JP3313012B2 - 感光性樹脂組成物のパターン加工方法 - Google Patents
感光性樹脂組成物のパターン加工方法Info
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は現像残りがなく、高解像
度のパターンを得るための感光性樹脂組成物のパターン
加工方法に関するものである。
度のパターンを得るための感光性樹脂組成物のパターン
加工方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体工業において、ＩＣやＬＳ
Ｉ等の超微細回路の作成、あるいは加工の必要なパッケ
ージ中の絶縁膜や保護膜にフォトレジストや感光性ポリ
イミド等の感光性樹脂が多用されている。感光性樹脂の
特徴は、比較的簡便な装置で高精度の樹脂パターンを得
ることができる点である。特に、ジアゾキノン等を感光
剤に用いたフェノールノボラック樹脂をベースとしたポ
ジ型のフォトレジストは、現像時に膨潤を起こさないた
め解像度に優れたパターンの形成が可能である。また現
像液がアルカリ性水溶液であるため安全面においても優
れるといった数々の特徴を有しているため、上記半導体
の微細回路等の製造に多用されている。一方、半導体の
絶縁膜や保護膜に用いる感光性ポリイミドのような感光
性耐熱性樹脂においても、高解像度や現像液の無公害性
等の特徴を有するポジ型の感光性耐熱性樹脂が、フォト
レジストと同様に開発され（例えば、特開昭６４−６０
６３０号公報、特公平１−４６８６２号公報等）、高集
積化された半導体の絶縁膜や保護膜用樹脂として注目さ
れている。
Ｉ等の超微細回路の作成、あるいは加工の必要なパッケ
ージ中の絶縁膜や保護膜にフォトレジストや感光性ポリ
イミド等の感光性樹脂が多用されている。感光性樹脂の
特徴は、比較的簡便な装置で高精度の樹脂パターンを得
ることができる点である。特に、ジアゾキノン等を感光
剤に用いたフェノールノボラック樹脂をベースとしたポ
ジ型のフォトレジストは、現像時に膨潤を起こさないた
め解像度に優れたパターンの形成が可能である。また現
像液がアルカリ性水溶液であるため安全面においても優
れるといった数々の特徴を有しているため、上記半導体
の微細回路等の製造に多用されている。一方、半導体の
絶縁膜や保護膜に用いる感光性ポリイミドのような感光
性耐熱性樹脂においても、高解像度や現像液の無公害性
等の特徴を有するポジ型の感光性耐熱性樹脂が、フォト
レジストと同様に開発され（例えば、特開昭６４−６０
６３０号公報、特公平１−４６８６２号公報等）、高集
積化された半導体の絶縁膜や保護膜用樹脂として注目さ
れている。
【０００３】大部分のポジ型感光性樹脂組成物は、アル
カリ可溶性ポリマーに上述のようなジアゾキノン化合物
を感光剤として組み合わせることよりなる。未露光部に
おいては、これらジアゾキノン化合物はアルカリ性水溶
液に不溶であるが、露光によって化学変化を起こしアル
カリ性水溶液に可溶となる。従って、この露光／未露光
での溶解度差を利用し、露光部をアルカリ性水溶液で除
去することにより、未露光部のみの塗膜パターンの作成
が可能となる。現像液として用いるアリカリ性水溶液と
しては、一般的にはテトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド（以下、ＴＭＡＨという）の水溶液である。通常の
フェノールノボラック樹脂をベースとしたフォトレジス
トを現像する場合、このＴＭＡＨの水溶液で良好に現像
できるが、例えば、特公平１−４６８６２号公報に示さ
れているようなポリベンゾオキサゾール前駆体をベース
にした感光性樹脂組成物の場合、本来完全に溶解し除去
されるはずの露光部に現像残り（スカム）が発生し、解
像度が悪くなるという欠点があった。
カリ可溶性ポリマーに上述のようなジアゾキノン化合物
を感光剤として組み合わせることよりなる。未露光部に
おいては、これらジアゾキノン化合物はアルカリ性水溶
液に不溶であるが、露光によって化学変化を起こしアル
カリ性水溶液に可溶となる。従って、この露光／未露光
での溶解度差を利用し、露光部をアルカリ性水溶液で除
去することにより、未露光部のみの塗膜パターンの作成
が可能となる。現像液として用いるアリカリ性水溶液と
しては、一般的にはテトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド（以下、ＴＭＡＨという）の水溶液である。通常の
フェノールノボラック樹脂をベースとしたフォトレジス
トを現像する場合、このＴＭＡＨの水溶液で良好に現像
できるが、例えば、特公平１−４６８６２号公報に示さ
れているようなポリベンゾオキサゾール前駆体をベース
にした感光性樹脂組成物の場合、本来完全に溶解し除去
されるはずの露光部に現像残り（スカム）が発生し、解
像度が悪くなるという欠点があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、パターン加
工工程におけるスカムをなくし、高解像度が得られる感
光性樹脂組成物のパターン加工方法を提供するものであ
る。
工工程におけるスカムをなくし、高解像度が得られる感
光性樹脂組成物のパターン加工方法を提供するものであ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、下記式（１）
で示されるポリアミド、
で示されるポリアミド、
【０００６】
【化２】
【０００７】ジアゾキノン化合物からなるポジ型感光性
樹脂組成物を基板等に塗布し、プリベークを行い、光照
射を行った後、アルキルベンゼンスルホン酸を含むアル
カリ性水溶液で露光部を溶解除去して、パターンを得る
ことを特徴とする感光性樹脂組成物のパターン加工方法
である。
樹脂組成物を基板等に塗布し、プリベークを行い、光照
射を行った後、アルキルベンゼンスルホン酸を含むアル
カリ性水溶液で露光部を溶解除去して、パターンを得る
ことを特徴とする感光性樹脂組成物のパターン加工方法
である。
【０００８】
【作用】式（１）のポリアミドは、Ｘの構造を有するビ
スアミノフェノールとＹの構造を有するジカルボン酸か
らなり、このポリアミドを約３００〜４００℃で加熱す
ると閉環し、ポリベンゾオキサゾールという耐熱性樹脂
へと変化する。一般的にポジ型感光性樹脂組成物は、ア
ルカリ水溶液で現像を行う。例えばフォトレジストは、
そのベースのフェノールノボラック樹脂にフェノール性
の水酸基を有しているため現像が可能となる。同様に式
（１）で表わされるポリアミドをベースとしたポジ型感
光性樹脂もＸの構造を有するビスアミノフェノールにお
けるフェノール性の水酸基によって現像が可能となる
が、フェノールノボラック樹脂をベースにしたフォトレ
ジストより、その現像性は劣り露光部にスカムが発生し
解像度が悪くなる。これは、ベンゼン環１個に対し、水
酸基が１個含まれるフェノールノボラック樹脂に対し
て、式（１）に示されるポリアミドにおいて、水酸基が
アミン成分にしかないためと考えられる。Ｘの構造を有
するビスアミノフェノールの一部を密着性改良のため、
式（１）のＺの構造を有するシリコーンジアミンに置き
換えたポリアミド等は樹脂の溶解性が、更に低くなるた
め、より多くのスカムが発生し、解像度が非常に悪くな
る。しかし、本発明のアルキルベンゼンスルホン酸を含
むアルカリ水溶液で加工するとこのスカムは全く発生し
ない。原因については明らかでないが、アルキルベンゼ
ンスルホン酸によって樹脂と現像液との親和性が向上す
るためと考えられる。
スアミノフェノールとＹの構造を有するジカルボン酸か
らなり、このポリアミドを約３００〜４００℃で加熱す
ると閉環し、ポリベンゾオキサゾールという耐熱性樹脂
へと変化する。一般的にポジ型感光性樹脂組成物は、ア
ルカリ水溶液で現像を行う。例えばフォトレジストは、
そのベースのフェノールノボラック樹脂にフェノール性
の水酸基を有しているため現像が可能となる。同様に式
（１）で表わされるポリアミドをベースとしたポジ型感
光性樹脂もＸの構造を有するビスアミノフェノールにお
けるフェノール性の水酸基によって現像が可能となる
が、フェノールノボラック樹脂をベースにしたフォトレ
ジストより、その現像性は劣り露光部にスカムが発生し
解像度が悪くなる。これは、ベンゼン環１個に対し、水
酸基が１個含まれるフェノールノボラック樹脂に対し
て、式（１）に示されるポリアミドにおいて、水酸基が
アミン成分にしかないためと考えられる。Ｘの構造を有
するビスアミノフェノールの一部を密着性改良のため、
式（１）のＺの構造を有するシリコーンジアミンに置き
換えたポリアミド等は樹脂の溶解性が、更に低くなるた
め、より多くのスカムが発生し、解像度が非常に悪くな
る。しかし、本発明のアルキルベンゼンスルホン酸を含
むアルカリ水溶液で加工するとこのスカムは全く発生し
ない。原因については明らかでないが、アルキルベンゼ
ンスルホン酸によって樹脂と現像液との親和性が向上す
るためと考えられる。
【０００９】本発明のポリアミド（１）のＸは、例え
ば、
ば、
【００１０】
【化３】
【００１１】等であるが、これらに限定されるものでは
ない。また、式（１）のＹは、例えば
ない。また、式（１）のＹは、例えば
【００１２】
【化４】
【００１３】等であるが、これらに限定されるものでは
ない。更に、式（１）のＺは、例えば
ない。更に、式（１）のＺは、例えば
【００１４】
【化５】
【００１５】等であるが、これらに限定されるものでは
ない。式（１）のＺは、例えばシリコンウェハーのよう
な基板に対して、密着性が必要な時に用いるが、その使
用割合ｂについては最大４０．０モル％まで使用するこ
とができる。４０．０モル％を越えると樹脂の溶解性が
極めて低下し、本発明であるパターン加工方法を用いて
もスカムが発生し、パターン加工ができない。なお、こ
れらＸ、Ｙ、Ｚの使用にあたっては、それぞれ１種類で
あっても２種類以上の混合物であってもかまわない。本
発明では、アルキルベンゼンスルホン酸を用いる。具体
的な例としては、ドデシルベンゼンスルホン酸、ドデシ
ルベンゼンスルホン酸ナトリウム等が挙げられるが、こ
れらに限定されるものではない。本発明の現像液である
アルカリ性水溶液中のアルキルベンゼンスルホン酸の含
有量は、全アルカリ性水溶液中に０．１〜１０重量％で
あることが好ましい。０．１重量％未満だとスカムが発
生し易くなり、逆に１０重量％を越えると未露光部の膜
減りが大きくなり、良好なパターンが得られない。
ない。式（１）のＺは、例えばシリコンウェハーのよう
な基板に対して、密着性が必要な時に用いるが、その使
用割合ｂについては最大４０．０モル％まで使用するこ
とができる。４０．０モル％を越えると樹脂の溶解性が
極めて低下し、本発明であるパターン加工方法を用いて
もスカムが発生し、パターン加工ができない。なお、こ
れらＸ、Ｙ、Ｚの使用にあたっては、それぞれ１種類で
あっても２種類以上の混合物であってもかまわない。本
発明では、アルキルベンゼンスルホン酸を用いる。具体
的な例としては、ドデシルベンゼンスルホン酸、ドデシ
ルベンゼンスルホン酸ナトリウム等が挙げられるが、こ
れらに限定されるものではない。本発明の現像液である
アルカリ性水溶液中のアルキルベンゼンスルホン酸の含
有量は、全アルカリ性水溶液中に０．１〜１０重量％で
あることが好ましい。０．１重量％未満だとスカムが発
生し易くなり、逆に１０重量％を越えると未露光部の膜
減りが大きくなり、良好なパターンが得られない。
【００１６】本発明のアルカリ性水溶液は、アルカリ可
溶性ポリマーを溶解除去するものであり、アルカリ化合
物を溶解した水溶液であることが必須である。アルカリ
化合物としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリ
ウム、炭酸ナトリウム、珪酸ナトリウム、メタ珪酸ナト
リウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミ
ン、ｎ−プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルア
ミン、ジ−ｎ−プロピルアミン等の第二アミン類、トリ
エチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三アミン
類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン
等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒ
ドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等
の第四級アンモニウム塩等が挙げるられる。
溶性ポリマーを溶解除去するものであり、アルカリ化合
物を溶解した水溶液であることが必須である。アルカリ
化合物としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリ
ウム、炭酸ナトリウム、珪酸ナトリウム、メタ珪酸ナト
リウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミ
ン、ｎ−プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルア
ミン、ジ−ｎ−プロピルアミン等の第二アミン類、トリ
エチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三アミン
類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン
等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒ
ドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等
の第四級アンモニウム塩等が挙げるられる。
【００１７】本発明に用いる感光性樹脂組成物は、ポリ
アミド及びキノンジアジド化合物の他溶剤を主成分とす
るが、必要に応じてポリアミド酸を添加してもよい。ポ
リアミド酸は、カルボキシル基を有しているため、溶解
性が増し現像時間の短縮化が可能となる。
アミド及びキノンジアジド化合物の他溶剤を主成分とす
るが、必要に応じてポリアミド酸を添加してもよい。ポ
リアミド酸は、カルボキシル基を有しているため、溶解
性が増し現像時間の短縮化が可能となる。
【００１８】本発明で用いるジアゾキノンは、１，２−
ベンゾキノンジアジドあるいは１，２−ナフトキノンジ
アジド構造を有する化合物であり、米国特許明細書第
２，７７２，９７２号、第２，７９７，２１３号、第
３，６６９，６５８号により公知の物質である。例え
ば、
ベンゾキノンジアジドあるいは１，２−ナフトキノンジ
アジド構造を有する化合物であり、米国特許明細書第
２，７７２，９７２号、第２，７９７，２１３号、第
３，６６９，６５８号により公知の物質である。例え
ば、
【００１９】
【化６】
【００２０】
【化７】
【００２１】等を挙げることができる。パターン作製方
法は、まず該組成物を適当な支持体、例えばシリコンウ
エハーやセラミック、アルミ基板等に塗布する。塗布方
法は、スピンナーを用いた回転塗布、スプレーコーター
を用いた噴霧塗布、浸漬、印刷、ロールコーティング等
で行う。次に６０〜１８０℃程度の温度で塗膜を乾燥す
る。乾燥法としてはオーブン、赤外炉、熱盤等があるが
効率面及び温度制御のし易すさから熱盤が好ましい。こ
の熱盤で乾燥する場合、８０〜１３０℃で乾燥すること
が好ましい。８０℃未満では、乾燥が不充分で好ましく
ない。又、１３０℃を越えると、乾燥が過度になるため
好ましくない。より好ましいのは、１００〜１２０℃で
２〜４分である。次に所望のパターン形状に化学線を用
いて光照射する。化学線としては、Ｘ線、電子線、紫外
線、可視光線等を使用できるが、特に２００〜５００ｎ
ｍの波長のものが好ましい。より高解像度のパターンを
得るためには、３６５ｎｍの波長を利用したｉ線ステッ
パー又は４３６ｎｍの波長を利用したｇ線ステッパーを
用いることがより好ましい。
法は、まず該組成物を適当な支持体、例えばシリコンウ
エハーやセラミック、アルミ基板等に塗布する。塗布方
法は、スピンナーを用いた回転塗布、スプレーコーター
を用いた噴霧塗布、浸漬、印刷、ロールコーティング等
で行う。次に６０〜１８０℃程度の温度で塗膜を乾燥す
る。乾燥法としてはオーブン、赤外炉、熱盤等があるが
効率面及び温度制御のし易すさから熱盤が好ましい。こ
の熱盤で乾燥する場合、８０〜１３０℃で乾燥すること
が好ましい。８０℃未満では、乾燥が不充分で好ましく
ない。又、１３０℃を越えると、乾燥が過度になるため
好ましくない。より好ましいのは、１００〜１２０℃で
２〜４分である。次に所望のパターン形状に化学線を用
いて光照射する。化学線としては、Ｘ線、電子線、紫外
線、可視光線等を使用できるが、特に２００〜５００ｎ
ｍの波長のものが好ましい。より高解像度のパターンを
得るためには、３６５ｎｍの波長を利用したｉ線ステッ
パー又は４３６ｎｍの波長を利用したｇ線ステッパーを
用いることがより好ましい。
【００２２】以下、実施例により本発明を具体的に説明
する。 実施例１ ポリアミドの合成 ヘキサフルオロ−２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒド
ロキシフェニル）プロパン３３．６重量部（０．１００
モル）をＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド１５０重量部及
びピリジン３３．２（０．４２０モル）重量部に溶解し
た。次にシクロヘキサノン１００重量部に溶解したテレ
フタル酸クロリド２１．３重量部（０．１０５モル）を
−１０〜−１５℃で３０分かけて滴下し、その後室温で
４時間撹拌し反応を終了した。反応混合物を濾過した
後、溶液を水中に投入し目的のポリマー（Ａ）を沈殿さ
せた。沈殿物を濾集し水で充分洗浄した後、真空下８０
℃で１昼夜乾燥させた。
する。 実施例１ ポリアミドの合成 ヘキサフルオロ−２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒド
ロキシフェニル）プロパン３３．６重量部（０．１００
モル）をＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド１５０重量部及
びピリジン３３．２（０．４２０モル）重量部に溶解し
た。次にシクロヘキサノン１００重量部に溶解したテレ
フタル酸クロリド２１．３重量部（０．１０５モル）を
−１０〜−１５℃で３０分かけて滴下し、その後室温で
４時間撹拌し反応を終了した。反応混合物を濾過した
後、溶液を水中に投入し目的のポリマー（Ａ）を沈殿さ
せた。沈殿物を濾集し水で充分洗浄した後、真空下８０
℃で１昼夜乾燥させた。
【００２３】
【化８】
【００２４】感光性樹脂組成物の作製 合成したポリアミド（Ａ）１００重量部、下記構造を有
するジアゾキノン（Ｄ）２５重量部をＮ−メチル−２−
ピロリドン（以下、ＮＭＰという）２００重量部に溶解
した後、０．２μｍのテフロンフィルターで濾過し感光
性樹脂組成物を得た。
するジアゾキノン（Ｄ）２５重量部をＮ−メチル−２−
ピロリドン（以下、ＮＭＰという）２００重量部に溶解
した後、０．２μｍのテフロンフィルターで濾過し感光
性樹脂組成物を得た。
【００２５】
【化９】
【００２６】感光性評価 この感光性樹脂組成物をシリコンウェハー上にスピンコ
ートし、ホットプレート上において、１２０℃で３分加
熱し溶剤を蒸発させて、膜厚５μｍの塗膜を形成した。
この塗膜上に凸版印刷(株)・製マスク（テストチャート
Ｎｏ１；幅５０〜０．８８μｍの残しパターン及び抜き
パターンが描かれている。）を通して高圧水銀灯からの
紫外線を２００ｍＪ／cm2照射した。得られた塗膜をテ
トラメチルアンモニウムヒドロキシド１．２０重量部、
純水９８．３０重量部、ドデシルベンゼンスルホン酸、
０．５０重量部からなる現像液を用いて３０秒間パドル
法により現像し、露光部の塗膜を溶解除去した後に水で
１０秒間現像液を洗い流した。その結果、２．５μｍま
で解像したスカムのないパターンが得られた。現像時の
膜減り率（現像による厚み減少÷現像前の厚み×１００
（％）；この値の小さい方が好ましい）は、１０％で良
好であった。
ートし、ホットプレート上において、１２０℃で３分加
熱し溶剤を蒸発させて、膜厚５μｍの塗膜を形成した。
この塗膜上に凸版印刷(株)・製マスク（テストチャート
Ｎｏ１；幅５０〜０．８８μｍの残しパターン及び抜き
パターンが描かれている。）を通して高圧水銀灯からの
紫外線を２００ｍＪ／cm2照射した。得られた塗膜をテ
トラメチルアンモニウムヒドロキシド１．２０重量部、
純水９８．３０重量部、ドデシルベンゼンスルホン酸、
０．５０重量部からなる現像液を用いて３０秒間パドル
法により現像し、露光部の塗膜を溶解除去した後に水で
１０秒間現像液を洗い流した。その結果、２．５μｍま
で解像したスカムのないパターンが得られた。現像時の
膜減り率（現像による厚み減少÷現像前の厚み×１００
（％）；この値の小さい方が好ましい）は、１０％で良
好であった。
【００２７】実施例２ ポリアミドの合成 ヘキサフルオロ−２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒド
ロキシフェニル）プロパン３３．０重量部（０．０９０
モル）と１，３−ビス（３−アミノプロピル）−１，
１，３，３−テトラメチルジシロキサン２．５重量部
（０．０１０モル）とＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド１
５０重量部に溶解した。次にシクロヘキサノン１００重
量部に溶解したテレフタル酸クロリド２１．３重量部
（０．１０５モル）を−１０〜−１５℃で３０分かけて
滴下し、その後室温で４時間撹拌し反応を終了した。反
応混合物を濾過した後、溶液を水中に投入し目的のポリ
マー（Ｂ）を沈殿させた。沈殿物を濾集し水で充分洗浄
した後、真空下８０℃で１昼夜乾燥させた。
ロキシフェニル）プロパン３３．０重量部（０．０９０
モル）と１，３−ビス（３−アミノプロピル）−１，
１，３，３−テトラメチルジシロキサン２．５重量部
（０．０１０モル）とＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド１
５０重量部に溶解した。次にシクロヘキサノン１００重
量部に溶解したテレフタル酸クロリド２１．３重量部
（０．１０５モル）を−１０〜−１５℃で３０分かけて
滴下し、その後室温で４時間撹拌し反応を終了した。反
応混合物を濾過した後、溶液を水中に投入し目的のポリ
マー（Ｂ）を沈殿させた。沈殿物を濾集し水で充分洗浄
した後、真空下８０℃で１昼夜乾燥させた。
【００２８】
【化１０】
【００２９】感光性樹脂組成物の作製 合成したポリアミド（Ｂ）１００重量部、下記構造を有
するジアゾキノン（Ｄ）２５重量部をＮＭＰ２００重量
部に溶解した後、０．２μｍのテフロンフィルターで濾
過し感光性樹脂組成物を得た。 感光性評価 実施例１と同様の条件で、スピンコート、プリベーク露
光まで行った後、テトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド１．２０重量部、純水９３．８０重量部、ドデシルベ
ンゼンスルホン酸５．００重量部よりなる現像液を用い
て６０秒間パドル法により現像し、露光部の塗膜を溶解
除去した後に水によって１０秒間現像液を洗い流した。
その結果、５μｍまで解像したスカムのないパターンが
得られた。この時の膜減り率は８％で良好であった。 実施例３ ポリアミド酸の合成 １，３−ビス（γ−アミノプロピル）−１，１，３，３
−テトラメチルジシロキサン４３．６重量部（０．１７
５モル）とベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物５
７．５重量部（０．１７８モル）をＮＭＰ４００重量部
に溶解し、室温で７時間撹拌した。反応溶液を水に投入
し沈殿を得、８０℃で真空乾燥し下記構造のポリアミド
酸（Ｃ）を得た。
するジアゾキノン（Ｄ）２５重量部をＮＭＰ２００重量
部に溶解した後、０．２μｍのテフロンフィルターで濾
過し感光性樹脂組成物を得た。 感光性評価 実施例１と同様の条件で、スピンコート、プリベーク露
光まで行った後、テトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド１．２０重量部、純水９３．８０重量部、ドデシルベ
ンゼンスルホン酸５．００重量部よりなる現像液を用い
て６０秒間パドル法により現像し、露光部の塗膜を溶解
除去した後に水によって１０秒間現像液を洗い流した。
その結果、５μｍまで解像したスカムのないパターンが
得られた。この時の膜減り率は８％で良好であった。 実施例３ ポリアミド酸の合成 １，３−ビス（γ−アミノプロピル）−１，１，３，３
−テトラメチルジシロキサン４３．６重量部（０．１７
５モル）とベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物５
７．５重量部（０．１７８モル）をＮＭＰ４００重量部
に溶解し、室温で７時間撹拌した。反応溶液を水に投入
し沈殿を得、８０℃で真空乾燥し下記構造のポリアミド
酸（Ｃ）を得た。
【００３０】
【化１１】
【００３１】感光性樹脂組成物の作製 実施例１において得られたポリアミド（Ａ）８０重量部
とポリアミド酸（Ｃ）２０重量部にキノンジアジド
（Ｄ）３０重量部を加え、溶解した後０．２μｍのテフ
ロンフィルターで濾過し、感光性樹脂組成物を得た。 感光性評価 実施例１と同様の条件で、スピンコート、プリベーク、
露光まで行った後、テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド１．２０重量部、純水９８．５０重量部、ドデシル
ベンゼンスルホン酸０．３０重量部よりなる現像液を用
いて２０秒間パドル法により現像し、露光部の塗膜を溶
解除去した後に水によって１０秒間現像液を洗い流し
た。その結果、２μｍまで解像したスカムのないパター
ンが得られた。この時の膜減り率は１３％で良好であっ
た。 実施例４ 実施例１のキノンジアジド（Ｄ）の替わりに、下記構造
のキノンジアジド（Ｅ）を用いて、実施例１と同様の評
価を行ったところ、３μｍまで解像したスカムのないパ
ターンが得られた。この時の膜減り率は９％で良好であ
った。
とポリアミド酸（Ｃ）２０重量部にキノンジアジド
（Ｄ）３０重量部を加え、溶解した後０．２μｍのテフ
ロンフィルターで濾過し、感光性樹脂組成物を得た。 感光性評価 実施例１と同様の条件で、スピンコート、プリベーク、
露光まで行った後、テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド１．２０重量部、純水９８．５０重量部、ドデシル
ベンゼンスルホン酸０．３０重量部よりなる現像液を用
いて２０秒間パドル法により現像し、露光部の塗膜を溶
解除去した後に水によって１０秒間現像液を洗い流し
た。その結果、２μｍまで解像したスカムのないパター
ンが得られた。この時の膜減り率は１３％で良好であっ
た。 実施例４ 実施例１のキノンジアジド（Ｄ）の替わりに、下記構造
のキノンジアジド（Ｅ）を用いて、実施例１と同様の評
価を行ったところ、３μｍまで解像したスカムのないパ
ターンが得られた。この時の膜減り率は９％で良好であ
った。
【００３２】
【化１２】
【００３３】比較例１ 実施例１においての現像液をテトラメチルアンモニウム
ヒドロキシド１．２０重量部、純水９８．８０重量部の
みよりなるドデシルベンゼンスルホン酸を含まないもの
に変更して同様の評価を行った。 比較例２ 実施例２において現像液をテトラメチルアンモニウムヒ
ドロキシド２．００重量部、９８．００重量部のみより
なるドデシルベンゼンスルホン酸を含まないものに変更
して同様の評価を行った。 比較例３ 実施例１においての現像液をテトラメチルアンモニウム
ヒドロキシド１．２０重量部、純水８６．８０重量部、
ドデシルベンゼンスルホン酸１２．００重量部よりなる
現像液に変更して同様の評価を行った。 比較例４ 実施例１において現像液をテトラメチルアンモニウムヒ
ドロキシド１．２０重量部、純水９８．７５重量部、ド
デシルベンゼンスルホン酸０．０５重量部よりなる現像
液に変更して同様の評価を行った。実施例、比較例の結
果を表１に示す。
ヒドロキシド１．２０重量部、純水９８．８０重量部の
みよりなるドデシルベンゼンスルホン酸を含まないもの
に変更して同様の評価を行った。 比較例２ 実施例２において現像液をテトラメチルアンモニウムヒ
ドロキシド２．００重量部、９８．００重量部のみより
なるドデシルベンゼンスルホン酸を含まないものに変更
して同様の評価を行った。 比較例３ 実施例１においての現像液をテトラメチルアンモニウム
ヒドロキシド１．２０重量部、純水８６．８０重量部、
ドデシルベンゼンスルホン酸１２．００重量部よりなる
現像液に変更して同様の評価を行った。 比較例４ 実施例１において現像液をテトラメチルアンモニウムヒ
ドロキシド１．２０重量部、純水９８．７５重量部、ド
デシルベンゼンスルホン酸０．０５重量部よりなる現像
液に変更して同様の評価を行った。実施例、比較例の結
果を表１に示す。
【００３４】
【表１】
【００３５】
【発明の効果】本発明は、アルキルベンゼンスルホン酸
を含むアルカリ水溶液で現像すると、現像残り（スカ
ム）が発生しない。従って、ポリアミドとキノンジアジ
ド化合物からなる感光性樹脂組成物は、非常に高解像度
のパターン加工が可能となる。
を含むアルカリ水溶液で現像すると、現像残り（スカ
ム）が発生しない。従って、ポリアミドとキノンジアジ
ド化合物からなる感光性樹脂組成物は、非常に高解像度
のパターン加工が可能となる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G03F 7/32 G03F 7/022 G03F 7/037 G03F 7/075 1 H01L 21/027
Claims (2)
- 【請求項１】 下記式（１）で示されるポリアミド、 【化１】 ジアゾキノン化合物からなるポジ型感光性樹脂組成物を
基板等に塗布し、プリベークを行い、光照射を行った
後、アルキルベンゼンスルホン酸を含むアルカリ性水溶
液で露光部を溶解除去して、パターンを得ることを特徴
とする感光性樹脂組成物のパターン加工方法。 - 【請求項２】 全アルカリ性水溶液中のアルキルベンゼ
ンスルホン酸の含有量が、０．１〜１０重量％である請
求項１記載の感光性樹脂組成物のパターン加工方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17247895A JP3313012B2 (ja) | 1995-06-30 | 1995-07-07 | 感光性樹脂組成物のパターン加工方法 |
| TW085115887A TW338770B (en) | 1995-06-30 | 1996-12-23 | Method for the pattern-processing of photosensitive resin compositions |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16649495 | 1995-06-30 | ||
| JP7-166494 | 1995-06-30 | ||
| JP17247895A JP3313012B2 (ja) | 1995-06-30 | 1995-07-07 | 感光性樹脂組成物のパターン加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0973176A JPH0973176A (ja) | 1997-03-18 |
| JP3313012B2 true JP3313012B2 (ja) | 2002-08-12 |
Family
ID=26490849
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17247895A Expired - Fee Related JP3313012B2 (ja) | 1995-06-30 | 1995-07-07 | 感光性樹脂組成物のパターン加工方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3313012B2 (ja) |
| TW (1) | TW338770B (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3973730B2 (ja) * | 1997-05-06 | 2007-09-12 | 富士ゼロックス株式会社 | 帯電付与部材とその製造方法、それを用いた静電潜像現像剤、画像形成装置及び画像形成方法 |
| JP4840014B2 (ja) * | 2006-07-31 | 2011-12-21 | 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法および電子部品 |
-
1995
- 1995-07-07 JP JP17247895A patent/JP3313012B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-12-23 TW TW085115887A patent/TW338770B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW338770B (en) | 1998-08-21 |
| JPH0973176A (ja) | 1997-03-18 |
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