JPS60158442A - ポジ型フオトレジスト用現像剤 - Google Patents
ポジ型フオトレジスト用現像剤Info
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- JPS60158442A JPS60158442A JP59271073A JP27107384A JPS60158442A JP S60158442 A JPS60158442 A JP S60158442A JP 59271073 A JP59271073 A JP 59271073A JP 27107384 A JP27107384 A JP 27107384A JP S60158442 A JPS60158442 A JP S60158442A
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
- G03F7/322—Aqueous alkaline compositions
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
一本発明は、現像レジスト像において得られる解像力お
よびエツジ尖鋭度について、またその現像活性および現
像能力、および安定性について改善された性質を有する
ポジ型フォトレジスト用現像剤に関する。
よびエツジ尖鋭度について、またその現像活性および現
像能力、および安定性について改善された性質を有する
ポジ型フォトレジスト用現像剤に関する。
ポジ型およびネガ型双方のフォトレジスト材料が様々な
方式による像構造体の写真平版印刷用転写に用いられて
いる。
方式による像構造体の写真平版印刷用転写に用いられて
いる。
半導体技術およびマイクロエレクトロニクスにおいて、
ポジ型フォトレジスト材料は特にｌ要である。何故なら
ば、極微細像構造の導体および半導体基板への転写にお
いて、それらは今日なお最良の解像度を保証するからで
ある。
ポジ型フォトレジスト材料は特にｌ要である。何故なら
ば、極微細像構造の導体および半導体基板への転写にお
いて、それらは今日なお最良の解像度を保証するからで
ある。
ポジ型レジスト像を基板上に造るには、基板をラッカー
の形態のレジスト材料で被覆し、次いで像パターンを、
例えばマスクを通して露光することによりフォ）・レジ
スト層に転写する。
の形態のレジスト材料で被覆し、次いで像パターンを、
例えばマスクを通して露光することによりフォ）・レジ
スト層に転写する。
次の現像工程では、その露光されたフォトレジスト領域
を溶解除去することによってポジ型レリーフ像が基板上
に形成される。次いで例えば蝕刻、金属被覆またはドー
ピングなどによる構造化寸たは修飾をむき出しの基板領
域において行なうことができる。
を溶解除去することによってポジ型レリーフ像が基板上
に形成される。次いで例えば蝕刻、金属被覆またはドー
ピングなどによる構造化寸たは修飾をむき出しの基板領
域において行なうことができる。
使用されるポジ型フォトレジスト材料は通常、樹脂成分
としてのノボラック型のフェノール／ホルムアルデヒド
縮合生成物および感光性成分としての０−ジアゾキノン
型の化合物を基材とする感光性組成物である。通常紫外
領域にある光の作用によって水性−アルカリ性媒質への
露光フォトレジスト領域の溶解度は著しく増大する。従
ってこのようなポジ型フォトレジスト材料は水性〜アル
カリ性現像剤システム中で現像することができる。
としてのノボラック型のフェノール／ホルムアルデヒド
縮合生成物および感光性成分としての０−ジアゾキノン
型の化合物を基材とする感光性組成物である。通常紫外
領域にある光の作用によって水性−アルカリ性媒質への
露光フォトレジスト領域の溶解度は著しく増大する。従
ってこのようなポジ型フォトレジスト材料は水性〜アル
カリ性現像剤システム中で現像することができる。
高度に、そして極めて高度に集積した電子成分および回
路を製作するための半導体技術、特にＶＬＳＩ技術（ｖ
ｅｒｙ ｌａｒｇｅ ５ｃａｌｅ ｉｎｔｅｇｒａｔｉ
ｏｎのイニシャル）の微小化の進展に伴い、これら写真
平版印刷法には可及的高度に正確な再現性が必要とされ
ている。この工程の一段階としての現像はここで特に重
要である。
路を製作するための半導体技術、特にＶＬＳＩ技術（ｖ
ｅｒｙ ｌａｒｇｅ ５ｃａｌｅ ｉｎｔｅｇｒａｔｉ
ｏｎのイニシャル）の微小化の進展に伴い、これら写真
平版印刷法には可及的高度に正確な再現性が必要とされ
ている。この工程の一段階としての現像はここで特に重
要である。
解像度、エツジ構造、残留層厚および表面品質に関して
、得ようとするｄぞジ型フォトレジスト・レリーフ構造
体の品質は、露光装置の精密さおよびフォトレジストの
性質に加えて、特に現像の際の現像剤の影響によって決
まる。
、得ようとするｄぞジ型フォトレジスト・レリーフ構造
体の品質は、露光装置の精密さおよびフォトレジストの
性質に加えて、特に現像の際の現像剤の影響によって決
まる。
従来のポジ型フォトレジスト現像剤は通常、アルカリ性
ｐＨ値を生じる化合物の水溶液である。
ｐＨ値を生じる化合物の水溶液である。
大抵の場合、それらはアルカリ、例えはアルカリ金属水
酸化物、あるいはアルカリ金属塩、例えばアルカリ金属
けい酸塩またはりん酸塩などを含有する。溶液のｐＨ値
を安定化させるために現像剤を緩衝することができ、ま
た湿潤性を向上させるために、それらは極めて多様な界
面活性剤を含むことができる。
酸化物、あるいはアルカリ金属塩、例えばアルカリ金属
けい酸塩またはりん酸塩などを含有する。溶液のｐＨ値
を安定化させるために現像剤を緩衝することができ、ま
た湿潤性を向上させるために、それらは極めて多様な界
面活性剤を含むことができる。
しかしながら、既知の現像剤には、レジスト層の未露光
像領域をも相当程度冒してしまい、そして可成の層除去
を生じるという欠点がある。
像領域をも相当程度冒してしまい、そして可成の層除去
を生じるという欠点がある。
これは露光像領域と未露光像領域との境界領域において
も特に現出し、現像剤による層除去のために、残留レジ
スト・レリーフ構造体の（理想的な場合には望ましい）
９０°エツジが相自程度に傾斜しまた丸められる。この
ために、光学的パラメータにより示されるように、コン
トラストは中程度にしかならず、また可能な解像度は著
しく劣化し、そして基体の蝕刻、被覆またはド−ピング
など以後の工程のための像再生が不正確となる。
も特に現出し、現像剤による層除去のために、残留レジ
スト・レリーフ構造体の（理想的な場合には望ましい）
９０°エツジが相自程度に傾斜しまた丸められる。この
ために、光学的パラメータにより示されるように、コン
トラストは中程度にしかならず、また可能な解像度は著
しく劣化し、そして基体の蝕刻、被覆またはド−ピング
など以後の工程のための像再生が不正確となる。
さらに、既知の現像剤は限られた安定性および現像能力
を有するにすぎず、貯蔵および使用中にそれらは組成変
化を示すため、現像結果の再現性は長期にわたっては確
保されない。そのために現像すべき基板上の現像過程を
、装置的に高価な方法によって連続的にモニターしそし
て現像剤の終点を検出するのが普通である。更にまた、
現像剤やレジスト材料の分解生成物および不純物のフロ
キュレーションおよび１Ｆが現像溶液中に、そしてまた
（特に不利な要因として）基板上にみられる。
を有するにすぎず、貯蔵および使用中にそれらは組成変
化を示すため、現像結果の再現性は長期にわたっては確
保されない。そのために現像すべき基板上の現像過程を
、装置的に高価な方法によって連続的にモニターしそし
て現像剤の終点を検出するのが普通である。更にまた、
現像剤やレジスト材料の分解生成物および不純物のフロ
キュレーションおよび１Ｆが現像溶液中に、そしてまた
（特に不利な要因として）基板上にみられる。
そのために、マイクロエレクトロニクス用、特にＶＬＳ
Ｉ技術用の改良されたポジ型現像剤が要望されている。
Ｉ技術用の改良されたポジ型現像剤が要望されている。
したがって本発明の目的は、レジスト像において得られ
る解像度およびエツジ尖鋭度に関し、また安定性、現像
活性および現像能力に関して著しく改善された性質を有
するポジ型フォトレジスト現像剤を提供することにあっ
た。
る解像度およびエツジ尖鋭度に関し、また安定性、現像
活性および現像能力に関して著しく改善された性質を有
するポジ型フォトレジスト現像剤を提供することにあっ
た。
篤くべきことに、非イオン性界面活性剤を含有する緩衝
されたアルカリ性水溶液を基材とし、そしてその溶液中
にこれら界面活性剤を１〜１１００ｐｐ含有するポジ型
フォトレジスト現像剤が優れた現像特性および長期安定
性を有していることを今般見出した。
されたアルカリ性水溶液を基材とし、そしてその溶液中
にこれら界面活性剤を１〜１１００ｐｐ含有するポジ型
フォトレジスト現像剤が優れた現像特性および長期安定
性を有していることを今般見出した。
このように、本発明は、非イオン性界面活性剤を含有す
る緩衝されたアルカリ性水溶液を基材とし、その溶液中
に前記界面活性剤を１〜１１００ｐｐ、好ましくは１０
〜６０ｐｐｍ、そして特に６０〜５０ ｐｐｍ含有する
ポジ型フォトレジスト現像剤に関する。特に、本発明は
、エトキシ化アルキルフェノール型の界面活性剤を含有
するような現像剤に関する。
る緩衝されたアルカリ性水溶液を基材とし、その溶液中
に前記界面活性剤を１〜１１００ｐｐ、好ましくは１０
〜６０ｐｐｍ、そして特に６０〜５０ ｐｐｍ含有する
ポジ型フォトレジスト現像剤に関する。特に、本発明は
、エトキシ化アルキルフェノール型の界面活性剤を含有
するような現像剤に関する。
更に、本発明は、この型の現像剤を用いた現像溶液で露
光したポジ型フォトレジスト被覆物を処理することによ
るポジ型フォトレジスト・レリーフ構造体の現像方法に
関する。
光したポジ型フォトレジスト被覆物を処理することによ
るポジ型フォトレジスト・レリーフ構造体の現像方法に
関する。
類似の、あるいは場合によっては同じ成分を有するポジ
型フォトレジスト被覆物用現像剤は知られてはいる。し
かしながら、それらは実質的に一層高い界面活性剤濃度
を含み、またそれらの現像、特、性、はＶＬＳＩ技術に
より充足されなければなら力い現在の諸要件を満たして
いない。
型フォトレジスト被覆物用現像剤は知られてはいる。し
かしながら、それらは実質的に一層高い界面活性剤濃度
を含み、またそれらの現像、特、性、はＶＬＳＩ技術に
より充足されなければなら力い現在の諸要件を満たして
いない。
すなわち、例えば、西独公開特許出願第３、２２３，３
８６号（米国特許第４，３７４，９２０号）明細書には
、やはり非イオン性界面活性剤を含むが主として印刷板
の製作に用いられる水性−アルカリ性現像剤が記載され
ている。この場合の表示濃度０１〜１０重量％の界面活
性剤（１，０００〜１００．０００ｐｐｍに相当する）
は現像の際にむき出しとなったプリント板材料が現像剤
により蝕刻されないように保護する目的を有している。
８６号（米国特許第４，３７４，９２０号）明細書には
、やはり非イオン性界面活性剤を含むが主として印刷板
の製作に用いられる水性−アルカリ性現像剤が記載され
ている。この場合の表示濃度０１〜１０重量％の界面活
性剤（１，０００〜１００．０００ｐｐｍに相当する）
は現像の際にむき出しとなったプリント板材料が現像剤
により蝕刻されないように保護する目的を有している。
これらの現像剤は、高度に、および極めて高度に集積さ
れた電子回路および成分の製造には適していない。
れた電子回路および成分の製造には適していない。
米国特許第３．５８６．５０４号明細書はマイクロエレ
クトロニクスにおける金属マスク製造用の水酸化ナトリ
ウム水溶液を基材とする現像剤を開示しているが、これ
らの現像剤は特定の型のアルキルフェノキシポリ−（ヒ
ドロキシアルキレンオキサイド）の非イオン性界面活性
剤を少なくとも０．０５重量％（５Ｄ Ｏｐｐｍに相当
する）の割合で含有している。これらの現像剤も捷た、
レジスト像において得られる解像度およびエツジ尖鋭度
の点で現在の諸要件を満たしていない。
クトロニクスにおける金属マスク製造用の水酸化ナトリ
ウム水溶液を基材とする現像剤を開示しているが、これ
らの現像剤は特定の型のアルキルフェノキシポリ−（ヒ
ドロキシアルキレンオキサイド）の非イオン性界面活性
剤を少なくとも０．０５重量％（５Ｄ Ｏｐｐｍに相当
する）の割合で含有している。これらの現像剤も捷た、
レジスト像において得られる解像度およびエツジ尖鋭度
の点で現在の諸要件を満たしていない。
基本的に、アルカリと両立するものであればすべての非
イオン性界面活性剤が界面活性剤添加剤として適してい
る。エトキシ化アルキルフェノール型の非イオン性界面
活性剤が有利である。アルキル鎖中に６〜１４個の炭素
原子および２〜２０のエトキシ化度を有するアルキルフ
ェノールのエトキシ化生成物が市販されている。
イオン性界面活性剤が界面活性剤添加剤として適してい
る。エトキシ化アルキルフェノール型の非イオン性界面
活性剤が有利である。アルキル鎖中に６〜１４個の炭素
原子および２〜２０のエトキシ化度を有するアルキルフ
ェノールのエトキシ化生成物が市販されている。
約９の平均エトキシ化度を有するエトキシ化ノニルフェ
ニルが特に好ましい。本発明による現像液の優れた現像
特性は、それが１〜Ｉ Ｄ Ｏｐｐｍ、好ましくは１０
〜６０ｐｐｍ、特に３０〜５’Ｏｐｐｍの前記した界面
活性剤を含有しているためである。
ニルが特に好ましい。本発明による現像液の優れた現像
特性は、それが１〜Ｉ Ｄ Ｏｐｐｍ、好ましくは１０
〜６０ｐｐｍ、特に３０〜５’Ｏｐｐｍの前記した界面
活性剤を含有しているためである。
類似のまたは同一の成分を有する従来のものと比べた場
合の本発明現像剤の長所は、従来得ることのできなかっ
た解像度およびエツジ尖鋭度をもってポジ型フォトレジ
スト・レリーフ構造体を現像する性質に現われる。
合の本発明現像剤の長所は、従来得ることのできなかっ
た解像度およびエツジ尖鋭度をもってポジ型フォトレジ
スト・レリーフ構造体を現像する性質に現われる。
本発明による現像剤はポジ型フォトレジスト層の未露光
像領域を実際上完全に無影響のまま残し、また最小露光
エネルギー（これはフォトレジストごとに変えることが
できるが、大抵の場合は層厚１μｍに対し約１０ ｍＪ
／ｃＩｒＬ２である）のほんの僅か以上で露光像領域
を基板に到るまで迅速かつ完全に溶解除去する。
像領域を実際上完全に無影響のまま残し、また最小露光
エネルギー（これはフォトレジストごとに変えることが
できるが、大抵の場合は層厚１μｍに対し約１０ ｍＪ
／ｃＩｒＬ２である）のほんの僅か以上で露光像領域
を基板に到るまで迅速かつ完全に溶解除去する。
未露光領域における現像剤による屑除去は、検出できる
としても極めてわずかであり、５チに達しない。現像後
に残ったレジスト層の表面は平滑であり、また特に他法
によるときは極めて頻繁に起りそして特に恐れられてい
る、「ピンホール」と呼ばれる凹部を示さない。本発明
による現像剤は、露光フォトレジスト像領域を迅速かつ
残滓なく除去するため、得られるレリーフ構造体は、こ
れまでには得られなかったコントラストと、光学パラメ
ータによってのみ実質的に制限される解像度を有する。
としても極めてわずかであり、５チに達しない。現像後
に残ったレジスト層の表面は平滑であり、また特に他法
によるときは極めて頻繁に起りそして特に恐れられてい
る、「ピンホール」と呼ばれる凹部を示さない。本発明
による現像剤は、露光フォトレジスト像領域を迅速かつ
残滓なく除去するため、得られるレリーフ構造体は、こ
れまでには得られなかったコントラストと、光学パラメ
ータによってのみ実質的に制限される解像度を有する。
後に残る構造体は丸まりゃ斜面のないほぼ理想的な９０
°エツジを示す。
°エツジを示す。
本発明による現像剤の別の長所は、現像時間における広
い許容範囲であり、これはこの現像剤により可能となっ
たものである。露光レジスト材料の特に迅速な除去とし
て現われる高現像活性にもかかわらず、未露光像領域は
、レジストで被覆した基板を長時間にわたって現像溶液
中に存在させても冒されない。更にまた過剰現像は生じ
ない。この性質のために、現像工程での問題は激減し、
工程の連続における費用のかかる現像終点のチェックは
、大幅に、あるいは完全に省かれる。
い許容範囲であり、これはこの現像剤により可能となっ
たものである。露光レジスト材料の特に迅速な除去とし
て現われる高現像活性にもかかわらず、未露光像領域は
、レジストで被覆した基板を長時間にわたって現像溶液
中に存在させても冒されない。更にまた過剰現像は生じ
ない。この性質のために、現像工程での問題は激減し、
工程の連続における費用のかかる現像終点のチェックは
、大幅に、あるいは完全に省かれる。
前述の界面活性剤濃度よりも高い界面活性剤濃度は好ま
しくない作用を有するが、おそらく不動態化により活性
が失われるためと思われる。
しくない作用を有するが、おそらく不動態化により活性
が失われるためと思われる。
その場合には、完全な現像には、より長時間が必要とな
り、またその結果、屑除去が激しくなり、コントラスト
および解像度が損われる。更にまた、高界面活性剤濃度
の場合には、むき出しの基板領域に界面活性剤の沈着お
よびレジスト材料の一部または分解生成物の沈着がみら
れ、またこれらは極めて不利なことである。
り、またその結果、屑除去が激しくなり、コントラスト
および解像度が損われる。更にまた、高界面活性剤濃度
の場合には、むき出しの基板領域に界面活性剤の沈着お
よびレジスト材料の一部または分解生成物の沈着がみら
れ、またこれらは極めて不利なことである。
これらの有利な現像特性に加えて、本発明による現像剤
は貯蔵および使用のいずれにおいても優れた安定性を示
す。適当な調製、貯蔵および使用をもってすれば、その
組成は著しい程に一定したままであり、マイクロエレク
トロニクスの回路や構成要素の製造に極めて不利な濁り
やフロキュレーションはみられない。この異例な安定性
の故に、本発明の現像剤は一層高い現像能力を有し、そ
のため、同じ容量単位の現像剤溶液を、現像結果につい
て実質的により永続的な恒常性および再現性をもって、
より良く利用することができる。
は貯蔵および使用のいずれにおいても優れた安定性を示
す。適当な調製、貯蔵および使用をもってすれば、その
組成は著しい程に一定したままであり、マイクロエレク
トロニクスの回路や構成要素の製造に極めて不利な濁り
やフロキュレーションはみられない。この異例な安定性
の故に、本発明の現像剤は一層高い現像能力を有し、そ
のため、同じ容量単位の現像剤溶液を、現像結果につい
て実質的により永続的な恒常性および再現性をもって、
より良く利用することができる。
本発明による現像剤は、自体知られた方法により調製す
ることかできる。この目的には、前述の量的割合の個々
の成分を、適宜加熱しながら水（これはできるだけ充分
脱塩しそして脱気しておくのが有利である）に溶解する
。一般的に、出発材料の選択の際に最高の純度を確保し
また調製の際に汚染および妨害の可能性の最も入念な排
除を確保しておくのがよい。適切な純度基準は「エレク
トロニクス級」の記述の下に当業者間に知られている。
ることかできる。この目的には、前述の量的割合の個々
の成分を、適宜加熱しながら水（これはできるだけ充分
脱塩しそして脱気しておくのが有利である）に溶解する
。一般的に、出発材料の選択の際に最高の純度を確保し
また調製の際に汚染および妨害の可能性の最も入念な排
除を確保しておくのがよい。適切な純度基準は「エレク
トロニクス級」の記述の下に当業者間に知られている。
現像剤の他の成分は従来技術から知られている。一般に
、現像剤は、水性溶液中で解離により水酸イオンを生成
することのできるアルカリ金属化合物を含有する。
、現像剤は、水性溶液中で解離により水酸イオンを生成
することのできるアルカリ金属化合物を含有する。
これらには、例えば、アルカリ金属けい酸塩、アルカリ
金属メタけい酸塩、アルカリ金属りん酸塩およびアルカ
リ金属水酸化物などが含まれる。アルカリ性ｐＨ値を生
じるこれらの物質は現像剤中に、一般に、現像溶液全量
に対し約１〜６重世襲、好ましくは約２〜５重量饅の量
で存在する。
金属メタけい酸塩、アルカリ金属りん酸塩およびアルカ
リ金属水酸化物などが含まれる。アルカリ性ｐＨ値を生
じるこれらの物質は現像剤中に、一般に、現像溶液全量
に対し約１〜６重世襲、好ましくは約２〜５重量饅の量
で存在する。
ナトリウムまたはカリウムのメタけい酸塩、好ましくは
メタけい酸ナトリウム五水和物を添加するのが好ましい
。適当な緩衝物質は、基本的に、このような目的に通常
用いられるすべての無機弱酸のアルカリ金属塩またはそ
れらの混合物である。りん酸カリウムおよび９ん酸ナト
リウム系緩衝剤、例えば第一、第二および（または）第
三りん酸ナトリウムおよびカリウムを基材とするものが
極めて適切であり、またそれ故に好ましい。現像剤のｐ
Ｈ値が１２〜１４、好ましくは１２５〜１３５の範囲に
あるときに最も有利な現像特性か得られる。
メタけい酸ナトリウム五水和物を添加するのが好ましい
。適当な緩衝物質は、基本的に、このような目的に通常
用いられるすべての無機弱酸のアルカリ金属塩またはそ
れらの混合物である。りん酸カリウムおよび９ん酸ナト
リウム系緩衝剤、例えば第一、第二および（または）第
三りん酸ナトリウムおよびカリウムを基材とするものが
極めて適切であり、またそれ故に好ましい。現像剤のｐ
Ｈ値が１２〜１４、好ましくは１２５〜１３５の範囲に
あるときに最も有利な現像特性か得られる。
必要ならば、アルカリ金属水酸化物の調節された添加に
より、ｐＨ値を調整することができる。
より、ｐＨ値を調整することができる。
本発明による現像剤を用いれば、本質的にノボラック型
の樹脂成分と０−ンアゾキノン型の感光成分との混合物
を基材とする基本的にすべてのポジ型フォトレジスト材
料を現像することができる。特に、これらは、ホルムア
ルデヒドのフェノール類あるいはフェノール性水酸基含
有化合物との縮合生成物とナフトキノン−ジアジド−ス
ルホニル誘導体との混合物である。他めて多様なこのよ
うなフォトレジスト組成物が知られており、また例えば
西ドイツ国特許第９６８．２３３号（米国特許第６．１
０．！Ｓ、４６５号）および西ドイツ国特許第１．１９
５．１６６号（米国特許第３．２０１，２３９号）の明
細書中に、また西独特許出願Ｐ第３，２２０，８１６号
、（特開昭５８−２１９５４８号参照）およびＰ第３，
３４４，２０２号の明細書中に記載されている。
の樹脂成分と０−ンアゾキノン型の感光成分との混合物
を基材とする基本的にすべてのポジ型フォトレジスト材
料を現像することができる。特に、これらは、ホルムア
ルデヒドのフェノール類あるいはフェノール性水酸基含
有化合物との縮合生成物とナフトキノン−ジアジド−ス
ルホニル誘導体との混合物である。他めて多様なこのよ
うなフォトレジスト組成物が知られており、また例えば
西ドイツ国特許第９６８．２３３号（米国特許第６．１
０．！Ｓ、４６５号）および西ドイツ国特許第１．１９
５．１６６号（米国特許第３．２０１，２３９号）の明
細書中に、また西独特許出願Ｐ第３，２２０，８１６号
、（特開昭５８−２１９５４８号参照）およびＰ第３，
３４４，２０２号の明細書中に記載されている。
本発明による現像剤を用いたポジ型フォトレジスト・レ
リーフ構造体の現像工程は自体知られた方法により行な
われる。最初に、基板、例えばシリコン・ウェハなどを
ポジ型フォトレジスト組成物で所望の層厚に被覆する。
リーフ構造体の現像工程は自体知られた方法により行な
われる。最初に、基板、例えばシリコン・ウェハなどを
ポジ型フォトレジスト組成物で所望の層厚に被覆する。
そのレジストを乾燥し、そして接着改善のために慣用さ
れる熱処理工程を経た後に、被覆された基板を、通常の
露光装置でマスク原画を通して像露光する。この後に実
際の現像工程が続き、露光レジスト層を有する基板を、
例えば浸漬または噴霧により、本発明の現像剤に短時間
晒す。このようにしてマスクに対応した極めて精密なレ
リーフ像が基板上に形成される。
れる熱処理工程を経た後に、被覆された基板を、通常の
露光装置でマスク原画を通して像露光する。この後に実
際の現像工程が続き、露光レジスト層を有する基板を、
例えば浸漬または噴霧により、本発明の現像剤に短時間
晒す。このようにしてマスクに対応した極めて精密なレ
リーフ像が基板上に形成される。
必要な場合には更にレジスト像の熱処理を施した後に、
このように構造化された基板に対して施される工程は、
例えば蝕刻工程、例えば湿式または乾式蝕刻（例えばプ
ラズマ蝕刻）、例えば湿式ドーピング、気相拡散または
イオン注入等による基板のドーピング、および例えば電
解式金属沈着または蒸着法等による金属被覆であっても
よい。
このように構造化された基板に対して施される工程は、
例えば蝕刻工程、例えば湿式または乾式蝕刻（例えばプ
ラズマ蝕刻）、例えば湿式ドーピング、気相拡散または
イオン注入等による基板のドーピング、および例えば電
解式金属沈着または蒸着法等による金属被覆であっても
よい。
実施例 １
ａ）現像剤の組成：
９２．６５５重量％ 水
５１３０重量％ Ｎａ２５ｉ０４ ・５Ｈ２０１、２５
０重量％ ＮａＨＰＯ４・２Ｈ２００８５０重量％ Ｎ
ａ ５ｐｏ４ Ｈ１２Ｈ２００１１０重量％ Ｎａ０Ｈ ｂ）使 用： ５−オキソ−６−ジアゾ−５，６−シヒドロナフタレン
スルホーン酸エステルとクレゾール／ボルムアルデヒド
ノボラック樹脂を基材とする市販のポジ型フォトレジス
ト被覆をスピン被覆法により表面的に熱的に酸化された
シリコンウェハに適用する。９０’で６ｏ分間まず乾燥
した後の層厚は１．２μｍである。次いでそれらウェハ
を２．００ ＷＨｇ灯および３６５ ｎｍにおいて６．
’ ５ ｍＷ、Ａｎ２の強度を用いて、線パターンを有
するマスクを通す接触露光法により各種時間にわたって
露光する。
０重量％ ＮａＨＰＯ４・２Ｈ２００８５０重量％ Ｎ
ａ ５ｐｏ４ Ｈ１２Ｈ２００１１０重量％ Ｎａ０Ｈ ｂ）使 用： ５−オキソ−６−ジアゾ−５，６−シヒドロナフタレン
スルホーン酸エステルとクレゾール／ボルムアルデヒド
ノボラック樹脂を基材とする市販のポジ型フォトレジス
ト被覆をスピン被覆法により表面的に熱的に酸化された
シリコンウェハに適用する。９０’で６ｏ分間まず乾燥
した後の層厚は１．２μｍである。次いでそれらウェハ
を２．００ ＷＨｇ灯および３６５ ｎｍにおいて６．
’ ５ ｍＷ、Ａｎ２の強度を用いて、線パターンを有
するマスクを通す接触露光法により各種時間にわたって
露光する。
次にそれらウェハをａ）による現像剤中２２℃で６０秒
間現像する。現像後、得られたレリーフ構造体を評価し
そして残留層厚を測定する。
間現像する。現像後、得られたレリーフ構造体を評価し
そして残留層厚を測定する。
露光時間に依存して、次の残留層厚が認められた。
０．５秒 １１５μｍ
１．０秒 １．１５μｍ
１５秒 １１５μｍ
２．０秒 ０μｍ
２．５秒 ０μｍ
走査電子顕微鏡の下にフォトレジストにおける構造体を
評価したところ、１μｍ以下の構造幅を有するパターン
は２秒以上の露光時間できれいに現像されかつ高度に解
像され、一方、２秒より短い露光時間では未露光領域に
おいて５係に到らない屑除去が認められる。レリーフ像
は凹部がなく、かつ丸まりゃ斜面のない尖鋭なエツジを
有する平滑な表面を示す。レジスト像あるいはむき出し
の基板のいずれにも不純物の沈着は検出できない。
評価したところ、１μｍ以下の構造幅を有するパターン
は２秒以上の露光時間できれいに現像されかつ高度に解
像され、一方、２秒より短い露光時間では未露光領域に
おいて５係に到らない屑除去が認められる。レリーフ像
は凹部がなく、かつ丸まりゃ斜面のない尖鋭なエツジを
有する平滑な表面を示す。レジスト像あるいはむき出し
の基板のいずれにも不純物の沈着は検出できない。
実施例 ２
ａ）現像剤の組成：
９６．３６５重量％ 水
２．２１０重量％ Ｎａ２ＳｉＯ３・５Ｈ２００，８８
０重量％ Ｎａ２ＨＰＯ４・２Ｈ２００４４０重量％
Ｎａ３ＰＯ４・１２Ｈ２００１００重量％ Ｎａ０Ｈ ｂ）使 用二 実施例１ｂと同様に使用すると同様に良好な結果が得ら
れる。
０重量％ Ｎａ２ＨＰＯ４・２Ｈ２００４４０重量％
Ｎａ３ＰＯ４・１２Ｈ２００１００重量％ Ｎａ０Ｈ ｂ）使 用二 実施例１ｂと同様に使用すると同様に良好な結果が得ら
れる。
実施例 ６
ａ）現像剤の組成：
９６．４６０重量係量饅 水
２２１０重量％ Ｎａ２ＳｉＯ３Ｈ５Ｈ２００，８８４
重量％ Ｎａ３ＰＯ４・１２Ｈ２００，４４２重量％
Ｎａ２ＨＰＯ４・２Ｈ２０ｂ）使 用： 実施例１ｂと同様に使用すると同様に良好な結果が得ら
れる。
重量％ Ｎａ３ＰＯ４・１２Ｈ２００，４４２重量％
Ｎａ２ＨＰＯ４・２Ｈ２０ｂ）使 用： 実施例１ｂと同様に使用すると同様に良好な結果が得ら
れる。
比較例 Ａ
ａ）現像剤の組成：
実施例１ａと同様であるが０１重量％（１，０００ｐｐ
ｍ）の界面活性剤を用いる。
ｍ）の界面活性剤を用いる。
ｂ）便 用：
実施例１ｂと同様に現像しても、１０秒という露光時間
においてさえも完全に現像されたレリーフ構造体は得る
ことができない。
においてさえも完全に現像されたレリーフ構造体は得る
ことができない。
比較例 Ｂ
ａ）現像剤の組成：
実施例１ａと同様であるが、界面活性剤を用いない。
ｂ）使 用：
実施例１ｂと同様に用いると、露光時間に対する残留層
厚の次のような依存性が認められる。
厚の次のような依存性が認められる。
露光時間 残留層厚
０５秒 ０．７５ μｍ
１０秒 ０．２５ μｍ
１５秒 ０μｍ
２０秒 ０μｍ
２．５秒 ０μｍ
２秒より短い露光時間において、また未露光領域におい
て相当な屑除去が認められる。
て相当な屑除去が認められる。
レリーフ像は不規則表面を示しかつ、レジストとむき出
しの基板との間の境界部分に激しく丸められあるいは斜
面化した遷移部分が認められる。
しの基板との間の境界部分に激しく丸められあるいは斜
面化した遷移部分が認められる。
（−
代理人 弁理士 南 孝 夫（昭、−
−ユ、圧−
第１頁の続き
０発 明 者 ハンス＝ヨアヒム・メ ドイツ連邦共４
レム ルチル・シュ１ ＠発 明 者 ライムント・ジントリ ドイツ連邦共イ
ンゲル ルチル・シュ１ ＠発 明 者 クラウス＝ベーター・ ドイツ連邦共■
チイニル ルチル・シュ１ 口国Ｄ −６１００ダルムシユタツト、フランフッ・ラ
ーセ２５０ １国Ｄ −６１００ダルムシユタツト、フランフッ・ラ
ーセ２５０ １国Ｄ −６１００ダルムシユタツト、フランフッ・ラ
ーセ２５０
レム ルチル・シュ１ ＠発 明 者 ライムント・ジントリ ドイツ連邦共イ
ンゲル ルチル・シュ１ ＠発 明 者 クラウス＝ベーター・ ドイツ連邦共■
チイニル ルチル・シュ１ 口国Ｄ −６１００ダルムシユタツト、フランフッ・ラ
ーセ２５０ １国Ｄ −６１００ダルムシユタツト、フランフッ・ラ
ーセ２５０ １国Ｄ −６１００ダルムシユタツト、フランフッ・ラ
ーセ２５０
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）非イオン性界面活性剤を含有する緩衝されたアルカ
リ性水溶液を基材とするポジ型フォトレジスト用現像剤
であって、前記溶液が前記の非イオン性界面活性剤を１
〜１００ ｐｐｍの量で含有することを特徴とする、ポ
ジ型フォトレジスト用現像剤。 ２）１０〜６０ｐｐｍ、好捷しくけ６０〜５０ｐｐｍの
前記界面活性剤を特徴する特許請求の範囲第１項に記載
の現像剤。 ３）非イオン性界面活性剤としてエトキシ化アルキルフ
ェノールを特徴する特許請求の範囲第１項または第２項
に記載の現像剤。 ４）非イオン性界面活性剤を含有する緩衝されたアルカ
リ性水溶液を基材とし、前記溶液が１〜１００ ｐｐｍ
（Ｄ童で前記非イオン性界面活性剤を含有する現像剤
で露光したフォトレジスト被覆物を処理することを特徴
とする、ポジ型フォトレジスト・レリーフ構造体の現像
方法。 ５）１０〜６０ｐｐｍ、好ましくは６０〜５０ｐｐｍの
前記界面活性剤を特徴する特許請求の範囲第４項に記載
の方法。 ６）非イオン性界面活性剤としてエトキシ化アルキルフ
ェノールを特徴する特許請求の範囲第４項に記載の方法
。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19833346979 DE3346979A1 (de) | 1983-12-24 | 1983-12-24 | Entwickler fuer positivfotoresists |
| DE3346979.2 | 1983-12-24 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60158442A true JPS60158442A (ja) | 1985-08-19 |
Family
ID=6218066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59271073A Pending JPS60158442A (ja) | 1983-12-24 | 1984-12-24 | ポジ型フオトレジスト用現像剤 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4576903A (ja) |
| EP (1) | EP0146834A3 (ja) |
| JP (1) | JPS60158442A (ja) |
| KR (1) | KR850004661A (ja) |
| DE (1) | DE3346979A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61177727A (ja) * | 1985-02-04 | 1986-08-09 | Sony Corp | ポジタイプフオトレジストの現像方法 |
| JPS62175738A (ja) * | 1986-01-30 | 1987-08-01 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 現像液 |
Families Citing this family (24)
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|---|---|---|---|---|
| DE3427556C1 (de) * | 1984-07-26 | 1986-01-02 | Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt | Verfahren zur Herstellung von Fotoresist-Reliefstrukturen mit UEberhangcharakter |
| EP0177905B1 (de) * | 1984-10-09 | 1990-12-05 | Hoechst Japan Kabushiki Kaisha | Verfahren zum Entwickeln und zum Entschichten von Photoresistschichten mit quaternären Ammomiumverbindungen |
| JPH063549B2 (ja) * | 1984-12-25 | 1994-01-12 | 株式会社東芝 | ポジ型フォトレジスト現像液組成物 |
| JPH0638159B2 (ja) * | 1986-07-18 | 1994-05-18 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型ホトレジスト用現像液 |
| GB8628613D0 (en) * | 1986-11-29 | 1987-01-07 | Horsell Graphic Ind Ltd | Developing fluid for lithographic plates |
| JP2542903B2 (ja) * | 1988-04-22 | 1996-10-09 | 富士写真フイルム株式会社 | 現像液組成物 |
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| US5175078A (en) * | 1988-10-20 | 1992-12-29 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Positive type photoresist developer |
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- 1983-12-24 DE DE19833346979 patent/DE3346979A1/de not_active Ceased
-
1984
- 1984-12-04 EP EP84114722A patent/EP0146834A3/de not_active Withdrawn
- 1984-12-14 KR KR1019840008290A patent/KR850004661A/ko not_active Application Discontinuation
- 1984-12-21 US US06/685,085 patent/US4576903A/en not_active Expired - Fee Related
- 1984-12-24 JP JP59271073A patent/JPS60158442A/ja active Pending
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|---|---|
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| KR850004661A (ko) | 1985-07-25 |
| EP0146834A3 (de) | 1986-08-20 |
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| US4576903A (en) | 1986-03-18 |
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