JPH1164139A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
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- JPH1164139A JPH1164139A JP21884297A JP21884297A JPH1164139A JP H1164139 A JPH1164139 A JP H1164139A JP 21884297 A JP21884297 A JP 21884297A JP 21884297 A JP21884297 A JP 21884297A JP H1164139 A JPH1164139 A JP H1164139A
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】安価で、信頼性の高い半導体圧力センサを提供
する。 【解決手段】金属製の端子板５は樹脂製の本体２と一体
に埋設成形され、端子板５の端部は本体２に形成された
凹所２ａ内に露出する。半導体センサチップ１は本体２
の凹所２ａ内に配設されており、半導体センサチップ１
の電極と端子板５とは金属細線からなるボンディングワ
イヤ７により電気的に接続されている。端子板５の両面
全面にはＮｉめっき１０が施され、ボンディングワイヤ
７が接続される端子板５の部位には膜厚の厚い純金の部
分Ａｕめっき１１が施され、さらに部分Ａｕめっき１１
の上面から端子板５の両面全面に、フラッシュ法を用い
て純金の極薄Ａｕめっき１２が施されている。
する。 【解決手段】金属製の端子板５は樹脂製の本体２と一体
に埋設成形され、端子板５の端部は本体２に形成された
凹所２ａ内に露出する。半導体センサチップ１は本体２
の凹所２ａ内に配設されており、半導体センサチップ１
の電極と端子板５とは金属細線からなるボンディングワ
イヤ７により電気的に接続されている。端子板５の両面
全面にはＮｉめっき１０が施され、ボンディングワイヤ
７が接続される端子板５の部位には膜厚の厚い純金の部
分Ａｕめっき１１が施され、さらに部分Ａｕめっき１１
の上面から端子板５の両面全面に、フラッシュ法を用い
て純金の極薄Ａｕめっき１２が施されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体圧力センサ
に関するものである。
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】この種の半導体圧力センサとしては、図
５（ａ）に示すように、半導体基板に凹所を設けること
によって形成された受圧ダイアフラムにゲージ抵抗が形
成された半導体センサチップ１と、凹所２ａ内に半導体
センサチップ１を納装した樹脂製の本体２とを備え、本
体２に複数の金属製の端子板５を埋設成形し、凹所２ａ
内に露出する端子板５の端部と半導体センサチップ１の
電極１ａとを例えばアルミニウム細線よりなるボンディ
ングワイヤ７で接続したものがあった。
５（ａ）に示すように、半導体基板に凹所を設けること
によって形成された受圧ダイアフラムにゲージ抵抗が形
成された半導体センサチップ１と、凹所２ａ内に半導体
センサチップ１を納装した樹脂製の本体２とを備え、本
体２に複数の金属製の端子板５を埋設成形し、凹所２ａ
内に露出する端子板５の端部と半導体センサチップ１の
電極１ａとを例えばアルミニウム細線よりなるボンディ
ングワイヤ７で接続したものがあった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記構成の半導体圧力
センサでは、図５（ｂ）に示すように、端子板５の表面
及び裏面には下地にニッケル（Ｎｉ）めっき１０が施さ
れ、Ｎｉめっき１０の上面には膜厚の厚い純金の金（Ａ
ｕ）めっき１３が施されていた。このＡｕめっき１３
は、端子板５に接続されるボンディングワイヤ７の密着
性を増すために施されており、最低でも約０．５μｍ以
上の膜厚が必要となる。したがって、端子板５の先端ま
で、膜厚の厚い純金のＡｕめっき１３が施されることに
なり、半導体圧力センサの製造コストが高くなるという
問題があった。
センサでは、図５（ｂ）に示すように、端子板５の表面
及び裏面には下地にニッケル（Ｎｉ）めっき１０が施さ
れ、Ｎｉめっき１０の上面には膜厚の厚い純金の金（Ａ
ｕ）めっき１３が施されていた。このＡｕめっき１３
は、端子板５に接続されるボンディングワイヤ７の密着
性を増すために施されており、最低でも約０．５μｍ以
上の膜厚が必要となる。したがって、端子板５の先端ま
で、膜厚の厚い純金のＡｕめっき１３が施されることに
なり、半導体圧力センサの製造コストが高くなるという
問題があった。
【０００４】また、図６に示すように、端子板５の先端
をプリント基板１６に半田付けする際に、Ａｕめっき１
３の膜厚が厚いために、多量の金が半田１７中に溶け込
み、半田１７に含まれる錫（Ｓｕ）と金（Ａｕ）とが合
金化することによって、半田１７がもろくなるという問
題があった。そのため、半田割れ１７ａが発生して、導
通不良が発生する可能性があり、端子板５の接触信頼性
が低下するという問題もあった。
をプリント基板１６に半田付けする際に、Ａｕめっき１
３の膜厚が厚いために、多量の金が半田１７中に溶け込
み、半田１７に含まれる錫（Ｓｕ）と金（Ａｕ）とが合
金化することによって、半田１７がもろくなるという問
題があった。そのため、半田割れ１７ａが発生して、導
通不良が発生する可能性があり、端子板５の接触信頼性
が低下するという問題もあった。
【０００５】一方、下地のＮｉメッキ１０の上面にＡｕ
めっき１３を形成するかわりに、銀（Ａｇ）めっきを形
成した場合、Ａｇめっきは硫化しやすいために、ボンデ
ィングワイヤ７の接触不良や、半田不良が発生するとい
う問題があった。また、電圧印加時に所謂マイグレーシ
ョン(Migration) が発生するため、絶縁低下や短絡など
の不良が発生する虞があり、端子板５の間隔を狭くする
ことができず、半導体圧力センサを小型化することがで
きなかった。ここに、マイグレーションとは、二つの金
属の間に電圧がかかっているときに、一方の金属から他
方の金属に向かい、導電性のある通路に沿って金属イオ
ンが移動することをいい、この現象が進行すると、絶縁
低下や短絡を招く可能性がある。
めっき１３を形成するかわりに、銀（Ａｇ）めっきを形
成した場合、Ａｇめっきは硫化しやすいために、ボンデ
ィングワイヤ７の接触不良や、半田不良が発生するとい
う問題があった。また、電圧印加時に所謂マイグレーシ
ョン(Migration) が発生するため、絶縁低下や短絡など
の不良が発生する虞があり、端子板５の間隔を狭くする
ことができず、半導体圧力センサを小型化することがで
きなかった。ここに、マイグレーションとは、二つの金
属の間に電圧がかかっているときに、一方の金属から他
方の金属に向かい、導電性のある通路に沿って金属イオ
ンが移動することをいい、この現象が進行すると、絶縁
低下や短絡を招く可能性がある。
【０００６】本発明は上記問題点に鑑みて為されたもの
であり、その目的とするところは、安価で、信頼性を向
上させた半導体圧力センサを提供することにある。
であり、その目的とするところは、安価で、信頼性を向
上させた半導体圧力センサを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１の発明では、半導体基板に形成された受圧
ダイアフラム上にゲージ抵抗が形成された半導体センサ
チップと、半導体センサチップが納装される樹脂製の本
体と、本体に埋設成形されるとともに金属製のボンディ
ングワイヤにより半導体センサチップに電気的に接続さ
れる金属製の端子板とを備え、ボディングワイヤが接続
される端子板の部位のみに部分金めっきが施され、部分
金めっきの上面から端子板の全面にわたって極薄金めっ
きが施されているので、端子板の全面に厚みの厚い金め
っきを施した場合に比べて、金の使用量を減らすことが
でき、端子板を半田付けする際に金が半田内に溶け込む
のを低減できる。また、端子板の全面に極薄金めっきを
施しているので、マイグレーションが起こりにくく、ま
た、硫化する恐れがない。
に、請求項１の発明では、半導体基板に形成された受圧
ダイアフラム上にゲージ抵抗が形成された半導体センサ
チップと、半導体センサチップが納装される樹脂製の本
体と、本体に埋設成形されるとともに金属製のボンディ
ングワイヤにより半導体センサチップに電気的に接続さ
れる金属製の端子板とを備え、ボディングワイヤが接続
される端子板の部位のみに部分金めっきが施され、部分
金めっきの上面から端子板の全面にわたって極薄金めっ
きが施されているので、端子板の全面に厚みの厚い金め
っきを施した場合に比べて、金の使用量を減らすことが
でき、端子板を半田付けする際に金が半田内に溶け込む
のを低減できる。また、端子板の全面に極薄金めっきを
施しているので、マイグレーションが起こりにくく、ま
た、硫化する恐れがない。
【０００８】請求項２の発明では、半導体基板に形成さ
れた受圧ダイアフラム上にゲージ抵抗が形成された半導
体センサチップと、半導体センサチップが納装される樹
脂製の本体と、本体に埋設成形されるとともに金属製の
ボンディングワイヤにより半導体センサチップに電気的
に接続される金属製の端子板とを備え、端子板の全面に
わたって極薄のめっきが施され、ボンディングワイヤが
接続される極薄のめっきの部位のみに部分金めっきが施
されており、請求項３の発明では、請求項２の発明にお
いて、上記極薄のめっきが極薄金めっきであるので、請
求項１の発明と同様に、端子板の全面に厚みの厚い金め
っきを施した場合に比べて、金の使用量を減らすことが
でき、端子板を半田付けする際に金が半田内に溶け込む
のを低減できる。また、端子板の全面に極薄金めっきを
施しているので、マイグレーションが起こりにくく、ま
た、硫化する恐れがない。
れた受圧ダイアフラム上にゲージ抵抗が形成された半導
体センサチップと、半導体センサチップが納装される樹
脂製の本体と、本体に埋設成形されるとともに金属製の
ボンディングワイヤにより半導体センサチップに電気的
に接続される金属製の端子板とを備え、端子板の全面に
わたって極薄のめっきが施され、ボンディングワイヤが
接続される極薄のめっきの部位のみに部分金めっきが施
されており、請求項３の発明では、請求項２の発明にお
いて、上記極薄のめっきが極薄金めっきであるので、請
求項１の発明と同様に、端子板の全面に厚みの厚い金め
っきを施した場合に比べて、金の使用量を減らすことが
でき、端子板を半田付けする際に金が半田内に溶け込む
のを低減できる。また、端子板の全面に極薄金めっきを
施しているので、マイグレーションが起こりにくく、ま
た、硫化する恐れがない。
【０００９】請求項４の発明では、請求項２の発明にお
いて、上記極薄のめっきが、極薄金−コバルトめっきで
あるので、金めっきのかわりに安価な極薄金−コバルト
めっきを施すことにより、コストダウンを一層図ること
ができる。また、極薄金−コバルトめっきは耐摺動性に
優れているので、表面に傷が発生するのを防止できる。
いて、上記極薄のめっきが、極薄金−コバルトめっきで
あるので、金めっきのかわりに安価な極薄金−コバルト
めっきを施すことにより、コストダウンを一層図ること
ができる。また、極薄金−コバルトめっきは耐摺動性に
優れているので、表面に傷が発生するのを防止できる。
【００１０】請求項５の発明では、請求項１乃至４の発
明において、上記部分金メッキが施された端子板の部位
が本体内に埋設されているので、部分金めっきが施され
た部位が本体内にひっかかり、端子板を抜け止にくくす
ることができる。
明において、上記部分金メッキが施された端子板の部位
が本体内に埋設されているので、部分金めっきが施され
た部位が本体内にひっかかり、端子板を抜け止にくくす
ることができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面を参照
して説明する。 （実施形態１）本実施形態の半導体圧力センサの断面図
を図１（ａ）に、要部拡大断面図を図１（ｂ）に示す。
して説明する。 （実施形態１）本実施形態の半導体圧力センサの断面図
を図１（ａ）に、要部拡大断面図を図１（ｂ）に示す。
【００１２】１は、半導体基板たるシリコン基板をエッ
チングして凹所を設けることによって形成された受圧ダ
イアフラムに、ゲージ抵抗が形成された半導体センサチ
ップである。２は樹脂製の本体であり、上面に形成され
た凹所２ａにガラス台座３を介して半導体センサチップ
１が配置される。４は、半導体センサチップ１の受圧ダ
イアフラムに圧力を導入するための圧力導入孔４ａが穿
設された圧力導入用パイプであり、本体１の下面に突設
されている。５は、本体２に埋設成形された金属製の端
子板であり、半導体センサチップ１の電極（図示せず）
に、例えばアルミニウム細線などの金属製のボンディン
グワイヤ７を介して電気的に接続されている。６は、半
導体センサチップ１の上面を覆うゲル状物質であり、半
導体センサチップ１の電極とボンディングワイヤ７との
接合部を保護している。また、８は、本体２の凹所を覆
う樹脂製の保護カバーである。尚、ガラス台座３には、
圧力導入孔４ａと連通する孔３ａが穿設されており、半
導体センサチップ１の受圧ダイアフラムに圧力導入孔４
ａからの圧力を導いている。
チングして凹所を設けることによって形成された受圧ダ
イアフラムに、ゲージ抵抗が形成された半導体センサチ
ップである。２は樹脂製の本体であり、上面に形成され
た凹所２ａにガラス台座３を介して半導体センサチップ
１が配置される。４は、半導体センサチップ１の受圧ダ
イアフラムに圧力を導入するための圧力導入孔４ａが穿
設された圧力導入用パイプであり、本体１の下面に突設
されている。５は、本体２に埋設成形された金属製の端
子板であり、半導体センサチップ１の電極（図示せず）
に、例えばアルミニウム細線などの金属製のボンディン
グワイヤ７を介して電気的に接続されている。６は、半
導体センサチップ１の上面を覆うゲル状物質であり、半
導体センサチップ１の電極とボンディングワイヤ７との
接合部を保護している。また、８は、本体２の凹所を覆
う樹脂製の保護カバーである。尚、ガラス台座３には、
圧力導入孔４ａと連通する孔３ａが穿設されており、半
導体センサチップ１の受圧ダイアフラムに圧力導入孔４
ａからの圧力を導いている。
【００１３】次に、この半導体圧力センサの製造工程を
以下に説明する。図２に示すように、端子板５は例えば
銅又は銅合金からなる板金１８を打ち抜いて、フープ状
に形成される。この時、板金１８の中央部には櫛歯状の
開口１８ａが形成される。まず、板金１８の両面全面に
わたってＮｉめっき１０を形成する。次に、板金１８の
片面の中央部のみにめっきが施されるように開口が形成
されためっき用マスク１４を用い、板金１８の片面の中
央部のみに膜厚の厚い純金の部分金（Ａｕ）めっき１１
（図２中に斜線で示す）を形成し、Ｎｉめっき１０及び
純金の部分Ａｕめっき１１の上面から、板金１８の両面
全面にフラッシュ法を用いて、純金の極薄金（Ａｕ）め
っき１２を形成する。ここに、フラッシュ法とは、極め
て短時間に行う薄いめっき法のことを言う。
以下に説明する。図２に示すように、端子板５は例えば
銅又は銅合金からなる板金１８を打ち抜いて、フープ状
に形成される。この時、板金１８の中央部には櫛歯状の
開口１８ａが形成される。まず、板金１８の両面全面に
わたってＮｉめっき１０を形成する。次に、板金１８の
片面の中央部のみにめっきが施されるように開口が形成
されためっき用マスク１４を用い、板金１８の片面の中
央部のみに膜厚の厚い純金の部分金（Ａｕ）めっき１１
（図２中に斜線で示す）を形成し、Ｎｉめっき１０及び
純金の部分Ａｕめっき１１の上面から、板金１８の両面
全面にフラッシュ法を用いて、純金の極薄金（Ａｕ）め
っき１２を形成する。ここに、フラッシュ法とは、極め
て短時間に行う薄いめっき法のことを言う。
【００１４】この端子板５を本体２と一体に樹脂成形
し、純金の部分Ａｕめっき１１が施された端子板５の部
位のみを本体２の凹所２ａ内に露出させる。また、本体
２の凹所２ａには、ガラス台座３を介して半導体センサ
チップ１がシリコン系若しくはエポキシ系の接着剤を用
いて接着される。半導体センサチップ１を凹所２ａに接
着した後、半導体センサチップ１の電極と端子板５の部
分Ａｕめっき１１が施された部位とをそれぞれ金属細線
からなるボンディングワイヤ７で接続し、半導体センサ
チップ１の上面にゲル状物質６を塗布して、本体２の凹
所２ａを樹脂製の保護カバー８で覆う。
し、純金の部分Ａｕめっき１１が施された端子板５の部
位のみを本体２の凹所２ａ内に露出させる。また、本体
２の凹所２ａには、ガラス台座３を介して半導体センサ
チップ１がシリコン系若しくはエポキシ系の接着剤を用
いて接着される。半導体センサチップ１を凹所２ａに接
着した後、半導体センサチップ１の電極と端子板５の部
分Ａｕめっき１１が施された部位とをそれぞれ金属細線
からなるボンディングワイヤ７で接続し、半導体センサ
チップ１の上面にゲル状物質６を塗布して、本体２の凹
所２ａを樹脂製の保護カバー８で覆う。
【００１５】このように、ボンディングワイヤ７が接続
される端子板５の部位に部分Ａｕめっき１１を形成して
いるので、ボンディングワイヤ７の接触信頼性を向上さ
せることができる。また、部分Ａｕめっき１１の上面か
ら端子板５の全面に極薄Ａｕめっき１２を形成している
ので、半田付け性を向上させるとともに、金の使用量を
減らして、コストダウンを図ることができる。また、端
子板５を半田付けする際に、端子板５から半田内に金が
溶け込むのを低減でき、半田中の錫と金とが合金化する
ことによって、半田がもろくなり、半田割れ等の品質不
良が発生するのが防止でき、半導体圧力センサの信頼性
が向上する。
される端子板５の部位に部分Ａｕめっき１１を形成して
いるので、ボンディングワイヤ７の接触信頼性を向上さ
せることができる。また、部分Ａｕめっき１１の上面か
ら端子板５の全面に極薄Ａｕめっき１２を形成している
ので、半田付け性を向上させるとともに、金の使用量を
減らして、コストダウンを図ることができる。また、端
子板５を半田付けする際に、端子板５から半田内に金が
溶け込むのを低減でき、半田中の錫と金とが合金化する
ことによって、半田がもろくなり、半田割れ等の品質不
良が発生するのが防止でき、半導体圧力センサの信頼性
が向上する。
【００１６】さらに、端子板５の全面に極薄Ａｕめっき
１２を施しているので、マイグレーションが起こりにく
く、絶縁低下や短絡などの不良を防止することができ、
また、硫化する恐れがないため、ボンディング不良や半
田付け不良が発生することがない。さらに、端子板５に
部分的に部分Ａｕめっき１１を施すことによって、部分
Ａｕめっき１１を施した部位に段差５ａが形成される
が、部分Ａｕめっき１１が施された端子板５の部位は本
体２内に埋設されるので、端子板５に引張力が加わった
としても、この段差５ａと本体２とが引っ掛かって、端
子板５を抜けにくくすることができる。
１２を施しているので、マイグレーションが起こりにく
く、絶縁低下や短絡などの不良を防止することができ、
また、硫化する恐れがないため、ボンディング不良や半
田付け不良が発生することがない。さらに、端子板５に
部分的に部分Ａｕめっき１１を施すことによって、部分
Ａｕめっき１１を施した部位に段差５ａが形成される
が、部分Ａｕめっき１１が施された端子板５の部位は本
体２内に埋設されるので、端子板５に引張力が加わった
としても、この段差５ａと本体２とが引っ掛かって、端
子板５を抜けにくくすることができる。
【００１７】（実施形態２）実施形態１では、端子板５
の両面全面にＮｉめっき１０を施し、ボンディングワイ
ヤ７が接合される端子板５の部位のみに膜厚の厚い純金
の部分Ａｕめっき１１を施した後、端子板５の両面全面
にフラッシュ法により、純金の極薄Ａｕめっき１２を施
しているが、本実施形態では、図３に示すように、まず
端子板５の両面全面にＮｉめっき１０を施し、さらに端
子板５の両面全面にフラッシュ法により純金の極薄Ａｕ
めっき１２を施す。その後、実施形態１と同様に、めっ
き用マスク１４を用いて、ボンディングワイヤ７が接合
される端子板５の部位のみに、膜厚の厚い純金の部分Ａ
ｕめっき１１を形成する。尚、部分Ａｕめっき１１及び
極薄Ａｕめっき１２以外の半導体圧力センサの構成及び
製造工程は実施形態１と同様であるので、その説明は省
略する。
の両面全面にＮｉめっき１０を施し、ボンディングワイ
ヤ７が接合される端子板５の部位のみに膜厚の厚い純金
の部分Ａｕめっき１１を施した後、端子板５の両面全面
にフラッシュ法により、純金の極薄Ａｕめっき１２を施
しているが、本実施形態では、図３に示すように、まず
端子板５の両面全面にＮｉめっき１０を施し、さらに端
子板５の両面全面にフラッシュ法により純金の極薄Ａｕ
めっき１２を施す。その後、実施形態１と同様に、めっ
き用マスク１４を用いて、ボンディングワイヤ７が接合
される端子板５の部位のみに、膜厚の厚い純金の部分Ａ
ｕめっき１１を形成する。尚、部分Ａｕめっき１１及び
極薄Ａｕめっき１２以外の半導体圧力センサの構成及び
製造工程は実施形態１と同様であるので、その説明は省
略する。
【００１８】（実施形態３）実施形態２では、端子板５
の両面全面にＮｉめっき１０を施した後、さらに端子板
５の両面全面にフラッシュ法により、純金の極薄Ａｕめ
っき１２を施しているが、本実施形態では、図４に示す
ように、純金の極薄Ａｕめっき１２を施すかわりに、フ
ラッシュ法を用いて耐摺動性に優れる極薄Ａｕ−Ｃｏ
（金−コバルト）めっき１５を端子板５の両面全面に施
している。尚、極薄Ａｕ−Ｃｏめっき１５以外の半導体
圧力センサの構成及び製造工程は、実施形態１又は２と
同様であるので、その説明を省略する。
の両面全面にＮｉめっき１０を施した後、さらに端子板
５の両面全面にフラッシュ法により、純金の極薄Ａｕめ
っき１２を施しているが、本実施形態では、図４に示す
ように、純金の極薄Ａｕめっき１２を施すかわりに、フ
ラッシュ法を用いて耐摺動性に優れる極薄Ａｕ−Ｃｏ
（金−コバルト）めっき１５を端子板５の両面全面に施
している。尚、極薄Ａｕ−Ｃｏめっき１５以外の半導体
圧力センサの構成及び製造工程は、実施形態１又は２と
同様であるので、その説明を省略する。
【００１９】このように、プリント基板に半田付けされ
る端子板５の先端部には、純金の極薄Ａｕめっき１２よ
りも安価で、且つ、耐摺動性に優れる極薄Ａｕ−Ｃｏめ
っき１５を施しているので、さらにコストダウンを図る
ことができ、また、端子板５の先端部に傷がつきにく
く、半導体圧力センサの品質を向上させることができ
る。
る端子板５の先端部には、純金の極薄Ａｕめっき１２よ
りも安価で、且つ、耐摺動性に優れる極薄Ａｕ−Ｃｏめ
っき１５を施しているので、さらにコストダウンを図る
ことができ、また、端子板５の先端部に傷がつきにく
く、半導体圧力センサの品質を向上させることができ
る。
【００２０】
【発明の効果】上述のように、請求項１の発明は、半導
体基板に形成された受圧ダイアフラム上にゲージ抵抗が
形成された半導体センサチップと、半導体センサチップ
が納装される樹脂製の本体と、本体に埋設成形されると
ともに金属製のボンディングワイヤにより半導体センサ
チップに電気的に接続される金属製の端子板とを備え、
ボディングワイヤが接続される端子板の部位のみに部分
金めっきが施され、部分金めっきの上面から端子板の全
面にわたって極薄金めっきが施されているので、端子板
の全面に厚みの厚い金めっきを施した場合に比べて、金
の使用量を減らすことができ、コストダウンを図ること
ができるという効果がある。また、金の使用量が減るの
で、端子板を半田付けする際に金が半田内に溶け込むの
を低減でき、半田中の錫と金とが合金化することによる
半田割れなどの品質不良を防止して、半導体圧力センサ
の信頼性が向上するという効果がある。さらに、端子板
の全面に金めっきを施しているので、マイグレーション
が起こりにくく、絶縁低下や短絡などの不良を防止で
き、また、硫化する恐れがないため、ボンディング不良
や半田付け不良がなくなり、半導体圧力センサの信頼性
が向上し、且つ、歩留りが良くなるという効果がある。
体基板に形成された受圧ダイアフラム上にゲージ抵抗が
形成された半導体センサチップと、半導体センサチップ
が納装される樹脂製の本体と、本体に埋設成形されると
ともに金属製のボンディングワイヤにより半導体センサ
チップに電気的に接続される金属製の端子板とを備え、
ボディングワイヤが接続される端子板の部位のみに部分
金めっきが施され、部分金めっきの上面から端子板の全
面にわたって極薄金めっきが施されているので、端子板
の全面に厚みの厚い金めっきを施した場合に比べて、金
の使用量を減らすことができ、コストダウンを図ること
ができるという効果がある。また、金の使用量が減るの
で、端子板を半田付けする際に金が半田内に溶け込むの
を低減でき、半田中の錫と金とが合金化することによる
半田割れなどの品質不良を防止して、半導体圧力センサ
の信頼性が向上するという効果がある。さらに、端子板
の全面に金めっきを施しているので、マイグレーション
が起こりにくく、絶縁低下や短絡などの不良を防止で
き、また、硫化する恐れがないため、ボンディング不良
や半田付け不良がなくなり、半導体圧力センサの信頼性
が向上し、且つ、歩留りが良くなるという効果がある。
【００２１】請求項２の発明は、半導体基板に形成され
た受圧ダイアフラム上にゲージ抵抗が形成された半導体
センサチップと、半導体センサチップが納装される樹脂
製の本体と、本体に埋設成形されるとともに金属製のボ
ンディングワイヤにより半導体センサチップに電気的に
接続される金属製の端子板とを備え、端子板の全面にわ
たって極薄のめっきが施され、ボンディングワイヤが接
続される極薄のめっきの部位のみに部分金めっきが施さ
れており、請求項３の発明は、上記極薄のめっきが極薄
金めっきであるので、請求項１の発明と同様に、端子板
の全面に厚みの厚い金めっきを施した場合に比べて、金
の使用量を減らすことができ、コストダウンを図ること
ができるという効果がある。また、金の使用量が減るの
で、端子板を半田付けする際に金が半田内に溶け込むの
を低減でき、半田中の錫と金とが合金化することによる
半田割れなどの品質不良を防止して、半導体圧力センサ
の信頼性が向上するという効果がある。さらに、端子板
の全面に金めっきを施しているので、マイグレーション
が起こりにくく、絶縁低下や短絡などの不良を防止で
き、また、硫化する恐れがないため、ボンディング不良
や半田付け不良がなくなり、半導体圧力センサの信頼性
が向上し、且つ、歩留りが良くなるという効果がある。
た受圧ダイアフラム上にゲージ抵抗が形成された半導体
センサチップと、半導体センサチップが納装される樹脂
製の本体と、本体に埋設成形されるとともに金属製のボ
ンディングワイヤにより半導体センサチップに電気的に
接続される金属製の端子板とを備え、端子板の全面にわ
たって極薄のめっきが施され、ボンディングワイヤが接
続される極薄のめっきの部位のみに部分金めっきが施さ
れており、請求項３の発明は、上記極薄のめっきが極薄
金めっきであるので、請求項１の発明と同様に、端子板
の全面に厚みの厚い金めっきを施した場合に比べて、金
の使用量を減らすことができ、コストダウンを図ること
ができるという効果がある。また、金の使用量が減るの
で、端子板を半田付けする際に金が半田内に溶け込むの
を低減でき、半田中の錫と金とが合金化することによる
半田割れなどの品質不良を防止して、半導体圧力センサ
の信頼性が向上するという効果がある。さらに、端子板
の全面に金めっきを施しているので、マイグレーション
が起こりにくく、絶縁低下や短絡などの不良を防止で
き、また、硫化する恐れがないため、ボンディング不良
や半田付け不良がなくなり、半導体圧力センサの信頼性
が向上し、且つ、歩留りが良くなるという効果がある。
【００２２】請求項４の発明は、上記極薄のめっきが、
極薄金−コバルトめっきであるので、金めっきのかわり
に安価な極薄金−コバルトめっきを施すことにより、コ
ストダウンを一層図ることができるという効果がある。
また、極薄金−コバルトめっきは耐摺動性に優れている
ので、表面に傷が発生するのを防止でき、半導体圧力セ
ンサの品質を向上させることができるという効果があ
る。
極薄金−コバルトめっきであるので、金めっきのかわり
に安価な極薄金−コバルトめっきを施すことにより、コ
ストダウンを一層図ることができるという効果がある。
また、極薄金−コバルトめっきは耐摺動性に優れている
ので、表面に傷が発生するのを防止でき、半導体圧力セ
ンサの品質を向上させることができるという効果があ
る。
【００２３】請求項５の発明は、請求項１乃至４の発明
において、上記部分金メッキが施された端子板の部位が
本体内に埋設されているので、部分金めっきが施された
部位が本体内にひっかかり、端子板を抜け止にくくでき
るという効果がある。
において、上記部分金メッキが施された端子板の部位が
本体内に埋設されているので、部分金めっきが施された
部位が本体内にひっかかり、端子板を抜け止にくくでき
るという効果がある。
【図１】実施形態１の半導体圧力センサを示し、（ａ）
は断面図、（ｂ）は要部拡大断面図である。
は断面図、（ｂ）は要部拡大断面図である。
【図２】同上の製造工程を示す図である。
【図３】実施形態２の半導体圧力センサを示す要部拡大
断面図である。
断面図である。
【図４】実施形態３の半導体圧力センサを示す要部拡大
断面図である。
断面図である。
【図５】従来の半導体圧力センサを示し、（ａ）は外観
斜視図、（ｂ）は要部拡大断面図である。
斜視図、（ｂ）は要部拡大断面図である。
【図６】同上の半導体圧力センサを半田付けした状態を
示す図である。
示す図である。
１ 半導体センサチップ ２ 本体 ２ａ 凹所 ５ 端子板 ７ ボンディングワイヤ １０ Ｎｉめっき １１ 部分Ａｕめっき １２ 極薄Ａｕめっき
Claims (5)
- 【請求項１】半導体基板に形成された受圧ダイアフラム
上にゲージ抵抗が形成された半導体センサチップと、半
導体センサチップが納装される樹脂製の本体と、本体に
埋設成形されるとともに金属製のボンディングワイヤに
より半導体センサチップに電気的に接続される金属製の
端子板とを備え、ボディングワイヤが接続される端子板
の部位のみに部分金めっきが施され、部分金めっきの上
面から端子板の全面にわたって極薄金めっきが施された
ことを特徴とする半導体圧力センサ。 - 【請求項２】半導体基板に形成された受圧ダイアフラム
上にゲージ抵抗が形成された半導体センサチップと、半
導体センサチップが納装される樹脂製の本体と、本体に
埋設成形されるとともに金属製のボンディングワイヤに
より半導体センサチップに電気的に接続される金属製の
端子板とを備え、端子板の全面にわたって極薄のめっき
が施され、ボンディングワイヤが接続される極薄のめっ
きの部位のみに部分金めっきが施されたことを特徴とす
る半導体圧力センサ。 - 【請求項３】上記極薄のめっきが、極薄金めっきである
ことを特徴とする請求項２記載の半導体圧力センサ。 - 【請求項４】上記極薄のめっきが、極薄金−コバルトめ
っきであることを特徴とする請求項２記載の半導体圧力
センサ。 - 【請求項５】上記部分金メッキが施された端子板の部位
が本体内に埋設されたことを特徴とする請求項１乃至４
記載の半導体圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21884297A JPH1164139A (ja) | 1997-08-13 | 1997-08-13 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21884297A JPH1164139A (ja) | 1997-08-13 | 1997-08-13 | 半導体圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1164139A true JPH1164139A (ja) | 1999-03-05 |
Family
ID=16726204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21884297A Withdrawn JPH1164139A (ja) | 1997-08-13 | 1997-08-13 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1164139A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6645606B2 (en) | 2001-06-06 | 2003-11-11 | Denso Corporation | Electrical device having metal pad bonded with metal wiring and manufacturing method thereof |
-
1997
- 1997-08-13 JP JP21884297A patent/JPH1164139A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6645606B2 (en) | 2001-06-06 | 2003-11-11 | Denso Corporation | Electrical device having metal pad bonded with metal wiring and manufacturing method thereof |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20041102 |