するようになる。そし
て、Ｎｉの表面に、塩が水中で解離する事により塩素イ
オンが生成する。そうすると、（１）式に示したよう
に、さらにＮｉメッキ部からＮｉが溶解してＮｉイオン
が生成するようになる。この反応式で生成した電子は、
水中に溶解した酸素とさらに反応して（２）式に示した
ように水酸イオンを生成する。セラミックヒータ加熱時
は、乾燥によりここで生成した水酸イオンが（１）式の
Ｎｉイオンと結合して、（３）式に示したように水酸化
ニッケルが生成することになる。乾燥がさらに進むと、
水酸化ニッケルは（４）式に示したように酸化ニッケル
に変わる。ここで蒸発した水分は、冷却時に塩化ニッケ
ル等の塩の部分に再度凝結して（１）の反応に帰するよ
うになる。
ッケル等の塩が付着し、湿度がその塩の臨界湿度を越え
ると塩が吸湿して周囲に水が生成するようになる。そし
て、Ｎｉの表面に、塩が水中で解離する事により塩素イ
オンが生成する。そうすると、（１）式に示したよう
に、さらにＮｉメッキ部からＮｉが溶解してＮｉイオン
が生成するようになる。この反応式で生成した電子は、
水中に溶解した酸素とさらに反応して（２）式に示した
ように水酸イオンを生成する。セラミックヒータ加熱時
は、乾燥によりここで生成した水酸イオンが（１）式の
Ｎｉイオンと結合して、（３）式に示したように水酸化
ニッケルが生成することになる。乾燥がさらに進むと、
水酸化ニッケルは（４）式に示したように酸化ニッケル
に変わる。ここで蒸発した水分は、冷却時に塩化ニッケ
ル等の塩の部分に再度凝結して（１）の反応に帰するよ
うになる。
【００１６】 こうして、Ｎｉの浸食が進行していくものと推定され
る。この反応は、比較的室温に近い温度でゆっくりと進
展する反応であると思われる。
る。この反応は、比較的室温に近い温度でゆっくりと進
展する反応であると思われる。
【００１７】塩酸等の強酸にＮｉ線を入れると、一気に
Ｎｉ線全体が腐食するが、上記のようにｐＨが中性に近
い領域で進行する腐食は、比較的限定された領域で反応
が進行する。Ｎｉ表面に付着した塩が、水和・析出の繰
り返しにより濃縮されやすい部分で、上記のような腐食
が徐々に進行していくものと推定される。
Ｎｉ線全体が腐食するが、上記のようにｐＨが中性に近
い領域で進行する腐食は、比較的限定された領域で反応
が進行する。Ｎｉ表面に付着した塩が、水和・析出の繰
り返しにより濃縮されやすい部分で、上記のような腐食
が徐々に進行していくものと推定される。
【００１８】なお、上記はセラミックヒータについて述
べたが、半導体装置等の他の通電デバイスにおいても、
同様に金属リードを備えて、高温雰囲気で使用されるよ
うな場合、同様の問題が生じていた。
べたが、半導体装置等の他の通電デバイスにおいても、
同様に金属リードを備えて、高温雰囲気で使用されるよ
うな場合、同様の問題が生じていた。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明は、通電デバイス
のリード線及びロウ材の表面に付着している塩素量をＥ
ＰＭＡ分析値で２０００カウント以下とすることを特徴
とする。
のリード線及びロウ材の表面に付着している塩素量をＥ
ＰＭＡ分析値で２０００カウント以下とすることを特徴
とする。
【００２０】また、塩素付着量を低減する手法の一つと
して、リード線のロウ付け後、５００℃以上の還元炉熱
処理工程を行うことを特徴とする。
して、リード線のロウ付け後、５００℃以上の還元炉熱
処理工程を行うことを特徴とする。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下本発明の通電デバイスの一実
施形態としてセラミックおよびその製法について説明す
る。
施形態としてセラミックおよびその製法について説明す
る。
【００２２】図１〜３に示すセラミックヒータは、セラ
ミック中軸３に発熱体４と引き出し部５を設け、電極部
６上にさらにロウ付によりＮｉリードを固定したセラミ
ックヒータである。
ミック中軸３に発熱体４と引き出し部５を設け、電極部
６上にさらにロウ付によりＮｉリードを固定したセラミ
ックヒータである。
【００２３】以下、上記セラミックヒータの製造方法に
ついて説明する。始めに、セラミックシートを作製する
工程について説明する。まず、原料を混合した後、この
混合物をセラミックグリーンシートに成形する。上記原
料として。例えば、Ａｌ2 Ｏ3 ９４重量％に対して、Ｃ
ａＯ、ＭｇＯ、ＳｉＯ2 を合わせて６重量％混合したセ
ラミック粉末を準備し、さらに、有機バインダー、有機
溶剤を適宜混合してスラリーとし、これをドクターブレ
ード法でシート状に成形する。このセラミックグリーン
シートを適当な大きさに切断し、表面に発熱部４、引き
出し部５を、さらにその裏面に電極部６を、Ｗを主成分
とするペーストを用いてプリント印刷し、さらに前記引
き出し部５と電極部６を導通させるため、スルーホール
加工後、導通の為にインクを充填する。このグリーンシ
ートを適当な大きさに切断した後、前記発熱部前記セラ
ミック軸３に密着させ、還元雰囲気中１５００〜１６０
０℃の温度で焼成して棒状のセラミックヒータを得る。
ついて説明する。始めに、セラミックシートを作製する
工程について説明する。まず、原料を混合した後、この
混合物をセラミックグリーンシートに成形する。上記原
料として。例えば、Ａｌ2 Ｏ3 ９４重量％に対して、Ｃ
ａＯ、ＭｇＯ、ＳｉＯ2 を合わせて６重量％混合したセ
ラミック粉末を準備し、さらに、有機バインダー、有機
溶剤を適宜混合してスラリーとし、これをドクターブレ
ード法でシート状に成形する。このセラミックグリーン
シートを適当な大きさに切断し、表面に発熱部４、引き
出し部５を、さらにその裏面に電極部６を、Ｗを主成分
とするペーストを用いてプリント印刷し、さらに前記引
き出し部５と電極部６を導通させるため、スルーホール
加工後、導通の為にインクを充填する。このグリーンシ
ートを適当な大きさに切断した後、前記発熱部前記セラ
ミック軸３に密着させ、還元雰囲気中１５００〜１６０
０℃の温度で焼成して棒状のセラミックヒータを得る。
【００２４】さらに電極部の構造を図３を用いて説明す
る。前述の工程で得られたセラミックヒータ外周に形成
されたＷメタライズ８にＮｉメッキ９を２〜６μｍ厚み
で形成し、その後、Ａｕ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｃｕロウを用い
てＮｉ線からなるリード線７をロウ付けする。そして、
ロウ材１０の上にさらにＮｉメッキ１１を施し、６００
〜１０００℃の温度で還元雰囲気で熱処理し、リード付
けしたセラミックヒータを得る。
る。前述の工程で得られたセラミックヒータ外周に形成
されたＷメタライズ８にＮｉメッキ９を２〜６μｍ厚み
で形成し、その後、Ａｕ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｃｕロウを用い
てＮｉ線からなるリード線７をロウ付けする。そして、
ロウ材１０の上にさらにＮｉメッキ１１を施し、６００
〜１０００℃の温度で還元雰囲気で熱処理し、リード付
けしたセラミックヒータを得る。
【００２５】上記メッキ工程にて、表面に塩素が残留す
るが、最後の還元雰囲気での熱処理工程によって、残留
した塩素を除去し、塩素の付着量をＥＰＭＡ分析値で２
０００カウント以下とすることができる。これにより、
上述した腐食を防止し、耐久性を向上させることができ
る。
るが、最後の還元雰囲気での熱処理工程によって、残留
した塩素を除去し、塩素の付着量をＥＰＭＡ分析値で２
０００カウント以下とすることができる。これにより、
上述した腐食を防止し、耐久性を向上させることができ
る。
【００２６】なお、本発明の他の実施形態として図４〜
６に示す平面型セラミックヒータについても同様の構成
とすることができる。
６に示す平面型セラミックヒータについても同様の構成
とすることができる。
【００２７】なお、以上の実施形態ではセラミックヒー
タについて述べたが、本発明は、半導体装置、回路基
板、各種電子部品等の通電デバイスにも適用することが
できる。
タについて述べたが、本発明は、半導体装置、回路基
板、各種電子部品等の通電デバイスにも適用することが
できる。
【００２８】
【実施例】本発明の通電デバイスの一例であるセラミッ
クヒータにおいて、リード線とロウ材上に塩素付着量を
２０００カウント以下とする根拠と、付着残留する塩素
量を減少させるための製造方法についての有効性を示す
実験を行った。
クヒータにおいて、リード線とロウ材上に塩素付着量を
２０００カウント以下とする根拠と、付着残留する塩素
量を減少させるための製造方法についての有効性を示す
実験を行った。
【００２９】実施例１：塩素付着量とセラミックヒータ
ー寿命 セラミックヒータのサンプルをそれぞれ違う濃度のNiCl
2 溶液に浸漬し、付着する塩素量を変化させた（試料Ａ
〜Ｅ）。その後、ある試験環境下でセラミックヒータと
して径時変化の目安である、内蔵の抵抗体における抵抗
変化率を調査した。結果として、抵抗変化率が３％以下
のサンプルに付着させた塩素のカウント数を上限基準と
した。なお、試験条件は以下の通りとした。
ー寿命 セラミックヒータのサンプルをそれぞれ違う濃度のNiCl
2 溶液に浸漬し、付着する塩素量を変化させた（試料Ａ
〜Ｅ）。その後、ある試験環境下でセラミックヒータと
して径時変化の目安である、内蔵の抵抗体における抵抗
変化率を調査した。結果として、抵抗変化率が３％以下
のサンプルに付着させた塩素のカウント数を上限基準と
した。なお、試験条件は以下の通りとした。
【００３０】 ・塩素付着量：サンプルＡ〜Ｅを５〜４０％のNiCl２溶液に浸漬後乾燥させ、 ＥＰＭＡ分析によりＮｉリード上及びろう付け部を各５点測定 し、その平均値を求めた。 ・ＥＰＭＡ分析条件 方法：ＥＰＭＡ波長分散型 装置：ＪＸＡ−８６００Ｍ 蒸着：なし 加速電圧：１５ ＫＶ プローブ電流：7.0 ×10-7［Ａ］ 分析測定エリア：100 ×100 μｍ 分析サンプリングタイム：0.5 SEC ・試験環境 ：大気中 湿度５０ ％ −８０００ hr 放置 ・評価項目 ：ＯＫ：初期抵抗に対する変化が３［％］未満 ＮＧ：初期抵抗に対する変化が３［％］以上 結果を表１に示すように、リード線及びロウ材上の塩素
付着量が、ＥＰＭＡ分析値で、２０００カウント以内で
あれば、抵抗変化が３％以内となりセラミックヒータの
信頼性が向上することがわかる。
付着量が、ＥＰＭＡ分析値で、２０００カウント以内で
あれば、抵抗変化が３％以内となりセラミックヒータの
信頼性が向上することがわかる。
【００３１】
【表１】
【００３２】実施例２：塩素付着量と還元炉熱処理温度 セラミックヒータのサンプルを４０％濃度のNiCl2 溶液
に浸漬し、塩素を付着させる。その後、アンモニア分解
ガスを主とする還元雰囲気炉に入炉する。その際、炉内
温度を４００℃から６００℃まで変化させる（試料Ａ〜
Ｅ）。その際、塩素付着量を先に述べたＥＰＭＡ分析値
で２０００カウント以下となる炉内温度を調査する。な
お、試験条件は以下の通りとした。
に浸漬し、塩素を付着させる。その後、アンモニア分解
ガスを主とする還元雰囲気炉に入炉する。その際、炉内
温度を４００℃から６００℃まで変化させる（試料Ａ〜
Ｅ）。その際、塩素付着量を先に述べたＥＰＭＡ分析値
で２０００カウント以下となる炉内温度を調査する。な
お、試験条件は以下の通りとした。
【００３３】・塩素付着量：サンプルＡ〜Ｅを４０％の
NiCl2 溶液に浸漬後乾燥させ、ＥＰＭＡ分析によりＮｉ
リード上及びろう付け部を測定し、最小値を求めた。
NiCl2 溶液に浸漬後乾燥させ、ＥＰＭＡ分析によりＮｉ
リード上及びろう付け部を測定し、最小値を求めた。
【００３４】 ・ＥＰＭＡ分析条件 方法：ＥＰＭＡ波長分散型 装置：ＪＸＡ−８６００Ｍ 蒸着：なし 加速電圧：１５ ＫＶ プローブ電流：7.0 ×10-7［Ａ］ 分析測定エリア：100 ×100 μｍ 分析サンプリングタイム：0.5 SEC ・試験環境 ：大気中 湿度５０ ％ −２０００ hr 放置 ・評価項目 ：ＯＫ：塩素付着量≦２０００カウント ＮＧ：塩素付着量＞２０００カウント 結果を表２に示すように、５００℃以上の還元雰囲気で
熱処理することによって、塩素付着量を２０００カウン
ト以下に減らせることがわかる。
熱処理することによって、塩素付着量を２０００カウン
ト以下に減らせることがわかる。
【００３５】
【表２】
【００３６】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、通電デバ
イスの製造工程中にリード線やロウ材上に塩素が付着し
ても、還元雰囲気中５００℃以上の熱処理工程によっ
て、塩素付着量をＥＰＭＡ分析値で２０００カウント以
下とすることによって、耐食性に優れ、長寿命の通電デ
バイスを得ることができる。
イスの製造工程中にリード線やロウ材上に塩素が付着し
ても、還元雰囲気中５００℃以上の熱処理工程によっ
て、塩素付着量をＥＰＭＡ分析値で２０００カウント以
下とすることによって、耐食性に優れ、長寿命の通電デ
バイスを得ることができる。
【図１】本発明の通電デバイスの一実施形態であるセラ
ミックヒータを示す斜視図である。
ミックヒータを示す斜視図である。
【図２】図１のセラミックヒータの製造工程を示す斜視
図である。
図である。
【図３】図１中のＺ−Ｚ線拡大断面図である。
【図４】本発明の一実施形態であるセラミックヒータの
他の実施例を示す斜視図である。
他の実施例を示す斜視図である。
【図５】図４に示すセラミックヒータの製造工程を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図６】図４中のＹ−Ｙ線拡大断面図である。
１．．．セラミック体 ２，１３．．．セラミックシート ３．．．セラミック軸 ４．．．発熱部 ５．．．引き出し部 ６．．．電極部 ７．．．リード線 ８．．．メタライズ ９，１１．．．Ｎｉメッキ １０．．．ろう材 １２．．．スルーホール
Claims (2)
- 【請求項１】セラミック体に発熱抵抗体、回路等の導体
を備え、該導体に通電するための電極部とリード線とを
ロウ付けした構造の通電デバイスにおいて、上記リード
線とロウ材上における塩素元素の表面付着量がＥＰＭＡ
分析値で２０００カウント以下であることを特徴とする
通電デバイス。 - 【請求項２】セラミック体に発熱抵抗邸、回路等の導体
を備え、該導体に通電するための電極部とリード線とを
ロウ付けした後、５００℃以上の還元雰囲気中で熱処理
を行うことを特徴とする通電デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21627798A JP2000048939A (ja) | 1998-07-30 | 1998-07-30 | 通電デバイスおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21627798A JP2000048939A (ja) | 1998-07-30 | 1998-07-30 | 通電デバイスおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000048939A true JP2000048939A (ja) | 2000-02-18 |
Family
ID=16686023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21627798A Pending JP2000048939A (ja) | 1998-07-30 | 1998-07-30 | 通電デバイスおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000048939A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005002279A1 (ja) * | 2003-06-27 | 2005-01-06 | Kyocera Corporation | セラミックヒータおよびその製造方法 |
| US8058592B2 (en) | 2007-03-27 | 2011-11-15 | Denso Corporation | Ceramic heater, gas sensor, and method of producing ceramic heater |
| DE10100125B4 (de) * | 2000-04-14 | 2015-01-08 | Kyocera Corp. | Keramische Heizvorrichtung |
-
1998
- 1998-07-30 JP JP21627798A patent/JP2000048939A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10100125B4 (de) * | 2000-04-14 | 2015-01-08 | Kyocera Corp. | Keramische Heizvorrichtung |
| WO2005002279A1 (ja) * | 2003-06-27 | 2005-01-06 | Kyocera Corporation | セラミックヒータおよびその製造方法 |
| US8058592B2 (en) | 2007-03-27 | 2011-11-15 | Denso Corporation | Ceramic heater, gas sensor, and method of producing ceramic heater |
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| Date | Code | Title | Description |
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|
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|
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