JP2960083B2 - 走査及びリピート高解像度投影リソグラフィー装置 - Google Patents

走査及びリピート高解像度投影リソグラフィー装置

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JP2960083B2 JP1259876A JP25987689A JP2960083B2 JP 2960083 B2 JP2960083 B2 JP 2960083B2 JP 1259876 A JP1259876 A JP 1259876A JP 25987689 A JP25987689 A JP 25987689A JP 2960083 B2 JP2960083 B2 JP 2960083B2
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    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はパターンをイメージングするリソグラフイー
システムに関し、より詳細には隣接走査により高速でイ
メージング光学系の最大フイールドよりも実質的に大き
いイメージフイールドにわたってマスクから基板上へ高
解像度の精密なイメージを生成する相補エツジ照射を特
徴とする走査及びリピートシステムを有するリソグラフ
イ法及び装置に関する。
［従来の技術］ リソグラフイシステムは集積回路チツプ及び電子回路
板の製造に広範に使用されている。このようなシステム
は代表的に高強度ランプやレーザーや他の放射源等の主
露光源と、マスク及び基板位置決めシステムと、マスク
上に存在するイメージを基板上へ照射する投影システム
と、制御システムを含んでいる。その意図は代表的に放
射感知材層を被覆したウエハーを照射して所望の回路パ
ターンを生成し、後者を別の工程で金属化その他により
活性化することである。照射は紫外線や可視光線やＸ線
もしくは電子ビーム等の放射により行うことができる。
目標領域を選択的に照射して特定パターンを活性化する
のが希望するところである。代表的に集積回路チツプは
製造中にさまざまな照射ステツプ及び物理的処理ステツ
プに通される。
チツプに対するより大きいメモリ及び処理能力の要求
が高まるにつれ、チツプ上の個別ビツトのデイメンジヨ
ンは次第に小さくなる。これにより、これらのパターン
をイメージングするのに使用するリソグラフイ装置はま
すます高解像度が要求される。同時に、チツプの物理的
サイズが大きくなると大きなイメージフイールドにわた
つて高解像度が要求される。
高解像度を達成する従来技術の方法は、ウエハー上に
再生した時にマスク上のパターンが５〜10分の１に縮小
される縮小光学イメージング装置を使用することであ
る。このような縮小システムは限定されたイメージフイ
ールドに対してしか高解像度を発揮できないため、露光
領域は、およそ1cm2の、ワンチツプサイズに限定され
る。チツプを露光して次のチツプへ進み、この工程を繰
り返すことによりウエハー全体が処理される。ステツプ
及びリピートシステムとして知られるこれらの従来技術
の機械では、限定性能能力は代表的に多数の個別レンズ
エレメントからなる縮小投影レンズ組立体により決定さ
れる。解像度要求が高まると、このレンズのデザインの
複雑度が増す。さらに、レンズが高解像度に設計されて
おれば、代表的にそのイメージフイールドが縮小する。
高解像度で大フイールドサイズのレンズを設計して組み
立てるのは非常に難しいことである。
従来技術のもう一つの方法は1:1の拡大率を有するイ
メージングシステムを使用することであり、ここでは長
くて狭い曲つたスリツトを通してウエハーが露光され、
ウエハー全体へのイメージングはこの長くて狭いスリツ
トにわたつて一度全ウエハーを走査することにより行わ
れる。このようなシステムは大きなチツプを露光するこ
とができるが、開口数が小さいためにその解像度能力は
きびしく制約される。さらに、デバイスの解像度条件は
サブミクロンデイメンジヨン、特に0.5ミクロン以下、
に縮まるため、このような走査システムはさらに製造さ
れるデバイスと同じ高解像度のマスクを必要とする困難
を伴う。従つて、このようなシステムはサブミクロンデ
イメンジヨンの集積回路の製造にはあまり使用されな
い。
大きなイメージフイールドを得るもう一つの従来技術
は1:1の拡大率を有するワイン−デイソンデザインとし
て知られるイメージングシステムを使用することであ
る。拡大率が1:1であるために、このようなシステムは
大きなチツプを露光することができるが、上記したのと
同じ、すなわち、マスク条件がさらに困難となるために
解像度能力がきびしく制限されるという、欠点を伴う。
電子ビーム照射を使用した従来技術のリソグラフイ法
はビツトバイビツト直描工程によるフオーカスド電子ビ
ーム、もしくは1:1ステンシルマスクを介したシヤドー
投影を使用している。これらのシステムは、それぞれ、
低露光速度及び複雑で困難なマスク技術の欠点を伴う。
従来技術のＸ線リソグラフイシステムも同様に1:1メン
ブレンマスクを介してシヤドープリンテイグを使用して
おり、前記したように、1:1パターニング及び困難なマ
スク条件による同じ欠点を伴う。
前記従来技術の制約という観点から、優れた解像度、
高露光速度及び大きく拡張されたフイールドサイズを提
供するリソグラフイシステムを開発するという重要なニ
ーズがある。
本発明の目的は処理の高スループツト率だけでなく、
高解像度能力及び大きなイメージフイールドサイズを提
供して、半導体ウエハー等の基板上へ高解像度マスクの
精密なイメージを生成するリソグラフイシステムを提供
することである。
本発明の特徴はあるフイールド上にマスクイメージを
生成し、次に前記フイールドにわたつて基板及びマスク
を同時に走査し、次に基板を横方向に移動させて新しい
走査領域を露光し、次に走査を数回繰り返して基板全体
を露光する、ここで‘走査及びリピート’機構と呼ぶ機
構である。
本発明のもう一つの特徴は六角形イメージフイールド
を提供し、この六角形フイールドにわたつて走査するこ
とである。
本発明のもう一つの特徴は隣接する走査間の重畳領域
内で相補露光を行い、走査間で異つて露光される基板領
域のシーム特性が完全になくなり、基板全体にわたつ
て、与えられる照射露光量が均一になることである。
本発明のもう一つの特徴はマスクを周期的にリセツト
してマスクが多数のチツプフイールドを含みしかも不当
に大きなサイズとならないようにする機構である。
本発明のさらにもう一つの特徴は定露光量及び正確な
位置制御により基板を増分走査して、所定間隔で頻繁に
基板をマスクに対して再見当合せすることを著しく容易
になる帰還制御システムである。
本発明の利点はそのイメージング光学系の無歪フイー
ルドサイズよりも著しく大きなイメージフイールドにわ
たつて高解像度を得る能力と結合されたその高速度であ
り、かなり大きなデイメンジヨンの集積回路チツプを高
スループツドで製造することができる。
［実施例］ 本発明により、次の全ての特性、すなわち（ａ）．基
板上にマスクパターンのイメージを生成する際に高解像
度が可能である、（ｂ）．大きな有効イメージフイール
ドを有する、（ｃ）．高スループツトレートで基板を露
光する、を有するリソグラフイーシステムを得ることが
できる。これらの特性を達成する装置は横方向に走査及
び移動可能な基板ステージと、走査及びリセツトするこ
とができ基板ステージと機能的に接続されたマスクステ
ージと、照射システムと、投影レンズ組立体と、制御シ
ステムを含んでいる。
第１図に装置の基本的要素を示す。感光材層を塗布し
た半導体ウエハー等の基板10が基板ステージ12内に堅固
に付着されている。基板10上にイメージされる高解像度
パターンを含むマスク14がマスクステージ16内に堅固に
付着されている。基板ステージ12及びマスクステージ16
共に精密移動可能であり、その詳細については後記す
る。マスク14は照射源システム20、リレーレンズ22及び
前面45゜ミラー等のビームステアリング手段24からなる
照射システム18からの放射が照射される。照射源システ
ム20はその有効放出面21が正六角形となるようにされて
いる。リレーレンズ22は六角形有効ソース面21からの放
射をある開口数NAsへ集め、それをある倍率及び開口数N
Amsでマスク14上へイメージする。いくつかの個別レン
ズエレメント28からなる投影レンズ組立体26はマスク上
の六角形照射領域内の高解像度精密イメージを、ある縮
小率Ｍで、基板10上へ形成する。投影レンズ組立体26は
マスク側の開口数NAm及び基板側開口数NAwを有してい
る。NAwはリソグラフイシステムの解像度条件により決
定され、NAmはNAwに対してNAw＝NAw/Mの関係にある。投
影レンズ組立体26はできるだけ大きな円型イメージに対
して設計されており（第２図の符号31参照）、基板上の
露光領域は前記円型フイールド内に描画することのでき
る最大正六角形（第２図に符号32で示す）として定義さ
れる。
第１図に戻つて、基板ステージ12は基板10をその六角
形露光領域にわたつて走査し、同時にマスクステージ16
がその六角形照射領域にわたつてマスク14を走査し、走
査方向の基板長をカバーする。このような走査中に、マ
スクステージ16はマスクをその元の位置へ数回リセツト
する。基板長にわたる走査が完了した後、基板ステージ
12は基板10を走査方向と直角な方向へここで“有効走査
幅”と呼ぶ量だけ移動させる。基板のこのような横方向
移動に続いて、基板とマスクステージの前記したのと同
じ精密な移動により新しい走査が発生する。有効走査幅
及び照射源システムは、組合せると、一つの走査から隣
接する次の走査へ、完全にシームレスで強度の不均性の
ない遷移を行うような特性を有して設計されている。
‘走査及びリピート’機構と呼ばれる前記露光工程は基
板全体が所望数のパターンで露光されるまで繰り返され
る。次に前記走査、ステツプ、リセツト、及びリピート
運動について説明する。制御システム30が照射システム
18、マスクステージ16、投影レンズ組立体26及び基板ス
テージ12に機能的に接続されて、マスク及び基板ステー
ジが投影レンズ組立体に対して適切にアラインされ、マ
スク及び基板ステージが所望の同期で走査及びリピート
運動を行い、基板全体の露光を通して照射システムが所
望の照射特性を維持することを保証する。
次に、第３図を参照として、シームレス重畳六角形走
査機構について説明する。ａ−ｂ−ｇ−ｊ−ｈ−ｃで示
す正六角形36は任意の時点における基板上の照射領域を
表わす。基板はこの照射領域にわたつて右から左へ走査
される。照射ビーム（第１図の符号29）自体は投影レン
ズ組立体（第１図の符号26）と同様に静止しているのが
重要な点である。従つて、図解の都合上、ビームを横切
る基板の移動は、静止基板を横切る六角形照射領域の、
左から右への、走査として有効に示すことができる。こ
れを第３図に走査１として示す。六角形36の方位はその
一片、例えばｂ−ｇ、が走査方向に直角とされている。
次の走査を発生するために、最初に基板が走査方向と
直角な方向へ Ｗ＝1.5ｈ′ で定まる距離Ｗだけ移動し、ここにｈは六角形の各辺
の長さである。［Ｗは有効走査幅であることについては
後記する］基板に対する照射領域のこの新しい位置はｄ
−ｅ−ｎ−ｍ−ｋ−ｆで示す符号38である。次に、走査
１の発生と同じ方法で六角形照射領域38を横切して基板
を走査することにより符号39に示す走査２が発生する。
次に、ここに記載する走査及びリピート機構、すなわ
ち隣接走査間のシームレス重畳領域、の重要な局面につ
いて説明する。最初に非重畳領域を示す。走査１におい
て、六角形36の矩形部により掃引される領域は走査２の
いかなる部分とも重畳しない。同様に、走査２におい
て、六角形38の矩形部ｅ−ｆ−ｋ−ｎにより掃引される
領域は走査１のいかなる部分とも重畳しない。しかしな
がら、走査１において六角形36の三角形セグメントのａ
−ｂ−ｃにより掃引される領域は六角形38の三角形セグ
メントｄ−ｅ−ｆにより再掃引される。次に、重畳領域
内に受け入れられる累積露光量は非重畳領域内の量と同
じであり、走査１から走査２への遷移は不均一露光量シ
ームレスである。
第４図を参照として、基板の非重畳走査領域内の長さ
０（cm）、幅δ（cm）の細片40状の六角形セグメント
36を考える。I0（mW/cm2）を入射ビームの強度、Vx（cm
/秒）を走査速度、t0（秒）を基板が距離０を移動す
るのに要する時間とする。明らかに、t0＝0/Vxであ
る。基板の細片40が受容する露光量D0（mJ/cm2）は次式
で与えられる。
次に、ｂ−ｃからｙの距離、すなわち頂点ａからh/
2−ｙの距離で走査方向に平行で幅δの細片42を考え
る。細片42の長さは次式で与えられ、 従つて、基板が長さy1を走査するのに要する時間は
次式で表わされる。
従つて、細片42により走査される基板領域内に受容さ
れる量は次式で表わされる。
次に、六角形38により行なわれる走査を調べる。細片
42により走査される領域と重畳する領域を走査する六角
形38のセグメントは細片44であり、その幅はδ、長さは
次式で表わされる。
長さy2に対応する走査時間は次式で表わされる。
従つて、細片44により走査される基板領域内に受容さ
れる量は次式で表される。
従つて、重畳領域内の累積量は次式で表わされ、 すなわち、 従つて、基板の重畳領域内の任意の点で受容される総露
光量は非重畳領域内で受容される量と同じである。さら
に、（ａ）．六角形36,38により与えられる量は重畳領
域内で両方向に漸減し、（ｂ）．量はそれぞれ頂点a,d
においてゼロへ漸減するため、全体露光はシームレスで
ある。
前記説明において、基板の露光範囲に不連続性はない
が、Ｎ走査により露光される基板の（走査方向と直角方
向の）総幅はNwであるという感覚で、有効走査幅の定義
可能なパラメータがある。
前記走査及びリピート機構は全操作が同じ方向となる
ような設計とされている。従つて、各走査に対して基板
は右から左へ移動し、このような走査の終りに開始位置
へ戻り、走査方向と直角な方向へ距離Ｗだけ移動し、次
の走査に対して再び右から左へ移動する。第５図に示す
実施例において、走査方向は連続する各走査について右
から左及び左から右へと交番するようにされており、各
走査の終りに基板は完了したばかりの走査の開始位置へ
戻ることなく、各走査の終りに直角方向へＷだけ移動す
る。従つて、走査１ 50は左から右へ進み、その終りに
基板は距離W52だけ移動し、次に走査２ 54が右から左
へ行われ、その終りに基板は再び距離W56だけ移動し、
次に走査358が左から右へ行われ、以下同様に継続され
る。第５図に示す機構の他の全ての詳細は第３図の場合
と同様である。
次に、マスクの移動について説明する。投影レンズの
縮小率はＭであるため、マスク上のパターンは基板上に
イメージされるものよりもＭ倍大きい。基板がその上に
集積回路チツプを形成する半導体ウエハーであれば、マ
スク上の各チツプフイールドは基板上に形成されるチツ
プよりもＭ倍大きい。さらに、基板が静止照射ビームを
横切走査すると、マスクは基板のＭ倍の速度で同時に走
査される。しかしながら、基板走査の全長にわたつてマ
スク走査を中断せずに継続する場合には、マスクは恐し
く大きなサイズとしなければならず、例えば15.24cm
（６インチ）径の半導体ウエハーと５の投影レンズ縮小
率に対して、マスクは少くとも76.2cm（30インチ）でな
ければならず、これは実際的ではない。この問題は次の
ようにして解消される。マスク（第６図の符号60）は扱
い易いサイズ（例えば、25.4cm長）とされ、第６図の符
号62に示すように非常に少数ｍ（例えば、ｍ＝２）の完
全なチツプフイールドを含んでいる。マスク上のこれら
のチツプフイールドを横切する走査が完了すると、基板
及びマスクステージが共に停止する。（第７図の符号6
6,68）。次に、マスクステージが元の位置へリセットさ
れ、マスクと基板の同時走査が再開され（第７図参
照）、別のｍ個のチツプがイメージされ、その後マスク
が再びリセツトされる。これは基板の長さにわたつて走
査が完了するまで繰り返される。次に、基板だけが走査
方向と直角な方向へ有効走査幅Ｗだけ移動し、前記工程
は次の走査に対して反対方向に実施される。前記したよ
うに、有効マスク走査幅はマスクチツプフイールドの幅
を充分カバーするように設計されているため、ｙ−方
向、すなわち、走査方向と直角な方向へのマスクの移動
はない。走査幅よりも広いチツプフイールドを露光しな
ければならない場合には、マスクステージはｙ−方向へ
移動するように設計される。
マスク移動の基本的局面について説明してきたが、ｍ
個の完全なチツプフイールドと共に、マスクはさらにパ
ターン化された領域を有し、シームレス重畳走査原理に
より必要な場合、六角形マスク照射領域内に含まれる全
マスクエリアを基板上へイメージングできるようにしな
ければならないことを付記する。マスク上のこれらの付
加パターン化領域はｍ個の完全なチツプフイールド（第
8A図の符号70）、2m個の完全なチツプフイールド（第8B
図の符号72）、ｍ個の部分チツプフイールド（第8C図の
符号74）もしくは2m個の部分チツプフイールド（第8D図
の符号76）の形状とすることができる。
次に、マスク及び基板ステージの移動の詳細について
説明する。実施例において、照射源システム（第１図の
符号20）はレーザもしくはランプ等のパルス放射源を使
用している。このような状況において、基板及びマスク
ステージによる走査は多ステツプ運動からなり、このよ
うな各ステツプは照射源からのパルスの点火と同期化さ
れている。パルス繰返率をｆ（Hz）とする。すると、Vx
（cm/秒）の正味の基板ステージ走査速度に対して、基
板ステージの走査は、各々がVx/f（cm）の、多ステツプ
により行われる。明らかに、マスクステージステツプは
Ｍ倍大きい。マスクチツプフイールドを横切するステツ
ピングが完了すると、全ての運動が停止し、マスクステ
ージがリセツトされ、工程が前と同様に繰り返される。
ステージのこのような移動システムは２つの利点を有し
ている。第１に、照射源がパルスを点火する場合のみス
テージがステツプすることを保証する制御機構を設計す
ることにより均一な露光が得られる。第２に、基板及び
マスクステージがステツプワイズに同期化されるため、
任意所望の期間に正確なアライメントが可能である。従
つて、チツプごとにアライメントを実施し、且つ走査方
向に沿つたチツプ長がｃである場合には、照射源によ
りcf/Vxパルスが点火されるたびもしくはステージが
ステツプした後にアライメントを行わなければならな
い。照射源がパルス状ではなく連続的である場合には、
マスク−基板アライメント工程は照射源と関連せず、独
立に行なわれる。
最後に、前記実施例のバリエーシヨンについて説明す
る。‘２次元重畳走査’と呼ばれるこの実施例におい
て、マスク及び基板ステージの走査はｘ−方向及びｙ−
方向共同時に実施される。第９図を参照として、ｘ−方
向の走査は走査１ 80で左から右へ開始され、その方向
は走査１の終りに反転され、次に走査２ 82が右から左
へ実施され、走査３ 84が再び左から右へ、走査４ 86
が右から左へ、というふうに行われる。各ｘ−走査の幅
を第９図にＷとして示し、これは単なる図解用であり、
照射領域が六角形で走査１と３（及び走査２と３）間の
重畳が前と同様にシームレスであるため、Ｗは前記した
ように有効走査幅である。ｘ−方向の走査と同時に、基
板及びマスクはｙ−方向に連続的に走査される。ｙ−走
査速度は基板が一つの左から右への走査及び一つの右か
ら左への走査を完了するのに要する時間中に、基板はｙ
−方向に有効走査幅Ｗだけ移動するようにされている。
従つて、Vx及びVyがそれぞれ基板のｘ−及びｙ−走査速
度、lxが総走査長、tx及びtyがそれぞれｘ−及びｙ−方
向に長さlx及びＷを走査する時間とすれば、ty＝2txで
あるため、Vyは次のようにVxと関連ずけられる。
Vy/Vx＝W/2lx. マスクのｘ−及びｙ−走査速度はそれぞれMVx及びMVyで
あり、Ｍは、前と同様に、投影レンズ組立体の縮小率で
ある。
本発明に従つた実施例に進む前に、その重要な利点を
要約する。走査及びリピート機構により高解像度が得ら
れるだけでなく、同じ投影レンズ組立体を使用した従来
のステツパー型高解像度リソグラフイーシステムよりも
遥かに大きいチツプを露光することができる。第２図を
参照として、直径２ｈの円型フイールドサイズを有す
る投影レンズ組立体を考える。従来技術のステツパーリ
ソグラフイーシステムのレンズにより露光することがで
きるアスペクト比1:2（第２図の符号34）の最大矩形チ
ツプは ２hsin（tan-10.5）＝0.89ｈ の幅を有している。これに較べ、ここに記載する走査及
びリピートシステムはマスクをｙ−方向に移動すること
なくＷ＝1.5ｈの幅のチツプを露光することができ
る。走査及びリピートシステムがｙ−方向にマスクを移
動するように設計されておれば、基板幅と同幅のチツプ
を露光することができる。
実施例の前記説明において、いくつかの個別レンズエ
レメントからなるレンズ組立体である屈折投影サブシス
テムを考えた。別の実施例では、投影サブシステム内の
いくつかもしくは全ての光学要素を反射エレメント、例
えば、誘電もしくは金属ミラーとすることができる。こ
のような一つの実施例はある対象−イメージ比を有する
ように設計されＸ−線ミラーからなるＸ−線照射及びＸ
−線投影サブシステムを使用することができる。本発明
で説明したような、相補重畳多角形露光によるシームレ
ス線量照射走査及びリピートリソグラフイーの概念は、
さまざまな近接リソグラフイーシステム、すなわち投影
サブシステムがマスクと基板を分離するあるスペーシン
グからなり且つイメージ投影がシヤドープリンテイング
の形状をとるシステムにも応用できる。例えば、本発明
を採用した走査及びリピートＸ線近接リソグラフイーシ
ステムは基板上へマスクパターンをシヤドープリンテイ
ングするのに使用する多角形Ｘ線ビームを有することが
でき、マスクと基板は近接保持され本発明が教示するよ
うに隣接走査間で適切に重畳して同時に走査され基板の
均一なシームレス露光を生じる。また、多角形断面の電
子ビームを有し、マスク及び基板を同期走査し、重畳す
る隣接走査による相補露光を行うことにより近接プリン
テイングを使用した電子ビームリソグラフイシステムも
本発明の走査及びリピート概念を使用することができ、
基板全体にわたつて均一なシームレス放射線量を保証す
る。同様に、本発明は走査及びリピート光学コンタクト
もしくは近接リソグラフイシステムにも応用することが
できる。最後に、隣接走査による相補エツジ照射を行う
走査及びリピートリソグラフイーの概念は、多角形ビー
ムを基板上にフオーカスして基板を２次元移動させ基板
上に所望パターンを生成するマスクレスリソグラフイー
システムに応用することができる。
作動方法 本発明は次のステツプを使用して、高解像度、大フイ
ールド、高速リソグラフイー走査及びリピートリソグラ
フイーシステムを提供する方法を実施する。
1. 基板を保持し、基板を一次元で走査することがで
き、走査方向と直角な横方向に移動することができる基
板ステージを設ける。
2. マスクを保持し、基板ステージと同じデイメンジヨ
ンでマスクを走査することができるマスクステージを設
ける。
3. ある縮小率Ｍを有し、所望の解像度を生じるように
設計され、基板上のチツプの長さよりも小さいがチツプ
幅よりは小さくない径の円型イメージフイールドサイズ
を有する投影サブシステムを設ける。
4. 投影システムが要求する波長及び強度特性の放射を
生じ、円型イメージフイールド内に描画できる一片が
ｈの正六角形の照射領域を基板上に生成する照射サブシ
ステムを設ける。
5. ある数ｍの完全なパターン化チツプフイールド及び
マスク上の六角形照射領域内に入る付加パターン化領域
を有するマスクを設ける。
6. 速度Vxで基板の六角形基板照射領域を横切走査し、
同時に速度MVxでマスクを六角形マスク照射領域を横切
して平行方向に走査する。
7. ｍ個のチツプの露光完了時に基板及びマスク走査を
一時停止し、マスクステージをその開始位置へリセツト
し、基板及びマスクステージの走査を再開する。
8. 基板幅を横切する走査完了時に基板及びマスクを停
止させ、走査方向と直角な方向に1.5ｈに等しい距離
だけ基板を移動させ、ステツプ６及び７の各方向と反対
方向に基板及びマスクステージの走査を再開する。
9. ステツプ６〜８の間に所望のチツプ間隔で基板及び
マスクステージをアラインする。
10. 基板全体の露光が完了するまでステツプ６〜９を
繰り返す。
例 次に、本発明に従つた走査及びリピートリソグラフイ
ーシステムの一つの設計例を示す。第２図の符号32に示
す基板上の六角形照射領域は投影レンズ組立体（第１図
の符号26）の有効方形フイールドサイズ（第２図の符号
33）の一辺の長さである が10.0mmとなるようにされている。次に、正六角形の一
辺の長さｈは であり、投影レンズ組立体の円型イメージフイールドサ
イズ（第２図の符号31）は２ｈ＝２×7.07mm＝14.1mm
の径を有している。投影レンズ組立体の縮小率は５であ
る。マスク上の照射領域は一辺が５×7.07mm＝35.4mmの
正六角形である。
基板ステージは200mm径半導体ウエハーを保持するよ
うに設計されている。基板ステージはVx＝100mm/秒の速
度でｘ−方向に走査する。各ｘ−走査の長さは被走査基
板のセグメントにより決定され、基板中心及びその付近
の走査については基板径（200mm）に等しい。最初のｘ
−走査（第５図の符号50）の終りに、基板ステージは1.
5ｈ＝1.5×7.07mm＝10.6mmとなるように設計された、
有効走査幅Ｗ（第５図の符号52）に等しい距離だけｙ−
方向に移動する。Ｗ（＝10.6mm）だけｙ−移動した後、
基板は負ｘ−方向（第５図の符号54）に走査し、その終
りにさらに10.6mmだけｙ−移動を行い、且つさらにｘ−
走査（第５図の符号58）がｘ−方向に開始される。この
工程は完全な基板が走査されるまで継続する。基板走査
と同時に、マスクステージは5Vx＝500mm/秒の速度で走
査を行い、基板ステージが方向反転する場合には常に方
向反転する。
本例において、基板上の各チツプフイールドは10.6mm
幅（有効走査幅Ｗと同じ）と22.0mm長（第７図参照）を
有している。マスク上のチツプフイールドは５倍大き
い、すなわち、53.0mm×110.0mmである。マスクブラン
クはおよそ125mm幅、250mm幅長であり、第8A図に示すよ
うに４つの完全なチツプフイールドがパターン化されて
いる。基板上であれマスク上であれ、チツプフイールド
の次元はカーフ、すなわち隣接フイールド間のスペーシ
ングを含むように定義されている。
マスクはｘ−方向のみに走査し、その走査長は２つの
マスクチツプフイールドの長さ（220mm）である。マス
クが220mmの長さを走査した後、マスク及び基板ステー
ジが共に一時停止し、マスクステージは元の位置（第７
図参照）へリセツトされ、マスクと基板の同期走査が再
開される。さらに２つのチツプフイールドを走査した
後、マスクステージは再びリセツトされ、前記工程は基
板全体の露光中継続される。
投影レンズ組立体は狭ライン周波数安定化ケプトンフ
ツ化物（KrF）エキシマーレザー源からλ＝248.4±0.00
3nmの波長で作動する設計とされている。基板側の投影
レンズ組立体の開口数はNAw＝0.46であり、 Ｒ＝ｋλ/NAw を使用して0.35の解像度値Ｒを与えるように設計され、
ここでｋの値は0.65とされている。縮小率Ｍ＝５である
と、マスク側の投影レンズ組立体の開口数（第１図参
照）は NAm＝Ｍ×NAw＝0.092. となる。マスクの照射は部分コヒーレント係数σ＝0.6
となるように行われる。従つて、マスク上の照射の有効
開口数は NAms＝NAm/σ＝0.153. となる。有効面（第１図の符号21）のサイズは基板上の
六角形照射領域、すなわちマスク上の六角形照射領域の
サイズの1/M、と同じになるように設計されている。従
つて、ソース面におけるソースの有効開口数NAsは NAs＝Ｍ×NAms＝0.767. となるように設計されている。
エキシマレーザーソースは204Hzの繰返率で脈動され
る。（204Hzのレーザーパルス繰返率の選定について
は、ウエハースループツトの計算に関して後記する。）
基板ステージの走査はレーザパルスと同期化されたステ
ツプ、従つて、レーザパルスが点火するたびに行われ、
基板ステージは0.49mm移動する。（これにより、100mm/
秒の有効基板走査速度が与えられる。）同様に、2.45mm
ごとのステツプのマスクステージ走査もレーザーパルス
と同期化されている。
次に、このような走査及びリピートリソグラフイーシ
ステムにおけるウエハースループツト、すなわち毎時露
光されるウエハー数を計算する。基板上の六角形照射領
域は幅ｄ（例えば、第３図のｂ−ｃ）を有し、次式で
与えられる。
Vx＝10cm/秒の基板走査速度に対して、六角形幅ｄ
が次式で示す時間td内に走査される。
ｆ＝204Hzのレーザパルス繰返率では、基板が距離
ｄを走査するのに要する時間中に点火されるパルス数は
次式で表わされる。
従つて、ウエハーの各点がＮ＝25のレーザパルスから
累積露光を受ける。（Ｎを整数とするために、レーザパ
ルス繰返率は例えば200Hzではなく204Hzに選定されたこ
とが判る。）ウエハーのレーザパルスエネルギー密度Ew
（mJ/cm2）は、受容される総露光量が使用するホトレジ
ストの感度Ds（mJ/cm2）に等しくなるように決定され
る。従つて、 すなわち、 となる。
例えば、感度Ds＝50mJ/cm2のホトレジストを使用する
と、ウエハーのレーザパルスエネルギ密度はEw＝2mJ/cm
2でなければならない。ウエハー上の六角形照射領域の
面積Ａは次式で表わされるため、 ウエハーのパルス当りエネルギーewは、 ew＝AEw＝1.5hDsVx/f ＝2.6mJ. となる。
従つて、ウエハーへの入射パワーは pw＝few＝1.5hDsVx＝0.53W. となる。
レーザと基板間の完全な光学系に対する有効転送効率
η＝20％とすれば、レーザの放出パワーは次式で表わさ
れる。
pL＝pw/η＝1.5hDsVx/η＝2.65W. 前記した式を使用して、所要レーザパワー及び各点の
重畳パルス数等のさまざまな量をレジスト感度、走査速
度、パルス繰返率及び照射領域サイズを含む任意他のパ
ラメータセツトに対して計算することができる。例え
ば、他のパラメータを前と同じにした場合、303Hzの繰
返率によりＮ＝37、Ew＝1.35mJ/cm2、ew＝1.76mJとな
り、レーザからのパワーはPL＝2.65Wのままである。ｆ
＝204Hzでレジスト感度Ds＝10mJ/cm2を使用すると、前
に計算したようにＮ＝25となるが、Ew＝0.4mJ/cm2、ew
＝0.52mJ、Pw＝106mWとなる。10,50,100mJ/cm2のレジス
ト感度及び98,204,303Hzのレーザパルス繰返率に対する
このような結果の完全なセツトを第Ｉ表に示す。
さまざまなサイズのウエハーを露光するのに要する総
走査時間は次のように計算される。Vx（＝100mm/秒）の
速度で走査が行われ且つ有効走査幅Ｗ（＝1.5ｈ＝10.
6mm）であるため、毎秒露光される有効面積は次式で表
わされる。
ａ＝WVx＝1.5hVx＝10.6cm2 従つて、径がdwでAw＝πdW2/4の面積を有するウエハ
ーが次式で示される時間内に露光される。
125mm,150mm,200mmの径を有するウエハーの面積はそ
れぞれ122.7cm2、176.7cm2、314.2cm2となる。従つて、
125mm、150mm、200mm径のウエハーに対する総露光時間
はそれぞれｔe,125＝11.6秒、ｔe,150＝16.7秒、ｔ
e,200＝29.6秒となる。
径の異なるウエハー上の幅Ｗ（＝10.6mm）、長さｃ
＝（22.0mm）のチツプ数ncは、ウエハー面積Awをチツプ
面積Ac（＝2.33cm2）で除して計算される。従つて、 となる。
125mm,150mm,200mm径ウエハーに対するncの値はそれ
ぞれ52,75,134である。
こうして、次のようにウエハースループツトが得られ
る。
te＝ウエハー当り総露光時間、 nc＝ウエハー当りチツプ数 さらに、 ta＝アライメントイベント当りアライメント時間、 naはnaチツプごとに一度行われるアライメントを示
し、 tOH＝（ロード、アンロード、レベル、フオーカス、
セツトル及び停止を含む）ウエハー当り総オーバヘツド
時間 Ｗ＝毎時ウエハースループツト とすると、ウエハーをリソグラフイーマシンに循環させ
るのに要する総時間は次式で与えられる。
tt＝te＋tOH＋tanc/na. 従つて、毎時スループツトは次式で表わされる。
Ｗ＝3600/tt ＝3600/（te＋tOH＋tanc/na） すなわち、 ウエハースループツトの前記一般式は任意のパラメータ
セツトh,Vx,nc,ta,na,dw,tOHに使用して、考慮する所
与の条件に対するウエハースループツト結果を生じるこ
とができる。例えば、dw＝150mmのウエハーで４番目チ
ツプごとにアライメントが行われ（すなわち、na＝
４）、ｈ＝7.07mm,Vn＝100mm/秒、nc/na＝19、ta＝0.
4秒,tOH＝20秒を使用すると、Ｗ＝81.3ウエハー／時と
なる。10番目チツプごとにアライメントを行う場合に
は、nc/na＝８を使用してＷ＝90.2ウエハー／時が得ら
れる。サイドバイサイトアライメント（すなわち、na＝
１）に対しては、Ｗ＝54.0ウエハー／時となる。第II表
にそれぞれ３つの異なるアライメント条件における125,
150,200mm径のウエハーに対する完全なウエハースルー
プツト値セツトを示す。
【図面の簡単な説明】
第１図は照光システム、マスクステージに保持されたマ
スク、投影レンズ組立体、基板ステージに保持された基
板及び制御システムを示す、走査及びリピートリソグラ
フイシステムの構成図、第２図は投影レンズの有効円型
及び方形イメージフイールドサイズ、基板上の六角形照
光領域、及び有効走査幅を示す線図、第３図は２つの走
査間でシームレス露光遷移を発生する２つの六角形照光
領域間の重畳領域における２つの走査及び相補露光を示
す走査及びリピート機構図、第４図はシームレス重畳六
角形走査の原理を示す図、第５図は各連続走査ごとに左
から右及び右から左へ交番する走査方向と各走査の終り
における基板の移動Ｗを示す走査及びリピート機構の実
施例を示す図、第６図はマスク上のチツプフイールドの
レイアウトを示す図、第７図は基板上のチツプフイール
ド及びマスクステージのリセツトが行われる位置を示す
図、第8A図から第8D図までは隣接走査間の重畳領域で相
補露光を行いシームの発生を防止する六角形走査フイー
ルドマスクチツプフイールドを並置した代表的なマスク
レイアウトを示す構成図であり、第8A図は2m個の完全な
チツプフイールドを含むマスクレイアウトの詳細図、第
8B図は3m個の完全なチツプフイールドを含むマスクレイ
アウトの詳細図、第8C図はｍ個の完全なチツプフイール
ドとｍ個の部分的チツプフイールドを含むマスクレイア
ウトの詳細図、第8D図はｍ個の完全なチツプフイールド
と2m個の部分的チツプフイールドを含むマスクレイアウ
トの詳細図、第９図は高解像度リソグラフイーに対する
同時２次元走査の原理を示す線図である。 参照符号の説明 10……基板 12……基板ステージ 14……マスク 16……マスクステージ 18……照射システム 20……照射源システム 22……リレーレンズ 24……ビームステアリング手段 26……投影レンズ組立体 28……レンズエレメント 30……制御システム

Claims (22)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】マスク上に存在するパターンの精密なイメ
    ージを基板上へ生成する高解像度、高露光速度、大有効
    フィールドサイズ走査及びリピートリソグラフィー装置
    において、該装置は、 （ａ）．基板を一次元で走査することができ、この次元
    で走査していない場合には、走査方向と直角な方向に横
    方向に移動して基板をもう一つの走査に対して位置決め
    することができる基板ステージであって、前記基板ステ
    ージは基板面積をある数の平行細片に分割することによ
    り基板全体を露光することができ且つ固定照射領域にわ
    たって細片の長さを走査することにより前記各細片を露
    光することができる基板ステージと、 （ｂ）．基板ステージ走査速度にある比率Ｍを乗じた速
    度で基板ステージと同じ次元でそれと同期して走査する
    ことができるマスクステージと、 （ｃ）．所望の波長及び強度分布特性を有し、多角形の
    有効ソース面を有し、マスク上の多角形領域を均一に照
    射することができる照射システムと、 （ｄ）．対象対イメージ縮小比Ｍを有し、所望のイメー
    ジ解像度を有し、多角形で前記リソグラフィーシステム
    の所望の有効イメージフィールドサイズよりも小さい面
    積のイメージフィールドを有してマスク上の前記多角形
    照射領域を基板上へイメージする投影サブシステムと、 （ｅ）．ある速度Vxで基板の多角形照射領域を横切走査
    し、同時に速度MVxでマスクの多角形照射領域を平行な
    方向に横切走査し、次いで走査方向に沿った基板の走査
    完了時に基板とマスクの走査を停止し、走査方向と直角
    な方向にある距離だけ基板を移動させ、次いで基板及び
    マスクの走査を再開して、前記基板、前記マスク及び前
    記照射サブシステムを作動的に相関させて、隣接走査に
    より露光されるべき領域間の重畳領域内に於て相補露光
    を行い、もって重畳領域内に受容される露光量分布がシ
    ームレスとなり且つ基板全体にわたって放射される露光
    量が均一となるようにする制御手段、 とを具備する走査及びリピートリソグラフィー装置。
  2. 【請求項２】請求項１記載の走査及びリピートリソグラ
    フィー装置において、 （ａ）．前記照射サブシステムは正六角形の有効ソース
    面を有し、マスク上の正六角形領域を照射し、前記正六
    角形領域はその二辺が走査方向と直角になるような方位
    とされており、 （ｂ）．前記投影サブシステムは正六角形のイメージフ
    ィールドを有し、前記正六角形ほその二辺が走査方向と
    直角になるような方位とされており、 （ｃ）.2つの隣接走査の中心線間の横方向分離により定
    義される各基板走査の有効幅Ｗは次式で与えられ、 Ｗ＝1.5ｈ′ ここに、ｈは基板上の正六角形イメージフィールドの
    各辺の長さである、 走査及びリピートリソグラフィー装置。
  3. 【請求項３】請求項２記載の走査及びリピートリソグラ
    フィー装置において、各基板走査の前記有効幅は基板上
    の各チップの幅に等しく、基板上の各チップの幅は走査
    方向と直角な方向に基板上のチップが繰り返す周期的距
    離として定義される走査及びリピートリソグラフィー装
    置。
  4. 【請求項４】請求項１記載の走査及びリピートリソグラ
    フィー装置において、 （ａ）．任意の走査における基板の移動方向は隣接走査
    における基板の移動方向と反対であり、 （ｂ）．任意の走査におけるマスクの移動方向は隣接走
    査におけるマスクの移動方向と反対である、走査及びリ
    ピートリソグラフィー装置。
  5. 【請求項５】請求項１記載の走査及びリピートリソグラ
    フィー装置において、 （ａ）．マスク上の走査方向のチップフィールド数は基
    板上の最長走査時のチップ数よりも小さなある数Nmに等
    しく、 （ｂ）．前記制御手段は走査を監視し、Nm個のチップご
    との基板及びマスクステージによる同期走査が決定され
    ると、基板ステージを一時停止させ、マスクステージを
    元の位置へリセットさせ、基板とマスクステージの同期
    走査を再開させる、 走査及びリピートリソグラフィー装置。
  6. 【請求項６】請求項１記載の走査及びリピートリソグラ
    フィー装置において、前記照射サブシステムはある繰返
    周波数で脈動する放射を与える、走査及びリピートリソ
    グラフィー装置。
  7. 【請求項７】請求項６記載の走査及びリピートリソグラ
    フィー装置において、前記パルス放射はエキシマレーザ
    により放出される走査及びリピートリソグラフィー装
    置。
  8. 【請求項８】請求項１記載の走査及びリピートリソグラ
    フィー装置において、前記照射サブシステムはマスク上
    に多角形領域のＸ線照射を行う、走査及びリビートリソ
    グラフィー装置。
  9. 【請求項９】請求項１記載の走査及びリピートリソグラ
    フィー装置において、前記照射サブシステムはマスク上
    に多角形領域の電子ビーム照射を行う、走査及びリピー
    トリソグラフィー装置。
  10. 【請求項１０】請求項６記載の走査及びリピートリソグ
    ラフィー装置において、 （ａ）．基板ステージの走査は ds＝Vx/f, であるような、多数の長さdsのある単位移動で構成され
    ており、Vxは有効基板走査速度でありｆは照射サブシス
    テムのパルス繰返周波数であり、 （ｂ）．マスクステージ走査は dm＝Mds. であるような、多数の長さdmの単位移動で構成されてい
    る、走査及びリピートリソグラフィー装置。
  11. 【請求項１１】請求項10記載の走査及びリピートリソグ
    ラフィー装置において、前記制御手段はマスク及びウェ
    ハーを互いに周期的に再アライメントし、連続する再ア
    ライメント間の期間中に前記照射システムから放出され
    るパルス数を監視することにより前記期間を決定する、
    走査及びリピートリソグラフィー装置。
  12. 【請求項１２】請求項11記載の走査及びリピートリソグ
    ラフィー装置において、連続する再アライメント間の前
    記期間中に前記照射システムにより放射されるパルス数
    はcf/Vxの倍数であり、ここにｃは基板上のチップ
    の走査方向の長さである、走査及びリピートリソグラフ
    ィー装置。
  13. 【請求項１３】請求項１記載の走査及びリピートリソグ
    ラフィー装置において、前記マスクステージは、前記し
    たような走査が可能な上に、走査方向と直角な横方向に
    移動可能である、走査及びリピートリソグラフィー装
    置。
  14. 【請求項１４】請求項１記載の走査及びリピートリソグ
    ラフィー装置において、 （ａ）．前記投影システムの前記対象対イメージ比は５
    であり、 （ｂ）．マスク走査速度と基板定査速度の比は５であ
    る、走査及びリピートリソグラフィー装置。
  15. 【請求項１５】請求項１記載の走査及びリピートリソグ
    ラフィー装置において、 （ａ）．前記投影サブシステムの前記対象対イメージ比
    は１であり、 （ｂ）．マスク走査速度と基板速度の比は１である、走
    査及びリピートリソグラフィー装置。
  16. 【請求項１６】請求項１記載の走査及びリピートリソグ
    ラフィー装置において、前記照射システムの波長は251
    ±3nmの範囲内である、走査及びリピートリソグラフィ
    ー装置。
  17. 【請求項１７】高解像度、大フィールド、高速リソグラ
    フィーの走査及びリピートリソグラフィー装置を提供す
    る方法において、該方法は次のステップ、すなわち （ａ）．基板を保持し、一次元で基板を走査することが
    でき且つ走査方向と直角な横方向に移動することができ
    る基板ステージを設け、 （ｂ）．マスクを保持し、基板ステージと同じ次元でマ
    スクを走査することができるマスクステージを設け、 （ｃ）．波長及び強度分布の所望特性を有し、多角形の
    有効ソース面を有し且つマスク上の多角形領域を均一に
    照射することができる照射サブシステムを設け、 （ｄ）．対象対イメージ縮小比Ｍを有し、所望の解像度
    を有し、多角形で前記リソグラフィー装置の所望の有効
    イメージフィールドサイズよりも小さい面積のイメージ
    フィールドを有してマスク上の前記多角形照射領域を基
    板上へイメージする投影サブシステムを設け、 （ｅ）．ある数の完全なパターン化きれたチップフィー
    ルドとマスク上の六角形照射領域内に入る付加パターン
    化領域を有するマスクを設け、 （ｆ）．ある速度Vxで基板の多角形基板照射領域を横切
    走査し、同時に速度MVxでマスクの多角形マスク照射領
    域を平行な方向に横切走査し、 （ｇ）．走査方向に沿った基板全長の走査完了時に基板
    とマスクの走査を停止し、走査方向と直角な方向にある
    距離だけ基板を移動させ、ステップ（ｆ）における各方
    向と反対方向に基板及びマスクステージの走査を再開
    し、 （ｈ）．隣接走査により露光される領域間の重畳領域内
    で相補露光を行って、基板上に受容される露光量分布の
    シームが前記走査間で存在せず、基板全体にわたって照
    射される露光量が均一となるようにし、 （ｉ）．基板全体の露光が完了するまでステップ（ｆ）
    〜（ｈ）を繰り返す、 ことを特徴とする走査及びリピートリソグラフィー装置
    提供方法。
  18. 【請求項１８】請求項17記載の方法において、さらにス
    テップ（ｆ）〜（ｉ）中の所望期間において基板とマス
    クステージをアライニングするステップを含む、走査及
    びリピートリソグラフィー装置提供方法。
  19. 【請求項１９】請求項17記載の方法において、さらに最
    長基板走査上のチップ数よりも少いあるチップ数の露光
    完了時に基板及びマスクステージの走査を一時的に繰返
    し停止し、マスクステージをその開始位置へリセット
    し、基板及びマスクステージの走査を再開するステップ
    を含む、走査及びリピートリソグラフィー装置提供方
    法。
  20. 【請求項２０】マスク上に存在するパターンの精密なイ
    メージを基板上に生成する高解像度、高露光速度、大有
    効フィールドサイズ走査及びリピートリソグラフィー装
    置において、該装置は、 （ａ）．基板をある次元ｘで走査することができ、同時
    にｘ次元と直角なｙ次元に基板を走査することができ
    て、ｘ次元の一つの走査を完了する時に基板ステージを
    同時にｙ次元に横方向に移動させてｘ次元のもう一つの
    走査に対して基板を位置決めすることができ、従って前
    記基板ステージは基板領域をある数の細片へ分割するこ
    とにより基板全体を露光することができ、一定照射領域
    を横切して細片長を走査することにより前記各細片を露
    光することができる基板ステージと、 （ｂ）．対応する基板ステージ走査速度よりもある比率
    Ｍだけ速いｘ及びｙ次元速度で、基板ステージと同じ２
    次元でそれと同期的に走査することができるマスクステ
    ージと、 （ｃ）．所望の波長及び強度分布特性と、多角形の有効
    ソース面を有し、マスク上の多角形領域を均一に照射可
    能な照射サブシステムと、 （ｄ）．対象対イメージ縮小率Ｍと、所望のイメージ解
    像度と、多角形で前記リソグラフィー装置の所望の有効
    イメージフィールドサイズよりも小さな面積を有し、マ
    スク上の前記多角形照射領域を基板上へイメージングす
    る投影サブシステムと、 （ｅ）.2次元のある速度で基板をｘ−及びｙ−次元で同
    時に多角形照射領域を横切走査し、且つ対応する基板速
    度にＭを乗じた速度でマスクをｘ−及びｙ−次元で同時
    に多角形照射領域を横切走査し、次いでｘ−次元での基
    板全長にわたる走査完了時に基板及びマスクの走査を停
    止、ｘ−次元の走査方向を反転し、次いで基板及びマス
    クの同時２次元走査を再開して、前記基板、前記マスク
    及び前記照射サブシステムを作動的に相関させて、隣接
    走査により露光されるべき領域間の重畳領域内に於て相
    補露光を行い、もって重畳領域内に受容される露光量分
    布がシームレスとなり且つ基板全体にわたって照射され
    る露光量が均一となるようにする制御手段、 とを具備する走査及びリピートリソグラフィー装置。
  21. 【請求項２１】高解像度、大フィールド、高速リソグラ
    フィー用走査及びリピートリソグラフィー装置を提供す
    る方法において、該方法は次のステップ、すなわち、 （ａ）．基板を保持し且つある２次元ｘ及びｙで同時に
    基板を走査することができる基板ステージを設け、 （ｂ）．マスクを保持し且つマスクをｘ−及びｙ−次元
    で同時に走査することができるマスクステージを設け、 （ｃ）．所望の波長及び強度分布特性を有し、多角形の
    有効ソース面を有し、且つマスク上の多角形領域を均一
    に照射することができる照射サブシステムを設け、 （ｄ）．対象対イメージ縮小比Ｍを有し、所望のイメー
    ジ解像度を有し、且つ多角形で前記リソグラフィー装置
    の所望の有効イメージフィールドサイズよりも小さな面
    積のイメージフィールドを有して、マスク上の前記多角
    形照射領域を基板上へイメージングする投影サブシステ
    ムを設け、 （ｅ）.2次元のある速度で基板をｘ−及びｙ−次元で同
    時に多角形基板照射領域を横切走査し、且つ対応する基
    板ステージ速度にＭを乗じた速度でマスクをｘ−及びｙ
    −次元で同時に多角形マスク照射領域を横切走査し、 （ｆ）.x−次元での基板全長にわたる走査完了時に基板
    及びマスクステージの走査を停止、ｘ−次元の走査方向
    を反転し、ステップ（ｅ）におけるような基板及びマス
    クステージの同時２次元走査を再開し、 （ｇ）．隣接平行走査による露光される領域間の重畳領
    域において相補露光を行って、基板上に受容される露光
    量分布のシームが前記走査間で存在せず且つ基板全体に
    わたって照射される露光量が均一になるようにし、 （ｈ）．基板全体の露光が完了するまでステップ（ｅ）
    〜（ｇ）を繰り返す、 ことを特徴とする走査及びリピートリソグラフィー装置
    提供方法。
  22. 【請求項２２】請求項21記載の方法において、さらにス
    テップ（ｅ）〜（ｈ）中の所望期間において基板及びマ
    スクステージをアライニングするステップを含む、走査
    及びリピートリソグラフィー装置提供方法。
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