JP3675407B2 - 電子装置 - Google Patents

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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板の少なくとも一面上に電子部品接続用またはワイヤボンディング用の複数個のパッドを形成し、これら複数個のパッドの少なくとも一つのパッドにワイヤを接続してなる電子装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、この種の電子装置は、一般に、図１０のように製造される。図１０（ａ）に示す様なセラミック等よりなる基板１０を用意する。この基板１０の一面１１および他面１２には、部品接続用やワイヤボンディング用のパッド２２が形成されており、これらパッド２２は下地であるタングステン層２２ａの表面にＣｕ（銅）メッキ層２２ｂが施されたものである。
【０００３】
ここで、基板１０の他面１２には、パッド２２にＣｕ厚膜７０を介して厚膜抵抗７２を接続し、これらを覆うように保護ガラス７４、保護樹脂７６を順次積層形成する。
【０００４】
次に、図１０（ｂ）に示す様に、基板１０の一面１１において、半田４１、５１や導電性接着剤３１を用いて、半導体素子としてのＩＣチップ３０、５５やコンデンサ等のその他の部品４０を、部品接続用のパッド２２に接続する。
【０００５】
この後、ワイヤボンディング用パッド２２とＩＣチップ３０、５５とは、ワイヤボンディングにより形成されたＡｕ（金）ワイヤ６０やＡｌワイヤ６１により結線され電気的に接続される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記した従来の製造方法では、半田４１、５１や導電性接着剤３１を用いた部品実装時の加熱により、基板１０の一面１１側において露出しているパッド２２の表面のＣｕメッキ層２２ｂが酸化してしまい、ワイヤボンディングの接合性が低下するという問題があった。
【０００７】
その一方で、特開２０００−５８７４５号公報に提案されるように、樹脂基板の分野においては、パッドを構成するＣｕ導体配線の上にＮｉメッキを介してＡｕメッキ層を積層するようにしており、この構造によれば、Ｃｕ導体配線の酸化の問題を解決することができる。
【０００８】
ここで、Ｎｉメッキを施す理由は、Ａｕメッキ表面へのＣｕの拡散防止のためである。また、樹脂基板上のＣｕメッキ配線のように柔らかい構造物では、ワイヤボンディングの超音波が伝わりにくくなるため、固いＮｉを形成してこのような問題を回避するメリットもある。
【０００９】
しかし、本発明者等の検討によれば、上記Ｃｕメッキ層上に、Ｎｉメッキ、Ａｕメッキを順次形成したＣｕ−Ｎｉ−Ａｕの３層メッキ構造を有するパッドでは、多湿環境等のもと水分が存在すると、ＮｉとＡｕとの間で局部電池作用によってＮｉＯＨ等の腐食生成物が発生して、ワイヤが剥離しやすくなることが判明した。
【００１０】
本発明は上記問題に鑑み、ボンディングワイヤの剥離を抑制し得る電子装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
そこで、本発明者等は、下地のＣｕメッキ上に直接Ａｕメッキを形成したＣｕ−Ａｕの２層メッキ構造のパッドを検討した。この構造によれば、Ａｕメッキの存在により、Ｃｕメッキの酸化の問題は解消され、また、Ｎｉメッキを介挿していないため、Ｎｉ／Ａｕ間の局部電池作用に起因した腐食生成物も発生せず、ワイヤの接合性を維持することができる。
【００１２】
その一方で、ワイヤとしてＡｌワイヤを用いた場合、パッドとＡｌワイヤとの接合において、高温環境下でＡｕメッキ層とＡｌワイヤ間でカーケンダルボイドが発生し、ワイヤとパッドが剥離してしまう場合があることが判明した。
【００１３】
このカーケンダルボイドは、熱によるＡｕの拡散速度が他の金属であるＡｌやＣｕよりも著しく大きいため、Ａｕメッキ層中に欠乏層が生じ、これがボイドとなるために発生するものと考えられる。ちなみに、ＣｕメッキとＡｕメッキの間にＮｉメッキを介挿した３層メッキ構造のパッドでは、ＮｉがＡｕの拡散の障壁層となるため、比較的、カーケンダルボイドが発生しにくい構造となっている。
【００１４】
本発明者等は、鋭意検討した結果、Ｃｕ−Ａｕの２層メッキ構造のパッドにおいて、Ａｕメッキ層の膜厚を限定することにより、高温環境下でＡｕメッキ層とＡｌワイヤ間でカーケンダルボイドが発生するのを防止できることを見いだした。
【００１５】
すなわち、Ａｌよりなるワイヤを用いる場合、Ｃｕメッキ層を下地としてその上に最表面層としてＡｕメッキ層を直接形成したパッド構造においては、その少なくともＡｌよりなるワイヤが接続されたパッドにおけるＡｕメッキ層の厚さを、０．５μｍ未満とすることが望ましい。
【００１６】
本発明者等の検討によれば、Ｃｕ−Ａｕの積層構造を有する複数個のパッドのうち少なくともＡｌワイヤと接合されるパッドにおいて、Ａｕメッキ層の膜厚を０．５μｍ未満とすることにより、高温環境下でＡｕメッキ層とＡｌワイヤ間でカーケンダルボイドが発生するのを防止でき、ワイヤとパッドとの接合性が向上することがわかった。従って、本発明によれば、パッドの酸化を防止しつつＡｌワイヤとパッドとの接合性を向上させることができる。
【００１７】
また、さらに、上記請求項１の電子装置において、複数個のパッドがＡｌワイヤのほかにＡｕよりなるＡｕワイヤも接続される構成の場合について検討したところ、ＡｕワイヤをボンディングするパッドのＡｕメッキ層の厚さを薄くし過ぎると、Ａｕワイヤのボンディング性に影響が生じることがわかった。
【００１８】
例えば、Ａｕメッキ層の膜厚０．０５μｍ以下のパッドとした場合、代替フロン系の洗浄を行った後に、パッド上にＡｕワイヤをボンディングすると、洗浄残渣物等の影響により接合しないといったボンディング性の低下が生じる。
【００１９】
したがって、Ａｕよりなるワイヤを接続する場合は、少なくともこのＡｕよりなるワイヤが接続されたパッドにおけるＡｕメッキ層の厚さを、０．０５μｍ以上とすることが望ましい。
【００２０】
本発明者の検討によれば、複数個のパッドのうちＡｕワイヤが接続されたパッドにおけるＡｕメッキ層の厚さを、０．０５μｍ以上とすることで、実用レベルの接合強度を確保することができる。
【００２１】
また、ＡｌワイヤとＡｕワイヤとが混在する電子装置においては、ＡｕワイヤをボンディングするパッドのＡｕメッキ層の膜厚とＡｌワイヤをボンディングするパッドのＡｕメッキ層の膜厚とを差別化することにより、Ａｌワイヤの接合性およびＡｕワイヤのボンディング性を良好に確保することができる。
【００２２】
また、Ａｌよりなるワイヤが接続されたパッドにおけるＡｕメッキ層の厚さは、より望ましくは０．１μｍ〜０．３μｍの範囲であることが好ましい。
【００２３】
また、Ｃｕ−Ａｕの２層構造は一般的に樹脂等の柔らかい基板上に形成すると、ボンダビリティが低下する懸念もあるが、セラミック基板またはタングステンまたはモリブデン配線のような固い構造物の上に形成することにより、こうした懸念も回避できる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図に示す実施形態について説明する。図１において、（ａ）は本発明の実施形態に係る電子装置Ｓ１の概略断面構成を示す図であり、（ｂ）および（ｃ）はそれぞれ、（ａ）に示す電子装置Ｓ１における基板１０の一面１１側のパッド２１および２３の拡大断面図である。
【００２５】
図１において、１０はアルミナ等のセラミックよりなる基板であり、基板１０の一面１１及び他面１２には、それぞれ、電子部品接続用やワイヤボンディング用の複数個のパッド２１、２３及び２２が形成されている。各パッド２１、２２、２３は、基板１０に形成された図示しない配線と電気的に接続されている。
【００２６】
なお、セラミック基板である基板１０に形成された図示しない配線層としては、タングステン、モリブデンおよびこれらの合金のいずれかを用いたものである。
【００２７】
基板１０の一面１１側に形成されたパッド（以下、一面側パッドという）２１、２３はそれぞれ、図１（ｂ）、（ｃ）に示す様に、タングステン層２１ａ、Ｃｕメッキ層２１ｂを下地としてその上に最表面層としてＡｕメッキ層２１ｃ、２３ｃが積層された３層構造をなしている。
【００２８】
ここで、図１（ｂ）に示す一面側パッド２１におけるＡｕメッキ層２１ｃの厚さは０．０５μｍ以上としており、図１（ｃ）に示す一面側パッド２３におけるＡｕメッキ層２３ｃの厚さは０．５μｍ未満としている。
【００２９】
図１（ａ）に示す様に、電子部品接続用の一面側パッド２１には、それぞれ、第１のＩＣチップ３０がＡｇペースト等の導電性接着剤３１を介して接続され、コンデンサ４０が半田４１を介して接続され、高温半田５２によって第２のＩＣチップ５５が接着されたヒートシンク５０が、共晶半田５１によって接続されている。
【００３０】
また、上記部品３０、４０、５０が接続されていないワイヤボンディング用の一面側パッド２１は、第１のＩＣチップ３０との間にてＡｕよりなるＡｕワイヤ６０により電気的に接続され、一面側パッド２３は、第２のＩＣチップ５５との間にてＡｌよりなるＡｌワイヤ６１により電気的に接続されている。
【００３１】
つまり、ワイヤボンディングされた一面側パッド２１、２３のうち、図１（ｂ）に示す一面側パッド２１は、Ａｕワイヤ６０とボンディングされたＡｕワイヤ用パッド２１であり、図１（ｃ）に示す一面側パッド２３は、Ａｌワイヤ６１とボンディングされたＡｌワイヤ用パッド２３である。そして、本電子装置Ｓ１では、ＡｌワイヤとＡｕワイヤとが混在するものとなっている。
【００３２】
一方、基板１０の他面１２側に形成されたパッド（以下、他面側パッドという）２２は、タングステン層２２ａを下地としてその上に最表面層としてＣｕメッキ層２２ｂが積層された２層構造をなしている。
【００３３】
図１（ａ）に示す様に、他面側パッド２２には、Ｃｕよりなる厚膜７０を介して、厚膜抵抗７２が電気的に接続されている。この厚膜抵抗７２は、ＬａＢ6またはＳｎＯ2を主成分（導電成分）とし、これに少量のガラスを混ぜたものを塗布して、焼き固めたものである。さらに、基板１０の他面１２では、これら厚膜抵抗７２等を覆うように保護ガラス７４、ＵＶ樹脂よりなる保護樹脂７６が順次、積層形成されている。
【００３４】
次に、図２、図３、図４を参照して、電子装置Ｓ１の製造方法を説明する。図２〜図４は、上記図１（ａ）に対応した断面にて、本製造方法における工程途中の状態を順に示す工程説明図である。
【００３５】
まず、図２（ａ）に示す様に、表層配線としてタングステン層２１ａ、２２ａが形成された基板１０を用意する。次に、図２（ｂ）に示す様に、無電解メッキ法により、各タングステン層２１ａ、２２ａの表面にＣｕメッキを施し、Ｃｕメッキ層２１ｂ、２２ｂを形成する。これにともない、他面側パッド２２ができあがる。
【００３６】
次に、図３（ａ）に示す様に、基板１０の他面１２側にて、印刷、硬化等により、Ｃｕよりなる厚膜７０を形成する。次に、図３（ｂ）に示す様に、印刷、焼成等により、厚膜７０の表面に厚膜抵抗７２を形成する。次に、図３（ｃ）に示す様に、印刷、焼成により、保護ガラス７４を成膜する。
【００３７】
次に、図４（ａ）に示す様に、保護ガラス７４を覆うように、印刷、紫外線照射等により、保護樹脂７６を形成する。次に、図４（ｂ）に示す様に、マスクテープ８０により、保護樹脂７６の表面を被覆して保護した状態で、基板１０の一面１１側にて、無電解メッキ法によりＣｕメッキ層２１ｂの表面にＡｕメッキを施し、Ａｕメッキ層２１ｃおよび２３ｃを形成する。
【００３８】
このとき、Ａｕメッキ層２３ｃの膜厚が、０．５μｍ未満（例えば０．３μｍ）となるように、また、Ａｕメッキ層２１ｃの膜厚が０．０５μｍ以上となるように、メッキ条件等を調整して行う。具体的な調整方法については後述する。これにともない、一面側パッド２１、２３ができあがる。
【００３９】
次に、マスクテープ８０を除去し、図４（ｃ）に示す様に、第１のＩＣチップ３０を導電性接着剤３１を介して接続し、コンデンサ４０を半田４１を介して接続し、第２のＩＣチップ５５が接着されたヒートシンク５０を、共晶半田５１によって接続する。その後、ＡｕおよＡｌのワイヤボンディングを行うことにより、上記図１（ａ）に示す電子装置Ｓ１が完成する。
【００４０】
ところで、本実施形態では、基板１の一面１１上に設けられた電子部品接続用及びワイヤボンディング用の複数個の一面側パッド２１、２３を、図１（ｂ）、（ｃ）に示したようなＣｕ−Ａｕの２層メッキ構造を有するパッドとしている。それにより、酸化しにくいＡｕメッキ層２１ｃ、２３ｃが、一面側パッド２１、２３の最表面層となるため、製造工程中に加わる熱等によって該パッド２１、２３の表面が酸化されるのを防止することができる。
【００４１】
また、本実施形態では、Ｃｕ−Ａｕの積層構造を有するＡｌワイヤ用パッドである一面側パッド２３において、最表面であるＡｕメッキ層２３ｃの膜厚を０．５μｍ未満としている。それにより、一面側パッド２３とＡｌワイヤ６１との接合構成において発生する上記カーケンダルボイドを抑制し、Ａｌワイヤ６１と該パッド２３との接合性を向上させることができる。
【００４２】
このＡｕメッキ層２３ｃの膜厚を０．５μｍ未満とすることは、Ａｌワイヤ６１とパッド２３との接合部（ワイヤ接合部）の引っ張り強度とＡｕメッキ層の膜厚との関係について、実験検討した結果に基づいて見出されたものである。その実験検討結果の一例を図５に示す。
【００４３】
図５は、Ａｌワイヤ６１としてφ２５０μｍのものを用い、これを一面側パッド２３にワイヤボンディングした場合について、１２５℃の高温に１０００時間放置した後における、Ａｕメッキ層２３ｃの膜厚（Ａｕメッキ膜厚、単位：μｍ）とワイヤ接合部の引っ張り強度（単位：Ｎ）との関係を調べた結果を示す図である。
【００４４】
図５から、Ａｕメッキ膜厚が０．５μｍ以上になると、ワイヤ接合部の引っ張り強度が大幅に低下することがわかる。これは、上記カーケンダルボイドが発生することによるためと考えられる。従って、一面側パッド２３において、Ａｕメッキ層２３ｃの膜厚を０．５μｍ未満とすれば、Ａｌワイヤ６１とパッド２３との接合性を向上させることができる。
【００４５】
このように、本実施形態によれば、基板１の一面１１上に形成された複数個のパッド２１、２３のうち、少なくとも１つのパッド２３にＡｌよりなるワイヤ６１を接続してなる電子装置Ｓ１において、パッド２１、２３の酸化を防止しつつＡｌワイヤ６１とパッド２３との接合性を向上させることができる。
【００４６】
また、本実施形態では、基板１の一面１１上に形成された複数個の一面側パッド２１、２３のうちＡｕワイヤ６０が接続されたパッド２１におけるＡｕメッキ層２１ｃの厚さを、０．０５μｍ以上としている。
【００４７】
これは、本発明者の検討によるものであり、Ａｕワイヤ用パッドである一面側パッド２１におけるＡｕメッキ層２１ｃの厚さを０．０５μｍ以上とすることで、実用レベルの接合強度を確保することができることがわかった。実用レベルの接合強度とは、例えば、φ３０μｍのワイヤで１０ｇ程度の引っ張り強度である。
【００４８】
Ａｕメッキ層２１ｃの厚さが０．０５μｍ未満のとき、例えば０．０２μｍでは、引っ張り強度は３ｇ（はがれモード）であった。また、Ａｕワイヤ６０と接合されるＡｕメッキ層２１ｃの厚さは０．０５μｍ以上であれば厚くなる分にはかまわないが、好ましくは０．０５μｍ〜０．５μｍ、より好ましくは０．１μｍ〜０．３μｍの範囲である。
【００４９】
また、本実施形態では、基板１０はセラミック基板であって、配線層としてタングステン、モリブデンおよびこれらの合金のいずれかを用いたものである。Ｃｕ−Ａｕの２層構造は一般的に樹脂等の柔らかい基板上に形成すると、ボンダビリティが低下する懸念もあるが、セラミック基板またはタングステンまたはモリブデン配線のような固い構造物の上に形成することにより、こうした懸念も回避できる。
【００５０】
［一面側パッドにおけるＡｕメッキ層の膜厚調整方法］
次に、Ａｕワイヤ用パッド２１におけるＡｕメッキ層２１ｃの膜厚とＡｌワイヤ用パッド２３におけるＡｕメッキ層２３ｃの膜厚との具体的な調整方法について述べる。
【００５１】
上述したように、Ａｕワイヤ用パッド２１のＡｕメッキ層２１ｃは、厚い方がＡｕワイヤ６０との接合性が良く、一方、Ａｌ用パッド２３のＡｕメッキ層２３ｃは、カーケンダルボイドの発生を防止するために薄い方が良いという、相反する要求を持っている。
【００５２】
Ａｕメッキ層の汚染物質を物理的に除去する方法としてプラズマクリーニング（プラズマエッチング）がある。本発明者は、このプラズマエッチングを用いてＡｌワイヤ用パッド２３上のみを照射することにより、Ａｌワイヤ用パッド２３のＡｕメッキ層２３ｃの厚さをＡｌワイヤ６１の接合性が確保できるような薄さまで減少させることができるかの検討を行い、その結果、可能であることがわかった。
【００５３】
つまり、基板１０の一面１１上において、Ａｕワイヤ用パッド２１上はマスクしてプラズマクリーニングをしないようにし、Ａｌワイヤ用パッド２３をプラズマクリーニングすることで、Ａｌワイヤ用パッド２３のＡｕメッキ層２３ｃの表面の一部を物理的に除去する。
【００５４】
図６は、このプラズマクリーニングを用いたＡｕメッキ層の膜厚調整方法を具体的に示す説明図であり、上記図４（ｂ）の状態にて、本調整方法を行う場合を示す。
【００５５】
図６に示すように、一面１１側に、Ａｕメッキ層２１ｃおよび２３ｃの厚さが例えば０．３５μｍ程度である一面側パッド２１および２３が形成された基板１０を用意する。そして、この基板１０の一面１１側を上にして、プラズマエッチング装置の真空チャンバ内における電極Ｋ１、Ｋ２間に基板１０をセットする。
【００５６】
また、このとき、Ａｌワイヤ用パッド２３のみが開口するマスク９０を用いて基板１０の上を覆うことにより、プラズマを照射する部位がＡｌワイヤ用パッド２３のみとなるようにし、Ａｕワイヤ用パッド２１、ＩＣチップ３０、５５やコンデンサ４０等を実装する一面側パッド２１にはプラズマが当たらないようにする。
【００５７】
この状態でプラズマエッチングを行う。例えば、真空チャンバ内の圧力を１０-6Ｔｏｒｒ程度まで低下させた後、チャンバ内にＡｒガスを導入し、チャンバ内圧力１０-3Ｔｏｒｒ程度で高周波あるいは高電圧を印加してプラズマを発生させ、Ａｌワイヤ用パッド２３のＡｕメッキ層２３ｃの表面にＡｒイオンを照射し、当該Ａｕメッキ層２３ｃをエッチングする。
【００５８】
すると、プラズマが照射されたＡｌワイヤ用パッド２３は、その表面のＡｕメッキ層２３ｃが削り取られ、当該メッキ層２３ｃの膜厚が減少してＡｕワイヤ用パッド２１のＡｕメッキ層２１ｃよりも薄くなる。例えば、プラズマ照射前で厚さ０．３５μｍのＡｕメッキ層２３ｃが、１０分間照射した後では厚さ０．３μｍに減少する。
【００５９】
図７は、プラズマ照射時間とＡｕメッキ膜厚との関係を実験的に求めた一例を示す図である。図７の例では、セイコーインスツルメンツ（株）製のＳＦＴ−３２００Ｓという装置を用いて、管電圧４５ｋＶ、管電流２００μＡの条件で行った例である。
【００６０】
このようにプラズマクリーニングを用いた方法によって、Ａｌワイヤ用パッド２３のＡｕメッキ層２３ｃの膜厚を比較的薄くし、Ａｕワイヤ用パッド２１のＡｕメッキ層２１ｃの膜厚を比較的厚くすることができる。そのため、前者の膜厚を０．５μｍ未満とし、後者の膜厚を０．０５μｍ以上とすることを適切に行うことができる。
【００６１】
また、上記プラズマクリーニングを用いたＡｕメッキ層の膜厚調整方法は、上記図６に示すように、一般に、基板１０にＩＣチップ３０、５５やコンデンサ４０等の部品を実装する前に行うが、図８に示すように、これら部品の実装後に行っても良い。
【００６２】
この場合、上記部品の実装時にパッド２１、２３に加わった熱による酸化物、接着剤の硬化時に飛散付着した不純物を、Ａｌワイヤ６１やＡｕワイヤ６０のボンディング前に除去することができ、充分な接合性を得られるという更なる効果もある。
【００６３】
また、一面側パッド２１、２３におけるＡｕメッキ層２１ｃ、２３ｃの膜厚調整方法としては、次の図９（ａ）、（ｂ）に示すように、基板１０にＡｕメッキをする段階で膜厚を差別化する方法でも良い。
【００６４】
まず、図９（ａ）に示す方法は、一面側パッド２１、２３のＡｕメッキ層２１ｃ、２３ｃを形成するために無電解Ａｕメッキをする際に、比較的薄くしたい方のＡｌワイヤ用ランド部に正電位を与え、Ａｕイオンを析出しにくくするものである。
【００６５】
具体的には、一面側パッド２１、２３においてＡｕメッキ層２１ｃ、２３ｃを形成する前の基板１０を用意し、図９（ａ）に示すように、この基板１０をシアン化金メッキ液等のメッキ液Ｋ３に浸漬させ、Ａｕワイヤ用パッド２１側においては、無電位状態とし、Ａｌワイヤ用パッド２３側においては正電位を印加する。
【００６６】
これにより、Ａｌワイヤ用パッド２３の方が、Ａｕワイヤ用パッド２１よりもメッキの析出速度が遅くなりＡｕメッキ膜厚の差別化が図れる。メッキ厚のレートやメッキ条件等を予め調整しておくことにより、Ａｌワイヤ用パッド２３のＡｕメッキ層２３ｃの膜厚を比較的薄くし、Ａｕワイヤ用パッド２１のＡｕメッキ層２１ｃの膜厚を比較的厚くすることができるため、前者の膜厚を０．５μｍ未満とし、後者の膜厚を０．０５μｍ以上とすることを適切に行うことができる。
【００６７】
また、図９（ｂ）に示す方法は、一度、全ての一面側パッド２１、２３において、無電解Ａｕメッキを行った後、比較的薄くしたいＡｌワイヤ用ランド部に正電位を与え、Ａｕメッキ層を除去するものである。
【００６８】
具体的には、図９（ｂ）に示すように、一度、Ａｕメッキ層２１ｃ、２３ｃとして厚さ０．５μｍ以上のものを形成し、その後、メッキ液Ｋ３中にて、Ａｕワイヤ用パッド２１は無電位状態とし、Ａｌワイヤ用パッド２３に正電位を印加する。このとき、負極としてはＰｔ電極Ｋ４を使用する。
【００６９】
それにより、Ａｌワイヤ用パッド２３においては、一度無電解メッキされたＡｕ膜からＡｕイオンがメッキ液Ｋ３中に出て、Ａｕメッキ層２３ｃの厚さが減少する。
【００７０】
この方法においても、条件等を予め調整しておくことにより、Ａｌワイヤ用パッド２３のＡｕメッキ層２３ｃの膜厚を比較的薄くし、Ａｕワイヤ用パッド２１のＡｕメッキ層２１ｃの膜厚を比較的厚くすることができるため、前者の膜厚を０．５μｍ未満とし、後者の膜厚を０．０５μｍ以上とすることを適切に行うことができる。
【００７１】
また、一面側パッド２１、２３におけるＡｕメッキ層２１ｃ、２３ｃの膜厚調整方法としては、上記方法の他に、次のような方法を採用しても良い。一つは部分メッキ法であり、これは、例えば、予め０．５μｍ以下のＡｕメッキを基板１０の一面１１側の全てのパッド部分に施し、次に、Ａｌワイヤ用パッド２３の部分をマスクで覆って、さらにＡｕメッキを行うものである。
【００７２】
また、サンドブラスト法を用いた方法として、例えば、予め０．５μｍ以上のＡｕメッキを基板１０の一面１１側の全てのパッド部分に施しておき、サンドブラスト法によってＡｌワイヤ用パッド２３のＡｕメッキを一部除去して薄くする方法でも良い。
【００７３】
（他の実施形態）
なお、上記実施形態においては、ＡｌワイヤとＡｕワイヤとが混在しているが、電子装置における基板１０の一面１１側のワイヤボンディング用のパッドは、全てＡｌワイヤとボンディングされたものであっても良い。その場合、当該ワイヤボンディング用のパッドはすべて、上記図１（ｃ）に示すパッド２３と同様の構成とする。
【００７４】
また、基板１の他面１２側において、厚膜７０を介在させずに、他面側パッド２２と厚膜抵抗７２とを直接接続した形としても良い。
【００７５】
また、基板１の他面１２側においても、一面１１側と同様に電子部品接続用またはワイヤボンディング用のパッドを形成し、このパッドに対して各電子部品３０、４０、５０等を接続し、Ａｕワイヤ６０やＡｌワイヤ６１を接続するようにしても良い。
【００７６】
その場合、当該他面側のパッドも、上記した一面側パッド２１、２３と同様に、Ｃｕメッキ層の上に最表面層としてのＡｕメッキ層が形成されたものとし、更に、Ａｌワイヤと接続されるものにおいては、Ａｕメッキ層の膜厚を０．５μｍ未満にするようにし、Ａｕワイヤと接続されるものにおいては、Ａｕメッキ層の膜厚を０．０５μｍ以上にすれば良い。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は本発明の実施形態に係る電子装置の概略断面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す電子装置におけるＡｕワイヤと接続される基板の一面側のパッドの拡大断面図であり、（ｃ）は（ａ）に示す電子装置におけるＡｌワイヤと接続される基板の一面側のパッドの拡大断面図である。
【図２】図１に示す電子装置の製造方法を示す工程図である。
【図３】図２に続く製造方法を示す工程図である。
【図４】図３に続く製造方法を示す工程図である。
【図５】Ａｕメッキ膜厚とワイヤ接合部の引っ張り強度との関係を調べた結果の一例を示す図である。
【図６】プラズマクリーニングを用いたＡｕメッキ層の膜厚調整方法を具体的に示す説明図である。
【図７】プラズマ照射時間とＡｕメッキ膜厚との関係を実験的に求めた一例を示す図である。
【図８】図６に示す調整方法の変形例を示す説明図である。
【図９】基板にＡｕメッキをする際にＡｕメッキ層の膜厚を差別化する方法を示す説明図である。
【図１０】従来の一般的な電子装置の製造方法を示す説明図である。
【符号の説明】
１０…基板、２１、２３…基板の一面側のパッド、２１ｂ…Ｃｕメッキ層、
２１ｃ、２３ｃ…Ａｕメッキ層、６０…Ａｕワイヤ、６１…Ａｌワイヤ。

Claims (4)

  1. 基板（１０）と、
    この基板の少なくとも一面（１１）上に形成された電子部品接続用またはワイヤボンディング用の複数個のパッド（２１、２３）とを備え、
    前記複数個のパッドは、Ｃｕメッキ層（２１ｂ）を下地としてその上に最表面層としてのＡｕメッキ層（２１ｃ、２３ｃ）が直接施された構造を有するものであり、
    前記複数個のパッドの少なくとも一つのパッド（２３）には、Ａｌよりなるワイヤ（６１）が接続されており、
    前記複数個のパッドのうち少なくとも前記Ａｌよりなるワイヤが接続されたパッドにおける前記Ａｕメッキ層（２３ｃ）の厚さが、０．５μｍ未満であることを特徴とする電子装置。
  2. 前記複数個のパッド（２１、２３）の少なくとも一つのパッド（２１）には、Ａｕよりなるワイヤ（６０）が接続されており、
    前記複数個のパッドのうち前記Ａｕよりなるワイヤが接続されたパッドにおける前記Ａｕメッキ層（２１ｃ）の厚さが、０．０５μｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
  3. 前記Ａｌよりなるワイヤが接続されたパッド（２３）における前記Ａｕメッキ層（２３ｃ）の厚さが０．１μｍ〜０．３μｍの範囲であることを特徴とする請求項１または２に記載の電子装置。
  4. 前記基板（１０）はセラミック基板であって、配線層としてタングステン、モリブデンおよびこれらの合金のいずれかを用いたものであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一つに記載の電子装置。
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