JP3213001B2 - 光硬化性シクロブタレーン組成物 - Google Patents
光硬化性シクロブタレーン組成物Info
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 86
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 75
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 41
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 37
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 37
- 238000001723 curing Methods 0.000 claims description 25
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 claims description 25
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 14
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 13
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 11
- -1 4-azidophenyl Chemical group 0.000 claims description 10
- ZNRLMGFXSPUZNR-UHFFFAOYSA-N 2,2,4-trimethyl-1h-quinoline Chemical compound C1=CC=C2C(C)=CC(C)(C)NC2=C1 ZNRLMGFXSPUZNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 claims description 7
- MLIWQXBKMZNZNF-PWDIZTEBSA-N (2e,6e)-2,6-bis[(4-azidophenyl)methylidene]-4-methylcyclohexan-1-one Chemical group O=C1\C(=C\C=2C=CC(=CC=2)N=[N+]=[N-])CC(C)C\C1=C/C1=CC=C(N=[N+]=[N-])C=C1 MLIWQXBKMZNZNF-PWDIZTEBSA-N 0.000 claims description 6
- SJTNBKXQJWDEHH-UHFFFAOYSA-N bicyclo[4.2.0]octa-1,3,5-triene;bis(ethenyl)-methyl-trimethylsilyloxysilane Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1.C1=CC=C2CCC2=C1.C[Si](C)(C)O[Si](C)(C=C)C=C SJTNBKXQJWDEHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- LHCUYYJTVIYFEQ-UHFFFAOYSA-N 1-azido-3-(3-azidophenyl)sulfonylbenzene Chemical compound [N-]=[N+]=NC1=CC=CC(S(=O)(=O)C=2C=C(C=CC=2)N=[N+]=[N-])=C1 LHCUYYJTVIYFEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- SANIRTQDABNCHF-UHFFFAOYSA-N 7-(diethylamino)-3-[7-(diethylamino)-2-oxochromene-3-carbonyl]chromen-2-one Chemical group C1=C(N(CC)CC)C=C2OC(=O)C(C(=O)C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=CC2=C1 SANIRTQDABNCHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 claims description 5
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000006384 oligomerization reaction Methods 0.000 claims description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 142
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 80
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 70
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 61
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 54
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 38
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 38
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 27
- AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N mesitylene Substances CC1=CC(C)=CC(C)=C1 AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 125000001827 mesitylenyl group Chemical group [H]C1=C(C(*)=C(C([H])=C1C([H])([H])[H])C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 25
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 description 19
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 19
- XUPYJHCZDLZNFP-UHFFFAOYSA-N butyl butanoate Chemical compound CCCCOC(=O)CCC XUPYJHCZDLZNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 150000001540 azides Chemical class 0.000 description 15
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 14
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 13
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 12
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 9
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 8
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 8
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 7
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 7
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 7
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 7
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 7
- VVBLNCFGVYUYGU-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Bis(dimethylamino)benzophenone Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(N(C)C)C=C1 VVBLNCFGVYUYGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 6
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000834 fixative Substances 0.000 description 6
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 6
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 6
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 5
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MSXVEPNJUHWQHW-UHFFFAOYSA-N 2-methylbutan-2-ol Chemical compound CCC(C)(C)O MSXVEPNJUHWQHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000013068 control sample Substances 0.000 description 4
- 125000001995 cyclobutyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 4
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 4
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 4
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 4
- 239000012456 homogeneous solution Substances 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 description 4
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 4
- 239000013557 residual solvent Substances 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 description 4
- 239000013638 trimer Substances 0.000 description 4
- WDQFELCEOPFLCZ-UHFFFAOYSA-N 1-(2-hydroxyethyl)pyrrolidin-2-one Chemical compound OCCN1CCCC1=O WDQFELCEOPFLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VATRWWPJWVCZTA-UHFFFAOYSA-N 3-oxo-n-[2-(trifluoromethyl)phenyl]butanamide Chemical compound CC(=O)CC(=O)NC1=CC=CC=C1C(F)(F)F VATRWWPJWVCZTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical group [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 3
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 3
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 3
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000006184 cosolvent Substances 0.000 description 3
- 150000001930 cyclobutanes Chemical class 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 3
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 3
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 3
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 3
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 3
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-(2-ethoxyethoxy)ethane Chemical compound CCOCCOCCOCC RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VGVHNLRUAMRIEW-UHFFFAOYSA-N 4-methylcyclohexan-1-one Chemical compound CC1CCC(=O)CC1 VGVHNLRUAMRIEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N Butylhydroxytoluene Chemical compound CC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XFQQBUIHJKWEFP-UHFFFAOYSA-N CCOC(OCC)=C(OCC)[SiH2]C1Cc2ccccc12 Chemical compound CCOC(OCC)=C(OCC)[SiH2]C1Cc2ccccc12 XFQQBUIHJKWEFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PMPVIKIVABFJJI-UHFFFAOYSA-N Cyclobutane Chemical compound C1CCC1 PMPVIKIVABFJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000002508 contact lithography Methods 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N diphenylamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1NC1=CC=CC=C1 DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 150000002019 disulfides Chemical class 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical group 0.000 description 2
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 2
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- 239000002198 insoluble material Substances 0.000 description 2
- 239000000543 intermediate Substances 0.000 description 2
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 2
- 229920006113 non-polar polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N phthalic acid di-n-butyl ester Natural products CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCC DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920006112 polar polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 2
- 230000002028 premature Effects 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 238000001542 size-exclusion chromatography Methods 0.000 description 2
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 2
- 238000000527 sonication Methods 0.000 description 2
- 150000005671 trienes Chemical class 0.000 description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 2
- ISWJSWUKFSEDCZ-UHFFFAOYSA-N 1-azido-2-(2-azidophenyl)sulfonylbenzene Chemical compound [N-]=[N+]=NC1=CC=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=CC=C1N=[N+]=[N-] ISWJSWUKFSEDCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BEFAQJJPFPNXIG-UHFFFAOYSA-N 1-nitro-9h-fluorene Chemical compound C1C2=CC=CC=C2C2=C1C([N+](=O)[O-])=CC=C2 BEFAQJJPFPNXIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KSNRDYQOHXQKAB-UHFFFAOYSA-N 2,2,4-trimethyl-3,4-dihydro-1h-quinoline Chemical compound C1=CC=C2C(C)CC(C)(C)NC2=C1 KSNRDYQOHXQKAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VBCFHWSPNHEYGE-UHFFFAOYSA-N 2,3,4-trimethylquinoline Chemical compound C1=CC=C2C(C)=C(C)C(C)=NC2=C1 VBCFHWSPNHEYGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MLIWQXBKMZNZNF-UHFFFAOYSA-N 2,6-bis[(4-azidophenyl)methylidene]-4-methylcyclohexan-1-one Chemical compound O=C1C(=CC=2C=CC(=CC=2)N=[N+]=[N-])CC(C)CC1=CC1=CC=C(N=[N+]=[N-])C=C1 MLIWQXBKMZNZNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IVSBXRGTYAMDQU-UHFFFAOYSA-N 2,6-bis[3-(4-azidophenyl)prop-2-enylidene]cyclohexan-1-one Chemical compound C1=CC(N=[N+]=[N-])=CC=C1C=CC=C(CCC1)C(=O)C1=CC=CC1=CC=C(N=[N+]=[N-])C=C1 IVSBXRGTYAMDQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SDFNKJSOUXSLNX-UHFFFAOYSA-N 2-[(4-azidophenyl)methylidene]-4-methylcyclohexan-1-one Chemical compound C1C(C)CCC(=O)C1=CC1=CC=C(N=[N+]=[N-])C=C1 SDFNKJSOUXSLNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VFBJXXJYHWLXRM-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[3-(3,5-ditert-butyl-4-hydroxyphenyl)propanoyloxy]ethylsulfanyl]ethyl 3-(3,5-ditert-butyl-4-hydroxyphenyl)propanoate Chemical compound CC(C)(C)C1=C(O)C(C(C)(C)C)=CC(CCC(=O)OCCSCCOC(=O)CCC=2C=C(C(O)=C(C=2)C(C)(C)C)C(C)(C)C)=C1 VFBJXXJYHWLXRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940093475 2-ethoxyethanol Drugs 0.000 description 1
- 125000004398 2-methyl-2-butyl group Chemical group CC(C)(CC)* 0.000 description 1
- SNKZJIOFVMKAOJ-UHFFFAOYSA-N 3-Aminopropanesulfonate Chemical compound NCCCS(O)(=O)=O SNKZJIOFVMKAOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMIIGOLPHOKFCH-UHFFFAOYSA-N 3-phenylpropionic acid Chemical compound OC(=O)CCC1=CC=CC=C1 XMIIGOLPHOKFCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXKQNCDDHDBAPD-UHFFFAOYSA-N 4-n,4-n-diphenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UXKQNCDDHDBAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARAFHJWYEUNRII-UHFFFAOYSA-N 5-nitroacenaphthylene Chemical compound C1=CC2=CC=CC3=C2C1=CC=C3[N+](=O)[O-] ARAFHJWYEUNRII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DPLIIAFTEKHAJX-UHFFFAOYSA-N 7-bicyclo[4.2.0]octa-1,3,5-trienyl(1,2,2-trimethoxyethenyl)silane Chemical compound COC(=C(OC)OC)[SiH2]C1CC2=C1C=CC=C2 DPLIIAFTEKHAJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KCURVNYQRJVWPY-UHFFFAOYSA-N 7-methoxy-3-(7-methoxy-2-oxochromene-3-carbonyl)chromen-2-one Chemical compound C1=C(OC)C=C2OC(=O)C(C(=O)C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)OC)=CC2=C1 KCURVNYQRJVWPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000008025 Alternanthera ficoidea Species 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000960224 Clarkia breweri (Iso)eugenol O-methyltransferase Proteins 0.000 description 1
- 239000004594 Masterbatch (MB) Substances 0.000 description 1
- AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CCNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JKIJEFPNVSHHEI-UHFFFAOYSA-N Phenol, 2,4-bis(1,1-dimethylethyl)-, phosphite (3:1) Chemical compound CC(C)(C)C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1OP(OC=1C(=CC(=CC=1)C(C)(C)C)C(C)(C)C)OC1=CC=C(C(C)(C)C)C=C1C(C)(C)C JKIJEFPNVSHHEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- BGYHLZZASRKEJE-UHFFFAOYSA-N [3-[3-(3,5-ditert-butyl-4-hydroxyphenyl)propanoyloxy]-2,2-bis[3-(3,5-ditert-butyl-4-hydroxyphenyl)propanoyloxymethyl]propyl] 3-(3,5-ditert-butyl-4-hydroxyphenyl)propanoate Chemical compound CC(C)(C)C1=C(O)C(C(C)(C)C)=CC(CCC(=O)OCC(COC(=O)CCC=2C=C(C(O)=C(C=2)C(C)(C)C)C(C)(C)C)(COC(=O)CCC=2C=C(C(O)=C(C=2)C(C)(C)C)C(C)(C)C)COC(=O)CCC=2C=C(C(O)=C(C=2)C(C)(C)C)C(C)(C)C)=C1 BGYHLZZASRKEJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000000475 acetylene derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003570 air Substances 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 150000008365 aromatic ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000005899 aromatization reaction Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000852 azido group Chemical group *N=[N+]=[N-] 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N butan-2-ol Chemical compound CCC(C)O BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 238000004587 chromatography analysis Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000021615 conjugation Effects 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000001351 cycling effect Effects 0.000 description 1
- CFBGXYDUODCMNS-UHFFFAOYSA-N cyclobutene Chemical compound C1CC=C1 CFBGXYDUODCMNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009089 cytolysis Effects 0.000 description 1
- 238000010908 decantation Methods 0.000 description 1
- 238000002242 deionisation method Methods 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000001493 electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000004795 grignard reagents Chemical class 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 1
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- VSQYNPJPULBZKU-UHFFFAOYSA-N mercury xenon Chemical compound [Xe].[Hg] VSQYNPJPULBZKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000005395 methacrylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- VYQNWZOUAUKGHI-UHFFFAOYSA-N monobenzone Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1OCC1=CC=CC=C1 VYQNWZOUAUKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- OJMIONKXNSYLSR-UHFFFAOYSA-N phosphorous acid Chemical compound OP(O)O OJMIONKXNSYLSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006552 photochemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 229920003192 poly(bis maleimide) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920002959 polymer blend Polymers 0.000 description 1
- 239000002897 polymer film coating Substances 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000005373 porous glass Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000001314 profilometry Methods 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 230000003381 solubilizing effect Effects 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 125000004079 stearyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000005382 thermal cycling Methods 0.000 description 1
- NDLIRBZKZSDGSO-UHFFFAOYSA-N tosyl azide Chemical compound CC1=CC=C(S(=O)(=O)[N-][N+]#N)C=C1 NDLIRBZKZSDGSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N triphenylmethane Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000870 ultraviolet spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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Description
る。
フォトレジスト中、電子デバイスの製造において絶縁層
としておよび半導体要素用保護層として用いられる。
たは光硬化ポリイミドは欠点を有し、それらの幾つか
は、短い貯蔵寿命、望ましくない低い熱酸化安定性、熱
サイクルの間のミクロクラッキング、および、高度な揮
発分の散逸を含む加工性の欠如を含む。
4,243,743号はポリ(アミド酸)、感光性オレフィン系
二重結合およびアミノ基または第四アンモニウム塩を有
する有機化合物およびミヒラーケトンを含む組成物を開
示してる。米国特許第4,321,319号は感光性オレフィン
系二重結合を有するポリ(アミド酸)、ミヒラーケト
ン、ニトロフルオレンおよび5−ニトロアセナフタレン
を含む組成物を開示している。米国特許第4,366,230号
はポリ(アミド酸)およびミヒラーケトンのエステル残
基中にメタクリルまたはアクリル基を導入することによ
り得られる改質ポリ(アミド酸)を含む組成物を開示し
ている。この3つの特許に開示された組成物は、溶剤現
像され、そして硬化されるときに光にさらされた組成物
の一部分が散逸されるので望ましくない結果を生じる。
性または向上した物理特性の組み合わせを有する光硬化
性ポリマーを有することは望ましいであろう。これらの
特性の幾つかは、低誘電率、低誘電正接、低湿分吸収
性、高感度、高コントラスト、高解像度、熱安定性、向
上した酸化安定性、耐薬品性、耐プラズマ性、良好な付
着性、低揮発分散逸性、良好な加工性、良好な平面性
(planarization)、長期の貯蔵性、コンシステンシー
制御性、高純度および低コストを含む。
くとも1種のオリゴマー化シクロブタレーン、および、
少なくとも1種の感光剤を含む、光硬化性有機可溶性混
合物であって、この混合物を光子照射にさらしたときに
有機不溶性固体に混合物を転化させるために充分な量の
感光剤を含む、光硬化性有機可溶性混合物である。有機
可溶性とは、光子に照射されていない無極性混合物の一
部分が炭化水素、例えば、ストッダード溶剤、キシレ
ン、メシチレン、トルエン、2−メトキシエチルエーテ
ル(ジグライム)、N−メチルピロリドン(NMP)、NMP
および2−ヒドロキシエチル−2−ピロリドンの混合
物、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、n−ブ
チルブチレートまたはストッダード/メタノール混合物
に可溶性であることを意味する。混合物が極性であると
き、有機可溶性とは、光子に照射されていない一部分が
N−メチルピロリドン、エチルラクテート、2−メトキ
シエチルエーテルまたはn−ブチルブチレートに可溶性
であることを意味する。
の光子照射にさらすことにより形成された光硬化した生
成物である。これらの光硬化したポリマーはフォトレジ
スト、エッチングマスク、誘電体中間層、液晶ディスプ
レー、およびフラットパネルディスプレーのような用途
に有用である。
れ、適用された混合物の一部分を光子照射にさらし、そ
れから、有機現像溶剤で処理して混合物の未硬化部分を
除去することができる。本発明は混合物の光硬化性部分
を基材に付着させるこの手順により生じたパターンコー
トした基材である。
した組成物に熱硬化を受けさせる。本発明の光/熱硬化
したポリマーは、上記の公知のポリマーと比較して、1
種以上の向上した物理的特性または向上した物理的特性
の組み合わせを有する。このような特性は、低誘電率、
低誘電正接、低湿分吸収性、高感度、高コントラスト、
高解像度、熱安定性、向上した酸化安定性、耐薬品性、
耐プラズマ性、良好な付着性、良好な加工性、低揮発分
散逸性、長期の貯蔵性、高度の平面性(planarizatio
n)、コンシステンシー制御性、高純度および低コスト
を含む。これらの光/熱硬化したポリマーは多くの用途
に有用であり、それらの幾つかは、複合材、積層材、
膜、フィルム、エレクトロニクス、コーティング、およ
び接着剤を含む。エレクトロニクス用途はマルチチップ
モジュールおよびプリント回路基盤のような領域を含
む。
用いられるシクロブタレーンは次式 (式中、Bは1価の有機部分、直接結合、(1)多価の
無機部分もしくは(2)多価の有機部分を含むn価の橋
架け部分であるか、またはBは存在せず、 Arは多価の芳香族またはヘテロ芳香族部分、3価以上の
アル−ポリ−イル(ar−poly−yl)であり、但し、縮合
した側のシクロブタン環の2個の炭素原子はArの同一芳
香環上の隣接した炭素原子に結合し、 nは1以上の整数であり、 mは1以上の整数であり、および、 R2は一価の部分である。) に対応する。
それらの記載に用いられる用語はGrayら,JACS 100,289
2,(1978);Loon−seng Tanら,Polymer Preprints,27
(2),240,(1986);米国特許出願番号第07/766,392
号、第07/701,433号、第07/703,957号、米国特許第454
0,763号;第4,783,514号および第4,826,997号に記載さ
れている。
子源の波長付近で最大の吸収をし、シクロブタレーンの
光硬化を行うものである。増感剤が感光剤とともに用い
られるときには、適切な感光剤は増刊剤からエネルギー
収受できるものである。
レート、アセチレン、イソシアネート、共役芳香族ケト
ンおよびベンゾフェノン含有ポリマーを含む。
リマーの製造に用いられるアジドは式、 Q−(N3)x (式中、Qはx価の有機部分であり、 xは1以上の整数である。) に対応する。
“Azides and Nitreneds,Reactivity and Utility",Aca
demic Press,1984;“Azides and Amines from Grignard
Reagents and Tosyl Azide"Smithら、J.Org.Chem.,34,
3430(1969);“Encyclopedia of Polymer Science an
d Engineering",第二版、第11巻、186〜212;Yangら、Pr
oc.SPIE−Int.Soc.Opt.Eng.,469(Adv.Resist Techno
l),117〜26,1984;Wolfら、J.Electrochem.Soc.,131
(7),1664〜70、1984;Tsunodaら、Phtographic Scien
ce and Engineering,17,390,(1973);Journal of Phot
ographic Science,29,188(1976);“Organic Compoun
ds with Nitrogen−Nitrogen Bonds"Ronald Press Co.,
NY,NY,1966;Boyerら、Chem.,Rev.,54,1(1954);日本
国特許第J01279240−A号、米国特許第4,565,767号;第
4,294,908号;第4,354,976号および欧州特許出願第9030
0546.0,84112698.0,84300837.6,83810156.6に記載され
ている。
かの例は次式によって表される。
ニリデン]シクロヘキサノン 2,6−ビス[3−(4−アジドフェニル)−2−プロペ
ニリデン]−4−メチルシロキサノン 2,6−ビス(4−アジドベンザル)−4−メチルシクロ
ヘキサノン より好ましいアジドは高度に共役の芳香族ビスアミド
である。
て決まる。用いられる波長付近で最大の吸収をするアジ
ドが選択されるか、または感光剤とともに増感剤が用い
られるときには増感剤からエネルギーを収受しうるアジ
ドが選択される。用いられる系におけるアジドの溶解度
も考慮される。
よび感光剤の量は変化しうる。適切な量は、主要な成分
として1種以上のシクロブタレーンを含み、上記の公知
のポリマーと比較して1種以上の向上した物理特性また
は物理特性の組み合わせを有する光硬化した有機不溶性
ポリマーが製造されうる光硬化性混合物を提供する量で
ある。このような特性は、低誘電率、低誘電正接、低湿
分吸収性、高感度、高コントラスト、高解像度、熱安定
性、向上した酸化安定性、耐薬品性、耐プラズマ性、良
好な付着性、低揮発分散逸性、良好な加工性、長期の貯
蔵性、高度の平面性(planarization)、コンシステン
シー制御性、高純度および低コストを含む。感光剤の適
切な量は混合物の光子照射部分を充分に硬化して、それ
を現像溶剤中で不溶性にする量である。感光剤およびシ
クロブタレーンの総重量基準での感光剤の好ましい重量
パーセント(以下重量パーセントとする)範囲は0.1〜2
0である。より好ましい感光剤の重量パーセントは1〜
6である。最も好ましい感光剤の重量パーセントは2〜
4である。好ましいシクロブタレーンの重量パーセント
範囲は、感光剤およびシイクロブタレーンの総重量基準
で80〜99.9である。より好ましいシクロブタレーンの重
量パーセント範囲は94〜99である。最も好ましいシクロ
ブタレーンの重量パーセント範囲は96〜98である。
つかの態様は本発明の特性をあつらえるために加えられ
うる1種以上の任意成分を含む。
靭性を増加するために加えられうる適切な任意成分はラ
ジカル抑制剤、例えば、2,6−ジ−t−ブチル−4−メ
チルフェノール、テトラキス[メチレン(3,5−ジ−t
−ブチル−4−ヒドロキシヒドロシンナメート)]メタ
ン、トリス(2,4−ジ−t−ブチルフェニル)ホスフィ
ット、チオジエチレンビス−(3,5−ジ−t−ブチル−
4−ヒドロキシ)ヒドロシンナメート、オクタデシル3,
5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシ)ヒドロシンナメ
ート、N,N−ジフェニル−p−フェニレンジアミン、1,2
−ジヒドロ−2,2,4−トリメチルジヒドロキノリン、ト
リフェニルメタン、 ジスルフィド、例えば、アルキルアリールジスルフィ
ド、ジアルキルジスルフィドおよびジアリールジスルフ
ィド、例えば、 およびオクチル化ジフェニルアミン、例えば、 の異性体混合物を含む。
−4−メチルフェノールである。
なしのモノマー配合物と比較してモノマー配合物のポッ
トライフを増加し、硬化した樹脂の靭性を増加する量で
ある。任意のラジカル抑制剤の好ましい重量パーセント
範囲は0〜10である。より好ましい任意の抑制剤の重量
パーセント範囲は0〜5であり、最も好ましい範囲は0
〜2である。
マーの靭性を向上するために任意成分として加えられう
るモノビニリデンモノ(シクロブタレーン)は次式 (式中、Arは多価の芳香族部分、三価以上のアル−ポリ
−イルであり、但し、シクロブタン環の縮合した側の2
個の炭素原子はArの同一芳香環上で隣接する炭素原子に
結合し、 Yは共有結合または二価の有機もしくは無機部分であ
り、 mは少なくとも1の整数であり、 Rは一価の部分であり、および、 R8は一価の有機部分またはヘテロ原子含有の一価の有機
部分である。)によって表される。
合成および特性は米国特許出願番号第07/766,392号に記
載されている。
切な量は、測定可能な程度に重合開始温度を下げ、およ
び/または硬化したポリマーの靭性を向上する量であ
る。好ましくは、任意のモノビニリデンモノ(シクロブ
タレーン)は、20より低い範囲の重量パーセント、より
好ましくは15より低い範囲の重量パーセント、最も好ま
しくは1〜10重量%である。
は、式 (式中、Arは一価の芳香族またはヘテロ芳香族部分であ
り、 R10はHまたは1〜4個の炭素原子を含むアルキル部分
であり、および、 Zは一価の芳香族またはヘテロ芳香族部分であり、但
し、それはArがシクロブタレーン含有部分であるときの
みシクロブタレーン含有部分である。)により表される
1,1−置換アリールエチレンである。
性は、米国特許出願番号第07/701,433号に記載されてい
る。
たポリマーの架橋密度を調整するために、および/また
はその靭性を向上させるために任意成分としても加えら
れてよい。ここでの内部オレフィン系モノ(シクロブタ
レーン)とは二重結合炭素がシクロブタレーン部分の末
端位を占めていない炭素−炭素二重結合を含有するシク
ロブタレーン部分を意味する。適切な内部オレフィン系
モノ(シクロブタレーン)は式、 (式中、Arは多価の芳香族部分、三価以上のアル−ポリ
−イルであり、シクロブタン環の縮合した側の2個の炭
素原子はArの同一芳香環上で隣接する炭素原子に結合
し、 Aは共有結合または二価の有機もしくは無機部分であ
り、 mは少なくとも1の整数であり、 Rは一価の部分であり、 R6およびR11は個々に水素またはアルキル部分であり、
および、 R12は水素または一価の有機部分であり、但し、R11が水
素であるときはR12は水素である。)により表される。
よび特性は米国特許出願番号第07/766,392号に記載され
ている。
適切な量は硬化したポリマーの架橋度を増加し、および
/またはその靭性を向上させる量である。好ましくは、
任意の内部オレフィン系モノ(シクロブタレーン)は20
より低い重量パーセント範囲、より好ましくは15より低
い重量パーセント範囲、最も好ましくは1〜10重量%で
用いられる。
として加えられるマレイミドシクロブタレーンは式 (式中、Xは直接結合または二価の有機もしくは無機部
分であり、 Arは多価の芳香族部分、三価以上のアル−ポリ−イルで
あり、但し、シクロブタン環の縮合した側の2個の炭素
原子はArの同一芳香環上の隣接する炭素原子に結合し、 m、qおよびpは1以上の整数であり、および、 Rは一価部分である。)により表される。
特許第4,783,514号および第4,826,997号に記載されてい
る。
化したポリマーの靭性を増加する量である。好ましく
は、任意のマレイミドシクロブタレーンは20より低い重
量パーセント範囲、より好ましくは15より低い重量パー
セント範囲、最も好ましくは1〜10重量%で用いられ
る。
よび/またはその靭性を向上させるために加えられうる
任意のポリマレイミドモノマーは式 (式中、nは2以上の整数であり、 R1は別々に、そして各場合に独立に、一価部分であり、
但し、R1は重合を妨害せず、および R3はn価の有機部分またはヘテロ原子含有有機部分を含
むn価の橋架け部分である。)に対応する。
特性は米国特許出願番号第07/630,902号に記載されてい
る。
たポリマーの靭性および/または熱安定性を増加する量
である。好ましくは、任意のポリマレイミドは20より低
い重量パーセント範囲、より好ましくは15より低い重量
パーセント範囲、最も好ましくは1〜10重量%で用いら
れる。
酸化安定性を向上させるために酸化灰資材は加えられて
よい。フェノール、スルフィド、ホスフィット、および
アミン型酸化防止剤は本発明に用いられうる。脂肪族お
よび芳香族部分を有するヒンダードアミンはより好まし
い酸化防止剤である。最も好ましい酸化防止剤は重合し
た1,2−ジヒドロ−2,2,4−トリメチルキノリン、CAS登
録番号26780−96−1である。
セント範囲であり、より好ましくは7より低い重量パー
セント範囲であり、最も好ましくは0.001〜6重量%で
用いられる。
てよい。適切な任意の増感剤の合成および特性は、Spec
htら、Tetrahedron,Vol.38,No.9,p1203〜1211,(198
2);Tsunodaら、Photographic Science and Engineerin
g,17,390,(1973);米国特許第4,268,603号;および欧
州特許出願番号第90300546.0号に開示されている。適切
な増感剤は用いられる光子源の波長付近で吸収の最大値
を有するものである。好ましい増感剤は次式により表さ
れる。
H、OCH3および−N(C2H5)2である。) (式中、Arは次式により表される。) より好ましい増感剤は次式で表される。
よび 3,3′−カルボニルビス(7−ジエチルアミノクマリ
ン) 好ましくは、任意の増感剤は5より低い重量パーセン
ト範囲、より好ましくは3より低い重量パーセント範
囲、最も好ましくは0.001〜2重量%で用いられる。
びあらゆる任意成分は、取扱、加工および性能特性を向
上させるために使用の前にオリゴマー化させ、またはB
−段階である。シクロブタレーンは、また、いかなる増
感剤および他の任意成分の存在なしにオリゴマー化され
てよい。樹脂の分子量はフォトレジスト系でのその性能
に直接的に影響を与える。高い溶解度レベルを維持しな
がら、可能な限り最も高い分子量は最も好ましい。光子
源にさらされたときに可溶性オリゴマーを容易に不溶性
ゲルに変換するように、低い多分散(Mw/Mn;ここでMwは
重量平均分子量であり、Mnは数平均分子量である。)を
有することは更に望ましい。これは、ウェハーまたは基
材を被覆するポリマーフィルムの照射領域および未照射
領域の間に最大の溶解度差をもたらす。Mwはオリゴマー
化およびB−段階化への変換の程度によって制御されう
る。最も好ましいシクロブタレーンである、式、 により表されるジビニルテトラメチル−ジシロキサンビ
スベンゾシクロブタンにおいて、このポリ(シクロブタ
レーン)中の結合基の複雑な性質のために、実質的なモ
ノマー部分および低分子量オリゴマーが存在しながらゲ
ル化点が生じる。変換率も分子量分布に影響を与える。
マー混合物成分を選択的に除去することにより変更され
うる。より広いオリゴマー分子量の範囲は光硬化した後
に、より広いオリゴマー溶解度をもたらす。より低分子
量の材料は光硬化後に可溶性のままであり、このため、
溶剤現像時に損失を最小にするために基材上にコーティ
ングする前に配合物からそれらを除去することが望まし
い。より低分子量の材料は増感剤または他の任意成分を
加える前にオリゴマー化シクロブタレーンから除去され
てもよい。好ましくは、少なくとも80重量%のシクロブ
タレーンモノマーは基材上に溶液をコーティングする前
に除去される。より好ましくは、少なくとも80重量%の
シクロブタレーンモノマーおよび少なくとも50重量%の
シクロブタレーンダイマーは基材上に溶液をコーティン
グする前に除去される。更に好ましくは、少なくとも80
重量%のシクロブタレーンモノマーおよびダイマーはコ
ーティング前に除去される。最も好ましくは、少なくと
も90重量%のアリールシクロブタレーンモノマーおよび
ダイマー、並びに少なくとも50重量%のシクロブタレー
ントライマーは除去される。
重量%以上含みうる。より好ましいオリゴマーは重合度
3以上のオリゴマーを90重量%以上含む。最も好ましい
オリゴマーは重合度3以上のオリゴマーを95重量%以上
含みうる。重合度3以上とはトライマー以上の分子量の
種を意味する。
ーおよびトライマーのパーセントはゲルパーミエーショ
ンクロマトグラフィー(GPC)によって決定されうる。
モノマー、ダイマーおよびトライマーのパーセントはお
およそGPCトレースのピーク面積に等しい。検知はモノ
マーおよびダイマーの屈折率および応答ファクターによ
り、オリゴマーと幾分異なるためにそれらは正確でな
い。この概算は用いられてよく、本明細書中のデータで
用いられる。より正確な決定のためには、モノマーおよ
びダイマーの応答ファクターが決定されるべきである。
器、補正されていない応答ファクターを用い、ポリスチ
レン標準に対して測定してGPCのピーク面積から決定し
て1000以上の分子量のオリゴマーを80重量%以上含みう
る。より好ましいシクロブタレーンオリゴマーは同様に
測定して1,000以上の分子量のオリゴマーのピーク面積
パーセントから決定して90重量%を含みうる。最も好ま
しいシクロブタレーンオリゴマーは同様に測定して1,00
0以上の分子量のオリゴマーを95重量%含みうる。
得るために種々の方法が用いられうる。望ましいシクロ
ブタレーンモノマーは加熱によりオリゴマー化され、ま
たはB−段階化されたニートであってよい。それから、
より高分子量の種に対して非溶剤で抽出除去されうる。
例えば、シクロブタレーンオリゴマーは混和性溶剤に溶
解され、それから、それを非溶剤と混合することによ
り、より高分子量の種を沈殿させてよい。DVS−BCBにつ
いて、メシチレンは混和性溶剤として用いられてよく、
t−アミルアルコールのようなアルコールは沈殿用溶剤
として用いられてよい。
れるようにアルコール沈殿である。ポリマー混合物のフ
ラクションを分離するために一般的に用いられる技術、
例えば、クロマトグラフィーおよび超臨界溶剤抽出を含
む溶剤抽出もここで用いられてよい。
329号に記載されている。ニートB−段階化が完了する
とき、時々キャスティング溶剤と呼ばれる溶剤はB−段
階化された材料を溶解するために用いられ、このように
してB−段階化装置からのその除去を促進するために用
いられうる。炭化水素は殆どの無極性オリゴマーシクロ
ブタレーン含有系に適切な溶剤である。無極性オリゴマ
ーシクロブタレーン含有系に好ましい溶剤はキシレンお
よびメシチレンを含む。最も好ましい溶剤はメシチレン
である。B−段階化は溶液中でも行われうる。
リドン、エチルラクテート、2−メトキシエチルエーテ
ル、2−メトキシエチルエーテル、およびγブチロラク
トンを含む。極性オリゴマー含有系に最も好ましい溶剤
はN−メチルピロリドンである。
ときには、幾つかの系は感光剤を可溶化するために少量
の補助溶剤を必要とする。感光剤がアジドであるときに
は、適切な補助溶剤はエーテル、グリコールエーテル、
ケトンおよびエステルを含む。好ましい補助溶剤は2−
メトキシエタノール、2−エトキシエタノール、2−メ
トキシエチルエーテルおよび2−エトキシエチルエーテ
ルである。最も好ましい補助溶剤は2−エトキシエチル
エーテルである。
よりB−段階化樹脂/溶剤系に溶解されうる。最も好ま
しい方法は水浴である。シクロブタレーン/感光剤系混
合物の全ての操作は、光子照射による感光反応の早期開
始を抑制するために暗い環境で好ましくは行われる。適
切な環境を提供するための1つの手段はアンバーフィル
ターされた(黄色)光を装備した作業スペースを用いる
ことによる。
しに基材に適用されうる。望むときには、任意の定着剤
は、基材の溶剤洗浄直後で、且つ、シクロブタレーン含
有配合物の適用直前に適用されるスプレーまたはスピン
オン溶液として配合される。別の方法では、定着剤はシ
クロブタレーン/光架橋剤配合物に加えられる。分子の
片方の末端が金属、金属酸化物またはセラミック基材表
面に共有結合するか、または吸着し、一方、分子のもう
片方の末端がシクロブタレーンポリマーマトリックスと
反応するか、または相互作用するように定着剤は設計さ
れる。適切な定着剤は、トリアルコキシビニルシランお
よびトリアルコキシビニルシリルベンゾシクロブタンを
含む。より好ましい定着剤は3アミノプロピルトリエト
キシシラン、トリメトキシビニルシラン、トリエトキシ
ビニルシラン、トリメトキシビニルシリルベンゾシクロ
ブタンおよびトリエトキシビニルシリルベンゾシクロブ
タンを含む。トリアルコキシビニルシリルベンゾシクロ
ブタンの製造および特性は米国特許第4,831,172号およ
び第5,002,808号に記載されている。
ニトリドのような種々のセラミック材料を含む。より好
ましい基材はアルミナおよびシリコンを含む。最も好ま
しい基材はシリコンを含む。
液から適用される。シクロブタレーン含有配合物の固体
含有率および分子量はスプレーまたはスピンオン溶液の
粘度を決める。スピン時間および速度は特定の配合物粘
度においてフィルムの品質および厚さを制御するように
用いられる。ベンゾシクロブタンフィルムでコートする
基材の詳細はJournal of Electronic Materials,Vol 1
9,No.12,1990に見られる。
の間に除去される。ソフトベークサイクルは残留溶剤を
除去するために必要でありうる。ソフトベーキングは、
また、ポリマーフィルムの流れにより生じる応力を緩和
し、基材へのフィルムの接着性を増加し、そして、例え
ば、ハードコンタクトモードでの印刷時にマスクへの付
着を抑制するといったような加工の間に、より容易な取
扱ができるようにフィルムを硬化する。好ましいソフト
ベーク温度は残留溶剤を除去し、ポリマーのガラス転移
温度より高い温度を要求する応力緩和を提供するために
充分な温度であるが、樹脂の酸化または熱硬化を避ける
ために充分に低い温度である。好ましいソフトベーク温
度はシクロブタレーン含有配合物の成分に部分的に依存
して変化するであろう。より好ましいソフトベーク温度
は80℃〜120℃の範囲である。増感剤が用いられるとき
には、増感剤の熱不安定性のためにソフトベーキング温
度として80℃を用いることが最も好ましいであろう。
応力緩和を適用するのに充分であるが、配合物成分の酸
化または熱硬化を避けるために充分に短い時間である。
好ましいソフトベーキング時間はシクロブタン含有配合
物の成分に部分的に依存して変化するであろう。より好
ましいソフトベーキング時間は15秒〜60分間である。最
も好ましいソフトベーキング時間は最大の処理量と望ま
しい性能結果とのバランスに依存し、15秒〜30分間で変
化しうる。処理量を最大化するためには、最小処理時間
が最適であろう。
素、アルゴン、およびヘリウムを含む。窒素は最も好ま
しい雰囲気である。
より遅い冷却では、より密度の高いガラス化ポリマーに
なる。高密度で低ボイド体積のポリマーは溶剤の浸入に
耐性である。減少した溶剤浸入速度は減少したレジスト
現像速度をもたらす。
増加は30μm(マイクロメートル)までの厚いポリマー
フィルムに関連する高い光学密度の問題を克服させるで
あろう。高圧水銀光子源の種々の成分の選択的な除去は
優れたフィルム性能を提供しうる。適切な光子源は、光
子源の波長エネルギーを吸収しうる適切な感光剤が存在
するための光子源を含む。好ましい光子源は可視光、紫
外光、X線および電子線を含む。より好ましい光子源は
紫外光および可視光を含む。最も好ましい光子源は用い
られる感光剤に依存し、その光子放出が用いられる感光
剤または増感剤の最大吸収付近であるように選択される
べきである。
は行われうる。このサイクルは長寿命の光化学的に発生
した中間体の反応速度を増加する。これらの中間体はこ
のサイクルの間に易動度が増加し、これにより、マイグ
レートし、反応種を見つけうる。
れる。溶剤現像は、可溶化溶剤を用いて光子照射にさら
されず、このため光硬化しなかった材料を除去すること
を含む。溶解は2つの段階を含む。第一の工程は、ガラ
ス状ポリマーを膨潤したネットワークに変換する溶剤浸
入(solvent penetration)である。第二の工程は、溶
液界面においてゲルからの低分子量オリゴーマーの抽出
を含む。
スプレー現像はより好ましい技術である。適切な現像溶
剤は非光子照射フィルム成分を選択的に溶解する溶剤で
ある。無極性ポリマーフィルム系用の適切な溶剤は、炭
化水素、例えば、ストッダード溶剤、キシレン、メシチ
レンおよびトルエン、2−メトキシエチルエーテル(ジ
グライム)、n−ブチルブチレート、ジプロピレングリ
コールジメチルエーテル、N−メチルピロリドン(NM
P)、NMPおよび2−ヒドロキシエチル2−ピロリドンの
混合物、およびストッダード/メタノール混合物を含
む。ここで用いられるときにストッダード溶剤はP−10
95,“Hawley's Condensed Chemical Dictionary",第11
版,Van Nostrand Reinhold Company,New York,1987に定
義されている。無極性ポリマーフィルム系用の最も適切
な溶剤はn−ブチルブチレートである。
チルピロリドン、n−ブチルブチレートおよびエチルラ
クテートの混合物、2−メトキシエチルエーテル(ジグ
ライム)、n−ブチルブチレート、ジプロピレングリコ
ールジメチルエーテル、N−メチルピロリドン(NM
P)、並びに、NMPおよび2−ヒドロキシエチル2−ピロ
リドンの混合物を含む。極性ポリマーフィルムに最も好
ましい溶剤はn−ブチルブチレートである。
にする1つの特性は微細構造を平滑化する能力てある。
フォトレジストに得られうる鮮明度は用いられる光子源
の波長により制限され、このため厚さの変化は製造され
るモジュールの品質に有害でありうる。このため、良好
な平滑性を有することは重要である。
更に微細回路およびそれに適用された光鮮明化された誘
電体層を有してよく、またはそれは更に熱硬化されう
る。多層内部連結ユニットまたはマルチチップモジュー
ルを製造するための手段は次の参考文献中に開示されて
いる。それらはJ.J.Reche,“Fabrication of High Dens
ity Multichip Modules",IEEE/CMT 1989 IEMTシンポジ
ウム,p.104;T.Tessierら,“Process Consideration in
Fabricating Thin Film MCM's",IEPS 1989,p.294;S.F.
Hahnら,“The Fabrication and Properties of Thermo
set Films Derived from Bisbenzocyclobutene for Mul
tilayer Applications",Proceedings of the ACS Divis
ion of Polymeric Materials;Science and Engineerin
g,59,190,1988;P.H.Townsendら,“The Processing and
Properties of Multichip Layer Interconnection Str
uctures Using Thermoset Films Derived from Benzocy
clobutene",Proceedings of Materials Research Socie
ty,p.47,1989;J.Recheら,“High Density Multichip M
odule Fabrication",The international Journal for H
ybrid Microelectronics,Vol.13 No.4,1990である。マ
ルチチップモジュールの製造に関する更なる情報は“Be
nzocyclobutene Processing Guide For Multilayer Int
erconnect Fabrication(Multichip Modules)",The Do
w Chemical Compnay,Midland,Michigan,1991に見られ
る。
スを完了するのに充分な時間、加熱される。次の好まし
い加熱サイクルは窒素雰囲気下での更なる硬化のために
用いられうる。
めに100ppm以下の酸素の雰囲気で硬化させられる。
限定しない。実施例中に述べられる全てのパーセントは
特に指示がないかぎり重量基準である。
は系に存在するポリアミドおよびシクロブタレーンの総
重量の100分率に比較したものである。
−メチルシクロヘキサノンおよびオリゴマージビニルテ
トラメチルジシロキサンビスベンゾシクロブタンから製
造される感光性パターン化薄膜の製造 充分な量の2,6−ビス(4−アジドベンジリデン)−
4−メチルシクロヘキサノン(BAC−M)(347.3mg、0.
938ミリモル)をオリゴマージビニルテトラメチルジシ
ロキサンビスベンゾシクロブタン(DVS−BCB)(20.063
6g、メシチレン中55%固体、11.035gポリマー、Mw=310
00、Mn=1300)含有の暗いバイアルに加え、BAC−Mの
3%溶液を形成した。DVS−BCB/BAC−混合物はEberbach
ミキサーに移し、40分間振盪した。
は基材上に付着させるためにクラス1000のクリーンルー
ムに移した。付着の前に、スピンサイクルの間にウェハ
ーに適用したキシレンストリームを用いてウェハーを洗
浄した。0.2μmのフィルターに接続されたシリンジを
用いて、水中でのトリエトキシビニルシリルベンゾシク
ロブタン(TES−BCB)の0.5%溶液である定着剤ストリ
ームを、続くスピンサイクルの間に2秒間ウェハーに適
用し、その後、ウェハーをスピン乾燥した。
リコン基材の中心上にそれを注ぐことによって開始さ
れ、それから、続いてスピンコーティング工程を行う。
Solitec Model 5100スピンコーターを用いたDVS−BCB/B
AC−M溶液に用いられるスピンコーティング手順は、2
つの工程を含み、熱硬化後に5μmのコーティングを製
造した。第一工程は、基材またはウェハーを樹脂で完全
に覆うように基材またはウェハーを500rpmで3秒間回転
させる間のスプレッドサイクルであった。、第二工程
は、基材を5000rpmに加速させ、その速度に30秒間保持
することを含んだ。
フィルムはフィルムの残りの部分よりも幾分厚い同心円
状のポリマーリングを含んだ。エッジビードはスピンサ
イクルの間にキシレンストリームを用いて除去された。
エッジビードの除去はフィルム厚さの均一性を増加し、
基材の取扱を容易にした。
残留溶剤は80℃で0.5時間窒素雰囲気を含む炉中でソフ
トベークサイクルを用いて除去された。周囲温度への冷
却の後、基材は、ガラス上にパターン化クロムメッキさ
れたマスクを通して、コンタクトプリンティングモード
で、Canon PLA501FAマスクアライナー中のUSHIO 250ワ
ット中圧水銀キセノンランプを用いて5分間照射され
た。ここで用いるときに、コンタクトプリンティングモ
ードとはマスクとフィルムの直接的な接触を意味した。
このモードは最も高い解像度を生じえた。
去である溶剤現像は、基材をストッダード溶剤に浸漬し
ながら、基材を回転運動されることにより行われた。現
像は10x10μmバイア(vias)を含むマスク上にパター
ンを含むフィルムにネガティブ画像を製造した。
化された。
表面輪郭測定器を用いて輪郭測定器(profilometry)に
より測定したフィルムのステップ高さは2.48μmであ
り、参照フィルムの厚さの48%であった。用いた針の重
量は5mgであり、スキャン長さは400μmであり、スキャ
ン速度は5μm/秒であった。
脂中BAC−M3%溶液を実施例1に記載の手順を用いて一
連のベアーシリコンウェハー上にコーティングした。基
材は実施例1の光子源に1、2、3、5、10おおび15分
間さらされた。光子照射されたコート化ウェハーはスト
ッダード溶剤中に30秒間での2回の浸漬サイクルを用い
て溶剤現像された。実施例1に記載の手順を用いた硬化
の後、フィルム厚さは針式輪郭測定器により測定され
た。表1は残留フィルム厚さに対する照射量の影響を示
す。
ことを示す。照射時間は光子源の関数であり、好ましく
は処理量を増加するために最小化された。最小照射時間
は、基材に接触しているフィルムのボトム層を硬化する
ように充分にフィルムに浸入するために光子にとって必
要な時間であった。この界面での架橋は基材からのポリ
マーの剥離を抑制した。
の影響 実施例1に記載の手順に従って製造されたDVS−BCB樹
脂中BAC−M3%溶液を実施例1に記載の手順を用いて一
連のベアーシリコンウェハー上にコーティングした。光
化学反応の完了を確かにするためにフィルムを光子に15
分間さらした。ウェハーを1/4に分け、1セクションは
現像せず、これにより初期厚さの対照として用いた。ウ
ェハーを異なる時間でストッダード溶剤に浸漬させた。
実施例1に記載の手順を用いた現像および熱硬化後にフ
ィルムを窒素流下で乾燥させた。針式輪郭測定器により
測定して各試料のフィルム厚さを表2に示す。
秒間で起こった。この特性はフィルム厚さに影響を殆ど
与えずに広い範囲の現像時間を可能にする。
%溶液を実施例1に記載の手順を用いて一連のベアーシ
リコンウェハー上にコーティングした。フィルムをスト
ッダード溶剤中で1分間、溶剤現像し、次いで硬化させ
た。ウィルム厚さは表3に示すように異なる。
ィルム厚さは増加しうることを示す。
マーDVS−BCB(9.9974g、メシチレン中55%固体、5.498
gポリマー、Mw=27100、Mn=1300)を含む暗色バイアル
に暗室において加えた。0.5353g部分の2−メトキシエ
タノールを加えて、ポリマーおよび溶剤の総重量基準で
52.2%固体にポリマーを希釈した。Eberbachミキサーで
高設定において5分間振盪した後、溶液を60℃で0.5時
間加熱した。試料を周囲温度に冷却しながら、高設定で
0.5時間振盪した。攪拌および加熱サイクルは繰り返
し、次いで低設定で5時間振盪し、そして、BAC−Mは
完全に可溶化した。
ールを用いて、更なる溶液を6.3%固体BAC−M(370.4m
g)および7.3%BAC−M(435.4mg)で製造した。6.3%
の試料は殆ど完全に可溶性であり、7.3%の試料はそれ
より可溶性でなかった。Eberbachミキサーで高設定にお
いて5分間振盪した後、溶液を60℃で0.5時間加熱し
た。試料を周囲温度に冷却しながら、高設定で0.5時間
振盪した。この手順は6.3%の試料を完全に可溶化した
が、7.3%の試料を可溶化しなかった。
剤でウェハーをスプレーし、それによりウェハー上に溶
剤のたまり(パドル)を形成させることにより溶剤現像
を行った。ウェハーを5秒間固定し、次いで、スプレッ
ドおよび実施例1のスピンサイクルを行った。実施例1
に記載の手順を用いて試料を熱硬化した。針式輪郭測定
器で測定した各試料のフィルム厚さを表4に示す。
照試料と比較して)フィルム厚さは%BAC−Mの増加と
ともに実質的に増加した。2−メトキシエタノールの使
用は55%固体でポリマーを含むメシチレン中5および6
重量%でBAC−Mを溶解させることを可能にした。この
ようなレベルはメシチレンを単独で用いて再現性をもっ
て達成することができなかった。
載と同一のフィルム製造、照射、溶剤現像および分析を
行った。熱硬化サイクルは次のようである。
の36.3%であった。
時間のB−段階化により変換率を増加させることによっ
て製造した。それを55%固体に希釈し、27,100の分子量
のポリマーを含む上記のフィルム系との有効フィルム歩
留り比較を可能にした。これは、3%BAC−Mを加える
前に、メシチレンで希釈し、高設定でEberbachミキサー
を用いて1時間振盪することにより行われた。感光性配
合物を実施例に記載の手順により製造した。この系の残
留フィルム厚さは対照試料のフィルム厚さの48.3%であ
った。
B−段階化による変換率を更に増加させることにより製
造した。ゲルは濾過により除去された。それは、3%BA
C−M感光剤を加える前に、メシチレンで55%固体に希
釈され、高設定でEberbachミキサーを用いて1時間振盪
された。3%BAC−Mをアンバーフィルターされた黄色
光下で加えて、混合物の早期光硬化を抑制した。BAC−
Mの溶解後、フィルターをかけられたアンバー光を有す
るクラス1000クリーンルームに混合物を入れ、上記の2
つの実施例と同一のコーティング、ソフトベーク、照
射、溶剤現像、および熱硬化を受けさせた。表面輪郭測
定器は、得られたフィルムが初期フィルム厚さの58.2%
を保持したことを示した。
ン樹脂の分子量の増加とともに増加することを示す。
手順において60%固体で用いた。BAC−M(377.7mg、1.
02ミリモル、3.0重量%)を、オリゴマーDVS−BCB(20.
0022g、メシチレン中60%固体、12.0013gポリマー、Mn
=1400、Mw=73,000)を含む暗色バイアルに暗室におい
て加えた。バイアルをアルミニウムホイルで包み、60℃
で45分間加熱した。試料を炉から取り出し、周囲温度に
冷却しながら、高設定においてEberbachミキサーで20分
間振盪した。実施例1に記載のようにスプレッドおよび
スピンサイクル並びにソフトベーキング条件で処理の
後、実施例1に記載のようにウェハーを15分間マスクを
通して光子源にさらした。ウェハーを1/4にし、1つの
セクションを現像せず、これにより初期厚さの参照とし
て用いた。1つのセクションを30秒間ストッダード溶剤
中に浸漬現像した。実施例6に記載のように、全てのフ
ィルムを熱硬化した。
された領域は針式輪郭測定器で測定して8.4μm厚さで
あり、11.55μmである未現像部分と比較して27.9%の
フィルム損失であると解釈される。60%固体での72.1%
のフィルム歩留りは、実施例6の55%固体、73,000分子
量の系の58.2%のフィルム歩留りに匹敵しうる。
がより厚いポリマーコーティングを製造することを示
す。過剰な固体配合率では、加工を複雑にしうるような
ウェハー縁を越えて発散する繊維が形成する。
は、最近接凹凸(feature)から18.2μmで分離された
9.1μmの高いラインのために約0.5である。
布の影響 実施例5のオリゴマーDVS−BCB(40.0g、メシチレン
中55%固体、22.0gポリマー、Mn=1300、Mw=27100)
を、イソプロパノールを急速に攪拌しているブレンダー
の上方に充分に高く位置している添加漏斗に入れた。こ
れはブレンダーへのオリゴマー混合物の移送の前にオリ
ゴマーの沈殿を抑制する。オリゴマー混合物を、高剪断
速度で運転されているブレンダーに、75分間かけて滴下
して加えた。白色沈殿が形成し、それをスパチュラを用
いてブレンダーから取り出し、中度孔質ガラス濾過器お
よび真空源としてウォーターアスピレーターを用いて濾
過した。30inHgを下回る真空源を取り付けた真空炉中に
おいて50℃で8.5時間、沈殿物を乾燥した。得られたガ
ラス状白色非晶性材料を乳鉢および乳棒を用いて微粉砕
し、これにより20.1g(91.4%回収率)の非粘着性白色
文末を製造した。サイズエクスクルージョンクロマトグ
ラフィーは、分子量分布(Mn=1,700、Mw=31,000)
は、モノマー含有率が12.9%から7.4%に減少、ダイマ
ー含有率が10.7%から9.7%に減少するように変化した
ことを示した。この系のフィルム歩留りは実施例1に記
載の光子照射および溶剤現像後に42.7%であった。これ
は、分子量分布の変化がなかった実施例6のポリマー系
で36.3%であるフィルム歩留りと比較された。
溶液を実施例4に記載のように製造した。第一グループ
はスプレー現像され、一方、第二グループは浸漬現像さ
れた。表5に示す結果は2種類の手順が同様のフィルム
厚さをもたらすことを示す。
クルの間にウェハーの中心上にストッダード溶剤ストリ
ームをスプレーし、次いでウェハーを乾燥させるための
スピンサイクルにより行われた。
ド溶剤中でウェハーを回転(swirl)させ、次いで窒素
流下でウェハーを乾燥させることにより行った。
5gポリマー)中BAC−M(426.3mg)の3.0%溶液を実施
例5に記載の手順により製造した。フィルムは実施例1
の手順によりこの溶液から製造されたが、この系の定着
剤は酢酸中のトリエトキシビニルシランであり、これは
脱イオン水中で00.5%溶液として製造された。この溶液
を使用の前に最小で15分間老化させた。そしてそれは製
造後、最大で8時間使用されえる。実施例6の手順によ
り熱硬化後、フィルム厚さは、各現像溶液に関して対照
ウェハーと比較して針式輪郭測定器により測定された。
結果を表6に示す。
現像のために用いられうることを示す。現像溶液の最適
化は、フィルム除去速度を遅らすための手段としてメタ
ノールまたはイソプロパノールのような非溶剤を加える
ことにより可能であり、これにより初期フィルム厚さの
より高い分率の保持させることができる。
−メチルシクロヘキサノンおよびオリゴマー3,3′−
(エテニル)ビス−ビシクロ(4.2.0)オクタ−1,3,5−
トリエンからの感光性パターン化薄膜の製造 キシレン中のオリゴマー化された3,3′−(エテニ
ル)ビス−ビシクロ(4.2.0)オクタ−1,3,5−トリエン
(9.9722g総量、5.9833gポリマー、Mn=600、Mw=200
0)の60%固体溶液をアンバー光下で420mgの2,6−ビス
(4−アジドベンジリデン)−4−メチルシクロヘキサ
ノン(BAC−M)に入れた。溶液を最高速度に設定され
たEberbachミキサー上で20分間振盪した。それから、溶
液を60℃に加熱し、その温度に30分間維持し、それによ
り均質溶液を製造した。30分間かけて周囲温度に冷却の
後、更なるBAC−M(608.7mg総量、9.2%)をこの溶液
に加え、それからこれを更に30分間60℃で加熱した。少
量の不溶性物質を含む得られた溶液を実施例1に記載の
手順を用いて基材上にコートした。フィルムコートされ
た基材を窒素雰囲気下で120℃に加熱し、その温度に30
分間維持した。5分間の冷却時間の後、それをメシチレ
ン中で1分間浸漬現像した。得られたフィルムコートさ
れた基材を実施例6に記載の熱硬化サイクルを用いて硬
化させた。輪郭測定の結果は、現像されたフィルムは4.
148μmのステップ高さを有し、一方、光子照射された
未現像の対照フィルムは4.147μmの厚さを有すること
を示す。
−メチルシクロヘキサノン並びにオリゴマー3,3′−
(エテニル)ビス−ビシクロ(4.2.0)オクタ−1,3,5−
トリエンおよびジビニルテトラメチルジシロキサンビス
ベンゾシクロブタンの等モル混合物からの感光性パター
ン化薄膜の製造 キシレン中のオリゴマー化された3,3′−(エテニ
ル)ビス−ビシクロ(4.2.0)オクタ−1,3,5−トリエン
/ジビニルテトラメチルジシロキサンビスベンゾシクロ
ブタンのコポリマー(EL−BCB/DVS−BCB)(9.1922g総
量、5.0557gポリマー)の55%固体溶液をアンバー光下
で402.5mgの2,6−ビス(4−アジドベンジリデン)−4
−メチルシクロヘキサノン(BAC−M)に入れた。溶液
を最高速度に設定されたEberbachミキサー上で20分間振
盪した。それから、溶液を60℃に加熱し、その温度に30
分間維持し、それにより均質溶液を製造した。30分間か
けて周囲温度に冷却の後、更なるBAC−M(515.8mg総
量、113.3mgBAC−M、9.3%)をこの溶液に加え、それ
からこれを更に30分間60℃で加熱した。少量の不溶性物
質を含む得られた溶液を実施例1に記載の手順を用いて
基材上にコートした。フィルムコートされた偉材を窒素
雰囲気下で120℃に加熱し、その温度に30分間維持し
た。5分間の冷却時間の後、それをストッダード溶剤中
で1分間浸漬現像した。得られたフィルムコートされた
基材を実施例6に記載の熱硬化サイクルを用いて硬化さ
せた。輪郭測定の結果は、現像されたフィルムは4.135
μmのステップ高さを有し、一方、光子照射された未現
像の対照フィルムは5.492μmの厚さを有することを示
す。
−メチルシクロヘキサノン、オリゴマージビニルテトラ
メチルジシクロキサンビスベンゾシクロブタン、および
ポリマー化1,2−イヒドロ−2,2,4−トリメチルキノリン
からの感光性パターン化薄膜の製造 アンバーフィルター光下で、BAC−M(174.4mg、0.47
ミリモル、3.0重量%)を、オリゴマーDVS−BCB(10.21
28g、メシチレン中55%固体、5.5614gポリマー、55.6mg
PDTQ)中のポリマー化1,2−ジヒドロ−2,2,4−トリメチ
ルキノリン(PDTQ)の1%溶液を含むアンバーバイアル
に加えた。この混合物を実施例10に記載の手順により溶
解させ、加工した。ストッダード溶剤は1分間浸漬現像
剤として用いられた。
れたPDTQ(PDTQ−M)を含む酸化防止剤を用いて製造さ
れた。BAC−M(159.9mg、0.43ミリモル、3.1重量%)
を、オリゴマーDVS−BCB(9.2418g、メシチレン中55%
固体、5.0327gポリマー、50.3mgPDTQ−M)中のPDTQ−
Mの1%溶液を含むアンバーバイアルに加えた。この混
合物をPDTQに記載した手順により加工した。輪郭測定の
結果を表8に示す。
able)混合物のフィルム歩留りに劇的な影響を与えない
ことを示唆する。
ノクマリン)増感剤の影響 メタ−アジドフェニルスルホン(0.4331g、300.30g/
モル、1.44ミリモル、3.0重量%)および3,3′−カルボ
ニルビス(7−ジエチルアミノクマリン)(0.0730g、4
60.53、0.16ミリモル)を、アンバーフィルターされた
光の下でオリゴマーDVS−BCB(25.3257g、メシチレン中
55%固体、13.9291gポリマー)の溶液を含むアンバーバ
イアルに加えた。バイアルに蓋をし、60℃で水浴中で1
時間加熱した。この段階でビスアジドは完全には可溶性
でなかった。混合物を更に30分間加熱した。高設定にお
いてEberbachシェーカーを用いて1時間振盪し、均質溶
液を生じた。
0秒間、溶液によりスピンコーティングされた。ウェハ
ーは窒素下で30分間80℃においてソフトベークされた。
照射の前にウェハーを室温に冷却した。それは、1,000W
高圧水銀/キセノンアークランプを用いて15秒間350〜4
50nmUVに照射され、それからストッダード溶剤を用いて
2分間浸漬現像された。それから、ウェハーを熱硬化
(Tmax=250℃)とした。溶剤現像および硬化の後、輪
郭測定結果は41μmのフィルム厚さを示した。
での紫外可視分光測はDVS−BCB/ビスアジド混合物で得
られるのと非常に類似しており、これは、このビスアジ
ドがDVS−BCBと同一領域で吸収されることを示し、それ
は、望むにより低い波長であった。
ドフェニルスルホン)/DVS−BCB混合物が増感剤なしに3
50nm〜450nmUV光に照射されて硬化しないが、0.5%の増
感剤が加えられたときに混合物の感度が実質的に増加す
ることであった。
ルアミノクマリン)増感剤を3,3′−カルボニルビス
(7−ジメトキシクマリン)に置き換えたときに得られ
た。
CBの沈殿の影響 700mlのイソプロパノールを含む1000ml3つ口重合がま
に挿入されたクライゼンアダプターに連結された均圧添
加漏斗に入れた。重合がまは溶液温度を制御するための
浸漬用ウェルおよび還流冷却器を装備し、攪拌された溶
液の直ぐ上方でないクライゼンアダプターの一部分に連
結された窒素アウトレットを装備した。重合がはま加熱
前に15分間窒素パージされ、その後ゆっくりとした速度
で連続的にパージされた。イソプロパノールは添加プロ
セスの前に還流した。オリゴマーは溶液に113分間かけ
て滴下して加えられた。この溶液は、イソプロパノール
溶液の上部および下部の両方にテフロンブレードを装備
した機械攪拌機を用いて300rpmで攪拌されていた。添加
が終了した後に、攪拌および加熱源を取り外す前に、混
合物は更に15分間攪拌された。一晩を越えて16時間の攪
拌後に、装置を分解し、混合物を濾過した。固体を50ml
部分のイソプロパノールで3回洗浄し、スパチュラを用
いて取り出した。樹脂を乳鉢および乳棒を用いて微粉砕
し、固体の表面積を増加させて乾燥を促進させた。樹脂
を真空炉上で50℃で2時間、それから90℃で18時間乾燥
させ、すべての残留イソプロパノールを除去し、樹脂を
団結させた。樹脂は崩壊し、ポリマーのガラス転移温度
が90℃以上であることを示す。回収された高分子量材料
は16.4g(67.5%)であった。
を用いて濃縮され、サイズエクスクルージョンクロマロ
グラフィーによる特性決定用の8.1gの粘性樹脂を提供し
た。全体の物質収支は16.4+8.1g=24.5g(101%)であ
り、非常に少量のイソプロパノールが低分子量成分中に
残ったことを示す。
らMn=4100、Mw=57000であった。60℃で1時間の加熱
後に55%固体でポリマーをメシチレン中に再溶解させ
た。3重量%のBAC−M配合物は製造され、それから500
0rpmでのスピンコーティングによりフィルムを製造し
た。ストッダード溶剤中での1分間の浸漬現像および硬
化後、対照フィルムの厚さ10.9μmに対してパターン化
フィルムの膜厚は7.2μm(66%歩留り)であり、変更
されていない材料の55%固体溶液から製造された5μm
のコーティングと比較された。
は樹脂のモノマーおよびダイマー成分をほぼ完全に除去
することになる。しかし、上記の約33%のフィルム損失
は、より分子量の高いオリゴマー材料が損失の原因であ
ったこと示す。それ故、より多量のより高分子量オリゴ
マーを除去するために、高沸点アルコールは使用され、
表9にデータを示す。
るための最も好ましいアルコールはt−アミルアルコー
ル(2−メチル2−ブチル)であり、それはDVS−BCBト
ライマーを除去する。
いフィルム歩留りおよびより高いフィルム厚さの両方を
もたらす。
−BCB樹脂分子量の影響 57,000の重量平均分子量のDVS−BCB樹脂は、イソプロ
ピルアルコールを抽出溶剤として用いて実施例15に記載
と同一の製造法によって製造され、実施例1に記載と同
一のフィルム製造、溶剤現像、および分析を受けた。2
−メトキシエチルエーテルを現像時間90秒で現像溶剤と
して用い、ウェハーは365nm波長で1,000mJ/cm2の照射量
を受けた。フィルムは500rpmでの10秒間のスプレッドサ
イクル後に、スピン速度5,000rpmで回転させられた。熱
硬化サイクルは次のようであった。
%であり、硬化後に60.8%であった。
に、沈殿用の種々のアルコールを用いて実施例15の記載
のように製造された他の高分子量樹脂を用いた。樹脂を
評価し、表10にデータを与えた。
ィルムを得るために最も好ましい樹脂はt−アミルアル
コール(2−メチル、2−ブチルアルコール)中で沈殿
した樹脂であり、それは現像後に86.6%のフィルム歩留
りおよび硬化後に87.5%のフィルム歩留りを有する。
では現像および硬化後のフィルム歩留りはより高い。
%固体、317.8g)を均圧添加漏斗に加えた。添加漏斗は
ボトムドレインを有する5L重合がまに連結されていた。
T−アミルアルコール(3.5L、Aldrich、99%)を5L反
応フラスコに加えた。残りの手順全体を通して反応器は
窒素によりパージされた。アルコールは加熱還流され
(沸点102℃)ポリマー溶液は加えられた。添加は終了
た後、反応器を約3時間かけて35℃に冷却した。均質ポ
リマー溶液は71℃で曇った。白色の高密度のファラクシ
ョンが反応器のボトムに沈降した。次いで、白色の粘性
樹脂をストップコックを通してデカントした。デカンテ
ーションの終了後、材料を真空炉内で110℃において15
時間乾燥させ、129.8g(40.8%)の白色のポリマーを生
じた。
わせて混合し、次の分子量分布;Mn=4800、Mw=95,00
0、およびMz=295,000を有する材料のマスターバッチを
提供した。
した。ポリマー付着の前に、定着剤である3アミノプロ
ピルトリエトキシシラン(3−APS)を5000rpmにおいて
0.5%水溶液(w/w)として適用した。
が基材を覆うように流れる)、次いで最終スピン速度
(変数、表1参照)(30秒間続けた)を用いて100mmシ
リコンウェハー上に樹脂をスピンコートした。照射(36
5nnmの波長で1000mJ/cm2)の後、フィルムを適切な溶剤
を用いて現像した。現像後および硬化後にフィルム厚さ
を測定した。対照フィルムは照射後の硬化後に測定され
た。
よび照射、それに次ぐ1回の溶剤現像工程 より厚い光パターン化ポリマーコーティングを得るた
めに、多層光ポリマーコーティングおよび照射プロセス
を行った。
ロ−2,2,4−トリメチルキノリンのオリゴマーを、メシ
チレン中で50%固体であるDVS−ビス−BCB樹脂(分子量
Mn=4,500g/モル、Mw=59,000g/モル)溶液、199.354g
に加え、水浴振盪器中で1時間、60℃で加熱溶解した。
3.085gのBAC−Mをこの溶液に加え、水浴振盪器中で30
分間、60℃で加熱溶解した。それから溶液を0.5ミクロ
ンフィルターで濾過した。
して有する清浄なシリコンウェハーは2500rpmスピン速
度で30秒間、3−アミノプロピルトリエトキシシラン定
着剤の0.5%水溶液でスピンコードされた。それから、
光鮮明化性溶液(phtodefinable solution)は500rpmで
の10秒間のスプレッドサイクル、次いで30秒間の2,500r
pmのスピン速度を用いてスピンコートされ、8.0ミクロ
ン厚さのフィルムを製造した。ウェハーを窒素パージさ
れた炉に80℃で30分間入れた。室温への冷却後、ウェハ
ーをOrielマスクアライナーに入れ、ウェハー上のアル
ミニウムパターンを光マスクに位置合わせした。それか
ら、ウェハー上の光鮮明化性DVS−ビス−BCBフィルムに
365nm波長(広いバンド源350〜450nm)で測定して700mJ
/cm2の光照射量を提供した。第二の光鮮明化性DVS−ビ
ス−BCBフィルムを第一の照射されたフィルム上に7,500
rpmのスピン速度でスピンコートし、8.0ミクロンのフィ
ルムコーティング厚さを提供した。ウェハーを窒素パー
ジされた炉に80℃で30分間入れた。室温への冷却後、ウ
ェハーをOrielマスクアライナーに入れ、ウェハー上の
アルミニウムパターンを光マスクに位置合わせした。第
二の光鮮明化性フィルムに365nm波長(広いバンド源350
〜450nm)で測定して700mJ/cm2の照射量を提供した。そ
れから、ウェハーは2−メトキシエチルエーテルに90秒
間浸漬させられ、スプレーされ、窒素流で乾燥させられ
た。ウェハーを窒素パージされた炉に80℃で10分間入
れ、更に乾燥した。光鮮明化性フィルムの総フィルム厚
さを、フィルム中にパターン化された穴をとして輪郭測
定器の針を引きずることにより輪郭測定器によって測定
した。現像後のフィルム厚さは約12.23ミクロンであっ
た。次の硬化スケジュールによりフィルムを硬化した。
フィルム厚さを有する高品質であった。
物の使用による、より厚いフィルム 現像および硬化後に光学密度を低下させ、高いフィル
ム歩留りを維持するための試みにおいて、ビスアジド混
合物を含むDVS−ビス−BCB配合物を現像した。
ン)を、55.6%固体のDVS−ビス−BCB樹脂(分子量Mn=
4,500g/モル、Mw=59,000g/モル)溶液、24.040gに加
え、水浴振盪器中で30分間、60℃で加熱溶解させた。そ
れから、溶液をソニケーターに30分間入れ、それから60
℃の水浴振盪器中に30分間戻し、m−アジドフェニルス
ルホンの溶解を補助した。0.269gのBAC−Mをこの溶液
に加え、水浴振盪器で30分間、60℃で加熱して溶解させ
た。この溶液をソニケーターに20分間入れ、5.0ミクロ
ンフィルターを通して濾過し、清浄なアンバーボトルに
入れた。
−BCB樹脂(分子量Mn=4,500g/モル、Mw=59,000g/モ
ル)溶液、23.767gに加え、水浴振盪器中で30分間60℃
で加熱して溶解させた。それから、この溶液をソニケー
ターに20分間入れた。両方の溶液は同時に配合された。
間、3−アミノプロピルトリエトキシシラン定着剤の0.
5%水溶液でスピンコートされた。それから、1%m−
アジドフェニルスルホン/2%BAC−M溶液は500rpmでの1
0秒間のスプレッドサイクル、次いで30秒間の3,000rpm
のスピン速度を用いてウェハー上にスピンコートされ、
10.83ミクロン厚さのフィルムを製造した。ウェハーを
窒素パージされた炉に80℃で30分間入れた。室温への冷
却後、ウェハーをOrielマスクアライナーに入れ、ウェ
ハー上の光鮮明化性DVS−ビス−BCBフィルムは365nm波
長(広いバンド源350〜450nm)で測定して1,000mJ/cm2
の光照射量を水晶光マスクを通して提供された。フィル
ム厚さは輪郭測定器で測定されて10.83であった。それ
から、ウェハーは2−メトキシエチルエーテルに90秒間
浸漬させられ、スプレーされ、窒素流で乾燥させられ
た。ウェハーを窒素パージされた炉に80℃で10分間入
れ、更に乾燥した。溶剤現像および乾燥後、フィルム厚
さは輪郭測定器で測定されて9.22ミクロンであった。次
の硬化スケジュールによりフィルムを硬化した。
ミクロンであった。
さを最大にするための試みにおいて、他のウェハーを1
%m−アジドフェニルスルホン/2%BAC−M溶液により
種々のスピン速度でスピンコーとした。比較の目的で、
2%BAC−Mを含む溶液も同一のスピンコーティング条
件で評価された。樹脂は、上記の各プロセス工程後にフ
ィルム厚さに関して評価され、表12にデータを与えた。
ィルムを得るために最も好ましい樹脂は、1%m−アジ
ドフェニルスルホンおよび2%BAC−Mを含む樹脂であ
り、それは10.83ミクロンの初期フィルム厚さでは、現
像後に85.13%および硬化後に87.26%のフィルム歩留り
を有する。
ペニリデン]−4−メチルシクロヘキサノン の2,6−ビス[3−(4−アジドフェニル)−2−プロ
ペニリデン]−4−メチルシクロヘキサノン(0.110g、
ポリマー基準で2wt%)をアンバーバイアルに加え、次
いでN−メチルピロリドン(2.118g)を加えた。バイア
ルに蓋をし、手で振盪し、材料を溶解させた。DVS−ビ
ス−BCB(10.019g、54.5%固体、5.461gポリマー、調整
した%固体:45、分子量Mn=4500g/モル、Mw=59,000g/
モル)を加え、混合物を150rpmで回転させながら水浴振
盪器中で60℃において18分間加熱した。手で1分間振盪
することにより溶液を激しく混合した。泡を除去するた
めのソニケーション(sonication)を1分間行った後、
均質溶液が得られた。材料を室温まで冷却させた。
例20と同様の条件で加工されたが、次の変更を伴った。
れ、ストッダード溶剤(浸漬、3分間)で現像された。
フィルムを窒素流を用いて乾燥し、次いで、80℃でホッ
トプレート上で数分間加熱して更に乾燥した。
は対照試料基材に関してはベークおよび照射後に決定さ
れた。実施例19に用いた硬化スケジュール後にも決定さ
れた。
使用 0.168gの1.2−ジヒドロ−2,2,4トリメチルキノリン
(PDTQ)を、メシチレン中で50%固体であるDVS−BCB樹
脂(分子量Mn=4,500g/モル、Mw=59,000g/モル)溶
液、33.281gに加え、水浴振盪器中で30分間、60℃で加
熱溶解させた。それから、この溶液を5.0ミクロンフィ
ルターを通して濾過し、清浄なアンバーボトルに入れ
た。0.463gのBAC−Mを30.099gの濾過された溶液に加
え、水浴振盪器中で30分間60℃で加熱して溶解させた。
間、3−アミノプロピルトリエトキシシラン定着剤の0.
5%水溶液でスピンコートされた。それから、BAC−M溶
液は500rpmでの10秒間のスプレッドサイクル、次いで30
秒間の3,500rpmのスピン速度を用いてウェハー上にスピ
ンコートされ、6.690ミクロン厚さのフィルムを製造し
た。ウェハーを窒素パージされた炉に80℃で30分間入れ
た。室温への冷却後、ウェパーをOrielマスクアライナ
ーに入れ、ウェハー上の光鮮明化性DVS−ビス−BCBフィ
ルムは365nm波長(広いバンド源350〜450nm)で測定し
て1,000mJ/cm2の光照射量を水晶光マスクを通して提供
された。フィルム厚さは輪郭測定器で測定されて6.690
ミクロンであった。それから、ウェハーはブチルブジレ
ートに60秒間浸漬させられ、スプレーされ、窒素流で乾
燥させられた。ウェハーを窒素パージされた炉に80℃で
10分間入れ、更に乾燥した。溶剤現像および乾燥後、フ
ィルム厚さは輪郭測定器で測定されて5.105ミクロンで
あった。次の硬化スケジュールによりフィルムを硬化し
た。
−BCB層の交互の層からなる多層構造の製造 1.006gのPDTQを、メシチレン中で50%固体であるDVS
−ビス−BCB樹脂(分子量Mn=4,500g/モル、Mw=59,000
g/モル)溶液、199.358gに加え、水浴振盪器中で1時
間、60℃で加熱溶解させた。それから、3.085gのBAC−
Mを溶液に加え、水浴振盪器中で30分間60℃で加熱して
溶解させた。それから、この溶液を5.0ミクロンフィル
ターを通して濾過し、清浄な200mlアンバーボトルに入
れた。
の金属蒸着プロセス条件下でアルミニウム金属によっ
て、Leybold Box Coaterを用いてスパッターコートされ
た。アルミニウムはDCマグネトロオンスパッタリングを
用いて、アルゴン中、1500ワットで60分間蒸着され、約
2.0ミクロン厚さの金属フィルムを製造した。アルミニ
ウムはShipley Microposit S1400−37ポジティブレジス
トを用いてパターン化された。Microposit S1400−37ポ
ジティブレジストは500rpmでの3秒間のスプレッドサイ
クル、次いで2,500rpmスピン速度で30秒間でスピンコー
トによりアルミニウム上に付着させられた。それにより
約4.0μmのフィルム厚さのフィルムを製造した。それ
から、フォトレジストを窒素パージされた100℃の炉に3
0分間入れた。それから、ウェハーを室温に冷却し、そ
して光源として中圧Hgランプを有するCanon PLA−501FA
マスクアライナーに入れた。フォトマスクをウェハー上
に置き、フォトレジストを405nm波長の光に47mJ/cm2の
照射量で照射した。照射されたポジティブフォトレジス
トをShipley Microposit 454現像液(2%KOH)を用い
て現像した。現像は18℃で90秒間、濾過された循環され
た現像液浴中に器材を浸漬させることによって行った。
パターン化フィルムを脱イオンに浸漬して濯ぎ、スピン
乾燥した。それから、ウェハーを405nm波長の236mJ/cm2
のマスクアライナー光源を用いて浸水照射した。ウェハ
ーを窒素パージされた120℃の炉に30分間入れた。アル
ミニウム金属層はウェハーを酸浴(48%脱イオン水、43
%燐酸、4.0%酢酸および5.4%硝酸)に入れることによ
りエッチングされた。それから、ウェハーを脱イオンに
浸漬して濯ぎ、スピン−濯ぎ−乾燥し、残留している酸
を除去した。フォトレジストは、ウェハーをスピンコー
ター上に置き、それをアセトン、次いでメタノールで動
的に濯ぐことにより基材から取り外された。
して有する清浄なシリコンウェハーは2,500rpmスピン速
度で30秒間、3−アミノプロピルトリエトキシシラン定
着剤の0.5%水溶液でスピンコートされた。それから、
光鮮明化性溶液(phtodefinable solution)は500rpmで
の10秒間のスプレッドサイクル、次いで30秒間の3500rp
mのスピン速度を用いてスピンコートされ、6.7ミクロン
厚さのフィルムを製造した。ウェハーを窒素パージされ
た80℃の炉に30分間入れた。室温への冷却後、ウェハー
をOrielマスクアライナーに入れ、ウェハー上のアルミ
ニウムパターンをフォトマスクに位置合わせした。それ
から、ウェハー上の光鮮明化性DVS−ビス−BCBフィルム
に365nm波長(広いバンド源350〜450nm)で測定して700
mJ/cm2の光照射量を提供した。ウェハーは2−メトキシ
エチルエーテルに90秒間浸漬させられ、スプレーされ、
窒素流で乾燥させられた。次の条件下で、ウェハーを窒
素パージされた炉中で210℃でソフトベーキングした。
脱イオン水中に浸漬して濯ぎ、スピン−濯ぎ−乾燥し
た。
用いて、第二の2.0ミクロン厚さのアルミニウム層をパ
ターン化された光鮮明化性DVS−ビス−BCBフィルム上に
蒸着し、パターン化した。それから、ウェハーは3−ア
ミノプロピルトリエトキシシラン定着剤の0.5%水溶液
で2,500rpmで30秒間スピンコートされた。第二の光鮮明
化性DVS−BCB層は3,500rpmのスピン速度を用いて第二の
パターン化アルミニウム層上にスピンコートされ、6.7
ミクロンのフィルムコーティング厚さを提供した。ウェ
ハーを窒素パージされた80℃の炉に30分間入れた。室温
への冷却後、ウェハーをOrielマスクアライナーに入
れ、ウェハー上のアルミニウムパターンをフォトマスク
に位置合わせした。それから、第二の光鮮明化性フィル
ムに365nm波長(広いバンド源350〜450nm)で測定して7
00mJ/cm2の光照射量を提供した。それから、ウェハーは
2−メトキシエチルエーテルに90秒間浸漬させられ、ス
プレーされ、窒素流で乾燥させられた。ウェハーを窒素
パージされた80℃の炉に10分間入れ、更に乾燥した。次
の硬化スケジュールによりウェハー上のフィルムを硬化
した。
間に良好な付着性を有した高品質であった。
Claims (11)
- 【請求項1】主要成分として少なくとも1種のオリゴマ
ー化シクロブタレーン、および、少なくとも1種の感光
剤を含む、光硬化性有機可溶性混合物であって、前記混
合物を光子照射にさらしたときに有機不溶性固体に前記
混合物を転化させるために充分な量の前記感光剤を含
む、光硬化性有機可溶性混合物。 - 【請求項2】前記オリゴマー化シクロブタレーンが3以
上の重合度のオリゴマーを80重量%以上含む、請求項1
記載の混合物。 - 【請求項3】前記オリゴマー化シクロブタレーンがジビ
ニルテトラメチルジシロキサンビスベンゾシクロブタン
のオリゴマー化生成物である、請求項1記載の混合物。 - 【請求項4】前記感光剤が2,6−ビス(4−アジドベン
ジリデン)−4−メチルシクロヘキサノン、2,6−ビス
[3−(4−アジドフェニル)−2−プロペニリデン]
−4−メチルシクロヘキサノン、または、2,6−ビス
(4−アジドベンジリデン)−4−メチルシクロヘキサ
ノンとm−アジドフェニルスルホンとの混合物である、
請求項1記載の混合物。 - 【請求項5】1,2−ジヒドロ−2,2,4−トリメチルキノリ
ンから誘導される酸化防止剤をさらに含む、請求項1〜
4のいずれか1項記載の混合物。 - 【請求項6】増感剤をさらに含む、請求項1〜5のいず
れか1項記載の混合物。 - 【請求項7】前記増感剤が3,3′−カルボニルビス(7
−ジエチルアミノクマリン)である、請求項6記載の混
合物。 - 【請求項8】請求項1〜7のいずれか1項記載の混合物
を硬化量の光子照射にさらすことにより形成された光硬
化した生成物。 - 【請求項9】請求項1〜7のいずれか1項記載の混合物
の薄層を基材上にコーティングすること、前記層の一部
分のみを硬化量の光子照射にさらしてパターンを有する
光硬化した薄膜を形成させること、および、前記薄膜を
溶剤現像に付すことにより形成された、基材上で光硬化
したパターンコートされた薄膜。 - 【請求項10】請求項1〜7のいずれか1項記載の混合
物の薄層を基材上にコーティングすること、前記層の一
部分のみを硬化量の光子照射にさらしてパターンを有す
る光硬化した薄膜を形成させること、前記薄膜を溶剤現
像に付すこと、および、その後、光硬化した薄膜を熱硬
化させることにより形成された、基材上で光硬化しかつ
熱硬化したパターンコートされた薄膜。 - 【請求項11】請求項1〜7のいずれか1項記載の混合
物から製造される誘電材料。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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US80539591A | 1991-12-10 | 1991-12-10 | |
US805.395 | 1991-12-10 | ||
PCT/US1992/010649 WO1993012055A2 (en) | 1991-12-10 | 1992-12-10 | Photocurable cyclobutarene compositions |
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JP3213001B2 true JP3213001B2 (ja) | 2001-09-25 |
Family
ID=25191455
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country | Link |
---|---|
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EP (1) | EP0616701B1 (ja) |
JP (1) | JP3213001B2 (ja) |
KR (2) | KR100324184B1 (ja) |
CA (1) | CA2125567A1 (ja) |
DE (1) | DE69232419T2 (ja) |
SG (1) | SG49761A1 (ja) |
WO (1) | WO1993012055A2 (ja) |
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- 1992-12-10 EP EP93901377A patent/EP0616701B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-12-10 WO PCT/US1992/010649 patent/WO1993012055A2/en active IP Right Grant
- 1992-12-10 CA CA002125567A patent/CA2125567A1/en not_active Abandoned
- 1992-12-10 DE DE69232419T patent/DE69232419T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1992-12-10 SG SG1996004925A patent/SG49761A1/en unknown
-
1994
- 1994-06-09 KR KR1019940701959A patent/KR100324184B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1994-08-15 US US08/290,197 patent/US6083661A/en not_active Expired - Lifetime
-
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US5585450A (en) | 1996-12-17 |
JPH07503740A (ja) | 1995-04-20 |
EP0616701B1 (en) | 2002-02-13 |
KR100307647B1 (ko) | 2001-09-24 |
DE69232419T2 (de) | 2002-09-19 |
DE69232419D1 (de) | 2002-03-21 |
SG49761A1 (en) | 1998-06-15 |
EP0616701A1 (en) | 1994-09-28 |
WO1993012055A2 (en) | 1993-06-24 |
EP0616701A4 (en) | 1995-06-14 |
CA2125567A1 (en) | 1993-06-24 |
KR100324184B1 (ko) | 2002-07-27 |
US6083661A (en) | 2000-07-04 |
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