TWI772552B - 含矽氧烷型添加劑之組成物用於在處理具有50nm或低於50nm之線性空間尺寸之圖案材料時避免圖案塌陷之用途 - Google Patents
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Abstract
本發明係關於包含有機溶劑及至少一種特定矽氧烷型添加劑之非水性組成物用於處理包含具有50 nm或低於50 nm之線性空間尺寸及4或大於4之縱橫比之圖案的基板的用途，以及一種用於製造積體電路裝置、光學裝置、微機械及機械精密裝置之方法，該方法包含以下步驟： （1） 提供具有圖案材料層之基板，該等層具有50 nm之線性空間尺寸、大於或等於4之縱橫比或其組合， （2） 使該基板與非水性組成物接觸至少一次，及 （3） 自與該基板之接觸中移除該非水性組成物， 其中該非水性組成物包含有機溶劑及該等矽氧烷型添加劑中之至少一種。
Description
本發明係關於一種組成物用於製造積體電路裝置、光學裝置、微機械及機械精密裝置之用途，尤其係關於避免圖案塌陷。
在製造具有LSI、VLSI及ULSI之IC之過程中，藉由光刻技術（photolithographic technique）製備圖案材料層，如圖案光阻層；含有氮化鈦、鉭或氮化鉭或由其組成之圖案阻隔材料層；含有例如交替多晶矽及二氧化矽層或氮化矽層之堆疊或由其組成之圖案多堆疊材料層；及含有二氧化矽或低k或超低k介電材料或由其組成之圖案介電材料層。現如今，該等圖案材料層包含具有甚至低於22 nm尺寸及高縱橫比之結構。
無關於曝露技術，小圖案之濕式化學處理無論如何涉及複數個問題。由於技術發展且尺寸要求變得愈來愈嚴格，所以在基板上需要圖案包括相對較薄且較高之裝置結構之結構或零件，亦即具有高縱橫比之零件。由於自化學沖洗及離心乾燥過程中剩餘且安置於相鄰圖案結構之間之沖洗液體去離子水之液體或溶液的過度毛細管力，此等結構可能遭受彎曲及/或塌陷，特定言之在離心乾燥過程期間。
在過去，根據Namatsu等人之Appl. Phys. Lett. 66(20), 1995藉由減小由毛細管力所導致之小零件之間的最大應力σ來解決此等問題：
其中γ為流體之表面張力，θ為零件材料表面上之流體之接觸角，D為零件之間之距離，H為零件之高度，且W為零件之寬度。因此，為較低最大應力，在過去，方法聚焦於降低流體之表面張力γ或增大零件材料表面上之流體之接觸角或兩者。
由於尺寸收縮，所以為達成無缺陷之圖案結構而進行之顆粒及電漿蝕刻殘餘物之移除亦成為至關重要之因素。此不僅適用於光阻圖案而且適用於其他圖案材料層，該等層係在製造光學裝置、微機械及機械精密裝置期間生成。
WO 2012/027667 A2揭示藉由使具有高縱橫比零件之表面與添加劑組成物接觸以產生經改性表面來改性具有高縱橫比零件之表面的方法，其中當沖洗溶液與經改性表面接觸時將作用於高縱橫比零件之力充分地降至最低以至少在移除沖洗溶液期間或至少在乾燥高縱橫比零件期間防止高縱橫比零件彎曲或塌陷。經改性表面應具有在約70度至約110度範圍內之接觸角。除多種其他類型之酸、鹼、非離子界面活性劑、陰離子界面活性劑、陽離子界面活性劑及兩性離子界面活性劑以外，亦揭示一些矽氧烷型界面活性劑。描述包括水之各種溶劑。
WO 2014/091363 A1揭示包含與具有10 mN/m至35 mN/m之表面張力之界面活性劑組合之疏水劑的水基組成物，該界面活性劑除其他類型之界面活性劑以外亦可為矽氧烷型界面活性劑。水基組成物較佳不含有機溶劑。
然而，此等組成物仍遭受次22 nm結構中之高圖案塌陷。特別言之，在不受任何理論束縛之情況下，本發明人發現，用去離子水量測之在約70度至約110度範圍內之接觸角不足以描述乾燥期間之溶劑基系統中之毛細管力，此係因為Namatsu之理論相關性僅在相同溶劑系統中有效。此外，等式（1）僅描述乾燥期間之毛細管力，忽略乾燥期間之塌陷/彎曲結構之間之潛在的化學反應及塌陷結構之彈性回縮力。因此，本發明人咸信，圖案塌陷亦可藉由防止塌陷結構之間之不可逆的黏著力來防止。
本發明之一個目標為提供用於製造用於50 nm及低於50 nm之節點、詳言之32 nm及低於32 nm之節點且特別言之22 nm及低於22 nm之節點之積體電路的方法，該方法不再展現先前技術製造方法之缺點。
詳言之，本發明之化合物應容許化學沖洗包含具有高縱橫比及50 nm及小於50 nm、詳言之32 nm及小於32 nm、特別言之22 nm及小於22 nm之線性空間尺寸之圖案的圖案材料層而不造成圖案塌陷。
在不受任何理論束縛之情況下，本發明係基於以下發現：聚焦於流體之低表面張力γ及零件材料表面上之流體之高接觸角θ為在面對愈來愈收縮之零件時不運行之方法。
當先前技術聚焦於顯示水中之高接觸角之界面活性劑時，本發明人現發現，水中之接觸角對界面活性劑減少圖案塌陷之能力不具有或具有極少影響。甚至相反地，本發明人發現，組成物應為非水的以顯示增加之抗圖案塌陷效能。
本發明藉由使用包含與如本文所描述之矽氧烷型非離子添加劑組合之有機溶劑之非水性組成物來完全避免先前技術之所有缺點。
本發明之第一具體實例為包含有機溶劑及式I至IV之至少一種添加劑之非水性組成物之用途
（IV） 其係用於處理包含具有50 nm或低於50 nm之線性空間尺寸及4及大於4之縱橫比之圖案的基板，其中 R1
、R2
獨立地選自H或C1
至C10
烷基， n 為0、1或2， e、u、v 為獨立地選自0至5之整數， b、d、w 為獨立地選自0至6之整數， a、c、x 為獨立地選自1至22之整數， y 為1至5之整數， R10
、R12
獨立地選自H或C1
至C10
烷基，且 R11
選自H或C1
至C10
烷基。
本發明之另一具體實例為用於製造積體電路裝置、光學裝置、微機械及機械精密裝置之方法，該方法包含以下步驟： （1） 提供具有圖案材料層之基板，該等層具有50 nm及小於50 nm之線性空間尺寸、大於或等於4之縱橫比或其組合， （2） 使基板與如前述請求項中任一項所定義之非水性組成物接觸至少一次， 及 （3） 自與基板之接觸中移除非水性組成物。
與矽氧烷型非離子添加劑組合之有機溶劑、較佳極性質子有機溶劑之用途特別適用於包含具有50 nm或小於50 nm、特別地32 nm或小於32 nm且最特別地22 nm或小於22 nm之線性空間尺寸之圖案的圖案顯影光阻層。
此外，包含與本發明之矽氧烷型非離子添加劑組合之有機溶劑之非水性組成物之用途特別適用於大於或等於4之縱橫比且不造成圖案塌陷。
必須注意，包含與本發明之矽氧烷型非離子添加劑組合之有機溶劑之清潔溶液一般可用於避免光阻結構之圖案塌陷以及具有高縱橫比堆疊（HARS）之非光阻圖案、特別地含有包含交替多晶矽及二氧化矽或氮化矽層之堆疊或由其組成之圖案多堆疊材料層之圖案塌陷。
本發明係關於特別適合於製造包含次50 nm尺寸零件之圖案材料如積體電路（IC）裝置、光學裝置、微機械及機械精密裝置、詳言之IC裝置之組成物。
用於製造IC裝置、光學裝置、微機械及機械精密裝置之任何習用及已知之基板均可用於本發明之方法。基板較佳為半導體基板，更佳矽晶圓，該等晶圓慣常用於製造IC裝置，詳言之包含具有LSI、VLSI及ULSI之IC之IC裝置。
組成物特別適合於處理具有圖案材料層之基板，該等層具有50 nm及小於50 nm、詳言之32 nm及小於32 nm且特別言之22 nm及小於22 nm之線性空間尺寸，亦即用於次22 nm技術節點之圖案材料層。圖案材料層較佳具有高於4、較佳高於5、更佳高於6、甚至更佳高於8、甚至更佳高於10、甚至更佳高於12、甚至更佳高於15、甚至更佳高於20之縱橫比。更小之線性空間尺寸及更高之縱橫比對於本文所描述之組成物之用途更有利。
只要結構由於其幾何形狀而傾向於塌陷，則可將本發明之組成物塗覆至具有任何圖案材料之基板。
藉助於實施例，圖案材料層可為 （a） 圖案氧化矽或氮化矽塗佈之Si層， （b） 含有釕、鈷、氮化鈦、鉭或氮化鉭或由其組成之圖案阻隔材料層， （c） 含有具有選自由以下組成之群之至少兩種不同材料之層或由其組成之圖案多堆疊材料層：矽、多晶矽、二氧化矽、低k及超低k材料、高k材料、除矽及多晶矽以外之半導體以及金屬，及 d） 含有二氧化矽或低k或超低k介電材料或由其組成之圖案介電材料層。 有機溶劑
抗圖案塌陷組成物包含有機溶劑，較佳極性質子有機溶劑。
出乎意料地，發現甚至低量之水可影響本發明組成物之抗圖案塌陷能力之效能。因此，重要的為，組成物，基本上存在於本發明之組成物中之一或多種有機溶劑為非水的。除非藉由乾燥移除，否則由於其吸濕性IPA通常具有相當大量之殘餘水。
如本文所使用之「非水（non-aqueous）」意謂組成物僅可含有至多約1重量%之低量之水。非水性組成物較佳包含小於0.5重量%、更佳小於0.2重量%、甚至更佳小於0.1重量%、甚至更佳小於0.05重量%、甚至更佳小於0.02重量%、甚至更佳小於0.01重量%、甚至更佳小於0.001重量%水。最佳地，組成物中基本上不存在水。「基本上（Essentially）」在此意謂存在於組成物中之水相對於待處理之基板之圖案塌陷而言對非水溶液中之添加劑之效能不具有顯著的影響。
有機溶劑需要具有足夠低以藉由加熱移除且不負面地影響用組成物處理之基板的沸點。對於典型的基板，有機溶劑之沸點應為150℃或低於150℃，較佳100℃或低於100℃。
較佳地，溶劑基本上由一或多種有機溶劑組成，該等溶劑可為質子或非質子有機溶劑。較佳為一或多種極性質子有機溶劑，最佳單一極性質子有機溶劑。
如本文所使用之「極性非質子有機溶劑（polar aprotic organic solvent）」為具有1.7或大於1.7之偶極矩（dipole moment）之不具有酸性氫（亦即不含有或無法給予氫離子）的有機溶劑。
典型的極性非質子有機溶劑為但不限於：（a）酮，諸如但不限於丙酮；（b）內酯，諸如但不限於γ-丁內酯；（c）內醯胺，諸如但不限於N-甲基-2-吡咯啶酮；（d）腈，諸如但不限於乙腈；（e）硝基化合物，諸如但不限於硝基甲烷；（f）三級羧酸醯胺，諸如但不限於二甲基甲醯胺；（g）脲衍生物，諸如但不限於四甲基脲或二甲基伸丙基脲（DMPU）；（h）亞碸，諸如但不限於二甲亞碸（DMSO）；（i）碸，諸如但不限於環丁碸；（h）碳酸酯，諸如但不限於二甲基碳酸酯或碳酸伸乙酯。
如本文所使用之「極性質子有機溶劑（polar protic organic solvent）」為包含酸性氫（亦即可給予氫離子）之有機溶劑。
典型的極性質子有機溶劑為但不限於：（a）醇，諸如但不限於甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇（異丙醇）或丁醇；（b）一級或二級胺、羧酸，諸如但不限於甲酸或乙酸；或（c）一級或二級醯胺，諸如但不限於甲醯胺。
較佳有機溶劑為包含至少一個羥基之直鏈、分支鏈或環狀脂族醇，特別地直鏈或分支鏈烷醇。較佳烷醇為甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇及丁醇。最佳為異丙醇。 式I之添加劑
在本發明之一個具體實例中，本發明之非離子添加劑（亦稱為添加劑或矽氧烷）可選自式I：
其中 R1
、R2
獨立地選自H或C1
至C10
烷基，較佳H、甲基、丙基或丁基，最佳甲基， e 為選自0至5之整數，較佳0、1或2，最佳0或1， b、d 為獨立地選自0至6之整數，較佳0或1至3，最佳0、1或2， a、c 為獨立地選自1至22、較佳3至20、最佳5至15之整數， R10
、R12
獨立地選自H或C1
至C10
烷基，較佳H、甲基、乙基、丙基或丁基，最佳甲基，且 R11
選自H或C1
至C3
烷基，較佳H、甲基或乙基，最佳H或甲基。
在一較佳具體實例中，式I之矽氧烷用於，其中 R1
、R2
獨立地選自H、甲基或乙基，較佳甲基， e 為0、1或2，較佳1， b、d 為0、1或2，較佳0或1， a、c 為獨立地選自0至10、較佳0至4之整數， R10
、R12
獨立地選自H、甲基或乙基，較佳甲基，且 R11
選自甲基或乙基，較佳甲基。 式II之添加劑
在本發明之一個具體實例中，本發明之非離子添加劑（亦稱為添加劑或矽氧烷）可選自式II，其覆蓋所謂的三矽氧烷型及耙型矽氧烷（rake type siloxane）添加劑：
其中 R1
、R2
獨立地選自H或C1
至C10
烷基，較佳H、甲基、乙基、丙基或丁基，最佳甲基或乙基， e, 為0至5之整數，較佳0、1或2，最佳1， R10
、R12
獨立地選自H或C1
至C10
烷基，較佳H、甲基、丙基或丁基，最佳甲基或乙基。
在一較佳具體實例中，使用式II之矽氧烷，其中 R1
、R2
為甲基， e 為0、1或2，較佳1， R10
、R12
獨立地選自甲基或乙基，較佳甲基。 式III之添加劑
在本發明之另一具體實例中，本發明之非離子添加劑（亦稱為添加劑）可選自式III，其覆蓋所謂的ABA型矽氧烷添加劑：
其中 R1
、R2
獨立地選自H或C1
至C10
烷基，較佳H、甲基、乙基、丙基或丁基，最佳甲基或乙基， u、v 為獨立地選自0至5之整數，較佳0、1、2或3，最佳0或1， w 為0至6之整數，較佳0或1至3，最佳0、1或2， x 為1至22、較佳2至20、最佳5至15之整數， y 為1至5之整數，較佳1或2，最佳1， R10
、R12
獨立地選自H或C1
至C10
烷基，較佳H、甲基、乙基、丙基或丁基，最佳甲基或乙基，且 R11
選自H、甲基或乙基，較佳H或甲基，最佳H。
在一較佳具體實例中，式III之矽氧烷為彼等矽氧烷，其中 R1
、R2
為甲基或乙基，較佳甲基， u、v 為0或1，較佳0， w 為0或3，較佳3， x 為2至20、較佳5至15之整數， y 為1或2，較佳1， R10
、R12
獨立地選自甲基或乙基，較佳甲基，且 R11
選自H或甲基，較佳H。 式IV之添加劑
在本發明之另一具體實例中，本發明之非離子添加劑（亦稱為添加劑）可選自式IV：
（IV） 其中 R1
、R2
獨立地選自H或C1
至C10
烷基，較佳甲基、乙基、丙基或丁基，最佳甲基或乙基，且 n 為0、1或2，較佳0或1，最佳1。
在一較佳具體實例中，至少一種添加劑為式IV之環狀矽氧烷，其中 n 為1，且 R1
、R2
為相同的或不同的且選自甲基、乙基、丙基或丁基。
式I至IV之矽氧烷化合物可在市場中例如以商標名Silwet™及Tegopren™獲得。
非水溶液中之式I、II、III及IV之添加劑之濃度可一般在約0.00005重量%至約3重量%範圍內。添加劑之濃度較佳為約0.00005重量%至約1.0重量%、更佳約0.0005重量%至約0.5重量%、甚至更佳0.0005重量%至0.1重量%、甚至更佳0.001重量%至0.1重量%且最佳0.002重量%至0.1重量%，重量百分比係以組成物之總重量計。
組成物中可存在一或多種添加劑，然而，較佳僅使用一種式I、II、III或IV之添加劑。非水性組成物較佳僅由超純水及一種式I、II、III或IV之添加劑組成。
組成物最佳由單一有機溶劑及單一式I、II、III或IV之添加劑組成。
然而，另一添加劑可存在於本發明之清潔溶液中。該等添加劑可為 （I） 諸如但不限於(NH4
)2
CO3
/NH4
OH、Na2
CO3
/NaHCO3
、三羥甲基-胺基甲烷/HCl、Na2
HPO4
/NaH2
PO4
或有機酸如乙酸等、甲磺酸之用於pH調節之緩衝液組分， （II） 用以改善混合物之表面張力及溶解度之一或多種另外的非離子或陰離子添加劑，或 （III） 用以防止具有污跡或聚合物之經移除顆粒之表面再連接的分散劑。
根據本發明之方法，包含兩種不同類型之添加劑之非水溶液可用於不同目的及目標。因此，其可用作用於在透過光罩用光化光照射期間浸沒光阻之浸沒液體，用作用於透過光罩曝露於光化輻射之光阻層之顯影劑溶液，且用作用於沖洗圖案材料層之化學沖洗溶液。
在一個具體實例中，已發現用於製造積體電路裝置、光學裝置、微機械及機械精密裝置之方法，該方法包含以下步驟： （1） 提供具有圖案材料層之基板，該等層具有50 nm及小於50 nm之線性空間尺寸及大於或等於4之縱橫比， （2） 使基板與含有如本文所描述之至少一種矽氧烷添加劑之非水溶液接觸至少一次， 及 （3） 自與基板之接觸中移除水溶液。
在本發明之方法之第三步驟中，自與基板之接觸中移除非水溶液。可採用常用於自固體表面移除液體之任何已知方法。
基板較佳由光刻方法提供，該方法包含以下步驟： （i） 使基板具備有浸沒光阻、EUV光阻或電子束光阻層， （ii） 在存在或不存在浸沒液體之情況下透過光罩使光阻層曝露於光化輻射， （iii） 用顯影劑溶液使經曝露光阻層顯影以獲得具有32 nm及小於32 nm之線性空間尺寸及10或大於10之縱橫比之圖案， （iv） 將本文所描述之非水性組成物塗覆至經顯影圖案光阻層，及 （v） 在塗覆非水性組成物之後離心乾燥半導體基板。
可使用任何習用及已知之浸沒光阻、EUV光阻或電子束光阻。浸沒光阻可已含有矽氧烷添加劑中之至少一種或其組合。另外，浸沒光阻可含有其他非離子添加劑。合適之非離子添加劑描述於例如US 2008/0299487 A1，第6頁，第[0078]段中。浸沒光阻最佳為正性抗蝕劑。
除約13.5 nm之電子束曝露或遠紫外線輻射之外，具有193 nm之波長之UV輻射較佳用作光化輻射。
在浸沒光刻之情況下，超純水較佳用作浸沒液體。
任何習用及已知之顯影劑溶液可用於使經曝露光阻層顯影。較佳使用含有氫氧化四甲銨（TMAH）之顯影劑水溶液。
較佳將化學沖洗溶液塗覆至經曝露及顯影之光阻層作為膠泥。
對於根據本發明之方法之光刻方法而言至關重要的為，化學沖洗溶液含有矽氧烷添加劑中之至少一種。
常用於半導體工業之習用及已知之設備可用於進行根據本發明之方法之光刻方法。 實施例 實施例1
具有圓形奈米柱圖案之圖案矽晶圓用於確定乾燥期間之調配物之圖案塌陷效能。用於測試之（縱橫比）AR 20柱具有600 nm之高度及30 nm之直徑。間距尺寸為90 nm。其中在其間無乾燥之情況下按以下順序進行處理之1×1 cm晶圓片段： ▪ 30 s稀釋氫氟酸（DHF）0.5%浸漬， ▪ 60 s超純水（UPW）浸漬， ▪ 60 s異丙醇（IPA）浸漬， ▪ 在室溫下異丙醇中之對應矽氧烷添加劑溶液之60 s浸漬， ▪ 60 s IPA浸漬， ▪ N2
吹風乾燥。
其中用由頂向下SEM分析之經乾燥矽晶圓且塌陷統計例如S1-S4示於表1中。
以下添加劑用於實施例中： 1:
2:
且n=13-15 3:MeO
Me2
SiOSiMe2 OMe
4:
5:EtO
Me2
SiO(Me2
SiO)8,3
SiMe2 OEt
其中用由頂向下SEM分析之經乾燥矽晶圓。
由SEM影像確定圖案塌陷集群尺寸分佈。集群尺寸對應於組成對應集群之未塌陷之柱之數目。藉助於實施例，若處理之前之晶圓包含4×4柱且8個保持未塌陷、4個塌陷成包含2個柱之兩個群集且4個柱塌陷成包含4個柱之一個集群，則比率應為8/11單個群集、2/11雙重群集及1/11具有四個柱之群集。 表1 
表1示出相較於無任何添加劑之溶液而言添加劑1至4對圖案塌陷之程度具有有益效果。 實施例2
為確定有機溶劑中之水之效果，具有圓形奈米柱圖案之圖案矽晶圓用於確定乾燥期間之調配物之圖案塌陷效能。用於測試之（縱橫比）AR 22柱具有550 nm之高度及25 nm之直徑。間距尺寸為90 nm。其中在其間無乾燥之情況下按以下順序進行處理之1×1 cm晶圓片段： ▪ 30 s稀釋氫氟酸（DHF）0.5%浸漬， ▪ 60 s超純水（UPW）浸漬， ▪ 60 s異丙醇（IPA）浸漬， ▪ 在室溫下異丙醇中之對應矽氧烷添加劑溶液之60 s浸漬， ▪ 60 s IPA浸漬， ▪ N2
吹風乾燥。
其中用由頂向下SEM分析之經乾燥矽晶圓。由如上文所描述之SEM影像確定圖案塌陷集群尺寸分佈。
結果示於表2中。 表2 
表2示出相較於1%含水量而言低於0.01%之低量之水引起較低程度之塌陷柱。
無
無
Claims (15)
- 一種包含有機溶劑及式I至IV之至少一種添加劑之非水性組成物之用途，
- 如請求項1所述之用途，其中該有機溶劑為極性質子有機溶劑。
- 如請求項1所述之用途，其中該有機溶劑為直鏈或分支鏈C1至C10烷醇。
- 如請求項3所述之用途，其中該有機溶劑為異丙醇。
- 如請求項1至5中任一項所述之用途，其中該非水性組成物中之水含量低於0.1重量%。
- 如請求項1至5中任一項所述之用途，其中該非水性組成物基本上由該有機溶劑及該式I、II、III或IV之至少一種添加劑組成。
- 如請求項1至5中任一項所述之用途，其中該式I、II、III或IV之至少一種添加劑以0.001重量%至0.1重量%之濃度存在。
- 如請求項1至5中任一項所述之用途，其中該至少一種添加劑為式I化合物，其中R1、R2 獨立地選自H、甲基或乙基，e 為0、1或2，b、d 為0、1或2，a、c 為獨立地選自1至22之整數， R10、R12 獨立地選自H、甲基或乙基，且R11 選自甲基或乙基，較佳甲基。
- 如請求項1至5中任一項所述之用途，其中該至少一種添加劑為式II化合物，其中R1、R2 為甲基，e 為0、1或2，且R10、R12 獨立地選自甲基或乙基。
- 如請求項1至5中任一項所述之用途，其中該至少一種添加劑為式III化合物，其中R1、R2 為甲基或乙基，u、v 為0或1，w 為0或3，x 為2至25之整數，y 為1或2，R10、R12 獨立地選自甲基或乙基，且R11 選自H或甲基。
- 如請求項1至5中任一項所述之用途，其中該至少一種添加劑為式IV化合物，其中n 為1，且R1、R2 為相同的或不同的且選自甲基、乙基、丙基及丁基。
- 一種用於製造積體電路裝置、光學裝置、微機械及機械精密裝置之方法，該方法包含以下步驟：(1)提供具有圖案材料層之基板，該等層具有50nm之線性空間尺寸、大於或等於4之縱橫比或其組合， (2)使該基板與非水性組成物接觸至少一次，及(3)自與該基板之接觸中移除該非水性組成物，其中該非水性組成物包含有機溶劑及式I至IV之至少一種添加劑
- 如請求項12所述之方法，其中該等圖案材料層具有32nm及小於32nm之線性空間尺寸及10或大於10之縱橫比。
- 如請求項12或13所述之方法，其中該等圖案材料層係選自由以下組成之群：圖案顯影光阻層、圖案阻隔材料層、圖案多堆疊材料層及圖案介電材料層。
- 如請求項12或13所述之方法，其中該基板係由包含以下步驟之光刻方法提供：(i)使該基板具備有浸沒光阻、EUV光阻或電子束光阻層，(ii)在存在或不存在浸沒液體之情況下透過光罩使該光阻層曝露於光化輻射，(iii)用顯影劑溶液使經曝露光阻層顯影以獲得具有50nm及小於50nm之線性空間尺寸及4或大於4之縱橫比之圖案，(iv)將該非水性組成物塗覆至經顯影圖案光阻層，及(v)在塗覆該非水性組成物之後離心乾燥半導體基板。
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