KR20070108715A - 포토레지스트 조성물 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 액정표시장치 회로, 반도체 집적회로 등의 미세회로 제조에 사용되는 포토레지스트(photoresist) 조성물에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 a) 하기 화학식 1로 표시되는 노볼락 수지, b) 디아지드계 감광성 화합물, 및 c) 유기용매를 포함하는 포토레지스트 조성물에 관한 것이다:
[화학식 1]
Figure 112006032120930-PAT00001
상기 화학식 1에서,
R은 수소, -OH기 또는 -CH3기이며, n은 3 내지 20의 정수이다.
본 발명에 따른 포토레지스트 조성물은 메타-크레졸(m-cresol), 파라-크레졸(p-cresol), 레조시놀(resorcinol) 및 살리실릭 알데히드(salicylic aldehyde)를 축합중합하여 제조한 노볼락 수지를 사용함에 따라 포토레지스트의 내열성 및 패턴 균일도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
포토레지스트, 레조시놀, 살리실릭 알데히드, 내열성, 패턴 균일도

Description

포토레지스트 조성물{PHOTORESIST COMPOSITION}
[산업상 이용분야]
본 발명은 액정표시장치 회로, 반도체 집적회로 등의 미세회로 제조에 사용되는 포토레지스트(photoresist) 조성물에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 포토레지스트의 내열성 및 해상도를 향상시킬 수 있는 노볼락 수지를 도입함으로써 패턴의 균일도 및 접착성이 우수한 포토레지스트 조성물에 관한 것이다.
[종래 기술]
액정표시장치 회로 또는 반도체 집적회로와 같은 미세한 회로 패턴을 형성하기 위해서는 먼저 기판 상의 절연막 또는 도전성 금속막에 포토레지스트 조성물을 균일하게 코팅 또는 도포한다. 이어서, 소정 형상의 마스크 존재 하에서 코팅된 포토레지스트 조성물을 노광하고 현상하여 목적하는 형상의 패턴을 만든다. 이후 마스크를 사용하여 금속막 또는 절연막을 에칭하고, 잔존하는 포토레지스트 막을 제거하여 기판 상에 미세회로를 형성시킨다. 상기 코팅 또는 도포과정은 회전 도포방식 또는 슬릿 도포방식이 이용된다.
일반적으로 포토레지스트 조성물은 고분자 수지, 감광성 화합물, 및 용매를 포함하며, 지금까지 포토레지스트 조성물을 이용하여 형성된 포토레지스트 막의 도포 균일도, 감광속도, 현상 콘트라스트, 해상도, 기판과의 접착력, 잔막율, 회로선폭 균일도(CD uniformity) 및 인체 안정성 등을 개선하고자 많은 시도가 행해졌다.
예를 들면, 미국특허 제3,666,473호에는 두 종류의 페놀포름알데히드 노볼락 수지의 혼합물과 전형적인 감광성 화합물의 사용이 개시되어 있고, 미국특허 제4,115,128호에는 감광속도를 증가시키기 위해 페놀성 수지와 나프토퀴논 디아지드 감광제에 유기산 사이클릭 무수물을 첨가한 구성이 개시되어 있으며, 미국특허 제4,550,069호에는 감광속도를 증가시키고 인체 안전성을 향상시키기 위하여 노볼락 수지, 오르토-퀴논디아지드 감광성 화합물, 및 용매로서 프로필렌글리콜알킬에테르아세테이트의 사용한 포토레지스트 조성물 구성이 개시되어 있다.
그러나, 아직까지 감광속도, 잔막율, 반노광부의 잔막 균일도(Remain Film Thickness uniformity), 현상 콘트라스트, 해상도, 고분자 수지의 용해성, 기판과의 접착력, 및 회로선폭 균일도 등과 같은 포토레지스트 조성물의 바람직한 특성 중 어느 하나의 특성을 희생시키지 않으면서도, 각각의 산업공정에 적합한 다양한 포토레지스트 조성물에 대한 요구는 계속되고 있다.
상기와 같은 종래 기술의 문제점을 고려하여, 본 발명의 목적은 포토 공정 후 미세회로 선폭 구현 특성이 우수하고, 하드 베이크(hard bake) 공정 후 패턴 균일성 및 내열성이 우수한 포토레지스트 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 포토레지스트 막의 감광속도, 잔막율, 현상 콘트라스 트, 해상도, 고분자 수지의 용해성, 기판과의 접착력, 및 회로선폭 균일도(CD uniformity)를 향상시킬 수 있는 포토레지스트 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 포토레지스트 조성물을 이용하여 제조되는 액정표시장치 또는 반도체 소자를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 a) 하기 화학식 1로 표시되는 노볼락 수지; b) 디아지드계 감광성 화합물; 및 c) 유기용매를 포함하는 포토레지스트 조성물을 제공한다:
Figure 112006032120930-PAT00002
상기 화학식 1에서,
R은 수소, -OH기 또는 -CH3기이며, n은 3 내지 20 의 정수이다.
또한, 본 발명은 상기 포토레지스트 조성물을 이용하여 제조되는 액정표시장치 또는 반도체 소자를 제공한다.
이하, 본 발명을 상세하게 설명한다.
본 발명자들은 포토레지스트 조성물에 대한 연구를 거듭하는 과정에서, 메타 -크레졸(m-cresol), 파라-크레졸(p-cresol) 및 레조시놀(resorcinol)을 포함하는 방향족 알코올과 살리실릭 알데히드(salicylic aldehyde)를 혼합하여 중합한 노볼락 수지를 포토레지스트 조성물에 도입할 경우 포토레지스트의 내열성이 향상될 뿐만 아니라 해상도를 향상시킬 수 있음을 확인하여, 이를 토대로 본 발명을 완성하였다.
본 발명에 따른 포토레지스트 조성물은 a) 상기 화학식 1로 표시되는 노볼락 수지; b) 디아지드계 감광성 화합물; 및 c) 유기용매를 포함한다.
본 발명의 포토레지스트 조성물에 있어서, a) 노볼락 수지는 메타-크레졸, 파라-크레졸 및 레조시놀을 포함하는 방향족 알코올과 살리실릭 알데히드를 반응시켜 합성한 고분자 중합체로서, 분자량은 2,000 내지 10,000인 것이 바람직하다.
상기 a) 노볼락 수지는 중합원료인 메타-크레졸, 파라-크레졸 및 살리실릭 알데히드의 혼합비에 따라 포토레지스트의 물성(감광속도, 내열성, 잔막율 등)이 달라지게 되며, 구체적으로 상기 노볼락 수지는 메타크레졸: 파라크레졸: 레조시놀: 살리실릭 알데히드의 중량비가 2 내지 5: 2 내지 5: 0.5 내지 3: 0.5 내지 3으로 혼합하여 중합하는 것이 바람직하다.
즉, 노볼락 수지의 중합시 메타-크레졸의 함량이 상기 범위를 만족하지 못할 경우 포토레지스트의 감광속도가 빨라지면서 잔막율이 낮아지며, 파라-크레졸의 함량이 상기 범위를 만족하지 못할 경우 포토레지스트의 감광속도가 느려지게 되고, 레조시놀의 함량이 상기 범위를 만족하지 못할 경우 내열성 및 해상도 향상효과를 발휘하기 힘들다. 또한, 살리실릭 알데히드의 함량이 상기 범위에 미치지 못할 경 우 포토레지스트의 내열성 및 해상도 향상효과가 나타나지 않으며, 상기 범위를 초과할 경우 포토레지스트의 용해속도가 너무 빨라져 내열성 및 해상도 향상효과를 발휘하기 힘들다.
상기 a) 노볼락 수지의 함량은 전체 조성물의 5 내지 30 중량%인 것이 바람직하다. 즉, 포토레지스트 조성물을 원하는 두께로 용이하게 도포하기 위하여 노볼락수지의 함량이 전체 조성물의 5 중량% 이상인 것이 바람직하며, 균일한 코팅이 이루어지게 하기 위하여 30 중량% 이하로 첨가는 것이 바람직하다.
본 발명의 포토레지스트 조성물에 있어서, b) 디아지드계 감광성 화합물은 폴리하이드록시 벤조페논, 1,2-나프토퀴논디아지드, 및 2-디아조-1-나프톨-5-술폰산 등의 화합물을 반응시켜 제조할 수 있다.
예를 들어, 상기 b) 디아지드계 감광성 화합물은 트리하이드록시 벤조페논과 2-디아조-1-나프톨-5-술폰산을 에스테르화 반응시켜 제조된 2,3,4-트리하이드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트; 또는 테트라하이드록시 벤조페논과 2-디아조-1-나프톨-5-술폰산을 에스테르화 반응시켜 제조된 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트를 단독 또는 혼합하여 사용할 수 있다. 바람직하게는 2,3,4-트리하이드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트, 및 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트를 40 내지 60 : 60 내지 40 중량부의 비율로 혼합하여 사용할 수 있다.
이때, 상기 b) 디아지드계 감광성 화합물의 함량은 포토레지스트의 적절한 감광속도를 유지하도록 하기 위하여 전체 조성물의 2 내지 10 중량%인 것이 바람직하다.
본 발명의 포토레지스트 조성물은 전체 중량이 100 중량%가 되도록 하는 c) 유기용매를 더욱 포함할 수 있다.
상기 c) 유기용매로 사용할 수 있는 예로는 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트(PGMEA), 에틸락테이트(EL), 2-메톡시에틸아세테이트(MMP), 프로필렌글리콜모노메틸에테르(PGME)로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택되는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 PGMEA와 MMP를 혼합비율 70 내지 90: 30 내지 10의 중량부로 혼합 사용할 수 있다.
본 발명의 포토레지스트 조성물은 포토레지스트의 감도 향상 및 하드 베이크 공정시 패턴의 흐름성을 향상시키기 위하여 d) 감도 증진제를 더 포함할 수 있다.
상기 d) 감도 증진제는 페놀계 하이드록시 그룹을 가지며, 분자량이 500 미만인 폴리하이드록시 화합물인 것이 바람직하다. 대표적인 예로는 2,3,4-트리하이드록시벤조페논, 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논, 2,3,4,3',4',5-헥사하이드록시 벤조페논, 아세톤-피로가롤 축합물, 4,4-[1-[4-[1-(1,4-하이드록시페닐)-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀(TPPA), 및 4,4-[2-하이드록시페닐]메틸렌]비스[2,6-디메틸페놀](BI26X-SA)로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택되는 것을 사용할 수 있다.
이때, 상기 d) 감도 증진제의 함량은 전체 조성물에 대하여 0.1 내지 10 중량%인 것이 바람직하다. 즉, 포토레지스트의 충분한 감도증진 효과를 나타나게 하 기 위하여 상기 감도 증진제의 함량이 0.1 중량% 이상인 것이 바람직하며, 잔막율의 급격한 하락을 방지하기 위하여 10 중량% 이하로 첨가하는 것이 바람직하다.
이밖에, 본 발명의 포토레지스트 조성물은 필요에 따라 착색제, 염료, 찰흔 방지제, 가소제, 접착 촉진제, 계면활성제로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택되는 첨가제를 추가로 첨가하여 기판에 피복함으로써 개별공정의 특성에 따른 성능향상을 도모할 수도 있다.
한편, 본 발명은 상기와 같이 제조된 포토레지스트 조성물을 이용하여 반도체 소자를 제조할 수 있다. 바람직한 일례를 들면 반도체 소자 중 다음과 같은 액정표시장치 회로의 제조 공정에서 사용될 수 있다.
먼저, 본 발명에 따른 포토레지스트 조성물을 침지, 분무, 회전 및 스핀 코팅을 포함하는 통상적인 코팅방법으로 기판 상에 도포한다. 예를 들면, 스핀 코팅을 하는 경우 포토레지스트 용액의 고체 함량을 스피닝 장치의 종류와 방법에 따라 적절히 변화시킴으로써 목적하는 두께의 피복물을 형성할 수 있다.
상기 기판으로는 실리콘, 알루미늄, 인듐 틴옥사이드(ITO), 인듐 징크옥사이드(IZO), 몰리브덴, 이산화 실리콘, 도핑된 이산화실리콘, 질화실리콘, 탄탈륨, 구리, 폴리실리콘, 세라믹, 알루미늄/구리 혼합물 및 중합성 수지로 이루어진 군으로부터 선택되는 것이 바람직하다.
이어서, 20 내지 130 ℃의 온도로 열처리하는 소프트 베이트(soft bake) 공정을 실시할 수 있다. 상기 열처리는 포토레지스트 조성물 중 고체 성분을 열분해시키지 않으면서 용매를 증발시키기 위하여 실시하는 것이다. 일반적으로, 소프트 베이크 공정을 통하여 용매의 농도를 최소화하는 것이 바람직하며, 두께 2 ㎛ 이하의 포토레지스트 막이 기판에 남을 때까지 수행하는 것이 바람직하다.
다음으로 포토레지스트 막이 형성된 기판을 적당한 마스크 또는 형판 등을 사용하여 빛, 특히 자외선에 노광시킴으로써 목적하는 형태의 패턴을 형성한다. 이와 같이 노광된 기판을 알칼리성 현상 수용액에 충분히 침지시킨 후, 빛에 노출된 부위의 포토레지스트 막이 전부 또는 거의 대부분 용해될 때까지 방치한다. 이때, 상기 현상 수용액은 알칼리 수산화물, 수산화암모늄 또는 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(tetramethylammonium hydroxide)를 함유하는 수용액을 사용하는 것이 바람직하다.
상기와 같이 노광된 부위가 용해되어 제거된 기판을 현상액으로부터 꺼낸 뒤, 다시 하드 베이크(hard bake) 공정을 통하여 열처리하여 포토레지스트 막의 접착성 및 내화학성을 증진시킨다. 이러한 열처리는 포토레지스트 막의 연화점 이하의 온도에서 실시되는 것이 바람직하며, 특히 90 내지 140 ℃의 온도에서 실시하는 것이 바람직하다.
상기와 같이 현상이 완료된 기판을 부식 용액 또는 기체 플라즈마로 처리하여 노출된 기판 부위를 처리하며, 이때 기판의 노출되지 않은 부위는 포토레지스트 막에 의하여 보호된다. 이와 같이 기판을 처리한 후 적절한 스트리퍼로 포토레지스트 막을 제거함으로써 기판에 미세 회로 패턴을 형성시킬 수 있다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 실시예와 비교예를 제시한다. 단, 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것일 뿐, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
실시예 1
메타-크레졸: 파라-크레졸: 레조시놀 및 축합제로 살리실릭 알데히드를 사용(중량비 4:4:2:2)한 노볼락 수지(분자량 4,800) 20 g; 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트 및 2,3,4,-테트라하이드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트를 50/50 중량부로 혼합한 디아지드계 감광성 화합물 4 g; 감도 증진제인 4,4-[1-[4-[1-(1,4-하이드록시페닐)-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀 2.8 g; 및 유기용매인 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트(PGMEA) 60 g을 균일하게 혼합하여 포토레지스트 조성물을 제조하였다.
실시예 2
메타-크레졸: 파라-크레졸: 레조시놀 및 축합제로 살리실릭 알데히드를 사용(중량비 3:4:2:2)한 노볼락 수지(분자량 4,800) 20 g; 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트 및 2,3,4,-테트라하이드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트를 50/50 중량부로 혼합한 디아지드계 감광성 화합물 4 g; 감도 증진제인 4,4-[1-[4-[1-(1,4-하이드록시페닐)-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀 2.8 g; 및 유기용매인 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트(PGMEA) 60 g을 균일하게 혼합하여 포토레지스트 조성물을 제조하였다.
실시예 3
메타-크레졸: 파라-크레졸: 레조시놀 및 축합제로 살리실릭 알데히드를 사용(중량비 3:3:2:2)한 노볼락 수지(분자량 4,800) 20 g; 2,3,4,4'-테트라하이드록 시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트 및 2,3,4,-테트라하이드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트를 50/50 중량부로 혼합한 디아지드계 감광성 화합물 4 g; 및 유기용매인 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트(PGMEA) 60 g을 균일하게 혼합하여 포토레지스트 조성물을 제조하였다.
실시예 4
메타-크레졸: 파라-크레졸: 레조시놀 및 축합제로 살리실릭 알데히드를 사용(중량비 3:3:2:2)한 노볼락 수지(분자량 7,800) 20 g; 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트 및 2,3,4,-테트라하이드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트를 50/50 중량부로 혼합한 디아지드계 감광성 화합물 4g; 및 유기용매인 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트(PGMEA) 60 g을 균일하게 혼합하여 포토레지스트 조성물을 제조하였다.
비교예 1
메타-크레졸: 파라-크레졸의 중량비가 4:6 이며 축합제로 포름알데히드를 사용한 노볼락수지(분자량 4,325) 20 g; 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트 및 2,3,4,-테트라하이드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트를 50/50 중량부로 혼합한 디아지드계 감광성 화합물 4 g; 및 유기용매인 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트(PGMEA) 60 g을 균일하게 혼합하여 포토레지스트 조성물을 제조하였다.
비교예 2
메타-크레졸: 파라-크레졸: 2,5-크실레놀의 중량비가 4:4:2 이며 축합제로 포름알데히드를 사용한 노볼락수지(분자량 4,800) 20 g; 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트 및 2,3,4,-테트라하이드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트를 50/50 중량부로 혼합한 디아지드계 감광성 화합물 4 g; 및 유기용매인 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트(PGMEA) 60 g을 균일하게 혼합하여 포토레지스트 조성물을 제조하였다.
[ 실험예 ]
상기 실시예 및 비교예에서 제조한 포토레지스트 조성물에 대하여 하기와 같은 실험을 하였으며, 그 결과는 하기 표 1에 나타내었다.
상기 실시예 및 비교예의 포토레지스트 조성물 각각을 0.7 T(thickness, 0.7 ㎜)의 글라스 기판에 일정한 속도로 스핀 도포한 후, 0.1 토르(Torr) 이하에서 60 초간 감압 건조하고, 상기 기판을 110 ℃에서 90 초간 가열 건조하여 1.50 ㎛ 두께의 포토레지스트 막을 형성하였다.
이어서 상기 포토레지스트 막의 두께 균일도를 측정하고, 마스크를 사용하여 365 내지 435nm 파장의 자외선에 노광시킨 후, 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(tetramethylammonium hydroxide)를 함유하는 수용액에서 60초간 현상하여 패턴을 형성시켰다.
형성된 패턴을 하드 베이크 공정(130℃)을 진행한 후, SEM을 이용하여 패턴의 내열 특성을 평가하였다.
1) 감광속도(mJ/㎠) 및 잔막율 (%)
* 초기 필름두께 = 손실 두께 + 잔막 두께
* 잔막율 = (잔막두께/초기 필름두께)
감광속도는 노광 에너지에 따라 일정 현상 조건에서 막이 완전히 녹아나가는 에너지를 측정하여 구하였고, 110 ℃에서 소프트 베이크를 수행하여, 노광 및 현상한 후, 잔막율을 측정하였으며 그 결과를 나타낼 수 있는 현상 전후의 두께 차이를 측정하였다.
2) 해상도(㎛)
435 nm 파장의 자외선에 노광시킨 후 현상공정을 거쳐 패턴을 형성하여 SEM을 통해 패턴의 해상도를 측정하였다.
3) 내열성(℃)
내열성은 하드 베이크를 130 ℃로 90초간 진행한 후 SEM을 통해 패턴의 흐름성으로 확인하였다.
4) 접착성(㎛)
몰리브덴(Mo)이 코팅 글라스 위에 형성된 패턴(미세선폭)을 얻은 후, 노출된 부위의 몰리브덴을 제거하기 위해 부식 용액으로 처리하여 부식용액이 노출되지 않은 몰리브덴을 부식시킨 두께를 측정하여 접착성을 시험하였다.
구 분 감광속도 Eth(mJ/㎠) 잔막율(%) 해상도(㎛) 내열성(℃) 접착성(㎛)
실시예 1 20 95 2.4 60 1.15
실시예 2 24 95 2.0 59 1.00
실시예 3 20 96 2.2 62 1.20
실시예 4 24 96 2.2 64 1.25
비교예 1 22 95 2.8 45 1.25
비교예 2 30 97 2.4 50 1.25
상기 표 1에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 실시예 1 내지 4에 따른 포토레지스트 조성물을 이용하여 제조한 포토레지스트 막은 비교예 1 및 2의 포토레지스트 막에 비하여 내열성 특성이 우수함을 알 수 있다.
본 발명에 따른 포토레지스트 조성물은 메타-크레졸, 파라-크레졸, 레조시놀 및 살리실릭 알데히드을 도입한 노볼락 수지를 사용함으로써 해상도가 우수하고, 하드 베이크 후에도 내열성 특성이 우수하며, 감광속도, 잔막율, 현상 콘트라스트, 기판과의 접착력, 및 회로선폭 균일도가 동시에 모두 우수한 장점이 있다. 따라서 산업 현장에 용이하게 적용할 수 있으며, 대량 생산시 사용량의 절감, 양산시간의 감소 등의 효과로 작업 환경을 효율적으로 변화시킬 수 있다.

Claims (8)

  1. a) 하기 화학식 1로 표시되는 노볼락 수지;
    b) 디아지드계 감광성 화합물; 및
    c) 유기용매
    를 포함하는 포토레지스트 조성물:
    [화학식 1]
    Figure 112006032120930-PAT00003
    상기 화학식 1에서,
    R은 수소, -OH기 또는 -CH3기이며, n은 3 내지 20의 정수이다.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 a) 노볼락 수지는 메타-크레졸: 파라-크레졸: 레조시놀: 살리실릭 알데히드를 중량비 2 내지 5: 2 내지 5: 0.5 내지 3: 0.5 내지 3으로 혼합하여 중합한 것이며, 분자량이 2,000 내지 10,000인 것인 포토레지스트 조성물.
  3. 제1항에 있어서,
    a) 노볼락 수지 5 내지 30 중량%;
    b) 디아지드계 감광성 화합물 2 내지 10 중량%; 및
    c) 유기용매 잔부
    를 포함하는 것인 포토레지스트 조성물.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 b) 디아지드계 감광성 화합물은 2,3,4-트리하이드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트, 및 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트를 4 내지 6 : 6 내지 4의 중량비로 포함하는 것인 포토레지스트 조성물.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 c) 유기용매는 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트, 에틸락테이트, 2-메톡시에틸아세테이트, 및 프로필렌글리콜모노메틸에테르로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택되는 것인 포토레지스트 조성물.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 조성물은 2,3,4-트리하이드록시벤조페논, 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논, 2,3,4,3',4',5-헥사하이드록시 벤조페논, 아세톤-피로가롤 축합물, 4,4- [1-[4-[1-(1,4-하이드록시페닐)-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀(TPPA), 및 4,4-[2-하이드록시페닐]메틸렌]비스[2,6-디메틸페놀](BI26X-SA)로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택되는 d) 감도 증진제를 0.1 내지 10 중량%로 더욱 포함하는 것인 포토레지스트 조성물.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 포토레지스트 조성물은 착색제, 염료, 찰흔 방지제, 가소제, 접착 촉진제, 속도 증진제, 및 계면활성제로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택되는 첨가제를 더 포함하는 것인 포토레지스트 조성물.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따른 포토레지스트 조성물을 이용하여 제조되는 반도체 소자.
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