CN111683993B - 高分子化合物的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于，提供多分散度充分小的高分子化合物的制造方法。本发明涉及一种高分子化合物的制造方法，其含有使包含高分子化合物的溶液与包含2种以上有机溶剂的混合溶剂接触从而使高分子化合物沉淀的工序，该2种以上有机溶剂包含相互不同的第1有机溶剂和第2有机溶剂，该第1有机溶剂为选自溶剂A中的1种以上，该第2有机溶剂为选自溶剂A和溶剂B中的1种以上。[溶剂A]汉森溶解度参数的极性项P1(MPa0.5)为0≤P1≤10、且汉森溶解度参数的氢键项H1(MPa0.5)为0≤H1≤10的溶剂，[溶剂B]汉森溶解度参数的极性项P2(MPa0.5)为10＜P2、和/或汉森溶解度参数的氢键项H2(MPa0.5)为10＜H2的溶剂。

Description

高分子化合物的制造方法
技术领域
本发明涉及高分子化合物的制造方法。
背景技术
作为有机电致发光(以下也记作“有机EL”)元件等发光元件的材料，例如使用有高分子化合物。为了使该元件的性能提高，期望该高分子化合物的多分散度(Mw/Mn)小。
高分子化合物例如可以通过在过渡金属络合物的存在下使芳香族二硼酸与芳香族二卤化物进行铃木偶联反应来合成。例如，非专利文献1报道了使芴的二硼酸与三芳基胺的二溴体进行铃木偶联反应来合成高分子化合物的方法。然而，通过该方法，很难得到多分散度充分小的高分子化合物。
作为减小高分子化合物的多分散度的方法，有例如色谱等使用吸附材料的方法、索氏提取等从固体中萃取的方法，但均不一定能够满足。
现有技术文献
非专利文献
非专利文献1：RSC Advances,2015,5,p101826-101833
发明内容
发明要解决的课题
本发明的目的在于，提供多分散度充分小的高分子化合物的制造方法。
用于解决课题的手段
本发明提供以下的[1]～[10]。
一种制造方法，其是高分子化合物的制造方法，所述制造方法含有使包含高分子化合物的溶液与包含2种以上有机溶剂的混合溶剂接触从而使高分子化合物沉淀的工序，
该2种以上有机溶剂包含相互不同的第1有机溶剂和第2有机溶剂，
该第1有机溶剂为选自溶剂A中的1种以上，该第2有机溶剂为选自溶剂A和溶剂B中的1种以上：
[溶剂A]
汉森溶解度参数的极性项P1(MPa0.5)为0≤P1≤10、且汉森溶解度参数的氢键项H1(MPa0.5)为0≤H1≤10的溶剂，
[溶剂B]
汉森溶解度参数的极性项P2(MPa0.5)为10＜P2、和/或汉森溶解度参数的氢键项H2(MPa0.5)为10＜H2的溶剂。
根据[1]所述的制造方法，其中，所述第1有机溶剂为选自溶剂A中的1种以上，所述第2有机溶剂为选自溶剂B中的1种以上。
根据[2]所述的制造方法，其中，所述第1有机溶剂为选自溶剂A中的1种以上，所述第2有机溶剂为选自溶剂B1中的1种以上：
[溶剂B1]
汉森溶解度参数的极性项P2(MPa0.5)为10＜P2、且汉森溶解度参数的氢键项H2(MPa0.5)为10＜H2的溶剂。
根据[3]所述的制造方法，其中，所述第1有机溶剂为选自溶剂A1中的1种以上，所述第2有机溶剂为选自溶剂B1中的1种以上：
[溶剂A1]
汉森溶解度参数的极性项P1(MPa0.5)为0≤P1≤5、且汉森溶解度参数的氢键项H1(MPa0.5)为0≤H1≤4的溶剂。
根据[1]所述的制造方法，其中，所述第1有机溶剂为选自溶剂A中的1种以上，所述第2有机溶剂为选自溶剂A中的1种以上。
根据[5]所述的制造方法，其中，所述第1有机溶剂为选自溶剂A中的1种以上，所述第2有机溶剂为选自溶剂A2中的1种以上：
[溶剂A2]
汉森溶解度参数的极性项P1(MPa0.5)为5＜P1≤10、且汉森溶解度参数的氢键项H1(MPa0.5)为4＜H1≤10的溶剂，
根据[6]所述的制造方法，其中，所述第1有机溶剂为选自溶剂A2中的1种以上，所述第2有机溶剂为选自溶剂A2中的1种以上：
根据[1]～[7]中任一项所述的制造方法，其中，在所述沉淀工序后，进一步含有添加第3有机溶剂的溶剂处理工序，该第3有机溶剂为选自溶剂C中的1种以上。
[溶剂C]
汉森溶解度参数的极性项P3(MPa0.5)为10＜P3、和/或汉森溶解度参数的氢键项H3(MPa0.5)为10＜H3的溶剂。
根据[1]～[8]中任一项所述的制造方法，其中，所述高分子化合物为包含式(1)所示的结构单元的高分子化合物。
[式中，
Ar1和Ar2各自独立地表示2价芳香族烃基、2价杂环基、或者2价芳香族烃基与2价杂环基键合而成的基团，这些基团任选具有取代基。存在多个Ar2的情况下，它们可以各自相同或不同。
Ar3表示1价芳香族烃基、或1价杂环基，这些基团任选具有取代基。存在多个Ar3的情况下，它们可以各自相同或不同。
a表示0～2的整数。]。
一种调节方法，其是调节高分子化合物的多分散度的方法，其含有使包含高分子化合物的溶液与包含2种以上有机溶剂的混合溶剂接触从而使高分子化合物沉淀的沉淀工序，
该2种以上有机溶剂包含相互不同的第1有机溶剂和第2有机溶剂，
该第1有机溶剂为选自溶剂A中的1种以上，该第2有机溶剂为选自溶剂A和溶剂B中的1种以上：
[溶剂A]
汉森溶解度参数的极性项P1(MPa0.5)为0≤P1≤10、且汉森溶解度参数的氢键项H1(MPa0.5)为0≤H1≤10的溶剂，
[溶剂B]
汉森溶解度参数的极性项P2(MPa0.5)为10＜P2、和/或汉森溶解度参数的氢键项H2(MPa0.5)为10＜H2的溶剂。
一种发光元件的制造方法，其为具有阳极、阴极和有机层的发光元件的制造方法，含有使用通过[1]～[9]中任一项所述的高分子化合物的制造方法所制造的高分子化合物来形成所述有机层的工序。
发明效果
根据本发明的方法，能够制造多分散度充分小的高分子化合物。根据本发明的方法，还能够调节高分子化合物的多分散度。通过本发明的方法制造的高分子化合物可适宜地用作有机EL元件的材料等。
具体实施方式
1.共通的用语的说明
以下说明本说明书中使用的用语。
“氢原子”可以为氕原子，也可以为氘原子。
“烷基”是指直链、支链和环状的烷基。直链的烷基的碳原子数通常为1～50，优选为3～30，更优选为4～20。支链和环状的烷基的碳原子数通常为3～50，优选为3～30，更优选为4～20。作为该烷基，例如可举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、2-乙基丁基、正己基、环己基、正庚基、环己基甲基、环己基乙基、正辛基、2-乙基己基、3-正丙基庚基、正癸基、3,7-二甲基辛基、2-乙基辛基、2-正己基-癸基、正十二烷基等。
“烷基”任选具有取代基，作为该取代基，例如可举出氟原子、氰基、芳基、1价杂环基、烷氧基、芳氧基、取代氨基、羧基、酯化的羧基、烯基、炔基、含金属络合物的基团等。“烷基”任选具有选自这些取代基中的1～20个取代基。作为该取代烷基，例如可举出三氟甲基、五氟乙基、全氟丁基、全氟己基、全氟辛基、3-苯基丙基、3-(4-甲基苯基)丙基、3-(3,5-二正己基苯基)丙基、6-乙氧基己基等。
“芳基”是指从芳香族烃中除去了1个与构成环的碳原子直接键合的氢原子的1价基团。芳基的碳原子数通常为6～60，优选为6～20，更优选为6～10。作为该芳基，例如可举出苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-芘基、2-芘基、4-芘基、2-芴基、3-芴基、4-芴基等。
“芳基”任选具有取代基，作为该取代基，例如可举出氟原子、氰基、烷基、芳基、1价杂环基、烷氧基、芳氧基、取代氨基、羧基、酯化的羧基、烯基、炔基、含金属络合物的基团等。“芳基”任选具有选自这些取代基中的1～10个取代基。作为该取代芳基，例如可举出五氟苯基、4-己基苯基、4-苯基苯基等。
“烷氧基”是指直链、支链和环状的烷氧基。直链的烷氧基的碳原子数通常为1～40，优选为4～10。支链和环状的烷氧基的碳原子数通常为3～40，优选为4～10。作为该烷氧基，例如可举出甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、正己氧基、环己氧基、正庚氧基、正辛氧基、2-乙基己氧基、正壬氧基、正癸氧基、3,7-二甲基辛氧基、月桂氧基等。
“烷氧基”任选具有取代基，作为该取代基，例如可举出氟原子、氰基、芳基、1价杂环基、烷氧基、芳氧基、取代氨基、羧基、酯化的羧基、烯基、炔基、含金属络合物的基团等。“烷氧基”任选具有选自这些取代基中的1～10个取代基。
“芳氧基”是指从芳香族烃中将1个与构成环的碳原子直接键合的氢原子替换为氧原子的1价基团。芳氧基的碳原子数通常为6～60，优选为7～48。作为该芳氧基，例如可举出苯氧基、1-萘氧基、2-萘氧基、1-蒽氧基、9-蒽氧基、1-芘氧基等。
“芳氧基”任选具有取代基，作为该取代基，例如可举出氟原子、氰基、烷基、1价杂环基、烷氧基、芳氧基、取代氨基、羧基、酯化的羧基、烯基、炔基、含金属络合物的基团等。“芳氧基”任选具有选自这些取代基中的1～10个取代基。作为该取代芳氧基，例如可举出五氟苯氧基、4-己基苯氧基、4-苯基苯氧基等。
“取代氨基”是指具有2个取代基的氨基。作为该取代基，例如可举出烷基、芳基(该芳基任选具有烷基)、1价杂环基等。作为该取代氨基，例如可举出二烷基氨基、二芳基氨基、二(单或二烷基芳基)氨基，具体而言，例如可举出二甲基氨基、二乙基氨基、二苯基氨基、双(4-甲基苯基)氨基、双(4-叔丁基苯基)氨基、双(3,5-二叔丁基苯基)氨基等。
“酯化的羧基”是指式：-COOR'(R'表示烷基、芳基、1价杂环基等)所示的基团。作为该酯化的羧基，例如可举出烷氧基羰基、芳氧基羰基，具体而言，例如可举出-CO2CH3所示的基团、-CO2C2H5所示的基团、-CO2C6H5所示的基团等。
“烯基”可以为直链、支链和环状的任一者。直链的烯基的碳原子数通常为2～30，优选为2～20。支链和环状的烯基的碳原子数通常为3～30，优选为4～20。作为该烯基，例如可举出乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、2-丁烯-1-基、3-丁烯-1-基、1-环己烯基、1-降冰片基、2-降冰片基等。
“烯基”任选具有取代基，作为该取代基，例如可举出氟原子、氰基、芳基、1价杂环基、烷氧基、芳氧基、取代氨基、羧基、酯化的羧基、含金属络合物的基团等。“烯基”任选具有选自这些取代基中的1～20个取代基。作为该取代烯基，例如可举出2-苯基乙烯基、4-辛基-2-苯基乙烯基等。
“炔基”可以为直链、支链和环状的任一者。直链的炔基的碳原子数通常为2～30，优选为2～20。支链和环状的炔基的碳原子数通常为4～30，优选为4～20。作为该炔基，例如可举出乙炔基、1-丙炔基、2-丙炔基、2-丁炔-1-基、3-丁炔-1-基等。
“炔基”任选具有取代基，作为该取代基，例如可举出氟原子、氰基、芳基、1价杂环基、烷氧基、芳氧基、取代氨基、羧基、酯化的羧基、含金属络合物的基团等。“炔基”任选具有选自这些取代基中的1～20个取代基。作为该取代炔基，例如可举出2-苯基乙炔基、4-辛基-2-苯基乙炔基等。
“1价芳香族烃基”是指从芳香族烃中除去了1个与构成环的碳原子直接键合的氢原子的1价基团。芳香族烃的碳原子数通常为6～60，优选为6～20，更优选为6～10。作为该1价芳香族烃基，例如可举出苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-芘基、2-芘基、4-芘基、2-芴基、3-芴基、4-芴基等。
“1价芳香族烃基”任选具有取代基，作为该取代基，例如可举出卤原子(特别是氟原子)、氰基、烷基、芳基(该芳基任选具有选自烷基和烷氧基中的1～3个取代基)、1价杂环基、烷氧基、芳氧基、取代氨基、亚烷基(二亚甲基、三亚甲基等)等。“1价芳香族烃基”任选具有选自这些取代基中的1～10个取代基。作为该取代的1价芳香族烃基，例如可举出2-苯基苯基、3-苯基苯基、4-苯基苯基、苯并环丁烯基等。
“2价芳香族烃基”是指从芳香族烃中除去了2个与构成环的碳原子直接键合的氢原子的2价基团、以及选自该2价基团中的多个(例如2～5个)键合而成的2价基团。2价芳香族烃基的碳原子数通常为6～60，优选为6～30，更优选为6～18。作为该2价芳香族烃基，例如可举出亚苯基、萘二基、蒽二基、菲二基、二氢菲二基、并四苯二基、芴二基、芘二基、苝二基、二基等。
“2价芳香族烃基”任选具有取代基，作为该取代基，例如可举出氟原子、氰基、烷基、芳基(该芳基任选具有选自烷基、烷氧基、苯基和烷基苯基中的1～5个取代基)、1价杂环基、烷氧基、芳氧基、取代氨基、羧基、酯化的羧基、烯基、炔基、含金属络合物的基团等。“2价芳香族烃基”任选具有选自这些取代基中的1～10个取代基。作为任选具有该取代基的2价芳香族烃基，例如可举出式(A-1)～式(A-20)所示的基团等。
[式中，R表示氢原子、氟原子、氰基、烷基、芳基、1价杂环基、烷氧基、芳氧基、取代氨基、羧基、酯化的羧基、烯基、炔基、含金属络合物的基团等。R为能够被取代的基团的情况下，任选具有取代基。存在多个R的情况下，它们可以各自相同或不同。相邻的R可以彼此相互键合，各自与键合的碳原子一起形成环。
“1价杂环基”是指从杂环式化合物中除去了与构成环的碳原子或杂原子直接键合的氢原子中的1个氢原子的1价基团。“1价杂环基”中，优选作为从芳香族杂环式化合物中除去了与构成环的碳原子或杂原子直接键合的氢原子中的1个氢原子的1价基团的“1价芳香族杂环基”。作为“1价杂环基”，例如可举出噻吩基、吡咯基、呋喃基、吡啶基、哌啶基、喹啉基、异喹啉基、嘧啶基、三嗪基等。
“芳香族杂环式化合物”是指例如噁二唑、噻二唑、噻唑、噁唑、噻吩、吡咯、磷杂环戊二烯、呋喃、吡啶、吡嗪、嘧啶、三嗪、哒嗪、喹啉、异喹啉、咔唑、二苯并噻咯、二苯并磷杂环戊二烯等杂环自身表现出芳香性的化合物；吩噁嗪、吩噻嗪、二苯并硼杂环戊二烯、二苯并噻咯、苯并吡喃等杂环自身不表现出芳香性但杂环上稠合有芳香环的化合物；以及这些化合物多个键合而成的化合物的任一者。
“1价杂环基”任选具有取代基，作为该取代基，例如可举出卤原子(特别是氟原子)、氰基、烷基、芳基、1价杂环基、烷氧基、芳氧基、取代氨基、亚烷基等。1价杂环基任选具有选自这些取代基中的1～5个取代基。
“2价杂环基”是指从杂环式化合物中除去了与构成环的碳原子或杂原子直接键合的氢原子中的2个氢原子的2价基团。“2价杂环基”中，优选作为从芳香族杂环式化合物中除去了与构成环的碳原子或杂原子直接键合的氢原子中的2个氢原子的2价基团的“2价芳香族杂环基”。作为“2价杂环基”，例如可举出从吡啶、二氮杂苯、三嗪、氮杂萘、二氮杂萘、咔唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩、二苯并噻咯、吩噁嗪、吩噻嗪、吖啶、二氢吖啶、呋喃、噻吩、唑、二唑、三唑、噁唑、噁二唑、噻唑、噻二唑等芳香族杂环式化合物中除去了与构成环的碳原子或杂原子直接键合的氢原子中的2个氢原子的2价基团、以及选自该2价基团中的多个(例如2～4个)键合而成的2价基团。
“2价杂环基”任选具有取代基，作为该取代基，例如可举出氟原子、氰基、烷基、芳基、1价杂环基、烷氧基、芳氧基、取代氨基、羧基、酯化的羧基、烯基、炔基、含金属络合物的基团等。2价杂环基任选具有选自这些取代基中的1～5个取代基。作为任选具有该取代基的2价杂环基，优选为式(A-21)～式(A-45)所示的基团。
[式中，R表示与上述相同的意思。存在多个R的情况下，它们可以各自相同或不同。]
作为“2价芳香族烃基与2价杂环基键合而成的基团”，是指上述的2价芳香族烃基的1个或2个以上与上述的2价杂环基的1个或2个以上任意地键合而成的2价基团。作为2价芳香族烃基和2价杂环基，可举出上述的2价芳香族烃基和2价杂环基。
“2价芳香族烃基与2价杂环基键合而成的基团”任选具有取代基，在作为其一部分结构的2价芳香族烃基上，任选具有选自上述的氟原子、氰基、烷基、芳基、1价杂环基、烷氧基、芳氧基、取代氨基、羧基、酯化的羧基、烯基、炔基和含金属络合物的基团中的1～10个取代基，在作为其另一部分结构的2价杂环基上，任选具有选自上述的氟原子、氰基、烷基、芳基、1价杂环基、烷氧基、芳氧基、取代氨基、羧基、酯化的羧基、烯基、炔基和含金属络合物的基团中的1～5个取代基。
“含金属络合物的基团”是指包含由金属原子(M)和与其配位的配体形成的络合物的基团，例如可举出式(C-1)～式(C-4)的任一者所示的基团等。
[式中，M为Ir或Pt。M为Ir时，m＝2，M为Pt时，m＝1。环A表示任选具有取代基的包含氮原子的环状结构。环B表示任选具有取代基的包含碳原子的环状结构。R表示与上述相同的意思。]
作为环A，例如可举出含氮的芳香族环，具体而言，可举出吡啶、喹啉、异喹啉、嘧啶、吡嗪、咪唑等。作为环B，例如可举出芳香族环和杂芳香族环，具体而言，可举出苯、萘、二苯并呋喃、二苯并噻吩等。
“环A”和“环B”任选具有取代基，作为该取代基，例如可举出氟原子、氰基、烷基、芳基、1价杂环基、烷氧基、芳氧基、取代氨基、羧基、酯化的羧基、烯基、炔基等。“环A”和“环B”任选具有选自这些取代基中的1～4个取代基。
作为R，优选烷基，更优选碳原子数为1～4的烷基，进一步优选甲基。
作为含金属络合物的基团，例如可举出式(C-11)～式(C-14)所示的基团。
“含金属络合物的基团”任选具有取代基，作为该取代基，例如可举出氟原子、氰基、烷基、芳基、1价杂环基、烷氧基、芳氧基、取代氨基等。“含金属络合物的基团”任选具有选自这些取代基中的1～10个取代基。
2.本发明的高分子化合物的制造方法
本发明的高分子化合物的制造方法的特征在于，含有使包含高分子化合物的溶液与包含2种以上有机溶剂的混合溶剂接触从而使高分子化合物沉淀的工序，该包含2种以上有机溶剂的混合溶剂包含相互不同的第1有机溶剂和第2有机溶剂，该第1有机溶剂为选自溶剂A中的1种以上，该第2有机溶剂为选自溶剂A和溶剂B中的1种以上。
[溶剂A]
汉森溶解度参数的极性项P1(MPa0.5)为0≤P1≤10、且汉森溶解度参数的氢键项H1(MPa0.5)为0≤H1≤10的溶剂，
[溶剂B]
汉森溶解度参数的极性项P2(MPa0.5)为10＜P2、和/或汉森溶解度参数的氢键项H2(MPa0.5)为10＜H2的溶剂。
通过本发明的方法，能够得到多分散度充分小的高分子化合物。
2.1汉森溶解度参数
本发明中使用的汉森溶解度参数的极性项和氢键项使用“HANSEN SOLUBILITYPARAMETERS A User’s Handbook Second Edition”的值。对于其中未记载的溶剂，可以根据实用汉森溶解度参数(HSPiP：Hansen Solubility Parameters in Practice)程序(第2版)来确定。本说明书中的汉森溶解度参数的极性项和氢键项的值表示25℃下的值。
2.2沉淀工序
沉淀工序中，使包含高分子化合物的溶液与包含2种以上有机溶剂的混合溶剂接触从而使高分子化合物沉淀。该沉淀工序中使用的2种以上有机溶剂包含相互不同的第1有机溶剂和第2有机溶剂。
第1有机溶剂为选自溶剂A中的1种以上(优选为1种或2种)，该第2有机溶剂为选自下述“溶剂A”和“溶剂B”中的1种以上(优选为1种或2种)。
[溶剂A]
溶剂A是易于溶解高分子化合物的溶剂、即对高分子化合物的良溶剂，是汉森溶解度参数的极性项P1(MPa0.5)为0≤P1≤10、且汉森溶解度参数的氢键项H1(MPa0.5)为0≤H1≤10的溶剂。
溶剂A的P1的范围为0以上，进一步为0.5以上，更进一步为1以上，特别为4以上，另外为10以下，进一步为8以下，更进一步为6以下，特别为5以下。
溶剂A的H1的范围为0以上，进一步为0.5以上，更进一步为1以上，另外为10以下，进一步为9以下，更进一步为8以下，特别为5以下。
溶剂A只要是P1和H1满足上述的数值范围的有机溶剂，则没有特别限定。作为溶剂A的一个方式，例如可举出0≤P1≤5且0≤H1≤4的溶剂(以下记作“溶剂A1”)、5＜P1≤10且4＜H1≤10的溶剂(以下记作“溶剂A2”)等。
溶剂A为满足上述的条件的有机溶剂，例如可以从酮系溶剂、脂肪族烃系溶剂、芳香族烃系溶剂(该芳香族烃任选具有烷基、烷氧基等取代基)、卤代脂肪族烃系溶剂、卤代芳香族烃系溶剂、醚系溶剂等中进行选择。
以下示出溶剂A的具体例。
[表1]
溶剂 P1(MPa0.5) H1(MPa0.5)
甲乙酮 9 5.1
苯乙酮 8.6 3.7
二氯甲烷 7.3 7.1
邻二氯苯 6.3 3.3
甲基异丁基酮 6.1 4.1
四氢呋喃 5.7 8
氯苯 4.3 2
苯甲醚 4.1 6.7
氯仿 3.1 5.7
甲苯 1.4 2
二甲苯 1 3.1
苯 0 2
环己基苯 0 1
庚烷 0 0
二噁烷 1.8 7.4
作为溶剂A的优选的例子，例如可举出甲苯、二甲苯、四氢呋喃、二噁烷、甲乙酮、甲基异丁基酮、庚烷等，作为特别优选的例子，可举出甲苯。
[溶剂B]
溶剂B是难以溶解高分子化合物的溶剂、即对高分子化合物的不良溶剂，是汉森溶解度参数的极性项P2(MPa0.5)为10＜P2、和/或汉森溶解度参数的氢键项H2(MPa0.5)为10＜H2的溶剂。
溶剂B的P2的范围通常大于4，进一步地大于6，更进一步地大于10。上限没有特别限定，例如为40以下，进一步为30以下。
溶剂B的H2的范围通常大于4，进一步地大于6，更进一步地大于10。上限没有特别限定，例如为40以下，进一步为30以下。
溶剂B只要是P2和/或H2满足上述的数值范围的溶剂，则没有特别限定。作为溶剂B的一个方式，例如可举出10＜P2且10＜H2的溶剂(以下记作“溶剂B1”)等。
溶剂B为满足上述的条件的有机溶剂，例如可以从腈系溶剂、酮系溶剂、亚砜系溶剂、酰胺系溶剂、醇系溶剂(特别是碳原子数为1～6的醇)、羧酸系溶剂等中进行选择。
以下示出溶剂B的具体例。
[表2]
溶剂 P2(MPa0.5) H2(MPa0.5)
乙腈 18 6.1
二甲基亚砜 16.4 10.2
N，N-二甲基甲酰胺 13.7 11.3
甲醇 12.3 22.3
N-甲基吡咯烷酮 12.3 7.2
N，N-二甲基乙酰胺 11.5 10.2
乙二醇 11 26
丙酮 10.4 7
乙醇 8.8 19.4
乙酸 8 13.5
1-丙醇 6.8 17.4
2-丙醇 6.1 16.4
1-丁醇 5.7 15.8
叔丁醇 5.1 14.7
环己醇 4.1 13.5
作为溶剂B的更优选的例子，例如可举出甲醇、乙醇、2-丙醇、丙酮、二甲基亚砜、N，N-二甲基甲酰胺，作为特别优选的例子，可举出甲醇。
作为包含2种以上有机溶剂的混合溶剂中的、第1有机溶剂和第2有机溶剂的组合的优选的例子，例如可举出第1有机溶剂为选自溶剂A中的1种以上且第2有机溶剂为选自溶剂B中的1种以上的组合；第1有机溶剂为选自溶剂A中的1种以上且第2有机溶剂为选自溶剂B1中的1种以上的组合；第1有机溶剂为选自溶剂A1中的1种以上且第2有机溶剂为选自溶剂B1中的1种以上的组合等。
或者，作为其它优选的组合，例如可举出第1有机溶剂为选自溶剂A中的1种以上且第2有机溶剂为选自溶剂A2中的1种以上的组合；第1有机溶剂为选自溶剂A2中的1种以上且第2有机溶剂为选自溶剂A2中的1种以上的组合等。
作为第1有机溶剂与第2有机溶剂的更优选的组合，例如可举出甲苯与甲醇、甲苯与丙酮、甲基异丁基酮与甲乙酮、庚烷与2-丙醇、二噁烷与N，N-二甲基甲酰胺、甲乙酮与二甲基亚砜等。
2种以上有机溶剂的混合溶剂优选第1有机溶剂包含有选自对高分子化合物为良溶剂的溶剂A(特别是溶剂A1)中的1种以上，第2有机溶剂包含有选自对高分子化合物为不良溶剂的溶剂B(特别是溶剂B1)中的1种以上。
作为第1有机溶剂与第2有机溶剂的进一步优选的组合，例如可举出甲苯与甲醇、甲苯与丙酮、庚烷与2-丙醇、二噁烷与N,N-二甲基甲酰胺、甲乙酮与二甲基亚砜等的组合，作为特别优选的组合，为甲苯与甲醇。
包含2种以上有机溶剂的混合溶剂中的第1有机溶剂和第2有机溶剂的用量如下所述。
第1有机溶剂的用量从减小高分子化合物的多分散度的观点出发，在该混合溶剂中优选为20质量％以上，更优选为30质量％以上，进一步优选为40质量％以上。另外，从使高分子化合物在沉淀工序中析出的观点出发，在该混合溶剂中优选为90质量％以下，更优选为80质量％以下，进一步优选为70质量％以下。
第2有机溶剂的用量从减小高分子化合物的多分散度的观点出发，在该混合溶剂中优选为80质量％以下，更优选为70质量％以下，进一步优选为60质量％以下。另外，从使高分子化合物在沉淀工序中析出的观点出发，在该混合溶剂中优选为10质量％以上，更优选为20质量％以上，进一步优选为30质量％以上。
作为第1有机溶剂与第2有机溶剂的质量比(第1有机溶剂/第2有机溶剂)，例如为1/4～9/1，优选为3/7～4/1，更优选为2/3～7/3。
沉淀工序包括将包含高分子化合物的溶液添加到包含2种以上有机溶剂的混合溶剂中的方式、将包含2种以上有机溶剂的混合溶剂添加到包含高分子化合物的溶液中的方式的任一者。从沉淀的高分子化合物的性状及其操作性等的观点出发，优选为前者的方式。
包含高分子化合物的溶液可以是使固体的高分子化合物溶解于溶剂而得的溶液，可以是使由单体进行聚合反应而得到的反应后溶液，也可以是由反应后溶液提纯了高分子化合物的提纯后溶液。作为反应后溶液的提纯，可举出分液、色谱、蒸馏等公知的提纯方法。
通过沉淀工序，能够有效地除去高分子化合物中所包含的低分子量成分，因此能够得到多分散度(Mw/Mn)低(即接近于1)的高分子化合物。
另外，沉淀工序中，通过改变第1有机溶剂与第2有机溶剂的质量比(第1有机溶剂/第2有机溶剂)，能够使沉淀的高分子化合物的多分散度变化。例如，实施例2和3中，第1有机溶剂(甲苯)与第2有机溶剂(丙酮)的质量比分别为1/1和1/3，沉淀的高分子化合物(P4)的多分散度分别成为1.9和2.4。另外，实施例17、18和19中，第1有机溶剂(甲乙酮)与第2有机溶剂(二甲基亚砜)的质量比分别为4/1、3/2和1/1，沉淀的高分子化合物(P21～P23)的多分散度分别成为1.6、1.7和2.1。即，沉淀工序中，第1有机溶剂与第2有机溶剂的质量比(第1有机溶剂/第2有机溶剂)越大，则沉淀的高分子化合物的多分散度越小(接近于1)。由此，沉淀工序中，通过调节第1有机溶剂与第2有机溶剂的质量比(第1有机溶剂/第2有机溶剂)，能够得到具有所期望的分子量和多分散度的高分子化合物。
包含高分子化合物的溶液的溶剂只要是可溶解高分子化合物的溶剂、即高分子化合物的良溶剂，则没有特别限定。例如可以举出在第1有机溶剂中举出的溶剂、即选自溶剂A中的1种以上(特别是1种或2种)。作为优选的例子，例如可举出甲苯、二甲苯、四氢呋喃、苯甲醚、二甲氧基苯、环己基苯、它们的混合溶剂等，作为特别优选的例子，可举出甲苯、四氢呋喃、它们的混合溶剂。
包含高分子化合物的溶液中的高分子化合物的浓度没有特别限定，通常可以基于高分子化合物对溶剂的溶解度来设定。该浓度通常为0.05质量％～15质量％，优选0.1质量％～10质量％，更优选0.5质量％～5质量％。
沉淀工序的混合液的温度通常为-100℃～200℃，优选为0℃～150℃，更优选为10℃～100℃，进一步优选为15℃～40℃，特别优选为20℃～30℃。
沉淀工序优选边搅拌混合液边进行。搅拌时间通常为1分钟～100小时，优选为30分钟～10小时。
沉淀工序可以根据需要重复实施多次，例如可以重复实施2～5次左右。由此，能够取得多分散度更小的高分子化合物。
包含2种以上有机溶剂的混合溶剂的用量相对于包含高分子化合物的溶液1质量份，通常为1质量份以上，优选为2质量份以上，更优选为3质量份以上，另外，通常为1000质量份以下，优选为300质量份以下，更优选为100质量份以下。
高分子化合物是将规定的单体聚合而得到的具有2个以上来自该单体的重复单元(以下也记作结构单元)的化合物。该高分子化合物具有分子量分布，聚苯乙烯换算的重均分子量(Mw)为1×103～1×108的范围。分子量的分析遵循实施例的记载。
具体而言，作为高分子化合物，例如可举出包含式(1)所示的结构单元的高分子化合物。
[式中，
Ar1和Ar2各自独立地表示2价芳香族烃基、2价杂环基、或者2价芳香族烃基与2价杂环基键合而成的基团，这些基团任选具有取代基。存在多个Ar2的情况下，它们可以各自相同或不同。
Ar3表示1价芳香族烃基、或1价杂环基，这些基团任选具有取代基。存在多个Ar3的情况下，它们可以各自相同或不同。
a表示0～2的整数。]
式(1)中，作为Ar1和Ar2，优选2价芳香族烃基或2价杂环基，更优选2价芳香族烃基，这些基团任选具有取代基(特别是烷基或芳基，这些基团任选进一步具有取代基)。
作为Ar1和Ar2所示的2价芳香族烃基，优选式(A-1)～式(A-3)、式(A-8)或式(A-9)所示的基团，更优选式(A-1)或式(A-9)所示的基团。
作为Ar1和Ar2所示的2价杂环基，优选式(A-24)或式(A-35)所示的基团。
式(1)中，a优选为0或1。
作为式(1)所示的结构单元的例子，可举出式(1-1)～式(1-20)所示的结构单元，优选式(1-1)～式(1-4)、式(1-9)～式(1-11)、式(1-15)、式(1-16)或式(1-20)所示的结构单元，更优选式(1-1)～式(1-3)、式(1-9)～式(1-11)、式(1-15)或式(1-20)所示的结构单元。但是，式(1)所示的结构单元并不限定于这些例示结构单元。
[式中，R表示与上述相同的意思。存在多个R的情况下，它们可以各自相同或不同。]
包含式(1)所示的结构单元的高分子化合物包括包含选自上述的结构单元中的1种或2种以上结构单元的高分子化合物。
包含式(1)所示的结构单元的高分子化合物例如可以通过将含有氯原子或溴原子的单体进行聚合来得到。作为聚合方法，例如可举出将单体通过Suzuki偶联反应进行聚合的方法、通过Buchwald偶联反应进行聚合的方法、通过Stille偶联反应进行聚合的方法、通过Kumada偶联反应进行聚合的方法、通过Yamamoto偶联反应进行聚合的方法等，但从结构控制的容易性的观点出发，优选通过Suzuki偶联反应进行聚合的方法和通过Buchwald偶联反应进行聚合的方法。
2.3溶剂处理工序
在上述沉淀工序之后，为了使提高沉淀的高分子化合物的操作性等后处理变得容易，可以进一步设置添加溶剂而进行处理的工序。该溶剂处理工序是在沉淀工序结束后(即，使包含高分子化合物的溶液与2种以上有机溶剂的混合溶剂接触从而使高分子化合物沉淀后)添加第3有机溶剂而进行搅拌等处理的工序。
就第3有机溶剂而言，可举出选自下述“溶剂C”中的1种以上(优选为1种或2种)的溶剂。
[溶剂C]
溶剂C优选为难以溶解高分子化合物的溶剂、即对高分子化合物的不良溶剂。具体而言，可举出汉森溶解度参数的极性项P3(MPa0.5)为10＜P3、和/或汉森溶解度参数的氢键项H3(MPa0.5)为10＜H3的溶剂。
溶剂C的P3的范围通常大于4，进一步地大于6，更进一步地大于10。上限没有特别限定，例如为40以下，进一步为30以下。
溶剂C的H3的范围通常大于4，进一步地大于6，更进一步地大于10。上限没有特别限定，例如为40以下，进一步为30以下。
溶剂C只要是P3和/或H3满足上述的数值范围的有机溶剂，则没有特别限定。作为溶剂C的一个方式，例如可举出10＜P3且10＜H3的溶剂等。
溶剂C例如可以从腈系溶剂、酮系溶剂、亚砜系溶剂、酰胺系溶剂、醇系溶剂(特别是碳原子数为1～6的醇)、羧酸系溶剂等中进行选择。
作为溶剂C的更优选的例子，例如可举出甲醇、乙醇、2-丙醇、丙酮、二甲基亚砜、N,N-二甲基甲酰胺，作为特别优选的例子，可举出甲醇。
第3有机溶剂的优选的具体例期望与第2有机溶剂的优选的具体例相同。此外，第3有机溶剂优选与第2有机溶剂相同。
第3有机溶剂相对于沉淀工序中使用的第1有机溶剂1质量份，优选为0.5质量分以上，更优选为1质量份以上，进一步优选为1.5质量份以上。另外，优选为20质量份以下，更优选为10质量份以下。
溶剂处理工序的混合液温度通常为-100℃～200℃，优选为0℃～150℃，更优选为10℃～100℃，进一步优选为15℃～40℃，特别优选为20℃～30℃。
溶剂处理工序优选边搅拌沉淀工序后的混合液边进行。搅拌时间通常为1分钟～100小时，优选为30分钟～10小时。
3.高分子化合物
根据本发明的制造方法，高分子化合物中所包含的低分子量成分有效地被除去，因此能够得到多分散度(Mw/Mn)充分小(即接近于1)的高分子化合物。另外，通过在沉淀工序中改变混合溶剂中的第1有机溶剂与第2有机溶剂的比率，能够调节得到的高分子化合物的多分散度，因此也能够得到具有所期望的多分散度的高分子化合物。因此，通过本制造方法所得到的高分子化合物适宜用作有机EL元件的材料、有机光电转换元件的材料、有机晶体管元件的材料等。
4.本发明的发光元件的制造方法
本发明的发光元件的制造方法为具有阳极、阴极和有机层的发光元件的制造方法，上述发光元件的制造方法包含使用通过上述的高分子化合物的制造方法所制造的高分子化合物来形成上述有机层的工序。
就有机层而言，可举出例如空穴输送层、空穴注入层、发光层、电子输送层、电子注入层。
有机层的形成可以通过例如湿式法、干式法来进行。
实施例
以下，为了进一步详细说明本发明而示出实施例，但本发明不受它们的限定。
＜分子量分析＞
高分子化合物的聚苯乙烯换算的重均分子量(Mw)聚苯乙烯换算的数均分子量(Mn)、多分散度(Mw/Mn)通过凝胶渗透色谱(GPC)求出。
分析条件如下所述。
测定装置：HLC-8320GPC(东曹株式会社制)
色谱柱：PLgel 10μm MIXED-B(东曹株式会社制)
柱温：40℃
流动相：四氢呋喃
流量：0.5mL/分钟
检测波长：228nm
＜实施例1＞
使下述式(A)所示的Mw/Mn＝3.5、Mw＝2.4×105的高分子化合物(P1)溶解于甲苯，制备2.5g的1质量％溶液。将该溶液在22℃下滴加到正在搅拌混合的甲苯5g与甲醇5g的混合溶剂中，进一步搅拌30分钟而使高分子化合物沉淀(以下记作“沉淀处理A”。)。
析出的高分子化合物(P2)的Mw/Mn＝2.9、Mw＝2.5×105。
[式中，n表示重复单元数。]
＜实施例2＞
代替甲苯5g与甲醇5g的混合溶剂，设为甲苯5g与丙酮5g的混合溶剂，除此以外，与实施例1同样地进行沉淀处理A。析出的高分子化合物(P3)的Mw/Mn＝1.9、Mw＝2.6×105。
＜实施例3＞
代替甲苯5g与甲醇5g的混合溶剂，设为甲苯2.5g与丙酮7.5g的混合溶剂，除此以外，与实施例1同样地进行沉淀处理A。析出的高分子化合物(P4)的Mw/Mn＝2.4、Mw＝2.5×105。
＜实施例4＞
使上述式(A)所示的Mw/Mn＝3.5、Mw＝2.4×105的高分子化合物(P1)溶解于四氢呋喃，制备2.5g的1质量％溶液。将该溶液在22℃下滴加到正在搅拌混合的甲苯7.5g与甲醇2.5g的混合溶剂中，进一步搅拌30分钟。析出的高分子化合物(P5)的Mw/Mn＝2.2、Mw＝2.9×105。
＜实施例5＞
使反应容器内成为不活泼气体气氛后，加入化合物(M1)(4.3mmol)、化合物(M2)(4.4mmol)、二氯双[三(2-甲氧基苯基)膦]钯(0.026mmol)、甲苯(41g)和20质量％氢氧化四乙铵水溶液(30g)，在回流温度下搅拌3小时。在聚合后的溶液中加入甲苯从而制备1质量％溶液。其后，分液而除去水层，依次用盐酸水溶液、氨水溶液、水进行清洗。像这样，得到上述式(A)所示的Mw/Mn＝3.7、Mw＝2.5×105的高分子化合物(P6)的甲苯溶液400g。
将该甲苯溶液2.5g在22℃下滴加到正在搅拌混合的甲苯5g与甲醇5g的混合溶剂中，进一步搅拌30分钟。析出的高分子化合物(P7)的Mw/Mn＝2.9、Mw＝2.7×105。
＜实施例6＞
使下述式(B)所示的Mw/Mn＝2.3、Mw＝1.3×105的高分子化合物(P8)溶解于甲苯，制备2.5g的1质量％溶液。将该溶液在22℃下滴加到正在搅拌混合的甲苯8g与甲醇2g的混合溶剂中，进一步搅拌30分钟，使高分子化合物沉淀(以下记作“沉淀处理B”。)。析出的高分子化合物(P9)的Mw/Mn＝1.9、Mw＝1.4×105。
[式中，n表示重复单元数。]
＜实施例7＞
代替甲苯8g与甲醇2g的混合溶剂，设为甲苯6g与甲醇4g的混合溶剂，除此以外，与实施例6同样地进行沉淀处理B。析出的高分子化合物(P10)的Mw/Mn＝2.0、Mw＝1.4×105。
＜实施例8＞
代替甲苯8g与甲醇2g的混合溶剂，设为甲基异丁基酮8g与甲乙酮2g的混合溶剂，除此以外，与实施例6同样地进行沉淀处理B。析出的高分子化合物(P11)的Mw/Mn＝1.5、Mw＝2.1×105。
＜实施例9＞
代替甲苯8g与甲醇2g的混合溶剂，设为甲基异丁基酮6g与甲乙酮4g的混合溶剂，除此以外，与实施例6同样地进行沉淀处理B。析出的高分子化合物(P12)的Mw/Mn＝1.6、Mw＝2.1×105。
＜实施例10＞
代替甲苯8g与甲醇2g的混合溶剂，设为甲基异丁基酮4g与甲乙酮6g的混合溶剂，除此以外，与实施例6同样地进行沉淀处理B。析出的高分子化合物(P13)的Mw/Mn＝1.7、Mw＝2.1×105。
＜实施例11＞
代替甲苯8g与甲醇2g的混合溶剂，设为甲基异丁基酮2g与甲乙酮8g的混合溶剂，除此以外，与实施例6同样地进行沉淀处理B。析出的高分子化合物(P14)的Mw/Mn＝1.7、Mw＝2.0×105。
＜实施例12＞
使下述式(C)所示的Mw/Mn＝2.6、Mw＝1.0×105的高分子化合物(P15)溶解于甲苯，制备2.5g的1质量％溶液。将该溶液在22℃下滴加到正在搅拌混合的庚烷8g与2-丙醇2g的混合溶剂中，进一步搅拌30分钟，使高分子化合物沉淀(以下记作“沉淀处理C”。)。析出的高分子化合物(P16)的Mw/Mn＝1.9、Mw＝1.1×105。
[式中，n表示重复单元数。]
＜实施例13＞
代替庚烷8g与2-丙醇2g的混合溶剂，设为庚烷6g与2-丙醇4g的混合溶剂，除此以外与实施例12同样地进行沉淀处理C。析出的高分子化合物(P17)的Mw/Mn＝2.0、Mw＝1.1×105。
＜实施例14＞
代替庚烷8g与2-丙醇2g的混合溶剂，设为庚烷4g与2-丙醇6g的混合溶剂，除此以外与实施例12同样地进行沉淀处理C。析出的高分子化合物(P18)的Mw/Mn＝2.2、Mw＝1.0×105。
＜实施例15＞
代替庚烷8g与2-丙醇2g的混合溶剂，设为二噁烷4g与N,N-二甲基甲酰胺6g的混合溶剂，除此以外与实施例12同样地进行沉淀处理C。析出的高分子化合物(P19)的Mw/Mn＝1.5、Mw＝1.4×105。
＜实施例16＞
代替庚烷8g与2-丙醇2g的混合溶剂，设为二噁烷2g与N,N-二甲基甲酰胺8g的混合溶剂，除此以外与实施例12同样地进行沉淀处理C。析出的高分子化合物(P20)的Mw/Mn＝1.7、Mw＝1.2×105。
＜实施例17＞
代替庚烷8g与2-丙醇2g的混合溶剂，设为甲乙酮8g与二甲基亚砜2g的混合溶剂，除此以外与实施例12同样地进行沉淀处理C。析出的高分子化合物(P21)的Mw/Mn＝1.6、Mw＝1.4×105。
＜实施例18＞
代替庚烷8g与2-丙醇2g的混合溶剂，设为甲乙酮6g与二甲基亚砜4g的混合溶剂，除此以外与实施例12同样地进行沉淀处理C。析出的高分子化合物(P22)的Mw/Mn＝1.7、Mw＝1.1×105。
＜实施例19＞
代替庚烷8g与2-丙醇2g的混合溶剂，设为甲乙酮4g与二甲基亚砜6g的混合溶剂，除此以外与实施例12同样地进行沉淀处理C。析出的高分子化合物(P23)的Mw/Mn＝2.1、Mw＝1.1×105。
＜实施例20＞
代替庚烷8g与2-丙醇2g的混合溶剂，设为甲苯5g与甲醇5g的混合溶剂，除此以外与实施例12同样地进行沉淀处理C。析出的高分子化合物(P24)的Mw/Mn＝1.9、Mw＝1.0×105。
＜实施例21＞
与实施例20同样地进行沉淀处理C后，在沉淀后的浆料中加入甲醇5g并进一步搅拌30分钟。析出的高分子化合物(P25)的Mw/Mn＝2.0、Mw＝1.0×105。
＜实施例22＞
与实施例20同样地进行沉淀处理后，在沉淀后的浆料中加入甲醇12.5g并进一步搅拌30分钟。析出的高分子化合物(P26)的Mw/Mn＝2.1、Mw＝1.0×105。
＜实施例23＞
代替庚烷8g与2-丙醇2g的混合溶剂，设为甲苯2.5g与甲醇7.5g的混合溶剂，除此以外与实施例12同样地进行沉淀处理C。析出的高分子化合物(P27)的Mw/Mn＝2.2、Mw＝1.0×105。
＜实施例24＞
与实施例23同样地进行沉淀处理C后，在沉淀后的浆料中加入甲醇12.5g并进一步搅拌30分钟。析出的高分子化合物(P28)的Mw/Mn＝2.2、Mw＝1.0×105。
＜比较例1＞
代替庚烷8g与2-丙醇2g的混合溶剂，设为丙酮7.5g与甲醇2.5g的混合溶剂，除此以外与实施例12同样地进行沉淀处理C。析出的高分子化合物(P29)的Mw/Mn＝2.6、Mw＝1.0×105。
＜比较例2＞
代替庚烷8g与2-丙醇2g的混合溶剂，设为丙酮5g与甲醇5g的混合溶剂，除此以外与实施例12同样地进行沉淀处理C。析出的高分子化合物(P30)的Mw/Mn＝2.6、Mw＝1.0×105。
＜比较例3＞
代替庚烷8g与2-丙醇2g的混合溶剂，设为丙酮2.5g与甲醇7.5g的混合溶剂，除此以外与实施例12同样地进行沉淀处理C。析出的高分子化合物(P31)的Mw/Mn＝2.6、Mw＝1.0×105。
＜比较例4＞
代替庚烷8g与2-丙醇2g的混合溶剂，设为乙醇7.5g与甲醇2.5g的混合溶剂，除此以外与实施例12同样地进行沉淀处理C。析出的高分子化合物(P32)的Mw/Mn＝2.6、Mw＝1.0×105。
＜比较例5＞
代替庚烷8g与2-丙醇2g的混合溶剂，设为乙醇5g与甲醇5g的混合溶剂，除此以外与实施例12同样地进行沉淀处理C。析出的高分子化合物(P33)的Mw/Mn＝2.6、Mw＝1.0×105。
＜比较例6＞
代替庚烷8g与2-丙醇2g的混合溶剂，设为乙醇2.5g与甲醇7.5g的混合溶剂，除此以外与实施例12同样地进行沉淀处理C。析出的高分子化合物(P34)的Mw/Mn＝2.6、Mw＝1.0×105。
以下示出上述实施例和比较例中得到的高分子化合物的多分散度的结果。
[表3]
如上述表所示，可知采用本发明的沉淀工序的实施例1～24中，能够减小高分子化合物的多分散度。另一方面，比较例1～6中，高分子化合物的多分散度未变小，未发生变化。
另外可知，本发明的沉淀工序中，通过改变第1有机溶剂与第2有机溶剂的质量比(第1有机溶剂/第2有机溶剂)，能够调节沉淀的高分子化合物的多分散度。
具体而言，实施例2和3中，第1有机溶剂(甲苯)与第2有机溶剂(丙酮)的质量比分别为1/1和1/3，沉淀的高分子化合物(P4)的多分散度分别成为1.9和2.4。另外，在实施例17、18和19中，第1有机溶剂(甲乙酮)与第2有机溶剂(二甲基亚砜)的质量比分别为4/1、3/2和1/1，沉淀的高分子化合物(P21～P23)的多分散度分别成为1.6、1.7和2.1。由此可知，沉淀工序中，第1有机溶剂与第2有机溶剂的质量比(第1有机溶剂/第2有机溶剂)越大，则沉淀的高分子化合物的多分散度越小(越接近于1)。
产业上的可利用性
本发明的方法能够制造多分散度充分小的高分子化合物。因此，通过本方法所制造的高分子化合物适宜用作有机EL元件的材料等。

Claims (11)

1.一种制造方法，其是高分子化合物的制造方法，所述制造方法含有将包含高分子化合物的溶液添加到包含2种以上有机溶剂的混合溶剂从而使高分子化合物沉淀的工序，
该2种以上有机溶剂包含相互不同的第1有机溶剂和第2有机溶剂，
该第1有机溶剂为选自溶剂A中的1种以上，该第2有机溶剂为选自溶剂A和溶剂B中的1种以上，
该第1有机溶剂和该第2有机溶剂的质量比即第1有机溶剂/第2有机溶剂为1/4～9/1，
溶剂A：
汉森溶解度参数的极性项P1为0≤P1≤10、且汉森溶解度参数的氢键项H1为0≤H1≤10的溶剂，所述P1和H1的单位为MPa0.5，
溶剂B：
汉森溶解度参数的极性项P2为10＜P2、和/或汉森溶解度参数的氢键项H2为10＜H2的溶剂，所述P2和H2的单位为MPa0.5，
所述高分子化合物为包含式(1)所示的结构单元的高分子化合物，
式中，
Ar1和Ar2各自独立地表示2价芳香族烃基、2价杂环基、或者2价芳香族烃基与2价杂环基键合而成的基团，这些基团任选具有取代基，存在多个Ar2的情况下，它们可以各自相同或不同，
Ar3表示1价芳香族烃基、或1价杂环基，这些基团任选具有取代基，存在多个Ar3的情况下，它们可以各自相同或不同，
a表示0～2的整数。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述第1有机溶剂为选自溶剂A中的1种以上，所述第2有机溶剂为选自溶剂B中的1种以上。
3.根据权利要求2所述的制造方法，其中，所述第1有机溶剂为选自溶剂A中的1种以上，所述第2有机溶剂为选自溶剂B1中的1种以上，
溶剂B1：
汉森溶解度参数的极性项P2为10＜P2、且汉森溶解度参数的氢键项H2为10＜H2的溶剂，所述P2和H2的单位为MPa0.5。
4.根据权利要求3所述的制造方法，其中，所述第1有机溶剂为选自溶剂A1中的1种以上，所述第2有机溶剂为选自溶剂B1中的1种以上，
溶剂A1：
汉森溶解度参数的极性项P1为0≤P1≤5、且汉森溶解度参数的氢键项H1为0≤H1≤4的溶剂，所述P1和H1的单位为MPa0.5。
5.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述第1有机溶剂为选自溶剂A中的1种以上，所述第2有机溶剂为选自溶剂A中的1种以上。
6.根据权利要求5所述的制造方法，其中，所述第1有机溶剂为选自溶剂A中的1种以上，所述第2有机溶剂为选自溶剂A2中的1种以上，
溶剂A2：
汉森溶解度参数的极性项P1为5＜P1≤10、且汉森溶解度参数的氢键项H1为4＜H1≤10的溶剂，所述P1和H1的单位为MPa0.5。
7.根据权利要求6所述的制造方法，其中，所述第1有机溶剂为选自溶剂A2中的1种以上，所述第2有机溶剂为选自溶剂A2中的1种以上。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的制造方法，其中，在所述沉淀工序后，进一步含有添加第3有机溶剂的溶剂处理工序，该第3有机溶剂为选自溶剂C中的1种以上，
溶剂C：
汉森溶解度参数的极性项P3为10＜P3、和/或汉森溶解度参数的氢键项H3为10＜H3的溶剂，所述P3和H3的单位为MPa0.5。
9.根据权利要求1～7中任一项所述的制造方法，其中，所述第1有机溶剂与所述第2有机溶剂的组合为，甲苯与甲醇、甲苯与丙酮、甲基异丁基酮与甲乙酮、庚烷与2-丙醇、二噁烷与N，N-二甲基甲酰胺、或甲乙酮与二甲基亚砜。
10.一种调节方法，其是调节高分子化合物的多分散度的方法，所述方法含有将包含高分子化合物的溶液添加到包含2种以上有机溶剂的混合溶剂从而使高分子化合物沉淀的沉淀工序，
该2种以上有机溶剂包含相互不同的第1有机溶剂和第2有机溶剂，
该第1有机溶剂为选自溶剂A中的1种以上，该第2有机溶剂为选自溶剂A和溶剂B中的1种以上，
该第1有机溶剂和该第2有机溶剂的质量比即第1有机溶剂/第2有机溶剂为1/4～9/1，
溶剂A：
汉森溶解度参数的极性项P1为0≤P1≤10、且汉森溶解度参数的氢键项H1为0≤H1≤10的溶剂，所述P1和H1的单位为MPa0.5，
溶剂B：
汉森溶解度参数的极性项P2为10＜P2、和/或汉森溶解度参数的氢键项H2为10＜H2的溶剂，所述P2和H2的单位为MPa0.5，
所述高分子化合物为包含式(1)所示的结构单元的高分子化合物，
式中，
Ar1和Ar2各自独立地表示2价芳香族烃基、2价杂环基、或者2价芳香族烃基与2价杂环基键合而成的基团，这些基团任选具有取代基，存在多个Ar2的情况下，它们可以各自相同或不同，
Ar3表示1价芳香族烃基、或1价杂环基，这些基团任选具有取代基，存在多个Ar3的情况下，它们可以各自相同或不同，
a表示0～2的整数。
11.一种发光元件的制造方法，其为具有阳极、阴极和有机层的发光元件的制造方法，含有使用通过权利要求1～9中任一项所述的高分子化合物的制造方法所制造的高分子化合物来形成所述有机层的工序。
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