KR100455652B1 - 포지티브형 포토레지스트 막의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 포지티브형 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 막의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 a) 고분자 노볼락 수지 10 내지 25 중량%, b) 디아지드계 감광성 화합물 4 내지 10 중량%, 및 c) 3-메톡시부틸아세테이트 및 4-부티로락톤의 혼합용매 또는 3-매톡시부틸아세테이트, 2-헵탄온 및 4-부티로락톤의 혼합용매 65 내지 85 중량%를 포함하는 포지티브형 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 막의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 포토레지스트 조성물은 악취의 발생을 억제하여 작업환경을 양호하게 변화시킬 수 있으며 공정시간을 단축할 수 있고 포토레지스트 막의 감광속도, 잔막율 등의 물성을 향상시킬 수 있다.
Description
본 발명은 액정표시장치회로, 반도체 집적회로 등의 미세회로 제조에 응용되는 포지티브형 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 막의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 a) 고분자 노볼락 수지 10 내지 25 중량%, b) 디아지드계 감광성 화합물 4 내지 10 중량%, 및 c) 3-메톡시부틸아세테이트 및 4-부티로락톤의 혼합용매 또는 3-메톡시부틸아세테이트, 2-헵탄온 및 4-부티로락톤의 혼합용매 65 내지 85 중량%를 포함하는 포지티브형 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 막의 제조방법에 관한 것이다.
액정표시장치 회로 또는 반도체 집적회로와 같이 미세한 회로 패턴을 형성하기 위하여는 먼저 기판 상에 형성된 절연막 또는 도전성 금속막에 포토레지스트 조성물을 균일하게 코팅 또는 도포하고, 소정 형상의 마스크 존재하에서 코팅된 포토레지스트 조성물을 노광하고 현상함으로서 목적하는 형상의 패턴을 만든다. 이와 같이 패턴된 포토레지스트 막을 마스크로 사용하여 상기 금속막 또는 절연막을 에칭한 다음, 남은 포토레지스트 막을 제거하여 기판 상에 미세 회로를 형성한다. 이와 같은 포토레지스트 조성물은 노광되는 부분의 용해도 변화에 따라 네거티브형과 포지티브형으로 분류되며, 현재는 미세한 패턴 형성이 가능한 포지티브형 포토레지스트 조성물이 주로 사용되고 있다.
미세회로의 제조공정 중 포토레지스트 막의 형성 공정은 라인 생산량을 결정하는 매우 중요하고 핵심적인 공정으로서, 포토레지스트 막의 특성, 예를 들면 형성된 레지스트 막의 감광속도, 현상 콘트라스트, 해상도, 기판과의 접착력, 잔막률 및 인체 안전성 등의 사용 편의성에 의하여 많은 제약을 받는다.
감광속도는 노광에 의해 포토레지스트의 용해도가 변하는 속도를 말하며, 반복공정에 의해 다중 패턴을 생성시키기 위하여 수차의 노출이 필요하거나, 빛이 일련의 렌즈와 단색 필터를 통과하는 투사 노출기법과 같이 강도가 저하된 광을 사용하는 포토레지스트 막에 있어서 특히 중요하다.
현상 콘트라스트는 현상에 의하여 노출된 부위에서의 필름 손실량과 노출되지 않은 부위에서의 필름 손실양의 비를 뜻한다. 통상적으로 포토레지스트 막이 피복된 노출기판은 노출 부위의 피복물이 거의 완전히 용해되어 제거될 때까지 계속 현상하므로 현상 콘트라스트는 노출된 피복부위가 완전히 제거될 때 노출되지 않은 부위에서 필름 손실량을 측정하여 간단히 결정할 수 있다.
포토레지스트 막 해상도는 레지스트 막을 노출시킬 때 사용한 마스크의 공간간격에 따라 미세한 회로선들이 고도로 예민한 상으로 나타나도록 재생시키는 레지스트막 시스템의 능력을 의미한다. 각종 산업적인 용도, 특히 액정표시장치나 반도체 회로의 제조에 있어서 포토레지스트 막은 매우 가는 선과 공간넓이 (1μm이하)를 가지는 패턴을 형성할 수 있을 정도의 해상도가 필요하다.
포토레지스트 조성물중의 용매는 거의 대부분 증발시켜 제거하므로, 증발된 용매가 강한 악취를 발생시키거나, 인체에 유독할 경우에는 전체 공정의 운용에 막대한 지장을 일으킨다. 따라서, 인체에 무해하고 악취의 발생이 적은 포토레지스트 조성물의 사용이 요구되고 있다.
선행기술에서 포지티브 포토레지스트 막의 제조방법을 개선하기 위한 많은 시도가 행해졌다. 예를 들면, 미국 특허 제4,115,128호에서는 감광속도를 증가시키기 위해 페놀성 수지와 나프토퀴논 디아지드 광감제에 유기산 사이클릭 무수물을 첨가하기도 하였으며, 대한민국 특허 공고 제94-7775호에서는 노볼락 수지, O-퀴논디아지드 감광성 화합물과 용매로서 프로필렌글리콜알킬에테르아세테이트로 이루어진 포토레지스트 조성물을 기판에 도포하고, 용매의 70 내지 99%를 휘발시켜 제거하고, 노광한 다음, 알카리 현상수용액을 사용하여 노광 부위의 조성물을 제거함을 특징으로 하는 포토레지스트 막의 제조방법을 개시하고 있다.
특히 포토레지스트 조성물의 물성 향상 및 작업 안전성을 위하여 다양한 용매가 개발되었는데, 그 예로는 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 에틸락테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 등이 있다. 그러나 에틸락테이트를 사용할 경우에는 조성물의 기판에 대한 접착력이 나쁘고, 균일 코팅이 어려운 단점이 있으며, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트이나 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트에틸렌 등은 인체에 유해하거나 공정 중 심한 악취를 발생시키는 단점이 있다. 따라서 감광속도, 현상 콘트라스트, 해상도, 고분자 수지의 용해성 등과 같은 포토레지스트 조성물의 바람직한 특성 중 어느 하나의 특성을 희생시키지 않으면서도, 각각의 산업공정에 적합한 다양한 포토레지스트 막의 제조방법에 대한 요구는 계속되고 있다.
본 발명은 감광속도, 잔막률, 현상 콘트라스트, 해상도, 기판과의 접착력 등 포토레지스트 막의 특성을 동시에 향상시킬 수 있는 포지티브형 포토레지스트 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 또 다른 목적은 인체에 무해하며 악취의 발생이 없는 환경 친화적인 포지티브형 포토레지스트 조성물을 제공하는 것이다. 본 발명의 또 다른 목적은 포토레지스트 막 제조 공정 시간을 단축함으로서 전체 공정의 효율성을 증가시킬 수 있는 포토레지스트 조성물을 제공하는 것이다.본 발명의 또 다른 목적은 상기 포토레지스트 조성물을 이용하는 포토레지스트 막의 제조방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 a) 고분자 노볼락 수지 10 내지 25 중량%, b) 디아지드계 감광성 화합물 4 내지 10 중량%, 및 c) 3-메톡시부틸아세테이트 및 4-부티로락톤의 혼합용매 또는 3-메톡시부틸아세테이트, 2-헵탄온 및 4-부티로락톤의 혼합용매 65 내지 85 중량%를 포함하는 포지티브형 포토레지스트 조성물을 제공한다.또한 본 발명은 a) 고분자 노볼락 수지 10 내지 25 중량%, 디아지드계 감광성 화합물 4 내지 10 중량%, 및 3-메톡시부틸아세테이트 및 4-부티로락톤의 혼합용매 또는 3-메톡시부틸아세테이트, 2-헵탄온 및 4-부티로락톤의 혼합용매 65 내지 85 중량%를 포함하는 포지티브형 포토레지스트 조성물을 기판 상에 형성된 절연막 또는 도전성 금속막에 적하하고 코팅하는 공정;b) 상기 코팅된 조성물을 건조시키는 공정;c) 건조된 조성물을 노광하는 공정; 및d) 알카리 현상액으로 노광 부위의 조성물을 제거하는 공정을 포함하는 포지티브형 포토레지스트 막의 제조방법을 제공한다.또한 본 발명은 상기 방법으로 제조된 포지티브형 포토레지스트 막을 제공한다.
이하, 본 발명을 상세히 설명하면 다음과 같다.
포토레지스트 막을 형성하기 위한 대부분의 포토레지스트 조성물은 고분자 수지, 감광성 화합물 및 용매를 포함하며, 이와 같은 조성물을 침지, 분무, 회전 및 스핀 코팅을 포함하여 통상적인 방법으로 기판에 도포할 수 있다.그러나, 본 발명의 포토레지스트 조성물은 종래 포토레지스트 조성물과 달리 악취가 나지 않고 인체에 무해한 용매를 혼합 사용하여 인체 안전성은 물론 전체 작업공정의 환경을 크게 개선할 수 있는 특징이 있다.
이러한 본 발명의 포토레지스트 조성물은 a) 고분자 노볼락 수지, b) 디아지드계 감광성 화합물, 및 c) 3-메톡시부틸아세테이트 및 4-부티로락톤의 혼합용매 또는 3-메톡시부틸아세테이트, 2-헵탄온 및 4-부티로락톤의 혼합용매를 포함한다.본 발명의 포토레지스트 조성물은 10 내지 25 중량%의 노볼락 수지를 포함한다. 여기서 상기 고분자 수지의 함량이 10 중량% 미만이면 기판에 대한 접착력이 저하되고, 생성된 프로파일이 불량해지는 문제점이 있고, 25 중량%를 초과하면 점도가 과도하게 상승하여 감도가 저하되고 조성물의 코팅성이 저하되는 문제점이 있다. 상기 노볼락 수지는 페놀, 메타 및/또는 파라 크레졸 등의 방향족 알콜과 포름알데히드를 반응시켜 합성한 고분자 중합체이며, 포토레지스트의 성능 개선을 위하여 이 수지 중에서 고분자, 중분자, 저분자 등을 제거하여 용도에 적합한 분자량의 수지를 사용할 수도 있다.
또한, 본 발명의 포토레지스트 조성물은 4 내지 10 중량%이 디아지드계 감광성 화합물을 포함한다. 상기 디아지드계 감광성 화합물의 함량이 4 중량% 미만이면 해상도가 저하되고 프로파일이 불량해지며, 10 중량%를 초과하면 조성물을 기판에 도포하여 건조할 경우 스컴(scum) 또는 파티클(particle)의 발생 가능성이 커지는 문제점이 있다. 상기 감광성 화합물로 사용될 수 있는 디아지드계 화합물은 폴리히드록시 벤조페논과 1,2-나프토퀴논디아지드, 2-디아조-1-나프톨-5-설포닉산 등의 디아지드계 화합물을 반응시켜 제조할 수 있다.또한, 본 발명의 포토레지스트 조성물은 65 내지 85 중량%의 3-메톡시부틸아세테이트 및 4-부티로락톤의 혼합용매 또는 3-메톡시부틸아세테이트, 2-헵탄온 및 4-부틱로락톤의 혼합용매를 포함한다. 상기 혼합용매는 증발시 악취를 발생시키는 않아 작업성을 크게 개선할 수 있는 특징이 있다.
본 발명의 포토레지스트 조성물에 사용되는 용매는 3-메톡시부틸아세테이트와 4-부티로락톤을 60 내지 80중량부 : 2 내지 10중량부의 비율로 혼합한 것이 바람직하며, 각각 65 내지 75 중량부: 2 내지 5중량부의 비율로 혼합한 것이면 더욱 바람직하다. 여기서 3-메톡시부틸아세테이트의 양이 상기 범위를 초과하면 점도가 낮아져 작막률이 나빠지는 문제점이 있고, 상기 범위 미만이면 점도가 너무 높아져 코팅성이 나빠지고 감도가 낮아지는 문제점이 있으며, 4-부티로락톤의 양이 상기 범위를 초과하면 잔막률이 저하되는 문제점이 있고, 상기 범위 미만이면 조성물이 균일 용액으로 이루어지지 않고 기판에 도포시 파티클(particle)의 발생가능성이 커지는 문제점이 있다.본 발명의 포토레지스트 조성물에 사용되는 다른 용매로는 3-메톡시부틸아세테이트, 2-헵탄온과 4-부티로락톤을 50 내지 70중량부: 5 내지 15중량부 : 2 내지 10중량부의 비율로 혼합한 것이 바람직하며, 각각 55 내지 65 중량부: 7 내지 13중량부: 2 내지 5중량부의 비율로 혼합한 것이면 더욱 바람직하다. 여기서 3-메톡시부틸아세테이트의 양이 상기 범위를 초과하면 조성물의 점도가 낮아져 막두께가 얇아지고 잔막률이 나빠지는 문제점이 있고, 상기 범위 미만이면 점도가 높아지며 막두께가 과도하게 증가하고 감도가 저하되는 문제점이 있다. 또한 2-헵탄온의 양이 상기 범위를 초과하면 악취가 심하게 발생하여 공정에 적용하기 곤란하고 조성물의 점도가 저하될 뿐만 아니라, 막두께도 얇아지는 문제점이 있고, 상기 범위 미만이면 점도가 과도하게 증가하여 감도가 저하되는 문제점이 있으며, 4-부티로락톤의 양이 상기 범위를 초과하면 잔막률이 저하되는 문제점이 있고, 상기 범위 미만이면 광증감제의 용해성이 저하되어 조성물이 균일 용액으로 이루어지지 않고 기판에 도포시 파티클(particle)의 발생가능성이 커지는 문제점이 있다.
이와 같은 포토레지스트 조성물에 착색제, 염료, 찰흔 방지제, 가소제, 접착촉진제, 속도증진제, 계면활성제 등의 첨가제를 첨가하여 기판에 피복함으로써 개별 공정의 특성에 따른 성능향상을 도모할 수도 있다.
또한, 본 발명은 상기 포토레지스트 조성물을 이용하여 물성이 우수한 포토레지스트 막의 제조방법을 제공한다. 본 발명의 포토레지스트 막의 제조방법은 상기 a) 고분자 노볼락 수지 10 내지 25 중량%, 디아지드계 감광성 화합물 4 내지 10 중량%, 및 3-메톡시부틸아세테이트 및 4-부티로락톤의 혼합용매 또는 3-메톡시부틸아세테이트, 2-헵탄온 및 4-부티로락톤의 혼합용매 65 내지 85 중량%를 포함하는 포지티브형 포토레지스트 조성물을 기판 상에 형성된 절연막 또는 도전성 금속막에 적하하고 코팅하는 공정; b) 상기 코팅된 조성물을 건조시키는 공정; c) 건조된 조성물을 노광하는 공정; 및 d) 알카리 현상액으로 노광 부위의 조성물을 제거하는 공정을 포함한다.
본 발명에서 상기 포토레지스트 조성물을 코팅하는 공정은 기판에 적하한 후, 기판이 정지상태에서 4.2초 내지 4.8초 동안에 1250 내지 1350rpm의 속도로 회전하도록 가속하여 수행하는 것이 바람직하며, 이와 같이 함으로써 조성물을 기판상에 균일하게 코팅할 수 있다. 또한 포토레지스트 용액의 고체함량을 스피닝 장치의 종류와 방법에 따라 적절히 변화시킴으로써 목적하는 두께의 피복물을 형성할 수 있다. 상기 기판으로는 실리콘, 알루미늄, 이산화 실리콘, 도핑된 이산화실리콘, 질화실리콘, 탄탈륨, 구리, 폴리실리콘, 세라믹, 알루미늄/구리 혼합물 및 각종 중합성 수지로 이루어진 것이 포함될 수 있다.
또한, 상기 건조 공정은 기판에 코팅된 포토레지스트 조성물을 가열하고 소프트 베이크 공정을 실시한다. 상기 가열은 20 내지 100 ℃의 온도에서 수행하는 것이 바람직하다. 본 발명은 상기 처리공정을 통해 포토레지스트 조성물 중 고체성분을 열분해시키지 않으면서, 용매를 증발시킬 수 있다. 일반적으로 소프트 베이크 공정을 통하여 용매의 농도를 최소화하는 것이 바람직하며, 따라서 이러한 처리는 대부분의 용매가 증발되어 포토레지스트 조성물의 얇은 피복막이 기판에 남을 때까지 수행한다. 본 발명에서 사용하는 포토레지스트 조성물은 온도에 매우 민감한 특성을 나타내므로, 소프트 베이크 공정을 한번의 예비가열로서 수행하면 얼룩등의 결함을 남기지 않고 포토레지스트를 스트립할 수 있으므로 바람직하다.
다음으로 포토레지스트 막이 형성된 기판을 정당한 마스크 또는 형판 등을 사용하여 빛, 특히 자외선에 노광시킴으로써 목적하는 형태의 패턴을 형성한다. 이때 상기 자외선을 방출하는 램프의 조도는 100mWatt 내지 103mWatt인 것이 바람직하며, 노광시간은 800 내지 900msec인 것이 바람직하다.
이와 같이 노광된 기판을 알카리성 현상 수용액에 충분히 침지시킨 다음 빛에 노출된 부위의 포토레지스트 막이 전부 또는 거의 대부분 용해될 때까지 방치한다. 적합한 현상 수용액은 알카리 수산화물, 수산화암모늄 또는 테트라메틸암모늄하이드록사이드(TMAH)를 함유하는 수용액을 포함한다.노광된 부위가 용해되어 제거된 기판을 현상액으로부터 꺼낸 후, 다시 열처리하여 포토레지스트 막의 접착성 및 내화학성을 증진시키는 하드 베이크 공정을 수행한다. 이러한 열처리는 바람직하게는 포토레지스트 막의 연화점이하의 온도에서 이루어지며, 바람직하게는 약 90 내지 150℃의 온도에서 수행할 수 있다.
현상이 완료된 기판을 부식용액 또는 기체플라즈마로 처리하여 노출된 기판부위를 처리하며, 이때 기판의 노출되지 않은 부위는 포토레지스트 막에 의하여 보호된다. 이와 같이 기판을 처리한 후 적절한 스트리퍼로 포토레지스트 막을 제거함으로써 기판에 미세 회로 패턴을 형성한다.이와 같이, 본 발명의 포토레지스트 조성물을 이용하여 제조된 포토레지스트 막은 감광속도, 잔막율 등이 우수하다.
이하, 본 발명의 실시예를 기재한다. 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것이며 본 발명을 한정하지 않는다.
[실시예 1]
4인치 베어글라스상에 감광제 6.43중량%, 고분자 노볼락 수지 19.47 중량%, 3-메톡시부틸아세테이트 70.4 중량%, 및 4-부티로락톤 3.70 중량%로 이루어진 포토레지스트 조성물을 적하하고, 1300rpm의 회전속도로 4.5초간 회전시킨 다음, 상기 글라스를 135℃에서 90초간 가열 건조하여 1.60μm 두께의 필름막을 형성하였다. 상기 필름막 상에 소정 형상의 마스크를 장착한 다음, 자외선을 조사하고, 테트라메틸암모늄하이드록사이드(TMAH) 2.38중량% 수용액에 75초동안 침적시켜, 자외선에 노출된 부분을 제거하여 포토레지스트 패턴을 형성하였다.
마스크로서 50μm 라인 및 스페이스 패턴을 사용하고, 노광량을 변경시키면서 노광한 다음 각 스폿들의 남아 있는 막두께를 측정한 결과 포토레지스트 조성물의 감도가 양호하였으며, 또한 본 발명의 포토레지스트 조성물에 의해 형성된 포토레지스트막은 막 두께(Tpr)를 얇게 형성할 수 있을 뿐만 아니라, 스핀 속도가 증가함에 따라 막두께가 선형적으로 변화하므로, 필요에 따라 스핀 속도를 변경할 경우에도 신뢰성 있게 막 두께를 예측할 수 있으며, 잔막률이 적다.
[실시예 2]
4인치 베어글라스상에 감광제 6.43중량%, 고분자 노볼락 수지 19.47중량%, 3-메톡시부틸아세테이트 59.3중량%, 2-헵탄온 11.1중량% 및 4-부티로락톤 3.70중량%로 이루어진 포토레지스트 조성물을 적하하고, 1300rpm의 회전속도로 4.5초간 회전시킨 다음, 상기 글라스를 135℃에서 90초간 가열 건조하여 1.60μm 두께의 필름막을 형성하였다. 상기 필름막상에 소정 형상의 마스크를 장착한 다음, 자외선을 조사하고, 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(TMAH) 2.38중량% 수용액에 75초동안 침적시켜, 자외선에 노출된 부분을 제거하여 포토레지스트 패턴을 형성하였다.
이때, 마스크로서 50μm 라인 및 스페이스 패턴을 사용하고, 노광량을 변경시키면서 노광한 다음 각 스폿들의 남아 있는 막두께를 측정하한 결과 감도가 매우 양호함을 알 수 있었다. 또한 균일한 막두께의 형성이 가능한지를 판단하기 위하여, 스핀 코팅시의 회전속도를 950rpm에서 1400rpm으로 변화시키고, 90℃ 및 135℃에서 90초간 소프트 베이크를 실시한 후 막두께(Tpr, μm)를 측정하여, 표 1에 나타내었다.
상기 표 1로부터 알 수 있는 바와 같이 본 발명의 포토레지스트 조성물에 의한 막은 막 두께(Tpr)가 얇을 뿐만 아니라, 스핀 속도가 증가함에 따라 막두께가 선형적으로 변화하므로, 필요에 따라 스핀 속도를 변경할 경우에도 신뢰성 있게 막 두께를 예측할 수 있다.
상기한 바와 같이, 본 발명의 포지티브형 포토레지스트 조성물은 스핀 코터를 더욱 고속으로 운전시킬 수 있으며, 또한 노광량을 적게하여도 충분한 노광이 되므로 공정시간을 단축할 수 있으며, 동시에 감광속도, 잔막율 등의 특성이 우수한 포토레지스트를 제조할 수 있을 뿐만 아니라, 특히 악취의 발생이 없으므로 작업환경을 양호하게 변화시킬 수 있다.
Claims (13)
- a) 기판 상에 형성된 절연막 또는 도전성 금속막에고분자 노볼락 수지 10 내지 25 중량%, 디아지드계 감광성 화합물 4 내지 10 중량%, 및 3-메톡시부틸아세테이트 및 4-부티로락톤의 혼합용매 또는 3-메톡시부틸아세테이트, 2-헵탄온 및 4-부티로락톤의 혼합용매 65 내지 85 중량%를 포함하는 포지티브형 포토레지스트 조성물을 적하하고,상기 기판이 정지상태에서 1250 내지 1350rpm의 속도로 회전하도록 4.2초 내지 4.8초 동안 가속하여 포토레지스트 조성물을 코팅하는 공정;b) 상기 코팅된 조성물을 건조시키는 공정;c) 건조된 조성물을 노광하는 공정; 및d) 알카리 현상액으로 노광 부위의 조성물을 제거하는 공정을 포함하는 포지티브형 포토레지스트 막의 제조방법.
- (삭제)
- 제1항에 있어서, 상기 3-메톡시부틸아세테이트과 4-부티로락톤은 60 내지 80중량부: 2 내지 10중량부의 비율로 혼합되어 있는 것을 특징으로 하는 포지티브형 포토레지스트 막의 제조방법.
- (삭제)
- 제1항에 있어서, 상기 3-메톡시부틸아세테이트, 2-헵탄온과 4-부티로락톤은 50 내지 70중량부: 5 내지 15중량부 : 2 내지 10중량부의 비율로 혼합되어 있는 것을 특징으로 하는 포지티브형 포토레지스트 막의 제조방법.
- (삭제)
- (삭제)
- a) 고분자 노볼락 수지 10 내지 25 중량%,b) 디아지드계 감광성 화합물 4 내지 10 중량%, 및c) 3-메톡시부틸아세테이트 및 4-부티로락톤의 혼합용매 또는 3-메톡시부틸아세테이트, 2-헵탄온 및 4-부티로락톤의 혼합용매 65 내지 85 중량%를 포함하는 포지티브형 포토레지스트 조성물.
- 제8항에 있어서, 상기 3-메톡시부틸아세테이트 및 4-부티로락톤은 60 내지 80 중량부: 2 내지 10 중량부의 비율로 혼합되어 있는 것을 특징으로 하는 포지티브형 포토레지스트 조성물.
- 제8항에 있어서, 상기 3-메톡시부틸아세테이트, 2-헵탄온, 및 4-부티로락톤은 50 내지 70 중량부: 5 내지 15 중량부 : 2 내지 10 중량부의 비율로 혼합되어 있는 것을 특징으로 하는 포지티브형 포토레지스트 조성물.
- a) 고분자 노볼락 수지 10 내지 25 중량%, 디아지드계 감광성 화합물 4 내지 10 중량%, 및 3-메톡시부틸아세테이트 및 4-부티로락톤의 혼합용매 또는 3-메톡시부틸아세테이트, 2-헵탄온 및 4-부티로락톤의 혼합용매 65 내지 85 중량%를 포함하는 포지티브형 포토레지스트 조성물을 기판 상에 형성된 절연막 또는 도전성 금속막에 적하하고 코팅하는 공정;b) 상기 코팅된 조성물을 건조시키는 공정;c) 건조된 조성물을 노광하는 공정; 및d) 알카리 현상액으로 노광 부위의 조성물을 제거하는 공정을 포함하는 포지티브형 포토레지스트 막의 제조방법.
- 제11항에 있어서, 상기 코팅은 기판이 정지상태에서 1250 내지 1350rpm의 속도로 회전하도록 4.2초 내지 4.8초 동안 가속하여 실시되는 포지티브형 포토레지스트 막의 제조방법.
- 제11항 기재의 방법으로 제조된 포지티브형 포토레지스트 막.
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| KR100299689B1 (ko) * | 1999-08-30 | 2001-09-13 | 한의섭 | 포지티브형 포토레지스트 조성물 |
| JP4053402B2 (ja) * | 2002-10-23 | 2008-02-27 | 東京応化工業株式会社 | Ｌｃｄ製造用ポジ型ホトレジスト組成物およびレジストパターンの形成方法 |
| KR100598290B1 (ko) * | 2004-05-20 | 2006-07-07 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 리소그래피 공정의 감광막 패턴 형성 방법 |
| JP2007101715A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Fujifilm Corp | パターン形成方法及びそれに用いるレジスト組成物 |
| JP2007279237A (ja) * | 2006-04-04 | 2007-10-25 | Nitto Denko Corp | 光導波路の製法 |
| US20220035251A1 (en) * | 2020-07-31 | 2022-02-03 | Applied Materials, Inc. | Methods to fabricate 2d wedge and localized encapsulation for diffractive optics |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980064669A (ko) * | 1996-12-26 | 1998-10-07 | 다에머얀 | 롤러 코팅용 방사선 감응성 조성물 |
| KR100207298B1 (ko) * | 1990-12-27 | 1999-07-15 | 마쯔모또 에이찌 | 미세 레지스트 패턴의 형성 방법 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03155554A (ja) | 1989-11-14 | 1991-07-03 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 放射線感応性樹脂組成物 |
| US5332650A (en) | 1991-09-06 | 1994-07-26 | Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. | Radiation-sensitive composition |
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| AU7211498A (en) | 1997-04-09 | 1998-10-30 | Ciba Specialty Chemicals Holding Inc. | Black-pigmented structured high molecular weight material |
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-
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-
2000
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Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100207298B1 (ko) * | 1990-12-27 | 1999-07-15 | 마쯔모또 에이찌 | 미세 레지스트 패턴의 형성 방법 |
| KR19980064669A (ko) * | 1996-12-26 | 1998-10-07 | 다에머얀 | 롤러 코팅용 방사선 감응성 조성물 |
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| J301 | Trial decision |
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