JP2698228B2 - 感光性樹脂用現像液 - Google Patents

感光性樹脂用現像液

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JP2698228B2
JP2698228B2 JP3104053A JP10405391A JP2698228B2 JP 2698228 B2 JP2698228 B2 JP 2698228B2 JP 3104053 A JP3104053 A JP 3104053A JP 10405391 A JP10405391 A JP 10405391A JP 2698228 B2 JP2698228 B2 JP 2698228B2
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江津 竹内
敏郎 竹田
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【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はコントラストにすぐれた
パターンを得るための感光性樹脂用現像液に関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体工業において、ICやLS
I等の超微細回路の作成、あるいは加工の必要なパッケ
ージ中の絶縁膜や保護膜にフォトレジストや感光性ポリ
イミド等の感光性樹脂が多用されている。感光性樹脂の
特徴は比較的簡便な装置で高精度の樹脂パターンを得る
ことができる点である。特に、ナフトキノンジアジド等
を感光剤に用いたポジ型のフォトレジストは、現像時に
膨潤を起こさないため解像度に優れたパターンの形成が
可能である、また現像液がアルカリ性水溶液であるため
有機溶剤のような毒性を持たない、といった数々の特徴
を有するため、上記半導体の微細回路等の製造に多用さ
れている。一方、半導体の絶縁膜や保護膜に用いる感光
性ポリイミドのような感光性耐熱性樹脂においても、高
解像度や現像液の無公害性等の特徴をもつポジ型の感光
性耐熱性樹脂がフォトレジスト同様に開発され(例えば
特開昭64−60630号公報、特公平1−46862
号公報等)、高集積化された半導体の絶縁膜や保護膜用
樹脂として注目を集めている。
【0003】これらのポジ型感光性樹脂の多くは、アル
カリ可溶性ポリマーに上述のようなナフトキノンジアジ
ド化合物等を感光剤として組みあわせることによりな
る。未露光部においては、これらのナフトキノンジアジ
ド化合物等はアルカリ性水溶液に不溶であるが、露光に
よって化学変化を起こしアルカリ性水溶液に可溶とな
る。そのため、この露光/未露光での溶解度差を用い、
この化合物を添加した樹脂の塗膜を露光の後アルカリ性
水溶液により処理する工程により、未露光部のみの塗膜
パターンの作成が可能となる。
【0004】良く知られるように、これら感光性樹脂を
評価する特性としては感度(いかに少ない露光エネルギ
ーでパターンを形成し得るか)、解像度(いかに微細な
形状のパターンを形成することができるか)と共にコン
トラスト(いかに露光部と未露光部の現像液に対する溶
解度の差が大きいか)があげられる。ここで、このコン
トラストに着目すると、この感光系においてはベースと
なるポリマー自体は露光/未露光にかかわらずアルカリ
溶液に可溶なため、現像時未露光部も溶解する。そのた
め従来のアルカリ現像液を使用した現像では未露光部の
膜厚は減少し、良好なコントラストが得られなかった。
この欠点を改善するために、複素環化合物、環状酸無水
物等の溶解性調節剤を感光性樹脂組成物中に添加し、樹
脂の溶解度を抑制する方法が知られている(特公昭48
−12242号公報、特公昭56−30850号公報
等)。ところが、これら添加剤は現像後も樹脂中に残
る。そのため、これら感光性樹脂の耐熱性、機械性能等
がこれら添加剤により低下し、感光性樹脂を半導体絶縁
膜等の用途への使用を困難なものとしていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、アルカリ可
溶性ポリマーを用いた感光性樹脂より、感度、解像度に
優れるのみならずコントラストの高いパターンを得るこ
とが可能な現像液を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、酢酸カルシウ
を含有するアルカリ性水溶液であることを特徴とする
現像液である。
【0007】
【作用】本発明における現像液は、アルカリ可溶性ポリ
マーを溶解除去するためのものである。そのため液をア
ルカリ性にするためのアルカリ化合物が溶解した水溶液
となっていることが必須である。アルカリ化合物の例と
しては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナト
リウム、珪酸ナトリウム、メタ珪酸ナトリウム、アンモ
ニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、n−プロピ
ルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−n−
プロピルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、
メチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタ
ノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールア
ミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テト
ラエチルアンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニ
ウム塩等をあげることができる。
【0008】本発明の大きな特徴は、そのアルカリ溶液
中に酢酸カルシウムを存在せしめることにある。それに
より、現像後生成する樹脂パターンのコントラストを著
しく高めることが可能となった。これらの金属化合物に
よるコントラスト増強効果は、金属化合物が特に未露光
部の樹脂塗膜を強く不溶化することにより生じている。
この詳細な機構については未だ不明であるが、恐らく金
属陽イオンと未露光部樹脂との間に何らかの相互作用が
生じていることによると考えられる。
【0009】本発明による現像液中の酢酸カルシウム
合計金属の含有量は、金属単体として現像液全体の1p
pm以上1000ppm以下、望ましくは10ppm以
上200ppm以下にするのがよい。1ppm未満の場
合、酢酸カルシウムの含有量が少なすぎてコントラスト
増強の効果が得られない。逆に、1000ppmより多
いと、未露光部と共に露光部の溶解性も同時に著しく低
下し、パターンの形成が良好に行われない。
【0010】本発明による現像液は、一般的には上記の
アルカリ化合物と酢酸カルシウムを水に溶解させること
によって得ることができる。この際半導体の分野で用い
られる水は不純物を出来る限り少くしたイオン交換水、
超純水などである。また、この水溶液中にメタノール、
エタノールのようなアルコール類等の水溶性有機溶剤や
界面活性剤などを適当量添加して使用することも可能で
ある。
【0011】本発明による現像液により現像可能な樹脂
としては、ナフトキノンジアジド化合物等と組み合わせ
ることによってポジ型の感光性を有するアルカリ可溶性
ポリマーを挙げることができる。ここでアルカリ可溶性
ポリマーの例として、フェノールノボラック樹脂、クレ
ゾールノボラック樹脂、ポリアミド酸、フェノール性水
酸基含有ポリイミド、ポリアミドフェノール、ポリビニ
ルフェノール、ポリアクリル酸およびその共重合体など
がある。その他に、露光部と未露光部との溶解度差の小
さいアルカリ現像液を使用するネガ型感光性樹脂への適
用も可能である。
【0012】本発明による現像液の使用法は、従来のア
ルカリ現像液のそれと全く同様である。即ち、溶液状態
の感光性樹脂を基板上に塗布、乾燥の後パターンの形に
露光する。必要に応じてポストベークの後、現像液によ
りポジ型ならば露光部、ネガ型ならば未露光部の樹脂塗
膜を溶解除去する。ここで本発明による現像液を用いる
ことによって残る塗膜の溶解が最小限となるため、非常
にコントラストに優れた樹脂パターンが生成する。現像
後塗膜上の現像液は水でリンスすることにより簡単且つ
完全に除去できる。ここに本発明の大きな特徴がある。
すなわち、コントラスト増強剤としての金属化合物は現
像液とともに樹脂から除去されるため、樹脂中に添加す
る溶解度調節剤のように現像後も樹脂中に残存して樹脂
特性を低下せしめることが全く存在しない。現像後、適
当なポストキュアの後解像度及びコントラストに優れた
樹脂パターンを得ることができる。
【0013】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明はその要旨を越えない限り以下の実施例に
限定されるものではない。
【0014】(実施例1)下記構造(1)を有するポリ
アミドフェノール100重量部、
【0015】
【化1】
【0016】下記構造(2)を有するオルトナフトキノ
ンジアジドスルホン酸アミド20重量部を
【0017】
【化2】
【0018】N−メチル2−ピロリドン233重量部に
溶解し、感光性ワニスAを調製した。この感光性ワニス
Aをシリコンウェハー上にスピンコートし、ホットプレ
ート上において120℃で2分加熱し溶剤を蒸発させ
て、膜厚10μmの塗膜を形成した。この塗膜上に凸版
印刷(株)製マスク(テストチャートNo1;幅50μ
m〜0.88μmの残しパターン及び抜きパターンが描
かれている。)を通して高圧水銀灯からの紫外光線を2
00mJ/cm照射した。得られた塗膜をテトラメチ
ルアンモニウムヒドロキシド0.95重量部、水99.
05重量部、酢酸カルシウム0.003重量部(30p
pm)よりなる現像液を用いて30秒間パドル法により
現像し、露光部の塗膜を溶解除去したのちに水によって
10秒間現像液を洗い流した。その結果を第1表に示
す。マスクのパターンと同じ形状の樹脂パターンが形成
された。しかも現像時の膜減り率(現像による厚み減少
÷現像前の厚み×100;この値の小さい方が現像後の
コントラストに優れる。)が13%でコントラストにす
ぐれた良好な樹脂パターンが得られた。
【0019】(実施例2)m−クレゾールホルムアルデ
ヒドノボラック樹脂100重量部、下記の構造(3)を
有するオルトナフトキノンジアジドスルホン酸アミド2
0重量部を
【0020】
【化3】
【0021】酢酸2−エトキシエチル480重量部に溶
解し、感光姓ワニスBを調製した。この感光性ワニスB
をシリコンウェハー上にスピンコートし、ホットプレー
ト上において135℃で1分間加熱し溶剤を蒸発させ
て、膜厚2.5μmの塗膜を形成した。この塗膜を実施
例1と同様にこの塗膜上に凸版印刷(株)製マスク(テ
ストチャートNo.1)を通して高圧水銀灯からの紫外
光線を100mJ/cm照射した。得られた塗膜をテ
トラメチルアンモニウムヒドロキシド2.38重量部、
水97.62重量部、酢酸カルシウム0.003重量部
(30ppm)よりなる現像液を用いて実施例1と同様
のパターニング操作を行なった。その結果を第1表にあ
わせて示す。マスクのパターンと同じ形状を有し、しか
も膜減り率が4%と現像前の厚みをほぼそのまま保持し
た良好な樹脂パターンが形成された。
【0022】(比較例1)実施例1において現像液をテ
トラメチルアンモニウムヒドロキシド0.95重量部、
水99.05重量部、塩化ストロンチウム0.003重
量部(30ppm)よりなるものに変更して実施例1と
同様の操作を行った。その結果を第1表にあわせて示
す。マスクのパターンと同じ形状を有しているものの、
膜減り率が23%と薄くなった樹脂パターンが形成され
た。
【0023】(比較例2)実施例1において現像液をテ
トラメチルアンモニウムヒドロキシド0.95重量部、
水99.05重量部、塩化バリウム0.02重量部(2
00ppm)よりなるものに変更して実施例1と同様の
操作を行った。その結果を第1表にあわせて示す。マス
クのパターンと同じ形状を有しているものの、膜減り率
が25%と薄くなった樹脂パターンが形成された。
【0024】
【0025】(比較例3)実施例1において現像液をテ
トラメチルアンモニウムヒドロキシド0.95重量部、
水99.05重量部のみよりなるカルシウム化合物を含
まないものに変更して実施例1と同様の操作を行なっ
た。ところが、乾燥後の厚みが10μmの塗膜より生成
したパターンの厚みは4.5μmと膜減り率55%で非
常に薄くなりコントラストの悪いものであった。
【0026】(比較例4)実施例2において現像液をテ
トラメチルアンモニウムヒドロキシド2.38重量部、
水97.62重量部のみよりなるカルシウム化合物を含
まないものに変更して実施例1と同様の操作を行なっ
た。ところが、乾燥後の厚みが2.5μmの塗膜より生
成したパターンの厚みは1.7μmと膜減り率32%で
コントラストの劣るものであった。
【0027】
【表1】
【0028】第1表に示されるように従来のものに比
べ、本発明の現像液を用いたものは膜減り率がワニスA
では半分程度に、ワニスBでは1〜2割程度にまで減少
させることが出来る。本発明による現像液を使用してポ
ジ型感光性樹脂の光加工を行なうことにより、樹脂の処
方を一切変更することなく未露光部の現像液に対する溶
解性を最小限に抑制することができる。そのため、非常
にコントラストにすぐれた樹脂パターンを形成すること
が可能となる。

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 酢酸カルシウムを含有するアルカリ性水
    溶液であることを特徴とする感光性樹脂用現像液。
  2. 【請求項2】 酢酸カルシウムの合計金属の含有量が全
    現像液に対し1ppm以上1000ppm以下である請
    求項1記載の感光性樹脂用現像液。
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EP91108689A EP0459395B1 (en) 1990-05-29 1991-05-28 Positive photo-sensitive resin composition
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JPS62131263A (ja) * 1985-12-03 1987-06-13 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 感光性平版印刷版の現像液組成物及び現像方法
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