JP2641128B2 - 電子部品のレーザによる加工方法 - Google Patents
電子部品のレーザによる加工方法Info
- Publication number
- JP2641128B2 JP2641128B2 JP63085266A JP8526688A JP2641128B2 JP 2641128 B2 JP2641128 B2 JP 2641128B2 JP 63085266 A JP63085266 A JP 63085266A JP 8526688 A JP8526688 A JP 8526688A JP 2641128 B2 JP2641128 B2 JP 2641128B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- deburring
- electronic components
- laser processing
- stencil
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)
- Details Of Resistors (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は半導体素子等の電子部品の封止及びマーキ
ングにおけるレーザによる加工方向に関するものであ
る。
ングにおけるレーザによる加工方向に関するものであ
る。
［従来の技術］ IC等の半導体素子を製造する工程は、大別すると、半
導体のウエハに不純物を注入したり、パターンを形成し
て半導体素子としての機能を持たせるウエハ加工工程
と、この素子としての機能を有する半導体素子に対し
て、モールドしたり、容器に収納したりして部品として
完成させる組立工程と、この組立工程後に素子の動作特
性等をチェックする検査工程とがある。そして、前記組
立工程は主として、リード線と素子の取付等のボンディ
ング工程と封止工程とがある。
導体のウエハに不純物を注入したり、パターンを形成し
て半導体素子としての機能を持たせるウエハ加工工程
と、この素子としての機能を有する半導体素子に対し
て、モールドしたり、容器に収納したりして部品として
完成させる組立工程と、この組立工程後に素子の動作特
性等をチェックする検査工程とがある。そして、前記組
立工程は主として、リード線と素子の取付等のボンディ
ング工程と封止工程とがある。
第２図（ａ）は半導体素子とリード線がボンディング
された状態を示す図で、同図（ｂ）は同図（ａ）の各部
品を並べて、モールドする金型を示す図である。
された状態を示す図で、同図（ｂ）は同図（ａ）の各部
品を並べて、モールドする金型を示す図である。
第２図（ａ），（ｂ）において、１は半導体等の素
子、２はリード線、３はリードフレーム、４は樹脂から
なる封止材料を流し込むスポットである。いま、第２図
（ａ）のリードフレーム３に形成されたリード線２に対
して素子１をボンディングした後、同図（ｂ）のモール
ド金型Ａに各素子１が多数ボンディングされた帯状のリ
ードフレームを並置して、もう一方のモールド金型（不
図示）で挟み、そしてスポット４から溶解した樹脂から
なる封止材料を流し込む。金型Ａのスポット４に流し込
まれた封止材料は図の矢印の方向に流出して素子１を蔽
い、この状態でモールド金型が素子１を挟んで押圧して
モールドする。モールドされた素子１はリード線２等を
不必要な部分に封止材料が付着して、［バリ］としてヒ
ゲ状に残っているので、電子部品の特性上好ましくな
い。そこで、このバリに対して砂を吹付けるサンドブラ
スト法や、数十万気圧の水を噴射するウォータージェッ
ト法によって除去することが行われている。
子、２はリード線、３はリードフレーム、４は樹脂から
なる封止材料を流し込むスポットである。いま、第２図
（ａ）のリードフレーム３に形成されたリード線２に対
して素子１をボンディングした後、同図（ｂ）のモール
ド金型Ａに各素子１が多数ボンディングされた帯状のリ
ードフレームを並置して、もう一方のモールド金型（不
図示）で挟み、そしてスポット４から溶解した樹脂から
なる封止材料を流し込む。金型Ａのスポット４に流し込
まれた封止材料は図の矢印の方向に流出して素子１を蔽
い、この状態でモールド金型が素子１を挟んで押圧して
モールドする。モールドされた素子１はリード線２等を
不必要な部分に封止材料が付着して、［バリ］としてヒ
ゲ状に残っているので、電子部品の特性上好ましくな
い。そこで、このバリに対して砂を吹付けるサンドブラ
スト法や、数十万気圧の水を噴射するウォータージェッ
ト法によって除去することが行われている。
［発明が解決しようとする課題］ 上記のような従来のバリ取りの方法において、サンド
ブラスト法では、電子部品の表面に傷がついたり、また
ウォータージェット法では、水分，湿度の影響で腐食等
の問題があり、ドライプロセスの要請に反し、信頼性が
低下するという欠点があった。
ブラスト法では、電子部品の表面に傷がついたり、また
ウォータージェット法では、水分，湿度の影響で腐食等
の問題があり、ドライプロセスの要請に反し、信頼性が
低下するという欠点があった。
この発明はかかる従来の課題を解決するためになされ
たもので、電子部品に損傷を与えたり、水を使用するこ
とによる信頼性の低下を招くことなく、封止部材のバリ
取りを効率よく行うことのできる電子部品のレーザによ
る加工方法を提供することを目的とする。
たもので、電子部品に損傷を与えたり、水を使用するこ
とによる信頼性の低下を招くことなく、封止部材のバリ
取りを効率よく行うことのできる電子部品のレーザによ
る加工方法を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］ 上記の目的を達成するために、この発明は絶縁封止材
料を用いてモールドすることにより封止された電子部品
に対して、レーザを照射して前記絶縁封止材料のバリ取
りを行う方法であり、さらにバリ取りと同時にレーザ照
射によってマーキングを行うものである。
料を用いてモールドすることにより封止された電子部品
に対して、レーザを照射して前記絶縁封止材料のバリ取
りを行う方法であり、さらにバリ取りと同時にレーザ照
射によってマーキングを行うものである。
［作用］ 上記の方法によって、電子部品に傷がついたり、水分
の影響によって品質が低下することがない。
の影響によって品質が低下することがない。
［実施例］ 第１図（ａ）はこの発明の一実施例であるレーザによ
る加工方法を説明するための図で、同図（ｂ）は同図
（ａ）のステンシルの詳細を説明するための図であり、
５はTEA−CO2レーザ発振装置、６はTEA−CO2レーザ発振
装置５からのレーザを反射する反射ミラー、７は不透明
性ステンシル、7a,7′ａは共にこのステンシル７に設け
られたレーザ通過孔で、7aはバリ取り用のレーザ通過
孔、７′ａはマーキング用のレーザ通過孔、7bはブリッ
ジ、８はレーザ通過孔7a,7′ａからのレーザを結像させ
るためのメニスカスレンズ、９は素子１がモールドされ
たリードフレーム３をレーザ加工のために搬送する搬送
台である。また、第２図と同一符号は同一または相当部
分を示す。
る加工方法を説明するための図で、同図（ｂ）は同図
（ａ）のステンシルの詳細を説明するための図であり、
５はTEA−CO2レーザ発振装置、６はTEA−CO2レーザ発振
装置５からのレーザを反射する反射ミラー、７は不透明
性ステンシル、7a,7′ａは共にこのステンシル７に設け
られたレーザ通過孔で、7aはバリ取り用のレーザ通過
孔、７′ａはマーキング用のレーザ通過孔、7bはブリッ
ジ、８はレーザ通過孔7a,7′ａからのレーザを結像させ
るためのメニスカスレンズ、９は素子１がモールドされ
たリードフレーム３をレーザ加工のために搬送する搬送
台である。また、第２図と同一符号は同一または相当部
分を示す。
第１図（ａ），（ｂ）において、TEA−CO2レーザ発振
装置５から出力されたレーザは、反射ミラー６で反射し
てステンシル７のレーザ通過孔7a,7′ａを通過して、メ
ニスカスレンズ８によって結像されて照射される。搬送
第９はリードフレーム３上のモールドされた素子１をメ
ニスカスレンズ８の結像点の位置に搬送するのは言うま
でもないが、TEA−CO2レーザはパルス発振であるので、
該パルスのタイミングに合わせて所定位置に逐次搬送す
る。
装置５から出力されたレーザは、反射ミラー６で反射し
てステンシル７のレーザ通過孔7a,7′ａを通過して、メ
ニスカスレンズ８によって結像されて照射される。搬送
第９はリードフレーム３上のモールドされた素子１をメ
ニスカスレンズ８の結像点の位置に搬送するのは言うま
でもないが、TEA−CO2レーザはパルス発振であるので、
該パルスのタイミングに合わせて所定位置に逐次搬送す
る。
尚、上述のレーザ照射において、レーザ通過孔7a,7′
ａからのレーザについて、搬送台９の位置を幾分ずらせ
て配置することにより、結像が多少ボケて投影されるこ
とになる（ブリッジ部分の除去に関しては同一人出願の
特願昭61−53720号参照）。また、リードフレーム３を
メニスカスレンズ８の焦点位置から所定距離、離間して
配置することにより、ブリッジ7bがボケて投影される
（同特願昭61−53721号参照）。さらにまた、メニスカ
スレンズ８によりレーザビームを絞る方向と、ステンシ
ル７に打抜かれたパターンのブリッジ7bの幅狭方向とを
一致させることによりブリッジ7bが目立たなくなる（同
特願昭61−138331号参照）。その結果、ブリッジ7bの部
分のバリを残さずに溶解させてしまうことができる。
ａからのレーザについて、搬送台９の位置を幾分ずらせ
て配置することにより、結像が多少ボケて投影されるこ
とになる（ブリッジ部分の除去に関しては同一人出願の
特願昭61−53720号参照）。また、リードフレーム３を
メニスカスレンズ８の焦点位置から所定距離、離間して
配置することにより、ブリッジ7bがボケて投影される
（同特願昭61−53721号参照）。さらにまた、メニスカ
スレンズ８によりレーザビームを絞る方向と、ステンシ
ル７に打抜かれたパターンのブリッジ7bの幅狭方向とを
一致させることによりブリッジ7bが目立たなくなる（同
特願昭61−138331号参照）。その結果、ブリッジ7bの部
分のバリを残さずに溶解させてしまうことができる。
上記のように、この発明の実施例においては、レーザ
照射をすることにより、レーザ通過孔7aによってバリ取
りを行う工程と、レーザ通過孔７′ａによってマーキン
グを施す工程と、２つの工程を一度に行うことができる
ので、１工程だけ短縮されたことになる。
照射をすることにより、レーザ通過孔7aによってバリ取
りを行う工程と、レーザ通過孔７′ａによってマーキン
グを施す工程と、２つの工程を一度に行うことができる
ので、１工程だけ短縮されたことになる。
また、上記実施例において、メニスカスレンズ８に替
えてシリンドリカルレンズを用いることもできる。
えてシリンドリカルレンズを用いることもできる。
第１表は上記の実施例によって、実験を行った際のバ
リ取りの結果について示したもので、○印はバリ取りが
充分になされたことを示し、×印は充分になされなかっ
たことを示す。尚、いずれの実験例もマーキングは良好
であった。
リ取りの結果について示したもので、○印はバリ取りが
充分になされたことを示し、×印は充分になされなかっ
たことを示す。尚、いずれの実験例もマーキングは良好
であった。
この第１表の結果から明らかなように、11.1Joule/cm
2以上の照射エネルギー密度で、２ショット以上のショ
ット回数のとき、バリ取りの効果があったことを表わし
ている。
2以上の照射エネルギー密度で、２ショット以上のショ
ット回数のとき、バリ取りの効果があったことを表わし
ている。
尚、この実施例では、TEA−CO2レーザを用いてバリ取
りを行ったが、YAGレーザ等、他のレーザを用いて行え
ることは勿論である。またYAGレーザの場合、ステンシ
ルの代りにガラスマスクを使用することができるので、
ブリッジが不要となり、ブリッジレスのための操作をす
る必 要がない。
りを行ったが、YAGレーザ等、他のレーザを用いて行え
ることは勿論である。またYAGレーザの場合、ステンシ
ルの代りにガラスマスクを使用することができるので、
ブリッジが不要となり、ブリッジレスのための操作をす
る必 要がない。
［発明の効果］ 以上説明したとおり、この発明はレーザ照射によって
バリ取りを行うので、傷がついたり、水分の影響を受け
たりすることがなく、品質の向上を図ることができる。
その上、マーキング工程とバリ取り工程を１工程で行う
こともできるので、工数の短縮によりコストの低減を図
ることができる。
バリ取りを行うので、傷がついたり、水分の影響を受け
たりすることがなく、品質の向上を図ることができる。
その上、マーキング工程とバリ取り工程を１工程で行う
こともできるので、工数の短縮によりコストの低減を図
ることができる。
【図面の簡単な説明】 第１図（ａ）はこの発明の一実施例であるレーザによる
加工方法を説明するための図、同図（ｂ）は同図（ａ）
のステンシルの詳細を説明するための図、第２図（ａ）
は半導体素子とリード線がボンディングされた状態を示
す図で、同図（ｂ）は同図（ａ）の各部品を並べて、モ
ールドする金型を示す図である。 図中． 1:素子 2:リード線 3:リードフレーム 5:TEA−CO2レーザ発振装置 6:反射ミラー 7:ステンシル 7a,7′a:レーザ通過孔 8:メニスカスレンズ 9:搬送台
加工方法を説明するための図、同図（ｂ）は同図（ａ）
のステンシルの詳細を説明するための図、第２図（ａ）
は半導体素子とリード線がボンディングされた状態を示
す図で、同図（ｂ）は同図（ａ）の各部品を並べて、モ
ールドする金型を示す図である。 図中． 1:素子 2:リード線 3:リードフレーム 5:TEA−CO2レーザ発振装置 6:反射ミラー 7:ステンシル 7a,7′a:レーザ通過孔 8:メニスカスレンズ 9:搬送台
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁封止材料を用いてモールドすることに
より封止された電子部品に対して、 マーキングパターンとバリ取り用パターンとを構成する
光透過部を有するステンシルを介して照射エネルギー密
度が11.1J/cm2以上のパルス状のレーザを２回以上照射
して、前記絶縁封止材料のバリ取りを行うと同時に前記
レーザ照射によってマーキングを行う ことを特徴とする電子部品のレーザによる加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63085266A JP2641128B2 (ja) | 1988-04-08 | 1988-04-08 | 電子部品のレーザによる加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63085266A JP2641128B2 (ja) | 1988-04-08 | 1988-04-08 | 電子部品のレーザによる加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01258403A JPH01258403A (ja) | 1989-10-16 |
| JP2641128B2 true JP2641128B2 (ja) | 1997-08-13 |
Family
ID=13853774
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63085266A Expired - Lifetime JP2641128B2 (ja) | 1988-04-08 | 1988-04-08 | 電子部品のレーザによる加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2641128B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03126048U (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-19 | ||
| JPH06182778A (ja) * | 1992-12-17 | 1994-07-05 | Fujikura Ltd | ゴム成型体の製造方法 |
| JP5589977B2 (ja) * | 2011-07-05 | 2014-09-17 | 株式会社デンソー | バリ除去方法およびレーザ加工方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60103628A (ja) * | 1983-11-10 | 1985-06-07 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
| JPS61283101A (ja) * | 1985-06-07 | 1986-12-13 | 株式会社村田製作所 | 電子部品への表示付与方法 |
| JPS62206841A (ja) * | 1986-03-06 | 1987-09-11 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS62229849A (ja) * | 1986-03-28 | 1987-10-08 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
| JPS62294551A (ja) * | 1986-06-16 | 1987-12-22 | Ushio Inc | マ−キング方法 |
-
1988
- 1988-04-08 JP JP63085266A patent/JP2641128B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01258403A (ja) | 1989-10-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20020170897A1 (en) | Methods for preparing ball grid array substrates via use of a laser | |
| US20070193991A1 (en) | Method of soldering wiring members by laser beam irradiation | |
| US6333483B1 (en) | Method of manufacturing circuit modules | |
| JP2641128B2 (ja) | 電子部品のレーザによる加工方法 | |
| JPH0613488A (ja) | 回路基板とその製造方法 | |
| JPH0685448A (ja) | レーザはんだ付け方法及びその装置 | |
| JP5712090B2 (ja) | 電子機器の製造方法 | |
| JPH10335806A (ja) | 回路モジュールの製造方法及びその装置 | |
| JP2810727B2 (ja) | Ｉｃカードの製造方法 | |
| CN111565906B (zh) | 树脂成形体及其制造方法 | |
| JP7130959B2 (ja) | 物理量センサおよびその製造方法 | |
| JP2969054B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
| JP3013575B2 (ja) | 縦型電子部品の実装方法 | |
| JP3140968B2 (ja) | レーザ加工装置 | |
| JPS6332957A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0714969A (ja) | 基板のリード接合方法 | |
| JPH08153967A (ja) | Ｂｇａリペア装置および方法 | |
| JP2006332220A (ja) | 金属薄膜形成方法 | |
| JPH0513946A (ja) | 電子部品のはんだ付方法 | |
| JPH02247076A (ja) | レーザはんだ付け装置 | |
| JPH07273267A (ja) | リードの接合方法 | |
| JPH08279583A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の加工方法 | |
| JP2002280726A (ja) | デバイス及びデバイスの再利用前処理方法 | |
| JP2001015994A (ja) | Ｉｃパッケージの実装方法 | |
| JPH10224020A (ja) | 回路モジュールの製造方法 |