TWI753865B - 用於高解析度電子圖案化的無針跡直接成像 - Google Patents

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維爾納 埃施克
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Abstract

一種製造物件之方法包含：接收一電腦輔助設計檔案，該電腦輔助設計檔案含有供直寫於一表面上之電路設計資料，該電腦輔助設計檔案包含欲在該表面上製作之大量物件之電腦輔助設計資料；將一直寫機器自動配置成基於該電腦輔助設計資料以複數次掃描將直寫資料直寫於該表面上，每次掃描皆具有較該表面之一寬度小之一掃描寬度，該自動配置步驟包含將欲在該複數次掃描其中之每一者中以一並排方式寫成之該大量物件之該直寫資料排列成處於該掃描寬度內，藉以免除在相鄰掃描之間的直寫資料之縫合；以及操作該直寫機器以在該表面上形成該大量物件。

Description

用於高解析度電子圖案化的無針跡直接成像
本發明係關於直接成像，且更具體而言，係關於雷射直接成像電子圖案化。
各種類型之直接成像系統已為人所知。
本發明力圖提供一種改良之用於高解析度電子圖案化之直接成像系統。
因此，根據本發明之一較佳實施例，提供一種製造物件之方法，其包含：接收一電腦輔助設計（computer aided design；CAD）檔案，該電腦輔助設計檔案含有供直寫於一表面上之電路設計資料，該電腦輔助設計檔案包含欲在該表面上製作之大量物件之電腦輔助設計資料；將一直寫機器（direct write machine）自動配置成基於該電腦輔助設計資料以複數次掃描將直寫資料（direct writing data）直寫於該表面上，每次掃描皆具有較該表面之一寬度小之一掃描寬度（scan width），該自動配置步驟包含將欲在該複數次掃描其中之每一者中以一並排方式（side by side manner）寫成之該大量物件之該直寫資料排列成處於該掃描寬度內，藉以免除在相鄰掃描之間的直寫資料之縫合（stitching）；以及操作該直寫機器以在該表面上形成該大量物件。
較佳地，該方法亦包含對該表面執行光學成像。
較佳地，該自動配置步驟包含修改自該電腦輔助設計檔案導出之資料，以將藉由該光學成像而發現的於該表面之一構形及一位置至少其中之一的不準確性及變形至少其中之一考量在內。
較佳地，該直寫資料被配置成使得任何物件皆係藉由不多於一單次掃描而寫成。
根據本發明之一較佳實施例，物件係由多個層形成，該多個層係被依序彼此上下對齊地寫成，且該自動配置步驟包含將該直寫機器自動配置成基於該電腦輔助設計資料以該複數次掃描將該多個層其中之每一者之直寫資料直寫於該表面上，每次掃描皆具有較該表面之該寬度小之一掃描寬度，該自動配置步驟包含將欲在該複數次掃描其中之每一者中以一並排方式寫成之該大量物件之該多個層之該直寫資料排列成處於該掃描寬度內，藉以免除在相鄰掃描之間的直寫資料之縫合。
較佳地，該複數次掃描其中之每次掃描之一範圍係由一掃描縫（scan seam）界定，該直寫資料被配置成使得每一該掃描縫係位於該等物件之間且不疊蓋該等物件。
較佳地，該複數次掃描其中之複數個相鄰者之掃描縫相互間隔開。另一選擇為，該複數次掃描其中之複數個相鄰者之掃描縫係鄰接的。又一選擇為，該複數次掃描其中之複數個相鄰者之掃描縫係交疊的。
較佳地，該表面包含一平板顯示器，且該等物件包含該平板顯示器之複數個胞元（cell）。
另一選擇為，該表面包含一晶圓，且該等物件包含複數個晶粒。
較佳地，該直寫機器包含一單一讀/寫總成（read/write assembly），該複數次掃描係藉由該讀/寫總成依序執行。
另一選擇為，該直寫機器包含二或更多個讀/寫總成，該複數次掃描係藉由使該等讀/寫總成至少部分地相互同時運作而執行。
根據本發明之另一較佳實施例，更提供一種配置一直寫機器之方法，其包含：接收一電腦輔助設計檔案，該電腦輔助設計檔案含有供直寫於一表面上之電路設計資料，該電腦輔助設計檔案包含欲在該表面上製作之大量物件之電腦輔助設計資料；以及將一直寫機器自動配置成基於該電腦輔助設計資料以複數次掃描將直寫資料直寫於該表面上，每次掃描皆具有較該表面之一寬度小之一掃描寬度，該自動配置步驟包含將欲在該複數次掃描其中之每一者中以一並排方式寫成之該大量物件之該直寫資料排列成處於該掃描寬度內，藉以免除在相鄰掃描之間的直寫資料之縫合。
較佳地，該配置一直寫機器之方法亦包含對該表面執行光學成像。
較佳地，該自動配置步驟包含修改自該電腦輔助設計檔案導出之資料，以將藉由該光學成像而發現的於該表面之一構形及一位置至少其中之一的不準確性及變形至少其中之一考量在內。
較佳地，該直寫資料被配置成使得任何物件皆係藉由不多於一單次掃描而寫成。
根據本發明之配置一直寫機器之方法之一較佳實施例，該等物件係由多個層形成，該多個層係被依序彼此上下對齊地寫成，且該自動配置步驟包含將該直寫機器自動配置成基於該電腦輔助設計資料以複數次掃描將該多個層其中之每一者之直寫資料直寫於該表面上，每次掃描皆具有較該表面之一寬度小之一掃描寬度，該自動配置步驟包含將欲在該複數次掃描其中之每一者中以一並排方式寫成之該大量物件之該多個層之該直寫資料排列成處於該掃描寬度內，藉以免除在相鄰掃描之間的直寫資料之縫合。
較佳地，該複數次掃描其中之每次掃描之一範圍係由一掃描縫界定，該直寫資料被配置成使得每一該掃描縫係位於該等物件之間且不疊蓋該等物件。
較佳地，該複數次掃描其中之複數個相鄰者之掃描縫相互間隔開。另一選擇為，該複數次掃描其中之複數個相鄰者之掃描縫係鄰接的。又一選擇為，該複數次掃描其中之複數個相鄰者之掃描縫係交疊的。
較佳地，該表面包含一平板顯示器，且該等物件包含該平板顯示器之複數個胞元。
另一選擇為，該表面包含一晶圓，且該等物件包含複數個晶粒。
較佳地，該直寫機器包含一單一讀/寫總成，該複數次掃描係藉由該讀/寫總成依序執行。
另一選擇為，該直寫機器包含二或更多個讀/寫總成，該複數次掃描係藉由使該等讀/寫總成至少部分地相互同時運作而執行。
根據本發明之另一較佳實施例，另外提供一種用於製造物件之系統，其包含：一直寫機器；以及一自動直寫機器配置（automatic direct writing machine configuration；ADWMC）單元，用於：接收一電腦輔助設計檔案，該電腦輔助設計檔案含有供直寫於一表面上之電路設計資料，該電腦輔助設計檔案包含欲在該表面上製作之大量物件之電腦輔助設計資料；以及將該直寫機器自動配置成基於該電腦輔助設計資料以複數次掃描將直寫資料直寫於該表面上，每次掃描皆具有較該表面之一寬度小之一掃描寬度，該自動配置操作包含將欲在該複數次掃描其中之每一者中以一並排方式寫成之該大量物件之該直寫資料排列成處於該掃描寬度內，藉以免除在相鄰掃描之間的直寫資料之縫合。
較佳地，該系統亦包含用於對該表面執行光學成像之一光學成像器。
較佳地，該自動直寫機器配置單元修改自該電腦輔助設計檔案導出之資料，以將藉由該光學成像而發現的於該表面之一構形及一位置至少其中之一的不準確性及變形至少其中之一考量在內。
較佳地，該直寫資料被配置成使得任何物件皆係藉由不多於一單次掃描而寫成。
根據本發明之用於製造物件之系統之一較佳實施例，該等物件係由多個層形成，該多個層係被依序彼此上下對齊地寫成，且該自動直寫機器配置單元將該直寫機器自動配置成基於該電腦輔助設計資料以複數次掃描將該多個層其中之每一者之直寫資料直寫於該表面上，每次掃描皆具有較該表面之一寬度小之一掃描寬度，該自動配置操作包含將欲在該複數次掃描其中之每一者中以一並排方式寫成之該大量物件之該多個層之該直寫資料排列成處於該掃描寬度內，藉以免除在相鄰掃描之間的直寫資料之縫合。
較佳地，該複數次掃描其中之每次掃描之一範圍係由一掃描縫界定，該直寫資料被配置成使得每一該掃描縫係位於該等物件之間且不疊蓋該等物件。
較佳地，該複數次掃描其中之複數個相鄰者之掃描縫相互間隔開。另一選擇為，該複數次掃描其中之複數個相鄰者之掃描縫係鄰接的。又一選擇為，該複數次掃描其中之複數個相鄰者之掃描縫係交疊的。
較佳地，該表面包含一平板顯示器，且該等物件包含該平板顯示器之複數個胞元。
另一選擇為，該表面包含一晶圓，且該等物件包含複數個晶粒。
較佳地，該直寫機器包含一單一讀/寫總成，該複數次掃描係藉由該讀/寫總成依序執行。
另一選擇為，該直寫機器包含二或更多個讀/寫總成，該複數次掃描係藉由使該等讀/寫總成至少部分地相互同時運作而執行。
根據本發明之又一較佳實施例，亦提供一種用於配置一直寫機器之系統，其包含：一自動直寫機器配置（ADWMC）單元，用於：接收一電腦輔助設計檔案，該電腦輔助設計檔案含有供直寫於一表面上之電路設計資料，該電腦輔助設計檔案包含欲在該表面上製作之大量物件之電腦輔助設計資料；以及將一直寫機器自動配置成基於該電腦輔助設計資料以複數次掃描將直寫資料直寫於該表面上，每次掃描皆具有較該表面之一寬度小之一掃描寬度，該自動配置操作包含將欲在該複數次掃描其中之每一者中以一並排方式寫成之該大量物件之該直寫資料排列成處於該掃描寬度內，藉以免除在相鄰掃描之間的直寫資料之縫合。
較佳地，本發明之用於配置一直寫機器之系統亦包含用於對該表面執行光學成像之一光學成像器。
較佳地，該自動直寫機器配置單元修改自該電腦輔助設計檔案導出之資料，以將藉由該光學成像而發現的於該表面之一構形及一位置至少其中之一的不準確性及變形至少其中之一考量在內。
較佳地，該直寫資料被配置成使得任何物件皆係藉由不多於一單次掃描而寫成。
根據本發明之用於配置一直寫機器之系統之一較佳實施例，該等物件係由多個層形成，該多個層係被依序彼此上下對齊地寫成，且該自動直寫機器配置單元將該直寫機器自動配置成基於該電腦輔助設計資料以複數次掃描將該多個層其中之每一者之直寫資料直寫於該表面上，每次掃描皆具有較該表面之一寬度小之一掃描寬度，該自動配置操作包含將欲在該複數次掃描其中之每一者中以一並排方式寫成之該大量物件之該多個層之該直寫資料排列成處於該掃描寬度內，藉以免除在相鄰掃描之間的直寫資料之縫合。
較佳地，該複數次掃描其中之每次掃描之一範圍係由一掃描縫界定，該直寫資料被配置成使得每一該掃描縫係位於該等物件之間且不疊蓋該等物件。
較佳地，該複數次掃描其中之複數個相鄰者之掃描縫相互間隔開。另一選擇為，該複數次掃描其中之複數個相鄰者之掃描縫係鄰接的。又一選擇為，該複數次掃描其中之複數個相鄰者之掃描縫係交疊的。
較佳地，該表面包含一平板顯示器，且該等物件包含該平板顯示器之複數個胞元。
另一選擇為，該表面包含一晶圓，且該等物件包含複數個晶粒。
較佳地，該直寫機器包含一單一讀/寫總成，該複數次掃描係藉由該讀/寫總成依序執行。
另一選擇為，該直寫機器包含二或更多個讀/寫總成，該複數次掃描係藉由使該等讀/寫總成至少部分地相互同時運作而執行。
根據本發明之再一較佳實施例，再提供一種製造電路之方法，其包含：接收一電腦輔助設計檔案，該電腦輔助設計檔案含有供直寫於一基板上之電路設計資料，該電腦輔助設計檔案包含欲在該基板上製作之大量晶粒之電腦輔助設計資料；將一直寫機器自動配置成基於該電腦輔助設計資料以複數次掃描將直寫資料直寫於該基板上，每次掃描皆具有較該基板之一寬度小之一掃描寬度，該自動配置步驟包含將欲在該複數次掃描其中之每一者中以一並排方式寫成之該大量晶粒之該直寫資料排列成處於該掃描寬度內，藉以免除在相鄰掃描之間的直寫資料之縫合；以及操作該直寫機器以在該基板上形成該大量晶粒。
較佳地，本發明之製造電路之方法亦包含對該基板執行光學成像。
較佳地，該自動配置步驟包含修改自該電腦輔助設計檔案導出之資料，以將藉由該光學成像而發現的於該基板之一構形及一位置至少其中之一的不準確性及變形至少其中之一考量在內。
較佳地，該直寫資料被配置成使得任何晶粒皆係藉由不多於一單次掃描而寫成。
根據本發明之製造電路之方法之一較佳實施例，該等晶粒係由多個層形成，該多個層係被依序彼此上下對齊地寫成，且該自動配置步驟包含將該直寫機器自動配置成基於該電腦輔助設計資料以該複數次掃描將該多個層其中之每一者之直寫資料直寫於該基板上，每次掃描皆具有較該基板之該寬度小之一掃描寬度，該自動配置步驟包含將欲在該複數次掃描其中之每一者中以一並排方式寫成之該大量晶粒之該多個層之該直寫資料排列成處於該掃描寬度內，藉以免除在相鄰掃描之間的直寫資料之縫合。
較佳地，該複數次掃描其中之每次掃描之一範圍係由一掃描縫界定，該直寫資料被配置成使得每一該掃描縫係位於該等晶粒之間且不疊蓋該等晶粒。
較佳地，該複數次掃描其中之複數個相鄰者之掃描縫相互間隔開。另一選擇為，該複數次掃描其中之複數個相鄰者之掃描縫係鄰接的。又一選擇為，該複數次掃描其中之複數個相鄰者之掃描縫係交疊的。
較佳地，該直寫機器包含一單一讀/寫總成，該複數次掃描係藉由該讀/寫總成依序執行。
另一選擇為，該直寫機器包含二或更多個讀/寫總成，該複數次掃描係藉由使該等讀/寫總成至少部分地相互同時運作而執行。
根據本發明之又一較佳實施例，另外提供一種配置一直寫機器之方法，其包含：接收一電腦輔助設計檔案，該電腦輔助設計檔案含有供直寫於一基板上之電路設計資料，該電腦輔助設計檔案包含欲在該基板上製作之大量晶粒之電腦輔助設計資料；以及將一直寫機器自動配置成基於該電腦輔助設計資料以複數次掃描將直寫資料直寫於該基板上，每次掃描皆具有較該基板之一寬度小之一掃描寬度，該自動配置步驟包含將欲在該複數次掃描其中之每一者中以一並排方式寫成之該大量晶粒之該直寫資料排列成處於該掃描寬度內，藉以免除在相鄰掃描之間的直寫資料之縫合。
較佳地，本發明之配置一直寫機器之方法亦包含對該基板執行光學成像。
較佳地，該自動配置步驟包含修改自該電腦輔助設計檔案導出之資料，以將藉由該光學成像而發現的於該基板之一構形及一位置至少其中之一的不準確性及變形至少其中之一考量在內。
較佳地，該直寫資料被配置成使得任何晶粒皆係藉由不多於一單次掃描而寫成。
根據本發明之配置一直寫機器之方法之一較佳實施例，該等晶粒係由多個層形成，該多個層係被依序彼此上下對齊地寫成，且該自動配置步驟包含將該直寫機器自動配置成基於該電腦輔助設計資料以複數次掃描將該多個層其中之每一者之直寫資料直寫於該基板上，每次掃描皆具有較該基板之一寬度小之一掃描寬度，該自動配置步驟包含將欲在該複數次掃描其中之每一者中以一並排方式寫成之該大量晶粒之該多個層之該直寫資料排列成處於該掃描寬度內，藉以免除在相鄰掃描之間的直寫資料之縫合。
較佳地，該複數次掃描其中之每次掃描之一範圍係由一掃描縫界定，該直寫資料被配置成使得每一該掃描縫係位於該等晶粒之間且不疊蓋該等晶粒。
較佳地，該複數次掃描其中之複數個相鄰者之掃描縫相互間隔開。另一選擇為，該複數次掃描其中之複數個相鄰者之掃描縫係鄰接的。又一選擇為，該複數次掃描其中之複數個相鄰者之掃描縫係交疊的。
較佳地，該直寫機器包含一單一讀/寫總成，該複數次掃描係藉由該讀/寫總成依序執行。
另一選擇為，該直寫機器包含二或更多個讀/寫總成，該複數次掃描係藉由使該等讀/寫總成至少部分地相互同時運作而執行。
根據本發明之另一其他較佳實施例，亦提供一種用於製造電路之系統，其包含：一直寫機器；以及一自動直寫機器配置（ADWMC）單元，用於：接收一電腦輔助設計檔案，該電腦輔助設計檔案含有供直寫於一基板上之電路設計資料，該電腦輔助設計檔案包含欲在該基板上製作之大量晶粒之電腦輔助設計資料；以及將該直寫機器自動配置成基於該電腦輔助設計資料以複數次掃描將直寫資料直寫於該基板上，每次掃描皆具有較該基板之一寬度小之一掃描寬度，該自動配置操作包含將欲在該複數次掃描其中之每一者中以一並排方式寫成之該大量晶粒之該直寫資料排列成處於該掃描寬度內，藉以免除在相鄰掃描之間的直寫資料之縫合。
較佳地，如請求項81所述之用於製造電路之系統亦包含用於對該基板執行光學成像之一光學成像器。
較佳地，該自動直寫機器配置單元修改自該電腦輔助設計檔案導出之資料，以將藉由該光學成像而發現的於該基板之一構形及一位置至少其中之一的不準確性及變形至少其中之一考量在內。
較佳地，該直寫資料被配置成使得任何晶粒皆係藉由不多於一單次掃描而寫成。
根據本發明之用於製造電路之系統之一較佳實施例，該等晶粒係由多個層形成，該多個層係被依序彼此上下對齊地寫成，且該自動直寫機器配置單元將該直寫機器自動配置成基於該電腦輔助設計資料以複數次掃描將該多個層其中之每一者之直寫資料直寫於該基板上，每次掃描皆具有較該基板之一寬度小之一掃描寬度，該自動配置操作包含將欲在該複數次掃描其中之每一者中以一並排方式寫成之該大量晶粒之該多個層之該直寫資料排列成處於該掃描寬度內，藉以免除在相鄰掃描之間的直寫資料之縫合。
較佳地，該複數次掃描其中之每次掃描之一範圍係由一掃描縫界定，該直寫資料被配置成使得每一該掃描縫係位於該等晶粒之間且不疊蓋該等晶粒。
較佳地，該複數次掃描其中之複數個相鄰者之掃描縫相互間隔開。另一選擇為，該複數次掃描其中之複數個相鄰者之掃描縫係鄰接的。又一選擇為，該複數次掃描其中之複數個相鄰者之掃描縫係交疊的。
較佳地，該直寫機器包含一單一讀/寫總成，該複數次掃描係藉由該讀/寫總成依序執行。
另一選擇為，該直寫機器包含二或更多個讀/寫總成，該複數次掃描係藉由使該等讀/寫總成至少部分地相互同時運作而執行。
根據本發明之另一較佳實施例，另外提供一種用於配置一直寫機器之系統，其包含：一自動直寫機器配置（ADWMC）單元，用於：接收一電腦輔助設計檔案，該電腦輔助設計檔案含有供直寫於一基板上之電路設計資料，該電腦輔助設計檔案包含欲在該基板上製作之大量晶粒之電腦輔助設計資料；以及將一直寫機器自動配置成基於該電腦輔助設計資料以複數次掃描將直寫資料直寫於該基板上，每次掃描皆具有較該基板之一寬度小之一掃描寬度，該自動配置操作包含將欲在該複數次掃描其中之每一者中以一並排方式寫成之該大量晶粒之該直寫資料排列成處於該掃描寬度內，藉以免除在相鄰掃描之間的直寫資料之縫合。
較佳地，本發明之用於配置一直寫機器之系統亦包含用於對該基板執行光學成像之一光學成像器。
較佳地，自動直寫機器配置單元修改自該電腦輔助設計檔案導出之資料，以將藉由該光學成像而發現的於該基板之一構形及一位置至少其中之一的不準確性及變形至少其中之一考量在內。
較佳地，該直寫資料被配置成使得任何晶粒皆係藉由不多於一單次掃描而寫成。
根據本發明之用於配置一直寫機器之系統之一較佳實施例，該等晶粒係由多個層形成，該多個層係被依序彼此上下對齊地寫成，且該自動直寫機器配置單元將該直寫機器自動配置成基於該電腦輔助設計資料以複數次掃描將該多個層其中之每一者之直寫資料直寫於該基板上，每次掃描皆具有較該基板之一寬度小之一掃描寬度，該自動配置操作包含將欲在該複數次掃描其中之每一者中以一並排方式寫成之該大量晶粒之該多個層之該直寫資料排列成處於該掃描寬度內，藉以免除在相鄰掃描之間縫合直寫資料。
較佳地，該複數次掃描其中之每次掃描之一範圍係由一掃描縫界定，該直寫資料被配置成使得每一該掃描縫係位於該等晶粒之間且不疊蓋該等晶粒。
較佳地，該複數次掃描其中之複數個相鄰者之掃描縫相互間隔開。另一選擇為，該複數次掃描其中之複數個相鄰者之掃描縫係鄰接的。又一選擇為，該複數次掃描其中之複數個相鄰者之掃描縫係交疊的。
較佳地，該直寫機器包含一單一讀/寫總成，該複數次掃描係藉由該讀/寫總成依序執行。
另一選擇為，該直寫機器包含二或更多個讀/寫總成，該複數次掃描係藉由使該等讀/寫總成至少部分地相互同時運作而執行。
現在參照第1A圖及第1B圖，其係為一種根據本發明一較佳實施例構造及運作之電腦化直寫系統之簡化圖。
如第1A圖及第1B圖中所見，提供一電腦化直寫系統100，其較佳地包含一底架101，底架101較佳地安裝於一傳統光學支撐台102上。底架101較佳地界定上面可佈置一欲被圖案化基板106之一基板支撐表面104。基板106可包含適用於在上面執行電腦化直寫之任一基板，且圖案化操作通常藉由將疊蓋該表面之光阻劑暴露於雷射光而在基板106之至少一個表面上界定複數個物件。根據本發明之一較佳實施例，直寫製程較佳地列印大量物件，該等物件係排列於表面上。
應瞭解，本文中所使用之術語「物件」係指可藉由向基板106上進行電腦化直寫而被圖案化出之任一單元，該單元通常與被圖案化於基板上之其他相鄰單元間隔開。作為非限制性實例，此等單元可包含積體電路晶粒（integrated circuit die）、扇出晶粒（fan out die）、用於形成一平板顯示器一部分之胞元、及一印刷電路板（printed circuit board；PCB）上之電子電路模組。
基板106通常係為一面板或晶圓，且可包含玻璃、聚醯亞胺、或者任一其他塑性、剛性或撓性材料。此外，基板106可係為在製作期間被接合至一剛性支撐層（例如玻璃）且隨後在製作後自該剛性支撐層取下之一撓性基板。另外或另一選擇為，基板106可係由嵌入式物件（例如嵌入於一接合材料（例如一環氧樹脂化合物）中之晶粒）構造而成。此後將參照第2A圖至第3B圖來提供基板106及被圖案化於基板106上之對應物件之各種實例性實施例。
一橋形件112被排列成沿著與一第一軸線114平行之一軸線相對於基板支撐表面104進行線性運動，第一軸線114係相對於底架101而界定。在其他實施例（圖中未顯示）中，可使橋形件係為靜態的，並使支撐表面連同佈置於其上之基板一起移動，或者使橋形件與支撐表面二者相對於彼此移動。至少一個讀/寫總成較佳地沿著橋形件112定位。此處，舉例而言，一單一讀/寫總成116被排列成沿著與第一軸線114垂直之一第二軸線118相對於橋形件112進行可選擇定位，藉此使得能夠在基板106上實施多次循序並行掃描，每次掃描會製作出大量物件120。
另一選擇為，可在橋形件112上沿著軸線118以一並排方式排列複數個讀/寫總成116，藉此使得能夠藉由該等總成116其中之對應者在基板106上同時或部分地同時實施複數次掃描，每次掃描會製作出複數個物件120。此複數次掃描較佳地但未必係並行的。
物件120較佳地但未必係相同的，且可沿與軸線114平行之一方向相繼地並平行於軸線118並排地排列，如第1A圖及第1B圖中所示。另一選擇為，物件120可排列成一非線性重複或非重複圖案。
系統100較佳地亦包含一控制總成124，控制總成124較佳地包含一電腦126，控制總成124具有一使用者介面128。電腦126較佳地包含運作以操作讀/寫總成116之複數個軟體模組。
控制總成124較佳地亦包含一寫指令資料庫130，寫指令資料庫130含有用於根據本發明一實施例將物件120寫於基板106之至少一個表面上之電腦輔助設計（CAD）指令。
根據本發明之一較佳實施例，至少一個讀/寫總成116較佳地包含一自動化光學成像（automated optical imaging；AOI）子系統132，自動化光學成像子系統132可運作以對基板106進行光學成像，進而將基板106之光學影像134提供至電腦126。此等光學影像134可包含基板106上之基準135之光學影像，基準135可適用於對系統100進行對齊及/或校準。
讀/寫總成116較佳地更包含一直接成像子系統，例如一雷射直接成像（laser direct imaging；LDI）子系統136，雷射直接成像子系統136包含一光學填寫器（optical writer），該光學填寫器可運作以因應於自電腦126所接收之直寫資料138而向基板106上進行雷射填寫，進而製作出物件120。應瞭解，雖然自動化光學成像子系統132及雷射直接成像子系統136二者在本文中皆被稱為成像子系統類型，但由該等子系統其中之每一者所執行之成像具有一相互不同之性質。至少為了在對基板106執行直寫之前對系統100進行對齊及校準，自動化光學成像子系統132對基板106執行光學成像，以獲取其光學影像。相較而言，雷射直接成像子系統136係藉由將一圖案雷射成像至基板106上而對基板106執行直寫。
舉例而言，雷射直接成像子系統136可包含第8,531,751號美國專利中所述類型之一雷射掃描器，該美國專利係被轉讓給與本發明相同之受讓人。適合與本發明一起使用之直接成像系統之其他實例包含可自日本東京（Tokyo, Japan）之SCREEN Semiconductor公司購得且型號為DW-3000之一直接成像系統及可自德國海德爾堡（Heidelberg, Germany）之HEIDELBERG Instruments公司購得且型號為MLA150之一無遮罩對準器系統。
較佳地，控制總成124及其電腦126自資料庫130接收一電腦輔助設計檔案，該電腦輔助設計檔案含有供直寫於基板106上之電路設計資料，該電腦輔助設計檔案包含欲在基板106上製作之大量物件120之電腦輔助設計資料。
較佳地，控制總成124、及更具體而言電腦126將至少一個讀/寫總成116自動配置成基於電腦輔助設計資料而以複數次並行掃描將直寫資料直寫於基板106上，每次掃描皆具有較基板之寬度小之一掃描寬度。此複數次並行掃描可係如此處所示由一單一可重定位讀/寫總成依序執行，或者可係由複數個讀/寫總成同時或部分地同時執行。
應瞭解，至少一個讀/寫總成116因此係為一直寫機器之一尤佳實施例，其運作以將直寫資料直寫於基板106上。更應瞭解，包含電腦126之控制總成124可對應地被稱為一自動直寫機器配置（ADWMC）單元，其運作以接收含有供直寫於基板106之至少一個表面上之電路設計資料之一電腦輔助設計檔案並將包含至少一個讀/寫總成116之直寫機器自動配置成基於電腦輔助設計資料而以複數次掃描將直寫資料直寫於基板106上。
本發明一較佳實施例之一特定特徵係為，控制總成124、及更具體而言電腦126將欲在該複數次掃描其中之每一者中以一並排方式寫成之大量物件120之直寫資料自動配置成處於掃描寬度內，俾使任何物件皆並非係以多次掃描而寫成，藉此不需要在相鄰掃描之間的直寫資料之縫合。
較佳地，讀/寫總成116由控制總成124操作成以複數個掃描遍次（scan pass）在基板106上形成大量物件120，其中相鄰掃描遍次之縫不位於一物件內，藉此不需要在相鄰掃描之間縫合直寫資料。如下文將參照第4A圖至第4C圖闡述，相鄰掃描遍次之縫可係為一交疊形式、一鄰接形式或一相互間隔開之排列形式。根據本發明之一較佳實施例，不論存在何種類型之縫，該縫皆被排列成介於物件之間且不疊蓋物件。
應瞭解，為掃描基板106之一完整寬度，通常需要進行複數個掃描遍次，此歸因於由雷射直接成像子系統136所提供之最大掃描長度固有地受到限制。此複數個掃描遍次可係藉由一單一可重定位掃描頭依序執行或藉由並行運作之若干個掃描頭至少部分地同時執行。掃描長度所受到之此種限制尤其係由必須在用於對基板表面執行直寫之所聚焦雷射束之所需大小與雷射直接成像子系統136之掃描透鏡之掃描長度之間維持之一臨界比（critical ratio）決定。
若非如本發明所提供者使欲在掃描其中之每一者中寫成之大量物件120之直寫資料處於掃描寬度內以使相鄰掃描遍次之縫位於物件120之間而非疊蓋物件120，則所需複數次掃描其中之相鄰掃描遍次通常將疊蓋物件。因此，若不存在由本發明所提供之自動直寫配置，則物件內之電路特徵將不可避免地經受不止一個掃描遍次，進而因在各掃描遍次間之交疊處聚合之機械與光學誤差而引起縫合效應（stitching effect）。本發明因避免了各掃描遍次間之交疊而有利地免除此等縫合效應以及為減輕其影響而通常需要之各種複雜技術。
應理解，基板106並不限於係為上面僅圖案化有單層物件120之一單層基板。而是，可以一積層（additive）方式來採用系統100，以選擇性地逐層修改一基板層，進而形成一三維結構。因此，物件120可由多個層形成，該多個層可係藉由讀/寫總成116依序彼此上下對齊地寫成。倘若物件120係由多個層形成，則較佳地將讀/寫總成116自動配置成根據上文所詳述方式以複數次掃描來直寫該多個層其中之每一者之直寫資料，其中每次掃描皆具有較基板106之表面之一寬度小之一掃描寬度，該自動配置操作包含將欲在該複數次掃描其中之每一者中以一並排方式寫成之物件120之多個層之直寫資料排列成處於掃描寬度內，藉以免除在相鄰掃描之間的直寫資料之縫合。
現在參照第2A圖及第2B圖，其係為一種根據本發明另一較佳實施例構造及運作之電腦化直寫系統之簡化圖。
如第2A圖及第2B圖中所見，提供一電腦化直寫系統200，電腦化直寫系統200較佳地包含底架101，底架101較佳地安裝於一傳統光學支撐台102上且較佳地界定上面可佈置一欲被圖案化基板之一基板支撐表面104。此處，舉例而言，欲被圖案化基板較佳地包含一半導體晶圓206，且圖案化操作通常藉由將疊蓋晶圓表面之光阻劑暴露於雷射光而在晶圓206之至少一個表面上界定複數個晶粒。根據本發明之一較佳實施例，直寫製程較佳地列印大量晶粒，該等晶粒係排列於表面上。僅舉例而言，此等晶粒可係為積體電路晶粒或扇出晶粒。
一橋形件112被排列成沿著與第一軸線114平行之一軸線相對於基板支撐表面104進行線性運動，第一軸線114係相對於底架101而界定。在其他實施例（圖中未顯示）中，可使橋形件係為靜態的，並使支撐表面連同佈置於其上之基板一起移動，或者使橋形件與支撐表面二者相對於彼此移動。至少一個讀/寫總成116被排列成沿著與第一軸線114垂直之第二軸線118相對於橋形件112進行可選擇定位，藉此使得能夠在晶圓206上實施多次循序並行掃描，每次掃描會製作出大量晶粒220。晶粒220較佳地但未必係相同的，且較佳地沿與軸線114平行之一方向相繼地並平行於軸線118並排地排列。
另一選擇為，可在橋形件112上沿著軸線118以一並排方式排列複數個讀/寫總成116，藉此使得能夠藉由該等總成116其中之對應者在晶圓206上同時或部分地同時實施複數次掃描，每次掃描會製作出大量晶粒220。此複數次掃描較佳地但未必係並行的。
系統200較佳地亦包含控制總成124，控制總成124較佳地包含電腦126，電腦126具有使用者介面128。電腦126較佳地包含運作以操作讀/寫總成116之複數個軟體模組。
控制總成124較佳地亦包含一寫指令資料庫130，寫指令資料庫130含有用於根據本發明一實施例將晶粒220寫於晶圓206上之電腦輔助設計（CAD）指令。
根據本發明之一較佳實施例，讀/寫總成116較佳地包含一自動化光學成像（AOI）子系統132，自動化光學成像子系統132可運作以對晶圓206進行成像，進而將影像134提供至電腦126。此等光學影像134可包含晶圓206上之基準135之光學影像，基準135可適用於對系統200進行對齊及/或校準。
至少一個讀/寫總成116較佳地更包含一直接成像子系統，例如一雷射直接成像（LDI）子系統136，雷射直接成像子系統136包含一光學填寫器，該光學填寫器可運作以因應於自電腦126所接收之直寫資料138而向晶圓206上進行雷射填寫，進而製作出晶粒220。應瞭解，雖然自動化光學成像子系統132及雷射直接成像子系統136二者在本文中皆被稱為成像子系統類型，但由該等子系統其中之每一者所執行之成像具有一相互不同之性質。為了在對晶圓206執行直寫之前對系統200進行對齊及校準，自動化光學成像子系統132對晶圓206執行光學成像，以獲取其光學影像。相較而言，雷射直接成像子系統136係藉由將一圖案雷射成像至晶圓206上而對晶圓206執行直寫。
舉例而言，雷射直接成像子系統136可包含第8,531,751號美國專利中所述類型之一雷射掃描器，該美國專利係被轉讓給與本發明相同之受讓人。適合與本發明一起使用之直接成像系統之其他實例包含可自日本東京之SCREEN Semiconductor公司購得且型號為DW-3000之一直接成像系統及可自德國海德爾堡之HEIDELBERG Instruments公司購得且型號為MLA150之一無遮罩對準器系統。
較佳地，控制總成124及其電腦126自資料庫130接收一電腦輔助設計檔案，該電腦輔助設計檔案含有供直寫於晶圓206上之電路設計資料，該電腦輔助設計檔案包含欲在晶圓206上製作之大量晶粒220之電腦輔助設計資料。
較佳地，控制總成124、及更具體而言電腦126將讀/寫總成116自動配置成基於電腦輔助設計資料而以複數次並行掃描將直寫資料直寫於晶圓206上，每次掃描皆具有較基板之寬度小之一掃描寬度。應瞭解，至少一個讀/寫總成116因此係為一直寫機器之一尤佳實施例，其運作以將直寫資料直寫於晶圓206上。更應瞭解，包含電腦126之控制總成124可對應地被稱為一自動直寫機器配置（ADWMC）單元，其運作以接收含有供直寫於晶圓206之至少一個表面上之電路設計資料之一電腦輔助設計檔案並將包含至少一個讀/寫總成116之直寫機器自動配置成基於電腦輔助設計資料而以複數次掃描將直寫資料直寫於晶圓206上。
本發明一較佳實施例之一特定特徵係為，控制總成124、及更具體而言電腦126將欲在該複數次掃描其中之每一者中以一並排方式寫成之大量晶粒之直寫資料自動配置成處於掃描寬度內，俾使任何晶粒皆並非係以多次掃描而寫成，藉此不需要在相鄰掃描之間的直寫資料之縫合。
較佳地，讀/寫總成116由控制總成124操作成以複數個掃描遍次在晶圓206上形成大量晶粒220，其中相鄰掃描遍次之縫不位於一晶粒處，藉此不需要在相鄰掃描之間縫合直寫資料。如下文將參照第4A圖至第4C圖闡述，相鄰掃描遍次之縫可係為一交疊形式、一鄰接形式或一相互間隔開之排列形式。根據本發明之一較佳實施例，不論存在何種類型之縫，該縫皆被排列成介於晶粒之間且不疊蓋晶粒。
應瞭解，為掃描晶圓206之一完整寬度，通常需要進行複數個掃描遍次，此歸因於由雷射直接成像子系統136所提供之最大掃描長度固有地受到限制。此複數個掃描遍次可係藉由一單一可重定位掃描頭依序執行或藉由並行運作之若干個掃描頭至少部分地同時執行。掃描長度所受到之此種限制尤其係由必須在用於對晶圓表面執行直寫之所聚焦雷射束之所需大小與雷射直接成像子系統136之掃描透鏡之掃描長度之間維持之一臨界比決定。舉例而言，為提供具有將電路資料直寫於晶粒220上所需之解析度之一雷射光點，可將雷射直接成像子系統136限於提供約為100毫米（mm）之一最大掃描長度。此使得寬度為300毫米之一晶圓需要進行三個掃描遍次才能掃描其完整寬度。
若非如本發明所提供者使欲在掃描其中之每一者中寫成之大量晶粒220之直寫資料處於掃描寬度內以使相鄰掃描遍次之縫位於晶粒220之間而非疊蓋晶粒220，則所需多次掃描其中之相鄰掃描遍次通常將疊蓋晶粒。因此，若不存在由本發明所提供之自動直寫配置，晶粒內之電路特徵將不可避免地經受不止一個掃描遍次，進而因在各掃描遍次間之交疊處聚合之機械與光學誤差而引起縫合效應。本發明因避免了各掃描遍次間之交疊而有利地免除此等縫合效應以及為減輕其影響而通常需要之各種複雜技術。
應理解，晶圓206並不限於係為上面僅圖案化有單層晶粒220之一單層基板。而是，可以一積層方式來採用系統200，以選擇性地逐層修改一晶圓層，進而形成一三維結構。因此，晶粒220可由多個層形成，該多個層可係藉由讀/寫總成116依序彼此上下對齊地寫成。倘若晶粒220係由多個層形成，則較佳地將讀/寫總成116自動配置成根據上文所詳述方式以複數次掃描來直寫該多個層其中之每一者之直寫資料，其中每次掃描皆具有較晶圓206之表面之一寬度小之一掃描寬度，該自動配置操作包含將欲在該複數次掃描其中之每一者中以一並排方式寫成之晶粒220之多個層之直寫資料排列成處於掃描寬度內，藉以免除在相鄰掃描之間的直寫資料之縫合。
現在參照第3A圖及第3B圖，其係為一種根據本發明另一較佳實施例構造及運作之電腦化直寫系統之簡化圖。
如第3A圖及第3B圖中所見，提供一電腦化直寫系統300，電腦化直寫系統300較佳地包含底架101，底架101較佳地安裝於一傳統光學支撐台102上且較佳地界定上面可佈置一欲被圖案化基板之一基板支撐表面104。此處，舉例而言，欲被圖案化基板較佳地包含一平板顯示器306，且圖案化操作通常藉由將疊蓋顯示器表面之光阻劑暴露於雷射光而在顯示器306之至少一個表面上界定複數個元件。根據本發明之一較佳實施例，直寫製程較佳地列印一胞元矩陣或大量胞元，該等胞元係排列於表面上。
一橋形件112被排列成沿著與第一軸線114平行之一軸線相對於基板支撐表面104進行線性運動，第一軸線114係相對於底架101而界定。在其他實施例（圖中未顯示）中，可使橋形件係為靜態的，並使支撐表面連同佈置於其上之基板一起移動，或者使橋形件與支撐表面二者相對於彼此移動。至少一個讀/寫總成116被排列成沿著與第一軸線114垂直之第二軸線118相對於橋形件112進行可選擇定位，藉此使得能夠在面板306上實施多次循序並行掃描，每次掃描會製作出大量胞元320。胞元320較佳地但未必係相同的，且較佳地沿與軸線114平行之一方向相繼地並平行於軸線118並排地排列。
另一選擇為，可在橋形件112上沿著軸線118以一並排方式排列複數個讀/寫總成116，藉此使得能夠藉由該等總成116其中之對應者在面板306上同時或部分地同時實施複數次掃描，每次掃描會製作出大量胞元320。此複數次掃描較佳地但未必係並行的。
系統300較佳地亦包含控制總成124，控制總成124較佳地包含電腦126，電腦126具有使用者介面128。電腦126較佳地包含運作以操作讀/寫總成116之複數個軟體模組。
控制總成124較佳地亦包含一寫指令資料庫130，寫指令資料庫130含有用於根據本發明一實施例將胞元320寫於面板306上之電腦輔助設計（CAD）指令。
根據本發明之一較佳實施例，讀/寫總成116較佳地包含一自動化光學成像（AOI）子系統132，自動化光學成像子系統132可運作以對面板306進行成像，進而將影像134提供至電腦126。此等光學影像134可包含面板306上之基準135之光學影像，基準135可適用於對系統300進行對齊及/或校準。
讀/寫總成116較佳地更包含一直接成像子系統，例如一雷射直接成像（LDI）子系統136，雷射直接成像子系統136包含一光學填寫器，該光學填寫器可運作以因應於自電腦126所接收之直寫資料138而向面板306上進行雷射填寫，進而製作出胞元320。應瞭解，雖然自動化光學成像子系統132及雷射直接成像子系統136二者在本文中皆被稱為成像子系統類型，但由該等子系統其中之每一者所執行之成像具有一相互不同之性質。為了在對面板306執行直寫之前對系統300進行對齊及校準，自動化光學成像子系統132對面板306執行光學成像，以獲取其光學影像。相較而言，雷射直接成像子系統136係藉由將一圖案雷射成像至面板306上而對面板306執行直寫。
舉例而言，雷射直接成像子系統136可包含第8,531,751號美國專利中所述類型之一雷射掃描器，該美國專利係被轉讓給與本發明相同之受讓人。適合與本發明一起使用之直接成像系統之其他實例包含可自日本東京之SCREEN Semiconductor公司購得且型號為DW-3000之一直接成像系統及可自德國海德爾堡之HEIDELBERG Instruments公司購得且型號為MLA150之一無遮罩對準器系統。
較佳地，控制總成124及其電腦126自資料庫130接收一電腦輔助設計檔案，該電腦輔助設計檔案含有供直寫於面板306上之電路設計資料，該電腦輔助設計檔案包含欲在面板306上製作之大量胞元320之電腦輔助設計資料。
較佳地，控制總成124、及更具體而言電腦126將至少一個讀/寫總成116自動配置成基於電腦輔助設計資料而以複數次並行掃描將直寫資料直寫於面板306上，每次掃描皆具有較基板之寬度小之一掃描寬度。應瞭解，至少一個讀/寫總成116因此係為一直寫機器之一尤佳實施例，其運作以將直寫資料直寫於面板306上。更應瞭解，包含電腦126之控制總成124可對應地被稱為一自動直寫機器配置（ADWMC）單元，其運作以接收含有供直寫於面板306之至少一個表面上之電路設計資料之一電腦輔助設計檔案並將包含讀/寫總成116之直寫機器自動配置成基於電腦輔助設計資料而以複數次掃描將直寫資料直寫於面板306上。
本發明一較佳實施例之一特定特徵係為，控制總成124、及更具體而言電腦126將欲在該複數次掃描其中之每一者中以一並排方式寫成之大量胞元320之直寫資料自動配置成處於掃描寬度內，俾使任何胞元皆並非係以多次掃描而寫成，藉此不需要在相鄰掃描之間的直寫資料之縫合。
較佳地，讀/寫總成116由控制總成124操作成以複數個掃描遍次在面板306上形成大量胞元320，其中相鄰掃描遍次之縫不位於一胞元內，藉此不需要在相鄰掃描之間縫合直寫資料。如下文將參照第4A圖至第4C圖闡述，相鄰掃描遍次之縫可係為一交疊形式、一鄰接形式或一相互間隔開之排列形式。根據本發明之一較佳實施例，不論存在何種類型之縫，該縫皆被排列成介於元件之間且不疊蓋元件。
應瞭解，為掃描面板306之一完整寬度，通常需要進行複數個掃描遍次，此歸因於由雷射直接成像子系統136所提供之最大掃描長度固有地受到限制。此複數個掃描遍次可係藉由一單一可重定位掃描頭依序執行或藉由並行運作之若干個掃描頭至少部分地同時執行。掃描長度所受到之此種限制尤其係由必須在用於對面板表面執行直寫之所聚焦雷射束之所需大小與雷射直接成像子系統136之掃描透鏡之掃描長度之間維持之一臨界比決定。舉例而言，為提供具有將電路資料直寫於胞元320上所需之解析度之一雷射光點，可將雷射直接成像子系統136限於提供約為300毫米之一最大掃描長度。此使得寬度為2400毫米之一面板需要進行約8個掃描遍次才能掃描其全部寬度。
若非如本發明所提供者使欲在掃描其中之每一者中寫成之大量胞元320之直寫資料處於掃描寬度內以使相鄰掃描遍次之縫位於胞元320之間而非疊蓋胞元320，則所需複數次掃描其中之相鄰掃描遍次通常將疊蓋胞元。因此，若不存在由本發明所提供之自動直寫配置，則胞元內之電路特徵將不可避免地經受不止一個掃描遍次，進而因在各掃描遍次間之交疊處聚合之機械與光學誤差而引起縫合效應。本發明因避免了各掃描遍次間之交疊而有利地免除此等縫合效應以及為減輕其影響而通常需要之各種複雜技術。
應理解，面板306可係為任一平板顯示器，此項技術中已熟知各種類型之平板顯示器，其中包含LCD、OLED或撓性顯示器。此外，面板306並不限於係為上面僅圖案化有單層胞元320之一單層基板。而是，可以一積層方式來採用系統300，以選擇性地逐層修改一面板層，進而形成一三維結構。因此，胞元320可由多個層形成，該多個層可係藉由讀/寫總成116依序彼此上下對齊地寫成。倘若胞元320係由多個層形成，則較佳地將讀/寫總成116自動配置成根據上文所詳述方式以複數次掃描來直寫該多個層其中之每一者之直寫資料，其中每次掃描皆具有較面板306之表面之一寬度小之一掃描寬度，該自動配置操作包含將欲在該複數次掃描其中之每一者中以一並排方式寫成之胞元320之多個層之直寫資料排列成處於掃描寬度內，藉以免除在相鄰掃描之間的直寫資料之縫合。
現在參照第4A圖、第4B圖及第4C圖，其係為三種替代性複數次循序掃描遍次排列形式之簡化圖，根據本發明一實施例之一特定特徵，所有該等配置之特徵皆在於，掃描遍次間之縫係沿著「縫道（street）」（此處由參考編號400標示）伸展。
應瞭解，複數次循序掃描遍次係藉由使上文參照第1A圖至第3B圖所述設備如下運作而產生：首先使讀/寫總成116沿著軸線118處於一第一位置並沿著軸線114產生一第一掃描遍次（由參考編號402標示），且隨後將讀/寫總成116重定位成沿著軸線118處於一第二位置以產生與第一掃描遍次402平行之一第二掃描遍次（標示為404）。視機器尺寸及所需解析度而定，可利用多於二個掃描遍次來將所有物件直寫於一給定基板上，該等物件可如第2A圖及第2B圖中所示係為複數個晶粒220、如第3A圖及第3B圖中所示係為一平板顯示器之複數個胞元320、或者係為任何其他適合之物件。
另一選擇為，可提供複數個讀/寫總成116，其較佳地沿著軸線118以一並排方式排列。該等讀/寫總成其中之個別讀/寫總成116較佳同時或部分地同時運作，以產生複數個較佳並行之掃描遍次，每一掃描遍次皆具有較基板之一寬度小之一掃描寬度。在此種排列形式中，由讀/寫總成其中之一第一者所產生之第一掃描遍次402可係與由讀/寫總成其中之一第二者所產生之第二掃描遍次404同時地被實施。
第4A圖顯示其中相應掃描遍次402及404由一間隙406分離之一排列形式，間隙406疊蓋各相鄰列物件120間之一縫道400。此處，相鄰掃描遍次402、404間之縫係為一間隙。
第4B圖顯示其中相應掃描遍次402及404在疊蓋各相鄰列物件120間之一縫道400之一位置處鄰接之一排列形式。此處，相鄰掃描遍次402、404間之縫係為一鄰接形式。
第4C圖顯示其中相應掃描遍次402及404在疊蓋各相鄰列物件120間之一縫道400之一位置處局部地交疊之一排列形式。此處，相鄰掃描遍次402、404間之縫係為一局部交疊形式。
應瞭解，雖然第4A圖至第4C圖中將縫道400例示為線性的，但並不一定係此種情形。另一選擇為，物件120可被排列成由非線性縫道間隔開，其中如熟習此項技術者將輕易理解，相鄰掃描遍次間之縫係位於此等縫道內而非疊蓋物件120。
現在參照第5圖，其例示根據本發明一較佳實施例，第1A圖至第3B圖所示系統100、200、300其中之任一者在運作時之三種連續運作狀態。
根據本發明之一較佳實施例，自動配置直寫資料之操作包含修改自電腦輔助設計檔案導出之資料，以將基板之構形及位置至少其中之一的不準確性及變形至少其中之一考量在內。
轉至第5圖，在A處顯示電腦輔助設計資料之一排列形式之示意圖，其中物件120被排列成由縫道400分離之一柵格圖案，相鄰掃描遍次間之縫係沿著縫道400其中之一或多者而定位。在B處顯現自動化光學成像資料之示意圖，其顯示基板中於物件120其中之每一者之位置處之變形。在C處，顯示直寫資料之示意圖，該直寫資料用以補償B中所示變形且確保掃描遍次之縫疊蓋縫道400而非物件120。應瞭解，為適應變形，可需要使縫道400之寬度變窄。倘若出現極端變形，可向一操作員發送要求該操作員手動地將基板重新定向之一警報，以確保使縫不會疊蓋物件120。
應瞭解，雖然以上對第5圖之說明涉及物件120，然而，此術語僅係為了使說明簡單且具一般性起見，且物件120可例如被實施為晶粒220或胞元320。
更應瞭解，此種用以補償變形之自動配置可係在對整個面板進行寫操作之前基於提前於寫操作所獲取之自動化光學成像資料而進行、或者係在每一掃描期間「即時（on the fly）」獲取自動化光學成像資料之後動態地進行。
亦應瞭解，可因應於整個基板發生一改變（例如，因支撐表面移位或旋轉）而執行配置性改變（例如，以動態地補償支撐表面之不準確平移）。
現在參照第6A圖及第6B圖，其係為例示二種替代性自動直寫機器配置方法之簡化流程圖。
現在轉至第6A圖，在一第一步驟602處，較佳地接收電腦輔助設計資料。在第一步驟602處所接收之電腦輔助設計資料較佳地包含電路設計資料，且包含欲圖案化於一基板（例如基板106、晶圓206或平板顯示器306）上之物件及介接縫道之一排列形式。於在第一步驟602處接收到電腦輔助設計資料之後，在一第二步驟604處較佳地計算掃描寬度。在第二步驟604處所計算之掃描寬度必須滿足數個要求，包含：如在一第一要求606處所見，掃描寬度應小於基板之寬度；如在一第二要求608處所見，每次掃描應覆蓋一完整物件；以及如在一第三要求610處所見，每一掃描縫應疊蓋一縫道而非落於一物件內。第三要求610亦包含計算掃描縫在縫道內之性質（如參照第4A圖至第4C圖所詳述），且涉及計算位於相鄰掃描之間及縫道內之縫是間隔開、鄰接還是交疊的，如在第四要求612處所見。於在第二步驟604處計算出掃描寬度之後，在一第三步驟614處較佳地執行一寫掃描。
應瞭解，第6A圖所示方法並未將可能存在於基板拓撲中之不準確性或變形、以及因此可需要對電腦輔助設計資料作出之對應修改考量在內。第6B圖中例示根據本發明較佳實施例，一種包含自動配置一直寫機器以將基板拓撲中之可能變形考量在內之實例性方法。
如第6B圖中所見，在一第一步驟620處接收基板之一光學影像，並在一第二步驟622處接收電腦輔助設計資料。雖然第6B圖中係並行地例示步驟620及622，但應瞭解，步驟620及622可被同時執行或可被依序執行（即，該等步驟其中之一者處於另一者之前）。
隨後，在一第三步驟624處，計算為基於光學影像將基板中之變形考量在內而對電腦輔助設計資料作出之修改。應瞭解，此等修改可包含例如因基板整體之位置發生一變形而對電腦輔助設計資料作出之全域調整（global adjustment），及/或可包含例如因基板上個別位置中發生翹曲而對電腦輔助設計資料作出之局域調整（localized adjustment）。可根據第7,508,515號及第8,769,471號美國專利中所述之方法或根據此項技術中已知之其他適合方法來實施此種修改。
隨後，在一第四步驟626處較佳地計算掃描寬度。在第四步驟626處所計算之掃描寬度必須滿足數個要求，包含：如在一第一要求628處所見，掃描寬度應小於基板之寬度；如在一第二要求630處所見，每次掃描應覆蓋一完整物件；以及如在一第三要求632處所見，每一掃描縫應疊蓋一縫道而非落於一物件內。
第三要求632亦包含計算掃描縫在縫道內之性質（如參照第4A圖至第4C圖所詳述），且涉及計算位於相鄰掃描之間及縫道內之縫是間隔開、鄰接還是交疊的，如在一第四要求634處所見。為滿足第三要求632，可需要調整縫道尺寸及定向，如在一第五步驟636處所見。倘若發現被調整之縫道尺寸係窄得不可接受，則可向系統之一操作員提供一提醒以指示：需要手動地將基板重新定位才能使基板被正確定位。
於在第四步驟626處計算出掃描寬度之後，在一第六步驟638處較佳地執行一寫掃描。
現在參照第7A圖及第7B圖，其係為分別例示本發明二個替代性實施例之操作之簡化流程圖。
現在轉至第7A圖，如在一第一步驟702處所見，較佳地將一讀/寫總成相對於一欲被圖案化基板進行定位。隨後，如在一第二步驟704處所見，藉由讀/寫總成之一光學成像組件對基板進行光學成像。此光學成像步驟較佳地包含為進行初始對齊而對基板上之基準進行光學成像、以及為偵測基板中是否存在局域及/或全域變形而進行光學成像。在一第三步驟706處，較佳地由讀/寫總成接收供直寫於基板上之直寫資料。倘若基板之光學影像指示基板中存在變形，則較佳地修改直寫資料，以將彼等變形考量在內，如分別在第四步驟708及第五步驟710處所見。
隨後，在一第六步驟712處，較佳地根據參照第6A圖及第6B圖所詳述之方法，較佳地將讀/寫總成自動配置成以複數個掃描遍次將直寫資料直寫於基板上，每一掃描遍次覆蓋欲在基板上圖案化之至少一個完整物件，其中掃描縫不疊蓋物件。
在此種自動配置之後，在第七步驟714處，較佳地執行一單一掃描遍次。倘若隨後需要進行其他掃描遍次才能覆蓋基板之一完整寬度，則較佳地將讀/寫總成相對於基板進行重新定位並視需要執行其他掃描遍次，如分別在第八步驟716及第九步驟718處所見。一旦已對基板之一整個寬度執行了直寫，便認為掃描已完成，如分別在第十步驟720及第十一步驟722處所見。
應瞭解，參照第7A圖所概述之操作方法適用於一種包含一單一讀/寫總成之系統，該讀/寫總成較佳可反復地相對於基板重定位，以實施複數個循序掃描遍次。將參照第7B圖概述一種可能之替代性操作方法，其適用於一種包含至少部分地同時運作之複數個讀/寫總成之系統。
現在轉至第7B圖，如在一第一步驟732處所見，較佳地將複數個讀/寫總成相對於一欲被圖案化基板進行定位。隨後，如在一第二步驟734處所見，對基板進行光學成像。此光學成像步驟較佳地包含為進行初始對齊而對基板上之基準進行光學成像、以及為偵測基板中是否存在局域及/或全域變形而進行光學成像。在一第三步驟736處，較佳地由讀/寫總成其中之每一者接收供直寫於基板上之直寫資料。倘若基板之光學影像指示基板中存在變形，則較佳地修改直寫資料，以將彼等變形考量在內，如分別在第四步驟738及第五步驟740處所見。
隨後，在一第六步驟742處，較佳地根據參照第6A圖及第6B圖所詳述之方法，較佳地將該等讀/寫總成其中之每一讀/寫總成自動配置成以一單一掃描遍次將直寫資料直寫於基板上，每一掃描遍次覆蓋欲在基板上圖案化之至少一個完整物件，其中掃描縫不疊蓋物件。
在此種自動配置之後，在一第七步驟744處，較佳地由該等讀/寫總成其中之每一讀/寫總成同時執行一單一掃描遍次，俾使由該等讀/寫總成所執行之掃描遍次之總和較佳地覆蓋基板之一完整寬度，且如在一第八步驟746處所見，完成對基板之填寫。
應瞭解，第6A圖及第6B圖所示方法、以及第7A圖及第7B圖所示操作模式係為高度簡化的，且可涉及處於彼等所示步驟之前、之間或之後的其他步驟。此外，第6A圖至第7B圖所示步驟未必係以所示及所述次序來執行，而是可被重新排序。
熟習此項技術者將瞭解，本發明並不受限於上文已具體顯示及闡述之內容。而是，本發明之範圍既包含上文所述各種特徵之組合及子組合，又包含熟習此項技術者將會想到的不屬於先前技術之變化形式。
100‧‧‧電腦化直寫系統101‧‧‧底架102‧‧‧光學支撐台104‧‧‧基板支撐表面106‧‧‧欲被圖案化基板112‧‧‧橋形件114‧‧‧第一軸線116‧‧‧讀/寫總成118‧‧‧第二軸線120‧‧‧物件124‧‧‧控制總成126‧‧‧電腦128‧‧‧使用者介面130‧‧‧寫指令資料庫132‧‧‧自動化光學成像（AOI）子系統134‧‧‧光學影像135‧‧‧基準136‧‧‧雷射直接成像（LDI）子系統138‧‧‧直寫資料200‧‧‧電腦化直寫系統206‧‧‧半導體晶圓220‧‧‧晶粒300‧‧‧電腦化直寫系統306‧‧‧平板顯示器/面板320‧‧‧胞元400‧‧‧縫道402‧‧‧第一掃描遍次404‧‧‧第二掃描遍次406‧‧‧間隙602、604、614‧‧‧步驟606、608、610、612‧‧‧要求620、622、624、626、636、638‧‧‧步驟628、630、632、634‧‧‧要求702、704、706、708、710、712、714、716、718、720、722‧‧‧步驟732、734、736、738、740、742、744、746‧‧‧步驟
結合附圖閱讀以下詳細說明，將更加全面地理解及瞭解本發明，附圖中： 第1A圖及第1B圖係為一種根據本發明一個較佳實施例構造及運作之電腦化直寫系統之簡化圖； 第2A圖及第2B圖係為一種根據本發明另一較佳實施例構造及運作之電腦化直寫系統之簡化圖； 第3A圖及第3B圖係為一種根據本發明又一較佳實施例構造及運作之電腦化直寫系統之簡化圖； 第4A圖、第4B圖及第4C圖係為第1A圖所示典型物件排列形式之簡化圖，其分別顯示根據本發明一較佳實施例之三種可能掃描型樣； 第5圖係為一簡化圖，其示範根據本發明一較佳實施例在調適電腦輔助設計資料以供直寫時之三種連續狀態； 第6A圖及第6B圖係為例示二種替代性自動直寫機器配置方法之簡化流程圖；以及 第7A圖及第7B圖係為分別例示本發明二個替代性實施例之操作之簡化流程圖。
100‧‧‧電腦化直寫系統
101‧‧‧底架
104‧‧‧基板支撐表面
106‧‧‧欲被圖案化基板
112‧‧‧橋形件
114‧‧‧第一軸線
116‧‧‧讀/寫總成
118‧‧‧第二軸線
120‧‧‧物件
124‧‧‧控制總成
126‧‧‧電腦
128‧‧‧使用者介面
130‧‧‧寫指令資料庫
132‧‧‧自動化光學成像(AOI)子系統
134‧‧‧光學影像
135‧‧‧基準
136‧‧‧雷射直接成像(LDI)子系統
138‧‧‧直寫資料

Claims (16)

  1. 一種製造電路之方法，包含：接收一電腦輔助設計(CAD)檔案，該CAD檔案含有供直寫(direct writing)於一基板上之電路設計資料，該CAD檔案包含欲在該基板上製作之大量晶粒(a multiplicity of dies)之CAD資料；產生該基板之一影像，該影像包括在該基板上之基準(fiducials)之影像；基於該基板之該影像藉由計算對該CAD資料之修改產生經修改之CAD資料；將一直寫機器自動配置(automatically configuring)成基於該經修改之CAD資料以複數次掃描將直寫資料直寫於該基板上，該複數次掃描之各者具有較該基板之一寬度小之一掃描寬度，該自動配置包含將欲在該複數次掃描之各者中以一並排方式(side by side manner)寫成之該大量晶粒之該直寫資料排列(arranging)成處於該掃描寬度內，藉此以該複數次掃描之一單次掃描寫入該大量晶粒之各者之一單一層，藉以免除(obviated)在相鄰掃描之間的直寫資料之縫合(stitching)；以及操作該直寫機器以在該基板上形成(create)該大量晶粒，該自動配置亦包含：在該複數次掃描之相鄰掃描之間界定一縫(seam)，該縫係一交疊(overlapping)縫；及確定(ensuring)該等縫之各者沒有位於該大量晶粒之任一者內，該確定包含：排列用於該大量晶粒之該直寫資料，使得該大量晶粒 之複數個晶粒將在該複數次掃描之各者中以一並排方式寫入，藉由該複數次掃描之相鄰者寫入該複數個晶粒之相鄰者係藉由一縫道(street)彼此間隔開；及排列該直寫資料，使得該縫沿著該縫道伸展(lie)且不疊蓋(overlie)該大量晶粒之任一者。
  2. 如請求項1所述之製造電路之方法，其中該產生該基板之一影像包含對該基板執行光學成像。
  3. 如請求項2所述之製造電路之方法，其中該產生經修改之CAD資料包含修改自該CAD檔案導出之資料，以將藉由該光學成像而發現的於該基板之一構形(configuration)中之不準確性(inaccuracies)及變形(distortions)之至少一者考量在內。
  4. 如請求項1所述之製造電路之方法，其中該直寫資料被配置成使得任何晶粒皆係藉由不多於該複數次掃描之該單次掃描而寫成。
  5. 如請求項1所述之製造電路之方法，其中該等晶粒係由多個層形成，該多個層係被依序(sequentially)彼此上下對齊地(in registration)寫成。
  6. 如請求項5所述之製造電路之方法，其中該自動配置包含將該直寫機器自動配置成基於該經修改之CAD資料以該複數次掃描將該多個層之每一者之直寫資料直寫於該基板上，每次掃描皆具有較該基板之該寬度小之一掃描寬度，該自動配置包含將欲在該複數次掃描之每一者中以一並排方式寫成之該大量晶粒之該多個層之該直寫資料排列成處於該掃描寬度內，藉以免除在相鄰掃描之間的直寫資料之縫合。
  7. 如請求項1所述之製造電路之方法，其中該直寫機器包含一單一讀/寫總成，該複數次掃描係藉由該讀/寫總成依序執行。
  8. 如請求項1所述之製造電路之方法，其中該直寫機器包含二或更多個讀/寫總成，該複數次掃描係藉由使該等讀/寫總成至少部分地相互(mutually)同時(simultaneously)運作而執行。
  9. 一種用於製造電路之系統，包含：一直寫機器；一成像子系統，其可操作以產生一基板之一影像，該基板之該影像包括在該基板上之基準(fiducials)之影像；以及一自動直寫機器配置(ADWMC)單元，其包含具有一電腦輔助設計(CAD)檔案儲存於其上之一非暫時性電腦可讀媒體，該CAD檔案含有供直寫於該基板上之電路設計資料，該CAD檔案包含欲在該基板上製作之大量晶粒(a multiplicity of dies)之CAD資料，該ADWMC經配置以：基於該基板之該影像藉由計算對該CAD資料之修改產生經修改之CAD資料；將該直寫機器自動配置(automatically configure)成基於該經修改之CAD資料以複數次掃描將直寫資料直寫於該基板上，該複數次掃描之各者具有較該基板之一寬度小之一掃描寬度，該自動配置包含將欲在該複數次掃描之各者中以一並排方式(side by side manner)寫成之該大量晶粒之該直寫資料排列(arranging)成處於該掃描寬度內，使得以該複數次掃描之一單次掃描寫入該大量晶粒之各者之一單一層，且使得免除(obviated)在相鄰掃描之間的直寫資料之縫合(stitching)，該ADWMC亦經配置以：在該複數次掃描之相鄰掃描之間界定一縫(seam)，該縫係一交疊(overlapping)縫；及 藉由以下步驟確定(ensuring)該等縫之各者沒有位於該大量晶粒之任一者內：排列用於該大量晶粒之該直寫資料，使得該大量晶粒之複數個晶粒將在該複數次掃描之各者中以一並排方式寫入，藉由該複數次掃描之相鄰者寫入該複數個晶粒之相鄰者係藉由一縫道(street)彼此間隔開；及排列該直寫資料，使得該縫沿著該縫道伸展(lie)且不疊蓋(overlie)該大量晶粒之任一者。
  10. 如請求項9所述之用於製造電路之系統，其中該成像子系統包含用於對該基板執行光學成像之一光學成像器。
  11. 如請求項10所述之用於製造電路之系統，其中藉由該光學成像而發現的於該基板之一構形(configuration)中之不準確性(inaccuracies)及變形(distortions)之至少一者考量在內以導出該經修改之CAD資料。
  12. 如請求項9所述之用於製造電路之系統，其中該直寫資料被配置成使得任何晶粒皆係藉由不多於該複數次掃描之該單次掃描而寫成。
  13. 如請求項9所述之用於製造電路之系統，其中該等晶粒係由多個層形成，該多個層係被依序(sequentially)彼此上下對齊地(in registration)寫成。
  14. 如請求項13所述之用於製造電路之系統，其中該ADWMC單元將該直寫機器自動配置成基於該經修改之CAD資料以複數次掃描將該多個層之每一者之直寫資料直寫於該基板上，每次掃描皆具有較該基板之一寬度小之一掃描寬度，該自動配置包含將欲在該複數次掃描之每一者中以一並排方式寫成之該大量晶粒之該多個層之該直寫資料排列成處於該掃描寬度內，藉以免除在相鄰掃描之間的直寫資料 之縫合。
  15. 如請求項9所述之用於製造電路之系統，其中該直寫機器包含一單一讀/寫總成，該複數次掃描係藉由該讀/寫總成依序執行。
  16. 如請求項9所述之用於製造電路之系統，其中該直寫機器包含二或更多個讀/寫總成，該複數次掃描係藉由使該等讀/寫總成至少部分地相互同時運作而執行。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102017123686A1 (de) * 2017-10-11 2019-04-11 Miva Technologies Gmbh Verfahren und Belichtungseinrichtung zur Belichtung von zumindest einer gespeicherten Darstellung auf einem lichtempfindlichen Aufzeichnungsträger
JP7212701B2 (ja) 2018-05-31 2023-01-25 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド デジタルリソグラフィシステムでのマルチ基板処理
TWI809201B (zh) * 2018-10-23 2023-07-21 以色列商奧寶科技有限公司 用於校正晶粒放置錯誤之適應性路由
CN109491212A (zh) * 2018-11-02 2019-03-19 深圳市先地图像科技有限公司 一种激光器多点线性机械扫描成像的装置及其使用方法
WO2020182680A1 (en) * 2019-03-11 2020-09-17 Mycronic AB Method and device for processing print data and for printing according to such print data
CN113378665A (zh) 2019-11-27 2021-09-10 奥特斯科技(重庆)有限公司 处理部件承载件的方法及光学检查设备和计算机可读介质
EP4043142A1 (en) 2021-02-12 2022-08-17 Valstybinis Moksliniu Tyrimu Institutas Fiziniu Ir Technologijos Mokslu Centras Method for batch processing of 3d objects using laser treatment and a system implementing the method
KR20240013769A (ko) * 2021-05-25 2024-01-30 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 증가된 디지털 포토리소그래피 정밀도를 위한 브릿지 보강재들

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4924257A (en) * 1988-10-05 1990-05-08 Kantilal Jain Scan and repeat high resolution projection lithography system
US6149856A (en) * 1998-11-13 2000-11-21 Anvik Corporation Ultraviolet-based, large-area scanning system for photothermal processing of composite structures
JP2004087715A (ja) * 2002-08-26 2004-03-18 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc 電子ビーム露光方法、半導体装置、露光パターンデータ処理方法およびプログラム
CN1766740A (zh) * 2004-10-28 2006-05-03 Asml荷兰有限公司 光学位置确定设备及方法
US20070055467A1 (en) * 2005-09-06 2007-03-08 Advanced Mask Inspection Technology Inc. Workpiece inspection apparatus assisting device, workpiece inspection method and computer-readable recording media storing program therefor
CN101566802A (zh) * 2008-04-25 2009-10-28 台湾积体电路制造股份有限公司 用于直写晶片的系统和方法
US20130120724A1 (en) * 2011-05-18 2013-05-16 Mapper Lithography Ip B.V. Method for splitting a pattern for use in a multi-beamlet lithography apparatus

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6059732A (ja) * 1983-09-13 1985-04-06 Toshiba Corp 電子ビ−ム描画法
US20050105071A1 (en) * 2003-06-03 2005-05-19 Fusao Ishii Methods for patterning substrates having arbitrary and unexpected dimensional changes
JP4532200B2 (ja) * 2004-08-10 2010-08-25 株式会社オーク製作所 描画装置
TWI524153B (zh) * 2005-09-15 2016-03-01 瑪波微影Ｉｐ公司 微影系統，感測器及測量方法
US7936445B2 (en) * 2006-06-19 2011-05-03 Asml Netherlands B.V. Altering pattern data based on measured optical element characteristics
US20080241486A1 (en) * 2007-03-30 2008-10-02 Seiji Ishikawa Liquid Crystal Display Device with Evaluation Patterns Disposed Thereon, and Method for Manufacturing the Same
US8440375B2 (en) * 2007-05-29 2013-05-14 Nikon Corporation Exposure method and electronic device manufacturing method
JP2009049161A (ja) * 2007-08-20 2009-03-05 Fujitsu Microelectronics Ltd ショット分割繋ぎ位置選択方法及びショット分割露光システム
JP2010251580A (ja) * 2009-04-17 2010-11-04 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法及び露光装置
ES2371721T3 (es) * 2009-04-24 2012-01-09 F. Hoffmann-La Roche Ag Procedimiento y dispositivo para el escaneado óptico de un objeto.
TWI448830B (zh) * 2010-02-09 2014-08-11 Asml Netherlands Bv 微影裝置及元件製造方法
JP5703069B2 (ja) * 2010-09-30 2015-04-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 描画装置および描画方法
JP5760292B2 (ja) * 2011-02-28 2015-08-05 株式会社ブイ・テクノロジー マイクロレンズアレイを使用した露光装置
JP5875904B2 (ja) * 2012-03-13 2016-03-02 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 描画装置および描画方法
JP2015022192A (ja) * 2013-07-19 2015-02-02 株式会社ニューフレアテクノロジー 検査装置
CN105659166B (zh) * 2013-10-22 2019-01-29 应用材料公司 用于基于网的处理的无掩模平版印刷
DK3120107T3 (en) * 2014-03-21 2019-03-18 Carpe Diem Tech Inc System and method for producing miniature structures on a flexible substrate

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4924257A (en) * 1988-10-05 1990-05-08 Kantilal Jain Scan and repeat high resolution projection lithography system
US6149856A (en) * 1998-11-13 2000-11-21 Anvik Corporation Ultraviolet-based, large-area scanning system for photothermal processing of composite structures
JP2004087715A (ja) * 2002-08-26 2004-03-18 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc 電子ビーム露光方法、半導体装置、露光パターンデータ処理方法およびプログラム
CN1766740A (zh) * 2004-10-28 2006-05-03 Asml荷兰有限公司 光学位置确定设备及方法
US20070055467A1 (en) * 2005-09-06 2007-03-08 Advanced Mask Inspection Technology Inc. Workpiece inspection apparatus assisting device, workpiece inspection method and computer-readable recording media storing program therefor
CN101566802A (zh) * 2008-04-25 2009-10-28 台湾积体电路制造股份有限公司 用于直写晶片的系统和方法
US20130120724A1 (en) * 2011-05-18 2013-05-16 Mapper Lithography Ip B.V. Method for splitting a pattern for use in a multi-beamlet lithography apparatus

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Publication number Publication date
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