JP3670990B2 - スタックされたコンポーネントを有する電子部材およびその作製方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 30
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 claims description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 8
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L25/0657—Stacked arrangements of devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/50—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor for integrated circuit devices, e.g. power bus, number of leads
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
- H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
- H01L2225/0651—Wire or wire-like electrical connections from device to substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
- H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
- H01L2225/06527—Special adaptation of electrical connections, e.g. rewiring, engineering changes, pressure contacts, layout
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
- H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
- H01L2225/06551—Conductive connections on the side of the device
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、スタックされたコンポーネントを有する電子部材およびその作製方法に関しており、ここで各コンポーネントはチップを有しており、このチップは、リードフレームによって形成されたスタック中間面に取り付けられている。
【0002】
【従来の技術】
個々のチップへのアクセスを保証するため、各スタック中間面は調整可能なチップ選択回路を有する。スタック中間面毎に別個のレイアウトを要するこのチップ選択回路を用いることにより、アドレッシングによって、電子部材のスタックされたコンポーネントの個別のチップにアクセスすることは可能である。このようなスタックされたコンポーネントの欠点は、スタック中間面毎に固有のレイアウトを設計して作製しなければならないことである。このためにコンポーネントを電子部材に組み立てるないしはスタックする際にスタック中間面を間違える危険性が格段に高まってしまうだけでなく、スタック中間面の導体構造が異なれば別個の設計を行うことに対して大きなコストが必要であり、またスタックされたコンポーネントを有する電子部材を作製する際に大きなコストが必要である。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、スタックされたコンポーネントを有する電子部材を改良して、スタック中間面の設計のコストが格段に低減され、かつ個々のコンポーネントのアドレッシングが簡単に保証できるようにすること、およびこのような電子部材を作製する方法を提供することである。
【0004】
【課題を解決するための手段】
この課題は、請求項1、請求項10および請求項11の特徴部分に記載された特徴的構成によって解決される。本発明の有利な発展形態は従属請求項に記載されている。
【0005】
【発明の実施の形態と利点】
上記の課題は本発明により、スタックされたコンポーネントを有する電子部材によって解決され、ここで各コンポーネントは、スタック中間面に取り付けられたチップを有しており、スタックの複数のスタック中間面は同一のレイアウトを有しており、その一方でチップにはコンタクト領域を介して不可逆的に調整可能なチップ選択回路が配置されており、このチップ選択回路によってコンタクト領域がスタック中間面に不可逆的に割り当てられる。
【0006】
この解決手段の利点は、チップ選択回路を最小化でき、かつこのチップ回路がスタック中間面に配置されるチップ選択回路よりも格段に少ないスペースしか要しないことである。
【0007】
別の利点はすべてのスタック中間面を同一に実施することである。このことは一方では大量生産のために必要であり、このことによって他方ではスタック中間面に対するコストが低減される。
【0008】
チップに配置される本発明のチップ選択回路は、複数の遮断器回路を有しており、これらの遮断器回路の個数は少なくともスタック中間面の個数に等しい。このことの利点は、チップ面で遮断器回路を起動することによりすでにチップのアドレッシングを不可逆的に行うことができ、これによってスタック中間面の種々のアドレッシング回路を省略できることである。さらにチップにあるチップ選択回路の利点は、最初からアドレッシングを行う必要はなく、電子部材に対する作製ステップの適切な箇所でチップのアドレッシングないしはチップの選択を行い得ることである。ここでこの適切な箇所は、遮断器回路技術および不可逆的なアドレッシングに対するコスト的に有利な時点、ないしは電子部材の、スタックされたコンポーネントにあるスタック中間面へのコンタクト領域の不可逆的な割り当てにしたがう。
【0009】
本発明の有利な1実施形態において各遮断器回路は、入力側コンタクト領域に接続されている入力側線路と、出力側コンタクト領域に接続されている出力側線路とを有する。この入力側コンタクト線路ないしは出力側コンタクト線路を介して遮断器回路はそれぞれ個別に起動可能であるが、アドレッシングされるチップに設けられた、スタック中間面を決定する遮断器回路だけはこのチップ選択回路において起動されない。
【0010】
本発明の別の実施形態では、遮断器回路は共通の出力側コンタクト領域と、個別の入力側コンタクト領域とを有している。このように配置し、遮断器回路を一緒に接続することより、チップに設けられるチップ選択回路に対する面積コストが低減されると同時に各遮断器回路を個別に制御できることが保証される。
【0011】
本発明の別の実施形態では、遮断器回路の入力側コンタクト領域は、ボンディングされたワイヤを介してスタック中間面の入力側端子領域に接続される。この実施形態の利点は、遮断器回路のトリガを直接チップ上で入力側コンタクト領域を介して行う必要がなく、このために同じスタック中間面にある入力側端子領域を使用できることである。これにより、入力側コンタクト領域よりも大きな入力側端子領域によってアクセスがより容易になる。
【0012】
本発明の別の実施形態では、スタック中間面にある入力側端子領域は、入力側コンタクトピンに接続されており、これがスタックされたコンポーネントを接続する。これらの入力側コンタクトピンは、コンポーネントが重なり合ってスタックされた後に、スタックされたコンポーネントに取り付けられる。これによって多数のコンタクト領域およびコンタクト端子領域を、最小数の入力側コンタクトピンに低減することができ、この場合にこれらの入力側コンタクトピンを介して、スタックの個別のコンポーネントに確実にアクセスすることができる。したがって入力側コンタクトピンは同時にアドレスコンタクトでもあり、これを介して別個のスタック中間面およびスタックされたコンポーネントのチップへのアクセスを、例えば回路基板またはフレキシブルな線路バス上にある外部の回路から行うことができる。
【0013】
本発明の別の実施形態ではチップ選択回路の共通の出力側コンタクト領域は、ボンディングされた1つずつのワイヤを介して、スタック中間面の共通の出力側端子領域に接続されている。本発明のこの実施形態では1つのチップの全遮断器回路はただ1つの出力側コンタクト領域しか有しないため、各スタック中間面にもただ1つの出力側端子領域しかない。スタック中間面に対するコストは、各スタック中間面に設けられる個別に適合化された別個のアドレッシング回路のコストから、各スタック中間面の統一された入力側端子領域と共通の出力側端子領域とのコストに低減される。
【0014】
本発明の別の有利な実施形態では、スタック中間面の入力側端子領域は、入力側コンタクトピンにおけるスルーコンタクトを介して、スタックされたコンポーネントを有する電子部材のベースまで導かれる。この実施形態の利点は、電子部材のベース全体にコンタクトピンを設けることができ、これによって数多くのアドレッシングピンならびに別の信号および電力端子ピンを、スタックされたコンポーネントを有する電子部材に対して実現できることである。
【0015】
本発明の別の実施形態では、スタック中間面の入力側端子領域は、各スタック中間面の縁部領域に配置されており、かつ電子部材の側面部の入力側コンタクトピンを介して接続されている。このためにスタック中間面が設けられているリードフレームの縁部領域は、入力側コンタクトピンに接続されるべき箇所がメタライゼーションされている。
【0016】
入力側コンタクトピンがアドレッシングコンタクトとして不可逆的に決定されかつ割り当てられる、スタックされたコンポーネントを有する電子部材を作製する方法は、つぎの方法ステップを有する。すなわちここでは、
− 別個の入力側コンタクト領域と、共通の出力側コンタクト領域とを有するチップに、複数の遮断器回路を有するチップ選択回路を載置し、
− 複数の別個の入力側端子領域と、共通の出力側端子領域とを有するスタック中間面を有するリードフレームにチップを載置し、
− 入力側コンタクト領域と、入力側端子領域とを接続し、かつ出力側コンタクト領域と、共通の出力側端子領域とを接続し、
− チップの全遮断器回路に対する、スタック中間面にある共通の出力側コンタクト領域と、チップのスタック中間面の遮断器回路の、並び合う全入力側コンタクト領域との間に遮断器電圧を印加し、ここでこの電圧の印加は、このスタック中間面を特徴付けかつアドレッシングに使用される入力側コンタクト領域を除いて行われ、
− チップと、スタック中間面を有するリードフレームとからなる複数のコンポーネントをスタックし、
− 入力側コンタクトピンを取り付けて、スタックされたコンポーネントの入力側端子領域を接続する。
【0017】
この方法の利点は、簡単かつ経済的に、スタックされたコンポーネントを有する電子部材を作製できることであり、ここでは多数の遮断器回路および種々異なる多数の線路を数少ない入力側コンタクトピンに集中させることができ、これらの入力側コンタクトピンを介して別個のスタック中間面にある個々のチップをアドレッシング可能である。さらにこの方法は、遮断器回路の簡単な起動によって、チップを個々のスタック中間面に割り当てられるという利点を有する。
【0018】
作製方法の別の実施例では遮断器回路の代わりに、レーザ蒸発または別の蒸発ビーム技術によって遮断可能な遮断器素子がチップに配置される。入力側コンタクトピンがアドレッシングコンタクトとして不可逆的に決定されかつ割り当てられる、スタックされたコンポーネントを有する電子部材の作製方法のこのような変形例はつぎのステップを有する。すなわちここでは、
− 別個の入力側コンタクト領域と、共通の出力側コンタクト領域とを有するチップに、複数の遮断器素子を有するチップ選択回路を載置し、
− 遮断器素子がチップのアドレッシングに使用されなくなるまで、有利にはレーザ蒸発によってこの遮断器素子を切断し、
− 複数の別個の入力側端子領域と、共通の出力側端子領域とを有するスタック中間面を備えるリードフレームにチップを載置し、
− 入力側コンタクト領域と、入力側端子領域とを接続し、かつ出力側コンタクト領域と、共通の出力側端子領域とを接続し、
− チップと、スタック中間面を有するリードフレームとからなる複数のコンポーネントをスタックし、
− 入力側コンタクトピンを取り付けて、スタックされたコンポーネントの入力側端子領域を接続する。
【0019】
この方法の利点は、作製ステップにおける遮断器素子の切断を分割されていないウェーハにおいてすでに行い得る、ないしは分割後に個別のチップにおいて行い得ることであり、その際にチップはリードフレームにまだ載置されていないままである。しかしながら原理的にはこの切断を有利にはレーザ技術によって作製ステップにおける後の時点に行うこともできる。しかしながらコンポーネントがすでに互いに重なり合ってスタックされている場合にはもはや不可能である。それはこの場合、蒸発ビームによって遮断器素子に手を出すことはもはやできないからである。
【0020】
この方法の別の実施例では、スタックされたコンポーネントの入力側コンタクト領域と入力側端子領域との接続および出力側コンタクト領域と出力側端子領域との接続をボンディング方式で行う。このボンディング方式の利点は、複数のチップを単一のスタック中間面に有するコンポーネントもであってもリードフレームに載置できることである。さらにボンディング方式は、スタック中間面のハイブリッド回路も接続できるという利点を有する。
【0021】
この方法の有利な実施例では入力側コンタクトピンを、スタックされたコンポーネントの側辺に配置する。コンタクトピンを電子部材の側辺に配置することは、実施されている技術に比して極めて経済的であるという利点を有するが、取り付け可能なコンタクトピンの数が限られるといる欠点も有する。
【0022】
この方法の別の実施例ではすべてのスタック中間面は同じレイアウトで作製される。この同一のレイアウトは、スタックされたスタック中間面をアクセスするための共通の出力側端子領域および入力側端子領域だけを有しているが、個別のアドレッシング回路またはチップ選択回路は有していない。
【0023】
この方法の別の実施例では、所定の個数の遮断器回路または遮断器素子を遮断することによって、不可逆的な割り当てを半導体ウェーハで直接的行う。この割り当ては集積回路を半導体ウェーハに作製し終えた後ではあるが、半導体ウェーハを個別の半導体チップに分割する前に行われる。この方法が経済的に有利であるのは殊に、チップ選択回路に遮断器素子が設けられている場合である。この遮断器素子は後からの蒸発によって切断することができるため、レーザスキャンまたは電子スキャンによってチップ選択回路を不可逆的に調整することができる。
【0024】
本発明による方法の別の実施例では、半導体チップに対するリードフレームテープにチップを載置した後、遮断器電圧を所定の数の遮断器回路に印加するか、または所定の数の遮断器素子を蒸発させることによって不可逆的な割り当てを行う。チップがまだリードフレームテープに固定されている間の不可逆的な割り当ては、つぎのような利点を有する。すなわち半導体チップおよびそのコンタクト領域と、リードフレームテープのコンタクト端子領域とをボンディングした直後には、この割り当てを大きなコストをかけることなく、遮断器電圧を印加することによって、またはチップの相応に準備された遮断器素子を切断するレーザビーム技術を使用することによって行うことができるという利点を有する。このために平面導体パターンを有するメタルテープを構造化することによってリードフレームテープを作製する。
【0025】
択一的には金属層を導体路に構造化することによって、リードフレームをメタルクラッディングされたシートテープから作製することが可能である。この作製方式では不可逆的な割り当ては、接続を行った後に行われ、有利には、n個が相前後してリードフレームテープに配置されたチップのコンタクト領域と、リードフレームテープの端子領域との間のボンディングの後、コンポーネントを電子部材にスタックする前に行われる。部材をスタックするため、リードフレームテープは個々のリードフレームに切断され、ばらばらにされたリードフレームは行われた割り当てに相応してスタック中間面の割り当ての順番で互いに積み重ねられる。
【0026】
例えば、TSOPコンポーネント、BGAパッケージのスタックないしはスタッキングまたはチップ面へのスタックないしはスタッキングの際にはアドレスおよびデータ線路は短絡される。チップ選択回路ないしはチップセレクトを介してスタッキング装置の1つずつのチップはアクティブに導通接続される。このためにチップセレクトはチップ毎に外部に別個に配線される。したがってスタッキング面が異なれば、チップセレクトをそれぞれ結合するために別個のレイアウトも必要である。本発明によれば、スタック中間面またはリードフレームの統一的なレイアウトが可能である。これにより、チップ面にチップセレクトを定義することによって、レイアウトコストを節約可能である。それはすべてのスタッキング中間面に対して統一的なレイアウトが可能になるからであり、すべてのスタッキング中間面は簡単に短絡され、チップセレクトに対する出力側端子ないしはPAD端子はチップ面に設けることができるからである。その理由はチップセレクトに対する定義はチップ面で行われるからである。遮断器回路は、線路技術による簡単な安全装置ないしはヒューズとすることができ、これは相応の高さの遮断器電圧を印加し、ひいては高い電流密度を形成することによって溶融する。
【0027】
【実施例】
本発明を添付の図面を参照し、実施例に基づいて詳しく説明する。
【0028】
図1は、リードフレームT1と、チップC1にチップ選択回路A1を有するチップC1とからなるコンポーネント1の原理を示す概略平面図である。一点鎖線は、チップC1の境界G1を示している。チップC1はリードフレームT1に取り付けられており、これは4つの側辺S11,S12,S13およびS14を有する。チップC1にはチップ選択回路A1が配置されており、これは実質的に遮断器回路U11〜U1nまたは遮断器素子E11〜E1nからなり、ここで遮断器回路U11〜U1nないしは遮断器素子E11〜E1nは入力側線路L11〜L1nおよび出力側線路LA11〜LA1nを有する。出力側線路LA11〜LA1nが共通の出力側線路L1を介して、チップC1の出力側コンタクト領域CS1に接続されているのに対して、入力側線路L11〜L1nはそれぞれ別個に、チップC1の個々の入力側コンタクト領域CS11〜CS1nに導かれている。共通の出力側線路L1の他にチップC1には別の出力側線路B1が設けられており、この線路には例えばアドレッシング信号を供給することができる。これに対して共通の出力側線路L1はプログラミングないしはチップ選択回路A1の不可逆的な割り当てに使用される。
【0029】
リードフレームT1にはこの実施例では側辺S11の縁部領域に入力端子領域KA11〜KA1nが配置されており、これらはボンディングワイヤD11〜D1nを介してチップC1の入力側コンタクト領域CS11〜CS1nにそれぞれ接続されている。入力側端子領域KA11〜KA1nは入力側コンタクトピンK1〜Knにコンタクトしており、これらはリードフレームT1の側辺S11に配置されている。
【0030】
リードフレームT1の側辺S11の縁部領域にある出力側端子領域KA1は、ボンディングワイヤD1を介してチップC1の共通の出力側コンタクト領域CS1に接続されている。別のコンタクト領域K11〜K1nがチップC1に配置されており、これらはチップC1の集積回路と通信を行う。
【0031】
図1に示したコンポーネント1をスタック中間面に不可逆的に割り当てるためには、1からnまで通し番号付けされたスタック中間面の番号に対応して、遮断器回路U11〜U1nないしは遮断器素子E11〜E1nのうちの1つが遮断されるのではなく、残りの遮断器回路ないしは遮断器素子が、遮断器電圧を印加することによって、または蒸発処理によって、およびレーザビームまたは電子ビームを用いて遮断される。これによって入力側コンタクトピンK1〜Knのうちの1つが一意的にアドレス線路B1に割り当てられる。したがって図1の実施形態ではチップ選択回路A1はチップC1それ自体に配置されており、スタック中間面Z1ないしはフレームT1には配置されていないため、電子部材のコンポーネント1〜nのすべてのスタック中間面Z1〜Znを完全に同一に構成することができる。リードフレームT1の入力側端子領域KA11〜KA1nが入力側コンタクトピンK1〜Knに接続されているのに対して、このコンポーネントの共通の出力側端子領域KA1はコンタクトピンによって互いに接続されておらず、この出力側端子領域は、単にチップC1〜Cnのチップ選択回路A1〜Anをプログラムするために使用される。
【0032】
図2は電子部材の原理を示す概略斜視図であり、この電子部材は、チップC1〜Cnにチップ選択回路A1〜Anを有するn重にスタックされたコンポーネント1〜nからなる。これらのコンポーネント1〜nは互いに重なり合いスタックされて配置されている。図2の最上部のコンポーネント1は、図1のコンポーネントに相応する。同じ参照符号は同じ構成要素を示しているため、新たに説明しない。コンポーネント1〜nはそれぞれ、スタック中間面Z1〜Znを有するリードフレームT1〜Tnを有している。
【0033】
リードフレームT1〜TnにはチップC1〜C2が配置されている。各チップC1〜Cnは、集積回路の他にチップ選択回路A1〜Anを有する。チップ選択回路A1〜Anは実質的に遮断器回路U11〜Unnまたは遮断器素子E11〜Ennからなる。個別の入力側線路L11〜Lnnは、遮断器回路ないしは遮断器素子と、チップC1〜Cnの入力側コンタクト領域CS11〜CSnnとを接続する。チップC1〜Cnはこの実施例では半導体チップであり、これは少なくとも1つの集積回路を有する。この集積回路のアドレッシングは、各チップ選択回路A1〜Anの共通の出力側線路B1〜Bnを介して行われる。コンポーネント1〜nのチップ選択回路A1〜Anの上に説明した割り当てによれば、個々の入力側コンタクトピンK1〜Knと、出力側線路B1〜Bnとの直接的な接続が設けられているため、入力側コンタクトピンK1〜Knを介してスタック中間面の集積回路をアドレッシング可能である。
【0034】
例えばTSOPコンポーネントとすることが可能なスタックされたコンポーネント1〜nからなる、図2に示した電子部材は、この実施形態ではつぎのような方法によって作製されている。まず、集積回路をチップC1〜Cnに収容する間に同時に、複数の遮断器回路U11〜U1nを有するチップ選択回路を載置する。ここでこれらの遮断器回路は、別個の入力側コンタクト領域CS11〜CS1nと、共通の出力側コンタクト領域CS1とを有する。
【0035】
このように作製されたチップC1〜Cnは相前後して配置されたリードフレームT1〜Tnを有するリードフレームテープに載置される。ここでこのリードフレームテープは、平面導体パターンを有する構造化されたメタルテープとすることが可能であり、またはメタルクラッディングを有するシートテープから構成することが可能である。シートテープの場合、メタルクラッディングの金属層は導体路に構造化され、付加的に出力側端子領域および入力側端子領域がリードフレームテープに設けられる。チップC1〜Cnがまだリードフレームテープに相前後して配置されている間に、これらにボンディングワイヤを設けることができる。ここでチップ選択回路A1〜Anに対するボンディングワイヤにも、個別の入力側コンタクト領域に対するボンディングワイヤにも、各チップ選択回路A1〜Anの共通の出力側コンタクト領域に対するボンディングワイヤにも、リードフレームテープに設けられた相応する入力側端子領域ないしは出力側端子領域が接続される。
【0036】
コンポーネント1〜nを不可逆的にスタック状態に割り当てるため、およびスタックの個々の集積回路を一意的にアドレッシングするため、リードフレームにおいてこれらの割当てを行うことも可能である。これは、相応する遮断器電圧を入力側端子領域KA11〜KAnnないしは出力側端子領域KA1〜KAnに印加することによって行われる。この際に、コンポーネント1〜nを特徴付ける遮断器回路U11〜Unnの1つずつに遮断器電圧は供給されない。
【0037】
このようにしてチップ選択回路A1〜Anを用いてコンポーネントを不可逆的に割り当てた後、このリードフレームテープは個々のリードフレームに分割され、これらのリードフレームはそこに設けられたチップC1〜Cnと共に、あらかじめ設定された順番で重ね合わされてスタックされ、図2に示されているように、側辺S11〜S1nのうちの1つに入力側コンタクトピンK1〜Knが設けられる。これらの入力側コンタクトピンによって、重なり合う入力側端子領域が互いに接続される。これにより、先行して行われたチップ選択回路A1〜Anによる不可逆的な割り当てに基づいて、入力側コンタクトピンK1〜Knはそれぞれ一意的にチップC1〜Cnのアドレス線路B1〜Bnに接続される。リードフレームT1〜Tnの導体構造は、すべてのスタック中間面Z1〜Znに対して同じであるため、すべてのスタック中間面に対してただ1つのレイアウトしか必要でない。
【図面の簡単な説明】
【図1】リードフレームと、チップにチップ選択回路を有するチップとからなるコンポーネントの原理を示す概略平面図である。
【図2】チップにn個のチップ選択回路を有するn重にスタックされたコンポーネントからなる電子部材の原理を示す概略斜視図である。
【符号の説明】
1−n コンポーネント
C1−Cn チップ
Z1−Zn スタック中間面
T1−Tn リードフレーム
CS1−CSn 出力側コンタクト領域
CS11−CSnn 入力側コンタクト領域
A1−An チップ選択回路
U11−Unn 遮断器回路
L11−Lnn 入力側線路
KA1−KAn 出力側端子領域
L1−Ln 共通の出力側線路
K1−Kn 入力側コンタクトピン
E11−Enn 遮断器素子
D1−Dn 出力側ボンディングワイヤ
D11−Dnn 入力側ボンディングワイヤ
S11−Sn4 リードフレームの側辺
B1−Bn アドレス線路
LA11−LAnn 遮断器回路ないしは遮断器素子の出力側線路
K11−K1n チップのコンタクト領域
G1−Gn チップの境界
Claims (19)
- スタックされたコンポーネント(1〜n)を有する電子部材において、
各コンポーネント(1〜n)は、スタック中間面(Z1〜Zn)に取り付けられたチップ(C1〜Cn)を有しており、
スタックの前記スタック中間面(Z1〜Zn)は同一のレイアウトを有しており、
前記チップ(C1〜Cn)にはコンタクト領域(CS1〜CSnおよびCS11〜CSnn)を介して不可逆的に調整可能なチップ選択回路(A1〜An)が配置されており、
該チップ選択回路(A 1 〜A n )は、複数の遮断器回路(U 11 〜U nn )を有しており、各チップ(C 1 〜C n )における該遮断器回路の個数は、少なくともスタック中間面(Z 1 〜Z n )の数に等しく、
該チップ選択回路によって、前記コンタクト領域(CS1〜CSnおよびCS11〜CSnn)が前記スタック中間面(Z1〜Zn)に不可逆的に割り当てられることを特徴とする、
スタックされたコンポーネント(1〜n)を有する電子部材。 - 各遮断器回路(U11〜Unn)は、入力側線路(L11〜Lnn)を介して入力側コンタクト領域(CS11〜CSnn)に接続されており、かつ出力側線路(L1〜Ln)を介して出力側コンタクト領域(CS1〜CSn)に接続されている
請求項1に記載の電子部材。 - 前記遮断器回路(U11〜Unn)は、共通の出力側コンタクト領域(CS1〜CSn)と、別個の入力側コンタクト領域(CS11〜CSnn)とを有する
請求項1または2に記載の電子部材。 - 遮断器回路(U11〜Unn)の入力側コンタクト領域(CS11〜CSnn)は、ボンディングされたワイヤ(D11〜Dnn)を介して、スタック中間面(Z1〜Zn)の入力側端子領域(KA11〜KAnn)に接続されている
請求項3に記載の電子部材。 - スタック中間面(Z1〜Zn)の前記入力側端子領域(KA11〜KAnn)は、入力側コンタクトピン(K1〜Kn)に接続されており、
該入力側コンタクトピンによって、スタックされたコンポーネント(1〜n)が接続される
請求項4に記載の電子部材。 - チップ選択回路(A1〜An)の共通の出力側コンタクト領域(CS1〜CSn)は、1つずつのボンディングされたワイヤ(D1〜Dn)を介して、スタック中間面(Z1〜Zn)の共通の出力側端子領域(KA1〜KAn)に接続されている
請求項3から5までのいずれか1項に記載の電子部材。 - スタック中間面(Z1〜Zn)の入力側端子領域(KA11〜KAnn)は、入力側コンタクトピン(K1〜Kn)におけるスルーホールを介して、スタックされたコンポーネント(1〜n)を有する電子部材のベースに導かれている
請求項1から6までのいずれか1項に記載の電子部材。 - スタック中間面(Z1〜Zn)の入力側端子領域(KA11〜KAnn)は、各スタック中間面(Z1〜Zn)の縁部領域に配置されており、かつ電子部材の側面(S11〜Sn4)の入力側コンタクトピン(K1〜Kn)を介して接続されている
請求項1から7までのいずれか1項に記載の電子部材。 - 入力側コンタクトピン(K1〜Kn)がアドレスコンタクトとして不可逆的に決定されかつ割り当てられる、スタックされたコンポーネント(1〜n)を有する電子部材を作製する方法において、
− 別個の入力側コンタクト領域(CS11〜CS1n)と、共通の出力側コンタクト領域(CS1)とを有するチップ(C1)に、複数の遮断器回路(U11〜U1n)を有するチップ選択回路(A1)を載置し、
− 複数の別個の入力側端子領域(KA11〜KA1n)と、共通の出力側端子領域(KA1)とを有するスタック中間面(Z1)を備えるリードフレーム(T1)にチップ(C1)を載置し、
− 入力側コンタクト領域(CS11〜CS1n)と、入力側端子領域(KA11〜KA1n)とを接続し、かつ出力側コンタクト領域(CS1〜CSn)と、共通の出力側端子領域(KA1)とを接続し、
− チップ(C1)の全遮断器回路(U12〜U1n)に対する、スタック中間面(Z1〜Zn)にある共通の出力側端子領域(KA1)と、チップ(C1)のスタック中間面(Z1〜Zn)の遮断器回路(U12〜U1n)の、並び合う全入力側コンタクト領域(CS11〜CS1n)との間に遮断器電圧を印加し、ここで当該電圧の印加は、このスタック中間面(Z1)を特徴付けかつアドレッシングに使用される入力側コンタクト領域(CS11)を除いて行われ、
− チップ(C1〜Cn)と、スタック中間面(Z1〜Zn)を有するリードフレーム(T1〜Tn)とからなる複数のコンポーネント(1〜n)をスタックし、
− 入力側コンタクトピン(K1〜Kn)および出力側コンタクトピン(K0)を取り付けて、スタックされたコンポーネント(1〜n)の入力側端子領域(KA11〜KAnn)ないしは出力側端子領域(KA1〜KAn)を接続することを特徴とする
スタックされたコンポーネントを有する電子部材を作製する方法。 - 入力側コンタクトピン(K1〜Kn)がアドレッシングコンタクトとして不可逆的に決定されかつ割り当てられる、スタックされたコンポーネント(1〜n)を有する電子部材を作製する方法において、
− 別個の入力側コンタクト領域(CS11〜CS1n)と、共通の出力側コンタクト領域(CS1)とを有するチップ(C1)に、複数の遮断器素子(E11〜EDU1n)を有するチップ選択回路(A1)を載置し、
− 遮断器素子(E12〜E1n)がチップ(C1〜Cn)のアドレッシングに使用されなくなるまで、該遮断器素子を切断し、
− 複数の別個の入力側端子領域(KA11〜KA1n)と、共通の出力側端子領域(KA1)とを有するスタック中間面(Z1)を備えるリードフレーム(T1)にチップ(C1)を載置し、
− 入力側コンタクト領域(CS11〜CS1n)と、入力側端子領域(KA11〜KA1n)とを接続し、かつ出力側コンタクト領域(CS1)と、共通の出力側端子領域(KA1)とを接続し、
− チップ(C1〜Cn)と、スタック中間面(Z1〜Zn)を有するリードフレーム(T1〜Tn)とからなる複数のコンポーネント(1〜n)をスタックし、
− 入力側コンタクトピン(K1〜Kn)を取り付けて、スタックされたコンポーネント(1〜n)の入力側端子領域(KA11〜KAnn)を接続することを特徴とする
スタックされたコンポーネントを有する電子部材を作製する方法。 - 前記遮断器素子(E 11 〜E 1n )をレーザ蒸発によって切断する、
請求項10に記載の方法。 - 入力側コンタクト領域(CS11〜CS1n)と入力側端子領域(KA11〜KA1n)との接続および出力側コンタクト領域(CS1)と出力側端子領域(KA1)との接続をボンディング方式で行う
請求項9から11までのいずれか1項に記載の方法。 - 入力側コンタクトピン(K1〜Kn)を、スタックされたコンポーネント(1〜n)の側辺(S11〜Sn4)に配置する
請求項9から12までのいずれか1項に記載の方法。 - すべてのスタック中間面(Z1〜Zn)に対して同じレイアウトを作製する
請求項9から13までのいずれか1項に記載の方法。 - 所定の個数の遮断器回路(U11〜Unn)または遮断器素子(E11〜E1n)を遮断することによって、前記の不可逆的な割り当てを半導体ウェーハにて直接行い、当該割り当ては集積回路を半導体ウェーハに作製し終えた後に行われる
請求項9から14までのいずれか1項に記載の方法。 - 半導体チップに対するリードフレームテープにチップを載置した後、遮断器電圧を所定の数の遮断器回路(U11〜Unn)に印加するか、または所定の数の遮断器素子(E11〜Enn)を蒸発させることによって前記の不可逆的な割り当てを行う
請求項9から15までのいずれか1項に記載の方法。 - 平面導体パターンを有するメタルテープを構造化することによって前記リードフレームテープを作製する
請求項16に記載の方法。 - シートテープの金属層を導体路に構造化することによって、前記リードフレームテープを、メタルクラッディングされたシートテープから作製する
請求項16または17に記載の方法。 - 相前後してリードフレームテープに配置されたチップ(C1〜Cn)のコンタクト領域(CS1〜CSnおよびCS11〜CSnn)と、出力側端子領域(KA1〜KAn)と、入力側端子領域(KA11〜KAnn)との間の接続を行った後、コンポーネント(1〜n)を電子部材にスタックする前に、前記の不可逆的な割り当てを作製する
請求項16から18までのいずれか1項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10044148A DE10044148A1 (de) | 2000-09-06 | 2000-09-06 | Elektronisches Bauteil mit gestapelten Bausteinen und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE10044148.3 | 2000-09-06 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002164499A JP2002164499A (ja) | 2002-06-07 |
JP3670990B2 true JP3670990B2 (ja) | 2005-07-13 |
Family
ID=7655338
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001270931A Expired - Fee Related JP3670990B2 (ja) | 2000-09-06 | 2001-09-06 | スタックされたコンポーネントを有する電子部材およびその作製方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6703651B2 (ja) |
EP (1) | EP1187209A3 (ja) |
JP (1) | JP3670990B2 (ja) |
KR (1) | KR100500256B1 (ja) |
CN (1) | CN1169220C (ja) |
DE (1) | DE10044148A1 (ja) |
TW (1) | TW521424B (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1616392A2 (en) * | 2003-02-28 | 2006-01-18 | Motorola, Inc. | System and method for transmitting ultrawide bandwidth signals |
DE10343257B4 (de) | 2003-09-17 | 2009-06-10 | Qimonda Ag | Verfahren zur Herstellung von Zwischenverbindungen bei Chip-Sandwich-Anordnungen |
JP4399777B2 (ja) * | 2004-01-21 | 2010-01-20 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体記憶装置、半導体装置、及び電子機器 |
US20060157866A1 (en) * | 2005-01-20 | 2006-07-20 | Le Thoai T | Signal redistribution using bridge layer for multichip module |
CN101138089B (zh) * | 2005-01-31 | 2011-02-09 | 斯班逊有限公司 | 层叠型半导体装置及层叠型半导体装置的制造方法 |
US20060202317A1 (en) * | 2005-03-14 | 2006-09-14 | Farid Barakat | Method for MCP packaging for balanced performance |
DE102005039165B4 (de) * | 2005-08-17 | 2010-12-02 | Infineon Technologies Ag | Draht- und streifengebondetes Halbleiterleistungsbauteil und Verfahren zu dessen Herstellung |
US7352602B2 (en) * | 2005-12-30 | 2008-04-01 | Micron Technology, Inc. | Configurable inputs and outputs for memory stacking system and method |
US7503767B2 (en) * | 2006-08-01 | 2009-03-17 | General Dynamics Advanced Information Systems, Inc. | Method and apparatus for compliantly connecting stack of high-density electronic modules in harsh environments |
KR20090032845A (ko) * | 2007-09-28 | 2009-04-01 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 및 그의 제조방법 |
US8174841B2 (en) * | 2009-04-27 | 2012-05-08 | International Business Machines Corporation | Adaptive interconnect structure |
US20110096511A1 (en) * | 2009-10-26 | 2011-04-28 | Christian Krutzik | Ultra-low profile multi-chip module |
US20110250861A1 (en) * | 2010-04-08 | 2011-10-13 | Viasat, Inc. | Highly integrated, high frequency, high power operation mmic |
US9472878B2 (en) * | 2015-01-16 | 2016-10-18 | Tyco Electronics Corporation | Electrical cable connector having a two-dimensional array of mating interfaces |
CN109411453B (zh) * | 2018-09-17 | 2022-03-15 | 珠海欧比特电子有限公司 | 一种三维立体封装的垂直互连方法 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR970003915B1 (ko) * | 1987-06-24 | 1997-03-22 | 미다 가쓰시게 | 반도체 기억장치 및 그것을 사용한 반도체 메모리 모듈 |
US5028986A (en) * | 1987-12-28 | 1991-07-02 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and semiconductor module with a plurality of stacked semiconductor devices |
US5198888A (en) * | 1987-12-28 | 1993-03-30 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor stacked device |
US4996583A (en) * | 1989-02-15 | 1991-02-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Stack type semiconductor package |
US5266834A (en) * | 1989-03-13 | 1993-11-30 | Hitachi Ltd. | Semiconductor device and an electronic device with the semiconductor devices mounted thereon |
JP2816244B2 (ja) * | 1990-07-11 | 1998-10-27 | 株式会社日立製作所 | 積層型マルチチップ半導体装置およびこれに用いる半導体装置 |
JPH0513666A (ja) * | 1991-06-29 | 1993-01-22 | Sony Corp | 複合半導体装置 |
JP2605968B2 (ja) * | 1993-04-06 | 1997-04-30 | 日本電気株式会社 | 半導体集積回路およびその形成方法 |
JP2526511B2 (ja) * | 1993-11-01 | 1996-08-21 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
US5760471A (en) * | 1994-04-20 | 1998-06-02 | Fujitsu Limited | Semiconductor device having an inner lead extending over a central portion of a semiconductor device sealed in a plastic package and an outer lead exposed to the outside of a side face of the plastic package |
US5698895A (en) * | 1994-06-23 | 1997-12-16 | Cubic Memory, Inc. | Silicon segment programming method and apparatus |
US5434745A (en) * | 1994-07-26 | 1995-07-18 | White Microelectronics Div. Of Bowmar Instrument Corp. | Stacked silicon die carrier assembly |
KR0184076B1 (ko) * | 1995-11-28 | 1999-03-20 | 김광호 | 상하 접속 수단이 패키지 내부에 형성되어 있는 3차원 적층형 패키지 |
US5973396A (en) * | 1996-02-16 | 1999-10-26 | Micron Technology, Inc. | Surface mount IC using silicon vias in an area array format or same size as die array |
JPH10270634A (ja) * | 1997-03-24 | 1998-10-09 | Mitsubishi Electric Corp | メモリモジュール |
JP2870530B1 (ja) * | 1997-10-30 | 1999-03-17 | 日本電気株式会社 | スタックモジュール用インターポーザとスタックモジュール |
JP3563604B2 (ja) * | 1998-07-29 | 2004-09-08 | 株式会社東芝 | マルチチップ半導体装置及びメモリカード |
US6381141B2 (en) * | 1998-10-15 | 2002-04-30 | Micron Technology, Inc. | Integrated device and method for routing a signal through the device |
JP3228257B2 (ja) * | 1999-01-22 | 2001-11-12 | 日本電気株式会社 | メモリパッケージ |
JP3360655B2 (ja) * | 1999-07-08 | 2002-12-24 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
-
2000
- 2000-09-06 DE DE10044148A patent/DE10044148A1/de not_active Withdrawn
-
2001
- 2001-08-27 EP EP01119748A patent/EP1187209A3/de not_active Withdrawn
- 2001-08-29 TW TW090121290A patent/TW521424B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-09-06 US US09/948,261 patent/US6703651B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-09-06 CN CNB011412518A patent/CN1169220C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-09-06 JP JP2001270931A patent/JP3670990B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-09-06 KR KR10-2001-0054693A patent/KR100500256B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1169220C (zh) | 2004-09-29 |
CN1341965A (zh) | 2002-03-27 |
KR20020020225A (ko) | 2002-03-14 |
EP1187209A2 (de) | 2002-03-13 |
US6703651B2 (en) | 2004-03-09 |
US20020034069A1 (en) | 2002-03-21 |
DE10044148A1 (de) | 2002-03-21 |
KR100500256B1 (ko) | 2005-07-11 |
JP2002164499A (ja) | 2002-06-07 |
EP1187209A3 (de) | 2005-04-13 |
TW521424B (en) | 2003-02-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040721 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040728 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20041025 |
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