JPH0456975B2 - - Google Patents
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Description
[産業上の利用分野]
本発明は新規な感光性耐熱材料に関する。
[従来の技術]
従来半導体の製造において、固体素子の絶縁層
やパツシベーシヨン層には、酸化ケイ素、窒化ケ
イ素などの無機材料をCVD法などによつて形成
されたものが、使用されている。しかしこれらの
ものはピンホールが生じやすく、また平滑性に劣
るため層を厚くする必要があるが層を厚くすると
内部応力が発生するため、半導体の信頼性が低く
なる。 そこで無機材料と比較して残留応力が小さく、
平滑性が良好で、しかも純度が高いなどの点で優
れた高分子材料を回転塗布して固体素子の絶縁層
やパツシベーシヨン層として使用する技術が開発
され、一部の半導体素子の製造に実用化されてき
ているが、該高分子材料はダイボンデイングなど
の作業工程上では450℃以上の耐熱性を有するも
のを使用する必要があり、通常耐熱性に優れたポ
リイミド樹脂やオルガノラダーポリシロキサンな
どの熱硬化性樹脂の開発が検討されている。 [発明が解決しようとする問題点] 上記のようなポリイミド樹脂やオルガノラダー
ポリシロキサンなどの熱硬化性樹脂を固体素子の
絶縁層やパツシベーシヨン層として使用するばあ
いには、上下の導体層の通風部や外部リード線と
の接続のためのスルーホール孔などの微細加工を
ほどこす工程が必要であるが、一般にこれらの工
程はフオトレジストをマスクとして用いた熱硬化
性樹脂のエツチング処理により行なわれる。しか
し上記工程における熱硬化性樹脂のパターン化に
は、特公昭51−44871号公報、特開昭56−125855
号公報、同56−125856号公報あるいは同56−
125857号公報に記載されているようにフオトレジ
ストの塗布や剥離などの工程が必要であり、プロ
セス自体が非常に煩雑である。 そこで本発明は前記プロセスの簡略化をはかる
ために直接光で微細加工可能な感光性耐熱材料を
提供するためになされたものである。 [問題点を解決するための手段] 本発明は側鎖に一般式(I): (式中、Xは水素原子、メチル基、エチル基ま
たはフエニル基、mは0〜4の整数を示す)で表
わされる感光基を1分子中に少なくとも2個以上
含有する末端ヒドロキシフエニルラダーポリシロ
キサンと光増感剤とからなる感光性耐熱材料に関
する。 [実施例] 本発明において、末端ヒドロキシフエニルラダ
ーポリシロキサンは側鎖に一般式(I): (式中、Xは水素原子、メチル基、エチル基ま
たはフエニル基、mは0〜4の整数を示す)で表
わされる感光基を1分子中に少なくとも2個以上
含有するものが用いられる。 前記一般式(I)で表わされる感光基中のXは
感光させたばあい、光重合性にすぐれている水素
原子、メチル基、エチル基またはフエニル基など
を用いる。また、mは5以上の整数であるばあい
耐熱性がわるくなるので好ましくない。 前記末端ヒドロキシフエニルラダーポリシロキ
サンは、前記感光基が1個のみ含まれるばあい、
光硬化性がわるくなるので2個以上含まれるもの
を用いる。 また前記感光基は前記末端ヒドロキシフエニル
ラダーポリシロキサンに含まれるフエニル基1モ
ルに対して0.1モル以上含まれるのが感度の点か
ら好ましい。 前記末端ヒドロキシフエニルラダーポリシロキ
サンは、たとえばフエニル基を有するトリクロロ
シランと一般式(): (式中、Xは水素原子、メチル基、エチル基ま
たはフエニル基、mは0〜4の整数を示す)で表
わされる化合物とを共加水分解し、さらに脱水縮
合触媒として水酸化カリウム、カルボジイミド
類、クロロギ酸エステル類などを必要に応じて添
加することにより、任意の分子量のものをうるこ
とができる。 本発明に用いられる光増感剤は前記感光性末端
ヒドロキシオルガノラダーポリシロキサンに対し
て0.01〜20重量%添加して用いられるが、0.01重
量%未満のばあい感度が低く、また20重量%をこ
えると耐熱性に劣るので好ましくない。 前記光増感剤の具体例としてベンゾインとその
誘導体、ベンゾインメチルエーテルなどのベンゾ
インエーテル類、ベンジルとその誘導体、ベンゾ
フエノンとその誘導体、アントラキノンとその誘
導体、アセトフエノンとその誘導体などがあげら
れるが、これらのみに限定されるものではない。
また、これらの光増感剤は単独で用いてもよく、
2種以上混合して用いてもよい。 該感光性耐熱材料は有機溶剤に溶解して用いら
れが、有機溶媒としてはトルエン、キシレン、ベ
ンゼンなどの芳香族炭化水素、メチルエチルケト
ン、アセトンなどのケトン系、テトラヒドロフラ
ン、ジエチルエーテル、イソプロピルエーテルな
どのエーテル系、さらにはエチルセルソルブ、N
−メチルピロリドンなどを用いることができる。 上記のようにしてえられた感光性耐熱材料をガ
ラス板またはシリコンウエハー上などにスピンナ
ーを用いた回転塗布法などにより塗布し、50〜90
℃でプレキユアしたのち所定のパターンを有する
マスクを通して光または放射線を照射し、ついで
メチルエチルケトンなどのケトン系溶剤、トルエ
ンなどの芳香族炭化水素系溶剤、あるいはテトラ
ヒドロフランなどのエーテル系溶剤などで現象す
ることにより、未露光部が洗い流された端面がシ
ヤープなレリーフパターンがえられる。えられた
レリーフパターンをさらに200〜400℃で熱処理す
ると耐熱性、耐薬品性、電気的性質あるいは基板
との密着性などにすぐれた良好なパターンを有す
る硬化物がえられる。 また、上記えられた感光性耐熱材料は、半導体
の層間絶縁層やパツシベーシヨン層、さらにはバ
ツフアコート層、磁気ヘツドの絶縁層として有用
であるばかりではなく、プリント回路の半田レジ
スト、高耐熱性のフオトレジスト、リフトオフ材
料などにも適用することができる。 つぎに本発明の感光性耐熱材料を実施例にもと
づいて詳細に説明するが、本発明はかかる実施例
のみに限定されるものではない。 参考例 1 フエニルトリクロロシラン(C6H5SiC3)
105.8g(0.50モル)およびビニルトリクロロシ
ラン(CH2=CH−SiC3)8.1g(0.050モル)
をジエチルエーテル200mlに溶解させた溶液を攪
拌機および温度計を取付け、氷浴で冷却された2
の4つの口フラスコ内のイオン交換水1000mlの
中に攪拌しながら温度を10℃以下に保持して約3
時間かけて徐々に滴下して加水分解を行なつた。
そののち液温を室温にもどし、さらに30分間攪拌
し、加水分解反応を完結させた。 えられた2層に分離した反応液からエーテル層
を分取して、イオン交換水で中性になるまで数回
水洗した。該中間体は低分子量のため、適当な沈
殿剤がないので減圧下で溶剤を留去して、白色粉
末として回収した。 えられた白色粉末を赤外分光法で分析したとこ
ろ、3400cm-1にSi−OHの吸収ピークが、さらに
ジヤーナル・オブ・ポリマー・サイエンス(1963
年刊)C−1巻、83頁に記載されているようなSi
−O−Siの逆対称伸縮振動に帰属する吸収ピーク
が1135cm-1と1045cm-1に、またビニル基にもとづ
く吸収ピークが1270cm-1に観測された。 これらの結果からえられた白色粉末が側鎖にビ
ニル基を有する末端ヒドロキシフエニルラダー型
シロキサンであることを確認した。 また該粉末は溶融温度が約90℃で、分子量が約
1500のものであつた。 参考例 2〜5 第1表に示す配合比で参考例1と同じ方法で中
間体を作製した。えられた中間体は、赤外分光法
によつて側鎖に感光基を有する末端ヒドロキシフ
エニルラダー型シロキサンであることを確認し
た。 えられた中間体はいずれも約90℃で溶融し、分
子量は約1500であつた。 参考例 6 還流冷却器、攪拌機、温度計を取付けた4つ口
フラスコに参考例1でえられた中間体10gとキシ
レン30mlを入れて溶解し、クロロギ酸エチル4g
を加え、その均一層を約130℃で3時間反応させ
た。反応終了後溶液を冷却し、10倍体積量のメタ
ノール中に注いで白色沈殿をえた。えられた白色
沈殿はアスピレーター、ついでロータリーポンプ
を用いて減圧乾燥し、収量を測定したところ約9
gであつた。 えられた白色粉末を赤外分光法で分析したとこ
ろ、3400cm-1にSi−OHの吸収ピークが、またSi
−O−Siの逆対称伸縮振動に帰属する吸収ピーク
が1135cm-1と1045cm-1に、またCH2=CH−にも
とづく吸収ピークが1270cm-1に観測された。参考
例1でえられた白色粉末に比較して3400cm-1の吸
収ピークの相対的強度は減少し、1135cm-1と1045
cm-1の二つの吸収ピークのくびれは深くなつた
が、1270cm-1の吸収ピークの変化は認められなか
つた。これらの結果により、えられた白色粉末が
側鎖にビニル基を有する末端ヒドロキシフエニル
ラダーポリシロキサンであることを確認した。 また該ポリマーの分子量は約150000であつた。 参考例 7〜10 第2表に示すシリコーン化合物を用いて参考例
6の方法にしたがつて高分子量のシリコーン化合
物を製造した。これらの化合物は赤外分光法によ
り、側鎖に感光基を有する末端ヒドロキシフエニ
ルラダーポリシロキサンであることを確認した。
これらのシリコーン化合物の分子量を第2表に示
す。 実施例 1〜10 第3表に示す配合比となるように側鎖に感光基
を有する末端ヒドロキシフエニルラダーポリシロ
キサンおよび光増感剤を調合し、トルエン85gに
溶解して溶液を調製した。この溶液の粘度は比較
的低粘度で20cP以下であつた。この溶液をアル
ミニウム板上にスピンナーを用いて回転数
2000rpmで均一に回転塗布し、60℃30分間乾燥さ
せたのち、所定のマスクを通して超高圧水銀灯
(500W)を用い、30cmはなして第3表に示す時間
照射した。照射後第3表に示す現象液に60〜120
秒間浸漬し、未露光部を洗い流し、パターンを形
成させた。 えられたパターンの状態を観察したのち、つぎ
に試料を150℃で60分間、さらに400℃で30分間熱
処理してパターンのぼやけおよび基板との密着性
を評価し、さらにえられた硬化物の熱重量測定を
行なつた。また耐熱性感光材料(溶剤を含む)の
室温暗室下、3カ月後の保存安定性を評価した。
その結果を第3表に併記する。 なお、上記評価は以下の方法により求めた。 熱重量測定は、熱天秤を用い、窒素雰囲気下、
昇温速度10℃/分の条件で行なつた。 また熱処理後のパターンのぼやけは走査型電子
顕微鏡の観察により判定し、ぼやけがないばあい
を良とし、熱処理後のパターンと基板との密着性
は被膜にナイフを用いて1mm角の傷を碁盤目状に
つけ、スコツチテープを用いてピーリングにより
判定し、はがれないばあいを良とし、また保存安
定性は保存後実施例と同様の方法によりパターン
ニング性を判定し、製造直後と差のないばあいを
良としてそれぞれ判定した。
やパツシベーシヨン層には、酸化ケイ素、窒化ケ
イ素などの無機材料をCVD法などによつて形成
されたものが、使用されている。しかしこれらの
ものはピンホールが生じやすく、また平滑性に劣
るため層を厚くする必要があるが層を厚くすると
内部応力が発生するため、半導体の信頼性が低く
なる。 そこで無機材料と比較して残留応力が小さく、
平滑性が良好で、しかも純度が高いなどの点で優
れた高分子材料を回転塗布して固体素子の絶縁層
やパツシベーシヨン層として使用する技術が開発
され、一部の半導体素子の製造に実用化されてき
ているが、該高分子材料はダイボンデイングなど
の作業工程上では450℃以上の耐熱性を有するも
のを使用する必要があり、通常耐熱性に優れたポ
リイミド樹脂やオルガノラダーポリシロキサンな
どの熱硬化性樹脂の開発が検討されている。 [発明が解決しようとする問題点] 上記のようなポリイミド樹脂やオルガノラダー
ポリシロキサンなどの熱硬化性樹脂を固体素子の
絶縁層やパツシベーシヨン層として使用するばあ
いには、上下の導体層の通風部や外部リード線と
の接続のためのスルーホール孔などの微細加工を
ほどこす工程が必要であるが、一般にこれらの工
程はフオトレジストをマスクとして用いた熱硬化
性樹脂のエツチング処理により行なわれる。しか
し上記工程における熱硬化性樹脂のパターン化に
は、特公昭51−44871号公報、特開昭56−125855
号公報、同56−125856号公報あるいは同56−
125857号公報に記載されているようにフオトレジ
ストの塗布や剥離などの工程が必要であり、プロ
セス自体が非常に煩雑である。 そこで本発明は前記プロセスの簡略化をはかる
ために直接光で微細加工可能な感光性耐熱材料を
提供するためになされたものである。 [問題点を解決するための手段] 本発明は側鎖に一般式(I): (式中、Xは水素原子、メチル基、エチル基ま
たはフエニル基、mは0〜4の整数を示す)で表
わされる感光基を1分子中に少なくとも2個以上
含有する末端ヒドロキシフエニルラダーポリシロ
キサンと光増感剤とからなる感光性耐熱材料に関
する。 [実施例] 本発明において、末端ヒドロキシフエニルラダ
ーポリシロキサンは側鎖に一般式(I): (式中、Xは水素原子、メチル基、エチル基ま
たはフエニル基、mは0〜4の整数を示す)で表
わされる感光基を1分子中に少なくとも2個以上
含有するものが用いられる。 前記一般式(I)で表わされる感光基中のXは
感光させたばあい、光重合性にすぐれている水素
原子、メチル基、エチル基またはフエニル基など
を用いる。また、mは5以上の整数であるばあい
耐熱性がわるくなるので好ましくない。 前記末端ヒドロキシフエニルラダーポリシロキ
サンは、前記感光基が1個のみ含まれるばあい、
光硬化性がわるくなるので2個以上含まれるもの
を用いる。 また前記感光基は前記末端ヒドロキシフエニル
ラダーポリシロキサンに含まれるフエニル基1モ
ルに対して0.1モル以上含まれるのが感度の点か
ら好ましい。 前記末端ヒドロキシフエニルラダーポリシロキ
サンは、たとえばフエニル基を有するトリクロロ
シランと一般式(): (式中、Xは水素原子、メチル基、エチル基ま
たはフエニル基、mは0〜4の整数を示す)で表
わされる化合物とを共加水分解し、さらに脱水縮
合触媒として水酸化カリウム、カルボジイミド
類、クロロギ酸エステル類などを必要に応じて添
加することにより、任意の分子量のものをうるこ
とができる。 本発明に用いられる光増感剤は前記感光性末端
ヒドロキシオルガノラダーポリシロキサンに対し
て0.01〜20重量%添加して用いられるが、0.01重
量%未満のばあい感度が低く、また20重量%をこ
えると耐熱性に劣るので好ましくない。 前記光増感剤の具体例としてベンゾインとその
誘導体、ベンゾインメチルエーテルなどのベンゾ
インエーテル類、ベンジルとその誘導体、ベンゾ
フエノンとその誘導体、アントラキノンとその誘
導体、アセトフエノンとその誘導体などがあげら
れるが、これらのみに限定されるものではない。
また、これらの光増感剤は単独で用いてもよく、
2種以上混合して用いてもよい。 該感光性耐熱材料は有機溶剤に溶解して用いら
れが、有機溶媒としてはトルエン、キシレン、ベ
ンゼンなどの芳香族炭化水素、メチルエチルケト
ン、アセトンなどのケトン系、テトラヒドロフラ
ン、ジエチルエーテル、イソプロピルエーテルな
どのエーテル系、さらにはエチルセルソルブ、N
−メチルピロリドンなどを用いることができる。 上記のようにしてえられた感光性耐熱材料をガ
ラス板またはシリコンウエハー上などにスピンナ
ーを用いた回転塗布法などにより塗布し、50〜90
℃でプレキユアしたのち所定のパターンを有する
マスクを通して光または放射線を照射し、ついで
メチルエチルケトンなどのケトン系溶剤、トルエ
ンなどの芳香族炭化水素系溶剤、あるいはテトラ
ヒドロフランなどのエーテル系溶剤などで現象す
ることにより、未露光部が洗い流された端面がシ
ヤープなレリーフパターンがえられる。えられた
レリーフパターンをさらに200〜400℃で熱処理す
ると耐熱性、耐薬品性、電気的性質あるいは基板
との密着性などにすぐれた良好なパターンを有す
る硬化物がえられる。 また、上記えられた感光性耐熱材料は、半導体
の層間絶縁層やパツシベーシヨン層、さらにはバ
ツフアコート層、磁気ヘツドの絶縁層として有用
であるばかりではなく、プリント回路の半田レジ
スト、高耐熱性のフオトレジスト、リフトオフ材
料などにも適用することができる。 つぎに本発明の感光性耐熱材料を実施例にもと
づいて詳細に説明するが、本発明はかかる実施例
のみに限定されるものではない。 参考例 1 フエニルトリクロロシラン(C6H5SiC3)
105.8g(0.50モル)およびビニルトリクロロシ
ラン(CH2=CH−SiC3)8.1g(0.050モル)
をジエチルエーテル200mlに溶解させた溶液を攪
拌機および温度計を取付け、氷浴で冷却された2
の4つの口フラスコ内のイオン交換水1000mlの
中に攪拌しながら温度を10℃以下に保持して約3
時間かけて徐々に滴下して加水分解を行なつた。
そののち液温を室温にもどし、さらに30分間攪拌
し、加水分解反応を完結させた。 えられた2層に分離した反応液からエーテル層
を分取して、イオン交換水で中性になるまで数回
水洗した。該中間体は低分子量のため、適当な沈
殿剤がないので減圧下で溶剤を留去して、白色粉
末として回収した。 えられた白色粉末を赤外分光法で分析したとこ
ろ、3400cm-1にSi−OHの吸収ピークが、さらに
ジヤーナル・オブ・ポリマー・サイエンス(1963
年刊)C−1巻、83頁に記載されているようなSi
−O−Siの逆対称伸縮振動に帰属する吸収ピーク
が1135cm-1と1045cm-1に、またビニル基にもとづ
く吸収ピークが1270cm-1に観測された。 これらの結果からえられた白色粉末が側鎖にビ
ニル基を有する末端ヒドロキシフエニルラダー型
シロキサンであることを確認した。 また該粉末は溶融温度が約90℃で、分子量が約
1500のものであつた。 参考例 2〜5 第1表に示す配合比で参考例1と同じ方法で中
間体を作製した。えられた中間体は、赤外分光法
によつて側鎖に感光基を有する末端ヒドロキシフ
エニルラダー型シロキサンであることを確認し
た。 えられた中間体はいずれも約90℃で溶融し、分
子量は約1500であつた。 参考例 6 還流冷却器、攪拌機、温度計を取付けた4つ口
フラスコに参考例1でえられた中間体10gとキシ
レン30mlを入れて溶解し、クロロギ酸エチル4g
を加え、その均一層を約130℃で3時間反応させ
た。反応終了後溶液を冷却し、10倍体積量のメタ
ノール中に注いで白色沈殿をえた。えられた白色
沈殿はアスピレーター、ついでロータリーポンプ
を用いて減圧乾燥し、収量を測定したところ約9
gであつた。 えられた白色粉末を赤外分光法で分析したとこ
ろ、3400cm-1にSi−OHの吸収ピークが、またSi
−O−Siの逆対称伸縮振動に帰属する吸収ピーク
が1135cm-1と1045cm-1に、またCH2=CH−にも
とづく吸収ピークが1270cm-1に観測された。参考
例1でえられた白色粉末に比較して3400cm-1の吸
収ピークの相対的強度は減少し、1135cm-1と1045
cm-1の二つの吸収ピークのくびれは深くなつた
が、1270cm-1の吸収ピークの変化は認められなか
つた。これらの結果により、えられた白色粉末が
側鎖にビニル基を有する末端ヒドロキシフエニル
ラダーポリシロキサンであることを確認した。 また該ポリマーの分子量は約150000であつた。 参考例 7〜10 第2表に示すシリコーン化合物を用いて参考例
6の方法にしたがつて高分子量のシリコーン化合
物を製造した。これらの化合物は赤外分光法によ
り、側鎖に感光基を有する末端ヒドロキシフエニ
ルラダーポリシロキサンであることを確認した。
これらのシリコーン化合物の分子量を第2表に示
す。 実施例 1〜10 第3表に示す配合比となるように側鎖に感光基
を有する末端ヒドロキシフエニルラダーポリシロ
キサンおよび光増感剤を調合し、トルエン85gに
溶解して溶液を調製した。この溶液の粘度は比較
的低粘度で20cP以下であつた。この溶液をアル
ミニウム板上にスピンナーを用いて回転数
2000rpmで均一に回転塗布し、60℃30分間乾燥さ
せたのち、所定のマスクを通して超高圧水銀灯
(500W)を用い、30cmはなして第3表に示す時間
照射した。照射後第3表に示す現象液に60〜120
秒間浸漬し、未露光部を洗い流し、パターンを形
成させた。 えられたパターンの状態を観察したのち、つぎ
に試料を150℃で60分間、さらに400℃で30分間熱
処理してパターンのぼやけおよび基板との密着性
を評価し、さらにえられた硬化物の熱重量測定を
行なつた。また耐熱性感光材料(溶剤を含む)の
室温暗室下、3カ月後の保存安定性を評価した。
その結果を第3表に併記する。 なお、上記評価は以下の方法により求めた。 熱重量測定は、熱天秤を用い、窒素雰囲気下、
昇温速度10℃/分の条件で行なつた。 また熱処理後のパターンのぼやけは走査型電子
顕微鏡の観察により判定し、ぼやけがないばあい
を良とし、熱処理後のパターンと基板との密着性
は被膜にナイフを用いて1mm角の傷を碁盤目状に
つけ、スコツチテープを用いてピーリングにより
判定し、はがれないばあいを良とし、また保存安
定性は保存後実施例と同様の方法によりパターン
ニング性を判定し、製造直後と差のないばあいを
良としてそれぞれ判定した。
【表】
【表】
比較例 1
耐熱性高分子材料であるポリイミドに感光性を
付与した感光性耐熱材料を以下のようにして製造
した。 温度計、攪拌機、窒素導入管、塩化カルシウム
管を配置した100mlの4つ口フラスコに4,4′−
ジアミノジフエニルエーテル2g(0.01モル)と
乾燥したN−メチル−2−ピロリドン(以下、
NMPと略す)15gを入れてよく混合した。つぎ
にこの溶液に3,3′,4,4′−ベンゾフエノンテ
トラカルボン酸二無水物の3.22g(0.01gモル)
を一度に添加し、25℃で4時間攪拌することによ
りポリアミド酸溶液をえた。 えられたポリアミド酸溶液に2−(アジリジニ
ル)エチルメタクリレート3.1g(0.02モル)を
添加し、30℃で4時間反応させた。つぎに2,6
−ビス(P−アジドベンザル)−4−メチルシク
ロヘキサノン0.74g(0.02モル)を添加して感光
性耐熱材料を作製した。 この感光性耐熱材料を実施例1〜10と同様にし
てアルミニウム板上にスピンナーを用いて均一に
塗布し、乾燥させたのち、所定のマスクを通して
紫外線を5秒間照射し、つぎにNMPに60秒間浸
漬して未露光部分を洗い流し、レリーフパターン
を形成させた。えられたレリーフパターンを実施
例1〜10と同じ条件で処理したのち、該レリーフ
パターンのぼやけおよび基板との密着性を評価し
たがレリーフパターンのぼやけおよび基板との密
着性はいずれも不良であつた。 また紫外線硬化物の熱分解開始温度は400℃で
あつた。
付与した感光性耐熱材料を以下のようにして製造
した。 温度計、攪拌機、窒素導入管、塩化カルシウム
管を配置した100mlの4つ口フラスコに4,4′−
ジアミノジフエニルエーテル2g(0.01モル)と
乾燥したN−メチル−2−ピロリドン(以下、
NMPと略す)15gを入れてよく混合した。つぎ
にこの溶液に3,3′,4,4′−ベンゾフエノンテ
トラカルボン酸二無水物の3.22g(0.01gモル)
を一度に添加し、25℃で4時間攪拌することによ
りポリアミド酸溶液をえた。 えられたポリアミド酸溶液に2−(アジリジニ
ル)エチルメタクリレート3.1g(0.02モル)を
添加し、30℃で4時間反応させた。つぎに2,6
−ビス(P−アジドベンザル)−4−メチルシク
ロヘキサノン0.74g(0.02モル)を添加して感光
性耐熱材料を作製した。 この感光性耐熱材料を実施例1〜10と同様にし
てアルミニウム板上にスピンナーを用いて均一に
塗布し、乾燥させたのち、所定のマスクを通して
紫外線を5秒間照射し、つぎにNMPに60秒間浸
漬して未露光部分を洗い流し、レリーフパターン
を形成させた。えられたレリーフパターンを実施
例1〜10と同じ条件で処理したのち、該レリーフ
パターンのぼやけおよび基板との密着性を評価し
たがレリーフパターンのぼやけおよび基板との密
着性はいずれも不良であつた。 また紫外線硬化物の熱分解開始温度は400℃で
あつた。
【表】
[発明の効果]
上記のように本発明の感光性耐熱材料を用いる
と直接光で固体素子の絶縁層や、パツシベーシヨ
ン層のスルーホール孔などを微細加工することが
できるので半導体製造プロセスを簡略化しうると
いう効果を奏する。
と直接光で固体素子の絶縁層や、パツシベーシヨ
ン層のスルーホール孔などを微細加工することが
できるので半導体製造プロセスを簡略化しうると
いう効果を奏する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 側鎖に一般式(I): (式中、Xは水素原子、メチル基、エチル基ま
たはフエニル基、mは0〜4の整数を示す)で表
わされる感光基を1分子中に少なくとも2個以上
含有する末端ヒドロキシフエニルラダーポリシロ
キサンと光増感剤とからなる感光性耐熱材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12191885A JPS61279852A (ja) | 1985-06-05 | 1985-06-05 | 感光性耐熱材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12191885A JPS61279852A (ja) | 1985-06-05 | 1985-06-05 | 感光性耐熱材料 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61279852A JPS61279852A (ja) | 1986-12-10 |
JPH0456975B2 true JPH0456975B2 (ja) | 1992-09-10 |
Family
ID=14823132
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12191885A Granted JPS61279852A (ja) | 1985-06-05 | 1985-06-05 | 感光性耐熱材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61279852A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2606321B2 (ja) * | 1988-10-06 | 1997-04-30 | 富士通株式会社 | 感光性耐熱樹脂組成物と半導体装置の製造方法 |
JPH10319597A (ja) * | 1997-05-23 | 1998-12-04 | Mitsubishi Electric Corp | 感光性シリコーンラダー系樹脂組成物、この樹脂組成物にパターンを転写するパターン転写方法および上記樹脂組成物を用いた半導体装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5869217A (ja) * | 1981-10-22 | 1983-04-25 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 感光性シリコ−ン樹脂組成物 |
JPS5893240A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-02 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1985
- 1985-06-05 JP JP12191885A patent/JPS61279852A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5869217A (ja) * | 1981-10-22 | 1983-04-25 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 感光性シリコ−ン樹脂組成物 |
JPS5893240A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-02 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS61279852A (ja) | 1986-12-10 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |