JP2643261B2 - ネガ型感光性組成物及びパタン形成方法 - Google Patents
ネガ型感光性組成物及びパタン形成方法Info
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
-
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- Materials For Photolithography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、感光性組成物及びパタン形成方法に係り、
特に微細加工に適したホトレジスト（感光性耐食被膜形
成材料）である感光性組成物及びパタン形成方法に関す
る。
特に微細加工に適したホトレジスト（感光性耐食被膜形
成材料）である感光性組成物及びパタン形成方法に関す
る。
感光性組成物は種々の用途に用いられ、例えば半導体
素子の製造に用いられている。半導体素子、特にLSI、V
LSI等の半導体素子の性能を向上させるためには、その
加工の微細度を向上させることが必要である。
素子の製造に用いられている。半導体素子、特にLSI、V
LSI等の半導体素子の性能を向上させるためには、その
加工の微細度を向上させることが必要である。
現在、露光にはｇ線（436nm）の縮小投影露光装置が
広く用いられている。微細度の向上のために、微小投影
レンズのNA（開口数）を大きくしたり、ｇ線からｉ線
（365nm）への短波長化の努力がなされている。露光領
域を小さくせずに前者のNAを大きくすることは技術的に
難しい。高NAの露光光学系ができたとしても、焦点深度
が浅くなり、簡単な単層の塗膜を用いるプロセスが使え
なくなってしまい実用上の問題が生じる。後者の露光波
長の短波長化は実用上かなり有望である。もちろん、短
波長化されても、高解像度等のレジストへの要求は変わ
らない。
広く用いられている。微細度の向上のために、微小投影
レンズのNA（開口数）を大きくしたり、ｇ線からｉ線
（365nm）への短波長化の努力がなされている。露光領
域を小さくせずに前者のNAを大きくすることは技術的に
難しい。高NAの露光光学系ができたとしても、焦点深度
が浅くなり、簡単な単層の塗膜を用いるプロセスが使え
なくなってしまい実用上の問題が生じる。後者の露光波
長の短波長化は実用上かなり有望である。もちろん、短
波長化されても、高解像度等のレジストへの要求は変わ
らない。
最近、短波長領域の中ではKrFエキシマレーザを用い
た露光プロセスが注目を集めている。それはKrFエキシ
マレーザの露光波長が248nmとかなり短く、また出力も
大きく、安定であるためである。例えば、第47回応用物
理学会学術講演会講演予稿集p.323,29a−ZF−２（198
6）にポジ型のホトレジストとしてMP2400（シプレージ
ャパン製）を用い、KrFエキシマレーザ露光した結果が
報告されている。また、第34回応用物理学関係連合講演
会講演予稿集、第二分冊、p.432.30a−Ｎ−８（1987）
にポジ型のホトレジストとしてPMMAを用い、KrFエキシ
マレーザ露光した結果が報告されている。
た露光プロセスが注目を集めている。それはKrFエキシ
マレーザの露光波長が248nmとかなり短く、また出力も
大きく、安定であるためである。例えば、第47回応用物
理学会学術講演会講演予稿集p.323,29a−ZF−２（198
6）にポジ型のホトレジストとしてMP2400（シプレージ
ャパン製）を用い、KrFエキシマレーザ露光した結果が
報告されている。また、第34回応用物理学関係連合講演
会講演予稿集、第二分冊、p.432.30a−Ｎ−８（1987）
にポジ型のホトレジストとしてPMMAを用い、KrFエキシ
マレーザ露光した結果が報告されている。
上記従来技術は、感度と解像度の両者について配慮さ
れておらず、高感度でかつ高解像度という特性を同時に
示すことについては問題があった。すなわち、MP2400は
１μｍの厚さで露光波長の248nmにおける吸光度が0.46
であり、ポジ型のホトレジストとしてはかなり大きく、
そのために入射光が充分にホトレジストの下部にまで到
達せず、MP2400のパタンの断面形状はかなり悪化して逆
台形になるという問題があった。また、PMMAの場合は吸
収が弱すぎるため、その感度は32J/cm2とかなり低感度
で実用上問題であった。さらにPMMAをシリコンウェハ上
で用いた場合には、80％以上の入射光がシリコンウェハ
基板まで届くために、大きな定在波が生じて微細パタン
を解像することができないという問題もあった。
れておらず、高感度でかつ高解像度という特性を同時に
示すことについては問題があった。すなわち、MP2400は
１μｍの厚さで露光波長の248nmにおける吸光度が0.46
であり、ポジ型のホトレジストとしてはかなり大きく、
そのために入射光が充分にホトレジストの下部にまで到
達せず、MP2400のパタンの断面形状はかなり悪化して逆
台形になるという問題があった。また、PMMAの場合は吸
収が弱すぎるため、その感度は32J/cm2とかなり低感度
で実用上問題であった。さらにPMMAをシリコンウェハ上
で用いた場合には、80％以上の入射光がシリコンウェハ
基板まで届くために、大きな定在波が生じて微細パタン
を解像することができないという問題もあった。
本発明の目的は、短波長光、例えばKrFエキシマレー
ザの露光波長の248nmに対して高感度で高解像度を有す
る感光性材料及びそれを用いたパタン形成方法を提供す
ることにある。
ザの露光波長の248nmに対して高感度で高解像度を有す
る感光性材料及びそれを用いたパタン形成方法を提供す
ることにある。
上記目的を達成するために、本発明のネガ型感光性組
成物は、4,4′−ジアジド−3,3′−ジメトキシビフェニ
ルと高分子化合物とを含むネガ型感光性組成物の塗膜の
ミクロン単位で表した膜厚と、248nmにおける吸光度と
の積の値が、0.5〜1.5の範囲になるようにしたものであ
る。
成物は、4,4′−ジアジド−3,3′−ジメトキシビフェニ
ルと高分子化合物とを含むネガ型感光性組成物の塗膜の
ミクロン単位で表した膜厚と、248nmにおける吸光度と
の積の値が、0.5〜1.5の範囲になるようにしたものであ
る。
また、上記目的を達成するために、本発明のパタン形
成方法は、4,4′−ジアジド−3,3′−ジメトキシビフェ
ニルと高分子化合物とを含む感光性組成物を基板上に塗
布して塗膜とし、かつ、この塗膜を、膜厚のミクロン単
位で表した値と248nmの波長における吸光度との積の値
が0.5〜1.5の範囲にあるようにして、この塗膜に上記波
長の光によりパタン露光を行ない、現像により所定のネ
ガ型のパタンとするようにしたものである。
成方法は、4,4′−ジアジド−3,3′−ジメトキシビフェ
ニルと高分子化合物とを含む感光性組成物を基板上に塗
布して塗膜とし、かつ、この塗膜を、膜厚のミクロン単
位で表した値と248nmの波長における吸光度との積の値
が0.5〜1.5の範囲にあるようにして、この塗膜に上記波
長の光によりパタン露光を行ない、現像により所定のネ
ガ型のパタンとするようにしたものである。
ネガ型のホトレジストの透過率が小さすぎると、塗膜
表面での光の吸収が強すぎて現像後のパタンが逆台形に
なってしまい、垂直な形状を作ったり、線幅の制御をす
るのが難しいという欠点がある。逆に透過率が大きすぎ
ると下地からの反射や基板の形状の影響を受けやすいと
いう問題を生じる。
表面での光の吸収が強すぎて現像後のパタンが逆台形に
なってしまい、垂直な形状を作ったり、線幅の制御をす
るのが難しいという欠点がある。逆に透過率が大きすぎ
ると下地からの反射や基板の形状の影響を受けやすいと
いう問題を生じる。
本発明においては感光性成分である4,4′−ジアジド
−3,3′−ジメトキシビフェニルと高分子化合物との組
成比を適宜定め、塗膜の吸光度を所定の値にすることが
できる。
−3,3′−ジメトキシビフェニルと高分子化合物との組
成比を適宜定め、塗膜の吸光度を所定の値にすることが
できる。
短波長の光として、247〜249nmに発振波長領域を持つ
KrFエキシマレーザの光を用いることができる。これ以
外にもArFエキシマレーザ（発振波長193nm）、KrClエキ
シマレーザ（同222nm）、XeClエキシマレーザ（同308n
m）等の光を用いることができる。レーザ、特にエキシ
マレーザを用いるときは、その波長が短波長であると共
に、波長領域が極めて狭いので、感光剤の他の波長領域
における吸収を考慮にいれる必要がないので使用可能な
感光剤の種類が増えるという利点がある。
KrFエキシマレーザの光を用いることができる。これ以
外にもArFエキシマレーザ（発振波長193nm）、KrClエキ
シマレーザ（同222nm）、XeClエキシマレーザ（同308n
m）等の光を用いることができる。レーザ、特にエキシ
マレーザを用いるときは、その波長が短波長であると共
に、波長領域が極めて狭いので、感光剤の他の波長領域
における吸収を考慮にいれる必要がないので使用可能な
感光剤の種類が増えるという利点がある。
4,4′−ジアジド−3,3′−ジメトキシビフェニルの量
は、全体の量（アジド化合物と高分子化合物の合計量）
に対して５〜30重量％程度の範囲であることが好まし
く、５〜25重量％程度の範囲であることがより好まし
い。
は、全体の量（アジド化合物と高分子化合物の合計量）
に対して５〜30重量％程度の範囲であることが好まし
く、５〜25重量％程度の範囲であることがより好まし
い。
本発明の高分子化合物としては、一般のネガ型のホト
レジストに用いられている高分子化合物が用いられる
が、特にアルカリ可溶性のものが好ましく、さらにドラ
イエッチング耐性のものが好ましい。このような高分子
化合物は多くはベンゼン環を有するものである。例えば
クレゾールノボラック樹脂等のフェノール類とホルムア
ルデヒドとの縮合反応生成物、フェノール類を含む共重
合体、ヒドロキシスチレン重合体、ヒドロキシスチレン
を含む共重合体等がある。
レジストに用いられている高分子化合物が用いられる
が、特にアルカリ可溶性のものが好ましく、さらにドラ
イエッチング耐性のものが好ましい。このような高分子
化合物は多くはベンゼン環を有するものである。例えば
クレゾールノボラック樹脂等のフェノール類とホルムア
ルデヒドとの縮合反応生成物、フェノール類を含む共重
合体、ヒドロキシスチレン重合体、ヒドロキシスチレン
を含む共重合体等がある。
本発明において、露光する光の波長を一般に用いられ
ている436nmより短波長とするので解像度が向上する。
例えばその波長を248nmとすれば、一般に用いられてい
る波長436nmの光で露光した場合より解像され得る最小
線幅は57％も小さくなる。
ている436nmより短波長とするので解像度が向上する。
例えばその波長を248nmとすれば、一般に用いられてい
る波長436nmの光で露光した場合より解像され得る最小
線幅は57％も小さくなる。
また、本発明において塗膜のミクロン単位で表した膜
厚と所定の短波長における吸光度の積の値が0.5〜1.5の
とき、すなわち、膜厚が１μｍの塗膜であれば上記吸光
度が0.5〜1.5のとき、露光、現像後の塗膜の断面形状は
その端部が表面に対して実質的に垂直である。もしも上
記積の値を0.5未満の値、例えば0.4にすると、露光、現
像後の塗膜の断面形状はなだらかなテーパを持つ。一
方、上記積の値を1.5を越える値、例えば1.6にすると、
上記塗膜の断面形状は逆台形になり、いずれも好ましく
ない。
厚と所定の短波長における吸光度の積の値が0.5〜1.5の
とき、すなわち、膜厚が１μｍの塗膜であれば上記吸光
度が0.5〜1.5のとき、露光、現像後の塗膜の断面形状は
その端部が表面に対して実質的に垂直である。もしも上
記積の値を0.5未満の値、例えば0.4にすると、露光、現
像後の塗膜の断面形状はなだらかなテーパを持つ。一
方、上記積の値を1.5を越える値、例えば1.6にすると、
上記塗膜の断面形状は逆台形になり、いずれも好ましく
ない。
本発明の感光性組成物の塗膜を露光したとき、下地の
基板まで届く光量が例えば10％程度であるので定在波効
果が小さいため、上記断面形状がなだらかなテーパを持
たない。また逆に吸収が大であり過ぎると上記断面形状
は逆台形になるが、上記の積の値の範囲ではそのような
現象は認められない。
基板まで届く光量が例えば10％程度であるので定在波効
果が小さいため、上記断面形状がなだらかなテーパを持
たない。また逆に吸収が大であり過ぎると上記断面形状
は逆台形になるが、上記の積の値の範囲ではそのような
現象は認められない。
以下、実施例を用いて、本発明を詳細に説明する。
実施例１ 次の組成のホトレジスト溶液を調製した。１μｍ厚の
248nmにおける通過率が50％のポリ（ｐ−ヒドロキシス
チレン）と4,4′−ジアジド−3,3′−ジメトキシビフェ
ニルを10:1の重量比でシクロヘキサノンに溶解させて、
ホトレジスト溶液を作った。シリコンウェハ上にスピン
塗布し、80℃で10分間ベークして厚さ１μｍの塗膜を形
成した。この膜の吸光度と膜厚の積の値は0.5であっ
た。この膜を、KrFエキシマレーザ（Lambdaphysik製）
を用いて、照射量と照射位置を変えて露光した。露光後
塗膜を水酸化テトラメチルアンモニウム1.19％水溶液で
130秒間現像した。この操作により未露光部分の塗膜は
除去され、露光により不溶化した塗膜のみがウェハ上に
残った。この現像後の膜厚を触針式膜厚計（アルファー
ステップ200;Tencor Instruments製）によって測定し、
その値を露光量に対してプロットして、ホトレジストの
感光特性曲線を得た。このようにして、得られた感光特
性曲線を第１図に示す。
248nmにおける通過率が50％のポリ（ｐ−ヒドロキシス
チレン）と4,4′−ジアジド−3,3′−ジメトキシビフェ
ニルを10:1の重量比でシクロヘキサノンに溶解させて、
ホトレジスト溶液を作った。シリコンウェハ上にスピン
塗布し、80℃で10分間ベークして厚さ１μｍの塗膜を形
成した。この膜の吸光度と膜厚の積の値は0.5であっ
た。この膜を、KrFエキシマレーザ（Lambdaphysik製）
を用いて、照射量と照射位置を変えて露光した。露光後
塗膜を水酸化テトラメチルアンモニウム1.19％水溶液で
130秒間現像した。この操作により未露光部分の塗膜は
除去され、露光により不溶化した塗膜のみがウェハ上に
残った。この現像後の膜厚を触針式膜厚計（アルファー
ステップ200;Tencor Instruments製）によって測定し、
その値を露光量に対してプロットして、ホトレジストの
感光特性曲線を得た。このようにして、得られた感光特
性曲線を第１図に示す。
第１図から、本発明の感光性組成物が、実用上十分に
高い感度（8mJ/cm2）とコントラスト特性（2,3）を有す
ることが判る。
高い感度（8mJ/cm2）とコントラスト特性（2,3）を有す
ることが判る。
また、上記と同様にして製造した塗膜にKrFエキシマ
レーザの光を0.5μｍのパタン幅を有するハードマスク
を介して30mJ/cm2だけ露光した。露光後塗膜を水酸化テ
トラメチルアンモニウム1.19％水溶液で130秒間現像
し、0.5μｍの幅の良好なパタンを得た。
レーザの光を0.5μｍのパタン幅を有するハードマスク
を介して30mJ/cm2だけ露光した。露光後塗膜を水酸化テ
トラメチルアンモニウム1.19％水溶液で130秒間現像
し、0.5μｍの幅の良好なパタンを得た。
実施例２ 実施例１に記載の高透過率のポリ（ｐ−ヒドロキシス
チレン）の代わりに１μｍ厚の248nmにおける透過率が3
0％のポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）（丸善石油製）
を用いた点を除いて、実施例１の方法を繰り返した。こ
の膜の吸光度と膜厚の積の値は0.7であった。その結
果、感度は10mJ/cm2で、コントラストは1.1で、0.5μｍ
の幅の良好なパタンを得た。
チレン）の代わりに１μｍ厚の248nmにおける透過率が3
0％のポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）（丸善石油製）
を用いた点を除いて、実施例１の方法を繰り返した。こ
の膜の吸光度と膜厚の積の値は0.7であった。その結
果、感度は10mJ/cm2で、コントラストは1.1で、0.5μｍ
の幅の良好なパタンを得た。
実施例３ 実施例１に記載の高透過率のポリ（ｐ−ヒドロキシス
チレン）の代わりに１μｍ厚の248nmにおける透過率50
％のクレゾールノボラック樹脂（日立化成製）を用いた
点を除いて、実施例１の方法を繰り返した。この膜の吸
光度と膜厚の積の値は0.5であった。その結果、感度は3
0mJ/cm2で、コントラストは1.5で、0.5μｍの良好なパ
タンを得た。
チレン）の代わりに１μｍ厚の248nmにおける透過率50
％のクレゾールノボラック樹脂（日立化成製）を用いた
点を除いて、実施例１の方法を繰り返した。この膜の吸
光度と膜厚の積の値は0.5であった。その結果、感度は3
0mJ/cm2で、コントラストは1.5で、0.5μｍの良好なパ
タンを得た。
比較例１ 実施例１に記載の重量比の代わりに10:5の重量比で調
合した点を除いて、実施例１の方法と同様に処理した。
その結果、１μｍ厚の塗膜の吸光度は4.5で吸収が強す
ぎるために良好なパタンは得られなかった。
合した点を除いて、実施例１の方法と同様に処理した。
その結果、１μｍ厚の塗膜の吸光度は4.5で吸収が強す
ぎるために良好なパタンは得られなかった。
比較例２ 実施例１に記載の重量比の代わりに10:0.3の重量比で
調合した点を除いて、実施例１の方法と同様に処理し
た。その結果、１μｍ厚の塗膜の吸光度は0.3で架橋が
不十分であるために膜減りが大きく、良好なパタンは得
られなかった。
調合した点を除いて、実施例１の方法と同様に処理し
た。その結果、１μｍ厚の塗膜の吸光度は0.3で架橋が
不十分であるために膜減りが大きく、良好なパタンは得
られなかった。
本発明によれば、塗膜のミクロン単位で表わした膜厚
と所定の短波長（例えば248nm）における吸光度との積
を0.5〜1.5の範囲とし、上記所定の短波長の光で露光す
ることにより、露光、現像によって、高解像度のパター
ンを形成することができる。そして、形成したパターン
の断面形状は実質的に垂直である。また、本発明の感光
性組成物は、ネガ型のホトレジストであるので、露光の
際下地の基板まで届く光量が少なく、基板からの反射の
影響が少ないという利点がある。
と所定の短波長（例えば248nm）における吸光度との積
を0.5〜1.5の範囲とし、上記所定の短波長の光で露光す
ることにより、露光、現像によって、高解像度のパター
ンを形成することができる。そして、形成したパターン
の断面形状は実質的に垂直である。また、本発明の感光
性組成物は、ネガ型のホトレジストであるので、露光の
際下地の基板まで届く光量が少なく、基板からの反射の
影響が少ないという利点がある。
また、本発明の感光性組成物の高分子化合物としてベ
ンゼン環を有する高分子化合物を用いた場合は、十分な
ドライエッチング耐性を示し、実用上極めて有用であ
る。
ンゼン環を有する高分子化合物を用いた場合は、十分な
ドライエッチング耐性を示し、実用上極めて有用であ
る。
第１図は、本発明に係る感光性組成物の感光特性を示す
図である。
図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 橋本 通晰 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 上野 巧 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 岩柳 隆夫 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (56)参考文献 特開 昭63−191142（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−78336（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−147731（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】4,4′−ジアジド−3,3′−ジメトキシビフ
ェニルと高分子化合物とを含むネガ型感光性組成物の塗
膜のミクロン単位で表した膜厚と、248nmにおける吸光
度との積の値が、0.5〜1.5の範囲にあることを特徴とす
るネガ型感光性組成物。 - 【請求項２】4,4′−ジアジド−3,3′−ジメトキシビフ
ェニルと高分子化合物とを含む感光性組成物を基板上に
塗布して塗膜とする工程、該塗膜に所定のパタンの露光
を行なう工程及び現像により所定のネガ型のパタンを形
成する工程よりなるパタン形成方法において、上記塗膜
は、その膜厚をミクロン単位で表した値と248nmの波長
における吸光度との積の値が0.5〜1.5の範囲にあり、上
記露光は上記波長の光によって行なうことを特徴とする
パタン形成方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63069082A JP2643261B2 (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | ネガ型感光性組成物及びパタン形成方法 |
| KR1019890003455A KR890015072A (ko) | 1988-03-23 | 1989-03-20 | 네가티브형 감광성 조성물 및 패턴형성방법 |
| DE68925655T DE68925655T2 (de) | 1988-03-23 | 1989-03-23 | Beschichtungsfilm enthaltend eine negativ arbeitende lichtempfindliche Zusammensetzung und Bilderzeugungsverfahren |
| EP89105301A EP0334381B1 (en) | 1988-03-23 | 1989-03-23 | Coating film comprising a negative-working photosensitive composition and pattern-formation method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63069082A JP2643261B2 (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | ネガ型感光性組成物及びパタン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01241543A JPH01241543A (ja) | 1989-09-26 |
| JP2643261B2 true JP2643261B2 (ja) | 1997-08-20 |
Family
ID=13392309
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63069082A Expired - Lifetime JP2643261B2 (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | ネガ型感光性組成物及びパタン形成方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0334381B1 (ja) |
| JP (1) | JP2643261B2 (ja) |
| KR (1) | KR890015072A (ja) |
| DE (1) | DE68925655T2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0616701B1 (en) * | 1991-12-10 | 2002-02-13 | The Dow Chemical Company | Photocurable cyclobutarene compositions |
| US5854302A (en) * | 1993-04-29 | 1998-12-29 | The Dow Chemical Company | Partially polymerized divinylsiloxane linked bisbenzocyclobutene resins and methods for making said resins |
| CA2106231A1 (en) * | 1993-09-15 | 1995-03-16 | Sambasivan Venkat Eswaran | Negative photoresist and a process therefor |
| JP6058239B1 (ja) * | 2015-10-21 | 2017-01-18 | ピュア・フィッシング・ジャパン株式会社 | 釣用リール |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58203438A (ja) * | 1982-05-24 | 1983-11-26 | Hitachi Ltd | 微細パタ−ン形成方法 |
| JPS5936245A (ja) * | 1982-08-25 | 1984-02-28 | Hitachi Ltd | 感光性組成物 |
-
1988
- 1988-03-23 JP JP63069082A patent/JP2643261B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-03-20 KR KR1019890003455A patent/KR890015072A/ko not_active Application Discontinuation
- 1989-03-23 EP EP89105301A patent/EP0334381B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-03-23 DE DE68925655T patent/DE68925655T2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01241543A (ja) | 1989-09-26 |
| EP0334381A2 (en) | 1989-09-27 |
| DE68925655T2 (de) | 1996-09-19 |
| DE68925655D1 (de) | 1996-03-28 |
| EP0334381B1 (en) | 1996-02-14 |
| EP0334381A3 (en) | 1990-10-10 |
| KR890015072A (ko) | 1989-10-28 |
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