JPS5893240A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ものである。

一般に半導体装泗においては、その半導体草根に形成さ
れた回路素子をその電極を除いて絶縁性（２） 保護賽により撫うことが必要と？ｊる敲ｊ・合力多く、
壕六象私化の向上に伴って採用てれる多層配線構造Ｃ半
導体装置においてね、同朴に少なくとも上部１１１層に
接続される電極計を除いたｍ１分を絶縁層によって覆っ
てこの絶縁層重に上部配線〃．・を形成することにより
、下部断り＃層とＣノ絶糾″を達成して不要な部分にお
ける接続を禁止する必要がある〇このような目的のため
に、半導Ｖ基板の回路素子の配列得に応じて例えばｔ！
極を取シｌ：Ｈすための窓部（コンタクトホール）が形
成さねた、即ちバターニングされ大絶糾層が観けられる
。

而して従来においては、斯かる絶縁層の材質としては、
二酪化シリコン、窒化シリコン、アルミナ、リンガラス
などの蕪機シｆＩ！縁材料又はボリアミド樹脂などの有
機絶縁拐料が使用されてきた。

し、かしこれら従来の絶紛拐料を使用するψ合において
６、当診絶糾層にコンタクトホールを形ｇするためにわ
、ホトリソグラフィーの手法によるエツチングを行なう
ことが必要とされる。

即ち上記絶縁材料によって薄ｐ状の絶縁層を形（３） 成した会にホトレジスト膜を塗布形成し、こねにパター
ンマスクを通して露光を行なった俵、現像する（とによ
ってホトレジスト膜ヲバターニングし１次いでホトレジ
スト膜のパターンに従って絶ｉｔをエツチングすること
によってコンタクトホールとなる僻所の結紐層部分を除
去し、その徒ホトレジス）ｌｌｊｔ？を除去するという
繁雑な工程が必！である。

本発明は、以上のような事情に基き絶縁層Ｃ形成につい
て和々検討した結果なされたものであって、その目的は
極めて簡略な工程によって形成、することのできるパタ
ーニングされた絶縁層を有する半導体装置を提供するこ
とにある。

本発明の仙４の目的は、極めて簡単に多層配線構造の半
導体装置を製造することのできる方決を提供するにある
。

本発明装置の特級とするところは、パターニングされた
絶縁層を有して成シ、前□ｌ配絶ｗ層は、溶媒に可溶な
アルケニル基を有する光硬化性シリコーン樹脂組成物が
硬化された亀のである漬にある。

特開Ｂ８５８−９３２４［１（２） 本発明方決の特徴とするところは、パターニング畑ｔ′
１六絶糾Ｒを設けるべき半導体装置材料の１、′面に、
溶媒に可溶ηアルケニル基を冶する光硬化性シリコーン
樹脂組成物の層を形成する第１工稈と、前記光硬化性シ
リコーン樹脂組成物の層の一計に光若しくけ電子線を照
射してその照射部分を砂什せしめた俵非照射部を除去す
る第２の工程とを含む点にある。

以下本発明の詳細な説明する。

本発明においては、その化学ｗＩ造中にアルケニル基を
有するシリコーン樹脂であって溶媒に可溶なものより戚
る光硬化性シリコーン樹脂組級物を硬化せしめた物質に
よシ、パターニングさ１に絶１１を設けて半導体装曾を
構成ゼしめる。

このような半導体装置は、パターニングされた絶縁層を
Ｖけるべき半導体装置材料、例えば第１図に示すように
、作シ込まれた回路素子を有する基板１の表面に、その
全面に亘って、後辻するように溶媒に可溶であってその
化学構造中にアルケニル基を有するシリコーン樹脂より
成る光硬化性（５） シリコーン樹脂組成物ｃ以下単に［光硬化性組成物Ｊと
いう。）Ｃ・層（以下「感光層」という。）２を、例え
ば当該組成物の溶液をスピンナー塗布法等により塗布乾
燥せしめることによシ形成しくＷ１工程）、′Ｐｊ１７
′−テ第２１！ｌ示１ようにパターンマスク３を用いて
光又は電子ＩｉＩを照射し一１記警光ｉｆ　２　（１＃
去１べき部分（例えに゛コンタクトホールを形成すべき
部分）２Ａ以外の部分２Ｂに照射してこの部′分２Ｂを
硬化せしめた後、前記光硬化性組成物が回路な溶媒によ
り第３図に示すように未硬化の部分２Ａ１に溶解除去せ
しめ（第２工稈）、以って残存し六砂化部分２Ｂより成
るパターニングされた絶Ｍ一層を形成、する。

以上の過稈において、光又は電子線を感光層２に照射す
ることによシ、前記光硬化性組成物けそのシリコーンｔ
ｋｊ　ＩＮＦ’のアルケニル＊ｔ；反Ｒして架橋硬化し
、この結果溶媒に４溶ηものとなシ、従って溶媒によっ
ては除去されずｒ（そのま１残存することとなる。

本発１１ｉにおいて用いらする光？ｉ！ｆ［−性絹成、
物・は、（６） 溶媒に可溶なアルケニル基をイ１す２．シリコーン症脂
よシ醗るものであ２が、そ１自杯が光硬什餡であわば、
即ち光ＸＬ＜は電子線の照射によって架橋り伊るもＣ゛
であｔば、そのｆオ光般什粗糺砂物として用い得る回合
［性がある。［〃シ実用干は、斯かるシリコーン症脂に
朦光性架橋剤入ひ光埠感剤の少なくとも一方を加えて敢
る光硬化性組成物を用いること力・好ましく、こねによ
って確実に残存せしめるべき部分を硬化して残存せしめ
ることができる。

本発明に使用する光硬化性組成８物における溶媒に可溶
なアルケニル基を有するシリコーンＩ＋　脂ｃ以下単に
「シリコーン樹脂」と記す。）の有すルヘキアルケニル
基とし、ては、ビニル基、プロペニル基、アリル基、ア
クリロキシアルキル基、メタアクリロキシアルキル基な
どを挙げることができる。

ｎＩＩ記シリコーン樹脂の・具体例としては、側鎖とし
てト述の如きアルケニル基を有する重鎮状ポリシロキサ
ン〔ジャーナル　オプ　アメリカン　ヶミ（７） カル　ソサイエテイ　（Ｊ、　Ａｍ＊ｒ、　Ｃｈｅｗ、
　Ｓｅｅ、　）第７７巻第１６８５頁（１９５５年）〕
、ラター状ヒニルボリシルセスキオキサン〔インテック
ス　オブエンジ＝７’）＞グ　ケミストリー（Ｔｎｄ、
　Ｆｎｇ、　Ｃｈｅｍ、　）第４５巻第３６７頁（１９
５３年）〕、側鎖としてビニル基又はアクリロキシアル
キル基若しくけメタアクリロキシアルキル基を有するラ
ダー吠オルガノポリシル七スキオキサン〔第２９同高分
子学会年次大会予稿集第２９巻第１号轄７３頁（１９８
０年）〕、並びに本発明者らが見出した側鎖として低級
アルキル基、アルケニル基及びり娶に応じて更にアリー
ル基を有ブるラダー状オルガノホ゛リシルセスキオキサ
ン（特願昭５６−１５７８８５号明細１＆ｆ）などを挙
けることができる。好ましいシリコーン樹脂は、耐熱性
の点から側鎖としてアルケニル基を有するラダー状オル
ガノポリシルセスキオキサンであ勺、そのアルケニル基
はビニル基が好ましい。最も好ましいシリコーン樹脂は
、側鎖として低級アルキル基及びアルケニル基を有する
、或いは更にアリール基を有するラダー状オルガノ１！
を開口Ｈ５８−９３２４０（３） ホリシルセスキオキサンＣ以下このものを１特定ポリシ
ルセスキオキサン」とＦｔｏ）である。

次に特定ポリシルセスキオキサンについて詩明する。こ
の特定ポリシルセスキオキサンに１その（ｌＩｌｌ鎖と
して不するべき低級アルキル基が、メチル基、エチル基
、プロヒ”ル基などで凌）シ、アルケニル基力・前記の
ようにビニル基、プロペニル基、アリル基などであるも
のである。また側鎖としてアリール基を有するものの当
該アリール基としてはフェニル基、トリル遍などを挙け
ることができる。

そして好ましい特定ポリシルセスキオキサンとしては、
低級アルキル基がメチル基並びにアルケニル基がビニル
基、更にアリール基を有する場合のアリール基としては
フェニル基のものを挙げることができ、これは特に優れ
た耐熱性を有するポリシルセスキオキサンであってしか
も合成、が比較的容ｌである。　　　　九 １１ また特定ポリシルセスキオキサンにおいて、但■鎖とし
て有するべき低級アルキル基、アルケニル基及び側鎖と
して結合していてもよいアリール基（９） の割合は、全側鎖１０（ＩＫ対してそれぞれ５０〜９９
．１〜５０及び０〜４９であることが好着しく、特に７
０〜９９．１〜３０及び０〜２９であることが好ましい
。低級アルキル基が全側鎖１００に対して５０以上の割
合で存在する特定ポリシルセスキオキサンは、特にｉｔ
熱性の優ねたものであシ、またアルケニル基が全側鎖１
００に対して１以上の割合で存在するものＫよれば、特
に優れた光感度を看する光硬化性組成、物を得ることが
できる。これらの特定ポリシルセスキオキサンは、低級
アルキルトリハロゲノシラン、アルケニルトリハロゲノ
シラン及び必要に応じてさらにアへ−ルモリ八ロゲノシ
ランを反応溶媒に溶解し、この溶液に水を添加して加水
分解処理したのち、当該加水分解物を縮合させる方法に
よって製造することができる。

この方法について説明すると、前記低級アルキルトリハ
ロゲノシランとしては、例えばメチルトリクロロシラン
、エチルトリクロロシラン、プロピルトリクロロシラン
、メチルトリブロモシランなとを用いることかでき、ア
ルケニルトリハロゲ（１０） ノシランとしては、ビニルトリクロロシラン、プロペニ
ルトリクロロシラン、アリルトリクロロシラン、ビニル
トリブロモシランなどを用いることができ、上記アリー
ルトリハロゲノシランとしては、フェニルトリクロロシ
ラン、トリルトリクロロシラン、フェニルトリブロモシ
ランなどを用いることができる。そして低級アルキルト
リハロゲノシラン、アルケニルトリハロゲノシラン屑ひ
必要に応じて使用するアリールトリハロゲノシランの使
用量は、目的とする特定ポリシルセスキオキサンの側鎖
として導入すべき低級アルキル基及びアルケニル基並び
にアリール基の割合によシ、適宜状めることができるが
、好ましくけ低級アルキルトリハロゲノシラン５０〜９
９モル％、特に７０〜９９モル％、アルケニルモへ八ロ
ゲノシラン１〜５０モル％、特に１〜３０モル％及びア
リールモリ八へゲノシランＯ〜４９モル％、特ＫＯ〜２
９モル％である。なおアへ−ルモリ八ロゲノシランを使
用することによシ合敢が容易になる場合があるＯ （１１） ”ｒ　ｋ　ＯＬ　Ｎ［１反応洛蝉としてけ、例りげメチ
ルエチルウトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケ
トン斤どＣケトン；エザレングリコーノ［ジメチルエー
テル、ジノルマルプロピルエーテル、ジオキサン、ジエ
チレングリコールジメチルエーテルがどの・エーテル；
ヘプタン、オクタンなどの脂肪族炭（［ｔｆ；　トルボ
ン、キシレンなどの芳香族炭什水素；１，２−ジクロロ
エタン、１．Ｉ、２−トリクロロエタン、１，３−ジク
ロロプロパン、クロルベンゼン系どのハロゲンｆ（’Ｕ
ｌｆｌ’７ｋｌｔ　：　ｎ　−フロビルアルコール、ｎ
−ブチルアルコール、イソブチルアルコールηとのアル
コール；エチルプロピオネ−訃、エチルイソブチレート
、イソブチルアセテートηどのエステルηどを用いるこ
とができる力）、目的とする特定ポリシルセスキオキサ
ンの合成が容易である点からケトン及び／又はエーテル
を、４０モル％以上、特に６０モル％以上含有する溶媒
が好ましい。

斯力、・る反応溶媒の使用Ｖは、低級アルキルトリハロ
ケノシラン、アルケニルトリハロゲノシラン特開口３５
Ｂ−４１：（２４（１（４）汲ひ必要ニ応じて使用する
アリールトリハロケノシラン（ν下これらのシランを「
シランＩｔ’、　ＪとＰす。）の合計１箸がＭ５に対し
て４〜２０容１部稈度で乏・４ことか好噂しい。

加水分解反応は、シラン類を溶解しｆｒ溶液に水を添加
することにより行なうことができる。この場合において
、反応Ｃ制御を容易にするために、溶液を例えば温度１
０〜５０℃に冷却し、攪拌下に水を徐々に添加する方法
が好ましい。この加水分解法において使用する水の釦は
、シラン類の合計１モルに対して３〜３０モル程度であ
ることが好ましいが、粕に限定されるものではない。

加水分解反応伊、反応混合液を油浴などで加熱して縮合
反応を行なう。この加熱温度は通常１３０℃以下である
が、具体的には温度７０〜１１０℃で１〜６時間程度加
熱するのが好ましい。なお縮合反応中は、反応混、、合
液を攪拌してもよいし、単１１１ に反応混合液を還流せしめるのみとしてもよい。

またシラン類を加水分解し、さらに＆１合さゼ−る際に
アミンを共存させると、シラン類の濃度の高（１３） いＷ合においても円滑に反応が進行して高分子量の特定
ポリシルセスキオキサンが得られるので好ましい。ここ
にアミンとしては、１級〜３級までの柚々のアミン、飼
犬はトリエチルアミン、トリノルマルプロピルアミン、
トリイソプロピルアミン、ジエチルアミン、エチルアミ
ン、ピリジン、エチレンジアミンなどを挙げることがで
きる。そしてこの場合のアミンの使用館は、通常シラン
類の合計１モルに対して３モル以下であシ、好ましくは
０．３〜２モル程度である。

このようにアミンを使用する場合に、シラン類の溶液に
水を滴下して行くと次第にアミンの塩酪壌の白い沈澱が
手放してぐるが、なお水の滴下を継続すると、その白い
沈ｊｌｌｌ熔解する。水の滴下終了後にアミンを加え欧
い場合と同じように反応混合液を加熱し縮合反応を′行
えばよい。

縮合反応終・了後は、アミンを使用した場合も使用しな
い場合も有機溶媒相を分離し１この有機溶媒相を水で洗
浄する。洗浄後の水が中性になるまで洗浄したのち、必
要に応じて無氷硫酪カルシウ（１４ン ム、モレキュラーシーブスなどの乾燥剤で有機溶媒相を
乾燥し濃縮乾固する方法、或いＦｉ７当な濃度に濃縮し
た液を生成したオルガノポリシルセスキオキサンを溶解
しない溶剤、例えば了セトニトリルなどに注ぐ方法など
によって目的とする特定ポリシルセスキオキサンを得る
。このようにして得られる特定ポリシルセスキオキサン
は、そのポリスチレン換算γ゛平均分子量は通常３００
０〜２００、０００程度で、長時間、例えば２〜３ケ月
間保存しておいても不溶化することがなく保存安定性の
良いものである。

前Ｐ光硬化性組成物に添加される感光性架橋剤は有機溶
剤に可溶のものであれば特に限定されるものではなく例
えば４．４／−ジアジドスチルベン、ｐ−フェニレンビ
スアジド％４ｔ４’−ジアジドベンゾフェノン、４．４
’−ジアジドジフェニルメタン、４．４／−ジアジドカ
ルコン、２，６−ビス（４′−アジドベンザル）４−メ
チルシクロヘキサノン、４，４′−ジアジドジフェニル
、４．４／−ジアジド−３，３／−ジメチルジフェニル
、２．７−（１５ン ジアジドフルオレンなとのアジド糸感光性物質を挙げる
ことかできる。

また、光硬化性組成物に添加される光増感剤１も１機溶
剤に可溶のものであシ、例えばベンゾフェノン、アント
ラキノン、１，２−す７トキノン、１．４−ナフトキノ
ン、β−メチルアントラキノン、ベンズアントロン、ビ
オラントロン、９−アントラアルデヒド、ペンシル、Ｐ
＃Ｐ’−ジメチルアミノベンゾフェノン、Ｉ）ＩＰ’−
テトラメチルジアミノベンゾフェノン、クロラニルなど
のカルボニル化合物、アントラセン、クリセンなどの芳
香族炭化水素、ニトロベンゼン、ｐ−ジニトロベンゼン
、α−ニトロナフタレン、ｐ−ニトロジフェニル、２−
ニトロフルオレン、５−ニトロアセナフテンなどのニト
ロ仕合物、ニトロアニリン、２−クロル−４−ニトロア
ニリン、２．６−ジクロル−４−ニトロアニリン、５−
エトロー２−アミノトルエン、テトラシアノエチレンな
どの窒素化合物、ジフェニルジスルフィドなどのイオウ
化合物などが挙けられる。

特開昭５８−９３２４（＋（５） 前記感光性架橋剤及び／又は光増感剤の添加針は特に限
定するものではないが、通常シリコーン樹脂１００重１
部に対して０．１〜１０重滲部、好ましくけ０．１〜５
重量部である。０．１重量部未満の場合は光硬化性組成
物の光又は電子線に対する一度が不十分となシ、１０重
置部；を越えると光硬化性組成物の耐熱性が低下する傾
向がある。

また本発明に用いる光硬化性組成物には、保存安定剤、
着色剤などを添加することも有効である。

以上の光硬化性組成物による感光層２を形成するための
箪布液を作るための当該光硬化性組成物の溶媒としては
、これを溶解し得るものであって他に弊害を招かないも
のであれば任意の溶媒を用いることかできる。そして同
じ溶媒を、未硬化の感光層の部分を溶解するために用い
ることができる〃１、勿論同一の溶媒を用いることが必
須とされるものではない。　　・：１ 斯かる溶媒としては、例えばメチルエチルケトン、メチ
ルイソブチルケトン、ジェチルクトンなどのケトン；ジ
ノルマルブチルエーテル、エチル（１７） ングリコール七ノエチルエーテル、酢酸エチレングリコ
ールモノメチルエーテルナトのエーテル；ヘプタン、エ
チルベンゼン、トルエンなどの炭化水素；ｌ、２−ジク
ロロエタン、クロルベンゼン、クロロホルムなどのへロ
ゲン化炭化水素；アミルアルコール、エチルヘキシルア
ルコール、ヘキサノールなどのアルコール；酢酸ノルマ
ルブチル、フロヒオン酸エチル、吉草酸エチルなどのエ
ステル；その他を挙けることができる。

ＩＩＩ　１ｔｉｌｌ！のようにして得られるパターニン
グされた絶縁層紹、シリコーン樹脂を主体とするもので
あってしかも架橋構造を有するものであシ、体積固有抵
抗、絶縁破壊値、及び耐アーク性が大きくてしかも誘電
率及び誘電正接が低いすぐれた電気的性質を有する。

まだ、この絶縁層は耐熱性に優れたものであシ、例えば
特定ポリシルセスキオキサンより成る光硬化性組成物に
より得られた絶縁層は窒素ガス雰囲気下において温度５
５０〜６００１ＣＫ加熱しても殆ど重量減少は認めらね
ない〇 （１８） 更にこの絶縁層は、前記光硬化性組成物が溶液粘度の小
さいものであることなどのために優れた平坦性を有する
ものとなる〇 以上に加え、前記絶縁層は、後述する実験列からも明か
なようにポリイミド系樹脂膜に比して密着性に優れたも
のである。

以上のように、本発明に係るパターニングされた絶縁層
Ｆｉ電気的性質のみでなく、耐熱性、密着性、平坦性に
優れているため、本発明半導体装置においては良好力特
性が確実に発揮され、大きな耐久性が得られる。

また本発明方法によれば従来の絶縁材料を用いる方法に
比して繁雑な工程を必要とせずに所望のパターニングさ
れた絶縁層を有する半導体装置を容易に製造することが
でき、特に多層配ＩＩ！ｉ！構造における配線層間の絶
縁層、回路素子表面の絶縁保護層を有するものに特に好
適である。

なお本発明においては、前記絶縁層の接着性及び物理的
性質を向上させるために現像徒に熱処理することが好ま
しい。特に温度２５０〜４５０℃で熱（１９） 舛・理することによって絶縁層の誘電圧接の周波数依存
性をより小さくすることができる。

以下本発明の実加・例について説明する。

以下の実ｍ例におけるシリコーン樹脂の分子量は、ゲル
浸透クロマトダラム（ＧＰＣ）ｉによって求ｙ）た標準
ポリスチレン（米国プレッシャーケミカル社製標準ポリ
スチレン）挨幹数平均分子１であシ、測定条件は次の通
りである。

装　置：米国ウォーターズ社製高流高速ゲル浸透りロマ
トダラム（モテル１５０−ＣＭＡ）Ｃ）カラム：昭和電
工１株）製 ５ＨＯＤＥＸ　　Ａ　−８Ｍ　長さ５０ｃ１ｎ測定濡度
：　　４０℃ 流　　連　：　　Ｉ　　ｃｃ／分 溶媒：テトラヒドロフラン 濃　度：シリコーン樹脂１ｇ）／テトラヒドロフラン（
１００ｍｌ） 実施例１ この実施例で用いた特定ポリシルセスキオキサンは、下
記のように［て得られたものである。

特開昭５Ｌ９．１２４［１（６） 還流冷却管、滴下ロート及び攪拌棒を貝えた各１）５０
０ｍｔの三つロフラスコ内にトリエチルアミン（１４ｍ
１．０．１モル）、メチルイソブチルケトン（１７０ｍ
ｔ、　１．３６モル）、メチルトリクロロシラン（ＣＨ
３ＳｉＣｌ３　）　　（１８ｍｔ、　０．１５１モル）
、フェニルトリクロロシラ＞　（Ｃ６ＨＩＩＳ　ｒ　Ｃ
１ｓ　）　　（１−３ｍＺ　ｔ０００８モル）及びビニ
ルトリクロロシラン（ＣＨ２＝　ＣＨ３１Ｃｔ、　）　
　（５，２ｍｔ、　０．０４１モル）を加え、フラスコ
を氷冷し攪拌しなから水（４０重ｍＬ。

２．２２モル）をゆっくりと滴下した。このときの溶液
湿度は１５〜３０℃であった。水の滴下終了後、油浴を
用いて油浴温度１００℃で反応溶液を４時間加熱し、加
熱終了後、反応溶液を冷却し、有機溶媒相を分離した後
、有機溶媒相を洗浄水が中性になるまで水洗を繰り返し
た。この有機溶媒相を蕪水硫酸カルシウムで乾燥後、乾
燥剤を除去し１さらに有機溶媒相を濃・・′１ｍ乾固し
１、更に真空乾燥せしめ、目的とするホ゛リシルセスキ
オキサン１４ｇを得た。その分子量は５０．０００であ
った。

コ’＋して得られた、側鎖にメチル基、フェニル（２１
） 基及びビニル基を７６：４：２０の割合で鳴する特定ポ
リシルセスキオキサン５ｇｋ酢酸ノルマルブチルに溶解
きせて２０重に％溶液とし、さらにこれに２．６−ビス
（４′−アジドベンザル）−４−メチルシクロヘキサノ
ン０．１５ｇを加えて光硬化性組成物の溶液を調製した
。

第４図に示すように、作り込まれた回路素子を有りその
表面の所定Ｍ！分が露出されるようにＳｉｎ、等よシ成
る保護膜１２で被酸されている半導体基板１１を用意し
、回路素子側上に所定のパターンの約１μｍ厚のアルミ
ニウム配線層１３を形成し、次いで第５図に示すように
、露出表面全面に上１光硬化性組成物の溶液を、回転数
４００Ｏｒ、ｐ、ｍ・のスピン塗布法によシ塗布して温
度８０℃で１５分間加熱［て溶媒を除去し、膜厚的１μ
ｍの光硬化性組成物の′ｆｋ＃１４′を形成し１これに
出力４３Ｗ／ｍ’の超高圧水銀灯を具えた露光機（ミカ
サ（株）製ンを用いてパターンマスクをｉｌｌて６秒間
露光した後、半導体基板をエチレングリコールモノエチ
ルエーテル中に１分間浸漬することによ（２２） り未硬化の感光層の部分を溶解除去し、以って第６図に
示すようにコンタクトホール１５ｅ有するパターニング
された絶縁層１４を形成した。次いで窒素気流下におい
て、湿度２５０℃で２時間、更に温度３５０℃で１時間
運次加熱処理して薄膜を硬化させた。

以上と同様な工程をアルミニウム配線層の形成から縁り
返すことによシ、第７図に示すように第２の配線層１３
Ａ及び第２の絶縁！１４Ａを形成し、更に第８図に示す
ように、第３の配線層１３Ｂ及び第３の絶縁層１４Ｂを
形成して半導体装置を製造した。

実施例２ 実施例１と同様に、トリエチルアミン（１５，７ｍ／。

０．１１３モル）、メチルイソブチルケトン（１Ｂ３ｍ
。

１．４６モルン、メチルトリクロロシラン（２４−。

０．２０１モル）、ビニルトリクロロシラン（２，２ｄ
　。

０．０１７モル）及び水（４１，７ｍ、　２．３２モル
ンを用いて側鎖にメチル基及゛びビニル基を９３＝７の
割合で有する特定ポリシルセスキオキサン１３　ｇ　’
ｋ　Ｎ　ｆｃ　。

（２３） その分子鄭は４０，０００であった。

こうして得られた特定ポリシルセスキオキサン５ｇを用
い、実施例１と同様に光硬化性組成物の溶液り調製し、
次いで実施例】と同様に操作を行い、第８図に示すよう
にコンタクトホール１５を有するバターニングされた絶
縁層１４．１４Ａ　及び１４Ｂを有する半導体装置を製
造した。

実験例 この実験例は、本発明に係る絶縁層の密着性を調べるも
のである。

ＳｔＯ，皮膜を形成させた半導体基板及びアルミニウム
板を基板とし、各基板上に実施例１及び２の各々におい
て用いたものと同様の光硬化性組成物の溶液をスピン塗
布法により塗布して薄膜を形成し、温度１００℃で１時
間加熱して溶剤を除去した後、実施例と同じぼ先様を用
いて全面に６秒間露光七−しめ、温度２５０℃で２時間
；、３５０℃で１時間、次いで４５０℃で３０分間何れ
もＶ素気流下で逐次加熱することによシ硬化させｔ（。

こうして得られた薄膜によシ被覆された半導体基板及び
ア１８開昭！’ｉ８−！１３２４０（７）ルミニウム板
をオートクレーブ中の水に浸して湿度１１０℃に保った
油浴中で２時間加熱後、カミソリ刃によシ前記薄膜に１
ｕ間隔で縦横に切込みを形成して各々１１１ＩＩ四方の
正方形片１００片を作り、これに粘着セロハンテープを
貼着した徒引き剥したところ、半導体基板及びアルミニ
ウム板の何れの基板についても、正方形片は何れも基板
より剥脱されなかった。一方Ｎ−メチルー２−ピロリド
ンに溶解させたポリイミド系樹脂（日立化成社製ＰＩＱ
）をスピン塗布法によ１　ｓｔｏ、皮膜を形成させたシ
リコンウェハ上に薄膜状に塗布し、温度１００℃で１時
間加熱して溶剤を除失し、引き続いて薄膜を温度２００
℃で１時間、３５０℃で１時間何れも窒素気流下で硬化
させたのち、水中で同条件で処理したのち同様の剥脱試
験をしたところ全ての正方形片が剥脱された。

４図面の簡単な説明、′・。

第１図〜第３図は本発明半導体装置の製造方法について
工程順に示す説明用断面図、第４図〜第８図は本発明の
実施例を工程順に示す説明用断面（２５ン 図である０ １・・・基板 ２・・・光硬化性シリコーン樹脂組成物の層３・・・パ
ターンマスク　　１１・・・半導体基板１２・・・保護
膜 １３．１３Ａ、１３Ｂ・・・配線層 １４．１４Ａ、１４Ｂ・・・絶縁層 １５・・・コンタクトホール 第１図 第２図 条３図 年４図 第６肥 稟７図 ］３ 第８図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）バターニングさ１＋　ｆｔ−絶縁層を不（−て成り
   、前記絶縁Ｆｆ４は、溶媒に可溶なアルクニル基を冶す
   る光硬化性シリコーン樹脂組成物が硬化さまたものであ
   ることを特徴とする半導体装静。 ２）バターニングされた絶縁層を設けるべき半導体装置
   材料の表面に、溶媒に可溶なアルケニル基を有する光硬
   化性シリコーン樹脂組成物ｃ　１を形成する第１工程と
   、肖＋］ｔ’光硬化性シリコーン樹脂組穀物の層の一部
   に光若しくＶｉ電子線を照射してその照射部分を硬化せ
   しめた後非照射部を除去する第２の工稈とを含むことを
   特徴とする半導μ装置の製造方決。