JPH11249323A - レジスト現像方法 - Google Patents
レジスト現像方法Info
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- JPH11249323A JPH11249323A JP5365398A JP5365398A JPH11249323A JP H11249323 A JPH11249323 A JP H11249323A JP 5365398 A JP5365398 A JP 5365398A JP 5365398 A JP5365398 A JP 5365398A JP H11249323 A JPH11249323 A JP H11249323A
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- developing
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- acid
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】レジストパターンの倒壊、損傷等の発生を大幅
に抑え得るレジスト現像方法を提供すること。 【解決手段】ｐＨが９〜１５のアルカリ水溶液を用いて
現像する工程と、ｐＨが−１〜６のリンス水を用いてリ
ンスする工程とを有することを特徴とするレジスト現像
方法。
に抑え得るレジスト現像方法を提供すること。 【解決手段】ｐＨが９〜１５のアルカリ水溶液を用いて
現像する工程と、ｐＨが−１〜６のリンス水を用いてリ
ンスする工程とを有することを特徴とするレジスト現像
方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子等の製
造工程におけるレジストの現像方法に関する。
造工程におけるレジストの現像方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置を形成している半導体
素子の大きさや配線の微細化、細線化に伴い、それらを
製造する際に用いられるレジストパターンが微細化し、
その実現に必要な最小加工寸法は０．３〜０．１μｍレ
ベルに達している。
素子の大きさや配線の微細化、細線化に伴い、それらを
製造する際に用いられるレジストパターンが微細化し、
その実現に必要な最小加工寸法は０．３〜０．１μｍレ
ベルに達している。
【０００３】レジストパターンは、シリコンウエハ等の
基板上にレジストを塗布し、ベーキングする工程、その
レジスト上に紫外線、エキシマレーザー光等を照射し、
所望のパターンを形成する露光工程、次いで露光部のレ
ジスト又は非露光部のレジストを除去する現像工程を経
て形成される。
基板上にレジストを塗布し、ベーキングする工程、その
レジスト上に紫外線、エキシマレーザー光等を照射し、
所望のパターンを形成する露光工程、次いで露光部のレ
ジスト又は非露光部のレジストを除去する現像工程を経
て形成される。
【０００４】レジストパターンの加工寸法が０．３μｍ
以下に微細化されるにつれ、前記のように形成されるレ
ジストパターンの形状は、より幅が薄くかつ縦長の形状
となるため、各工程の中でも、特に現像工程において、
レジストパターンは壊れやすく、その形状維持が極めて
困難となるという欠点がある。
以下に微細化されるにつれ、前記のように形成されるレ
ジストパターンの形状は、より幅が薄くかつ縦長の形状
となるため、各工程の中でも、特に現像工程において、
レジストパターンは壊れやすく、その形状維持が極めて
困難となるという欠点がある。
【０００５】現像工程は、レジストと現像液を接触させ
て露光部又は非露光部のレジストを溶解除去して現像す
る工程、現像に使用した現像液をリンス水で除去するリ
ンス工程、ついで残留するリンス水を乾燥する乾燥工程
からなり、リンス工程や乾燥工程において、レジストパ
ターンの倒壊や損傷が発生しやすい。
て露光部又は非露光部のレジストを溶解除去して現像す
る工程、現像に使用した現像液をリンス水で除去するリ
ンス工程、ついで残留するリンス水を乾燥する乾燥工程
からなり、リンス工程や乾燥工程において、レジストパ
ターンの倒壊や損傷が発生しやすい。
【０００６】現像工程におけるリンス工程や乾燥工程で
発生するレジストパターンの倒壊や損傷を抑制するた
め、例えば、リンス水中でレジストの強度を上げるた
め、紫外線等を照射してレジストを架橋させたり、酸触
媒架橋促進型のレジストを架橋させた後、酸性液中で処
理することによりレジストの架橋度を上げる方法（特開
平６−２７５５１４号公報）、水よりも表面張力が小さ
い２−メチル−２−プロパノール等の溶剤を水に配合し
たリンス水を用いる方法（特開平７−１０６２２６号公
報）等が開示されている。
発生するレジストパターンの倒壊や損傷を抑制するた
め、例えば、リンス水中でレジストの強度を上げるた
め、紫外線等を照射してレジストを架橋させたり、酸触
媒架橋促進型のレジストを架橋させた後、酸性液中で処
理することによりレジストの架橋度を上げる方法（特開
平６−２７５５１４号公報）、水よりも表面張力が小さ
い２−メチル−２−プロパノール等の溶剤を水に配合し
たリンス水を用いる方法（特開平７−１０６２２６号公
報）等が開示されている。
【０００７】しかし、かかる従来技術には、レジストの
種類が光照射により架橋度が上がる樹脂、酸触媒架橋促
進型のレジスト等に限定されたり、あるいは２−メチル
−２−プロパノールのような溶剤がレジストに浸透しレ
ジスト強度を低下させる等の欠点があり、レジストの種
類に関わらず、レジストパターンの倒壊、損傷の発生を
抑えることができる現像方法の開発が強く望まれてい
る。
種類が光照射により架橋度が上がる樹脂、酸触媒架橋促
進型のレジスト等に限定されたり、あるいは２−メチル
−２−プロパノールのような溶剤がレジストに浸透しレ
ジスト強度を低下させる等の欠点があり、レジストの種
類に関わらず、レジストパターンの倒壊、損傷の発生を
抑えることができる現像方法の開発が強く望まれてい
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、レジストパ
ターンの倒壊、損傷等の発生を大幅に抑え得るレジスト
現像方法を提供することを目的とする。
ターンの倒壊、損傷等の発生を大幅に抑え得るレジスト
現像方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明の要旨は、
ｐＨが９〜１５のアルカリ水溶液を用いて現像する工程
と、ｐＨが−１〜６のリンス水を用いてリンスする工程
とを有することを特徴とするレジスト現像方法に関す
る。
ｐＨが９〜１５のアルカリ水溶液を用いて現像する工程
と、ｐＨが−１〜６のリンス水を用いてリンスする工程
とを有することを特徴とするレジスト現像方法に関す
る。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明に用いられるレジストは、
特に限定されず、例えば、フェノール樹脂とナフトキノ
ンジアジド誘導体を主成分とするレジストが挙げられ
る。また、露光により酸を発生させ、それによりレジス
トを分解し、露光部のレジストを現像液に可溶化又は不
溶化させる、ポリスチレン化フェノール誘導体、あるい
はメタクリル酸エステル誘導体ポリマーからなる化学増
幅型レジスト等が挙げられる。
特に限定されず、例えば、フェノール樹脂とナフトキノ
ンジアジド誘導体を主成分とするレジストが挙げられ
る。また、露光により酸を発生させ、それによりレジス
トを分解し、露光部のレジストを現像液に可溶化又は不
溶化させる、ポリスチレン化フェノール誘導体、あるい
はメタクリル酸エステル誘導体ポリマーからなる化学増
幅型レジスト等が挙げられる。
【００１１】本発明においては、まずレジストを、常法
により、ウエハ等の基板上に塗布し、ベーキングするこ
とにより、レジスト膜を形成させる。形成されたレジス
ト膜上に、所望のパターンを露光する。次に、露光した
レジストをｐＨ９〜１５のアルカリ水溶液を用いて、露
光部又は非露光部のレジストを溶解除去することにより
現像する。
により、ウエハ等の基板上に塗布し、ベーキングするこ
とにより、レジスト膜を形成させる。形成されたレジス
ト膜上に、所望のパターンを露光する。次に、露光した
レジストをｐＨ９〜１５のアルカリ水溶液を用いて、露
光部又は非露光部のレジストを溶解除去することにより
現像する。
【００１２】なお、本明細書にいうｐＨは、ＪＩＳ Ｚ
８８０２（１９８４年）に規定の「ｐＨ測定方法」に
従って測定した値をいう。
８８０２（１９８４年）に規定の「ｐＨ測定方法」に
従って測定した値をいう。
【００１３】アルカリ水溶液に含有される化合物として
は、塩基性無機化合物及び塩基性有機化合物からなる群
より選ばれた１種以上を用いることができる。
は、塩基性無機化合物及び塩基性有機化合物からなる群
より選ばれた１種以上を用いることができる。
【００１４】塩基性無機化合物としては、例えば、ナト
リウム、カリウム等のアルカリ金属の水酸化物、酸化
物、無機酸塩及び有機酸塩等が挙げられる。
リウム、カリウム等のアルカリ金属の水酸化物、酸化
物、無機酸塩及び有機酸塩等が挙げられる。
【００１５】塩基性有機化合物としては、例えば、分子
中に１〜３級の窒素あるいは４級アンモニウム塩を有す
る炭素数１〜２０のアルキルアミンあるいは４級アンモ
ニウム塩、分子量５０〜１０００のポリアルキルアミ
ン、これらにアルキレンオキサイドを付加した化合物、
アンモニア、これらの無機酸塩及び有機酸塩等が挙げら
れる。
中に１〜３級の窒素あるいは４級アンモニウム塩を有す
る炭素数１〜２０のアルキルアミンあるいは４級アンモ
ニウム塩、分子量５０〜１０００のポリアルキルアミ
ン、これらにアルキレンオキサイドを付加した化合物、
アンモニア、これらの無機酸塩及び有機酸塩等が挙げら
れる。
【００１６】塩基性無機化合物及び塩基性有機化合物の
中では、半導体装置の電気的特性等の品質面を保持する
観点から、塩基性有機化合物が好ましく、特に、ＴＭＡ
Ｈ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）、
コリン及びモノエタノールアミンが好ましい。
中では、半導体装置の電気的特性等の品質面を保持する
観点から、塩基性有機化合物が好ましく、特に、ＴＭＡ
Ｈ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）、
コリン及びモノエタノールアミンが好ましい。
【００１７】アルカリ水溶液のｐＨは、現像速度及び生
産性の向上の観点から、９以上、好ましくは１２以上で
あることが望ましく、現像速度の過剰の高速化を防ぎ、
現像コントロールを容易にする観点から、１５以下、好
ましくは１４以下であることが望ましい。アルカリ水溶
液のｐＨは、適度な現像速度を確保する観点から、１２
〜１４が更に好ましい。
産性の向上の観点から、９以上、好ましくは１２以上で
あることが望ましく、現像速度の過剰の高速化を防ぎ、
現像コントロールを容易にする観点から、１５以下、好
ましくは１４以下であることが望ましい。アルカリ水溶
液のｐＨは、適度な現像速度を確保する観点から、１２
〜１４が更に好ましい。
【００１８】現像の際のアルカリ水溶液の温度条件とし
ては、特に限定はなく、１０〜６０℃程度であればよ
い。また、現像に要する時間としては、特に限定がな
く、１０〜２００秒程度であればよい。
ては、特に限定はなく、１０〜６０℃程度であればよ
い。また、現像に要する時間としては、特に限定がな
く、１０〜２００秒程度であればよい。
【００１９】現像した後には、レジストをｐＨ−１〜６
のリンス水でリンスする。
のリンス水でリンスする。
【００２０】本発明では、リンス水がｐＨ−１〜６を有
する点に大きな特徴がある。即ち、ｐＨ９〜１５、特に
１２〜１４の高アルカリ水溶液を用いて現像した場合、
この高アルカリ液は、優れた現像性を示すものの、現像
して形成されたレジストとウエハ等の基板との接着面に
作用し、例えば、ウエハ表面に絶縁膜として形成されて
いる珪酸の酸化膜や、配線材料のアルミニウム等の金属
を、腐食したりエッチングし、又は接着面に高アルカリ
液が浸透してレジストを変質し、レジストの接着面積や
接着力を低下させる傾向がある。
する点に大きな特徴がある。即ち、ｐＨ９〜１５、特に
１２〜１４の高アルカリ水溶液を用いて現像した場合、
この高アルカリ液は、優れた現像性を示すものの、現像
して形成されたレジストとウエハ等の基板との接着面に
作用し、例えば、ウエハ表面に絶縁膜として形成されて
いる珪酸の酸化膜や、配線材料のアルミニウム等の金属
を、腐食したりエッチングし、又は接着面に高アルカリ
液が浸透してレジストを変質し、レジストの接着面積や
接着力を低下させる傾向がある。
【００２１】しかしながら、このリンス水を使用するこ
とにより、レジストとウエハ等の基板との接着面近傍の
高アルカリ液を中和等の作用で短時間で無害化すること
ができ、高アルカリ液のエッチング性やレジストの変質
等による接触面積及び接着力の低下等の障害を速やかに
除くことができる。
とにより、レジストとウエハ等の基板との接着面近傍の
高アルカリ液を中和等の作用で短時間で無害化すること
ができ、高アルカリ液のエッチング性やレジストの変質
等による接触面積及び接着力の低下等の障害を速やかに
除くことができる。
【００２２】リンス水のｐＨを−１〜６にするための化
合物としては、例えば、無機酸、有機酸及びそれらの塩
を少なくとも１種以上用いることができる。無機酸とし
ては、例えば、塩酸、フッ酸、臭素酸等のハロゲン化水
素酸、硫酸、亜硫酸、硝酸、亜硝酸、燐酸、炭酸等及び
それらの無機アルカリとの塩又は有機アルカリとの塩で
あって、酸性である塩が挙げられる。また有機酸として
は、例えば、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、蓚酸、マレイ
ン酸、乳酸、グルコン酸等のカルボン酸類；パラトルエ
ンスルホン酸、アルキルベンゼンスルホン酸、アルキル
スルホネート等のアルキル硫酸類やアルキル硫酸エステ
ル類；アルキルリン酸エステルや含リン系の有機酸類；
及びそれらと無機アルカリとの塩又は有機アルカリとの
塩が挙げられる。これらの中では、レジストパターンの
倒壊防止性の面から、特に無機酸及び炭素数１〜１０の
有機酸が好ましい。
合物としては、例えば、無機酸、有機酸及びそれらの塩
を少なくとも１種以上用いることができる。無機酸とし
ては、例えば、塩酸、フッ酸、臭素酸等のハロゲン化水
素酸、硫酸、亜硫酸、硝酸、亜硝酸、燐酸、炭酸等及び
それらの無機アルカリとの塩又は有機アルカリとの塩で
あって、酸性である塩が挙げられる。また有機酸として
は、例えば、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、蓚酸、マレイ
ン酸、乳酸、グルコン酸等のカルボン酸類；パラトルエ
ンスルホン酸、アルキルベンゼンスルホン酸、アルキル
スルホネート等のアルキル硫酸類やアルキル硫酸エステ
ル類；アルキルリン酸エステルや含リン系の有機酸類；
及びそれらと無機アルカリとの塩又は有機アルカリとの
塩が挙げられる。これらの中では、レジストパターンの
倒壊防止性の面から、特に無機酸及び炭素数１〜１０の
有機酸が好ましい。
【００２３】かかる化合物を含有するリンス水として
は、例えば、２０℃の純水中に該化合物を０．００１重
量％以上溶解させた溶液が好ましく、０．０５重量％以
上溶解させたものがより好ましい。特に、分子中にカル
ボキシル基と水酸基とを有する化合物等の有機酸の水溶
液が好ましい。
は、例えば、２０℃の純水中に該化合物を０．００１重
量％以上溶解させた溶液が好ましく、０．０５重量％以
上溶解させたものがより好ましい。特に、分子中にカル
ボキシル基と水酸基とを有する化合物等の有機酸の水溶
液が好ましい。
【００２４】また、リンス水は、必要に応じて、前記以
外の化合物を含有していてもよい。
外の化合物を含有していてもよい。
【００２５】また、リンス水として、純水等の水を電気
分解することによって得られるｐＨ−１〜６の水が挙げ
られ、特に、純水を電気分解することによって得られる
ｐＨ−１〜６の水は、無機の酸、有機の酸又はそれらの
塩を含有させてｐＨを６以下にしたリンス水と比べて、
リンス水を除去するための洗浄が必要でなく、リンス時
間及びリンス水量を少なくすることができる点から、好
ましい。
分解することによって得られるｐＨ−１〜６の水が挙げ
られ、特に、純水を電気分解することによって得られる
ｐＨ−１〜６の水は、無機の酸、有機の酸又はそれらの
塩を含有させてｐＨを６以下にしたリンス水と比べて、
リンス水を除去するための洗浄が必要でなく、リンス時
間及びリンス水量を少なくすることができる点から、好
ましい。
【００２６】リンス水のｐＨは、レジストパターンの倒
壊を防止する観点から、−１〜６であり、−０．２〜５
がより好ましく、特に０〜４が好ましい。ｐＨが６を超
えるとレジストパターンの倒壊防止効果が低くなる。
壊を防止する観点から、−１〜６であり、−０．２〜５
がより好ましく、特に０〜４が好ましい。ｐＨが６を超
えるとレジストパターンの倒壊防止効果が低くなる。
【００２７】リンスは、例えば、リンス水のｐＨを変え
ながら行ってもよく、また純水を組み合わせて行っても
よい。リンス工程の最終リンスには、純水リンスを行う
ことが好ましい。また、リンスの時間としては、特に限
定はなく、１０〜３００秒程度であればよい。
ながら行ってもよく、また純水を組み合わせて行っても
よい。リンス工程の最終リンスには、純水リンスを行う
ことが好ましい。また、リンスの時間としては、特に限
定はなく、１０〜３００秒程度であればよい。
【００２８】リンス方法として、処理すべきウエハ等に
基板を、例えば、スピンナーを用い、パドル法等により
１枚づつ、又はカセット方式により複数枚数をまとめて
処理してもよく、また、スピンナー等の回転によるリン
ス水の流動やスプレー等の機械的応力を与えてリンスを
行ってもよい。これらの中では、レジストパターンの倒
壊を防止する観点から、パドル法等によりウエハを１枚
づつ処理する方法が好ましい。
基板を、例えば、スピンナーを用い、パドル法等により
１枚づつ、又はカセット方式により複数枚数をまとめて
処理してもよく、また、スピンナー等の回転によるリン
ス水の流動やスプレー等の機械的応力を与えてリンスを
行ってもよい。これらの中では、レジストパターンの倒
壊を防止する観点から、パドル法等によりウエハを１枚
づつ処理する方法が好ましい。
【００２９】次に、ウエハ等の基板を常法により、乾燥
し、残存するリンス水を除去する。
し、残存するリンス水を除去する。
【００３０】かくして得られたウエハ等に基板上のレジ
ストパターンは、倒壊、損壊の発生が大幅に抑えられた
ものであり、ＬＳＩや液晶等の半導体素子製造分野、マ
イクロマシーン等の精密機械分野あるいは各種電子部品
分野等で好適に用いられる。特に、半導体素子製造分野
は、精密で均一なレジストパターンの形成を必要とする
ため、本発明の利用分野として好ましい。
ストパターンは、倒壊、損壊の発生が大幅に抑えられた
ものであり、ＬＳＩや液晶等の半導体素子製造分野、マ
イクロマシーン等の精密機械分野あるいは各種電子部品
分野等で好適に用いられる。特に、半導体素子製造分野
は、精密で均一なレジストパターンの形成を必要とする
ため、本発明の利用分野として好ましい。
【００３１】
【実施例】実施例１〜９ ナフトキノンジアジド誘導体とフェノール樹脂からなる
ポジ型フォトレジストをウエハ（直径４インチ）上に塗
布し、次いでホットプレートを用いてこのウエハを１１
０℃で１００秒間プリベークし、１．３μｍの膜厚のレ
ジスト膜を得た。このレジスト膜上に超解像縮小投影露
光装置を用い、０．２５μｍのインアンドスペースを有
する潜像を形成した。次いでパドル上で、ｐＨが１３．
０、１３．５及び１４．５のテトラメチルアンモニウム
ハイドロオキサイド及びコリンの水溶液を用い、２０℃
で５０秒間現像を行った。現像後、表１に記載の組成を
有するリンス水で１０秒間リンスし、次いで純水で２０
秒間リンスした。リンス後のウエハ上に残留するリンス
水をスピンナーで高速回転して除去、乾燥した。乾燥後
のレジストパターンの倒壊状況を走査型顕微鏡で２００
００倍に拡大して観察して評価した。なお、表中のレジ
スト倒壊率はリンス水としてｐＨ７の水を用いた場合
（比較例１）のレジスト倒壊率を１００とし、その相対
値を示し、ＴＭＡＨはテトラメチルアンモニウムハイド
ロオキサイドを示す。
ポジ型フォトレジストをウエハ（直径４インチ）上に塗
布し、次いでホットプレートを用いてこのウエハを１１
０℃で１００秒間プリベークし、１．３μｍの膜厚のレ
ジスト膜を得た。このレジスト膜上に超解像縮小投影露
光装置を用い、０．２５μｍのインアンドスペースを有
する潜像を形成した。次いでパドル上で、ｐＨが１３．
０、１３．５及び１４．５のテトラメチルアンモニウム
ハイドロオキサイド及びコリンの水溶液を用い、２０℃
で５０秒間現像を行った。現像後、表１に記載の組成を
有するリンス水で１０秒間リンスし、次いで純水で２０
秒間リンスした。リンス後のウエハ上に残留するリンス
水をスピンナーで高速回転して除去、乾燥した。乾燥後
のレジストパターンの倒壊状況を走査型顕微鏡で２００
００倍に拡大して観察して評価した。なお、表中のレジ
スト倒壊率はリンス水としてｐＨ７の水を用いた場合
（比較例１）のレジスト倒壊率を１００とし、その相対
値を示し、ＴＭＡＨはテトラメチルアンモニウムハイド
ロオキサイドを示す。
【００３２】
【表１】
【００３３】表１の結果から、実施例１〜９で得られた
リンス水を使用すれば、比較例１で得られたリンス水
（純水のみ）を使用した場合よりも、倒壊率を大幅に低
下させることができることがわかる。特に、実施例２〜
８で得られたｐＨ０〜４のリンス水を使用すれば、倒壊
率を２０％以下に低下させることができることがわか
る。
リンス水を使用すれば、比較例１で得られたリンス水
（純水のみ）を使用した場合よりも、倒壊率を大幅に低
下させることができることがわかる。特に、実施例２〜
８で得られたｐＨ０〜４のリンス水を使用すれば、倒壊
率を２０％以下に低下させることができることがわか
る。
【００３４】
【発明の効果】本発明のレジスト現像方法は、現像工程
におけるレジストパターンの倒壊や損傷等が大幅に低減
され、現像工程で発生するパターン不良を大幅に軽減
し、半導体装置等の歩留り向上、生産性向上、品質向上
等に大きく寄与する。
におけるレジストパターンの倒壊や損傷等が大幅に低減
され、現像工程で発生するパターン不良を大幅に軽減
し、半導体装置等の歩留り向上、生産性向上、品質向上
等に大きく寄与する。
Claims (3)
- 【請求項１】 ｐＨが９〜１５のアルカリ水溶液を用い
て現像する工程と、ｐＨが−１〜６のリンス水を用いて
リンスする工程とを有することを特徴とするレジスト現
像方法。 - 【請求項２】 リンス水が無機酸、有機酸及びそれらの
塩からなる群より選ばれた１種以上の化合物を含有する
ものである請求項１記載のレジスト現像方法。 - 【請求項３】 リンス水が水を電気分解して得られたも
のである請求項１記載のレジスト現像方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5365398A JPH11249323A (ja) | 1998-03-05 | 1998-03-05 | レジスト現像方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5365398A JPH11249323A (ja) | 1998-03-05 | 1998-03-05 | レジスト現像方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11249323A true JPH11249323A (ja) | 1999-09-17 |
Family
ID=12948842
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5365398A Pending JPH11249323A (ja) | 1998-03-05 | 1998-03-05 | レジスト現像方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11249323A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002067304A1 (en) * | 2001-02-22 | 2002-08-29 | Man-Sok Hyon | A method of forming resist patterns in a semiconductor device and a semiconductor washing liquid used in said method |
| JP2010078981A (ja) * | 2008-09-26 | 2010-04-08 | Nissan Chem Ind Ltd | リソグラフィープロセスに適用されるリンス液及び当該リンス液を用いたレジストパターンの形成方法 |
| WO2011016337A1 (ja) * | 2009-08-07 | 2011-02-10 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 金属微細構造体のパターン倒壊抑制用処理液及びこれを用いた金属微細構造体の製造方法 |
| JP2011071199A (ja) * | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Toshiba Corp | 半導体基板の洗浄方法および半導体基板の洗浄装置 |
-
1998
- 1998-03-05 JP JP5365398A patent/JPH11249323A/ja active Pending
Cited By (6)
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