JPS5869217A - 感光性シリコ−ン樹脂組成物 - Google Patents
感光性シリコ−ン樹脂組成物Info
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- JPS5869217A JPS5869217A JP56169178A JP16917881A JPS5869217A JP S5869217 A JPS5869217 A JP S5869217A JP 56169178 A JP56169178 A JP 56169178A JP 16917881 A JP16917881 A JP 16917881A JP S5869217 A JPS5869217 A JP S5869217A
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- Japan
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- silicone resin
- photosensitive
- group
- resin composition
- soluble
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は感光性シリコ−へ樹脂組成物に関する４のであ
る。さらに詳しくは本発明はアルケニル基を有するシリ
コーン樹脂に感光性架橋剤及び／又は光増感剤を添加し
てなる半導体素子の表面安定化又は配線構造体（集積回
路）の階間絶縁化などのための絶縁材料として好適なシ
リコーン樹脂組成物に関するものである。
る。さらに詳しくは本発明はアルケニル基を有するシリ
コーン樹脂に感光性架橋剤及び／又は光増感剤を添加し
てなる半導体素子の表面安定化又は配線構造体（集積回
路）の階間絶縁化などのための絶縁材料として好適なシ
リコーン樹脂組成物に関するものである。
従来、半導体素子の表面安定化用又は配線術。
遺体の層間絶縁化用絶縁材料として二酸化シリコン、窒
化シリコン、アルミナ、リンガラス゛などの無機質絶縁
材料及びポリアミド樹脂などの有機絶縁材料が使用され
てきた。しかしこれら従来′の絶縁材料を使用して、半
導体素子の表面又は配線構造体内で電極をＪ１２９出す
ためのスルーホールなどを設けるには、ホトリソグラフ
ィーの手法によるエツチングが必要であった。
化シリコン、アルミナ、リンガラス゛などの無機質絶縁
材料及びポリアミド樹脂などの有機絶縁材料が使用され
てきた。しかしこれら従来′の絶縁材料を使用して、半
導体素子の表面又は配線構造体内で電極をＪ１２９出す
ためのスルーホールなどを設けるには、ホトリソグラフ
ィーの手法によるエツチングが必要であった。
すなわち上記絶縁材料によって薄膜状絶縁層を形成した
のちにホトレジストを塗布し、パターンマスクを通して
露光し、現像することによってパターニングし、ついで
絶縁層をエツチングすることによって絶縁層を必要とし
ない個所、いいかえればスルーホー・ルとなる個所の絶
縁層を除去するという繁雑な工程が必要であった。
のちにホトレジストを塗布し、パターンマスクを通して
露光し、現像することによってパターニングし、ついで
絶縁層をエツチングすることによって絶縁層を必要とし
ない個所、いいかえればスルーホー・ルとなる個所の絶
縁層を除去するという繁雑な工程が必要であった。
本発明者らはこのような絶縁層形成のための繁雑な工程
を改善すべく種々検討した結果、アルケニル基を有する
シリコーン樹脂に感光性架橋剤及び／又は光増感剤を添
加した組成物を用いることによって繁雑な工程を簡略化
できる仁とを見出し本発明を達成した。
を改善すべく種々検討した結果、アルケニル基を有する
シリコーン樹脂に感光性架橋剤及び／又は光増感剤を添
加した組成物を用いることによって繁雑な工程を簡略化
できる仁とを見出し本発明を達成した。
すなわち本発明は溶媒に可溶なアルケニル基を有するシ
リコーン樹脂に感光性架橋剤及び／又は光増感剤を添加
してなる感光性シリコーン樹脂組成物を提供するもので
ある。
リコーン樹脂に感光性架橋剤及び／又は光増感剤を添加
してなる感光性シリコーン樹脂組成物を提供するもので
ある。
本発明の感光性シリコーン樹脂組成物は、絶縁性、耐湿
性及び耐熱性が優れ、また基板との密着性もよく、かつ
光又は電子線を照射することによって架橋反応を起し、
現儂液である有機溶剤に不溶となるために、前記した従
来の絶縁材料のように絶縁層のエツチング操作が不要と
なる◇すなわち本発明の感光性シリコーン樹脂組成物自
体にパターンマスクを通して光又は電子線を照射し現像
すること少よって、絶縁層中に電極を取り出すためのス
ルーホールなどを設けることができる。
性及び耐熱性が優れ、また基板との密着性もよく、かつ
光又は電子線を照射することによって架橋反応を起し、
現儂液である有機溶剤に不溶となるために、前記した従
来の絶縁材料のように絶縁層のエツチング操作が不要と
なる◇すなわち本発明の感光性シリコーン樹脂組成物自
体にパターンマスクを通して光又は電子線を照射し現像
すること少よって、絶縁層中に電極を取り出すためのス
ルーホールなどを設けることができる。
本発明において使用する溶媒に可溶なアルクニル基を有
するシリコーン樹脂（以下単にシリコーン樹脂と記す）
のアルケニル基としては、ビニル基、プロペニル基、チ
リル基、（メタ）アクロキシアルキル基などを挙けるこ
とがヤきる。これらのシリコーン樹脂の具体例としては
、側鎖にアルケニル基を鳴する直鎮状ポリシロキサ７
［Ｊ、 Ａｍｅｒ、Ｃｈｅｍ、 ８ｏｃ、、 ７７巻、
１６８５頁（１９５５年） Ｅ ％ ラダー状ビニル
ポリシルセスキオキサン［Ｉｎｄ、 Ｅｎｇ、、−Ｃｂ
ｅｍ、、 ４５巻、３６７頁（１９５３年）〕％側鎖に
ビニル基又は（メタ）アクリロキシアルキル基を有する
ラダー状オルガノポリシルセスキオキサン〔第２９回＾
分子学会年次大金子講集、２９巻、１号、７３頁（１９
８０’年）〕、並びに本発明者らが見出した＠鎖に低級
アルキル基、アルケニル基及び必要に応じてさらにアリ
ール基が結合しているラダー状オルガノポリシルセスキ
オキサン〔本出願人による昭和５６年１０月３日付特許
出願９名称：オルガノポリシルセスキオキサン及びその
製造方法〕などを挙げることができる。
するシリコーン樹脂（以下単にシリコーン樹脂と記す）
のアルケニル基としては、ビニル基、プロペニル基、チ
リル基、（メタ）アクロキシアルキル基などを挙けるこ
とがヤきる。これらのシリコーン樹脂の具体例としては
、側鎖にアルケニル基を鳴する直鎮状ポリシロキサ７
［Ｊ、 Ａｍｅｒ、Ｃｈｅｍ、 ８ｏｃ、、 ７７巻、
１６８５頁（１９５５年） Ｅ ％ ラダー状ビニル
ポリシルセスキオキサン［Ｉｎｄ、 Ｅｎｇ、、−Ｃｂ
ｅｍ、、 ４５巻、３６７頁（１９５３年）〕％側鎖に
ビニル基又は（メタ）アクリロキシアルキル基を有する
ラダー状オルガノポリシルセスキオキサン〔第２９回＾
分子学会年次大金子講集、２９巻、１号、７３頁（１９
８０’年）〕、並びに本発明者らが見出した＠鎖に低級
アルキル基、アルケニル基及び必要に応じてさらにアリ
ール基が結合しているラダー状オルガノポリシルセスキ
オキサン〔本出願人による昭和５６年１０月３日付特許
出願９名称：オルガノポリシルセスキオキサン及びその
製造方法〕などを挙げることができる。
゛ 好ましいシリコーン樹脂は、耐熱性の面から側鎖に
アルケニル基を有するラダー状のオルガ＼ ノボリシルセスキオキサンであり１％にアルケニル基と
してはビニル基が好ましい。蚊も好ましいシリコーン樹
脂は１４！ｌ鎖に低級アルキル基、アルケニル基及び必
要に応じてさらにアリール基が結合しているラダー状オ
ルガノポリシルセスキオキサン（以下このものを単にポ
リシルセスキオキサンと記す）である。
アルケニル基を有するラダー状のオルガ＼ ノボリシルセスキオキサンであり１％にアルケニル基と
してはビニル基が好ましい。蚊も好ましいシリコーン樹
脂は１４！ｌ鎖に低級アルキル基、アルケニル基及び必
要に応じてさらにアリール基が結合しているラダー状オ
ルガノポリシルセスキオキサン（以下このものを単にポ
リシルセスキオキサンと記す）である。
次にポリシルセスキオキサンについて説明する。
ポリシルセスキオキサンの側鎖に結合する低級アルキル
基としては、メチル基、エチル基、プロピル基などを、
＠鎖に結合するアルクニル基としては前記のようにビニ
ル基、プロペニル基、アリル基などを挙けることができ
る。また必要に応じて１Ｉｌｌ＠に結合させるアリール
基としてはフェニル基、トリル基などを挙けることがで
きる。好ましい低級アルキル基及びアリール基並びに必
要に応じて結合させるアルケニル基としてはメチル基、
フェニル基及びビニル基を挙げることができ、この場合
は特に優れた耐熱性を有するポリシルセスキオキサンと
なシ、かつ合成が比較的容易である。
基としては、メチル基、エチル基、プロピル基などを、
＠鎖に結合するアルクニル基としては前記のようにビニ
ル基、プロペニル基、アリル基などを挙けることができ
る。また必要に応じて１Ｉｌｌ＠に結合させるアリール
基としてはフェニル基、トリル基などを挙けることがで
きる。好ましい低級アルキル基及びアリール基並びに必
要に応じて結合させるアルケニル基としてはメチル基、
フェニル基及びビニル基を挙げることができ、この場合
は特に優れた耐熱性を有するポリシルセスキオキサンと
なシ、かつ合成が比較的容易である。
またポリシルセスキオキサンにおいて、―鎖に結合する
低級アルキル基及びアルケニル基並びに必要に応じて結
合させるアリール基の割合は、全側鎖１００に対してそ
れぞれ５０〜９９゜１〜５０及びθ〜４９が好ましく、
特に７０〜９９．１〜３０及びθ〜２９が好ましい。低
級アルキル基が全側鎖１００に対して５０以上の割合で
存在することによシ、さらに熱耐性の優れたポリシルセ
スキオキサンとなり、またアルケニル基が全側鎖１００
に対して１以上の割合で存在することにより特に優れ九
感度を有する感光性シリコーン樹脂組成物を得ることが
できる。
低級アルキル基及びアルケニル基並びに必要に応じて結
合させるアリール基の割合は、全側鎖１００に対してそ
れぞれ５０〜９９゜１〜５０及びθ〜４９が好ましく、
特に７０〜９９．１〜３０及びθ〜２９が好ましい。低
級アルキル基が全側鎖１００に対して５０以上の割合で
存在することによシ、さらに熱耐性の優れたポリシルセ
スキオキサンとなり、またアルケニル基が全側鎖１００
に対して１以上の割合で存在することにより特に優れ九
感度を有する感光性シリコーン樹脂組成物を得ることが
できる。
このポリシルセスキオキサンは、低級アルキルトリハロ
ゲノシラン、アルケニルトリハロゲノシラン及び必要に
応じてさらにアリールトリハロゲノシランを溶媒に溶解
し、この溶液に水を添加して加水分解したのち、該加水
分解物を縮合字せる方法によって製造することができる
。
ゲノシラン、アルケニルトリハロゲノシラン及び必要に
応じてさらにアリールトリハロゲノシランを溶媒に溶解
し、この溶液に水を添加して加水分解したのち、該加水
分解物を縮合字せる方法によって製造することができる
。
上記低級アリールトリハロゲノシランとしては、例えば
メチルトリクロロシラン、エチルトリクロロシラン、プ
ロピルトリクロロシラン、メチルトリフ゛ロモシランな
どを用いることができ、アルケニルトリハロゲノシラン
としては。
メチルトリクロロシラン、エチルトリクロロシラン、プ
ロピルトリクロロシラン、メチルトリフ゛ロモシランな
どを用いることができ、アルケニルトリハロゲノシラン
としては。
ビニルトリクロロシラン、プロペニルトリクロロシラン
、アリルトリクロロシラン、ビニルトリブロモジ２７な
どを用いることができ、上記アリールトリハロゲノシラ
ンとしては、フェニルトリクロロシラン、トリルトリク
ロロシラン、フェニルトリブロモシランなどを用いるこ
とができる。
、アリルトリクロロシラン、ビニルトリブロモジ２７な
どを用いることができ、上記アリールトリハロゲノシラ
ンとしては、フェニルトリクロロシラン、トリルトリク
ロロシラン、フェニルトリブロモシランなどを用いるこ
とができる。
低級アルキルトリハロゲノシラン、アルケニルトリハロ
ゲノシラン及び必要に応じて使用する了り−ルトリハロ
ゲノシランの使用量は、目的とするポリシルセスキオキ
サンの憫鎖に結合する低級アルキル基及びアルケニル基
並びに必要に応じて結合させるアリール基の割合により
適宜決めることができるが、好ましくは低級アルキルト
リハロゲノシラン５０〜９９モル％、特に７０〜９９モ
ル％、アルクニルトリハロゲノ７ラン１〜５０モル％、
特に１〜３０モル％及びアリールトリ／・ロケ２フ２フ
０〜４９ ノシ〉ンを使用することにより合成が容易になる場合が
ある。
ゲノシラン及び必要に応じて使用する了り−ルトリハロ
ゲノシランの使用量は、目的とするポリシルセスキオキ
サンの憫鎖に結合する低級アルキル基及びアルケニル基
並びに必要に応じて結合させるアリール基の割合により
適宜決めることができるが、好ましくは低級アルキルト
リハロゲノシラン５０〜９９モル％、特に７０〜９９モ
ル％、アルクニルトリハロゲノ７ラン１〜５０モル％、
特に１〜３０モル％及びアリールトリ／・ロケ２フ２フ
０〜４９ ノシ〉ンを使用することにより合成が容易になる場合が
ある。
また溶媒としては、例えばメチルエチルケトン、ジエチ
ルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン；エチ
レングリコールジメチルエーテル、ジノルマルプロピル
エーテル、ジオキサン、ジエチレングリコールジメチル
エーテルなどのエーテル；ヘプタン、オクタンなどの脂
肪族炭化水素；トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水
素；ｌ，２−ジクロロエタン、１，１．２− ） Ｑク
ロロエタン、１．３−ジクロロプロパン、クロルベンゼ
ンなどのハロゲン化炭化７［；ｎ−プロピルアルコール
、ｎ−ブチルアルコール、イソブチルアルコールなどの
アルコール；エチルプロピオネート、エチルイソブチレ
ート、イノブチルアセテートなどのエステルなどを用い
ることができるが、目的とするポリシルセスキオキサン
の合成が容易である点から，ケトン及び／又はエーテル
を４０モル％以上、特に６０モル舛以上含有する溶媒が
好ましい◇ 溶媒の使用量は低級アルキルトリハロゲノシラン、アル
ケニルトリハロゲノシラン及び必要に応じて使用するア
リールトリハロゲノシラン（以下これらのシランをシラ
ン類と記す）の合計ｌ容量部に対して４〜２０容量部程
度が好ましい。
ルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン；エチ
レングリコールジメチルエーテル、ジノルマルプロピル
エーテル、ジオキサン、ジエチレングリコールジメチル
エーテルなどのエーテル；ヘプタン、オクタンなどの脂
肪族炭化水素；トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水
素；ｌ，２−ジクロロエタン、１，１．２− ） Ｑク
ロロエタン、１．３−ジクロロプロパン、クロルベンゼ
ンなどのハロゲン化炭化７［；ｎ−プロピルアルコール
、ｎ−ブチルアルコール、イソブチルアルコールなどの
アルコール；エチルプロピオネート、エチルイソブチレ
ート、イノブチルアセテートなどのエステルなどを用い
ることができるが、目的とするポリシルセスキオキサン
の合成が容易である点から，ケトン及び／又はエーテル
を４０モル％以上、特に６０モル舛以上含有する溶媒が
好ましい◇ 溶媒の使用量は低級アルキルトリハロゲノシラン、アル
ケニルトリハロゲノシラン及び必要に応じて使用するア
リールトリハロゲノシラン（以下これらのシランをシラ
ン類と記す）の合計ｌ容量部に対して４〜２０容量部程
度が好ましい。
加水分解反応は，シラン類を溶解した溶液に水を添加す
ることにより行なう。この場合、反応の制御を容易にす
るために、溶液を例えば１０〜５０Ｃに冷却し、攪拌下
に水を徐々に添加する方法が好ましい。また加水分解に
使用する水の量は、シラン類の合計１モルに対シて３〜
３０モル程度が好ましい。
ることにより行なう。この場合、反応の制御を容易にす
るために、溶液を例えば１０〜５０Ｃに冷却し、攪拌下
に水を徐々に添加する方法が好ましい。また加水分解に
使用する水の量は、シラン類の合計１モルに対シて３〜
３０モル程度が好ましい。
加水分解終了後、反応混合液を油浴なとで加熱して縮合
反応を行なう。加熱温度は通常１３０Ｃ以下であるが、
７０〜ｌｌ０ｃで１時間〜６＃＃ｆ間程度加熱するのが
好ましい。なお縮合反応中は。
反応を行なう。加熱温度は通常１３０Ｃ以下であるが、
７０〜ｌｌ０ｃで１時間〜６＃＃ｆ間程度加熱するのが
好ましい。なお縮合反応中は。
反応混合液を攪拌してもよく、単に反応混合液を還流す
るｔまにしておいてもよい。
るｔまにしておいてもよい。
ま九シ２ン類を〃ｌ水分解し、さらに動台させる際にア
ミンを共存させると、７ラン類の濃度の高いところで吃
スムーズに反応が進行して尚分子量のポリシルセスキオ
キサンが得られる。
ミンを共存させると、７ラン類の濃度の高いところで吃
スムーズに反応が進行して尚分子量のポリシルセスキオ
キサンが得られる。
アミンとしては１級〜３級までの槙々のアミン、例えば
トリエチルアミン、トリノルマルプロピルアミン、トリ
インプロピルアミン、ジエチルアミン、エチルアミン、
ピリジン、エチレンジアミンなどを挙けることができる
。アミンを使用する場合の使用量は、通常シラン類の合
計１モルに対して３モル以下であシ、好ましくは０．３
〜２モル程度である。アミンを使用する場合、７ラン類
の＃液に水を滴下していくと次第にアミンの塩酸塩の白
い沈澱が生成してくる。
トリエチルアミン、トリノルマルプロピルアミン、トリ
インプロピルアミン、ジエチルアミン、エチルアミン、
ピリジン、エチレンジアミンなどを挙けることができる
。アミンを使用する場合の使用量は、通常シラン類の合
計１モルに対して３モル以下であシ、好ましくは０．３
〜２モル程度である。アミンを使用する場合、７ラン類
の＃液に水を滴下していくと次第にアミンの塩酸塩の白
い沈澱が生成してくる。
なおも水を滴下していくと、その白い沈鹸は溶解する。
水ｌ下終了後はアミンを加えない場合と同じように反応
混合液を加熱し縮合反応を行う・ 縮合反応終了後は、アミンを使用した場合も使用しない
場合も有機溶媒層を分離し、この有機静媒層を水で洗浄
する。洗浄後の水が中性になるまで洗浄したのち、必要
に応じて無水硫酸カルシウム、モレキュラーシーブスな
どの乾燥剤で有機浴媒層を乾燥し濃縮乾固する方法、あ
るいは適当な濃度に濃縮しｆｃ液を得られたオルガノポ
リシルセスキオキサンを溶解しない溶剤、例えばアセト
ニトリルなどに注ぐ方法などによって目的とするポリシ
ルセスキオキサンを得る。
混合液を加熱し縮合反応を行う・ 縮合反応終了後は、アミンを使用した場合も使用しない
場合も有機溶媒層を分離し、この有機静媒層を水で洗浄
する。洗浄後の水が中性になるまで洗浄したのち、必要
に応じて無水硫酸カルシウム、モレキュラーシーブスな
どの乾燥剤で有機浴媒層を乾燥し濃縮乾固する方法、あ
るいは適当な濃度に濃縮しｆｃ液を得られたオルガノポ
リシルセスキオキサンを溶解しない溶剤、例えばアセト
ニトリルなどに注ぐ方法などによって目的とするポリシ
ルセスキオキサンを得る。
このようにして得られるポリシルセスキオキサンのポリ
スチレン換算数平均分子量は通常３，０００〜２００，
０００程度で、長時間１例えば２〜３ケ月間保存してお
いても、不溶化することが無く保存安定性の良いもので
ある。
スチレン換算数平均分子量は通常３，０００〜２００，
０００程度で、長時間１例えば２〜３ケ月間保存してお
いても、不溶化することが無く保存安定性の良いもので
ある。
本発明に使用する感光性架橋剤は有機溶剤に可溶のもの
であれば特に限定するものではなく、例えば４，４′−
ジアジドスチルベン、ｐ−フェニレンビスアジド、４．
４’−ジアジドベンゾフェノン、４．４’−ジアジドフ
ェニルメタン、４．４′−ジアジドカルコン、２，６−
ビス（４′−アジドベンザル）４−メチルシクロヘキサ
ノン、４．４′−ジアジドフェニル、４．４’−ジアジ
ド−３、３’−ジメチルジフェニル、２，７−ジアジド
カルコンなどのアジド系感光性物質を挙げることができ
る。
であれば特に限定するものではなく、例えば４，４′−
ジアジドスチルベン、ｐ−フェニレンビスアジド、４．
４’−ジアジドベンゾフェノン、４．４’−ジアジドフ
ェニルメタン、４．４′−ジアジドカルコン、２，６−
ビス（４′−アジドベンザル）４−メチルシクロヘキサ
ノン、４．４′−ジアジドフェニル、４．４’−ジアジ
ド−３、３’−ジメチルジフェニル、２，７−ジアジド
カルコンなどのアジド系感光性物質を挙げることができ
る。
また、本発明に使用する光増感剤も有機溶剤に可溶のも
のであシ、例えばベンゾフェノン、アントラキノン、ｌ
、２−ナフトキノン、１．４−す７トキノン、β−メチ
ルアントラキノン、ベンズアントロン、ビオラントロン
、９−アントラアルデヒド、ベンジル、ｐ、ｐ’−ジメ
チルアミノベンゾフェノン、ｐ、ｐ’−ブトラメチルジ
アミノベンゾフェノン、クロラニルなどのカルボニル化
合物、アントラセン、クリセンなどの芳香族炭化水素、
ニトロベンゼン、ｐ−ジニトロベンゼン、α−ニトロナ
フタレン、ｐ−ニトロジフェニル、２−ニトロフルオレ
ン、５−ニトロアセナフテンなどのニトロ化合物、ニト
ロアニリン、２−１０ルー４−ニトロアニリン、２．６
−ジクロル−４−ニトロアニリン、５−二トロー２−ア
ミントルエン、テトラシアノエチレンナトの窒素化合物
、ジフェニルジスＡ／フィトなどのイオウ化合物などが
あけられる。
のであシ、例えばベンゾフェノン、アントラキノン、ｌ
、２−ナフトキノン、１．４−す７トキノン、β−メチ
ルアントラキノン、ベンズアントロン、ビオラントロン
、９−アントラアルデヒド、ベンジル、ｐ、ｐ’−ジメ
チルアミノベンゾフェノン、ｐ、ｐ’−ブトラメチルジ
アミノベンゾフェノン、クロラニルなどのカルボニル化
合物、アントラセン、クリセンなどの芳香族炭化水素、
ニトロベンゼン、ｐ−ジニトロベンゼン、α−ニトロナ
フタレン、ｐ−ニトロジフェニル、２−ニトロフルオレ
ン、５−ニトロアセナフテンなどのニトロ化合物、ニト
ロアニリン、２−１０ルー４−ニトロアニリン、２．６
−ジクロル−４−ニトロアニリン、５−二トロー２−ア
ミントルエン、テトラシアノエチレンナトの窒素化合物
、ジフェニルジスＡ／フィトなどのイオウ化合物などが
あけられる。
感光性架橋剤及び／又は光増感剤の添加量は特に限定す
るものではないが、通常シリコーン樹脂１００重量部に
対して０．１〜１０重量Ｓ、好ましくは０．１〜５重量
部添加する。０．１重量部未満の場合は感光性シリコー
ン樹脂組成物の光又は電子縁に対する感度が不十分であ
ｊＤ、１０重量部を越えると感光性シリコーン樹脂組成
物の耐熱性が低下する傾向がある。
るものではないが、通常シリコーン樹脂１００重量部に
対して０．１〜１０重量Ｓ、好ましくは０．１〜５重量
部添加する。０．１重量部未満の場合は感光性シリコー
ン樹脂組成物の光又は電子縁に対する感度が不十分であ
ｊＤ、１０重量部を越えると感光性シリコーン樹脂組成
物の耐熱性が低下する傾向がある。
また本発明の感光性シリコーン樹脂組成物に保存安定剤
、着色剤などを添加することも有効である。
、着色剤などを添加することも有効である。
本発明の感光性シリコーン樹脂組成物の使用方法は特に
限定するものでＦｉ表いが、通常シリコーン樹脂と感光
性架橋剤及び／又は光増感剤とを有機溶剤に浴解し、絶
縁すべき個所と電極を取り出すべき個所との全面にスピ
ンナー塗布などの方法によシ塗布する。乾燥後、パター
ンマスクを通して光又は電子縁を照射する筒先操作によ
って光又ｒｉ電子線の照射部のシリコーン樹脂は架橋反
応を起′し現像液である有機溶剤に不溶となシ、現像す
ることによって塗布面に架橋したシリコーン樹脂を残す
ことができる。また、光又は電子−の未照射部は現像に
よって塗布面から除去される。塗布面に残った架橋シリ
コーン樹脂は、商い体積固有抵抗、為い絶縁破壊値、高
い耐アーク性をもち、かつ誘電率および誘電正接の低い
すぐれた絶縁層と碌る。
限定するものでＦｉ表いが、通常シリコーン樹脂と感光
性架橋剤及び／又は光増感剤とを有機溶剤に浴解し、絶
縁すべき個所と電極を取り出すべき個所との全面にスピ
ンナー塗布などの方法によシ塗布する。乾燥後、パター
ンマスクを通して光又は電子縁を照射する筒先操作によ
って光又ｒｉ電子線の照射部のシリコーン樹脂は架橋反
応を起′し現像液である有機溶剤に不溶となシ、現像す
ることによって塗布面に架橋したシリコーン樹脂を残す
ことができる。また、光又は電子−の未照射部は現像に
よって塗布面から除去される。塗布面に残った架橋シリ
コーン樹脂は、商い体積固有抵抗、為い絶縁破壊値、高
い耐アーク性をもち、かつ誘電率および誘電正接の低い
すぐれた絶縁層と碌る。
本発明の感光性シリコーン樹脂組成物は、絶縁層の接着
性及び物理的性質を向上させるために現偉後に熱処理す
ることが好ましい。特に２５０〜４５０Ｃで熱処理する
ことによって、絶縁層の誘電正接の周波数依存性をより
小さくすることができる。
性及び物理的性質を向上させるために現偉後に熱処理す
ることが好ましい。特に２５０〜４５０Ｃで熱処理する
ことによって、絶縁層の誘電正接の周波数依存性をより
小さくすることができる。
このように本発明の感光性シリコーン樹脂組成物は、従
来の半導体素子の表面安定化用または配線構造体の層間
絶縁化用絶縁材料に比べ繁雑な工程を必要とすることな
くすぐれた絶縁層を形成することができる。また得られ
た絶縁層は耐熱性に優れたものであシ、例えはポリシル
セスキオキサンを使用して得られた絶縁層Ｆｉ窒素下に
おいて５５０〜６００Ｃまで重量減少がほとんど認めら
れない。
来の半導体素子の表面安定化用または配線構造体の層間
絶縁化用絶縁材料に比べ繁雑な工程を必要とすることな
くすぐれた絶縁層を形成することができる。また得られ
た絶縁層は耐熱性に優れたものであシ、例えはポリシル
セスキオキサンを使用して得られた絶縁層Ｆｉ窒素下に
おいて５５０〜６００Ｃまで重量減少がほとんど認めら
れない。
以下本発明を実施例によって説明する。
なお、下記の実施例における分子量は、ゲルｌｔａクロ
マトグラム（ＧＰ Ｃ）によって求め九標準ポリスチレ
ン（米国プレッシャーケミカル社ａｍ準ポリスチレン）
換算数平均分子量であ＃）％測定条件は以下の如くであ
る０ 装置：米国ウオーターズ社製高温高速ゲル浸透りロマト
ダラム（モデル１５０−ＣＡＬＣ／ＧＰＣ） 力２ム：昭和電工（株） ［５ＨＯＤＥＸ Ａ−８Ｍ長
さ５０国 測定温度：４０Ｃ 流速＝１０Ｃ／分 １１に＝テトラヒドロフラン 濃ｆ：シリコーン樹脂（口０／テトラヒドロフラン（１
００１１７） 実施例１゜ この実施例で用いたポリシルセスキオキサンは、下記の
ようにして祷られた。
マトグラム（ＧＰ Ｃ）によって求め九標準ポリスチレ
ン（米国プレッシャーケミカル社ａｍ準ポリスチレン）
換算数平均分子量であ＃）％測定条件は以下の如くであ
る０ 装置：米国ウオーターズ社製高温高速ゲル浸透りロマト
ダラム（モデル１５０−ＣＡＬＣ／ＧＰＣ） 力２ム：昭和電工（株） ［５ＨＯＤＥＸ Ａ−８Ｍ長
さ５０国 測定温度：４０Ｃ 流速＝１０Ｃ／分 １１に＝テトラヒドロフラン 濃ｆ：シリコーン樹脂（口０／テトラヒドロフラン（１
００１１７） 実施例１゜ この実施例で用いたポリシルセスキオキサンは、下記の
ようにして祷られた。
還流冷却管、滴下ロート、攪袢棒を備えた５００１の三
ツロフラスコにトリエチルアミン（１４、ｍ、Ｑ、１モ
ル）、メチルイソブチルケトン（１７０ゴ％ １．３６
モル） 、ＣＨ３８ｉＣノ、（ＩｇｃＪ、０．１５１モ
ル）、Ｃ，Ｈ，ＳｉＣノ３（１，３ｍ、 ｏ、ｏｏｓモ
ル）及びＯＨ，＝ ＣＨ３１Ｃノｓ（５，２ｍｌ、 ０
．０４１モル）を加える。フラスコを氷冷し、攪拌しな
がら水（４０１４％ ２−２２モル）をゆつくシ滴下す
る。このときの溶液温度は１５〜３０Ｃであった。水の
滴下終了後、油浴を用いて油浴温度１００Ｃで反応溶液
を４時間加熱する。加熱終了後、反応溶液を冷却し、有
機溶媒層を分離したのち、有機溶媒層を洗浄水が中性に
なるまで水洗を繰り返す。有機溶媒層を無水硫酸カルシ
ウムで乾燥後、乾燥剤を除去する。さらに有機溶媒層を
濃縮乾固し、更に真空乾燥を行い、目的とするポリシル
セスキオキサン１４ｇを得友。 分子量は＋）ｌＪ、Ｉ
ｊ＋１ＩＪ−（７ａ）り７Ｃ０またこのポリシルセスキ
オキサンの核磁気共鳴スペクトルを測定した結果、δ＝
０．０５ （−重線）、δ＝６．０７（−重ＩＩＩＩ
り及びδ＝ ７．２０〜８．００（多重耐）にそれぞれ
メチル基、ビニル基及びフェニル基の吸収が観測された
。これらの＠収を積分することによりポリシルセスキオ
キサンの側鎖の有機基の割合を求めた結果、メチル基７
６、ビニル基２０及びフェニル基４の割合であった。
ツロフラスコにトリエチルアミン（１４、ｍ、Ｑ、１モ
ル）、メチルイソブチルケトン（１７０ゴ％ １．３６
モル） 、ＣＨ３８ｉＣノ、（ＩｇｃＪ、０．１５１モ
ル）、Ｃ，Ｈ，ＳｉＣノ３（１，３ｍ、 ｏ、ｏｏｓモ
ル）及びＯＨ，＝ ＣＨ３１Ｃノｓ（５，２ｍｌ、 ０
．０４１モル）を加える。フラスコを氷冷し、攪拌しな
がら水（４０１４％ ２−２２モル）をゆつくシ滴下す
る。このときの溶液温度は１５〜３０Ｃであった。水の
滴下終了後、油浴を用いて油浴温度１００Ｃで反応溶液
を４時間加熱する。加熱終了後、反応溶液を冷却し、有
機溶媒層を分離したのち、有機溶媒層を洗浄水が中性に
なるまで水洗を繰り返す。有機溶媒層を無水硫酸カルシ
ウムで乾燥後、乾燥剤を除去する。さらに有機溶媒層を
濃縮乾固し、更に真空乾燥を行い、目的とするポリシル
セスキオキサン１４ｇを得友。 分子量は＋）ｌＪ、Ｉ
ｊ＋１ＩＪ−（７ａ）り７Ｃ０またこのポリシルセスキ
オキサンの核磁気共鳴スペクトルを測定した結果、δ＝
０．０５ （−重線）、δ＝６．０７（−重ＩＩＩＩ
り及びδ＝ ７．２０〜８．００（多重耐）にそれぞれ
メチル基、ビニル基及びフェニル基の吸収が観測された
。これらの＠収を積分することによりポリシルセスキオ
キサンの側鎖の有機基の割合を求めた結果、メチル基７
６、ビニル基２０及びフェニル基４の割合であった。
次いでこうして得られたポリシルセスキオキサン（１５
９）を酢酸ノルマルブチルに溶解させ、２０重量％＃ｌ
液とし、さらにこれに２．６−ビス（４′−アシドヘン
ザル）−４−メチルシクロヘキサノン（０，１５９）加
えて感光性シリコーン樹脂組成物の溶液を調製した。こ
の溶液を２インチシリコンウェハ上に、＋００Ｏ１９ｍ
でスピン塗布後。
９）を酢酸ノルマルブチルに溶解させ、２０重量％＃ｌ
液とし、さらにこれに２．６−ビス（４′−アシドヘン
ザル）−４−メチルシクロヘキサノン（０，１５９）加
えて感光性シリコーン樹脂組成物の溶液を調製した。こ
の溶液を２インチシリコンウェハ上に、＋００Ｏ１９ｍ
でスピン塗布後。
８０Ｃ’で１５分間加熱して溶媒を除去し、感光性シリ
コーン樹脂組成物の薄膜（膜厚的１μｍ）を形成した。
コーン樹脂組成物の薄膜（膜厚的１μｍ）を形成した。
１１光徐（ミカサＣ株）製；超＾圧水１１＊Ｊ、出力４
３Ｗ／ｌ−” ） ｋ用いノ１ターンを逸して６秒間露
光し九のち、シリコンウニ／Ｓをエチレンクリコールモ
ノエチルエーテル中に１分間浸漬することによシ現像を
行ったところ、５μ禦の鮮明なパターンが得られた。
３Ｗ／ｌ−” ） ｋ用いノ１ターンを逸して６秒間露
光し九のち、シリコンウニ／Ｓをエチレンクリコールモ
ノエチルエーテル中に１分間浸漬することによシ現像を
行ったところ、５μ禦の鮮明なパターンが得られた。
また、感光性シリコーン樹脂組成物の溶液からキャスト
法によ）組成物の皮膜を得、この皮膜を１００ｒで１時
間加熱して溶媒を除去したのち、２５０Ｃ２時間、３５
０Ｃ１時間、最後に４５０Ｃ３０分間窒素気流下で遂次
加熱することにより硬化させる。こうして得られた硬化
皮膜を窒素気流下熱重量分析したところ、６００Ｃ迄減
量は観測されず、更に８００Ｃ迄加熱焼成したのちの重
量残存率は９５％であった。
法によ）組成物の皮膜を得、この皮膜を１００ｒで１時
間加熱して溶媒を除去したのち、２５０Ｃ２時間、３５
０Ｃ１時間、最後に４５０Ｃ３０分間窒素気流下で遂次
加熱することにより硬化させる。こうして得られた硬化
皮膜を窒素気流下熱重量分析したところ、６００Ｃ迄減
量は観測されず、更に８００Ｃ迄加熱焼成したのちの重
量残存率は９５％であった。
実施例２゜
実施例１と同様にトリエチルアミン１５．７１１４（０
，１１３毛ル）、（シ）ｉ、８ｉＣノｓ ２４１１Ｊ
（０，２０１モル）。
，１１３毛ル）、（シ）ｉ、８ｉＣノｓ ２４１１Ｊ
（０，２０１モル）。
ＣＨ，−ＣＨ３１ＣＩ、 ２．２ ＷＬｔ（０，０１７
モル）、メチルイソブチルケトン１８３ａｊ （１，４
，６モル）、水４１，７ｓｌ（２，３２モル）からポリ
フルセスキオキサン１３９を得友。分子量は４０，００
０であった。また側鎖の有機基の割合は実施例１と同様
に測定し九結果、メチル基９３及びビニル基７の割合で
あった。
モル）、メチルイソブチルケトン１８３ａｊ （１，４
，６モル）、水４１，７ｓｌ（２，３２モル）からポリ
フルセスキオキサン１３９を得友。分子量は４０，００
０であった。また側鎖の有機基の割合は実施例１と同様
に測定し九結果、メチル基９３及びビニル基７の割合で
あった。
次いで実施例１と同様に得られ九ポリシルセスキオキサ
ン（５ｇ）を用い溶液調製、スピン塗布、露光、現像を
行ったところ５．０μ鋼の鮮明なパターンが得られた。
ン（５ｇ）を用い溶液調製、スピン塗布、露光、現像を
行ったところ５．０μ鋼の鮮明なパターンが得られた。
窒素気流下で遂次加熱した硬化皮膜は６００Ｃ迄減量が
ｌｌ１１１側されず、８００Ｃでの重量残存率は９６％
であった。
ｌｌ１１１側されず、８００Ｃでの重量残存率は９６％
であった。
Claims (1)
- 溶媒に可溶なアルケニル基を有するシリコーン樹脂に感
光性架橋剤及び／又は光増感剤を添加してなる感光性シ
リコーン樹脂組成物。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56169178A JPS5869217A (ja) | 1981-10-22 | 1981-10-22 | 感光性シリコ−ン樹脂組成物 |
| EP82305223A EP0076656B1 (en) | 1981-10-03 | 1982-09-30 | Solvent-soluble organopolysilsesquioxanes, processes for producing the same, and compositions and semiconductor devices using the same |
| DE8282305223T DE3278567D1 (en) | 1981-10-03 | 1982-09-30 | Solvent-soluble organopolysilsesquioxanes, processes for producing the same, and compositions and semiconductor devices using the same |
| US06/779,617 US4626556A (en) | 1981-10-03 | 1985-09-25 | Solvent-soluble organopolysilsesquioxane, process for producing the same, and semi-conductor using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56169178A JPS5869217A (ja) | 1981-10-22 | 1981-10-22 | 感光性シリコ−ン樹脂組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5869217A true JPS5869217A (ja) | 1983-04-25 |
| JPH054421B2 JPH054421B2 (ja) | 1993-01-20 |
Family
ID=15881686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56169178A Granted JPS5869217A (ja) | 1981-10-03 | 1981-10-22 | 感光性シリコ−ン樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5869217A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61111330A (ja) * | 1984-10-30 | 1986-05-29 | ゼネラル・エレクトリツク・カンパニイ | アクリル官能性シリコーン樹脂組成物 |
| JPS61279852A (ja) * | 1985-06-05 | 1986-12-10 | Mitsubishi Electric Corp | 感光性耐熱材料 |
| US6787289B2 (en) | 2001-12-21 | 2004-09-07 | Jsr Corporation | Radiation sensitive refractive index changing composition and refractive index changing method |
| US7108954B2 (en) | 2000-12-11 | 2006-09-19 | Jsr Corporation | Radiation-sensitive composition changing in refractive index and method of changing refractive index |
| US7205085B2 (en) | 2001-08-01 | 2007-04-17 | Jsr Corporation | Composition having permitivity being radiation-sensitively changeable and method for forming permitivity pattern |
Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4953410A (ja) * | 1972-09-22 | 1974-05-24 | ||
| JPS5158418A (ja) * | 1974-11-20 | 1976-05-21 | Toray Industries | Setsukokokatai |
| JPS5386897A (en) * | 1976-12-29 | 1978-07-31 | Toray Industries | Water repellent fiber or structure and production of glue solution used in production of said articles |
| JPS5417015A (en) * | 1977-07-06 | 1979-02-08 | Nec Corp | Radiation sensitive composite |
| JPS5469197A (en) * | 1977-11-15 | 1979-06-02 | Toshiba Silicone | Polyorganosiloxane composition containing azide group |
| JPS54162787A (en) * | 1978-06-12 | 1979-12-24 | Union Carbide Corp | Radiationncurable silicone release composition |
| JPS55112262A (en) * | 1979-02-23 | 1980-08-29 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Photosetting organopolysiloxane compostion |
| JPS55120619A (en) * | 1979-03-12 | 1980-09-17 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Photosetting organopolysiloxane composition |
| JPS5643352A (en) * | 1979-09-17 | 1981-04-22 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Photocurable organopolysiloxane composition |
| JPS578248A (en) * | 1980-06-19 | 1982-01-16 | Toray Ind Inc | Production of photosensitive resin |
| JPS5849717A (ja) * | 1981-09-18 | 1983-03-24 | Hitachi Ltd | 光又は放射線硬化性ポリオルガノシロキサン組成物 |
| JPS5893240A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-02 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1981
- 1981-10-22 JP JP56169178A patent/JPS5869217A/ja active Granted
Patent Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4953410A (ja) * | 1972-09-22 | 1974-05-24 | ||
| JPS5158418A (ja) * | 1974-11-20 | 1976-05-21 | Toray Industries | Setsukokokatai |
| JPS5386897A (en) * | 1976-12-29 | 1978-07-31 | Toray Industries | Water repellent fiber or structure and production of glue solution used in production of said articles |
| JPS5417015A (en) * | 1977-07-06 | 1979-02-08 | Nec Corp | Radiation sensitive composite |
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|---|---|---|---|---|
| JPS61111330A (ja) * | 1984-10-30 | 1986-05-29 | ゼネラル・エレクトリツク・カンパニイ | アクリル官能性シリコーン樹脂組成物 |
| JPH058946B2 (ja) * | 1984-10-30 | 1993-02-03 | Gen Electric | |
| JPS61279852A (ja) * | 1985-06-05 | 1986-12-10 | Mitsubishi Electric Corp | 感光性耐熱材料 |
| JPH0456975B2 (ja) * | 1985-06-05 | 1992-09-10 | Mitsubishi Electric Corp | |
| US7108954B2 (en) | 2000-12-11 | 2006-09-19 | Jsr Corporation | Radiation-sensitive composition changing in refractive index and method of changing refractive index |
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| US6787289B2 (en) | 2001-12-21 | 2004-09-07 | Jsr Corporation | Radiation sensitive refractive index changing composition and refractive index changing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH054421B2 (ja) | 1993-01-20 |
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