JPH02222537A - シリコーンラダー系樹脂にパターンを転写する方法およびそれに用いるエッチング液 - Google Patents
シリコーンラダー系樹脂にパターンを転写する方法およびそれに用いるエッチング液Info
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- JPH02222537A JPH02222537A JP1044326A JP4432689A JPH02222537A JP H02222537 A JPH02222537 A JP H02222537A JP 1044326 A JP1044326 A JP 1044326A JP 4432689 A JP4432689 A JP 4432689A JP H02222537 A JPH02222537 A JP H02222537A
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims abstract description 69
- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims abstract description 69
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 title claims abstract description 53
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title abstract description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 8
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims abstract description 7
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 claims abstract description 6
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 claims abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000003849 aromatic solvent Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 6
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 5
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 abstract description 4
- CIUQDSCDWFSTQR-UHFFFAOYSA-N [C]1=CC=CC=C1 Chemical group [C]1=CC=CC=C1 CIUQDSCDWFSTQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 23
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 10
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 9
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 9
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000005224 alkoxybenzenes Chemical class 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- DLRJIFUOBPOJNS-UHFFFAOYSA-N phenetole Chemical compound CCOC1=CC=CC=C1 DLRJIFUOBPOJNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001555 benzenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 150000003997 cyclic ketones Chemical class 0.000 description 1
- FHIVAFMUCKRCQO-UHFFFAOYSA-N diazinon Chemical group CCOP(=S)(OCC)OC1=CC(C)=NC(C(C)C)=N1 FHIVAFMUCKRCQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N dimethylformamide Substances CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 150000008282 halocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920003217 poly(methylsilsesquioxane) Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000011435 rock Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はシリコーンラダー系樹脂にパターンを転写する
方法および該方法に用いるエツチング液に関する。
方法および該方法に用いるエツチング液に関する。
［従来の技術・発明が解決しようとする課ｉ１近年半導
体装置の製造において、固体素子のパッシベーション層
、応力緩衝膜または絶縁層の形成性として、無機材料と
比較して残留応力が小さく、平滑性が良好であり、しか
も純度が高いなどの点で優れている高分子材料を回転塗
布する方法が検討されている。該高分子材料としては４
５０℃以上の耐熱性を有するシリコーンラダー系樹脂や
ポリイミド系樹脂などの熱硬化性樹脂が用いられている
。
体装置の製造において、固体素子のパッシベーション層
、応力緩衝膜または絶縁層の形成性として、無機材料と
比較して残留応力が小さく、平滑性が良好であり、しか
も純度が高いなどの点で優れている高分子材料を回転塗
布する方法が検討されている。該高分子材料としては４
５０℃以上の耐熱性を有するシリコーンラダー系樹脂や
ポリイミド系樹脂などの熱硬化性樹脂が用いられている
。
前記シリコーンラダー系樹脂を固体素子のパッシベーシ
ョン層、応力緩衝層または絶縁層として使用するばあい
には、シリコーンラダー系樹脂膜に上下導体層の通風部
や外部リード線と接続のためのスルーホール孔などを形
成するため、微細加工を施す必要がある。
ョン層、応力緩衝層または絶縁層として使用するばあい
には、シリコーンラダー系樹脂膜に上下導体層の通風部
や外部リード線と接続のためのスルーホール孔などを形
成するため、微細加工を施す必要がある。
シリコーンラダー系樹脂膜に微細加工を施すために、フ
ッ酸をエツチング液として使用する湿式エツチングプロ
セスが特開昭５８−４９５４０号公報に記載されている
が、本発明者らが確認したところ、該シリコーンラダー
系樹脂はフッ酸によってはエツチングされなかった。
ッ酸をエツチング液として使用する湿式エツチングプロ
セスが特開昭５８−４９５４０号公報に記載されている
が、本発明者らが確認したところ、該シリコーンラダー
系樹脂はフッ酸によってはエツチングされなかった。
またＣＰ４ガスのプラズマによるドライエツチングプロ
セスが特開昭５０−１２５８５５号公報に記載されてい
るが、このドライエツチングプロセスはエツチングレー
トが遅く、応力緩衝層やパッジベージジン層のように厚
膜のばあいはエツチング時間が長くなるという欠点があ
る。
セスが特開昭５０−１２５８５５号公報に記載されてい
るが、このドライエツチングプロセスはエツチングレー
トが遅く、応力緩衝層やパッジベージジン層のように厚
膜のばあいはエツチング時間が長くなるという欠点があ
る。
このように、従来、厚膜のシリコーンラダー系樹脂に安
定にパターンを転写する技術がなかった。
定にパターンを転写する技術がなかった。
本発明は上記のような問題を解決するためになされたも
のであり、厚膜でも短時間にしかも安定したパターン転
写が可能な湿式エツチング法および該方法に用いるエツ
チング液を提供するためになされたものである。
のであり、厚膜でも短時間にしかも安定したパターン転
写が可能な湿式エツチング法および該方法に用いるエツ
チング液を提供するためになされたものである。
［課題を解決するための手段］
本発明は、基板上に一般式（Ｉ）：
（式中、ＲＩはフェニル基または低級アルキル基であり
、２個のＲ１は同種でもよく、異種でもよい、Ｒ２は水
素原子または低級アルキル基であり、４個のＲ２は同種
でもよく、異種でもよい、ｎは５〜ｌ０００の整数を示
す）で表わされるシリコーンラダー・系樹脂を塗布して
乾燥したのち、クレゾールノボラック系のポジ型レジス
トを塗布し、該レジストに所定のパターンを形成し、つ
いでエツチングの前に処理を行なったのちシリコーンラ
ダー系樹脂をエツチングすることを特徴とするシリコー
ンラダー系樹脂にパターンを転写する方法および 前記エツチングに用いる芳香族系溶剤からなるシリコー
ンラダー系樹脂用エツチング液に関する。
、２個のＲ１は同種でもよく、異種でもよい、Ｒ２は水
素原子または低級アルキル基であり、４個のＲ２は同種
でもよく、異種でもよい、ｎは５〜ｌ０００の整数を示
す）で表わされるシリコーンラダー・系樹脂を塗布して
乾燥したのち、クレゾールノボラック系のポジ型レジス
トを塗布し、該レジストに所定のパターンを形成し、つ
いでエツチングの前に処理を行なったのちシリコーンラ
ダー系樹脂をエツチングすることを特徴とするシリコー
ンラダー系樹脂にパターンを転写する方法および 前記エツチングに用いる芳香族系溶剤からなるシリコー
ンラダー系樹脂用エツチング液に関する。
［実施例］
本発明には、一般式（Ｉ）：
（式中、ＲＩはフェニル基またはメチル基、エチル基な
どの低級アルキル基であり、２個の１？＋・は同種でも
よく、異種でもよい、Ｒ２は水素原子またはメチル基、
エチル基などの低級アルキル基であり、４個のＲ１は同
種でもよく、異種でもよい、ｎは５〜１０００、好まし
くは５０〜８５０の整数を示す）で表わされるシリコー
ンラダー系樹脂が用いられる。このシリコーンラダー系
樹脂は公知の樹脂であり、比較的高分子量のものおよび
その製法は特公昭４０−１５９８９号公報、特開昭５０
−１１１１９７号公報、同５０−１１１１９８号公報お
よび同５７−１８７２９号公報に記載されており、また
比較的低分子量のものはオーエンス・イリノイ硝子会社
からガラスレジンとして市販されており、これらを用い
ることができる。
どの低級アルキル基であり、２個の１？＋・は同種でも
よく、異種でもよい、Ｒ２は水素原子またはメチル基、
エチル基などの低級アルキル基であり、４個のＲ１は同
種でもよく、異種でもよい、ｎは５〜１０００、好まし
くは５０〜８５０の整数を示す）で表わされるシリコー
ンラダー系樹脂が用いられる。このシリコーンラダー系
樹脂は公知の樹脂であり、比較的高分子量のものおよび
その製法は特公昭４０−１５９８９号公報、特開昭５０
−１１１１９７号公報、同５０−１１１１９８号公報お
よび同５７−１８７２９号公報に記載されており、また
比較的低分子量のものはオーエンス・イリノイ硝子会社
からガラスレジンとして市販されており、これらを用い
ることができる。
前記一般式（Ｉ）で表わされるシリコーンラダー系樹脂
からえられる膜は、残留応力が小さく、平滑性が良好で
あり、しかも純度が高いため、固体素子のパッシベーシ
ョン層、応力緩衝膜、絶縁層などとして好ましいもので
ある。
からえられる膜は、残留応力が小さく、平滑性が良好で
あり、しかも純度が高いため、固体素子のパッシベーシ
ョン層、応力緩衝膜、絶縁層などとして好ましいもので
ある。
本発明の方法においては、まず基板上に一般式（１）で
表わされるシリコーンラダー系樹脂を塗布し、乾燥させ
て溶剤を除去し、該樹脂の膜を形成する。
表わされるシリコーンラダー系樹脂を塗布し、乾燥させ
て溶剤を除去し、該樹脂の膜を形成する。
該樹脂は、ベンゼン系、アルコキシベン系、Ｎ−メチル
ピロリドンなどの溶剤と混合して粘度を２０００〜５０
００ｃｐｓ程度に調整したのち、スピナーを用いる回転
塗布法などによりシリコンウェハーなどの基板上に塗布
するのが好ましい。乾燥条件は用いる溶剤によって異な
るが、該樹脂が硬化しない温度範囲である８０〜３５０
℃の範囲内が好ましく、１００〜２００℃、１５〜４５
分間がさらに好ましい。また該樹脂膜の厚さは使用目的
によって異なるが、通常１〜３０項である。
ピロリドンなどの溶剤と混合して粘度を２０００〜５０
００ｃｐｓ程度に調整したのち、スピナーを用いる回転
塗布法などによりシリコンウェハーなどの基板上に塗布
するのが好ましい。乾燥条件は用いる溶剤によって異な
るが、該樹脂が硬化しない温度範囲である８０〜３５０
℃の範囲内が好ましく、１００〜２００℃、１５〜４５
分間がさらに好ましい。また該樹脂膜の厚さは使用目的
によって異なるが、通常１〜３０項である。
つぎに、前記乾燥させた未硬化の樹脂膜にクレゾールノ
ボラック系ポジ型レジストを塗布し、レジストに所定の
パターンを形成する。
ボラック系ポジ型レジストを塗布し、レジストに所定の
パターンを形成する。
前記レジストにとくに限定はなく、市販のクレゾールノ
ボラック系のポジ型レジストを用いることができる。該
ポジ型レジストの具体例としては、たとえば東京応化工
業■製の０ＦＰＲ−８００、シブレー社製のＡＺ１３５
０などの一般に市販されているレジストがあげられる。
ボラック系のポジ型レジストを用いることができる。該
ポジ型レジストの具体例としては、たとえば東京応化工
業■製の０ＦＰＲ−８００、シブレー社製のＡＺ１３５
０などの一般に市販されているレジストがあげられる。
前記フェノール系のポジ型レジストの膜を、常法にした
がい、回転塗布法によりシリコーンラダー系樹脂膜上に
形成し、ついでホトマスクを密着したのち紫外線を照射
し、現像することによりレジストパターンが形成される
。
がい、回転塗布法によりシリコーンラダー系樹脂膜上に
形成し、ついでホトマスクを密着したのち紫外線を照射
し、現像することによりレジストパターンが形成される
。
ついでえられたレジストパターンをマスクとし、後述す
るエツチング液を用いてシリコーンラダー系樹脂を湿式
エツチングする際、エツチング液に浸漬されたことによ
りレジスト内の残留応力が大きくなり、レジストにクラ
ックが発生したりすることを抑制するために、エツチン
グの前に処理を行なう。
るエツチング液を用いてシリコーンラダー系樹脂を湿式
エツチングする際、エツチング液に浸漬されたことによ
りレジスト内の残留応力が大きくなり、レジストにクラ
ックが発生したりすることを抑制するために、エツチン
グの前に処理を行なう。
該前処理としては、たとえば下記（＋）または（ｉ）の
処置があげられる。
処置があげられる。
（１） １２５〜１６０℃、さらに好ましくは１３０〜
１５０℃で、１５〜ＧＯ分間、さらに好ましくは３０〜
４５分間加熱したのち、室温で３時間以上、好ましくは
４時間以上保持する。
１５０℃で、１５〜ＧＯ分間、さらに好ましくは３０〜
４５分間加熱したのち、室温で３時間以上、好ましくは
４時間以上保持する。
（ＴＩ）、５００１１１以下、さらに好ましくは３００
〜５００ｎｉの紫外線を全面に照射する。
〜５００ｎｉの紫外線を全面に照射する。
該前処理は、本発明者らがレジストを熱硬化し、内部応
力にまさる強度をレジスト膜に与える方法、またはエツ
チング液に浸漬する前にレジスト内の内部応力を開放す
る方法によって、レジストに発生するクラックが抑制さ
れるのではないかとの考えのちとに鋭意研究を重ね、見
出したものである。
力にまさる強度をレジスト膜に与える方法、またはエツ
チング液に浸漬する前にレジスト内の内部応力を開放す
る方法によって、レジストに発生するクラックが抑制さ
れるのではないかとの考えのちとに鋭意研究を重ね、見
出したものである。
（Ｄの前処理における室温放置は、本発明者らが熱処理
による前処理方法について検討した結果、熱処理し、室
温にもどしたのち、エツチング液に浸漬するまでの時間
により、クラックの発生状況が異なることを見出し、到
達したものである。
による前処理方法について検討した結果、熱処理し、室
温にもどしたのち、エツチング液に浸漬するまでの時間
により、クラックの発生状況が異なることを見出し、到
達したものである。
（１）の前処理における加熱温度が１２５℃未満ではレ
ジストが充分硬化せず、加熱後室温で３時間以上放置し
てもクラックが発生する傾向があり、また１６０℃をこ
えるとレジストが熱劣化する傾向がある。また加熱時間
はレジスト膜が硬化するのに充分であればよく、加熱温
度によって異なり、１５〜ＧＯ分の範囲内の適当な時間
が選ばれる。室温での放置時間、すなわち熱処理後室温
にもどしたのちエツチング液に浸漬するまでの時間が３
時間未満では、クラックの発生の抑制が不充分である。
ジストが充分硬化せず、加熱後室温で３時間以上放置し
てもクラックが発生する傾向があり、また１６０℃をこ
えるとレジストが熱劣化する傾向がある。また加熱時間
はレジスト膜が硬化するのに充分であればよく、加熱温
度によって異なり、１５〜ＧＯ分の範囲内の適当な時間
が選ばれる。室温での放置時間、すなわち熱処理後室温
にもどしたのちエツチング液に浸漬するまでの時間が３
時間未満では、クラックの発生の抑制が不充分である。
熱処理ののち室温で放置することによりクラックの発生
が抑制されるのは、熱硬化したレジスト膜とシリコーン
ラダー系樹脂との間の線膨張率の差によって発生する応
力が、室温に保持することによって緩和されることによ
ると思われる。
が抑制されるのは、熱硬化したレジスト膜とシリコーン
ラダー系樹脂との間の線膨張率の差によって発生する応
力が、室温に保持することによって緩和されることによ
ると思われる。
Ｇ〕の前処理における紫外線の波長が５００ｎｍをこえ
ると紫外線を照射する効果が充分にえられなくなる。ま
た紫外線の波長が３００ｎａ＋未満のばあいはレジスト
の表面は硬化するがクラック発生を抑制する効果が充分
でないので、前記（１）の前処理のばあいと同様に紫外
線照射後室温で３時間以上放置することにより、クラッ
ク発生を抑制することができる。
ると紫外線を照射する効果が充分にえられなくなる。ま
た紫外線の波長が３００ｎａ＋未満のばあいはレジスト
の表面は硬化するがクラック発生を抑制する効果が充分
でないので、前記（１）の前処理のばあいと同様に紫外
線照射後室温で３時間以上放置することにより、クラッ
ク発生を抑制することができる。
紫外線の照射量は照射する紫外線の波長によって異なる
が５０１１Ｊｌｃｄ以上が好ましく、３００〜５００ｎ
ｍの紫外線のばあいは１００＋ａＪ／ｃｄ以上であるの
が好ましい。クラック発生を抑制するためには照射量は
赤外線吸収スペクトルにおけるジアジド基に起因する２
１２０ｃｍ−１近傍の吸収ピークが消失するような強度
、すなわち５０ａＪ／ｃ−以上であるのが好ましい。こ
れは紫外線照射によってジアジド基が消失し、とくに３
００〜５００ｎ鳳の紫外線を照射したときは、レジスト
外へチッ素ガスとして発散し、結果としてレジスト内の
内部応力が緩和されかつレジストは軟化することによる
と思われる。
が５０１１Ｊｌｃｄ以上が好ましく、３００〜５００ｎ
ｍの紫外線のばあいは１００＋ａＪ／ｃｄ以上であるの
が好ましい。クラック発生を抑制するためには照射量は
赤外線吸収スペクトルにおけるジアジド基に起因する２
１２０ｃｍ−１近傍の吸収ピークが消失するような強度
、すなわち５０ａＪ／ｃ−以上であるのが好ましい。こ
れは紫外線照射によってジアジド基が消失し、とくに３
００〜５００ｎ鳳の紫外線を照射したときは、レジスト
外へチッ素ガスとして発散し、結果としてレジスト内の
内部応力が緩和されかつレジストは軟化することによる
と思われる。
このように■の前処理では３００〜５００ｎｍの紫外線
を１ｏｏｓｅ／ ｃ−以上照射することにより、紫外線
照射後直ちにエツチング液に浸漬してもレジストにクラ
ックは発生しなくなる。
を１ｏｏｓｅ／ ｃ−以上照射することにより、紫外線
照射後直ちにエツチング液に浸漬してもレジストにクラ
ックは発生しなくなる。
前記前処理ののち、レジストパターンをマスクとしてシ
リコーンラダー系樹脂のエツチングを行なう。
リコーンラダー系樹脂のエツチングを行なう。
シリコーンラダー系樹脂用エツチング液としては、この
樹脂を溶解し、かつフェノール系のポジタイプレジスト
を溶解しない溶剤であることが必要である。該樹脂に対
する溶剤としては特開昭５５−９４９５５号公報にも記
載されているように、ハロゲン化炭化水素系、エーテル
系、ベンゼン系、アルコキシベンゼン系、環状ケトン系
、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ、Ｎ’−ジメチルホルムア
ミドなどの溶剤が知られている。本発明者らはこれらの
溶剤を種々検討した結果、フェノール系のポジ型レジス
トを溶解しない溶剤として、ベンゼン、トルエンなどや
メトキシベンゼン、エトキシベンゼンなどのアルコキシ
ベンゼンなどの芳香族系の溶剤を見出した。
樹脂を溶解し、かつフェノール系のポジタイプレジスト
を溶解しない溶剤であることが必要である。該樹脂に対
する溶剤としては特開昭５５−９４９５５号公報にも記
載されているように、ハロゲン化炭化水素系、エーテル
系、ベンゼン系、アルコキシベンゼン系、環状ケトン系
、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ、Ｎ’−ジメチルホルムア
ミドなどの溶剤が知られている。本発明者らはこれらの
溶剤を種々検討した結果、フェノール系のポジ型レジス
トを溶解しない溶剤として、ベンゼン、トルエンなどや
メトキシベンゼン、エトキシベンゼンなどのアルコキシ
ベンゼンなどの芳香族系の溶剤を見出した。
該エツチング液のエツチングレートは、シリコーンラダ
ー系樹脂のエツチング時間を３０〜１５０秒にするため
に１〜１０虜／分の範囲の適当な速度であるのが好まし
く、シリコーンラダー系樹脂の分子量にもよるがたとえ
ばキシレンなどを混合することにより容易に調整しうる
。
ー系樹脂のエツチング時間を３０〜１５０秒にするため
に１〜１０虜／分の範囲の適当な速度であるのが好まし
く、シリコーンラダー系樹脂の分子量にもよるがたとえ
ばキシレンなどを混合することにより容易に調整しうる
。
該エツチング液の好ましい具体例としては、たとえばア
ルコキシベンゼンの容積比が１８％以上であるキシレン
との混合溶剤、トルエンの容積比が２０％以上であるキ
シレンとの混合溶剤、ベンゼンの容積比が２５％以上で
あるキシレンとの混合溶剤などがあげられ、エツチング
は通常２０〜２８℃の間の適当な一定の温度で行なわれ
る。
ルコキシベンゼンの容積比が１８％以上であるキシレン
との混合溶剤、トルエンの容積比が２０％以上であるキ
シレンとの混合溶剤、ベンゼンの容積比が２５％以上で
あるキシレンとの混合溶剤などがあげられ、エツチング
は通常２０〜２８℃の間の適当な一定の温度で行なわれ
る。
つぎに実施例によって本発明をさらに具体的に説明する
が、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
が、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
実施例１
前記一般式（Ｉ）中のＲ１がフェニル基、Ｒ２が水素原
子で分子量が約１２万のシリコーンラダー樹脂にベンゼ
ン加えて粘度を３０００ｃｐｓに調整した。該溶液をシ
リコンウェハー上にスピナーを用いて毎分２０００回転
で塗布した。膜厚はｌＯ廓であった。
子で分子量が約１２万のシリコーンラダー樹脂にベンゼ
ン加えて粘度を３０００ｃｐｓに調整した。該溶液をシ
リコンウェハー上にスピナーを用いて毎分２０００回転
で塗布した。膜厚はｌＯ廓であった。
これを１５０℃で３０分間乾燥させ、ついでこの樹脂膜
上にホトレジストとして東京応化工業■製の０ＦＰＲ−
８００を、毎分２０００回転の速度で塗布した。膜厚は
２迦であった。
上にホトレジストとして東京応化工業■製の０ＦＰＲ−
８００を、毎分２０００回転の速度で塗布した。膜厚は
２迦であった。
ホトレジストを８０℃で３０分間乾燥したのち、ホトマ
スクを密着し、紫外線（超高圧水銀灯ランプ）を照射し
、ついで０ＦＰＲ用現像液に００秒間浸漬して露光部を
溶解した。さらに純水でリンスしたのち８０℃で３０分
間乾燥してレジストパターンを形成した。
スクを密着し、紫外線（超高圧水銀灯ランプ）を照射し
、ついで０ＦＰＲ用現像液に００秒間浸漬して露光部を
溶解した。さらに純水でリンスしたのち８０℃で３０分
間乾燥してレジストパターンを形成した。
ついで１３０℃で３０分間熱処理したのち、室温に４時
間保持した。ついでトルエンとキシレンとの容積比がｌ
／ｌの混合液をエツチング液として、２５℃で００秒間
浸漬し、シリコーンラダー系樹脂をエツチングした。エ
ツチング後、レジストを顕微鏡で観察したところ、クラ
ックの発生は認められなかった。
間保持した。ついでトルエンとキシレンとの容積比がｌ
／ｌの混合液をエツチング液として、２５℃で００秒間
浸漬し、シリコーンラダー系樹脂をエツチングした。エ
ツチング後、レジストを顕微鏡で観察したところ、クラ
ックの発生は認められなかった。
ついでレジスト剥離剤でレジストを剥離し、所定のパタ
ーンが転写されたシリコーンラダー樹脂膜をえた。マス
ク寸法が２０μ−で、樹脂膜の開口寸法は２４μＩＩ０
であった。またパターンの形状を走査型電子顕微鏡で観
察した結果、良好であった。
ーンが転写されたシリコーンラダー樹脂膜をえた。マス
ク寸法が２０μ−で、樹脂膜の開口寸法は２４μＩＩ０
であった。またパターンの形状を走査型電子顕微鏡で観
察した結果、良好であった。
実施例２
実施例１で用いたシリコーンラダー樹脂にベンゼンを加
えて粘度を２７００ｃｐｓに調整した。該溶液をシリコ
ンウェハー上にスピナーを用いて毎分２０００回転で塗
布した。膜厚は５摩であった。
えて粘度を２７００ｃｐｓに調整した。該溶液をシリコ
ンウェハー上にスピナーを用いて毎分２０００回転で塗
布した。膜厚は５摩であった。
これを１５（１℃で３０分１門１乾燥させ、実施例１と
同様にして、パターン寸法２０μｍ°のホトレジストパ
ターンを形成した。
同様にして、パターン寸法２０μｍ°のホトレジストパ
ターンを形成した。
しかるのち、１４０℃で３０分間熱処理したのち、室温
に５時間保持した。ついでエトキシベンゼンをエツチン
グ液として、２５℃で６０秒間浸漬し、シリコーンラダ
ー系樹脂をエツチングした。
に５時間保持した。ついでエトキシベンゼンをエツチン
グ液として、２５℃で６０秒間浸漬し、シリコーンラダ
ー系樹脂をエツチングした。
ついでレジスト剥離剤でレジストを剥離し、所定のパタ
ーンが転写されたシリコーンラダー樹脂膜をえた。マス
ク寸法が２０μｌｌ１０で、樹脂膜の開口寸法は２３μ
１１０であった。またパターンの形状は良好であった。
ーンが転写されたシリコーンラダー樹脂膜をえた。マス
ク寸法が２０μｌｌ１０で、樹脂膜の開口寸法は２３μ
１１０であった。またパターンの形状は良好であった。
実施例３
前記一般式（１１中のＲ１がフェニル基で、Ｒ２が水素
原子である分子量が約１５万のシリコーンラダー樹脂に
トルエンを加えて粘度を５０００ｃｐｓに調整した。該
溶液をシリコンウェハー上にスピナーを用いて毎分２０
００回転で塗布した。膜厚は２０ρであった。
原子である分子量が約１５万のシリコーンラダー樹脂に
トルエンを加えて粘度を５０００ｃｐｓに調整した。該
溶液をシリコンウェハー上にスピナーを用いて毎分２０
００回転で塗布した。膜厚は２０ρであった。
これを１５０℃で３０分間乾燥させ、実施例１と同様に
してパターン寸法２０μ１１０のホトレジストバタンを
形成したのち、３００ｎｍより短波長光をカットした超
高圧水銀灯により、３００ａ＋Ｊ ／ｃｄの紫外線を全
面に照射した。そののちメトキシベンゼンとキシレンと
が容積比で１／２の混合溶剤に、２５℃で６０秒間浸漬
し、シリコーンラダー系樹脂をエツチングした。ついで
レジスト剥離剤でレジストを剥離して所定のパターンが
転写されたシリコーンラダー樹脂膜をえた。該樹脂膜の
開口寸法は２９μＩＩ０であった。またパターンの形状
は良好であった。
してパターン寸法２０μ１１０のホトレジストバタンを
形成したのち、３００ｎｍより短波長光をカットした超
高圧水銀灯により、３００ａ＋Ｊ ／ｃｄの紫外線を全
面に照射した。そののちメトキシベンゼンとキシレンと
が容積比で１／２の混合溶剤に、２５℃で６０秒間浸漬
し、シリコーンラダー系樹脂をエツチングした。ついで
レジスト剥離剤でレジストを剥離して所定のパターンが
転写されたシリコーンラダー樹脂膜をえた。該樹脂膜の
開口寸法は２９μＩＩ０であった。またパターンの形状
は良好であった。
実施例４
前記一般式（１）中のＲ１がメチル基で、Ｒ２が水素原
子である分子量が約１０万のシリコーンラダー樹脂にベ
ンゼンを加えて粘度を２９００ｃｐｓに調整した。該溶
液をシリコンウェハー上にスピナーを用いて毎分２００
０回転で塗布した。膜厚は８ρであった。
子である分子量が約１０万のシリコーンラダー樹脂にベ
ンゼンを加えて粘度を２９００ｃｐｓに調整した。該溶
液をシリコンウェハー上にスピナーを用いて毎分２００
０回転で塗布した。膜厚は８ρであった。
これを１４０℃で３０分間乾燥させたのち、実施例１と
同様にして、パターン寸法２０μ−口のホトレジストパ
ターンを形成した。
同様にして、パターン寸法２０μ−口のホトレジストパ
ターンを形成した。
ついで１５０℃で３０分間熱処理を行ない、そののち室
温に１０時間放置した。ついで、メトキシベンゼンとキ
シレンとが容積比でｌ／３の混合溶剤に、２５℃で６０
秒間浸漬し、シリコーンラダー系樹脂をエツチングした
。エツチング後のレジストにはクラックの発生は認めら
れなかった。
温に１０時間放置した。ついで、メトキシベンゼンとキ
シレンとが容積比でｌ／３の混合溶剤に、２５℃で６０
秒間浸漬し、シリコーンラダー系樹脂をエツチングした
。エツチング後のレジストにはクラックの発生は認めら
れなかった。
つぎにレジスト剥離剤でレジストを剥離して所定のパタ
ーンが転写されたシリコーンラダー樹脂膜をえた。該樹
脂膜の開口寸法は２３μ履０であった。
ーンが転写されたシリコーンラダー樹脂膜をえた。該樹
脂膜の開口寸法は２３μ履０であった。
またパターンの形状は良好であった。
実施例５
実施例４で用いたシリコーンラダー樹脂にベンゼンを加
えて粘度を２４００ｃｐｓに：Ｊ！Ｊ整した。該溶液を
シリコンウェハー上にスピナーを用いて毎分２０００回
転で塗布した。膜厚は３．０加であった。
えて粘度を２４００ｃｐｓに：Ｊ！Ｊ整した。該溶液を
シリコンウェハー上にスピナーを用いて毎分２０００回
転で塗布した。膜厚は３．０加であった。
これを １４０℃で３０分間乾燥させ、実施例１と同様
にして、パターン寸法１０μＩ１０のホトレジストパタ
ーンを形成したのち、３００ｎｓより短波長光をカット
した超高圧水銀灯により、２０ｈＪ ／ｃｄの紫外線を
全面に照射した。しかるのちエトキシベンゼンに、２５
℃で３０秒間浸漬し、シリコーンラダー系樹脂をエツチ
ングした。つぎにレジスト剥離剤でレジストを剥離して
所定のパターンが転写されたシリコーンラダー樹脂膜を
えた。該樹脂膜の開口寸法はｌ００９μ麿であった。ま
たパターンの形状は良好であった。
にして、パターン寸法１０μＩ１０のホトレジストパタ
ーンを形成したのち、３００ｎｓより短波長光をカット
した超高圧水銀灯により、２０ｈＪ ／ｃｄの紫外線を
全面に照射した。しかるのちエトキシベンゼンに、２５
℃で３０秒間浸漬し、シリコーンラダー系樹脂をエツチ
ングした。つぎにレジスト剥離剤でレジストを剥離して
所定のパターンが転写されたシリコーンラダー樹脂膜を
えた。該樹脂膜の開口寸法はｌ００９μ麿であった。ま
たパターンの形状は良好であった。
実施例６
実施例１で用いたシリコーンラダー樹脂にベンゼンを加
えて粘度を２８００ｃｐｓに調整した。該溶液をシリコ
ーンウェハー上にスピナーを用いて、毎分２０００回転
で塗布した。膜厚は６遍であった。ついで実施例１と同
様にして、パターン寸法１０μＩ１０のホトレジストパ
ターンを形成したのちついで超高圧水銀灯により、２０
０ｓＪ／ｃ＋Ｊの紫外線を全面に照射し、室温に５時間
保持した。
えて粘度を２８００ｃｐｓに調整した。該溶液をシリコ
ーンウェハー上にスピナーを用いて、毎分２０００回転
で塗布した。膜厚は６遍であった。ついで実施例１と同
様にして、パターン寸法１０μＩ１０のホトレジストパ
ターンを形成したのちついで超高圧水銀灯により、２０
０ｓＪ／ｃ＋Ｊの紫外線を全面に照射し、室温に５時間
保持した。
そののちトルエンとキシレンとが容積比で２７３の混合
溶、剤をエツチング液として、２５℃で５０秒間浸漬し
、シリコーンラダー樹脂をエツチングした。
溶、剤をエツチング液として、２５℃で５０秒間浸漬し
、シリコーンラダー樹脂をエツチングした。
エツチング後のレジストにクラックの発生は認められな
かった。
かった。
つぎにレジスト剥離剤でレジストを剥離して、所定のパ
ターンが転写されたシリコーンラダー樹脂膜をえた。マ
スク寸法ｌＯμＩ１０のレジストパターンで、樹脂膜の
開口寸法は１２．５μ麿０であった。
ターンが転写されたシリコーンラダー樹脂膜をえた。マ
スク寸法ｌＯμＩ１０のレジストパターンで、樹脂膜の
開口寸法は１２．５μ麿０であった。
実施例７
実施例４で用いたシリコーンラダー樹脂のベンゼン溶液
をシリコーンウェハー上にスピナーを用いて毎分３００
０回転で塗布した。膜厚は５．０−であった。
をシリコーンウェハー上にスピナーを用いて毎分３００
０回転で塗布した。膜厚は５．０−であった。
これを１４０℃で３０分間乾燥させ、実施例１と同様に
して、パターン寸法ｌＯμ■のホトレジストパターンを
形成したのち、３００ｎｍより短波長光をカットした超
高圧水銀灯により、２５０ａ＋Ｊ／ｃ−の紫外線を全面
に照射した。
して、パターン寸法ｌＯμ■のホトレジストパターンを
形成したのち、３００ｎｍより短波長光をカットした超
高圧水銀灯により、２５０ａ＋Ｊ／ｃ−の紫外線を全面
に照射した。
そののちトルエンとキシレンとが容積比で２７３の混合
溶剤をエツチング液として、２５℃で５０秒間浸漬し、
シリコーンラダー樹脂をエツチングした。
溶剤をエツチング液として、２５℃で５０秒間浸漬し、
シリコーンラダー樹脂をエツチングした。
エツチング後のレジストにクラックの発生は認められな
かった。
かった。
つぎにレジスト剥離剤でレジストを剥離して、所定のパ
ターンが転写されたシリコーンラダー樹脂膜をえた。マ
スク寸法がＩＯμ１０のレジストパターンで、樹脂膜の
開口寸法は１３，０μ履０であった。
ターンが転写されたシリコーンラダー樹脂膜をえた。マ
スク寸法がＩＯμ１０のレジストパターンで、樹脂膜の
開口寸法は１３，０μ履０であった。
Ｃ発明の効果］
以上のように、本発明によれば芳香族系溶剤を用いてシ
リコーンラダー系樹脂を短時間にエツチングでき、しか
も良好なパターンの転写が可能である。
リコーンラダー系樹脂を短時間にエツチングでき、しか
も良好なパターンの転写が可能である。
代−埋入
大 岩
増 雄
Claims (4)
- （１）基板上に、一般式（ I ）： ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （式中、Ｒ＿１はフェニル基または低級アルキル基であ
り、２個のＲ＿１は同種でもよく、異種でもよい、Ｒ＿
２は水素原子または低級アルキル基であり、４個のＲ＿
２は同種でもよく、異種でもよい、ｎは５〜１０００の
整数を示す）で表わされるシリコーンラダー系樹脂を塗
布して乾燥したのち、クレゾールノボラック系のポジ型
レジストを塗布し、該レジストに所定のパターンを形成
し、ついでエッチングの前に処理を行なったのちシリコ
ーンラダー系樹脂をエッチングすることを特徴とするシ
リコーンラダー系樹脂にパターンを転写する方法。 - （２）前記エッチングの前処理として、１２５〜１６０
℃で１５〜６０分間加熱したのち、室温で３時間以上保
持する請求項１記載の方法。 - （３）前記エッチングの前処理として、５００ｎｍ以下
の波長の紫外線を全面に照射する請求項１記載の方法。 - （４）請求項１記載のエッチングに用いる芳香族系溶剤
からなるシリコーンラダー系樹脂用エッチング液。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1044326A JP2542075B2 (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | シリコ―ンラダ―系樹脂にパタ―ンを転写する方法およびそれに用いるエッチング液 |
| US07/475,307 US5087553A (en) | 1989-02-23 | 1990-02-05 | Method for transferring patterns on silicone ladder type resin and etching solution used in such method |
| GB9002812A GB2228582B (en) | 1989-02-23 | 1990-02-08 | Methods of producing patterns in silicone ladder resins |
| CA002010030A CA2010030C (en) | 1989-02-23 | 1990-02-14 | Method for transferring patterns on silicone ladder type resin and etching solution used in such method |
| DE4005345A DE4005345C2 (de) | 1989-02-23 | 1990-02-20 | Verfahren zur Herstellung von Bildmustern in einer Schicht aus einem Siliconharz vom Leitertyp und Ätzlösung für das Verfahren |
| KR1019900002319A KR930003878B1 (ko) | 1989-02-23 | 1990-02-23 | 실리콘 래더계 수지에 패턴을 전사하는 방법 및 그것에 사용되는 에칭액 |
| GB9016212A GB2237577B (en) | 1989-02-23 | 1990-07-24 | Solvents for silicone ladder resins for use in an etching process |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1044326A JP2542075B2 (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | シリコ―ンラダ―系樹脂にパタ―ンを転写する方法およびそれに用いるエッチング液 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02222537A true JPH02222537A (ja) | 1990-09-05 |
| JP2542075B2 JP2542075B2 (ja) | 1996-10-09 |
Family
ID=12688379
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1044326A Expired - Lifetime JP2542075B2 (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | シリコ―ンラダ―系樹脂にパタ―ンを転写する方法およびそれに用いるエッチング液 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5087553A (ja) |
| JP (1) | JP2542075B2 (ja) |
| KR (1) | KR930003878B1 (ja) |
| CA (1) | CA2010030C (ja) |
| DE (1) | DE4005345C2 (ja) |
| GB (2) | GB2228582B (ja) |
Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
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| JP2752786B2 (ja) * | 1990-11-19 | 1998-05-18 | 三菱電機株式会社 | カラーフィルターの表面保護膜 |
| JP2547944B2 (ja) * | 1992-09-30 | 1996-10-30 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 二層レジスト組成物を使用する光学リソグラフによりサブ−ハーフミクロンパターンを形成する方法 |
| JP2923408B2 (ja) * | 1992-12-21 | 1999-07-26 | 三菱電機株式会社 | 高純度シリコーンラダーポリマーの製造方法 |
| TWI255957B (en) * | 1999-03-26 | 2006-06-01 | Hitachi Ltd | Liquid crystal display device and method of manufacturing the same |
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- 1990-02-14 CA CA002010030A patent/CA2010030C/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-02-20 DE DE4005345A patent/DE4005345C2/de not_active Expired - Fee Related
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