TW201727397A - 圖案形成方法及電子器件的製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種圖案形成方法及電子器件的製造方法。本發明的圖案形成方法依次具有:抗蝕劑膜形成製程,使用感光化射線性或感放射線性組成物形成抗蝕劑膜;曝光製程,對上述抗蝕劑膜進行曝光;使用含有漢森的溶解性參數δp的值為2.9以上且5以下的有機溶劑之顯影液,對經曝光之上述抗蝕劑膜進行顯影之製程;使用含有含氟原子及矽原子中的至少一者之有機溶劑之沖洗液,對上述經顯影之抗蝕劑膜進行沖洗之製程。電子器件的製造方法包含上述圖案形成方法。
Description
本發明係關於一種圖案形成方法、電子器件的製造方法及電子器件。 更詳細而言,本發明係關於IC等半導體的製造製程、液晶及熱能頭(thermal head)等的電路基板的製造、以及其他感光蝕刻加工的微影製程等中所使用之圖案形成方法、及包含該圖案形成方法之電子器件的製造方法。
先前,在IC(Integrated Circuit,積體電路)或LSI(Large Scale Integrated circuit,大規模積體電路)等半導體器件的製造工藝中,藉由使用光阻組成物之微影術(lithography)進行微細加工。近年來,隨著積體電路的高積體化,開始要求形成次微米區域或四分之一微米區域的超微細圖案。隨之,先前曝光中使用了g射線,而當前逐漸使用i射線、進而使用KrF準分子雷射光,呈現短波長化之傾向。進而,除了使用準分子雷射光以外,使用了電子束或X射線、或EUV光(Extreme Ultra Violet,極紫外線)之微影亦正在進行開發。 在該種微影術中,由光阻組成物(亦稱作感光化射線或感放射線性組成物)形成膜之後,利用顯影液對所得到之膜進行顯影,或者利用沖洗液對顯影後的膜進行清洗。 例如,專利文獻1中記載有使用了含有有機溶劑之顯影液及含有有機溶劑之沖洗液之圖案形成方法。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]:日本特開2013-257379號公報
近年來,為了製造高積體且高精度的電子器件,要求穩定地形成高精度(例如,線寬為20nm以下)的微細圖案之方法。 然而,隨著進行微細化,不僅是圖案崩塌,由線間的空間寬度減少而引起之橋接的發生亦變得顕著。而且,對於線寬的晶片面內均勻性(CDU)之影響亦變得顕著。
本發明係鑑於以上幾點而完成者,其目的為提供一種高精度(例如,線寬為20nm以下)的微細圖案中之圖案崩塌性能及橋接性能以及CDU(臨界尺寸均勻性(Critical Dimension Uniformity))優異之圖案形成方法、包含該圖案形成方法之電子器件的製造方法、藉由該電子器件的製造方法來製造之電子器件。
本發明者等對上述課題進行了深入研究之結果,發現藉由使用含有漢森(Hansen)的溶解性參數δp的值為2.9以上且5以下的有機溶劑之顯影液及含有含氟原子及矽原子中的至少一者之有機溶劑之沖洗液,可以得到所希望的效果。 詳細原因雖然不明確,但本發明者等如下推斷。碳-氟鍵及碳-矽鍵的分極率一般較低,分子間力較弱,因此一般而言,表面張力較低。認為藉此能夠抑制由毛細管力引起之圖案崩塌。另一方面,關於橋接和CDU,無法以毛細管力來說明,但認為漢森的溶解性參數δp的值為2.9以上且5以下範圍的有機溶劑及含氟原子及矽原子中的至少一者之有機溶劑的混和性良好,藉此,沖洗效率提高,能夠抑制由沖洗的不均勻、偏差引起之CDU的上升或橋接的發生。 更具體而言,發現藉由以下構成能夠達成上述目的。
<1>一種圖案形成方法,其依次具有:抗蝕劑膜形成製程,使用感光化射線性或感放射線性組成物形成抗蝕劑膜; 曝光製程,對上述抗蝕劑膜進行曝光; 使用含有漢森的溶解性參數δp的值為2.9以上且5以下的有機溶劑之顯影液,對經曝光之上述抗蝕劑膜進行顯影之製程;及 使用含有含氟原子及矽原子中的至少一者之有機溶劑之沖洗液,對上述經顯影之抗蝕劑膜進行沖洗之製程。 <2>如<1>所述之圖案形成方法,其中上述沖洗液中所含之上述有機溶劑的含量相對於上述沖洗液的總質量為10質量%以上。 <3>如<1>或<2>所述之圖案形成方法,其中上述沖洗液中所含之上述有機溶劑的含量相對於上述沖洗液的總質量為30質量%以上。 <4>如<1>至<3>中任一個所述之圖案形成方法,其中上述沖洗液中所含之上述有機溶劑為含有氟原子及矽原子中的至少一者之烴系溶劑或醚系溶劑。 <5>如<1>至<4>中任一個所述之圖案形成方法,其中上述沖洗液中所含之上述有機溶劑含有氟原子。 <6>如<5>所述之圖案形成方法,其中上述沖洗液中所含之上述有機溶劑為選自氫氟醚、全氟碳及氫氟碳中之至少1種。 <7>如<5>或<6>所述之圖案形成方法,其中上述沖洗液中所含之上述有機溶劑為選自全氟碳及氫氟碳中之至少1種。 <8>如<1>至<7>中任一個所述之圖案形成方法,其中上述顯影液中所含之上述有機溶劑為酯系溶劑。 <9>如<1>至<8>中任一個所述之圖案形成方法,其中上述顯影液中所含之上述有機溶劑為碳原子數6~10的有機溶劑。 <10>如<1>至<9>中任一個所述之圖案形成方法,其中上述顯影液中所含之上述有機溶劑為選自乙酸丁酯、乙酸戊酯、乙酸己酯、乙酸庚酯、乙酸異丁酯、乙酸異戊酯、乙酸異己酯、乙酸仲丁酯、乙酸叔丁酯及丁酸丁酯、乙酸2-乙基己酯中之至少1種。 <11>如<1>至<10>中任一個所述之圖案形成方法,其中上述曝光係使用電子束或極紫外線而進行。 <12>一種電子器件的製造方法,其包含<1>至<11>中任一個所述之圖案形成方法。
依本發明,能夠提供一種高精度(例如,線寬為20nm以下)的微細圖案中之圖案崩塌性能及橋接性能以及CDU優異之圖案形成方法、包含該圖案形成方法之電子器件的製造方法、藉由該電子器件的製造方法來製造之電子器件。
以下,對用於實施本發明之形態的一例進行說明。 另外,本說明書中,用“~”表示之數值範圍係指將“~”的前後所記載之數值作為下限值及上限值而包含之範圍。 本發明中,“光化射線”或“放射線”係指例如水銀燈的明線光譜、以準分子雷射為代表之遠紫外線、極紫外線、X射線、電子束等。並且,本發明中,“光”係指光化射線或放射線。本說明書中之“曝光”只要沒有特別指定,則不僅包含使用水銀燈、以準分子雷射為代表之遠紫外線、X射線、極紫外線(EUV光)等進行之曝光,使用EB(電子束)及離子束等粒子束進行之描畫亦包含於曝光中。 另外,本說明書中之基團(原子團)的標記中,未標有經取代或未經取代之標記包含不具有取代基者,並且還包含具有取代基者。例如,“烷基”不僅包含不具有取代基之烷基(未經取代之烷基),還包含具有取代基之烷基(經取代之烷基)。 本說明書中,“(甲基)丙烯酸系單體”係指具有“CH2
=CH-CO-”或“CH2
=C(CH3
)-CO-”的結構之單體中的至少1種。同樣地,“(甲基)丙烯酸酯”及“(甲基)丙烯酸”分別係指“丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯中的至少1種”及“丙烯酸及甲基丙烯酸中的至少1種”。 本說明書中,樹脂的重量平均分子量係藉由GPC(凝膠滲透層析術)法測定之聚苯乙烯換算值。GPC能夠依照使用HLC-8120(TOSOH CORPORATION製),使用TSK gel Multipore HXL-M (TOSOH CORPORATION製,7.8mmID×30.0cm)作為管柱,並使用THF(四氫呋喃)作為溶析液之方法。
<圖案形成方法> 本發明的圖案形成方法係如下圖案形成方法,其依次具有: 抗蝕劑膜形成製程,使用感光化射線性或感放射線性組成物形成抗蝕劑膜; 曝光製程,對上述抗蝕劑膜進行曝光; 使用含有有機溶劑之顯影液,對經曝光之上述抗蝕劑膜進行顯影之製程;及 使用含有有機溶劑之沖洗液,對上述經顯影之抗蝕劑膜進行沖洗之製程,其中, 上述顯影液含有漢森的溶解性參數δp的值為2.9以上且5以下的有機溶劑, 上述沖洗液含有含氟原子及矽原子中的至少一者之有機溶劑。
以下,對本發明的圖案形成方法所具有之各製程進行說明。
<抗蝕劑膜形成製程> 抗蝕劑膜形成製程係使用感光化射線性或感放射線性組成物(亦稱為“抗蝕劑組成物”)來形成抗蝕劑膜之製程,例如能夠藉由如下方法來進行。另外,對抗蝕劑組成物將於後述。 為了使用抗蝕劑組成物在基板上形成抗蝕劑膜(感光化射線性或感放射線性組成物膜),將後述之各成分溶解於溶劑中以製備抗蝕劑組成物,並根據需要進行過濾器濾過之後塗佈於基板上。作為過濾器,係細孔尺寸為0.1μm以下、更佳為0.05μm以下、進一步較佳為0.03μm以下的聚四氟乙烯製、聚乙烯製、尼龍製者為較佳。
抗蝕劑組成物藉由旋塗機(Spinner)等適當的塗佈方法來塗佈於如積體電路元件的製造中所使用之基板(例:矽、二氧化矽塗覆)上。其後進行乾燥來形成抗蝕劑膜。根據需要,可以在抗蝕劑膜的下層形成各種基底膜(無機膜、有機膜、防反射膜)。
作為乾燥方法,一般使用加熱來乾燥之方法。加熱能夠利用通常的曝光/顯影機所具備之機構來進行,亦可以使用加熱板等來進行。關於加熱溫度,在80~150℃下進行為較佳,在80~140℃下進行為更佳,在80~130℃下進行為進一步較佳。加熱時間係30~1000秒鐘為較佳,60~800秒鐘為更佳,60~600秒鐘為進一步較佳。
抗蝕劑膜的膜厚一般係200nm以下,較佳為100nm以下。 為了解析例如線寬為20nm以下的1:1線與空間圖案(line-and-space pattern),所形成之抗蝕劑膜的膜厚係50nm以下為較佳。若膜厚為50nm以下,則在適用後述之顯影製程時,更不易產生圖案崩塌,可以得到更優異之解析性能。 作為膜厚的範圍,更較佳為15nm至45nm的範圍。若膜厚為15nm以上,則可以得到充分的耐蝕刻性。作為膜厚的範圍,進一步較佳為15nm至40nm。若膜厚在該範圍,則能夠同時滿足耐蝕刻性和更優異之解析性能。
另外,在本發明的圖案形成方法中,可以在抗蝕劑膜的上層形成頂塗層。頂塗層係不與抗蝕劑膜混合並且能夠均勻地塗佈於抗蝕劑膜的上層為較佳。 關於頂塗層並沒有特別限定,能夠藉由先前公知的方法來形成先前公知的頂塗層,例如能夠基於日本特開2014-059543號公報的段落0072~0082的記載來形成頂塗層。 在顯影製程中,例如將如日本特開2013-61648號公報中所記載之含有鹼性化合物之頂塗層形成於抗蝕劑膜上為較佳。關於頂塗層可以含有之鹼性化合物的具體例,作為鹼性化合物(E)而將於後述。 並且,頂塗層含有含至少一個選自由醚鍵、硫醚鍵、羥基、硫醇基、羰基鍵及酯鍵構成之組群中之基團或鍵之化合物為較佳。
<曝光製程> 曝光製程為對抗蝕劑膜進行曝光之製程,例如能夠藉由如下方法來進行。 對如上形成之抗蝕劑膜通過既定的遮罩來照射光化射線或放射線。另外,在照射電子束時,一般為不經由遮罩之描畫(直描)。 作為光化射線或放射線並沒有特別限定,例如有KrF準分子雷射、ArF準分子雷射、極紫外線(EUV,Extreme Ultra Violet)、電子束(EB,Electron Beam)等,極紫外線或電子束為特佳。曝光亦可以係液浸曝光。
<烘烤> 在本發明的圖案形成方法中,在曝光後且進行顯影之前進行烘烤(加熱)為較佳。藉由烘烤來促進曝光部的反應,從而靈敏度或圖案形狀變得更良好。 加熱溫度係80~150℃為較佳,80~140℃為更佳,80~130℃為進一步較佳。 加熱時間係30~1000秒鐘為較佳,60~800秒鐘為更佳,60~600秒鐘為進一步較佳。 加熱能夠藉由通常的曝光/顯影機所具備之機構來進行,亦可以使用加熱板等來進行。
<顯影製程> 顯影製程為利用顯影液對經曝光之抗蝕劑膜進行顯影之製程。
作為顯影方法,例如可以適用在裝滿顯影液之槽中將基板浸漬一定時間之方法(浸漬法(dip method));藉由表面張力,使顯影液堆積在基板表面上並靜置一定時間從而進行顯影之方法(浸置法(puddle method));向基板表面噴霧顯影液之方法(噴霧法(spray method));在以一定速度旋轉之基板上,一邊以一定速度將顯影液噴出噴嘴進行掃描,一邊持續噴出顯影液之方法(動態分配法(dynamic dispense method))等。 並且,可以在進行顯影之製程之後,實施一邊取代為其他溶劑,一邊停止顯影之製程。 顯影時間只要係未曝光部的樹脂充分溶解之時間,則並沒有特別限制,通常係10~300秒鐘,較佳為20~120秒鐘。 顯影液的溫度係0~50℃為較佳,15~35℃為更佳。
<顯影液> 本發明中之顯影液含有漢森的溶解性參數δp的值為2.9以上且5以下的有機溶劑。另外,由於本發明中之顯影液含有有機溶劑,因此亦可以稱為有機系顯影液。
作為顯影液中所使用之有機溶劑,可以使用漢森的溶解性參數δp的值為2.9以上且5以下的有機溶劑。 若δp的值小於2.9,則對抗蝕劑膜之親和性不足,不會進行顯影。另一方面,若δp的值大於5,則顯影液的極性過高,與本發明中之含有含氟原子及矽原子中的至少一者之有機溶劑之沖洗液的相溶性不足,CDU會惡化。
漢森的溶解性參數δp使用了“Hansen Solubility Parameters:A User’s Handbook, Second Edition”(Charles M. Hansen著,2007年)中所記載之值。
作為漢森的溶解性參數δp的值為2.9以上且5以下的有機溶劑,可以廣泛地使用各種有機溶劑,例如可以使用酯系溶劑、酮系溶劑、醚系溶劑等溶劑。其中,較佳為漢森的溶解性參數δp的值為2.9以上且5以下的酯系溶劑。 並且,δp的值係2.9以上且4.0以下為較佳,2.9以上且3.5以下為更佳。
本發明中,酯系溶劑係指在分子內具有酯鍵之溶劑,酮系溶劑係指在分子內具有酮基之溶劑,醚系溶劑係指在分子內具有醚鍵之溶劑。在該等之中,亦存在在1個分子內具有複數種上述官能基之溶劑,在該情況下,亦符合含有該溶劑所具有之官能基之任何溶劑種類。
從與沖洗液的親和性的觀點考慮,漢森的溶解性參數δp的值為2.9以上且5以下的有機溶劑係碳原子數6~10的有機溶劑為較佳,碳原子數6~9的有機溶劑為更佳,碳原子數7~9的有機溶劑為進一步較佳。
作為酯系溶劑的例子,示出以下。括號內的數字表示漢森的溶解性參數δp的值。 乙酸丙酯(4.3)、乙酸丁酯(3.7)、乙酸戊酯(3.3)、乙酸己酯(2.9)、乙酸庚酯(2.9)、乙酸異丙酯(4.5)、乙酸異丁酯(3.7)、乙酸異戊酯(3.1)、乙酸異己酯(3.1)、乙酸仲丁酯(3.7)、乙酸叔丁酯(3.7)、丁酸丁酯(2.9)、乙酸2-甲基丁酯(3.1)、乙酸1-甲基丁酯(3.1) 在該等之中,特佳地使用碳原子數為6以上且10以下的酯系溶劑。具體而言,係乙酸丁酯(3.7)、乙酸戊酯(3.3)、乙酸己酯(2.9)、乙酸庚酯(2.9)、乙酸異丁酯(3.7)、乙酸異戊酯(3.1)、乙酸異己酯(3.1)、乙酸仲丁酯(3.7)、乙酸叔丁酯(3.7)、丁酸丁酯(2.9)、乙酸2-乙基己酯(2.9),該等中的至少1種為較佳。
作為酮系溶劑,例如可以舉出二異丁基酮(3.7)、甲基異丁基酮(3.8)。
作為醚系溶劑,例如可以舉出二乙醚(2.9)、二異丙醚(3.2)、二丁醚(2.9)。
顯影液可以僅含有1種漢森的溶解性參數δp的值為2.9以上且5以下的有機溶劑,亦可以含有2種以上。
顯影液的蒸氣壓(在混合溶劑的情況下為作為整體之蒸氣壓)在20℃下係5kPa以下為較佳,3kPa以下為進一步較佳,2kPa以下為特佳。藉由將顯影液的蒸氣壓設為5kPa以下,可以抑制顯影液在基板上或顯影杯內的蒸發,晶片面內的溫度均勻性得到提高,結果,晶片面內的尺寸均勻性變得良好。
在顯影液中,含有硫原子之成分係10mmol/L以下為較佳。
在顯影液中,作為可以與漢森的溶解性參數δp的值為2.9以上且5以下的有機溶劑併用之有機溶劑,可以舉出以下有機溶劑。 作為顯影液可以含有之酯系溶劑,可以舉出乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸辛酯、甲氧基乙酸乙酯、乙氧基乙酸乙酯、丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA;別名1-甲氧基-2-乙醯氧基丙烷)、乙二醇單乙醚乙酸酯、乙二醇單丙醚乙酸酯、乙二醇單丁醚乙酸酯、乙二醇單苯醚乙酸酯、二乙二醇單甲醚乙酸酯、二乙二醇單丙醚乙酸酯、二乙二醇單乙醚乙酸酯、二乙二醇單苯醚乙酸酯、二乙二醇單丁醚乙酸酯、二乙二醇單乙醚乙酸酯、2-甲氧基丁基乙酸酯、3-甲氧基丁基乙酸酯、4-甲氧基丁基乙酸酯、3-甲基-3-甲氧基丁基乙酸酯、3-乙基-3-甲氧基丁基乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯、丙二醇單丙醚乙酸酯、2-乙氧基丁基乙酸酯、4-乙氧基丁基乙酸酯、4-丙氧基丁基乙酸酯、2-甲氧基戊基乙酸酯、3-甲氧基戊基乙酸酯、4-甲氧基戊基乙酸酯、2-甲基-3-甲氧基戊基乙酸酯、3-甲基-3-甲氧基戊基乙酸酯、3-甲基-4-甲氧基戊基乙酸酯、4-甲基-4-甲氧基戊基乙酸酯、丙二醇二乙酸酯、甲酸甲酯、甲酸乙酯、甲酸丁酯、甲酸丙酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯、乳酸丙酯、碳酸乙酯、碳酸丙酯、碳酸丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、丙酮酸丙酯、丙酮酸丁酯、乙醯乙酸甲酯、乙醯乙酸乙酯、丙酸甲酯、丙酸乙酯、丙酸丙酯、丙酸異丙酯、丙酸丁酯、丙酸戊酯、丙酸己酯、丙酸庚酯、丁酸異丁酯、丁酸戊酯、丁酸己酯、異丁酸異丁酯、戊酸丙酯、戊酸異丙酯、戊酸丁酯、戊酸戊酯、己酸乙酯、己酸丙酯、己酸丁酯、己酸異丁酯、庚酸甲酯、庚酸乙酯、庚酸丙酯、乙酸環己酯、乙酸環庚酯、丙酸環戊酯、2-羥基丙酸甲酯、2-羥基丙酸乙酯、甲基-3-甲氧基丙酸酯、乙基-3-甲氧基丙酸酯、乙基-3-乙氧基丙酸酯、丙基-3-甲氧基丙酸酯等。
作為顯影液可以含有之酮系溶劑,還可以舉出1-辛酮、2-辛酮、1-壬酮、2-壬酮、丙酮、2-庚酮、4-庚酮、1-己酮、2-己酮、環己酮、甲基環己酮、苯基丙酮、甲乙酮、乙醯丙酮、丙酮基丙酮、紫羅蘭酮(ionone)、二丙酮醇(diacetonyl alcohol)、乙醯甲醇(acetyl carbinol)、苯乙酮、甲基萘基酮、異佛爾酮、伸丙基碳酸酯(propylene carbonate)、γ-丁內酯等。
作為顯影液可以含有之醚系溶劑,可以舉出丙二醇二甲醚、丙二醇二乙醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚等不含羥基之二醇醚系溶劑、茴香醚、乙基苯基醚(phenetole)等芳香族醚溶劑、二噁烷、四氫呋喃、四氢吡喃、全氟-2-丁基四氫呋喃、全氟四氫呋喃、1,4-二噁烷等。
作為顯影液可以含有之醇系溶劑,例如可以舉出甲醇、乙醇、1-丙醇、異丙醇、1-丁醇、2-丁醇、3-甲基-1-丁醇、叔丁醇、1-戊醇、2-戊醇、1-己醇、1-庚醇、1-辛醇、1-癸醇、2-己醇、2-庚醇、2-辛醇、3-己醇、3-庚醇、3-辛醇、4-辛醇、3-甲基-3-戊醇、2,3-二甲基-2-丁醇、3,3-二甲基-2-丁醇、2-甲基-2-戊醇、2-甲基-3-戊醇、3-甲基-2-戊醇、3-甲基-3-戊醇、4-甲基-2-戊醇、4-甲基-3-戊醇、環己醇、5-甲基-2-己醇、4-甲基-2-己醇、4,5-二甲基-2-己醇、6-甲基-2-庚醇、7-甲基-2-辛醇、8-甲基-2-壬醇、9-甲基-2-癸醇、3-甲氧基-1-丁醇等醇(1價的醇)、或乙二醇、二乙二醇、三乙二醇等二醇系溶劑、或乙二醇單甲醚、丙二醇單甲醚(PGME;別名1-甲氧基-2-丙醇)、二乙二醇單甲醚、三乙二醇單乙醚、甲氧基甲基丁醇、乙二醇單乙醚、乙二醇單丙醚、乙二醇單丁醚、丙二醇單乙醚、丙二醇單丙醚、丙二醇單苯醚等含有羥基之二醇醚系溶劑等。在該等之中,使用二醇醚系溶劑為較佳。
作為顯影液可以含有之醯胺系溶劑,例如可以使用N-甲基-2-吡咯啶酮、N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、六甲基磷醯三胺、1,3-二甲基-2-咪唑啶酮等。
作為顯影液可以含有之烴系溶劑,例如可以舉出戊烷、己烷、辛烷、壬烷、癸烷、十二烷、十一烷、十六烷、2,2,4-三甲基戊烷、2,2,3-三甲基己烷、全氟己烷、全氟庚烷等脂肪族烴系溶劑、甲苯、二甲苯、乙基苯、丙基苯、1-甲基丙基苯、2-甲基丙基苯、二甲基苯、二乙基苯、乙基甲基苯、三甲基苯、乙基二甲基苯、二丙基苯等芳香族烴系溶劑、辛烯、壬烯、癸烯、十一碳烯、十二碳烯、十六碳烯等不飽和烴系溶劑。
不飽和烴溶劑所具有之雙鍵、三鍵可以係複數個,可以具備於烴鏈的任何位置。亦可以混合有基於具有雙鍵之順式(Cis)、反式(trans)體。 另外,在作為烴系溶劑之脂肪族烴系溶劑中,可以係相同碳數且不同結構的化合物的混合物。例如,當使用癸烷作為脂肪族烴系溶劑時,作為相同碳數且不同結構的化合物之2-甲基壬烷、2,2-二甲基辛烷、4-乙基辛烷、異癸烷等可以含於脂肪族烴系溶劑中。 並且,上述相同碳數且不同結構的化合物可以僅含有1種,亦可以含有複數種。
顯影液中之漢森的溶解性參數δp的值為2.9以上且5以下的有機溶劑的含量相對於顯影液的總質量係60質量%以上為較佳,80質量%以上為更佳,90質量%以上為進一步較佳,95質量%以上為特佳。藉由將顯影液中之漢森的溶解性參數δp的值為2.9以上且5以下的有機溶劑的含量設為60質量%以上,圖案崩塌性能進一步變得良好。
當顯影液中含有漢森的溶解性參數δp的值為2.9以上且5以下的有機溶劑時,漢森的溶解性參數δp的值為2.9以上且5以下的有機溶劑以外的溶劑的含量相對於顯影液的總質量係40質量%以下為較佳,更佳為20質量%以下,進一步較佳為10質量%以下,特佳為5質量%以下。
顯影液含有界面活性劑為較佳。藉此,具有對抗蝕劑膜之潤濕性得到提高而顯影性得到提高,從而異物的產生得到抑制之傾向。 作為界面活性劑,可以使用與後述之感光化射線或感放射線性組成物中所使用之界面活性劑相同者。 當顯影液含有界面活性劑時,界面活性劑的含量相對於顯影液的總質量係0.001~5質量%為較佳,更佳為0.005~2質量%,進一步較佳為0.01~0.5質量%。
顯影液含有抗氧化劑為較佳。藉此,能夠抑制氧化劑的經時產生,能夠進一步減少氧化劑的含量。
作為抗氧化劑,可以使用公知者,當用於半導體用途時,較佳地使用胺系抗氧化劑、苯酚系抗氧化劑。 作為胺系抗氧化劑,例如可以舉出1-萘胺、苯基-1-萘胺、p-辛基苯基-1-萘胺、p-壬基苯基-1-萘胺、p-十二烷基苯基-1-萘胺、苯基-2-萘胺等萘胺系抗氧化劑;N,N'-二異丙基-p-伸苯基二胺、N,N'-二異丁基-p-伸苯基二胺、N,N'-二苯基-p-伸苯基二胺、N,N'-二-β-萘基-p-伸苯基二胺、N-苯基-N'-異丙基-p-伸苯基二胺、N-環己基-N'-苯基-p-伸苯基二胺、N-1,3-二甲基丁基-N'-苯基-p-伸苯基二胺、二辛基-p-伸苯基二胺、苯基己基-p-伸苯基二胺、苯基辛基-p-伸苯基二胺等伸苯基二胺系抗氧化劑;二吡啶基胺、二苯胺、p,p'-二-正丁基二苯胺、p,p'-二-t-丁基二苯胺、p,p'-二-叔戊基二苯胺、p,p'-二辛基二苯胺、p,p'-二壬基二苯胺、p,p'-二癸基二苯胺、p,p'-雙十二烷基二苯胺、p,p'-二苯乙烯基二苯胺、p,p'-二甲氧基二苯胺、4,4'-雙(4-α,α-二甲基苯甲醯基)二苯胺、p-異丙氧基二苯胺、二吡啶基胺等二苯胺系抗氧化劑;啡噻嗪、N-甲基啡噻嗪、N-乙基啡噻嗪、3,7-二辛基啡噻嗪、啡噻嗪羧酸酯、啡硒嗪等啡噻嗪系抗氧化劑。 作為苯酚系抗氧化劑,例如可以舉出2,6-二-叔丁基苯酚(以下,將叔丁基略記為t-丁基。)、2,6-二-t-丁基-p-甲酚、2,6-二-t-丁基-4-甲基苯酚、2,6-二-t-丁基-4-乙基苯酚、2,4-二甲基-6-t-丁基苯酚、4,4’-亞甲基雙(2,6-二-t-丁基苯酚)、4,4’-雙(2,6-二-t-丁基苯酚)、4,4’-雙(2-甲基-6-t-丁基苯酚)、2,2’-亞甲基雙(4-甲基-6-t-丁基苯酚)、2,2’-亞甲基雙(4-乙基-6-t-丁基苯酚)、4,4’-亞丁基雙(3-甲基-6-t-丁基苯酚)、4,4’-亞異丙基雙(2,6-二-t-丁基苯酚)、2,2’-亞甲基雙(4-甲基-6-環己基苯酚)、2,2’-亞甲基雙(4-甲基-6-壬基苯酚)、2,2’-亞異丁基雙(4,6-二甲基苯酚)、2,6-雙(2’-羥基-3’-t-丁基-5’-甲基苄基)-4-甲基苯酚、3-t-丁基-4-羥基茴香醚、2-t-丁基-4-羥基茴香醚、3-(4-羥基-3,5-二-t-丁基苯基)丙酸辛酯、3-(4-羥基-3,5-二-t-丁基苯基)丙酸硬脂基酯、3-(4-羥基-3,5-二-t-丁基苯基)丙酸油基酯、3-(4-羥基-3,5-二-t-丁基苯基)丙酸十二烷基酯、3-(4-羥基-3,5-二-t-丁基苯基)丙酸癸酯、3-(4-羥基-3,5-二-t-丁基苯基)丙酸辛酯、四{3-(4-羥基-3,5-二-t-丁基苯基)丙醯氧基甲基}甲烷、3-(4-羥基-3,5-二-t-丁基苯基)丙酸甘油單酯、3-(4-羥基-3,5-二-t-丁基苯基)丙酸與甘油單油基醚的酯、3-(4-羥基-3,5-二-t-丁基苯基)丙酸丁二醇二酯、3-(4-羥基-3,5-二-t-丁基苯基)丙酸硫二甘醇二酯(thiodiglycol diester)、4,4’-硫代雙(3-甲基-6-t-丁基苯酚)、4,4’-硫代雙(2-甲基-6-t-丁基苯酚)、2,2’-硫代雙(4-甲基-6-t-丁基苯酚)、2,6-二-t-丁基-α-二甲基胺基-p-甲酚、2,6-二-t-丁基-4-(N,N’-二甲基胺基甲基苯酚)、雙(3,5-二-t-丁基-4-羥基苄基)硫醚、三{(3,5-二-t-丁基-4-羥基苯基)丙醯基-氧基乙基}異氰脲酸酯、三(3,5-二-t-丁基-4-羥基苯基)異氰脲酸酯、1,3,5-三(3,5-二-t-丁基-4-羥基苄基)異氰脲酸酯、雙{2-甲基-4-(3-n-烷硫基丙醯氧基)-5-t-丁基苯基}硫醚、1,3,5-三(4-t-丁基-3-羥基-2,6-二甲基苄基)異氰脲酸酯、四鄰苯二甲醯基-二(2,6-二甲基-4-t-丁基-3-羥基苄基硫醚)、6-(4-羥基-3,5-二-t-丁基苯胺基)-2,4-雙(辛硫基)-1,3,5-三嗪、2,2-硫代-{二乙基-雙-3-(3,5-二-t-丁基-4-羥基苯基)}丙酸酯、N,N’-六亞甲基雙(3,5-二-t-丁基-4-羥基-氫氰胺)、3,9-雙〔1,1-二甲基-2-{β-(3-t-丁基-4-羥基-5-甲基苯基)丙醯氧基}乙基〕-2,4,8,10-四氧雜螺[5,5]十一烷、1,1,3-三(2-甲基-4-羥基-5-t-丁基苯基)丁烷、1,3,5-三甲基-2,4,6-三(3,5-二-t-丁基-4-羥基苄基)苯、雙{3,3’-雙-(4’-羥基-3’-t-丁基苯基)丁酸}二醇酯等。
抗氧化劑的含量並沒有特別限定,相對於顯影液的總質量係0.0001~1質量%為較佳,0.0001~0.1質量%為更佳,0.0001~0.01質量%為進一步較佳。若為0.0001質量%以上,則可以得到更優異之抗氧化效果,藉由為1質量%以下,具有能夠抑制顯影殘渣之傾向。
顯影液含有鹼性化合物為較佳。作為鹼性化合物的具體例,可以舉出作為在後面描述之感光化射線性或感放射線性組成物可以含有之鹼性化合物而例示之化合物。 在顯影液中可含之鹼性化合物中,可以較佳地使用含氮化合物。
作為顯影製程中所使用之顯影液,除了進行使用上述顯影液之顯影以外,還可以進行使用鹼顯影液之顯影(所謂的雙重顯影)。
<沖洗製程> 沖洗製程為在顯影製程之後利用沖洗液進行清洗(沖洗)之製程。
在沖洗製程中,使用前述沖洗液對進行了顯影之晶片進行清洗處理。 清洗處理的方法並沒有特別限定,例如可以適用在以一定速度旋轉之基板上,持續噴出沖洗液之方法(旋轉噴出法);在裝滿沖洗液之槽中將基板浸漬一定時間之方法(浸漬法);向基板表面噴霧沖洗液之方法(噴射法)等。其中,利用旋轉噴出方法進行清洗處理,清洗後使基板以2000rpm~4000rpm的轉速旋轉以從基板上去除沖洗液為較佳。 沖洗時間並沒有特別限制,較佳為10秒鐘~300秒鐘,更佳為10秒鐘~180秒鐘,最佳為20秒鐘~120秒鐘。 沖洗液的溫度係0~50℃為較佳,15~35℃為進一步較佳。
並且,在顯影處理或沖洗處理之後,可以進行利用超臨界流體來去除附著於圖案上之顯影液或沖洗液之處理。 另外,可以在顯影處理或沖洗處理或使用超臨界流體進行之處理之後,為了去除殘留於圖案中之溶劑而進行加熱處理。只要可以得到良好的抗蝕劑圖案,則加熱溫度並沒有特別限定,通常係40~160℃。加熱溫度係50~150℃為較佳,50~110℃為最佳。關於加熱時間,只要可以得到良好的抗蝕劑圖案,則並沒有特別限定,通常係15~300秒鐘,較佳為15~180秒鐘。
<沖洗液> 本發明中之沖洗液含有含氟原子及矽原子中的至少一者之有機溶劑。另外,由於本發明中之沖洗液含有有機溶劑,因此亦可以稱為有機系沖洗液。
沖洗液的蒸氣壓(在混合溶劑的情況下為作為整體之蒸氣壓)在20℃係0.05kPa以上且5kPa以下為較佳,0.1kPa以上且5kPa以下為進一步較佳,0.12kPa以上且3kPa以下為最佳。藉由將沖洗液的蒸氣壓設為0.05kPa以上且5kPa以下,晶片面內的溫度均勻性得到提高,進而可以抑制由沖洗液的滲透所引起之膨潤,晶片面內的尺寸均勻性變得良好。
作為沖洗液中所含之含有氟原子及矽原子中的至少一者之有機溶劑,係含有氟原子及矽原子中的至少一者之烴系溶劑或醚系溶劑為較佳。 作為含有氟原子及矽原子中的至少一者之有機溶劑,係含有氟原子之有機溶劑為較佳。 作為含有氟原子及矽原子中的至少一者之有機溶劑,可以舉出氫氟醚、全氟碳、氫氟碳,選自該等中之至少1種為較佳,選自全氟碳及氫氟碳中之至少1種為更佳。
(氫氟醚) 氫氟醚(HFE)並沒有特別限定,較佳為下述式1所表示之化合物。 式1 R1-O-R2 式1中,R1表示碳原子數1~12的烷基或氟烷基,R2表示碳原子數1~12的全氟烷基或氟烷基。 R1、R2較佳為表示碳原子數3~12的全氟烷基或氟烷基。
作為氫氟醚的具體例,可以舉出甲基全氟異丁醚、甲基全氟丁醚、HFE-347pc-f(CF3
CH2
OCF2
CHF2
)等。作為具體的商品,可以舉出ASAHIKLIN AE-3000(ASAHI GLASS CO.,LTD.)、Novec HFE-7100(Sumitomo 3M Limited)、Novec HFE-7200(Sumitomo 3M Limited)等。 氫氟醚可以單獨使用1種,亦可以混合使用2種以上。
(全氟碳) 全氟碳(PFC)為完全氟化烷基化合物,無論是否為直鏈、分支、環狀。全氟碳的碳原子數的範圍係3~12為較佳。若碳數較少,則揮發性過高,因此晶片面內的溫度均勻性會惡化。另一方面,若碳數較多,則相反地揮發性過低,因此即使進行沖洗後的旋乾,溶劑亦不會揮發而殘留,導致難以得到本來的沖洗目的。
作為本發明中可以使用之全氟碳的具體例,可以舉出全氟丁烷、全氟戊烷、全氟己烷、全氟庚烷、全氟辛烷、全氟壬烷、全氟癸烷等。作為具體的商品,可以舉出Fluorinert FC-770(Sumitomo 3M Limited)、Flutec(Rhône-Poulenc)、GALDEN(Ausimont K.K.)、Alphard(ASAHI GLASS CO.,LTD.)等。 全氟碳可以單獨使用1種或者混合2種以上。
(氫氟碳) 氫氟碳(HFC)為烴中之氫原子的一部分成為了氟原子之化合物,無論是否為直鏈、分支、環狀,係在化合物分子中存在至少1個以上的氟原子者。氫氟碳的碳原子數的範圍係3~12為較佳。若碳原子數為3以上,則揮發性不會過高,晶片面內的溫度均勻性變得良好。另一方面,若碳原子數為12以下,則揮發性不會過低,溶劑容易藉由沖洗後的旋乾揮發而不易殘留,因此容易得到沖洗的目的。「
作為氫氟碳的具體例,可以舉出HFC-52-13p(CF3
CF2
CF2
CF2
CF2
CHF2
)、HFC-569sf(CF3
CF2
CF2
CF2
CH2
CH3
)、HFC-43-10mee、1,1,1,3,3-五氟丁烷、八氟環戊烷、2,3-二氫十氟戊烷等。作為具體的商品,可以舉出Vertrel(Du Pont-Mitsui Fluorochemicals Co.,Ltd.)、Solcan365mfc(Solvay公司)、ASAHIKLIN AC-2000(ASAHI GLASS CO.,LTD.)、ASAHIKLIN AC-4000(ASAHI GLASS CO.,LTD.)、ASAHIKLIN AC-6000(ASAHI GLASS CO.,LTD.)等。 氫氟碳可以單獨使用1種或者混合2種以上。
作為沖洗液中所含之含有矽原子之有機溶劑,可以舉出矽氧烷系溶劑。 作為矽氧烷系溶劑,可以舉出六甲基二矽氧烷、八甲基三矽氧烷、十甲基四矽氧烷等鏈狀矽氧烷系溶劑等。在該等之中,較佳者為六甲基二矽氧烷、八甲基三矽氧烷。
沖洗液中所含之含有氟原子及矽原子中的至少一者之有機溶劑的含量並沒有特別限制,相對於沖洗液的總質量係10質量%以上為較佳,30質量%以上為更佳,50質量%以上為進一步較佳,100質量%為最佳。
含有氟原子及矽原子中的至少一者之有機溶劑可以單獨使用1種,亦可以混合複數種,亦可以與含有氟原子及矽原子中的至少一者之有機溶劑以外的有機溶劑(亦稱為“其他有機溶劑”)混合。
作為沖洗液可以含有之其他有機溶劑,可以舉出選自由烴系溶劑、酮系溶劑、酯系溶劑、醇系溶劑、醯胺系溶劑及醚系溶劑構成之組群中之至少1種有機溶劑。該等有機溶劑的具體例與在上述顯影液中所說明之有機溶劑相同。
當與含有氟原子及矽原子中的至少一者之有機溶劑以外的有機溶劑混合時,含有氟原子及矽原子中的至少一者之有機溶劑以外的有機溶劑的含量相對於沖洗液的總質量係40質量%以下為較佳,更佳為20質量%以下,進一步較佳為10質量%以下,最佳為5質量%以下。 藉由將含有氟原子及矽原子中的至少一者之有機溶劑以外的有機溶劑的含量設為40質量%以下,能夠得到良好的圖案崩塌特性。
在沖洗液中,含有硫原子之成分係10mmol/L以下為較佳。
沖洗液可以含有界面活性劑。藉此,具有對抗蝕劑膜之潤濕性得到提高而沖洗性得到提高,從而異物的產生得到抑制之傾向。 作為界面活性劑,可以使用與後述之感光化射線性或感放射線性組成物中所使用之界面活性劑相同者。 界面活性劑的含量相對於沖洗液的總質量係0.001~5質量%為較佳,更佳為0.005~2質量%,進一步較佳為0.01~0.5質量%。
沖洗液含有抗氧化劑為較佳。藉此,能夠抑制氧化劑的經時產生,並能夠抑制溶液的經時劣化。抗氧化劑的具體例與前述顯影液可以含有之抗氧化劑的具體例相同。
當沖洗液含有抗氧化劑時,抗氧化劑的含量並沒有特別限定,相對於沖洗液的總質量係0.0001~1質量%為較佳,0.0001~0.1質量%為更佳,0.0001~0.01質量%為進一步較佳。
<感光化射線或感放射線性組成物> 接著,對本發明的圖案形成方法中所使用之感光化射線性或感放射線性組成物進行說明。 在本發明的圖案形成方法中,感光化射線性或感放射線性組成物(亦稱為“抗蝕劑組成物”)係使用含有有機溶劑之顯影液之有機溶劑顯影用的感光化射線性或感放射線性組成物為較佳。在此,有機溶劑顯影用係指至少供於使用含有有機溶劑之顯影液來進行顯影之製程之用途。本發明中之感光化射線性或感放射線性組成物可以係化學增幅型抗蝕劑組成物,亦可以係非化學增幅型抗蝕劑組成物,但化學增幅型抗蝕劑組成物為較佳。並且,本發明中之感光化射線性或感放射線性組成物可以係正型抗蝕劑組成物,亦可以係負型抗蝕劑組成物。 本發明中之感放射線性或感光化射線性組成物用於電子束或極紫外線曝光為較佳。
本發明中之感光化射線性或感放射線性組成物及在本發明的圖案形成方法中所使用之各種材料(例如,抗蝕劑溶劑、顯影液、沖洗液、防反射膜形成用組成物、頂塗層形成用組成物等)不含金屬、含鹵素之金屬鹽、酸、鹼等雜質為較佳。作為該等材料中所含之雜質的含量,係1ppm以下為較佳,1ppb以下為更佳,100ppt以下為進一步較佳,10ppt以下為特佳,實質上不含(測定裝置的檢測界限以下)為最佳。 作為從各種材料中去除金屬等雜質之方法,例如可以舉出使用過濾器之濾過。作為過濾器孔徑,細孔尺寸10nm以下為較佳,5nm以下為更佳,3nm以下為進一步較佳。作為過濾器的材質,聚四氟乙烯製、聚乙烯製、尼龍製過濾器為較佳。過濾器亦可以係將該等材質與離子交換介質組合之複合材料。過濾器亦可以使用預先用有機溶劑清洗者。在過濾器過濾製程中,可以將複數種過濾器串聯或並聯連接而進行使用。當使用複數種過濾器時,亦可以組合使用孔徑和/或材質不同之過濾器。並且,可以對各種材料進行複數次過濾, 複數次過濾之製程可以係循環過濾製程。 並且,作為減少各種材料中所含之金屬等雜質之方法,可以舉出選擇金屬含量較少的原料作為構成各種材料之原料;對構成各種材料之原料進行過濾器濾過;在用鐵氟龍(登錄商標)對裝置內部進行內襯(linning)等來盡量抑制污染之條件下進行蒸餾等方法。對構成各種材料之原料進行之過濾器過濾中之較佳的條件與上述條件相同。 除過濾器過濾以外,還可以進行基於吸附材之雜質的去除,亦可以將過濾器過濾和吸附材組合使用。作為吸附材,可以使用公知的吸附材,例如可以使用矽膠、沸石等無機系吸附材、活性碳等有機系吸附材。
<樹脂(A)> 抗蝕劑組成物含有樹脂(A)為較佳。樹脂(A)至少具有(i)具有藉由酸的作用分解而產生羧基之基團之重複單元(進而,可以含有具有酚性羥基之重複單元)、或者至少具有(ii)具有酚性羥基之重複單元。 另外,若具有藉由酸的作用分解而具有羧基之重複單元,則藉由酸的作用,對鹼顯影液之溶解度增大,且對有機溶劑之溶解度減小。
作為樹脂(A)所具有之具有酚性羥基之重複單元,例如可以舉出下述通式(I)所表示之重複單元。
[化學式1]
通式(I)中, R41
、R42
及R43
各自獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、鹵素原子、氰基或烷氧基羰基。其中,R42
可以與Ar4
鍵結而形成環,此時的R42
表示單鍵或伸烷基。 X4
表示單鍵、-COO-或-CONR64
-,R64
表示氫原子或烷基。 L4
表示單鍵或伸烷基。 Ar4
表示(n+1)價的芳香環基,當與R42
鍵結而形成環時表示(n+2)價的芳香環基。 n表示1~5的整數。
作為通式(I)中之R41
、R42
、R43
的烷基,可以較佳地舉出可以具有取代基之甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、仲丁基、己基、2-乙基己基、辛基、十二烷基等碳數20以下的烷基,可以更佳地舉出碳數8以下的烷基,可以特佳地舉出碳數3以下的烷基。
作為通式(I)中之R41
、R42
、R43
的環烷基,可以係單環型,亦可以係多環型。可以較佳地舉出可以具有取代基之環丙基、環戊基、環己基等碳數為3~8個且單環型的環烷基。 作為通式(I)中之R41
、R42
、R43
的鹵素原子,可以舉出氟原子、氯原子、溴原子及碘原子,氟原子為特佳。 作為通式(I)中之R41
、R42
、R43
的烷氧基羰基中所含之烷基,係與上述R41
、R42
、R43
中之烷基相同者為較佳。
作為上述各基團中之較佳的取代基,例如可以舉出烷基、環烷基、芳基、胺基、醯胺基、脲基、胺基甲酸酯基、羥基、羧基、鹵素原子、烷氧基、硫醚基、醯基、醯氧基、烷氧基羰基、氰基、硝基等,取代基的碳數係8以下為較佳。
Ar4
表示(n+1)價的芳香環基。n為1時的2價的芳香環基可以具有取代基,例如可以舉出含有伸苯基、甲伸苯基(tolylene group)、伸萘基、伸蒽基等碳數6~18的伸芳基、或例如噻吩、呋喃、吡咯、苯并噻吩、苯并呋喃、苯并吡咯、三嗪、咪唑、苯并咪唑、三唑、噻二唑、噻唑等雜環之芳香環基作為較佳例。
作為n為2以上的整數時的(n+1)價的芳香環基的具體例,可以適當舉出從2價的芳香環基的上述具體例中去除(n-1)個任意的氫原子而成之基團。 (n+1)價的芳香環基可以進一步具有取代基。
作為上述烷基、環烷基、烷氧基羰基、伸烷基及(n+1)價的芳香環基可具有之取代基,例如可以舉出在通式(I)中之R41
、R42
、R43
中舉出之烷基、甲氧基、乙氧基、羥基乙氧基、丙氧基、羥基丙氧基、丁氧基等烷氧基;苯基等芳基;等。 作為由X4
表示之-CONR64
-(R64
表示氫原子、烷基)中之R64
的烷基,可以較佳地舉出可以具有取代基之甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、仲丁基、己基、2-乙基己基、辛基、十二烷基等碳數20以下的烷基,可以更佳地舉出碳數8以下的烷基。 作為X4
,單鍵、-COO-、-CONH-為較佳,單鍵、-COO-為更佳。
作為L4
中之伸烷基,可以較佳地舉出可以具有取代基之亞甲基、伸乙基、伸丙基、伸丁基、伸己基、伸辛基等碳數1~8個者。 作為Ar4
,可以具有取代基之碳數6~18的芳香環基為更佳,苯環基、萘環基、伸聯苯(biphenylene)環基為特佳。 通式(I)所表示之重複單元具備羥基苯乙烯結構為較佳。亦即,Ar4
係苯環基為較佳。
作為樹脂(A)所具有之具有酚性羥基之重複單元,可以較佳地舉出下述通式(p1)所表示之重複單元。
[化學式2]
通式(p1)中之R表示氫原子、鹵素原子或具有1~4個碳原子之直鏈或分支的烷基。複數個R可以各自相同亦可以不同。作為通式(p1)中的R,氫原子為特佳。
通式(p1)中之Ar表示芳香族環,例如可以舉出苯環、萘環、蒽環、茀環、菲環等碳數6~18的可以具有取代基之芳香族烴環、或包含例如噻吩環、呋喃環、吡咯環、苯并噻吩環、苯并呋喃環、苯并吡咯環、三嗪環、咪唑環、苯并咪唑環、三唑環、噻二唑環、噻唑環等雜環之芳香環雜環。其中,苯環為最佳。
通式(p1)中之m表示1~5的整數,較佳為1。
以下示出樹脂(A)所具有之具有酚性羥基之重複單元的具體例,但本發明並不限定於此。式中,a表示1或2。
[化學式3]
[化學式4]
[化學式5]
具有酚性羥基之重複單元的含量相對於樹脂(A)中的所有重複單元係0~50莫耳%為較佳,更佳為0~45莫耳%,進一步較佳為0~40莫耳%。
樹脂(A)所具有之具有藉由酸的作用分解而產生羧基之基團之重複單元係具有羧基的氫原子被藉由酸的作用分解而脱離之基團取代之基團之重複單元。
作為在酸的作用下脱離之基團,例如可以舉出-C(R36
)(R37
)(R38
)、-C(R36
)(R37
)(OR39
)、-C(R01
)(R02
)(OR39
)等。 式中,R36
~R39
各自獨立地表示烷基、環烷基、芳基、芳烷基或烯基。R36
與R37
可以相互鍵結而形成環。 R01
及R02
各自獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、芳基、芳烷基或烯基。
作為樹脂(A)所具有之具有藉由酸的作用分解而產生羧基之基團之重複單元,下述通式(AI)所表示之重複單元為較佳。
[化學式6]
通式(AI)中, Xa1
表示氫原子或可以具有取代基之烷基。 T表示單鍵或2價的連接基。 Rx1
~Rx3
各自獨立地表示烷基(直鏈或分支)或環烷基(單環或多環)。其中,當Rx1
~Rx3
全部為烷基(直鏈或分支)時,Rx1
~Rx3
中至少2個係甲基為較佳。 Rx1
~Rx3
中的2個可以鍵結而形成環烷基(單環或多環)。
作為由Xa1
表示之可以具有取代基之烷基,例如可以舉出甲基或-CH2
-R11
所表示之基團。R11
表示鹵素原子(氟原子等)、羥基或1價的有機基,例如可以舉出碳數5以下的烷基、碳數5以下的醯基,較佳為碳數3以下的烷基,進一步較佳為甲基。在一態樣中,Xa1
較佳為氫原子、甲基、三氟甲基或羥基甲基等。 作為T的2價的連接基,可以舉出伸烷基、-COO-Rt-基、-O-Rt-基等。式中,Rt表示伸烷基或伸環烷基。 T係單鍵或-COO-Rt-基為較佳。Rt係碳數1~5的伸烷基為較佳,-CH2
-基、-(CH2
)2
-基、-(CH2
)3
-基為更佳。
作為Rx1
~Rx3
的烷基,甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、t-丁基等碳數1~4者為較佳。 作為Rx1
~Rx3
的環烷基,環戊基、環己基等單環的環烷基、降莰基、四環癸烷基、四環十二烷基、金剛烷基等多環的環烷基為較佳。 作為Rx1
~Rx3
中的2個鍵結而形成之環烷基,環戊基、環己基等單環的環烷基、降莰基、四環癸烷基、四環十二烷基、金剛烷基等多環的環烷基為較佳。碳數5~6的單環的環烷基為特佳。 Rx1
~Rx3
中的2個鍵結而形成之環烷基中,例如構成環之亞甲基中的1個可以被氧原子等雜原子或羰基等具有雜原子之基團取代。 通式(AI)所表示之重複單元例如係Rx1
為甲基或乙基且Rx2
與Rx3
鍵結而形成上述環烷基之態樣為較佳。
上述各基團可以具有取代基,作為取代基,例如可以舉出烷基(碳數1~4)、鹵素原子、羥基、烷氧基(碳數1~4)、羧基、烷氧基羰基(碳數2~6)等,碳數8以下為較佳。
作為通式(AI)所表示之重複單元,較佳為酸分解性(甲基)丙烯酸三級烷基酯系重複單元(Xa1
表示氫原子或甲基,且T表示單鍵之重複單元)。更佳為Rx1
~Rx3
各自獨立地表示直鏈或分支的烷基之重複單元,進一步較佳為Rx1
~Rx3
各自獨立地表示直鏈烷基之重複單元。
以下示出樹脂(A)所具有之具有藉由酸的作用分解而產生羧基之基團之重複單元的具體例,但本發明並不限定於此。 具體例中,Rx、Xa1
表示氫原子、CH3
、CF3
或CH2
OH。Rxa、Rxb各自表示碳數1~4的烷基。Z表示含有極性基之取代基,當存在複數個時各自獨立。p表示0或正整數。作為由Z表示之含有極性基之取代基,例如可以舉出具有羥基、氰基、胺基、烷基醯胺基或磺醯胺基之直鏈或分支的烷基、環烷基,較佳為具有羥基之烷基。作為分支狀烷基,異丙基為特佳。
[化學式7]
具有藉由酸的作用分解而產生羧基之基團之重複單元的含量相對於樹脂(A)中的所有重複單元係20~90莫耳%為較佳,更佳為25~80莫耳%,進一步較佳為30~70莫耳%。
樹脂(A)還含有具有內酯基之重複單元為較佳。 作為內酯基,只要含有內酯結構,則可以使用任何基團,但較佳為含有5~7員環內酯結構之基團,在5~7員環內酯結構中其他環結構以形成雙環結構、螺環結構之形式縮環者為較佳。含有具有下述通式(LC1-1)~(LC1-17)中的任一個所表示之內酯結構之基團之重複單元為更佳。並且,具有內酯結構之基團亦可以直接鍵結於主鏈上。作為較佳的內酯結構,為通式(LC1-1)、(LC1-4)、(LC1-5)、(LC1-6)、(LC1-13)、(LC1-14)所表示之基團。
[化學式8]
內酯結構部分可以具有或不具有取代基(Rb2
)。作為較佳的取代基(Rb2
),可以舉出碳數1~8的烷基、碳數4~7的環烷基、碳數1~8的烷氧基、碳數1~8的烷氧基羰基、羧基、鹵素原子、羥基、氰基、酸分解性基等。n2
表示0~4的整數。當n2
為2以上時,存在複數個之Rb2
可以相同亦可以不同,並且,存在複數個之Rb2
可以彼此鍵結而形成環。
作為含有具有通式(LC1-1)~(LC1-17)中的任一個所表示之內酯結構之基團之重複單元,例如可以舉出下述通式(AI)所表示之重複單元等。
[化學式9]
通式(AI)中,Rb0
表示氫原子、鹵素原子或碳數1~4的烷基。 作為Rb0
的烷基可以具有之較佳的取代基,可以舉出羥基、鹵素原子。 作為Rb0
的鹵素原子,可以舉出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子。Rb0
係氫原子或甲基為較佳。 Ab表示單鍵、伸烷基、具有單環或多環的脂環烴結構之2價的連接基、醚基、酯基、羰基、羧基、或將該等組合而得到之2價的基團。較佳為單鍵、-Ab1
-CO2
-所表示之連接基。Ab1
為直鏈、分支伸烷基、單環或多環的伸環烷基,較佳為亞甲基、伸乙基、伸環己基、伸金剛烷基、伸降莰基。 V表示通式(LC1-1)~(LC1-17)中的任一個所表示之基團。
含有具有內酯結構之基團之重複單元通常存在光學異構物,可以使用任何光學異構物。並且,可以單獨使用1種光學異構物,亦可以混合使用複數個光學異構物。當主要使用1種光學異構物時,其光學純度(ee)係90以上者為較佳,更佳為95以上。
以下舉出含有具有內酯結構之基團之重複單元的具體例,但本發明並不限定於該等。
[化學式10]
具有內酯基之重複單元的含量相對於樹脂(A)中的所有重複單元係1~30莫耳%為較佳,更佳為5~25莫耳%,進一步較佳為5~20莫耳%。 樹脂(A)可以進一步具有含有具有極性基之有機基之重複單元,尤其具有含有被極性基取代之脂環烴結構之重複單元。 藉此,基板密合性、顯影液親和性得到提高。作為被極性基取代之脂環烴結構的脂環烴結構,金剛烷基、二金剛烷基、降莰烷基為較佳。作為極性基,羥基、氰基為較佳。 以下舉出具有極性基之重複單元的具體例,但本發明並不限定於該等。
[化學式11]
當樹脂(A)具有含有具有極性基之有機基之重複單元時,其含量相對於樹脂(A)中的所有重複單元係1~30莫耳%為較佳,更佳為5~25莫耳%、進一步較佳為5~20莫耳%。
另外,作為上述以外的重複單元,還可以含有具有藉由光化射線或放射線的照射產生酸之基團(光酸產生基)之重複單元。在該情況下,可以認為該具有光酸產生基之重複單元相當於後述之藉由光化射線或放射線的照射產生酸之化合物(B)。 作為該種重複單元,例如可以舉出下述通式(4)所表示之重複單元。
[化學式12]
R41
表示氫原子或甲基。L41
表示單鍵或2價的連接基。L42
表示2價的連接基。R40
表示藉由光化射線或放射線的照射分解而在側鏈上產生酸之結構部位。
以下示出通式(4)所表示之重複單元的具體例,但本發明並不限定於此。
[化學式13]
此外,作為通式(4)所表示之重複單元,例如可以舉出日本特開2014-041327號公報的段落<0094>~<0105>中所記載之重複單元。
當樹脂(A)含有具有光酸產生基之重複單元時,具有光酸產生基之重複單元的含量相對於樹脂(A)中的所有重複單元係1~40莫耳%為較佳,更佳為5~35莫耳%,進一步較佳為5~30莫耳%。
樹脂(A)能夠按照常規方法(例如自由基聚合)而合成。例如,作為一般的合成方法,可以舉出:藉由使單體種類及起始劑溶解於溶劑中並進行加熱來進行聚合之總括聚合法;向加熱溶劑中經1~10小時滴加加入單體種類和起始劑的溶液之滴加聚合法等,滴加聚合法為較佳。 作為反應溶劑,例如可以舉出四氫呋喃、1,4-二噁烷、二異丙醚等醚類;甲乙酮、甲基異丁基酮等酮類;乙酸乙酯等酯溶劑;二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺等醯胺溶劑;後述的丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單甲醚、環己酮等溶解本發明的抗蝕劑組成物之溶劑;等。較佳使用與本發明的抗蝕劑組成物中所使用之溶劑相同的溶劑進行聚合為較佳。藉此,能夠抑制保存時產生微粒(partical)。
聚合反應在氮或氬等惰性氣體氣氛下進行為較佳。作為聚合起始劑,使用市售的自由基起始劑(偶氮系起始劑、過氧化物等)引發聚合。作為自由基起始劑,偶氮系起始劑為較佳,具有酯基、氰基、羧基之偶氮系起始劑為較佳。作為較佳的起始劑,可以舉出偶氮雙二異丁腈、偶氮雙二甲基戊腈、二甲基2,2’-偶氮雙(2-甲基丙酸酯)等。根據需要,追加或分次添加起始劑,反應結束後,投入到溶劑中,並利用粉體或固體成分回收等方法回收所希望的聚合物。反應的濃度為5~50質量%,較佳為10~30質量%。反應溫度通常係10℃~150℃,較佳為30℃~120℃,進一步較佳為60~100℃。 純化可以適用如下通常的方法:藉由水洗或組合適當的溶劑來去除殘餘單量體或寡聚物成分之液液提取法;僅提取去除特定分子量以下者之超濾等在溶液狀態下之純化方法;或藉由將樹脂溶液滴加於不良溶劑中而使樹脂在不良溶劑中凝固,藉此去除殘餘單量體等之再沉澱法;或利用不良溶劑清洗所濾出之樹脂漿料等在固體狀態下之純化方法等。
樹脂(A)的重量平均分子量作為基於GPC法測得之聚苯乙烯換算值,較佳為1,000~200,000,進一步較佳為3,000~20,000,最佳為5,000~15,000。藉由將重量平均分子量設為1,000~200,000,能夠防止耐熱性或耐乾蝕刻性的劣化,且能夠防止顯影性劣化或黏度變高而導致製膜性劣化。 樹脂(A)的重量平均分子量的特佳的另一形態為以基於GPC法測得之聚苯乙烯換算值計為3,000~9,500。藉由將重量平均分子量設為3,000~9,500,尤其可以抑制抗蝕劑殘渣(以下,亦稱為“浮渣”),能夠形成更良好的圖案。 使用分散度(分子量分佈)通常係1~5、較佳為1~3、進一步較佳為1.2~3.0、特佳為1.2~2.0範圍的樹脂。分散度越小者,解析度、抗蝕劑形狀優異,且抗蝕劑圖案的側壁光滑,粗糙度優異。
在本發明的抗蝕劑組成物中,樹脂(A)的含量在所有固體成分中係50~99.9質量%為較佳,更佳為60~99.0質量%。 並且,在本發明的抗蝕劑組成物中,樹脂(A)可以使用1種,亦可以併用複數種。
並且,樹脂(A)可以含有下述通式(VI)所表示之重複單元。
[化學式14]
通式(VI)中, R61
、R62
及R63
各自獨立地係氫原子、烷基、環烷基、鹵素原子、氰基或烷氧基羰基。其中,R62
可以與Ar6
鍵結而形成環,此時的R62
表示單鍵或伸烷基。 X6
表示單鍵、-COO-或-CONR64
-。R64
表示氫原子或烷基。 L6
表示單鍵或伸烷基。 Ar6
表示(n+1)價的芳香環基,當與R62
鍵結而形成環時表示(n+2)價的芳香環基。 關於Y2
,當n≥2時各自獨立地表示氫原子或藉由酸的作用脱離之基團。其中,Y2
中的至少1個表示藉由酸的作用脱離之基團。 n表示1~4的整數。 作為藉由酸的作用脱離之基團Y2
,下述通式(VI-A)所表示之結構為更佳。
[化學式15]
其中,L1
及L2
各自獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、芳基、或將伸烷基和芳基組合而得到之基團。 M表示單鍵或2價的連接基。 Q表示烷基、可以含有雜原子之環烷基、可以含有雜原子之芳基、胺基、銨基、巰基、氰基或醛基。 Q、M、L1
中的至少2個可以鍵結而形成環(較佳為5員或6員環)。
上述通式(VI)所表示之重複單元係下述通式(3)所表示之重複單元為較佳。
[化學式16]
通式(3)中, Ar3
表示芳香環基。 R3
表示氫原子、烷基、環烷基、芳基、芳烷基、烷氧基、醯基或雜環基。 M3
表示單鍵或2價的連接基。 Q3
表示烷基、環烷基、芳基或雜環基。 Q3
、M3
及R3
中的至少兩個可以鍵結而形成環。
Ar3
所表示之芳香環基與上述通式(VI)中之n為1時的上述通式(VI)中之Ar6
相同,更佳為伸苯基、伸萘基,進一步較佳為伸苯基。
以下示出通式(VI)所表示之重複單元的具體例,但本發明並不限定於此。
[化學式17]
樹脂(A)含有下述通式(5)所表示之重複單元亦較佳。
[化學式18]
通式(5)中, R41
、R42
及R43
各自獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、鹵素原子、氰基或烷氧基羰基。R42
可以與L4
鍵結而形成環,此時的R42
表示伸烷基。 L4
表示單鍵或2價的連接基,當與R42
形成環時表示3價的連接基。 R44
及R45
表示氫原子、烷基、環烷基、芳基、芳烷基、烷氧基、醯基或雜環基。 M4
表示單鍵或2價的連接基。 Q4
表示烷基、環烷基、芳基或雜環基。 Q4
、M4
及R44
中的至少兩個可以鍵結而形成環。 R41
、R42
及R43
各自獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、鹵素原子、氰基或烷氧基羰基。R42
可以與L4
鍵結而形成環,此時的R42
表示伸烷基。 L4
表示單鍵或2價的連接基,當與R42
形成環時表示3價的連接基。 R44
及R45
的含義與前述通式(3)中的R3
相同,並且較佳的範圍亦相同。 M4
的含義與前述通式(3)中的M3
相同,並且較佳的範圍亦相同。 Q4
的含義與前述通式(3)中的Q3
相同,並且較佳的範圍亦相同。作為Q4
、M4
及R44
中的至少兩個鍵結而形成之環,可以舉出Q3
、M3
及R3
中的至少兩個鍵結而形成之環,並且較佳的範圍亦相同。
作為通式(5)中之R41
~R43
的烷基,可以較佳地舉出可以具有取代基之甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、仲丁基、己基、2-乙基己基、辛基、十二烷基等碳數20以下的烷基,可以更佳地舉出碳數8以下的烷基,可以特佳地舉出碳數3以下的烷基。 作為烷氧基羰基中所含之烷基,與上述R41
~R43
中之烷基相同者為較佳。 作為環烷基,可以係單環型,亦可以係多環型。可以較佳地舉出可以具有取代基之如環丙基、環戊基、環己基之類的碳數為3~10個且單環型的環烷基。 作為鹵素原子,可以舉出氟原子、氯原子、溴原子及碘原子,氟原子為特佳。
作為上述各基團中之較佳的取代基,例如可以舉出烷基、環烷基、芳基、胺基、醯胺基、脲基、胺基甲酸酯基、羥基、羧基、鹵素原子、烷氧基、硫醚基、醯基、醯氧基、烷氧基羰基、氰基、硝基等,取代基的碳數係8以下為較佳。
並且,當R42
為伸烷基且與L4
形成環時,作為伸烷基,可以較佳地舉出亞甲基、伸乙基、伸丙基、伸丁基、伸己基、伸辛基等碳數1~8的伸烷基。碳數1~4的伸烷基為更佳,碳數1~2的伸烷基為特佳。R42
與L4
鍵結而形成之環係5或6員環為特佳。
作為R41
及R43
,氫原子、烷基、鹵素原子為更佳,氫原子、甲基、乙基、三氟甲基(-CF3
)、羥基甲基(-CH2
-OH)、氯甲基(-CH2
-Cl)、氟原子(-F)為特佳。作為R42
,氫原子、烷基、鹵素原子、伸烷基(與L4
形成環)為更佳,氫原子、甲基、乙基、三氟甲基(-CF3
)、羥基甲基(-CH2
-OH)、氯甲基(-CH2
-Cl)、氟原子(-F)、亞甲基(與L4
形成環)、伸乙基(與L4
形成環)為特佳。
作為L4
所表示之2價的連接基,可以舉出伸烷基、2價的芳香環基、-COO-L1
-、-O-L1
-、將該等的2個以上組合而形成之基團等。其中,L1
表示伸烷基、伸環烷基、2價的芳香環基、將伸烷基和2價的芳香環基組合而得到之基團。 L4
係單鍵、-COO-L1
-所表示之基團或2價的芳香環基為較佳。L1
係碳數1~5的伸烷基為較佳,亞甲基、伸丙基為更佳。作為2價的芳香環基,1,4-伸苯基、1,3-伸苯基、1,2-伸苯基、1,4-伸萘基為較佳,1,4-伸苯基為更佳。 作為L4
與R42
鍵結而形成環時的L4
所表示之3價的連接基,可以適當舉出從L4
所表示之2價的連接基的上述具體例中去除1個任意的氫原子而成之基團。
以下示出通式(5)所表示之重複單元的具體例,但本發明並不限定於此。
[化學式19]
並且,樹脂(A)可以含有下述通式(BZ)所表示之重複單元。
[化學式20]
通式(BZ)中,AR表示芳基。Rn表示烷基、環烷基或芳基。Rn與AR可以相互鍵結而形成非芳香族環。 R1
表示氫原子、烷基、環烷基、鹵素原子、氰基或烷氧基羰基。
以下示出由通式(BZ)表示之重複單元的具體例,但並不限定於該等。
[化學式21]
[化學式22]
上述具有酸分解性基之重複單元可以係1種,亦可以併用2種以上。
樹脂(A)中之具有酸分解性基之重複單元的含量(當含有複數種時為其合計)相對於上述樹脂(A)中的所有重複單元係5莫耳%以上且80莫耳%以下為較佳,5莫耳%以上且75莫耳%以下為更佳,10莫耳%以上且65莫耳%以下為進一步較佳。
樹脂(A)可以含有下述通式(V-1)或下述通式(V-2)所表示之重複單元。
[化學式23]
式中, R6
及R7
分別獨立地表示氫原子、羥基、碳數1~10的直鏈狀、分支狀或環狀的烷基、烷氧基或醯氧基、氰基、硝基、胺基、鹵素原子、酯基(-OCOR或-COOR:R為碳數1~6的烷基或氟化烷基)或羧基。 n3
表示0~6的整數。 n4
表示0~4的整數。 X4
為亞甲基、氧原子或硫原子。 以下示出通式(V-1)或(V-2)所表示之重複單元的具體例,但並不限定於該等。
[化學式24]
〔(B)藉由光化射線或放射線產生酸之化合物〕 感光化射線性或感放射線性組成物含有藉由光化射線或放射線產生酸之化合物(亦稱為“光酸產生劑《PAG:Photo Acid Generator》”或“化合物(B)”)為較佳。 光酸產生劑可以係低分子化合物的形態,亦可以係編入到聚合物的一部分中之形態。並且,亦可以併用低分子化合物的形態和編入到聚合物的一部分中之形態。 當光酸產生劑為低分子化合物的形態時,分子量係3000以下為較佳,2000以下為更佳,1000以下為進一步較佳。 當光酸產生劑為編入到聚合物的一部分中之形態時,可以編入到樹脂(A)的一部分中,亦可以編入到與樹脂(A)不同之樹脂中。 本發明中,光酸產生劑係低分子化合物的形態為較佳。 作為光酸產生劑,只要係公知者,則並沒有特別限定,係藉由光化射線或放射線、較佳為電子束或極紫外線的照射產生有機酸、例如磺酸、雙(烷基磺醯基)醯亞胺或三(烷基磺醯基)甲基化物中的至少任一個之化合物為較佳。 可以更佳地舉出下述通式(ZI)、(ZII)、(ZIII)所表示之化合物。
[化學式25]
上述通式(ZI)中, R201
、R202
及R203
各自獨立地表示有機基。 作為R201
、R202
及R203
之有機基的碳數一般係1~30,較佳為1~20。 並且,R201
~R203
中的2個可以鍵結而形成環結構,環內可以含有氧原子、硫原子、酯鍵、醯胺鍵、羰基。作為R201
~R203
中的2個鍵結而形成之基團,可以舉出伸烷基(例如,伸丁基、伸戊基)。 Z-
表示非亲核性陰離子(引起亲核反應之能力顯著低的陰離子)。
作為非亲核性陰離子,例如可以舉出磺酸陰離子(脂肪族磺酸陰離子、芳香族磺酸陰離子、樟腦磺酸陰離子等)、羧酸陰離子(脂肪族羧酸陰離子、芳香族羧酸陰離子、芳烷基羧酸陰離子等)、磺醯基醯亞胺陰離子、雙(烷基磺醯基)醯亞胺陰離子、三(烷基磺醯基)甲基化物陰離子等。
脂肪族磺酸陰離子及脂肪族羧酸陰離子中之脂肪族部位可以係烷基亦可以係環烷基,可以較佳地舉出碳數1~30的直鏈或分支的烷基及碳數3~30的環烷基。
作為芳香族磺酸陰離子及芳香族羧酸陰離子中之芳香族基,較佳為碳數6~14的芳基,例如可以舉出苯基、甲苯基、萘基等。
上述中舉出之烷基、環烷基及芳基可以具有取代基。作為其具體例,可以舉出硝基、氟原子等鹵素原子、羧基、羥基、胺基、氰基、烷氧基(較佳為碳數1~15)、環烷基(較佳為碳數3~15)、芳基(較佳為碳數6~14)、烷氧基羰基(較佳為碳數2~7)、醯基(較佳為碳數2~12)、烷氧基羰氧基(較佳為碳數2~7)、烷硫基(較佳為碳數1~15)、烷基磺醯基(較佳為碳數1~15)、烷基亞胺基磺醯基(較佳為碳數1~15)、芳氧基磺醯基(較佳為碳數6~20)、烷基芳氧基磺醯基(較佳為碳數7~20)、環烷基芳氧基磺醯基(較佳為碳數10~20)、烷氧基烷氧基(較佳為碳數5~20)、環烷基烷氧基烷氧基(較佳為碳數8~20)等。關於各基團所具有之芳基及環結構,作為取代基可以進一步舉出烷基(較佳為碳數1~15)。
作為芳烷基羧酸陰離子中之芳烷基,較佳為碳數7~12的芳烷基,例如可以舉出苄基、苯乙基、萘基甲基、萘基乙基、萘基丁基等。
作為磺醯基醯亞胺陰離子,例如可以舉出糖精陰離子。
雙(烷基磺醯基)醯亞胺陰離子、三(烷基磺醯基)甲基化物陰離子中之烷基係碳數1~5的烷基為較佳。作為該等烷基的取代基,可以舉出鹵素原子、被鹵素原子取代之烷基、烷氧基、烷硫基、烷氧基磺醯基、芳氧基磺醯基、環烷基芳氧基磺醯基等,氟原子或被氟原子取代之烷基為較佳。 並且,雙(烷基磺醯基)醯亞胺陰離子中之烷基可以相互鍵結而形成環結構。藉此,增加酸強度。
作為其他非亲核性陰離子,例如可以舉出氟化磷(例如,PF6 -
)、氟化硼(例如,BF4 -
)、氟化銻(例如,SbF6 -
)等。
作為非亲核性陰離子,磺酸的至少α位被氟原子取代之脂肪族磺酸陰離子、被氟原子或具有氟原子之基團取代之芳香族磺酸陰離子、烷基被氟原子取代之雙(烷基磺醯基)醯亞胺陰離子、烷基被氟原子取代之三(烷基磺醯基)甲基化物陰離子為較佳。作為非亲核性陰離子,更佳為全氟脂肪族磺酸陰離子(進一步較佳為碳數4~8)、具有氟原子之苯磺酸陰離子,進一步更佳為九氟丁磺酸陰離子、全氟辛磺酸陰離子、五氟苯磺酸陰離子、3,5-雙(三氟甲基)苯磺酸陰離子。
從酸強度的觀點考慮,產生酸的pKa為-1以下時靈敏度得到提高,因此為較佳。
並且,作為非亲核性陰離子,還可以舉出以下通式(AN1)所表示之陰離子作為較佳的態樣。
[化學式26]
式中, Xf分別獨立地表示氟原子或被至少1個氟原子取代之烷基。 R1
、R2
分別獨立地表示氫原子、氟原子或烷基,存在複數個時的R1
、R2
可以分別相同亦可以不同。 L表示二價的連接基,存在複數個時的L可以相同亦可以不同。 A表示環狀有機基。 x表示1~20的整數,y表示0~10的整數,z表示0~10的整數。
對通式(AN1)進行進一步詳細的說明。 作為Xf的被氟原子取代之烷基中之烷基,較佳為碳數1~10,更佳為碳數1~4。並且,被Xf的氟原子取代之烷基係全氟烷基為較佳。 作為Xf,較佳為氟原子或碳數1~4的全氟烷基。作為Xf的具體例,可以舉出氟原子、CF3
、C2
F5
、C3
F7
、C4
F9
、CH2
CF3
、CH2
CH2
CF3
、CH2
C2
F5
、CH2
CH2
C2
F5
、CH2
C3
F7
、CH2
CH2
C3
F7
、CH2
C4
F9
、CH2
CH2
C4
F9
,其中,氟原子、CF3
為較佳。兩個Xf係氟原子為特佳。
R1
、R2
的烷基可以具有取代基(較佳為氟原子),碳數1~4者為較佳。進一步較佳為碳數1~4的全氟烷基。作為具有R1
、R2
的取代基之烷基的具體例,可以舉出CF3
、C2
F5
、C3
F7
、C4
F9
、C5
F11
、C6
F13
、C7
F15
、C8
F17
、CH2
CF3
、CH2
CH2
CF3
、CH2
C2
F5
、CH2
CH2
C2
F5
、CH2
C3
F7
、CH2
CH2
C3
F7
、CH2
C4
F9
、CH2
CH2
C4
F9
,其中,CF3
為較佳。 作為R1
、R2
,較佳為氟原子或CF3
。
x係1~10為較佳,1~5為更佳。 y係0~4為較佳,0為更佳。 z係0~5為較佳,0~3為更佳。 作為L的2價的連接基並沒有特別限定,可以舉出-COO-、-OCO-、-CO-、-O-、-S-、-SO-、-SO2
-、伸烷基、伸環烷基、伸烯基、或該等的複數個連接而得到之連接基等,總碳數12以下的連接基為較佳。其中,-COO-、-OCO-、-CO-、-O-為較佳,-COO-、-OCO-為更佳。
作為A的環狀有機基,只要係具有環狀結構者,則並沒有特別限定,可以舉出脂環基、芳基、雜環基(不僅包含具有芳香族性者,還包含不具有芳香族性者)等。 作為脂環基,可以係單環亦可以係多環,環戊基、環己基、環辛基等單環的環烷基、降莰基、三環癸烷基、四環癸烷基、四環十二烷基、金剛烷基等多環的環烷基為較佳。其中,從能夠抑制曝光後加熱製程中的膜中擴散性並提高MEEF之觀點考慮,降莰基、三環癸烷基、四環癸烷基、四環十二烷基、金剛烷基等碳數7以上的具有高體積結構之脂環基為較佳。 作為芳基,可以舉出苯環、萘環、菲環、蒽環。 作為雜環基,可以舉出源自呋喃環、噻吩環、苯并呋喃環、苯并噻吩環、二苯并呋喃環、二苯并噻吩環、吡啶環者。其中,源自呋喃環、噻吩環、吡啶環者為較佳。
並且,作為環狀有機基,還可以舉出內酯結構,作為具體例,可以舉出上述通式(LC1-1)~(LC1-17)所表示之內酯結構。
上述環狀有機基可以具有取代基,作為上述取代基,烷基(可以係直鏈、分支、環狀中的任一種,碳數1~12為較佳)、環烷基(可以係單環、多環、螺環中的任一種,碳數3~20為較佳)、芳基(碳數6~14為較佳)、羥基、烷氧基、酯基、醯胺基、胺基甲酸酯基、脲基、硫醚基、磺醯胺基、磺酸酯基等。另外,構成環狀有機基之碳(有助於形成環之碳)可以係羰基碳。
作為R201
、R202
及R203
的有機基,可以舉出芳基、烷基、環烷基等。 R201
、R202
及R203
中的至少1個係芳基為較佳,三個全部係芳基為更佳。作為芳基,除苯基、萘基等以外,亦可以係吲哚殘基、吡咯殘基等雜芳基。作為R201
~R203
的烷基及環烷基,可以較佳地舉出碳數1~10的直鏈或分支烷基、碳數3~10的環烷基。作為烷基,可以更佳地舉出甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基等。作為環烷基,可以更佳地舉出環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基等。該等基團可以進一步具有取代基。作為該取代基,可以舉出硝基、氟原子等鹵素原子、羧基、羥基、胺基、氰基、烷氧基(較佳為碳數1~15)、環烷基(較佳為碳數3~15)、芳基(較佳為碳數6~14)、烷氧基羰基(較佳為碳數2~7)、醯基(較佳為碳數2~12)、烷氧基羰氧基(較佳為碳數2~7)等,但並不限定於該等。
通式(ZII)、(ZIII)中, R204
~R207
各自獨立地表示芳基、烷基或環烷基。
作為R204
~R207
的芳基、烷基、環烷基,與作為前述化合物(ZI)中之R201
~R203
的芳基、烷基、環烷基而說明之芳基相同。 R204
~R207
的芳基、烷基、環烷基可以具有取代基。作為該取代基,亦可以舉出前述化合物(ZI)中之R201
~R203
的芳基、烷基、環烷基可以具有者。
Z-
表示非亲核性陰離子,可以舉出與通式(ZI)中之Z-
的非亲核性陰離子相同者。
本發明中,從抑制藉由曝光產生之酸向非曝光部擴散並使解析性變得良好之觀點考慮,上述光酸產生劑係藉由電子束或極紫外線的照射產生體積為130Å3
以上大小的酸(更佳為磺酸)之化合物為較佳,產生體積為190Å3
以上大小的酸(更佳為磺酸)之化合物為更佳,產生體積為270Å3
以上大小的酸(更佳為磺酸)之化合物為進一步較佳,產生體積為400Å3
以上大小的酸(更佳為磺酸)之化合物為特佳。但是,從靈敏度或塗佈溶劑溶解性的觀點考慮,上述體積係2000Å3
以下為較佳,1500Å3
以下為進一步較佳。上述體積的值係使用Fujitsu Limited製的“WinMOPAC”來求出。亦即,首先輸入各例所涉及之酸的化學結構,接著將該結構作為初始結構並藉由使用了MM3法之分子力場計算來確定各酸的最穩定立體形,其後,對於該等最穩定立體形進行使用了PM3法之分子軌道計算,藉此能夠計算各酸的“可達體積(accessible volume)”。 本發明中,係以下所例示之藉由光化射線或放射線的照射產生酸之光酸產生劑為較佳。另外,在例子的一部分附記有體積的計算值(單位Å3
)。另外,在此求出之計算值係在陰離子部鍵結有質子之酸的體積值。 1Å為1×10-10
m。
[化學式27]
[化學式28]
[化學式29]
作為光酸產生劑,可以援用日本特開2014-41328號公報段落<0368>~<0377>、日本特開2013-228681號公報段落<0240>~<0262>(對應之美國專利申請公開第2015/004533號說明書的<0339>),該等內容被併入本說明書中。並且,作為較佳的具體例,可以舉出以下化合物,但並不限定於該等。
[化學式30]
[化學式31]
[化學式32]
光酸產生劑可以單獨使用1種或者組合使用2種以上。 光酸產生劑在感光化射線性或感放射線性組成物中的含量以組成物的所有固體成分為基準係0.1~50質量%為較佳,更佳為5~50質量%,進一步較佳為8~40質量%。尤其為了在電子束或極紫外線曝光時兼顧高靈敏度化、高解析性,光酸產生劑的含有率較高為較佳,進一步較佳為10~40質量%,最佳為10~35質量%。
(C)溶劑 本發明中所使用之感光化射線性或感放射線性組成物含有溶劑(亦稱為“抗蝕劑溶劑”)為較佳。該溶劑含有(M1)丙二醇單烷基醚羧酸酯和(M2)選自由丙二醇單烷基醚、乳酸酯、乙酸酯、烷氧基丙酸酯、鏈狀酮、環狀酮、內酯及伸烷基碳酸酯構成之組群中之至少1個中的至少一個為較佳。另外,該溶劑還可以含有成分(M1)及(M2)以外的成分。
本發明者等發現,若組合使用該種溶劑和上述樹脂,則組成物的塗佈性得到提高,並且能夠形成顯影缺陷數較少的圖案。其原因雖然不明確,但本發明者等認為起因於如下:由於上述樹脂的溶解性、沸點及黏度的平衡良好,因此該等溶劑能夠抑制組成物膜的膜厚的不均勻或旋塗中析出物的產生等。
作為成分(M1),係選自由丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單甲醚丙酸酯及丙二醇單乙醚乙酸酯構成之組群中之至少1個為較佳,丙二醇單甲醚乙酸酯為特佳。
作為成分(M2),以下者為較佳。 作為丙二醇單烷基醚,丙二醇單甲醚或丙二醇單乙醚為較佳。 作為乳酸酯,乳酸乙酯、乳酸丁酯或乳酸丙酯為較佳。 作為乙酸酯,乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸異丁酯、乙酸丙酯、乙酸異戊酯、甲酸甲酯、甲酸乙酯、甲酸丁酯、甲酸丙酯或乙酸3-甲氧基丁酯為較佳。 丁酸丁酯亦較佳。 作為烷氧基丙酸酯,3-甲氧基丙酸甲酯(MMP)或3-乙氧基丙酸乙酯(EEP)為較佳。 作為鏈狀酮,1-辛酮、2-辛酮、1-壬酮、2-壬酮、丙酮、4-庚酮、1-己酮、2-己酮、二異丁基酮、苯基丙酮、甲乙酮、甲基異丁基酮、乙醯丙酮、丙酮基丙酮、紫羅蘭酮、二丙酮醇、乙醯甲醇、苯乙酮、甲基萘基酮或甲基戊基酮為較佳。 作為環狀酮,甲基環己酮、異佛爾酮或環己酮為較佳。 作為內酯,γ-丁內酯為較佳。 作為伸烷基碳酸酯,伸丙基碳酸酯為較佳。
作為成分(M2),丙二醇單甲醚、乳酸乙酯、3-乙氧基丙酸乙酯、甲基戊基酮、環己酮、乙酸丁酯、乙酸戊酯、γ-丁內酯或伸丙基碳酸酯為更佳。
除上述成分以外,使用碳原子數為7以上(7~14為較佳,7~12為更佳,7~10為進一步較佳)且雜原子數為2以下的酯系溶劑為較佳。
作為碳原子數為7以上且雜原子數為2以下的酯系溶劑的較佳例,可以舉出乙酸戊酯、乙酸2-甲基丁酯、乙酸1-甲基丁酯、乙酸己酯、丙酸戊酯、丙酸己酯、丙酸丁酯、異丁酸異丁酯、丙酸庚酯、丁酸丁酯等,使用乙酸異戊酯為特佳。
作為成分(M2),使用閃點(以下,亦稱為fp)為37℃以上者為較佳。作為該種成分(M2),丙二醇單甲醚(fp:47℃)、乳酸乙酯(fp:53℃)、3-乙氧基丙酸乙酯(fp:49℃)、甲基戊基酮(fp:42℃)、環己酮(fp:44℃)、乙酸戊酯(fp:45℃)、2-羥基異丁酸甲酯(fp:45℃)、γ-丁內酯(fp:101℃)或伸丙基碳酸酯(fp:132℃)為較佳。在該等之中,丙二醇單乙醚、乳酸乙酯、乙酸戊酯或環己酮為進一步較佳,丙二醇單乙醚或乳酸乙酯為特佳。另外,在此“閃點”係指Tokyo Chemical Industry Co.,Ltd.或Sigma-Aldrich公司的試劑商品目錄中所記載之值。
溶劑含有成分(M1)為較佳。溶劑係基本上僅由成分(M1)構成或係成分(M1)與其他成分的混合溶劑為更佳。在後者的情況下,溶劑含有成分(M1)和成分(M2)兩者為進一步較佳。
成分(M1)與成分(M2)的質量比在100:0至15:85的範圍內為較佳,在100:0至40:60的範圍內為更佳,在100:0至60:40的範圍內為進一步較佳。亦即,溶劑僅由成分(M1)構成或含有成分(M1)和成分(M2)兩者且該等的質量比為如下為較佳。亦即,在後者的情況下,成分(M1)相對於成分(M2)之質量比係15/85以上為較佳,40/60以上為更佳,60/40以上為進一步較佳。若採用該種構成,則能夠進一步減少顯影缺陷數。
另外,當溶劑含有成分(M1)和成分(M2)兩者時,成分(M1)相對於成分(M2)之質量比例如設為99/1以下。
如上所述,溶劑還可以含有成分(M1)及(M2)以外的成分。在該情況下,成分(M1)及(M2)以外的成分的含量相對於溶劑的總量在5質量%至30質量%的範圍內為較佳。
在感光化射線性或感放射線性組成物中所佔之溶劑的含量規定為所有成分的固體成分濃度為0.5~30質量%為較佳,規定為1~20質量%為更佳。若如此,則能夠進一步提高感光化射線性或感放射線性組成物的塗佈性。
(E)鹼性化合物 為了減少由從曝光至加熱為止的經時所引起之性能變化,本發明的抗蝕劑組成物含有(E)鹼性化合物為較佳。 作為鹼性化合物,可以較佳地舉出具有下述式(A)~(E)所表示之結構之化合物。
[化學式33]
通式(A)及(E)中,R200
、R201
及R202
可以相同亦可以不同,表示氫原子、烷基(較佳為碳數1~20)、環烷基(較佳為碳數3~20)或芳基(較佳為碳數6~20),其中,R201
與R202
可以相互鍵結而形成環。
關於上述烷基,作為具有取代基之烷基,碳數1~20的胺基烷基、碳數1~20的羥基烷基或碳數1~20的氰基烷基為較佳。 R203
、R204
、R205
及R206
可以相同亦可以不同,表示碳數1~20個的烷基。 該等通式(A)及(E)中的烷基未經取代為更佳。
作為較佳的化合物,胍、胺基吡咯啶、吡唑、吡唑啉、哌嗪、胺基嗎啉、胺基烷基嗎啉、哌啶等,作為進一步較佳的化合物,可以舉出具有咪唑結構、二氮雜雙環結構、氫氧化鎓(onium hydroxide)結構、羧酸鎓(onium carboxlate)結構、三烷基胺結構、苯胺結構或吡啶結構之化合物、具有羥基和/或醚鍵之烷基胺衍生物、具有羥基和/或醚鍵之苯胺衍生物等。
作為具有咪唑結構之化合物,可以舉出咪唑、2,4,5-三苯基咪唑、苯并咪唑等。作為具有二氮雜雙環結構之化合物,可以舉出1,4-二氮雜雙環[2,2,2]辛烷、1,5-二氮雜雙環[4,3,0]壬-5-烯、1,8-二氮雜雙環[5,4,0]十一碳-7-烯等。作為具有氫氧化鎓結構之化合物,可以舉出氫氧化三芳基鋶、氫氧化苯甲醯甲基鋶、具有2-氧代烷基之氫氧化鋶,具體而言,可以舉出氫氧化三苯基鋶、氫氧化三(t-丁基苯基)鋶、氫氧化雙(t-丁基苯基)錪、氫氧化苯甲醯甲基噻吩鎓、氫氧化2-氧代丙基噻吩鎓等。作為具有羧酸鎓結構之化合物,係具有氫氧化鎓結構之化合物的陰離子部成為羧酸酯者,例如可以舉出乙酸酯、金剛烷-1-羧酸酯、全氟烷基羧酸酯等。作為具有三烷基胺結構之化合物,可以舉出三(正丁基)胺、三(正辛基)胺等。作為苯胺化合物,可以舉出2,6-二異丙基苯胺、N,N-二甲基苯胺、N,N-二丁基苯胺、N,N-二己基苯胺等。作為具有羥基和/或醚鍵之烷基胺衍生物,可以舉出乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、三(甲氧基乙氧基乙基)胺等。作為具有羥基和/或醚鍵之苯胺衍生物,可以舉出N,N-雙(羥基乙基)苯胺等。
作為較佳的鹼性化合物,還可以舉出具有苯氧基之胺化合物、具有苯氧基之銨鹽化合物。
胺化合物可以使用一級、二級、三級胺化合物,至少1個烷基鍵結於氮原子之胺化合物為較佳。胺化合物係三級胺化合物為更佳。關於胺化合物,只要至少1個烷基(較佳為碳數1~20)鍵結於氮原子,則除了烷基以外,環烷基(較佳為碳數3~20)或芳基(較佳為碳數6~12)亦可以鍵結於氮原子。 並且,胺化合物在烷基鏈中具有氧原子且形成有氧伸烷基為較佳。氧伸烷基的數量在分子內為1個以上,較佳為3~9個,進一步較佳為4~6個。在氧伸烷基中,氧伸乙基(-CH2
CH2
O-)或氧伸丙基(-CH(CH3
)CH2
O-或-CH2
CH2
CH2
O-)為較佳,進一步較佳為氧伸乙基。
銨鹽化合物可以使用一級、二級、三級、四級銨鹽化合物,至少1個烷基鍵結於氮原子之銨鹽化合物為較佳。關於銨鹽化合物,只要至少1個烷基(較佳為碳數1~20)鍵結於氮原子,則除了烷基以外,環烷基(較佳為碳數3~20)或芳基(較佳為碳數6~12)亦可以鍵結於氮原子。 銨鹽化合物在烷基鏈中具有氧原子且形成有氧伸烷基為較佳。氧伸烷基的數量在分子內為1個以上,較佳為3~9個,進一步較佳為4~6個。在氧伸烷基中,氧伸乙基(-CH2
CH2
O-)或氧伸丙基(-CH(CH3
)CH2
O-或-CH2
CH2
CH2
O-)為較佳,進一步較佳為氧伸乙基。 作為銨鹽化合物的陰離子,可以舉出鹵素原子、磺酸酯、硼酸酯、磷酸酯等,其中,鹵素原子、磺酸酯為較佳。作為鹵素原子,氯化物、溴化物、碘化物為特佳,作為磺酸酯,碳數1~20的有機磺酸酯為特佳。作為有機磺酸酯,可以舉出碳數1~20的烷基磺酸酯、芳基磺酸酯。烷基磺酸酯的烷基可以具有取代基,作為取代基,例如可以舉出氟、氯、溴、烷氧基、醯基、芳基等。作為烷基磺酸酯,具體而言,可以舉出甲烷磺酸酯、乙烷磺酸酯、丁烷磺酸酯、己烷磺酸酯、辛烷磺酸酯、苄基磺酸酯、三氟甲烷磺酸酯、五氟乙烷磺酸酯、九氟丁烷磺酸酯等。作為芳基磺酸酯的芳基,可以舉出苯環、萘環、蒽環。苯環、萘環、蒽環可以具有取代基,作為取代基,碳數1~6的直鏈或分支烷基、碳數3~6的環烷基為較佳。作為直鏈或分支烷基、環烷基,具體而言,可以舉出甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、t-丁基、正己基、環己基等。作為其他取代基,可以舉出碳數1~6的烷氧基、鹵素原子、氰基、硝基、醯基、醯氧基等。
具有苯氧基之胺化合物、具有苯氧基之銨鹽化合物係指在胺化合物或銨鹽化合物的烷基的氮原子相反側末端具有苯氧基者。苯氧基可以具有取代基。作為苯氧基的取代基,例如可以舉出烷基、烷氧基、鹵素原子、氰基、硝基、羧基、羧酸酯基、磺酸酯基、芳基、芳烷基、醯氧基、芳氧基等。取代基的取代位可以係2~6位中的任一個。取代基的數量可以係1~5範圍中的任意個。
在苯氧基與氮原子之間具有至少1個氧伸烷基為較佳。氧伸烷基的數量在分子內為1個以上,較佳為3~9個,進一步較佳為4~6個。在氧伸烷基中,氧伸乙基(-CH2
CH2
O-)或氧伸丙基(-CH(CH3
)CH2
O-或-CH2
CH2
CH2
O-)為較佳,進一步較佳為氧伸乙基。
具有苯氧基之胺化合物能夠藉由加熱具有苯氧基之一級或二級胺和鹵烷基醚而使其反應之後,添加氢氧化鈉、氢氧化鉀、四烷基銨等強鹼的水溶液之後,利用乙酸乙酯、氯仿等有機溶劑進行提取來得到。或者,能夠藉由加熱一級或二級胺和末端具有苯氧基之鹵烷基醚而使其反應之後,添加氢氧化鈉、氢氧化鉀、四烷基銨等強鹼的水溶液之後,利用乙酸乙酯、氯仿等有機溶劑進行提取來得到。
(具有質子受體性官能基且藉由光化射線或放射線的照射分解而產生質子受體性降低、消失、或由質子受體性變為酸性之化合物之化合物(PA)) 本發明之組成物還可以含有如下化合物〔以下,亦稱為化合物(PA)〕作為鹼性化合物,該化合物具有質子受體性官能基且藉由光化射線或放射線的照射分解而產生質子受體性降低、消失、或由質子受體性變為酸性之化合物。
質子受體性官能基係指具有能夠與質子静電性地相互作用之基團或電子之官能基,例如係指具有環狀聚醚等大環結構之官能基、或含有具有不參與π共軛之未共用電子對之氮原子之官能基。具有不參與π共軛之未共用電子對之氮原子例如為具有下述通式所示之部分結構之氮原子。
[化學式34]
作為質子受體性官能基的較佳的部分結構,例如可以舉出冠醚、氮雜冠醚、一級~三級胺、吡啶、咪唑、吡嗪結構等。
化合物(PA)藉由光化射線或放射線的照射分解而產生質子受體性降低、消失、或由質子受體性變為酸性之化合物。其中,質子受體性降低、消失、或由質子受體性變為酸性係指,由質子加成於質子受體性官能基而引起之質子受體性的變化,具體係指,當由具有質子受體性官能基之化合物(PA)和質子生成質子加成體時,其化學平衡中之平衡常數減小。
作為化合物(PA)的具體例,例如可以舉出下述化合物。進而,作為化合物(PA)的具體例,例如可以援用日本特開2014-41328號公報的段落0421~0428、日本特開2014-134686號公報的段落0108~0116中所記載者,該等內容被併入本說明書中。
[化學式35]
[化學式36]
該等鹼性化合物可以單獨使用或同時使用2種以上。
鹼性化合物的使用量以抗蝕劑組成物的固體成分為基準,通常係0.001~10質量%,較佳為0.01~5質量%。
酸產生劑和鹼性化合物在組成物中的使用比例係酸產生劑/鹼性化合物(莫耳比)=2.5~300為較佳。亦即,從靈敏度、解析度的觀點考慮,莫耳比係2.5以上為較佳,從抑制由曝光後加熱處理為止之抗蝕劑圖案的經時變粗所引起之解析度下降的觀點考慮,300以下為較佳。酸產生劑/鹼性化合物(莫耳比)更佳為5.0~200,進一步較佳為7.0~150。
作為鹼性化合物,例如可以使用日本特開2013-11833號公報的段落0140~0144中所記載之化合物(胺化合物、含醯胺基化合物、脲化合物、含氮雜環化合物等)。
<疏水性樹脂> 本發明中之感光化射線性或感放射線性組成物中,除了上述樹脂(A)以外,還可以具有與樹脂(A)不同之疏水性樹脂。 疏水性樹脂設計成偏在於抗蝕劑膜的表面為較佳,但與界面活性劑不同,無需一定要在分子內具有親水基,可以不參與極性和/或非極性物質的均勻混合。 作為添加疏水性樹脂之效果,可以舉出抗蝕劑膜表面相對於水之靜態或動態接触角的控制、逸出氣體(outgas)的抑制等。
從在膜表層上之偏在化的觀點考慮,疏水性樹脂具有“氟原子”、“矽原子”及“樹脂的側鏈部分中所含有之CH3
部分結構”中之任意1種以上為較佳,具有2種以上為進一步較佳。並且,上述疏水性樹脂含有碳數5以上的烴基為較佳。該等基團可以存在於樹脂的主鏈中,亦可以取代於側鏈。
當疏水性樹脂含有氟原子和/或矽原子時,疏水性樹脂中之上述氟原子和/或矽原子可以含於樹脂的主鏈中,亦可以含於側鏈中。
當疏水性樹脂含有氟原子時,係含有具有氟原子之烷基、具有氟原子之環烷基或具有氟原子之芳基作為具有氟原子之部分結構之樹脂為較佳。 具有氟原子之烷基(較佳為碳數1~10,更佳為碳數1~4)為至少1個氫原子被氟原子取代之直鏈或分支烷基,可以進一步具有氟原子以外的取代基。 具有氟原子之環烷基為至少1個氫原子被氟原子取代之單環或多環的環烷基,可以進一步具有氟原子以外的取代基。 作為具有氟原子之芳基,可以舉出苯基、萘基等芳基的至少1個氫原子被氟原子取代者,可以進一步具有氟原子以外的取代基。 作為具有氟原子或矽原子之重複單元的例子,可以舉出US2012/0251948A1的段落0519中所例示者。
並且,如上所述,疏水性樹脂在側鏈部分含有CH3
部分結構亦較佳。 在此,疏水性樹脂中的側鏈部分所具有之CH3
部分結構包含乙基、丙基等所具有之CH3
部分結構。 另一方面,直接鍵結於疏水性樹脂的主鏈之甲基(例如,具有甲基丙烯酸結構之重複單元的α-甲基)因主鏈的影響而對疏水性樹脂的表面偏在化之貢獻較小,因此視為不包含於本發明中之CH3
部分結構。
關於疏水性樹脂,可以參閱日本特開2014-010245號公報的<0348>~<0415>的記載,該等內容被併入本說明書中。
另外,作為疏水性樹脂,除此以外,還可以較佳地使用日本特開2011-248019號公報、日本特開2010-175859號公報、日本特開2012-032544號公報中所記載者。
本發明的圖案形成方法中,可以在基板上使用上述感光化射線性或感放射線性組成物形成抗蝕劑膜,且可以在上述抗蝕劑膜上使用上述頂塗層組成物來形成頂塗層。該抗蝕劑膜的膜厚較佳為10~100nm,頂塗層的膜厚較佳為10~200nm,進一步較佳為20~100nm,特佳為40~80nm。 作為在基板上塗佈感光化射線性或感放射線性組成物之方法,旋塗為較佳,其轉速係1000~3000rpm為較佳。 例如,將感光化射線性或感放射線性組成物藉由旋塗機、塗佈機等適當的塗佈方法來塗佈於精密積體電路元件的製造中所使用之基板(例:矽/二氧化矽塗覆)上,並進行乾燥來形成抗蝕劑膜。另外,亦可以預先塗設公知的防反射膜。並且,在形成頂塗層之前乾燥抗蝕劑膜為較佳。 接著,可以在所得到之抗蝕劑膜上藉由與上述抗蝕劑膜的形成方法相同的方法來塗佈頂塗層組成物,並進行乾燥來形成頂塗層。 對於在上層具有頂塗層之抗蝕劑膜,通常通過遮罩來照射電子束(EB)、X射線或EUV光,較佳為進行烘烤(加熱)並進行顯影。藉此,能夠得到良好的圖案。
界面活性劑(F) 本發明中所使用之感光化射線性或感放射線性組成物還可以含有界面活性劑(F)。藉由含有界面活性劑,當使用波長為250nm以下、尤其是220nm以下的曝光光源時,能夠以良好的靈敏度及解析度形成密合性及顯影缺陷較少的圖案。 作為界面活性劑,使用氟系和/或矽系界面活性劑為特佳。 作為氟系和/或矽系界面活性劑,例如可以舉出美國專利申請公開第2008/0248425號說明書的<0276>中所記載之界面活性劑。並且,可以使用Eftop EF301或EF303(Shin-Akita Kasei Co.,Ltd.製);Fluorad FC430、431或4430(Sumitomo 3M Limited製);Megafac F171、F173、F176、F189、F113、F110、F177、F120或R08(DIC CORPORATION製);Surflon S-382、SC101、102、103、104、105或106(ASAHI GLASS CO.,LTD.製);Troy Sol S-366(Troy Chemical Industries Inc.製);GF-300或GF-150(TOAGOSEI CO.,LTD.製)、Surflon S-393(SEIMI CHEMICAL CO.,LTD.製);Eftop EF121、EF122A、EF122B、RF122C、EF125M、EF135M、EF351、EF352、EF801、EF802或EF601(Gemco公司製);PF636、PF656、PF6320或PF6520(OMNOVA Solutions Inc.製);或FTX-204G、208G、218G、230G、204D、208D、212D、218D或222D(Neos Corporation製)。另外,聚矽氧烷聚合物KP-341(Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.製)亦可以用作矽系界面活性劑。
並且,界面活性劑除了如上所示之公知者以外,還可以使用利用短鏈聚合(telomerization)法(亦稱為短鏈聚合物(telomer)法)或寡聚合(oligomerization)法(亦稱為寡聚物法)製造之氟脂肪族化合物而合成。具體而言,可以將具備由該氟脂肪族化合物衍生之氟脂肪族基之聚合物用作界面活性劑。該氟脂肪族化合物例如能夠藉由日本特開2002-90991號公報中所記載之方法而合成。 並且,亦可以使用美國專利申請公開第2008/0248425號說明書的<0280>中所記載之氟系和/或矽系以外的界面活性劑。
該等界面活性劑可以單獨使用1種,亦可以組合使用2種以上。
當本發明中所使用之感光化射線性或感放射線性組成物含有界面活性劑時,其含量以組成物的所有固體成分為基準,較佳為0~2質量%,更佳為0.0001~2質量%,進一步較佳為0.0005~1質量%。
其他添加劑(G) 本發明中所使用之感光化射線性或感放射線性組成物可以進一步含有溶解抑制化合物、染料、可塑劑、光敏劑、光吸收劑、和/或促進對顯影液之溶解性之化合物(例如,分子量1000以下的苯酚化合物、或含有羧基之脂環族或脂肪族化合物)。
本發明中所使用之感光化射線性或感放射線性組成物可以進一步含有溶解抑制化合物。在此,“溶解抑制化合物”係藉由酸的作用分解而在有機系顯影液中的溶解度減少之分子量3000以下的化合物。
本發明中之顯影液及沖洗液亦可以適當適用於非化學增幅系抗蝕劑組成物。 作為非化學增幅系抗蝕劑組成物,例如可以舉出: 藉由g射線、h射線、i射線、KrF、ArF、EB或EUV等的照射,主鏈切斷,分子量降低,藉此溶解性發生變化之抗蝕劑材料(例如日本特開2013-210411號公報<0025>~<0029>、<0056>或美國專利公報2015/0008211<0032>~<0036>、<0063>中所記載之以α-氯丙烯酸酯系化合物與α-甲基苯乙烯系化合物的共聚物為主成分之抗蝕劑材料等); 伴隨藉由g射線、h射線、i射線、KrF、ArF、EB或EUV等產生之矽烷醇縮合反應之氫矽倍半環氧乙烷(HSQ)、氯取代之杯芳烴; 含有對g射線、h射線、i射線、KrF、ArF、EB或EUV等光具有吸收之金屬錯合體(為鎂、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鋅、銀、鎘、銦、錫、銻、銫、鋯、鉿等的錯合體,從圖案形成性的觀點考慮,鈦、鋯、鉿為較佳),且伴有併用配位子脱離和酸產生劑之配位子交換過程之抗蝕劑材料(日本特開2015-075500<0017>~<0033>、<0037>~<0047>、日本特開2012-185485<0017>~<0032>、<0043>~<0044>、美國專利公報2012/0208125<0042>~<0051>、<0066>等中所記載之抗蝕劑材料)等。 並且,作為抗蝕劑組成物,亦可以使用日本特開2008-83384號公報中所記載之<0010>~<0062>、<0129>~<0165>中所記載之抗蝕劑組成物。
<收容容器> 作為顯影液及沖洗液中可以使用之有機溶劑(亦稱為“有機系處理液”),使用保存於具有收容部之化學增幅型或非化學增幅型抗蝕劑膜的圖案形成用有機系處理液的收容容器者為較佳。作為該收容容器,例如係收容部的與有機系處理液接触之內壁由與聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂及聚乙烯-聚丙烯樹脂中的任一個均不同之樹脂、或實施了防鏽/金屬溶出防止處理之金屬構成之抗蝕劑膜的圖案形成用有機系處理液的收容容器為較佳。在該收容容器的上述收容部收容用作抗蝕劑膜的圖案形成用有機系處理液之預定的有機溶劑,在形成抗蝕劑膜的圖案時,可以使用從上述收容部排出者。
當上述收容容器還具有用於密閉上述收容部之密封部時,該密封部亦由與選自由聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂及聚乙烯-聚丙烯樹脂構成之組群中之1種以上的樹脂不同之樹脂、或實施了防鏽/金屬溶出防止處理之金屬形成為較佳。
在此,密封部係指能夠將收容部與外部空氣隔斷之構件,可以較佳地舉出襯墊或O型圈等。
與選自由聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂及聚乙烯-聚丙烯樹脂構成之組群中之1種以上的樹脂不同之樹脂係全氟樹脂為較佳。
作為全氟樹脂,可以舉出四氟乙烯樹脂(PTFE)、四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物樹脂(PFA)、四氟乙烯-六氟丙烯共聚樹脂(FEP)、四氟乙烯-乙烯共聚物樹脂(ETFE)、三氟氯乙烯-乙烯共聚物樹脂(ECTFE)、偏二氯乙烯樹脂(PVDF)、三氟氯乙烯共聚物樹脂(PCTFE)、氟乙烯樹脂(PVF)等。
作為特佳的全氟樹脂,可以舉出四氟乙烯樹脂、四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物樹脂。
作為實施了防鏽/金屬溶出防止處理之金屬中之金屬,可以舉出碳鋼、合金鋼、鎳鉻鋼、鎳鉻鉬鋼、鉻鋼、鉻鉬鋼、錳鋼等。
作為防鏽/金屬溶出防止處理,適用覆膜技術為較佳。
覆膜技術大體分為金屬塗覆(各種電鍍),無機塗覆(各種鈍化處理、玻璃、水泥、陶瓷等)及有機塗覆(防鏽油、塗料、橡膠、塑膠)這3種。
作為較佳的覆膜技術,可以舉出使用防鏽油、防鏽劑、防腐劑、螯合化合物、可剝性塑膠、內襯劑進行之表面處理。
其中,各種鉻酸鹽、亞硝酸鹽、矽酸鹽、磷酸鹽、油酸、二聚酸、環烷酸等羧酸、羧酸金屬皂、磺酸鹽、胺鹽、酯(高級脂肪酸的甘油酯或磷酸酯)等防腐劑、乙二胺四乙酸、葡萄糖酸、次氮基三乙酸、羥乙基乙二胺三作酸、二乙烯三胺五作酸等螯合化合物及氟樹脂內襯為較佳。特佳係磷酸鹽處理和氟樹脂內襯。
並且,與直接的塗覆處理相比,雖然並不是直接防鏽,但作為藉由塗覆處理來延長防鏽期間之處理方法,採用作為防鏽處理所涉及之前的階段之“前處理”亦較佳。
作為該種前處理的具體例,可以較佳地舉出藉由清洗或研磨來去除存在於金屬表面之氯化物或硫酸鹽等各種腐蝕因子之處理。
作為收容容器,具體可以舉出以下。
·Entegris公司製 Fluoro Pure PFA複合筒(接液內面;PFA樹脂內襯) ·JFE公司製 鋼製筒罐(接液內面;磷酸鋅覆膜)
並且,作為本發明中可以使用之收容容器,亦可以舉出日本特開平11-021393號公報<0013>~<0030>及日本特開平10-45961號公報<0012>~<0024>中所記載之容器。
為了防止静電的帶電及防止因附随静電的帶電而產生之放電而導致薬液配管或各種組件(過濾器、O型圈、軟管等)發生故障,本發明的有機系處理液可以添加導電性化合物。作為導電性化合物並沒有特別限制,例如可以舉出甲醇。添加量並沒有特別限制,但從維持較佳的顯影特性之觀點考慮,10質量%以下為較佳,進一步較佳為5質量%以下。關於薬液配管的構件,可以使用由SUS(不鏽鋼)或實施了抗靜電處理之聚乙烯、聚丙烯或氟樹脂(聚四氟乙烯、全氟烷氧基樹脂等)覆膜之各種配管。關於過濾器或O型圈,亦同樣可以使用實施了抗靜電處理之聚乙烯、聚丙烯或氟樹脂(聚四氟乙烯、全氟烷氧基樹脂等)。
另外,一般而言,顯影液及沖洗液在使用後通過配管收容於廢液罐中。此時,若使用烴系溶劑作為沖洗液,則溶解於顯影液中之抗蝕劑析出,為了防止附著於晶片背面或配管側面等,有再次使溶解抗蝕劑之溶劑通過配管之方法。作為通過配管之方法,可以舉出利用沖洗液進行清洗之後利用溶解抗蝕劑之溶劑來清洗沖刷基板的背面或側面等之方法;或不與抗蝕劑接触而使溶解抗蝕劑之溶劑流動,以便通過配管之方法。 作為通過配管之溶劑,只要係能夠溶解抗蝕劑者,則並沒有特別限定,例如可以舉出上述有機溶劑,可以使用丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)、丙二醇單乙醚乙酸酯、丙二醇單丙醚乙酸酯、丙二醇單丁醚乙酸酯、丙二醇單甲醚丙酸酯、丙二醇單乙醚丙酸酯、乙二醇單甲醚乙酸酯、乙二醇單乙醚乙酸酯、丙二醇單甲醚(PGME)、丙二醇單乙醚、丙二醇單丙醚、丙二醇單丁醚、乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、2-庚酮、乳酸乙酯、1-丙醇、丙酮等。其中,較佳為PGMEA、PGME、環己酮。
將藉由本發明的圖案形成方法而得到之圖案用作遮罩,適當進行蝕刻處理及離子植入等,從而能夠製造半導體微細電路、壓印(imprint)用模具結構體、光罩等。
藉由上述方法形成之圖案還可以用於DSA(定向自組裝(Directed Self-Assembly))中之導引圖案形成(例如,參閱ACS Nano Vol.4 No.8 Page4815-4823)。並且,藉由上述方法形成之圖案可以用作例如日本特開平3-270227及日本特開2013-164509號公報中所揭示之間隔物工藝的芯材(core)。
另外,關於使用本發明的組成物來製作壓印用模具時的工藝,例如記載於日本專利第4109085號公報、日本特開2008-162101號公報及“納米壓印的基礎和技術開發、應用展開-納米壓印的基板技術和最新技術展開-編輯:平井義彥(Frontier Publishing)”。
使用本發明的圖案形成方法來製造之光罩可以係ArF準分子雷射等中所使用之光透過型遮罩,亦可以係以EUV光作為光源之反射系微影中所使用之光反射型遮罩。
並且,本發明還有關一種包含上述本發明的圖案形成方法之電子器件的製造方法。
藉由本發明的電子器件的製造方法來製造之電子器件係較佳地搭載於電氣電子設備(家電、辦公器具(Office Appliance)/媒體相関設備、光學用設備及通信設備等)者。 [實施例]
以下,藉由實施例對本發明進行進一步具體的說明,但本發明只要不超過其宗旨,則並不限定於以下實施例。另外,只要沒有特別指定,則“份”、“%”為質量基準。
<樹脂(A)> (合成例1)樹脂(A-1)的合成 向2L燒瓶中放入環己酮600g,以100mL/min的流量經一小時進行了氮取代。其後,向其中加入聚合起始劑V-601(Wako Pure Chemical Industries, Ltd.製)4.60g(0.02mol),並升溫至內溫成為80℃。接著,將以下的單體和聚合起始劑V-601(Wako Pure Chemical Industries,Ltd.製)4.60g(0.02mol)溶解於環己酮200g來製備出單體溶液。將單體溶液經6小時滴加到上述加熱至80℃的燒瓶中。滴加結束後,進一步在80℃下反應了2小時。 4-乙醯氧基苯乙烯 48.66g(0.3mol) 甲基丙烯酸1-乙基環戊酯 109.4g(0.6mol) 單體1 22.2g(0.1mol)
[化學式37]
將反應溶液冷卻至室溫,並滴加到己烷3L中,使聚合物沉澱。將過濾之固體溶解於丙酮500mL中,並再次滴加到己烷3L中,減壓乾燥所過濾之固體來得到4-乙醯氧基苯乙烯/甲基丙烯酸1-乙基環戊酯/單體1共聚物(A-1a)160g。
向反應容器中加入上述所得到之聚合物10g、甲醇40mL、1-甲氧基-2-丙醇200mL及濃鹽酸1.5mL,加熱至80℃並攪拌了5小時。將反應溶液冷卻至室溫,並滴加到蒸餾水3L中。將過濾之固體溶解於丙酮200mL中,並再次滴加到蒸餾水3L中,減壓乾燥所過濾之固體來得到樹脂(A-1)(8.5g)。基於GPC測得之重量平均分子量為10800,分子量分散度(Mw/Mn)為1.55。
改變所使用之單體,除此以外,利用與上述合成例1相同的方法來合成了具有下述表1所示之結構之樹脂(A-2)~(A-4)。樹脂的組成比(莫耳比)藉由1
H-NMR測定來計算出。樹脂的重量平均分子量(Mw:聚苯乙烯換算)、分散度(Mw/Mn)藉由GPC(溶劑:THF)測定來計算出。
[表1]
改變所使用之單體,除此以外,利用與上述合成例1相同的方法來合成了具有下述表2所示之結構之樹脂(A-5)~(A-7)。樹脂的組成比(莫耳比)藉由1
H-NMR測定來計算出。樹脂的重量平均分子量(Mw:聚苯乙烯換算)、分散度(Mw/Mn)藉由GPC(溶劑:THF)測定來計算出。
[表2]
<酸產生劑(B)> 作為酸產生劑,使用了以下者。
[化學式38]
<鹼性化合物(E)> 作為鹼性化合物,使用了以下者。
[化學式39]
[化學式40]
<溶劑(C)> 作為溶劑,使用了以下者。 C-1:丙二醇單甲醚乙酸酯 C-2:丙二醇 C-3:乳酸乙酯 C-4:環己酮
<抗蝕劑組成物> 將下述表3所示之各成分溶解於該表所示之溶劑中。使用具有0.03μm的細孔尺寸之聚乙烯過濾器過濾所得到之溶液來得到抗蝕劑組成物。
[表3]
<EUV曝光評價> 使用表3中所記載之各抗蝕劑組成物,藉由以下的操作形成了抗蝕劑圖案。
〔抗蝕劑組成物的塗佈及塗佈後烘烤(PB)〕 在進行了HMDS(六甲基二矽氮烷)處理之4英吋矽晶片上塗佈如上述那樣進行而得到之各抗蝕劑組成物,並在表6所示之溫度條件下烘烤60秒鐘而形成了膜厚40nm的抗蝕劑膜。 1英吋為25.4mm。
〔曝光〕 在形成有上述抗蝕劑膜之晶片上,使用EUV曝光裝置將NA(透鏡開口數,數值孔徑(Numerical Aperture))設為0.3,並利用偶極照明進行了EUV曝光。具體而言,經由包含用於形成線寬20nm及45nm的1:1線與空間圖案之圖案之遮罩,改變曝光量而進行了EUV曝光。
〔曝光後烘烤(PEB)〕 曝光後,從EUV曝光裝置中取出晶片時,立即在表6所示之溫度條件下烘烤了60秒鐘。
〔顯影〕 然後,使用淋浴型顯影裝置(ACTES Co.,Ltd.製ADE3000S),一邊以50轉(rpm)旋轉晶片,一邊以200mL/分鐘的流量將表4中所記載之顯影液(23℃)噴霧噴出規定時間而進行了顯影。
[表4]
〔沖洗〕 然後,一邊以50轉(rpm)旋轉晶片,一邊以200mL/分鐘的流量將表5中所記載之沖洗液(23℃)噴霧噴出既定時間而進行了沖洗處理。 最後,以2500轉(rpm)高速旋轉120秒鐘而使晶片乾燥。 R-5的2種成分的含有比為質量比。
[表5]
〔評價試験〕 對於以下的項目,進行了抗蝕劑圖案的評價。將結果示於表6。
[表6]
(圖案崩塌性能) 於20nm的線寬上,以1:1的線與空間的比率分離解析之照射能量下進行了曝光。 使用掃描型電子顯微鏡(Hitachi, Ltd.製S-9380II)觀察了所得到之抗蝕劑圖案。 藉由掃描型電子顯微鏡觀察利用上述方法得到之線寬20nm的解析狀況,並求出了圖案崩塌的個數。一邊每隔1μm錯開觀察部位,一邊進行1000張的照片攝影,將在照片的1個視場中觀察到圖案崩塌者設為NG,將未觀察到者設為OK而進行了計數。根據NG的數量,分類為以下的A~D。NG越少,表示圖案崩塌性能越良好。 A:0個 B:1~10個 C:11~100個 D:101~1000個
(橋接性能) 於20nm的線寬上,以1:1的線與空間的比率分離解析之照射能量下進行了曝光。 使用掃描型電子顯微鏡(Hitachi, Ltd.製S-9380II)觀察了所得到之抗蝕劑圖案。 藉由掃描型電子顯微鏡觀察利用上述方法得到之線寬20nm的解析狀況,並求出了橋接的個數。一邊每隔1μm錯開觀察部位,一邊進行1000張的照片攝影,將在照片的1個視場中觀察到橋接者設為NG,未觀察到者設為OK而進行了計數。根據NG的數量,分類為以下的A~D。NG越少,表示橋接性能越良好。 A:0個 B:1~10個 C:11~100個 D:101~1000個
(CDU) 於45nm的線寬上,以1:1的線與空間的比率分離解析之照射能量下進行了曝光。 使用掃描型電子顯微鏡(Hitachi, Ltd.製S-9380II)觀察了所得到之抗蝕劑圖案。隨機在100部位抽出從晶片的中心起150mm以內的場所,並測定了該場所的圖案線寬。將共計100部位的圖案線寬的偏差、3σ作為CDU的指標。值越小,表示性能越良好。
<EB曝光評價> 使用上述表3中所記載之抗蝕劑組成物,藉由以下的操作形成了抗蝕劑圖案。
〔抗蝕劑組成物的塗佈及塗佈後烘烤(PB)〕 在6英吋矽晶片上塗佈有機膜形成用組成物DUV44(Brewer Science公司製),在200℃下烘烤60秒鐘而形成了膜厚60nm的有機膜。在其上塗佈表3中所記載之抗蝕劑組成物,並在表7所示之溫度下烘烤60秒鐘而形成了膜厚40nm的抗蝕劑膜。
〔曝光〕 使用電子束照射裝置(JEOL Ltd.製 JBX6000FS/E;加速電壓50keV),在形成有上述抗蝕劑膜之晶片上,以1.25nm間隔對線寬20nm~17.5nm的1:1線與空間圖案(長度方向0.12mm、描畫條數20根)改變曝光量而進行了曝光。
〔曝光後烘烤(PEB)〕 曝光後,從電子束照射裝置中取出晶片時,立即在表7所示之溫度、60秒鐘的條件下,於加熱板上進行了加熱。
〔顯影〕 使用淋浴型顯影裝置(ACTES Co.,Ltd.製ADE3000S),一邊以50轉(rpm)旋轉晶片,一邊以200mL/分鐘的流量將上述表4中所記載之顯影液(23℃)噴霧噴出既定時間而進行了顯影。
〔沖洗〕 然後,一邊以50轉(rpm)旋轉晶片,一邊以200mL/分鐘的流量將上述表5中所記載之沖洗液(23℃)噴霧噴出既定時間而進行了沖洗處理。 最後,以2500轉(rpm)高速旋轉120秒鐘而使晶片乾燥。
利用與上述“EUV曝光評價”相同的方法進行了抗蝕劑圖案的評價。將結果示於表7。
[表7]
如上述表6及表7所示,可知無論使用哪一個曝光光源,藉由使用含有漢森的溶解性參數δp的值為2.9以上且5以下的有機溶劑之顯影液作為顯影液且使用含有含氟原子及矽原子中的至少一者之有機溶劑之沖洗液作為沖洗液,圖案崩塌性能、橋接性能及CDU中的任一個均非常良好。
無
無
Claims (12)
- 一種圖案形成方法,其依次具有: 抗蝕劑膜形成製程,使用感光化射線性或感放射線性組成物形成抗蝕劑膜; 曝光製程,對前述抗蝕劑膜進行曝光; 使用含有漢森的溶解性參數δp的值為2.9以上且5以下的有機溶劑之顯影液,對經曝光之前述抗蝕劑膜進行顯影之製程; 使用含有含氟原子及矽原子中的至少一者之有機溶劑之沖洗液,對前述經顯影之抗蝕劑膜進行沖洗之製程。
- 如申請專利範圍第1項所述之圖案形成方法,其中前述沖洗液中所含之前述有機溶劑的含量相對於前述沖洗液的總質量為10質量%以上。
- 如申請專利範圍第1項所述之圖案形成方法,其中前述沖洗液中所含之前述有機溶劑的含量相對於前述沖洗液的總質量為30質量%以上。
- 如申請專利範圍第1項所述之圖案形成方法,其中前述沖洗液中所含之前述有機溶劑為含有氟原子及矽原子中的至少一者之烴系溶劑或醚系溶劑。
- 如申請專利範圍第1項所述之圖案形成方法,其中前述沖洗液中所含之前述有機溶劑含有氟原子。
- 如申請專利範圍第5項所述之圖案形成方法,其中前述沖洗液中所含之前述有機溶劑為選自氫氟醚、全氟碳及氫氟碳中之至少1種。
- 如申請專利範圍第5項所述之圖案形成方法,其中前述沖洗液中所含之前述有機溶劑為選自全氟碳及氫氟碳中之至少1種。
- 如申請專利範圍第1項至第7項中任一項所述之圖案形成方法,其中前述顯影液中所含之前述有機溶劑為酯系溶劑。
- 如申請專利範圍第1項至第7項中任一項所述之圖案形成方法,其中前述顯影液中所含之前述有機溶劑為碳原子數6~10的有機溶劑。
- 如申請專利範圍第1項至第7項中任一項所述之圖案形成方法,其中前述顯影液中所含之前述有機溶劑為選自乙酸丁酯、乙酸戊酯、乙酸己酯、乙酸庚酯、乙酸異丁酯、乙酸異戊酯、乙酸異己酯、乙酸仲丁酯、乙酸叔丁酯及丁酸丁酯、乙酸2-乙基己酯中之至少1種。
- 如申請專利範圍第1項至第7項中任一項所述之圖案形成方法,其中前述曝光係使用電子束或極紫外線而進行。
- 一種電子器件的製造方法,其包含申請專利範圍第1項至第11項中任一項所述之圖案形成方法。
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Cited By (2)
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WO2019151021A1 (ja) * | 2018-02-05 | 2019-08-08 | 日本ゼオン株式会社 | レジストパターン形成方法 |
KR20200009841A (ko) * | 2018-07-20 | 2020-01-30 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 방법 |
JPWO2020071042A1 (ja) * | 2018-10-03 | 2021-09-24 | 富士フイルム株式会社 | 薬液、薬液収容体、レジストパターン形成方法、半導体チップの製造方法 |
EP3953768A1 (en) * | 2019-04-09 | 2022-02-16 | Basf Se | Composition comprising an ammonia-activated siloxane for avoiding pattern collapse when treating patterned materials with line-space dimensions of 50 nm or below |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070292808A1 (en) * | 2004-09-01 | 2007-12-20 | Jun Koshiyama | Developing Solution Composition for Lithography and Method for Resist Pattern Formation |
JP4437068B2 (ja) * | 2004-11-19 | 2010-03-24 | 東京応化工業株式会社 | リソグラフィー用リンス液 |
WO2010134639A1 (ja) * | 2009-05-21 | 2010-11-25 | 株式会社トクヤマ | レジストパターンの形成方法および現像液 |
JP5537859B2 (ja) * | 2009-07-31 | 2014-07-02 | 富士フイルム株式会社 | 化学増幅型レジスト組成物によるパターン形成用の処理液及びそれを用いたレジストパターン形成方法 |
JP5798466B2 (ja) * | 2010-12-27 | 2015-10-21 | Hoya株式会社 | レジスト現像剤、レジストパターンの形成方法及びモールドの製造方法 |
WO2013018569A1 (ja) * | 2011-08-04 | 2013-02-07 | Hoya株式会社 | レジスト現像剤、レジストパターンの形成方法及びモールドの製造方法 |
JP6027779B2 (ja) * | 2012-06-11 | 2016-11-16 | メルクパフォーマンスマテリアルズマニュファクチャリング合同会社 | リソグラフィー用現像またはリンス液およびそれを用いたパターン形成方法 |
JP6154653B2 (ja) * | 2013-04-17 | 2017-06-28 | アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ(ルクセンブルグ)ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ | リソグラフィー用現像またはリンス液およびそれを用いたパターン形成方法 |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI772552B (zh) * | 2017-11-03 | 2022-08-01 | 德商巴斯夫歐洲公司 | 含矽氧烷型添加劑之組成物用於在處理具有50nm或低於50nm之線性空間尺寸之圖案材料時避免圖案塌陷之用途 |
CN111683993A (zh) * | 2018-02-09 | 2020-09-18 | 住友化学株式会社 | 高分子化合物的制造方法 |
CN111683993B (zh) * | 2018-02-09 | 2023-12-19 | 住友化学株式会社 | 高分子化合物的制造方法 |
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