JP2877820B2 - シリコンウエハーの洗浄、濯ぎ、乾燥方法及び装置 - Google Patents
シリコンウエハーの洗浄、濯ぎ、乾燥方法及び装置Info
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
- B08B3/12—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by sonic or ultrasonic vibrations
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体過程工業における、シリコン・ウェ
ハースまたは他のウェハース、あるいは薄い平円盤状の
物質または成分を、濯ぎ、乾燥させる装置および手段に
広く関連づけられるものである。さらにまた本発明は、
ウェハースの洗浄、濯ぎ、乾燥の統合装置および手段
に、また特に、音波洗浄技術を用いた、ウェハースの洗
浄、濯ぎ、乾燥のための、このような装置および手段に
関連づけられるものである。
ハースまたは他のウェハース、あるいは薄い平円盤状の
物質または成分を、濯ぎ、乾燥させる装置および手段に
広く関連づけられるものである。さらにまた本発明は、
ウェハースの洗浄、濯ぎ、乾燥の統合装置および手段
に、また特に、音波洗浄技術を用いた、ウェハースの洗
浄、濯ぎ、乾燥のための、このような装置および手段に
関連づけられるものである。
シリコン・ウェハースに半導体の仕組みを生みだすま
での過程においては、ウェハースには無数の段階が踏ま
れるべきものである。これら多くの段階を実践するのに
は、ひとまとめのウェハースを、しばしばボートまたは
カセットとして参照されるような溝を設けたキャリヤで
ある溝口運搬設備に配置して行えば合理的である。運搬
設備は、相対する垂直の側面に、ウェハースを縁にそっ
てはさみ守備よい間隔で受容するための無数の空洞状の
溝口を有している。運搬設備の底部には、運搬されるウ
ェハースの裏側の縁に接近させるための開放口が設けら
れている。運搬設備の上端は、ウェハースが挿入され移
動されるよう、開かれている。
での過程においては、ウェハースには無数の段階が踏ま
れるべきものである。これら多くの段階を実践するのに
は、ひとまとめのウェハースを、しばしばボートまたは
カセットとして参照されるような溝を設けたキャリヤで
ある溝口運搬設備に配置して行えば合理的である。運搬
設備は、相対する垂直の側面に、ウェハースを縁にそっ
てはさみ守備よい間隔で受容するための無数の空洞状の
溝口を有している。運搬設備の底部には、運搬されるウ
ェハースの裏側の縁に接近させるための開放口が設けら
れている。運搬設備の上端は、ウェハースが挿入され移
動されるよう、開かれている。
半導体の仕組み製造においては、おびただしい回数の
洗浄、塗布、拡散段階が要求されるものである。ウェハ
ース表面上の塵および残留物の微粒子洗浄および除去
は、難解な作業である。塵、ごみ、ほこりの極小粒子
は、ウェハースの表面上にむしろ堅固に付着されるもの
である。ウェハース表面上よりの、このような異質物除
去には、強力な洗浄作用が要求される。手作業によるウ
ェハースの洗い落としは、有効な一方、高価格かつ摩滅
により破壊的である。
洗浄、塗布、拡散段階が要求されるものである。ウェハ
ース表面上の塵および残留物の微粒子洗浄および除去
は、難解な作業である。塵、ごみ、ほこりの極小粒子
は、ウェハースの表面上にむしろ堅固に付着されるもの
である。ウェハース表面上よりの、このような異質物除
去には、強力な洗浄作用が要求される。手作業によるウ
ェハースの洗い落としは、有効な一方、高価格かつ摩滅
により破壊的である。
ウェハースの熱い化学溶液への浸し入れには幾分の効
果があり、また手作業による洗い落としに比較し、価格
の点ではるかに効果的であること、多量製造にはより順
応的であることが発見されている。化学的浸し入れ方法
の効力向上のため、超音波および大型音波洗浄手段を、
化学洗浄溶液浸し入れに兼用もしくは付加として用いる
事が示唆されている。従来、そのような化学的洗浄法お
よび音波エネルギー洗浄法は、特別の改造洗浄槽におい
て、洗浄され洗浄槽より移されたウェハースを、濯ぎ液
中で濯ぐため行われているものである。
果があり、また手作業による洗い落としに比較し、価格
の点ではるかに効果的であること、多量製造にはより順
応的であることが発見されている。化学的浸し入れ方法
の効力向上のため、超音波および大型音波洗浄手段を、
化学洗浄溶液浸し入れに兼用もしくは付加として用いる
事が示唆されている。従来、そのような化学的洗浄法お
よび音波エネルギー洗浄法は、特別の改造洗浄槽におい
て、洗浄され洗浄槽より移されたウェハースを、濯ぎ液
中で濯ぐため行われているものである。
工業界は、回転濯ぎ・乾燥機として知られる機械を、
シリコン・ウェハースの最終スプレーリンスおよび回転
乾燥への効力のため、多年にわたり使用している。濯ぎ
・乾燥機は、ウェハースおよびウェハースを包含する運
搬装置より水分を噴出する、遠心分離機体である。この
ような機械にて行われる回転活動のため、シリコン・ウ
ェハースは、強い圧迫を受ける。加えて、シリコンの塵
は、他の微粒子繁殖とともにウェハース表面上に生じ、
再付着するものである。半導体工業は、シリコン装置作
製における非常に大規模な統合によって、より小型の装
置幾何へと向かって進んでおり、小型装置幾何における
微粒子繁殖は、ウェハースの最終濯ぎ及び乾燥の間に、
著しい欠損問題を引き起こすものである。
シリコン・ウェハースの最終スプレーリンスおよび回転
乾燥への効力のため、多年にわたり使用している。濯ぎ
・乾燥機は、ウェハースおよびウェハースを包含する運
搬装置より水分を噴出する、遠心分離機体である。この
ような機械にて行われる回転活動のため、シリコン・ウ
ェハースは、強い圧迫を受ける。加えて、シリコンの塵
は、他の微粒子繁殖とともにウェハース表面上に生じ、
再付着するものである。半導体工業は、シリコン装置作
製における非常に大規模な統合によって、より小型の装
置幾何へと向かって進んでおり、小型装置幾何における
微粒子繁殖は、ウェハースの最終濯ぎ及び乾燥の間に、
著しい欠損問題を引き起こすものである。
1986年6月16日付け出願の米国特許出願番号第07/87
4,383号の明細書中においてはウェハースが熱いウォー
ター・バスで規定の溝口運搬設備に維持されながら濯が
れる箇所では、シリコン・ウェハースのような薄いウェ
ハースの濯ぎ及び乾燥の手段が表されている。ウェハー
スは、ウォーター・バス水面上の表面張力がウェハース
の浮上する表面から水分を均等に効力的に牽引するよう
に、ウォーター・バスより徐々に持ち上げられることに
より乾燥される。ウェハースは、遠心分離型の濯ぎ機及
び乾燥機において展開されたような強力な圧迫を受ける
ことなしに、乾燥状態で徐々にウォーター・バスより上
がるものである。
4,383号の明細書中においてはウェハースが熱いウォー
ター・バスで規定の溝口運搬設備に維持されながら濯が
れる箇所では、シリコン・ウェハースのような薄いウェ
ハースの濯ぎ及び乾燥の手段が表されている。ウェハー
スは、ウォーター・バス水面上の表面張力がウェハース
の浮上する表面から水分を均等に効力的に牽引するよう
に、ウォーター・バスより徐々に持ち上げられることに
より乾燥される。ウェハースは、遠心分離型の濯ぎ機及
び乾燥機において展開されたような強力な圧迫を受ける
ことなしに、乾燥状態で徐々にウォーター・バスより上
がるものである。
本発明の主要なる目的は、シリコン・ウェハースのよ
うな薄いウェハースの能率的かつ同時の洗浄、濯ぎ及び
乾燥を、洗浄、濯ぎ、乾燥段階を分離する別々の装置と
手段とを避け、能率的に同時に行なうための、新規的ま
たは合理的な統合システムを供給することである。
うな薄いウェハースの能率的かつ同時の洗浄、濯ぎ及び
乾燥を、洗浄、濯ぎ、乾燥段階を分離する別々の装置と
手段とを避け、能率的に同時に行なうための、新規的ま
たは合理的な統合システムを供給することである。
本発明の特別の目的は、シリコン・ウェハースのよう
な薄いウェハースのち密でしかも比較的に格安な、洗
浄、濯ぎ、及び乾燥が、ウェハースが清浄度の高く熱い
非イオン化水槽中で、音波エネルギーの波動を受けるべ
く徐々に音波エネルギー域を通過しながら洗浄され、濯
がれ、さらに全エネルギー域での緩やかな動きの継続に
おいて、槽内の熱い非イオン化水からゆっくりと移動さ
れることによって乾燥されるような、統合的手順で行な
い得る装置を供給することである。
な薄いウェハースのち密でしかも比較的に格安な、洗
浄、濯ぎ、及び乾燥が、ウェハースが清浄度の高く熱い
非イオン化水槽中で、音波エネルギーの波動を受けるべ
く徐々に音波エネルギー域を通過しながら洗浄され、濯
がれ、さらに全エネルギー域での緩やかな動きの継続に
おいて、槽内の熱い非イオン化水からゆっくりと移動さ
れることによって乾燥されるような、統合的手順で行な
い得る装置を供給することである。
本発明の一層の目的は、ウェハースが、汚染微粒子の
効果的除去をもたらすための周囲上澄み層のすくい取り
もしくは氾濫作用のある槽の中で、槽の底部より沸く清
浄度の高く熱い非イオン化水の薄層の上方向に向かう流
れを用い、洗浄され濯がれるような統合システムを供給
することである。
効果的除去をもたらすための周囲上澄み層のすくい取り
もしくは氾濫作用のある槽の中で、槽の底部より沸く清
浄度の高く熱い非イオン化水の薄層の上方向に向かう流
れを用い、洗浄され濯がれるような統合システムを供給
することである。
本発明の付随的な目的は。薄いウェハースが、大型音
波の波動エネルギーを受けるべく、音波エネルギー域を
当初貫通移動するため、熱く清浄度の高い非イオン化水
に浸し入れられ、さらに熱い非イオン化水の全表面にお
いて、ゆるやかで継続的な動作で動き続けることにより
乾燥される一方で、維持カセットより持ち上げられる、
リフト機構および洗浄、濯ぎ等を包含する装置の新規な
組み合わせを供給することである。
波の波動エネルギーを受けるべく、音波エネルギー域を
当初貫通移動するため、熱く清浄度の高い非イオン化水
に浸し入れられ、さらに熱い非イオン化水の全表面にお
いて、ゆるやかで継続的な動作で動き続けることにより
乾燥される一方で、維持カセットより持ち上げられる、
リフト機構および洗浄、濯ぎ等を包含する装置の新規な
組み合わせを供給することである。
上述の諸目的は、シリコン・ウェハースのような、ウ
ェハース及び薄い平円盤状の部または成分の、清浄度の
高く熱い、非イオン化水の、ウォーター・バスを用いた
最終洗浄、濯ぎ、乾燥のための新規な手段と装置を供給
することにより、本発明と一致して達せられるものであ
る。維持手段に含まれたウェハースは、熱い非イオン化
水槽の中に浸し入れられる。熱い非イオン化水は、水中
に浮流する微粒子除去のため、全槽内を通して、薄層流
動型の上方向への流れとされるべくものである。槽にお
ける、少なくとも周囲部分の氾濫水は、それによって水
面に瞬発的に浮上中の微粒子の除去となるために、熱い
非イオン化水面における上澄み層すくい取り作動に非常
な効果をもたらすものである。液体による薄層流動およ
び液体表面の上澄み層すくい取りは、ウェハースにおけ
る微粒子再付着の可能性を実質的に減ずるものである。
ェハース及び薄い平円盤状の部または成分の、清浄度の
高く熱い、非イオン化水の、ウォーター・バスを用いた
最終洗浄、濯ぎ、乾燥のための新規な手段と装置を供給
することにより、本発明と一致して達せられるものであ
る。維持手段に含まれたウェハースは、熱い非イオン化
水槽の中に浸し入れられる。熱い非イオン化水は、水中
に浮流する微粒子除去のため、全槽内を通して、薄層流
動型の上方向への流れとされるべくものである。槽にお
ける、少なくとも周囲部分の氾濫水は、それによって水
面に瞬発的に浮上中の微粒子の除去となるために、熱い
非イオン化水面における上澄み層すくい取り作動に非常
な効果をもたらすものである。液体による薄層流動およ
び液体表面の上澄み層すくい取りは、ウェハースにおけ
る微粒子再付着の可能性を実質的に減ずるものである。
ウェハースの洗浄は、ウォーター・バスにおいて維持
される、非常な高頻度の音波エネルギーのビームを通し
てウェハースを徐々に動かすことによって達せられる。
変換機は、およそ0.04から5MHzの間の頻度による振動電
流に適用され、熱い非イオン化水を包含する槽内に配置
される。
される、非常な高頻度の音波エネルギーのビームを通し
てウェハースを徐々に動かすことによって達せられる。
変換機は、およそ0.04から5MHzの間の頻度による振動電
流に適用され、熱い非イオン化水を包含する槽内に配置
される。
変換機は、槽の垂直面もしくはその隣接地点に据え付
けられることが望ましく、それが槽内の水の総体にわた
り横断する音波エネルギーのビームを誘導するものであ
る。音波エネルギーは、大型音波配列下にあること、す
なわち、波動エネルギーの頻度はおよそ0.2から5HMz間
に配列されることが望ましい。
けられることが望ましく、それが槽内の水の総体にわた
り横断する音波エネルギーのビームを誘導するものであ
る。音波エネルギーは、大型音波配列下にあること、す
なわち、波動エネルギーの頻度はおよそ0.2から5HMz間
に配列されることが望ましい。
新規かつ垂直のリフト機構は、シリコン・ウェハース
を槽内の音波エネルギーのビーム下の水中に浸し入れた
ところの位置より持ち上げ、槽内の音波エネルギーのビ
ームを横切って徐々に移動させるため供給されるもので
ある。機構は、要望によりウェハースを、音波エネルギ
ーのビームに通しながら、幾度か上下に動かすことに適
用し得る。音波エネルギーのビームを通してのウェハー
スの上方向への移動に伴い(この場合は、機構が音波エ
ネルギーのビームを通してのウェハースの幾度かの上下
移動に適用された時においての、最終の上方向への移動
である)、ウェハースは熱い非イオン化水体の表面を通
って、徐々に持ち上げられる。本発明の具体化の提起の
一つにおいては、リフト機構は、一時的に音波エネルギ
ーのビームの発生を止め、さらにウェハース及びカセッ
トを、双方がウォーター・バスより移動された後のウェ
ハースのカセット内への再配置の最終段階とともに、ウ
ェハースが分離独立した別の操作によってすでにウォー
ター・バスから移動されているところより、徐々に持ち
上げるのに適用される。当具体案においては、リフト手
段又はリフト機構は、溝を設けたキャリヤ又はカセット
を維持するための維持手段又は維持組織、およびウェハ
ースを持ち上げるためのリフト要素、またウォーター・
バスを含めた槽に関する充分な垂直活動で維持組織およ
びリフト要素双方を移動させるところの分離独立した手
段を包含する。手段は、維持組織及び、ウェハースの保
護を含む個々のカセットそれぞれを、槽の低部にて洗浄
され濯がれべく配置するために、供給されるものであ
る。
を槽内の音波エネルギーのビーム下の水中に浸し入れた
ところの位置より持ち上げ、槽内の音波エネルギーのビ
ームを横切って徐々に移動させるため供給されるもので
ある。機構は、要望によりウェハースを、音波エネルギ
ーのビームに通しながら、幾度か上下に動かすことに適
用し得る。音波エネルギーのビームを通してのウェハー
スの上方向への移動に伴い(この場合は、機構が音波エ
ネルギーのビームを通してのウェハースの幾度かの上下
移動に適用された時においての、最終の上方向への移動
である)、ウェハースは熱い非イオン化水体の表面を通
って、徐々に持ち上げられる。本発明の具体化の提起の
一つにおいては、リフト機構は、一時的に音波エネルギ
ーのビームの発生を止め、さらにウェハース及びカセッ
トを、双方がウォーター・バスより移動された後のウェ
ハースのカセット内への再配置の最終段階とともに、ウ
ェハースが分離独立した別の操作によってすでにウォー
ター・バスから移動されているところより、徐々に持ち
上げるのに適用される。当具体案においては、リフト手
段又はリフト機構は、溝を設けたキャリヤ又はカセット
を維持するための維持手段又は維持組織、およびウェハ
ースを持ち上げるためのリフト要素、またウォーター・
バスを含めた槽に関する充分な垂直活動で維持組織およ
びリフト要素双方を移動させるところの分離独立した手
段を包含する。手段は、維持組織及び、ウェハースの保
護を含む個々のカセットそれぞれを、槽の低部にて洗浄
され濯がれべく配置するために、供給されるものであ
る。
音波エネルギーのビームの発生がさらに開始され、よ
って、カセット及びそれに伴うウェハースは音波エネル
ギーのビームのもとに配置される。その時リフト要素
は、カセット底部の開口を通じて、ウェハースの裏側の
縁に随伴する。リフト要素は、ウェハースがカセットよ
り持ち上げられるに従い、徐々にウォーター・バスの音
波エネルギーのビームを通りながら、継続的な動作で上
方向に移動する。さらに、リフト要素が継続的にゆるや
かに上方向へ移動するのに伴われ、ウェハースはやがて
ウォーター・バスの表面より上に持ち上がる。過程の限
定的説明においては、リフト要素は、ウェハースがウォ
ーター・バスの表面より持ち上げられる最終の上方向へ
の移動を行なう前に、交互の上下移動をしながら徐々に
動くものである。交互移動の間、ウェハースは音波エネ
ルギーのビームを通りながら、上下に動くものである。
って、カセット及びそれに伴うウェハースは音波エネル
ギーのビームのもとに配置される。その時リフト要素
は、カセット底部の開口を通じて、ウェハースの裏側の
縁に随伴する。リフト要素は、ウェハースがカセットよ
り持ち上げられるに従い、徐々にウォーター・バスの音
波エネルギーのビームを通りながら、継続的な動作で上
方向に移動する。さらに、リフト要素が継続的にゆるや
かに上方向へ移動するのに伴われ、ウェハースはやがて
ウォーター・バスの表面より上に持ち上がる。過程の限
定的説明においては、リフト要素は、ウェハースがウォ
ーター・バスの表面より持ち上げられる最終の上方向へ
の移動を行なう前に、交互の上下移動をしながら徐々に
動くものである。交互移動の間、ウェハースは音波エネ
ルギーのビームを通りながら、上下に動くものである。
リフト要素が、ウォーター・バスの音波エネルギーの
ビームを通しての最終活動においてウェハースを移動さ
せた後、音波エネルギーの発生は一時的に停止せられ、
維持組織は、空いたカセットを槽内のウォーター・バス
の表面より結果的に持ち上げるべく、槽内においてのゆ
っくりとした上昇活動を始めるものである。いったんウ
ォーター・バスの上となると、空のカセットはウェハー
スに再随伴し、洗浄され、濯がれ、乾燥されたウェハー
スを包含する乾いたカセットは、そこで維持組織よりは
ずされる。洗浄され、濯がれるべきウェハースを包含す
る他のカセットが、そこで維持組織に配置され得る。そ
こで、維持組織および濯ぎリフト要素は、新たな洗浄お
よび濯ぎ循環を開始するため、槽内の水中の音波エネル
ギーのビーム下にある、槽の中の低位置に向けて下降活
動をする。
ビームを通しての最終活動においてウェハースを移動さ
せた後、音波エネルギーの発生は一時的に停止せられ、
維持組織は、空いたカセットを槽内のウォーター・バス
の表面より結果的に持ち上げるべく、槽内においてのゆ
っくりとした上昇活動を始めるものである。いったんウ
ォーター・バスの上となると、空のカセットはウェハー
スに再随伴し、洗浄され、濯がれ、乾燥されたウェハー
スを包含する乾いたカセットは、そこで維持組織よりは
ずされる。洗浄され、濯がれるべきウェハースを包含す
る他のカセットが、そこで維持組織に配置され得る。そ
こで、維持組織および濯ぎリフト要素は、新たな洗浄お
よび濯ぎ循環を開始するため、槽内の水中の音波エネル
ギーのビーム下にある、槽の中の低位置に向けて下降活
動をする。
本発明の付加的な目的および特徴は、添付図面とあわ
せて、次に続く詳細記述より次第に明白となるものであ
る。
せて、次に続く詳細記述より次第に明白となるものであ
る。
本発明の方法及び装置は清浄度の高く熱い非イオン化
水に満たされた、槽10の洗浄および(もしくは)濯ぎを
含むものである。水温は、少なくとも摂氏約70度から90
度の間、また望ましくは摂氏約85度から90度の間とされ
るものである。拡散機11は、槽10の底部付近の、槽10内
部に据えられる。熱い清浄化された非イオン化水は、熱
い非イオン化水の上向きの薄層流動を槽10に全体に渡っ
て造るために、拡散機11を通して上向きに槽10へと注ぎ
込まれる。図1によく示されているように、差し込みノ
ズル13は、清浄化された熱い非イオン化水を槽10の底部
および拡散機の隙間を防いで注ぎ込むために、槽10の底
部に適用される。
水に満たされた、槽10の洗浄および(もしくは)濯ぎを
含むものである。水温は、少なくとも摂氏約70度から90
度の間、また望ましくは摂氏約85度から90度の間とされ
るものである。拡散機11は、槽10の底部付近の、槽10内
部に据えられる。熱い清浄化された非イオン化水は、熱
い非イオン化水の上向きの薄層流動を槽10に全体に渡っ
て造るために、拡散機11を通して上向きに槽10へと注ぎ
込まれる。図1によく示されているように、差し込みノ
ズル13は、清浄化された熱い非イオン化水を槽10の底部
および拡散機の隙間を防いで注ぎ込むために、槽10の底
部に適用される。
熱い非イオン化水は、拡散機11を通過し、槽10内部に
おいて、充分な薄槽流動により上向きに流れる。周辺的
氾濫は、槽10の周辺を氾濫することによっで、槽10の上
部より熱い非イオン化水を排水させる。熱い非イオン化
水の薄槽流動は、槽10中に入れられた比較的薄い板状の
物品である半導体ウェハースを濯ぎ、また周辺的氾濫を
ともなった上向きの水の流れは、熱い非イオン化水に浮
流する様々な微粒子を除去するものである。周辺的氾濫
は、槽10内の水の表面において非常に有効な上澄み層す
くい取り効果をもたらす。
おいて、充分な薄槽流動により上向きに流れる。周辺的
氾濫は、槽10の周辺を氾濫することによっで、槽10の上
部より熱い非イオン化水を排水させる。熱い非イオン化
水の薄槽流動は、槽10中に入れられた比較的薄い板状の
物品である半導体ウェハースを濯ぎ、また周辺的氾濫を
ともなった上向きの水の流れは、熱い非イオン化水に浮
流する様々な微粒子を除去するものである。周辺的氾濫
は、槽10内の水の表面において非常に有効な上澄み層す
くい取り効果をもたらす。
ウェハースは、槽10中において、熱い非イオン化水に
よって濯がれると同時に、有効な最終洗浄をされる。こ
の最終段階では、槽10の水全体に渡って充分な水平方向
で広がる、音波エネルギー(好ましくは大型音波エネル
ギー)のビームを伝達するための手段が施される。変換
機15は、槽10の側面の一つに沿って適用される。変換機
15は、槽10内の水全体に渡って充分な水平方向で押し流
れる、音波エネルギーの水平体ビームを生む、伸張装置
である。商業ベースによる入手の可能である変換機15
は、少なくとも約0.04から5MHzの間の頻度で操作され
る。変換機は、規定の調整された高頻度のアンプに交互
に接続される、適切なリードを通して活力が与えられ
る。アンプの組立は技術的によく知られていることか
ら、添付図面の記載においても、また以下の説明におい
ても省略する。音波洗浄構成を含む、装置の作用は、以
下の説明においてさらに充分に記述されるものである。
よって濯がれると同時に、有効な最終洗浄をされる。こ
の最終段階では、槽10の水全体に渡って充分な水平方向
で広がる、音波エネルギー(好ましくは大型音波エネル
ギー)のビームを伝達するための手段が施される。変換
機15は、槽10の側面の一つに沿って適用される。変換機
15は、槽10内の水全体に渡って充分な水平方向で押し流
れる、音波エネルギーの水平体ビームを生む、伸張装置
である。商業ベースによる入手の可能である変換機15
は、少なくとも約0.04から5MHzの間の頻度で操作され
る。変換機は、規定の調整された高頻度のアンプに交互
に接続される、適切なリードを通して活力が与えられ
る。アンプの組立は技術的によく知られていることか
ら、添付図面の記載においても、また以下の説明におい
ても省略する。音波洗浄構成を含む、装置の作用は、以
下の説明においてさらに充分に記述されるものである。
ウェハースの濯ぎにおいては、音波洗浄段階が同時に
含まれるか否かに係わりなく、ウェハースの乾燥は、そ
れを流動する熱湯の表面を通して持ち上げることによ
り、非常に効果的に行なわれるものであるとの事が発見
されている。熱いウォーター・バスの境界面における表
面張力および個々のウェハースは、ウェハースの表面よ
り水を効果的に牽引する。本質的には、ウェハースとカ
セットとの合体を、水の表面より非常にゆっくりと移動
させることにより、水の表面との境界面における毛管現
象が、ウェハースのカセットとの合体の濡れた表面より
水を牽引するものである。ウェハースおよびカセットの
移動率は、一分間につき約2.54cm(1インチ)カラ10.1
6cm(4インチ)、望ましくは一分間につき約5.08cm
(2インチ)から7.62cm(3インチ)されるべきであ
る。
含まれるか否かに係わりなく、ウェハースの乾燥は、そ
れを流動する熱湯の表面を通して持ち上げることによ
り、非常に効果的に行なわれるものであるとの事が発見
されている。熱いウォーター・バスの境界面における表
面張力および個々のウェハースは、ウェハースの表面よ
り水を効果的に牽引する。本質的には、ウェハースとカ
セットとの合体を、水の表面より非常にゆっくりと移動
させることにより、水の表面との境界面における毛管現
象が、ウェハースのカセットとの合体の濡れた表面より
水を牽引するものである。ウェハースおよびカセットの
移動率は、一分間につき約2.54cm(1インチ)カラ10.1
6cm(4インチ)、望ましくは一分間につき約5.08cm
(2インチ)から7.62cm(3インチ)されるべきであ
る。
しかしながら、仮にウェハースとウェハースを含有す
るカセットとが、共に水の表面を通して持ち上げられる
ならば、すなわち、カセット内の保有溝にウェハースの
側面の縁が随伴されたまま持ち上げられるとするなら
ば、水は、ウェハースの縁の周囲の、カセット内の溝の
中にはまり込み、残留するものである。残留した水は、
ウェハースの縁の水染みの原因となり、また場合によっ
ては、カセット内の溝に留まった水滴は、カセットがウ
ォーター・バスより移動された後、ウェハースの面を渡
って流れ得る。ウェハースの面を渡る水の流れは、ウェ
ハース全体に、深刻な損傷をきたし得るものである。
るカセットとが、共に水の表面を通して持ち上げられる
ならば、すなわち、カセット内の保有溝にウェハースの
側面の縁が随伴されたまま持ち上げられるとするなら
ば、水は、ウェハースの縁の周囲の、カセット内の溝の
中にはまり込み、残留するものである。残留した水は、
ウェハースの縁の水染みの原因となり、また場合によっ
ては、カセット内の溝に留まった水滴は、カセットがウ
ォーター・バスより移動された後、ウェハースの面を渡
って流れ得る。ウェハースの面を渡る水の流れは、ウェ
ハース全体に、深刻な損傷をきたし得るものである。
仮にウェハースが、ウォーター・バスの表面との境界
面のようなところにおいて、カセットと接することな
く、ウォーター・バスの表面を通して独自に動かされ得
るならば、水はウェハースより均等に引かれ、水より上
に持ち上げられているウェハースは乾燥されるとの事が
発見されている。同様に、仮にカセットが、水の表面と
の境界面のようなところにおいて、ウェハースと接する
ことなく、ウォーター・バスの表面を通して独自に移動
させられるならば、水はカセットより均等に引かれ、水
の上に持ち上げられたカセットは、内側の溝まで乾燥さ
れるとの事が発見されている。特別リフト機構は、ウォ
ーター・バスの表面境界面を通るウェハース及びカセッ
トの、独自の活動を果たすのに、適用されるものでなけ
ればならない。
面のようなところにおいて、カセットと接することな
く、ウォーター・バスの表面を通して独自に動かされ得
るならば、水はウェハースより均等に引かれ、水より上
に持ち上げられているウェハースは乾燥されるとの事が
発見されている。同様に、仮にカセットが、水の表面と
の境界面のようなところにおいて、ウェハースと接する
ことなく、ウォーター・バスの表面を通して独自に移動
させられるならば、水はカセットより均等に引かれ、水
の上に持ち上げられたカセットは、内側の溝まで乾燥さ
れるとの事が発見されている。特別リフト機構は、ウォ
ーター・バスの表面境界面を通るウェハース及びカセッ
トの、独自の活動を果たすのに、適用されるものでなけ
ればならない。
特別リフト機構は、ひとまとめのウェハースを個々に
離して保持するカセット、少なくとも一個を維持するた
めの、槽10内に配置された維持組織を含む。維持組織
は、カセット及びひとまとめのウェハースが、槽10内
の、熱い非イオン化水表面の下に完全に浸し入れられる
まで運ばれるような、槽10の中を下降するものでなけれ
ばならない。音波洗浄段階が、濯ぎと同時に行なわれる
べき時点においては、維持組織は、カセット及びひとま
とめのウェハースが、槽10内の水全体に渡って広がる音
波エネルギーのビームのもとに浸し入れられるまで運ば
れるような、槽10の中を下降するものでなければならな
い。
離して保持するカセット、少なくとも一個を維持するた
めの、槽10内に配置された維持組織を含む。維持組織
は、カセット及びひとまとめのウェハースが、槽10内
の、熱い非イオン化水表面の下に完全に浸し入れられる
まで運ばれるような、槽10の中を下降するものでなけれ
ばならない。音波洗浄段階が、濯ぎと同時に行なわれる
べき時点においては、維持組織は、カセット及びひとま
とめのウェハースが、槽10内の水全体に渡って広がる音
波エネルギーのビームのもとに浸し入れられるまで運ば
れるような、槽10の中を下降するものでなければならな
い。
具体化例証において、維持手段又は維持組織は、槽10
の中に平行に配置された二個の維持プレート20を含む。
維持プレート20は、槽10内において維持プレート20を上
下に上げ下げすることの可能な、リフト手段により維持
される。維持プレート20のそれぞれが、図1によく示さ
れているように、その上に本例での溝を設けたキャリヤ
であるカセット25を受理する縁棚21を有している。二個
のプレート20は、個々の上の平らな棚21が、カセット25
のそれぞれの裏側の縦の縁を維持するため、縦列となる
ように空間が保たれている。
の中に平行に配置された二個の維持プレート20を含む。
維持プレート20は、槽10内において維持プレート20を上
下に上げ下げすることの可能な、リフト手段により維持
される。維持プレート20のそれぞれが、図1によく示さ
れているように、その上に本例での溝を設けたキャリヤ
であるカセット25を受理する縁棚21を有している。二個
のプレート20は、個々の上の平らな棚21が、カセット25
のそれぞれの裏側の縦の縁を維持するため、縦列となる
ように空間が保たれている。
例証されているように、槽10の中の二個のプレート20
は、槽10の上部を上方向に延長する接続アーム22に接続
される。これらの接続アームは、プレート20を上下に動
かすための本例でのリフト手段であるリフト機構に、交
互につながれる。リフト機構は、槽10付近に配置された
二重ピストン水圧システム26を含む。接続アーム22は、
以下の説明においてさらに充分に記述されるものである
ように、水圧システム26のピストンの一個に接続され
る。
は、槽10の上部を上方向に延長する接続アーム22に接続
される。これらの接続アームは、プレート20を上下に動
かすための本例でのリフト手段であるリフト機構に、交
互につながれる。リフト機構は、槽10付近に配置された
二重ピストン水圧システム26を含む。接続アーム22は、
以下の説明においてさらに充分に記述されるものである
ように、水圧システム26のピストンの一個に接続され
る。
少なくとも一個のリフト要素が、槽10内に、ひとまと
めのウェハースそれぞれを個々にカセットから持ち上げ
るため、適用される。例証のように、リフト要素30は、
カセット25を維持する維持組織の個々の維持プレート20
の間に配置される底部伸長組織体31を含む。底部伸長組
織体31は、対応する維持組織の維持プレート20の間に平
行する形で、上昇および下降活動をするのに適用され
る。
めのウェハースそれぞれを個々にカセットから持ち上げ
るため、適用される。例証のように、リフト要素30は、
カセット25を維持する維持組織の個々の維持プレート20
の間に配置される底部伸長組織体31を含む。底部伸長組
織体31は、対応する維持組織の維持プレート20の間に平
行する形で、上昇および下降活動をするのに適用され
る。
底部組織体31は、水平組織体29によって垂直方向接続
アーム33の底部に、その底部先端を交互につながれる、
垂直方向レッグ32の上部に維持される。レッグ32は、カ
セット25の底部における開口を通じて、維持プレート20
上に維持されるカセット25の下の低位置(図3)より、
カセット25の延長上である高位置(図4)へと移動する
のに適用される。
アーム33の底部に、その底部先端を交互につながれる、
垂直方向レッグ32の上部に維持される。レッグ32は、カ
セット25の底部における開口を通じて、維持プレート20
上に維持されるカセット25の下の低位置(図3)より、
カセット25の延長上である高位置(図4)へと移動する
のに適用される。
維持プレート20の接続アーム22と同様に、接続アーム
33は、槽10の上部を上方向に延長するものである。二重
ピストン水圧システム26を含むリフト機構は、槽10の付
近に配置される。接続アーム33は、以下の説明において
さらに充分に記述されるものであるように、水圧システ
ム26のピストンの一個に接続される。随伴手段は、個々
のカセット25それぞれの中にあるウェハースの裏側の縁
に随伴し、リフト要素30がその低位置より高位置へと移
動するのに従い、ウェハースをカセット25から外へ上方
向に持ち上げるため、リフト要素30の底部伸長組織体31
に伴って、適用されるものである。例証されているよう
に、随伴手段は、リフト要素30の底部伸長体31を上方向
および下方向に延長する、二個の伸長スレート34を含む
ものである。半導体過程技術においてよく知られている
ように、スレート34は、それが上方向への移動をするよ
うに、ウェハースの裏側の縁に随伴する溝に、適用され
るものである。そのような随伴手段は、ウェハースを一
個の運搬設備あるいはカセットより、他の運搬設備ある
いはカセットへと転移させるのに使用される他の装置に
おいてもよく知られており、随伴システムの一層の記述
は必要ではないと見なされる。
33は、槽10の上部を上方向に延長するものである。二重
ピストン水圧システム26を含むリフト機構は、槽10の付
近に配置される。接続アーム33は、以下の説明において
さらに充分に記述されるものであるように、水圧システ
ム26のピストンの一個に接続される。随伴手段は、個々
のカセット25それぞれの中にあるウェハースの裏側の縁
に随伴し、リフト要素30がその低位置より高位置へと移
動するのに従い、ウェハースをカセット25から外へ上方
向に持ち上げるため、リフト要素30の底部伸長組織体31
に伴って、適用されるものである。例証されているよう
に、随伴手段は、リフト要素30の底部伸長体31を上方向
および下方向に延長する、二個の伸長スレート34を含む
ものである。半導体過程技術においてよく知られている
ように、スレート34は、それが上方向への移動をするよ
うに、ウェハースの裏側の縁に随伴する溝に、適用され
るものである。そのような随伴手段は、ウェハースを一
個の運搬設備あるいはカセットより、他の運搬設備ある
いはカセットへと転移させるのに使用される他の装置に
おいてもよく知られており、随伴システムの一層の記述
は必要ではないと見なされる。
操作においては、装置は、シリコン・ウェハースの濯
ぎ及び乾燥の新規な手段を完成するために使用される。
濯がれ、乾燥されるべきウェハースは、カセット25のよ
うな溝口運搬装置の、相対する側面によって、縁に沿っ
て維持される。ウェハースは、相互に平行かつ同軸的な
配置で間隔を空けて、カセット25の中に維持される。カ
セット25は、二個の維持プレート20それぞれの維持棚21
の上に維持される。
ぎ及び乾燥の新規な手段を完成するために使用される。
濯がれ、乾燥されるべきウェハースは、カセット25のよ
うな溝口運搬装置の、相対する側面によって、縁に沿っ
て維持される。ウェハースは、相互に平行かつ同軸的な
配置で間隔を空けて、カセット25の中に維持される。カ
セット25は、二個の維持プレート20それぞれの維持棚21
の上に維持される。
カセット25及びひとまとめのウェハースは、槽10内の
熱い非イオン化水の表面の下に浸し入れられる。熱い非
イオン化水は、槽10全体および槽10の水の中に浸し入れ
られたウェハースとカセット25の回りに、上方向の熱い
非イオン化水の薄層流動を起こすため、拡散機11を通し
て、槽10内に注ぎ込まれるものである。ウェハース及び
カセット25は、ウェハースの濯ぎに充分な時間、槽10の
中に浸され残される。濯ぎに続いて、ウェハースとカセ
ット25は、ウェハースの同時乾燥および移動効果のた
め、槽10内の水から徐々に上げられる。当初移動活動に
おいて、そこに維持されたカセット25およびウェハース
は、槽10内の熱い非イオン化水の表面直下およびその付
近に、カセット25の上側の縁が位置されるところまで、
徐々に上げられる。
熱い非イオン化水の表面の下に浸し入れられる。熱い非
イオン化水は、槽10全体および槽10の水の中に浸し入れ
られたウェハースとカセット25の回りに、上方向の熱い
非イオン化水の薄層流動を起こすため、拡散機11を通し
て、槽10内に注ぎ込まれるものである。ウェハース及び
カセット25は、ウェハースの濯ぎに充分な時間、槽10の
中に浸され残される。濯ぎに続いて、ウェハースとカセ
ット25は、ウェハースの同時乾燥および移動効果のた
め、槽10内の水から徐々に上げられる。当初移動活動に
おいて、そこに維持されたカセット25およびウェハース
は、槽10内の熱い非イオン化水の表面直下およびその付
近に、カセット25の上側の縁が位置されるところまで、
徐々に上げられる。
この当初移動活動におけるカセット25の上昇は、槽10
の中で維持プレート20を上方向に移動させるための水圧
システム26のような、適切な手段により果たされる。水
圧システム26は、二個のピストン27および28を含む。好
都合に、ピストンは、外側のピストン28が内側のピスト
ン27の回りに軸さやを形作る、同軸型のものである。ピ
ストン27と28とは、その技術がよく知られているよう
に、水圧流動体によって独自に運転される。維持プレー
ト20の接続アーム22は、ブロック40に接続され、ブロッ
ク40は、外側のピストン28と、螺条係合によって交互に
接続される。ピストン28は、上述の当初移動活動におい
て、カセット25およびそれに含まれるウェハースが置か
れている。槽10内の水の表面直下の操縦位置まで、上方
向に運転される。
の中で維持プレート20を上方向に移動させるための水圧
システム26のような、適切な手段により果たされる。水
圧システム26は、二個のピストン27および28を含む。好
都合に、ピストンは、外側のピストン28が内側のピスト
ン27の回りに軸さやを形作る、同軸型のものである。ピ
ストン27と28とは、その技術がよく知られているよう
に、水圧流動体によって独自に運転される。維持プレー
ト20の接続アーム22は、ブロック40に接続され、ブロッ
ク40は、外側のピストン28と、螺条係合によって交互に
接続される。ピストン28は、上述の当初移動活動におい
て、カセット25およびそれに含まれるウェハースが置か
れている。槽10内の水の表面直下の操縦位置まで、上方
向に運転される。
当初移動活動の完了に続いて、リフト要素30は、第2
の移動活動において、徐々に上昇する。レッグ32および
リフト要素30の底部組織体31は、ウェハースの裏側の縁
を随伴するスレート34とともに、カセット25底部の開口
を通して持ち上げられる。レッグ32がカセット25を通し
て上がり続けるに従って、ウェハースは、槽10内の水の
まさしく表面上の位置まで、カセット25の外に槽10内の
水の表面を通って、徐々に持ち上げられる。
の移動活動において、徐々に上昇する。レッグ32および
リフト要素30の底部組織体31は、ウェハースの裏側の縁
を随伴するスレート34とともに、カセット25底部の開口
を通して持ち上げられる。レッグ32がカセット25を通し
て上がり続けるに従って、ウェハースは、槽10内の水の
まさしく表面上の位置まで、カセット25の外に槽10内の
水の表面を通って、徐々に持ち上げられる。
この第二の移動活動におけるリフト要素30の上昇は、
水圧システム26の内側のピストン27のような、適切な手
段により果たされる。リフト要素30の接続アーム33は、
内側のピストン27に接続され、この内側のピストン27は
ブロック42に接続される。
水圧システム26の内側のピストン27のような、適切な手
段により果たされる。リフト要素30の接続アーム33は、
内側のピストン27に接続され、この内側のピストン27は
ブロック42に接続される。
ウェハースが水の表面より浮かび上がる折、他物体に
よって成されるウェハースとの唯一の接触は、リフト要
素30のスレート34によるもののみである。この接触は極
微のものであり、ウェハースの裏側の縁に位置される。
ウェハースの浮上表面の水は、水の表面とウェハースの
境界面において、水の表面張力により引き払われる。ウ
ェハースの、水の表面より上の部分は、ウェハースガ徐
々に水の外に上がるにつれて、水の表面において直ちに
乾燥する。ウェハースが槽10内の水のまさしく表面上と
なる位置まで上げられる、第二の移動活動完了直後に、
溝口運搬設備またはカセット25は、第三の移動活動にお
いて徐々に上昇する。カセット25は、水の表面を通って
徐々に上がり、カセット25が水の表面を通過するに従っ
て、カセット25の浮上部分は直ちに乾燥される。その部
分の水は、水の表面とカセット25の境界面における水の
表面張力によって、直ちに効果的に引き払われるもので
ある。ウェハースを包含するため使用されるはずの、カ
セット25の側面の溝が空の場合においてさえも、それが
徐々に水の外に上がるに従い、完全に乾燥されるとの事
が、意外にも発見されている。これは、仮に、溝が水か
ら浮上する時にウェハースの縁を包含している場合に生
ずる事柄に相反する。同状態においては、水は、既述の
ように、ウェハースの縁の間にはまり込むものである。
よって成されるウェハースとの唯一の接触は、リフト要
素30のスレート34によるもののみである。この接触は極
微のものであり、ウェハースの裏側の縁に位置される。
ウェハースの浮上表面の水は、水の表面とウェハースの
境界面において、水の表面張力により引き払われる。ウ
ェハースの、水の表面より上の部分は、ウェハースガ徐
々に水の外に上がるにつれて、水の表面において直ちに
乾燥する。ウェハースが槽10内の水のまさしく表面上と
なる位置まで上げられる、第二の移動活動完了直後に、
溝口運搬設備またはカセット25は、第三の移動活動にお
いて徐々に上昇する。カセット25は、水の表面を通って
徐々に上がり、カセット25が水の表面を通過するに従っ
て、カセット25の浮上部分は直ちに乾燥される。その部
分の水は、水の表面とカセット25の境界面における水の
表面張力によって、直ちに効果的に引き払われるもので
ある。ウェハースを包含するため使用されるはずの、カ
セット25の側面の溝が空の場合においてさえも、それが
徐々に水の外に上がるに従い、完全に乾燥されるとの事
が、意外にも発見されている。これは、仮に、溝が水か
ら浮上する時にウェハースの縁を包含している場合に生
ずる事柄に相反する。同状態においては、水は、既述の
ように、ウェハースの縁の間にはまり込むものである。
カセット25内の乾燥した溝は、水の表面より上のウェ
ハースの側面の縁に再係合するため、充分に上がる。溝
およびウェハースの双方とも乾燥しているため、ウェハ
ースの水染みや汚濁の問題はない。カセット25は、リフ
ト要素30のスレート34を完全に離れたウェハースを維持
し、持ち上げるため上方向に移動を続ける。スレート34
との接触によりウェハースの上に留まるいかなる水も、
直ちに乾燥され、ウェハースの裏側の縁における、ごく
小さな接触点の水染みは、ウェハースの質に不利な影響
を与えるものではない。
ハースの側面の縁に再係合するため、充分に上がる。溝
およびウェハースの双方とも乾燥しているため、ウェハ
ースの水染みや汚濁の問題はない。カセット25は、リフ
ト要素30のスレート34を完全に離れたウェハースを維持
し、持ち上げるため上方向に移動を続ける。スレート34
との接触によりウェハースの上に留まるいかなる水も、
直ちに乾燥され、ウェハースの裏側の縁における、ごく
小さな接触点の水染みは、ウェハースの質に不利な影響
を与えるものではない。
第三の移動活動におけるカセット25の上昇は、水圧シ
ステム26の外側のピストン27のような、適切な手段によ
り果たされる。水圧システム26のピストン27および28の
それぞれの活動は、水圧システム26上の、つまみ35を通
しての水圧システム26への、水圧流動体の流れを操縦す
ることによって、たやすく操縦することができる。水圧
流動体の源は、添付図面においては示されていない。水
圧は、その吸水と制御を行なうことによって、技術的に
知られている。
ステム26の外側のピストン27のような、適切な手段によ
り果たされる。水圧システム26のピストン27および28の
それぞれの活動は、水圧システム26上の、つまみ35を通
しての水圧システム26への、水圧流動体の流れを操縦す
ることによって、たやすく操縦することができる。水圧
流動体の源は、添付図面においては示されていない。水
圧は、その吸水と制御を行なうことによって、技術的に
知られている。
カセット25およびウェハースが、完全に水から外に持
ち上げられた後、濯がれ乾燥されたウェハースを含む、
乾燥されたカセットは、リフト要素30の維持プレート20
からはずされる。追加のウェハースを包含する他のカセ
ットが、そこで維持プレート20の上に配置され得て、さ
らに維持プレート20は、カセットおよびウェハースが水
の中に完全に浸し入れられるように、引き下げ、または
降ろされる。前に言及されたように、本発明の装置は、
槽10内の水体における音波エネルギーを発生させるため
の手段を好都合に含むものであり、また、ウェハースに
は、既述されているように、濯ぎ及び乾燥に加えて、非
常に有効な最終洗浄が同時に施され得るとのことが発見
されている。濯ぎと乾燥に加えて洗浄を同時に完了する
ために装置が使用されている間、洗浄され、濯がれ、乾
燥されるべきウェハースは、カセット25のような溝口運
搬設備に維持され、ひとまとめのウェハースを包含する
カセット25は槽10内の熱い非イオン化水の表面下に浸し
入れられる。
ち上げられた後、濯がれ乾燥されたウェハースを含む、
乾燥されたカセットは、リフト要素30の維持プレート20
からはずされる。追加のウェハースを包含する他のカセ
ットが、そこで維持プレート20の上に配置され得て、さ
らに維持プレート20は、カセットおよびウェハースが水
の中に完全に浸し入れられるように、引き下げ、または
降ろされる。前に言及されたように、本発明の装置は、
槽10内の水体における音波エネルギーを発生させるため
の手段を好都合に含むものであり、また、ウェハースに
は、既述されているように、濯ぎ及び乾燥に加えて、非
常に有効な最終洗浄が同時に施され得るとのことが発見
されている。濯ぎと乾燥に加えて洗浄を同時に完了する
ために装置が使用されている間、洗浄され、濯がれ、乾
燥されるべきウェハースは、カセット25のような溝口運
搬設備に維持され、ひとまとめのウェハースを包含する
カセット25は槽10内の熱い非イオン化水の表面下に浸し
入れられる。
カセット25及びその中の、ひとまとめのウェハース
は、完全に槽10の側面上の変換機15水準の下となる位置
まで下げられる。熱い非イオン化水は、槽10全体および
そこに組み合わされているカセット25をウェハースの回
りにわたる、熱い非イオン化水の薄層流動の上方向の流
れを創るための拡散機11を通して、槽10に注ぎ込まれ
る。変換機15は、槽10内の水全体にわたって起こる音波
エネルギーの水平ビームを生むため、電気活性化され
る。
は、完全に槽10の側面上の変換機15水準の下となる位置
まで下げられる。熱い非イオン化水は、槽10全体および
そこに組み合わされているカセット25をウェハースの回
りにわたる、熱い非イオン化水の薄層流動の上方向の流
れを創るための拡散機11を通して、槽10に注ぎ込まれ
る。変換機15は、槽10内の水全体にわたって起こる音波
エネルギーの水平ビームを生むため、電気活性化され
る。
洗浄され濯がれ乾燥されるべきウェハースを含むカセ
ット25の浸し入れに続いて、リフト要素30はウェハース
をカセット25より持ち上げ、音波エネルギーの水平ビー
ムを通すための、当初継続活動において、上方向に移動
する。この当初移動活動におけるリフト要素30と個々の
ウェハースの濯ぎは、前に記述されているように、水圧
システムによって果たされる。
ット25の浸し入れに続いて、リフト要素30はウェハース
をカセット25より持ち上げ、音波エネルギーの水平ビー
ムを通すための、当初継続活動において、上方向に移動
する。この当初移動活動におけるリフト要素30と個々の
ウェハースの濯ぎは、前に記述されているように、水圧
システムによって果たされる。
洗浄、濯ぎ及び乾燥手順における当初活動の間ウェハ
ースは、変換機15によって生みだされた音波エネルギー
の水平ビームを、徐々に通過する。ウェハースは、望ま
しくは、リフト要素30上に、音波エネルギーの水平ビー
ムがウェハースの表面と平行に向くように、位置づけら
れ、方向づけられる。音波エネルギーのビームを通って
ウェハースが動くに従って、その表面は、効果的に洗浄
され持ち上げられる。微小粒子物質は、音波エネルギー
の水平ビームの働きによってウェハースの表面より取り
除かれ、遊離した微小粒子物質は全て、槽10内の水の薄
層流動によって押し流され、濯ぎ去られる。槽10内の水
を、槽の周囲の、少なくとも、垂直の反響音波エネルギ
ーの波動が水の表面を横切る域で氾濫させると有効であ
る。微粒子物質を上方向に押し流す、水の上方向への流
れにそって反響音波エネルギー及び、反響音波エネルギ
ーの波動域付近の氾濫水は、槽10より微粒子の除去を、
効果的に行なうものである。
ースは、変換機15によって生みだされた音波エネルギー
の水平ビームを、徐々に通過する。ウェハースは、望ま
しくは、リフト要素30上に、音波エネルギーの水平ビー
ムがウェハースの表面と平行に向くように、位置づけら
れ、方向づけられる。音波エネルギーのビームを通って
ウェハースが動くに従って、その表面は、効果的に洗浄
され持ち上げられる。微小粒子物質は、音波エネルギー
の水平ビームの働きによってウェハースの表面より取り
除かれ、遊離した微小粒子物質は全て、槽10内の水の薄
層流動によって押し流され、濯ぎ去られる。槽10内の水
を、槽の周囲の、少なくとも、垂直の反響音波エネルギ
ーの波動が水の表面を横切る域で氾濫させると有効であ
る。微粒子物質を上方向に押し流す、水の上方向への流
れにそって反響音波エネルギー及び、反響音波エネルギ
ーの波動域付近の氾濫水は、槽10より微粒子の除去を、
効果的に行なうものである。
この当初移動活動において、リフト要素30は、カセッ
ト25内のウェハースの裏側の縁に随伴するリフト要素30
のスレート34とともに、カセット25底部の開口を通って
上方向に徐々に上げられる。リフト要素30のレッグ32
が、カセット25を通して上がり続けるに従い、ウェハー
スはカセット25から徐々に持ち上げられ、そこで槽10の
中の音波エネルギーの水平ビームを通じて運送されるも
のである。リフト要素30は、この時点において、それに
よってウェハースに音波エネルギーのビームを通して幾
度か上下の動きを起こさせるべく、交互の上下活動によ
る動きをせられ得る。最終の上方向への移動において、
リフト要素30は、スレート34が、またスレート34によっ
て運ばれるところのウェハース24(図4)が槽10内の水
体の表面上に上げられるまで、徐々に上がり続ける。ウ
ェハースの表面は、それが水より浮上するに従い、直ち
に乾燥される。
ト25内のウェハースの裏側の縁に随伴するリフト要素30
のスレート34とともに、カセット25底部の開口を通って
上方向に徐々に上げられる。リフト要素30のレッグ32
が、カセット25を通して上がり続けるに従い、ウェハー
スはカセット25から徐々に持ち上げられ、そこで槽10の
中の音波エネルギーの水平ビームを通じて運送されるも
のである。リフト要素30は、この時点において、それに
よってウェハースに音波エネルギーのビームを通して幾
度か上下の動きを起こさせるべく、交互の上下活動によ
る動きをせられ得る。最終の上方向への移動において、
リフト要素30は、スレート34が、またスレート34によっ
て運ばれるところのウェハース24(図4)が槽10内の水
体の表面上に上げられるまで、徐々に上がり続ける。ウ
ェハースの表面は、それが水より浮上するに従い、直ち
に乾燥される。
リフト要素30が、ウェハースをカセット25より音波エ
ネルギーの水平ビームを通して持ち上げた後、音波の波
動を生む変換機の力は、音波エネルギーのビームの発生
を一時的に止めるべく、断たれる。維持プレート20及び
カセット25は、そこでリフト要素30と同じ率で、上方向
に移動し始める。リフト要素30が、いったん行程の上限
まで到達すると、維持プレート20及びカセット25は、そ
れによって槽10内の水体の表面を終局通りぬけて、水体
の表面の上のリフト要素30に追いつくべく、上方向に移
動する。カセット25が徐々に水の表面を通過するに従
い、カセットの浮上点は、前に記述されているように、
直ちに乾燥させられるものである。乾燥したカセット25
は、リフト要素30及び乾燥されたウェハース24に終局追
いつき、さらにカセット25はウェハース24に随伴し、リ
フト要素30よりウェハース24を持ち上げる。カセット25
の後続の上昇が、さらにリフト要素30よりカセット25及
びウェハース24を持ち上げ、カセット25及びウェハース
24は装置よりはずされ得るものである。この第2作動に
おける、維持プレート20及びカセット25の操作は、前に
記述されているように、水圧システムによって果たされ
る。カセット25とウェハース24とが再随伴された後、洗
浄され濯がれ乾燥されたウェハース24を含む、乾燥され
たカセットは、リフト要素30の維持プレート20よりはず
される。追加のウェハースを包含する他のカセットが、
そこで維持プレート20の上に配置され得、またリフト要
素30は、カセット及びウェハースが音波エネルギーの水
平ピーム下の水の中に完全に浸し入れられるように、引
きおろされ、あるいは下降される。洗浄、濯ぎ及び乾燥
の操作は、上記されているように、くり返され得るもの
である。
ネルギーの水平ビームを通して持ち上げた後、音波の波
動を生む変換機の力は、音波エネルギーのビームの発生
を一時的に止めるべく、断たれる。維持プレート20及び
カセット25は、そこでリフト要素30と同じ率で、上方向
に移動し始める。リフト要素30が、いったん行程の上限
まで到達すると、維持プレート20及びカセット25は、そ
れによって槽10内の水体の表面を終局通りぬけて、水体
の表面の上のリフト要素30に追いつくべく、上方向に移
動する。カセット25が徐々に水の表面を通過するに従
い、カセットの浮上点は、前に記述されているように、
直ちに乾燥させられるものである。乾燥したカセット25
は、リフト要素30及び乾燥されたウェハース24に終局追
いつき、さらにカセット25はウェハース24に随伴し、リ
フト要素30よりウェハース24を持ち上げる。カセット25
の後続の上昇が、さらにリフト要素30よりカセット25及
びウェハース24を持ち上げ、カセット25及びウェハース
24は装置よりはずされ得るものである。この第2作動に
おける、維持プレート20及びカセット25の操作は、前に
記述されているように、水圧システムによって果たされ
る。カセット25とウェハース24とが再随伴された後、洗
浄され濯がれ乾燥されたウェハース24を含む、乾燥され
たカセットは、リフト要素30の維持プレート20よりはず
される。追加のウェハースを包含する他のカセットが、
そこで維持プレート20の上に配置され得、またリフト要
素30は、カセット及びウェハースが音波エネルギーの水
平ピーム下の水の中に完全に浸し入れられるように、引
きおろされ、あるいは下降される。洗浄、濯ぎ及び乾燥
の操作は、上記されているように、くり返され得るもの
である。
本発明の装置の詳細な具体化提起が例証され、またウ
ェハースの濯ぎ及び(または)洗浄の二つの方法が記述
されているが、現発表は実例方式であること、またその
課題が発明であると見なされるところの、これに続く請
求の範囲内における、次の課題よりはずれることなし
に、発明の様々な他の具体化が可能であることが理解さ
れるべきものである。本発明の最も広義な見地におい
て、単一のリフト機構は、添付図面で示され、また記述
されている二重リフト機構への配置下にあるウェハース
の、作動に使用され得るとのことが認められるべきもの
である。ウェハースは、既述され例証されているよう
に、リフト要素30の伸長スレート34による随伴に同様の
方法で、ウェハースの裏の縁のみを随伴する維持機構と
ともに、水の表面より上の維持機構上に初めに配置され
ることも可能である。維持機構およびウェハースは、そ
こで、ウェハースの濯ぎと洗浄のため、単一リフト機構
によって、水の表面下に下降されることが可能である。
濯ぎと洗浄に続いて、維持機構は徐々に水体よりウェハ
ースを上昇させ、そこでウェハースは維持機構からはず
され得るものである。二重リフト機構は、ここに例証さ
れ記述されているように、ウェハースのカセットが、初
めに維持機構上に配置される場合においてさえも、単一
リフト機構を補充し得るものであるとのことが、特に認
められるべきである。本発明の具体化においては、維持
機構は、ウェハースを、カセットが維持機構上に配置さ
れるため、カセットにおける維持よりわずかに(ウェハ
ースがカセットに触れないように)、自動的に持ち上げ
るのに適用され得る。維持機構はそこで、ウェハースの
洗浄および濯ぎのため、カセット及びウェハースを浸し
入れるよう移動され得る。洗浄および濯ぎに続いて、維
持機構は、水体よりカセット及びウェハースを上げ得る
ものである。カセットが維持機構より持ち上がると同時
に、ウェハースは自動的に、カセットにより再随伴され
得るものである。
ェハースの濯ぎ及び(または)洗浄の二つの方法が記述
されているが、現発表は実例方式であること、またその
課題が発明であると見なされるところの、これに続く請
求の範囲内における、次の課題よりはずれることなし
に、発明の様々な他の具体化が可能であることが理解さ
れるべきものである。本発明の最も広義な見地におい
て、単一のリフト機構は、添付図面で示され、また記述
されている二重リフト機構への配置下にあるウェハース
の、作動に使用され得るとのことが認められるべきもの
である。ウェハースは、既述され例証されているよう
に、リフト要素30の伸長スレート34による随伴に同様の
方法で、ウェハースの裏の縁のみを随伴する維持機構と
ともに、水の表面より上の維持機構上に初めに配置され
ることも可能である。維持機構およびウェハースは、そ
こで、ウェハースの濯ぎと洗浄のため、単一リフト機構
によって、水の表面下に下降されることが可能である。
濯ぎと洗浄に続いて、維持機構は徐々に水体よりウェハ
ースを上昇させ、そこでウェハースは維持機構からはず
され得るものである。二重リフト機構は、ここに例証さ
れ記述されているように、ウェハースのカセットが、初
めに維持機構上に配置される場合においてさえも、単一
リフト機構を補充し得るものであるとのことが、特に認
められるべきである。本発明の具体化においては、維持
機構は、ウェハースを、カセットが維持機構上に配置さ
れるため、カセットにおける維持よりわずかに(ウェハ
ースがカセットに触れないように)、自動的に持ち上げ
るのに適用され得る。維持機構はそこで、ウェハースの
洗浄および濯ぎのため、カセット及びウェハースを浸し
入れるよう移動され得る。洗浄および濯ぎに続いて、維
持機構は、水体よりカセット及びウェハースを上げ得る
ものである。カセットが維持機構より持ち上がると同時
に、ウェハースは自動的に、カセットにより再随伴され
得るものである。
第1図は、本発明による洗浄、濯ぎ乾燥装置の上面図, 第2図は、極度な低位置にあるリフト機構のリフト要素
および維持組織を示す第1図の2−2線による断面図, 第3図は、これも極度な低位置にあるリフト機構のリフ
ト要素および維持機構を示す、第1図の3−3線による
断面図, 第4図は、ウェハースがウォーター・バスより持ち上げ
られ、またカセットがウォーター・バスよりまさに持ち
上げられようとしている位置まで、それと共に運ばれ
た、リフト要素およびウェハースを示している、第3図
と同様の断面図である。
および維持組織を示す第1図の2−2線による断面図, 第3図は、これも極度な低位置にあるリフト機構のリフ
ト要素および維持機構を示す、第1図の3−3線による
断面図, 第4図は、ウェハースがウォーター・バスより持ち上げ
られ、またカセットがウォーター・バスよりまさに持ち
上げられようとしている位置まで、それと共に運ばれ
た、リフト要素およびウェハースを示している、第3図
と同様の断面図である。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−208881(JP,A) 特開 昭60−20571(JP,A) 特開 昭61−194727(JP,A) 実開 昭60−68640(JP,U) 実開 昭61−83032(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 21/304
Claims (21)
- 【請求項1】底部に開口を有し上部にて開放する相互に
別個な溝を設けたキャリヤ内にその縁で支持可能な比較
的薄い板状の物品を平行で同軸的に配列して該物品を洗
浄し、濯ぎ及び乾燥する装置であって、 清浄度の高い熱い非イオン化水に満たされた槽と、 拡散機と、 前記の槽全体に熱い非イオン化水の上向きの薄層流動を
起こすように前記拡散機を介して前記槽の中に清浄度の
高い熱い非イオン化水を導入するための手段と、 少なくとも前記槽の周辺部周囲での熱い非イオン化水の
排水を許容する氾濫と、 前記槽内の前記水体を通る音波エネルギーのビームを発
生するための手段と、 前記溝を設けたキャリヤとこれに支持される相互に別個
な1まとめの物品が非イオン化水の表面の下に完全に浸
漬しかつ事実上前記槽の音波エネルギーのビームの下に
浸漬されるように前記溝を設けたキャリヤの少なくとも
1個と1まとめの物品を支持するための前記槽内の維持
手段と、 前記溝を設けたキャリヤ底部の開口を通って前記維持手
段上に支持された溝を設けたキャリヤの下方の低位置か
ら前記溝を設けたキャリヤの上方の高位置まで移動可能
な少なくとも1個のリフト要素を含み、前記溝を設けた
キャリヤから前記1まとめの物品を持ち上げるための前
記槽内のリフト手段と、 溝を設けたキャリヤ内の物品の底部の縁に係合して前記
リフト要素の低位置から高位置への移動に伴い物品を前
記溝を設けたキャリヤの外へと上方に持ち上げるための
前記リフト要素上の手段と、 前記リフト手段が前記溝を設けたキャリヤ内の前記物品
に係合し前記物品を前記溝を設けたキャリヤの外へと持
ち上げ、前記音波エネルギーのビームを通過しそして前
記槽内の熱い非イオン化水体の表面を通過して前記槽内
の熱い非イオン化水表面より上の位置まで前記物品を移
動する第1作動において前記リフト手段の前記リフト要
素を移動するための手段と、 前記維持手段と該維持手段上に支持される前記溝を設け
たキャリヤとが各リフト要素と物品との間に或る間隔を
とりつつ該各リフト要素と物品の後に続いて前記槽内の
熱い非イオン化水体及び熱い非イオン水体の表面を通過
する第2作動において前記維持手段を上方へと移動し、
さらに前記溝を設けたキャリヤが前記槽内の熱い非イオ
ン化水の表面の上の位置にて前記物品と再係合するよう
に前記維持手段の上方への移動を継続する手段とを設け
てなることを特徴とする装置。 - 【請求項2】第3作動において前記維持手段と前記リフ
ト手段とを熱い非イオン化水体の表面の下の位置であっ
て前記溝を設けたキャリヤとこれにより支持された物品
とが前記槽内の熱い非イオン化水内の音波エネルギーの
ビームの下方に浸漬される位置まで下方に移動するため
の手段と、 前記第1作動と第2作動を繰り返すための手段とを設け
てなることを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の
装置。 - 【請求項3】前記第1作動において前記リフト要素を移
動するための前記手段は、前記リフト要素に連結され前
記第1作動を生起するように制御される第1の流体圧ピ
ストンより成り、前記第2作動において前記維持手段を
移動するための前記手段は、前記維持手段に連結され前
記第2作動を生起するように制御される第2の流体圧ピ
ストンより成ることを特徴とする特許請求の範囲第1項
に記載の装置。 - 【請求項4】前記音波エネルギーのビームを発生するた
めの手段は、前記槽の1側面に沿って取り付けられた伸
長変換機であって前記槽内の熱い非イオン化水体を通過
するように向けられる音波エネルギーの事実上平坦なビ
ームを発生する伸長変換機より成ることを特徴とする特
許請求の範囲第1項に記載の装置。 - 【請求項5】(a)槽内に注入された熱い非イオン化水
体を維持する段階と、 (b)洗浄し、濯ぎそして乾燥するための物品を溝を設
けたキャリヤの両側に沿ってその縁で支持することによ
り間隔をおいて平行かつ同軸な関係で該溝を設けたキャ
リヤ内に配列する段階と、 (c)前記溝を設けたキャリヤと洗浄し、濯ぎそして乾
燥するための前記物品を前記槽内に注入された熱い非イ
オン化水体に浸漬する段階と、 (d)拡散機を介して前記槽内に熱い非イオン化水を導
入して前記槽全体及び前記熱い非イオン化水体内に浸漬
された前記物品と溝を設けたキャリヤの周りで上向きの
熱い非イオン化水の薄層流動を生起する段階と、 (e)前記物品及び溝を設けたキャリヤより上の前記槽
内の熱い非イオン化水体に音波エネルギーのビームを発
生する段階と、 (f)(イ)リフト要素が前記物品の底部の縁に係合
し、(ロ)溝を設けたキャリヤの外へと前記物品を徐々
に持ち上げ、(ハ)前記水体内の音波エネルギーのビー
ムを通過して前記物品を徐々に移動し、(ニ)前記槽内
の熱い非イオン化水体の表面を通過して前記物品を前記
槽内の熱い非イオン化水体の表面の上の位置まで徐々に
移動するように前記溝を設けたキャリヤの底部の開口を
通してリフト要素を上方へと徐々に持ち上げる段階と、 (g)前記溝を設けたキャリヤが、(イ)各リフト要素
と物品との間に或る間隔をおいてこれらの後に続いて前
記槽内の熱い非イオン化水体及び熱い非イオン化水体の
表面を通過して移動し、その後、(ロ)前記槽内の熱い
非イオン化水体の表面の上の位置で前記物品と再係合す
るように前記溝を設けたキャリヤを徐々に持ち上げる段
階とよりなり、前記溝を設けたキャリヤ及び前記リフト
要素の移動は、前記物品と溝を設けたキャリヤとが非イ
オン化水の表面境界面を横切って移動するに伴って前記
物品と溝を設けたキャリヤから水の表面張力によって非
イオン化水が排水されるのに十分な程に遅いことを特徴
とする、縁での支持が可能な比較的に薄い板状物品を洗
浄し、濯ぎ及び乾燥する方法。 - 【請求項6】熱い非イオン化水体の表面を通過して前記
物品を移動する際の前記リフト要素の上方への移動の速
度は1分につき約2.54cm(1インチ)と10.16cm(4イ
ンチ)の間であり、前記溝を設けたキャリヤの上方向へ
の移動速度は前記リフト要素と同一であることを特徴と
する特許請求の範囲第5項に記載の方法。 - 【請求項7】前記音波エネルギーのビームが約0.2MHzと
5MHzの間の周波数を有することを特徴とする特許請求の
範囲第5項に記載の方法。 - 【請求項8】音波エネルギーのビームを通過する上下作
動において前記物品を前進後退するため前記(f)
(ハ)の段階において前記リフト要素が上と下に交互に
移動することを特徴とする特許請求の範囲第5項に記載
の方法。 - 【請求項9】底部に開口を有し上部にて開放する相互に
個別な溝を設けたキャリヤ内にその縁で支持可能な比較
的薄い板状の物品を平行で同軸的に配列して該物品を濯
ぎ及び乾燥する装置であって、 清浄度の高い熱い非イオン化水に満たされた槽と、 拡散機と、 前記拡散機を介して前記槽内に清浄度の高い熱い非イオ
ン化水を導入して前記槽全体で熱い非イオン化水の上向
きの薄層流動を生起するための手段と、 前記槽の少なくとも周辺部周囲での熱い非イオン化水の
排水を許容する氾濫と、 相互に個別な溝を設けたキャリヤとこの中に支持される
相互に別個な1まとめの物品の各々が前記槽内の非イオ
ン化水の表面の下に完全に浸漬するように前記溝を設け
たキャリヤの少なくとも1個とまとめの物品を支持する
ための前記槽内の維持手段と、 前記溝を設けたキャリヤ底部の開口を通って前記維持手
段上に支持された溝を設けたキャリヤの下方の低位置か
ら前記溝を設けたキャリヤの上方の高位置まで移動可能
な少なくとも1個のリフト要素より成り、前記溝を設け
たキャリヤから前記1まとめの物品を持ち上げるための
前記槽内のリフト手段と、 溝を設けたキャリヤ内の物品の底部の縁に係合して前記
リフト要素の低位置から高位置への移動に伴い前記物品
を前記溝を設けたキャリヤの外へと上方に持ち上げるた
めの前記リフト要素上の手段と、 前記リフト手段が前記溝を設けたキャリヤ内の前記物品
に係合し前記物品を前記溝を設けたキャリヤの外へと持
ち上げ、かつ前記槽内の熱い非イオン化水体の表面を通
過して前記槽内の熱い非イオン化水表面より上の位置ま
で前記物品を移動する第1作動において前記リフト手段
の前記リフト要素を上方向へ移動するための手段と、 前記維持手段と該維持手段上に支持される前記溝を設け
たキャリヤとが各リフト要素と物品との間に或る間隔を
とりつつ該各リフト要素と物品の後に続いて前記槽内の
熱い非イオン水体の表面を通過する第2作動において前
記維持手段を上方へと移動し、さらに前記溝を設けたキ
ャリヤが前記槽内の熱い非イオン化水の表面の上の位置
にて前記物品と再係合するように前記維持手段の上方へ
の移動を継続する手段とを設けてなることを特徴とする
装置。 - 【請求項10】第3作動にて前記維持手段と前記リフト
要素を前記熱い非イオン化水体の表面の下に移動して前
記溝を設けたキャリヤとこれによって支持された物品と
が前記槽内の熱い非イオン化水体の下方に浸漬される位
置にまで移動するための手段と、前記第1作動と第2作
動を繰り返すための手段とをさらに設けたことを特徴と
する特許請求の範囲第9項に記載の装置。 - 【請求項11】前記第1作動において前記リフト要素を
移動するための前記手段は、前記リフト要素に連結され
前記第1作動を生起するように制御される第1の流体圧
ピストンより成り、 前記第2作動において前記維持手段を移動するための前
記手段は、前記維持手段に連結され前記第2作動を生起
するように制御される第2の流体圧ピストンより成るこ
とを特徴とする特許請求の範囲第9項に記載の装置。 - 【請求項12】(a)槽内に注入された熱い非イオン化
水体を維持する段階と、 (b)濯ぎそして乾燥するための物品を溝を設けたキャ
リヤの両側に沿ってその縁で支持することにより間隔を
おいて平行かつ同軸な関係で該溝を設けたキャリヤ内に
配列する段階と、 (c)前記溝を設けたキャリヤと濯ぎそして乾燥するた
めの前記物品を前記槽内に注入された熱い非イオン化水
体に浸漬する段階と、 (d)拡散機を介して前記槽内に熱い非イオン化水を導
入して前記槽全体及び前記熱い非イオン化水体内に浸漬
された前記物品と溝を設けたキャリヤの周りで上向きの
熱い非イオン化水の薄層流動を生起する段階と、 (e)前記物品を濯ぐのに十分な時間の間前記槽内での
前記物品と溝を設けたキャリヤの浸漬を維持する段階
と、 (f)(イ)リフト要素が前記物品の底部の縁に係合
し、(ロ)前記溝を設けたキャリヤの外へと前記物品を
徐々に持ち上げ、(ハ)前記槽内の熱い非イオン化水体
の表面を通過して前記物品を前記槽内の熱い非イオン化
水体の表面の上の位置まで徐々に移動するように前記溝
を設けたキャリヤの底部の開口を通してリフト要素を上
方へと徐々に持ち上げる段階と、 (g)前記溝を設けたキャリヤが、(イ)各リフト要素
と物品との間に或る間隔をおいてこれらの後に続いて前
記槽内の熱い非イオン化水体の表面を通過して移動し、
その後、(ロ)前記槽内の熱い非イオン化水体の表面の
上の位置で前記物品と再係合するように前記溝を設けた
キャリヤを徐々に持ち上げる段階とよりなり、前記溝を
設けたキャリヤ及び前記リフト要素の移動は、前記物品
と溝を設けたキャリヤとが非イオン化水の表面境界面を
横切るのに伴って前記物品と溝を設けたキャリヤから水
の表面張力によって非イオン化水が排水されるのに十分
な程に遅いことを特徴とする、縁での支持が可能な比較
的に薄い板状物品を濯ぎ及び乾燥する方法。 - 【請求項13】前記リフト要素の上方への移動の速度は
1分につき約2.54cm(1インチ)と10.16cm(4イン
チ)の間であり、前記溝を設けたキャリヤの上方向への
移動速度は前記リフト要素と同一であることを特徴とす
る特許請求の範囲第12項に記載の方法。 - 【請求項14】比較的薄い板状の物品を洗浄し、濯ぎ及
び乾燥する装置であって、 清浄度の高い熱い非イオン化水で満たされた槽と、 拡散機と、 前記拡散機を介して前記槽内に清浄度の高い熱い非イオ
ン化水を導入して前記槽全体に熱い非イオン化水体の上
向きの薄層流動を生起する手段と、 前記槽の少なくとも周辺部周囲での熱い非イオン化水の
排水を許容する氾濫と、 前記槽内の前記水体を通る音波エネルギーのビームを発
生するための手段と、 維持手段に支持される1まとめの物品が前記槽内の非イ
オン化水の表面の下に完全に浸漬し事実上前記槽内の音
波エネルギーのビームの下に浸漬するように前記1まと
めの物品を支持するための前記槽内の維持手段と、 前記維持手段が前記物品を前記音波エネルギーのビーム
を通過してかつその後に前記槽内の熱い非イオン化水体
の表面を通過して前記槽内の熱い非イオン化水表面の上
の位置まで移動する第1作動において前記維持手段を上
方に移動するための手段とを設けて成ることを特徴とす
る装置。 - 【請求項15】第2作動において前記維持手段を、前記
維持手段によって支持された物品が前記槽内の熱い非イ
オン化水体内の音波エネルギーのビームの下にて浸漬さ
れる位置まで熱い非イオン化水体の表面の下方へと移動
するための手段と、 前記第1作動を繰り返すための手段とをさらに設けてな
ることを特徴とする特許請求の範囲第14項に記載の装
置。 - 【請求項16】前記第1作動において前記維持手段を移
動するための前記手段が前記維持手段に連結されかつ前
記第1作動を生起するように制御される流体圧ピストン
より成ることを特徴とする特許請求の範囲第14項に記載
の装置。 - 【請求項17】前記音波エネルギーのビームを発生する
ための手段は、前記槽の1側面に沿って取り付けられた
伸長変換機であって前記槽内の熱い非イオン化水体を通
過するように向けられる音波エネルギーの事実上平坦な
ビームを発生する伸長変換機より成ることを特徴とする
特許請求の範囲第14項に記載の装置。 - 【請求項18】(a)槽内に注入された熱い非イオン化
水を維持する段階と、 (b)洗浄し、濯ぎそして乾燥するための物品を維持手
段に沿ってその縁で支持することにより間隔をおいて平
行かつ同軸な関係で維持手段上に配列する段階と、 (c)前記維持手段と洗浄し、濯ぎそして乾燥するため
の前記物品を前記槽内に注入された熱い非イオン化水体
内に浸漬する段階と、 (d)拡散機を介して前記槽内に熱い非イオン化水を導
入して前記槽全体及び前記熱い非イオン化水体内に浸漬
された前記物品と維持手段の周りで上向きの熱い非イオ
ン化水の薄層流動を生起する段階と、 (e)前記物品と維持手段の上の前記槽内の熱い非イオ
ン化水体内に音波エネルギーのビームを発生する段階
と、 (f)前記維持手段を(イ)前記水体内の音波エネルギ
ーのビームを通過してかつその後に(ロ)前記槽内の熱
い非イオン化水体の表面を通過して前記槽内の熱い非イ
オン化水体表面の上の位置まで徐々に持ち上げる段階と
よりなり、 前記維持手段と前記物品の移動は、前記物品と維持手段
とが非イオン化水の表面境界面を横切って移動するのに
伴って前記物品と維持手段から水の表面張力によって非
イオン化水が排水されるのに十な程に遅いことを特徴と
する比較的に薄い板状物品を洗浄し、濯ぎ及び乾燥する
方法。 - 【請求項19】熱い非イオン化水の表面を通過して物品
を移動する際の維持手段の上方への移動速度は1分につ
き約2.54cm(1インチ)と10.16cm(4インチ)の間で
あることを特徴とする特許請求の範囲第18項に記載の方
法。 - 【請求項20】音波エネルギーのビームが約0.2MHzと5M
Hzの間の周波数を有することを特徴とする特許請求の範
囲第18項に記載の方法。 - 【請求項21】音波エネルギーのビームを通過する上下
作動において前記物品を前進後退するため前記(f)
(ロ)の段階において前記維持手段が上と下に交互に移
動することを特徴とする特許請求の範囲第18項に記載の
方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US094,549 | 1987-09-09 | ||
US07/094,549 US4902350A (en) | 1987-09-09 | 1987-09-09 | Method for rinsing, cleaning and drying silicon wafers |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01199432A JPH01199432A (ja) | 1989-08-10 |
JP2877820B2 true JP2877820B2 (ja) | 1999-04-05 |
Family
ID=22245839
Family Applications (1)
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