JPS62229849A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
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- JPS62229849A JPS62229849A JP7219686A JP7219686A JPS62229849A JP S62229849 A JPS62229849 A JP S62229849A JP 7219686 A JP7219686 A JP 7219686A JP 7219686 A JP7219686 A JP 7219686A JP S62229849 A JPS62229849 A JP S62229849A
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Landscapes
- Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、樹脂封止型半導体装置の製造方法に関し、
特にプラスチックパッケージのバリ取りに関するもので
ある。
特にプラスチックパッケージのバリ取りに関するもので
ある。
第２図は従来の樹脂封止型半導体集積回路装置の斜視図
であり、図において、■はパッケージ本体、２は該パッ
ケージ本体から導出される複数の外部リード、３は該複
数の外部リード２間を接続するタイバ、４は樹脂封止の
際、上記外部リード２と上記タイバ３とが成す空間に発
生するバリ、５は外部リード２及びタイバ３上に付着し
たバリである。
であり、図において、■はパッケージ本体、２は該パッ
ケージ本体から導出される複数の外部リード、３は該複
数の外部リード２間を接続するタイバ、４は樹脂封止の
際、上記外部リード２と上記タイバ３とが成す空間に発
生するバリ、５は外部リード２及びタイバ３上に付着し
たバリである。
上記の様な従来の樹脂封止型半導体集積回路装置では、
樹脂封止成形時に発生するバリを完全に除去することは
難しく、残ったバリが後の工程で親藩すると、外観上の
不良を引き起こす原因となる等の問題があった。又、従
来の装置は品種に対応しているため汎用性に乏しく、多
品種少量生産には向かないという問題点があった。
樹脂封止成形時に発生するバリを完全に除去することは
難しく、残ったバリが後の工程で親藩すると、外観上の
不良を引き起こす原因となる等の問題があった。又、従
来の装置は品種に対応しているため汎用性に乏しく、多
品種少量生産には向かないという問題点があった。
この発明は、上記の様なものの問題点を解消するために
なされたもので、バリのない樹脂封止型半導体装置を製
造する方法を提供することを目的としている。
なされたもので、バリのない樹脂封止型半導体装置を製
造する方法を提供することを目的としている。
この発明に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法は、樹
脂封止する際に発生するバリにレーザを照射してこれを
除去するようにしたものである。
脂封止する際に発生するバリにレーザを照射してこれを
除去するようにしたものである。
この発明においては、樹脂封止する際にレーザをバリに
照射するようにしたから、容易にバリの除去ができる。
照射するようにしたから、容易にバリの除去ができる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図は、この発明の一実施例により製造した半導体集
積回路装置を示す部分断面図であり、第２図と同一符号
は同一のものを示す。
積回路装置を示す部分断面図であり、第２図と同一符号
は同一のものを示す。
本発明実施例においては、第２図のように樹脂封止の際
にバリが形成される部分全面にレーザを照射するから、
バリがすべて除去され、第１図に示すような外部リード
間及び外部リード上にバリのない半導体集積回路装置が
得られる。
にバリが形成される部分全面にレーザを照射するから、
バリがすべて除去され、第１図に示すような外部リード
間及び外部リード上にバリのない半導体集積回路装置が
得られる。
なお、レーザでバリを除去した後、高圧水耳搾空気ある
いは液体ホーニングにより洗浄するようにすれば、樹脂
のカス等のないきれいな製品を得ることができる。
いは液体ホーニングにより洗浄するようにすれば、樹脂
のカス等のないきれいな製品を得ることができる。
また上記実施例において、レーザは片面だけでなく両面
に用いてもよく、又、洗浄する時の高圧水や圧搾空気も
片面だけでなく、両面からかけてもよい。
に用いてもよく、又、洗浄する時の高圧水や圧搾空気も
片面だけでなく、両面からかけてもよい。
以上の様に、この発明によれば、樹脂封止の際レーザを
用いてバリを除去するようにしたので、。
用いてバリを除去するようにしたので、。
バリを除去しに（いものもすべて容易に除去することが
でき、品種に対する汎用性も高くなることからプロセス
の省略やコストの低減を図ることができる。
でき、品種に対する汎用性も高くなることからプロセス
の省略やコストの低減を図ることができる。
第１図はこの発明の一実施例の方法により製造した半導
体集積回路装置を示す部分断面図、第２図は従来の方法
により製造した半導体集積回路装置を示す部分断面図で
ある。 図において、ｌはパッケージ本体、２は外部リード、３
はタイバ、４はリード間バリ、５は薄バリである。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 早 瀬 憲 − 第１図 ｔ／／’７グーシ４が ２：メ１１１Ｐり一〆 ３：タヂ／） ４：ノーメ層γ／ｌソ
体集積回路装置を示す部分断面図、第２図は従来の方法
により製造した半導体集積回路装置を示す部分断面図で
ある。 図において、ｌはパッケージ本体、２は外部リード、３
はタイバ、４はリード間バリ、５は薄バリである。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 早 瀬 憲 − 第１図 ｔ／／’７グーシ４が ２：メ１１１Ｐり一〆 ３：タヂ／） ４：ノーメ層γ／ｌソ
Claims (4)
- （１）樹脂封止型半導体装置の本体から導出される複数
の外部リード間および該外部リード上に発生するバリに
レーザを照射して該バリを除去することを特徴とする樹
脂封止型半導体装置の製造方法。 - （２）前記バリにレーザを照射して除去した後、該半導
体装置を高水圧で洗浄することを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - （３）前記バリにレーザを照射して該バリを除去した後
、該半導体装置を圧搾空気により洗浄することを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の樹脂封止型半導体装置
の製造方法。 - （４）前記バリにレーザを照射して該バリを除去した後
、該半導体装置を液体ホーニングにより洗浄することを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の樹脂封止型半導
体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7219686A JPS62229849A (ja) | 1986-03-28 | 1986-03-28 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7219686A JPS62229849A (ja) | 1986-03-28 | 1986-03-28 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62229849A true JPS62229849A (ja) | 1987-10-08 |
Family
ID=13482226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7219686A Pending JPS62229849A (ja) | 1986-03-28 | 1986-03-28 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62229849A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01258403A (ja) * | 1988-04-08 | 1989-10-16 | Ushio Inc | 電子部品のレーザによる加工方法 |
| FR2850390A1 (fr) * | 2003-01-24 | 2004-07-30 | Soitec Silicon On Insulator | Procede d'elimination d'une zone peripherique de colle lors de la fabrication d'un substrat composite |
| WO2004066380A1 (en) * | 2003-01-24 | 2004-08-05 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | A layer transfer method |
| EP1465241A2 (en) * | 2003-04-04 | 2004-10-06 | ASM Technology Singapore Pte Ltd. | Apparatus and method for cleaning an electronic device |
-
1986
- 1986-03-28 JP JP7219686A patent/JPS62229849A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01258403A (ja) * | 1988-04-08 | 1989-10-16 | Ushio Inc | 電子部品のレーザによる加工方法 |
| FR2850390A1 (fr) * | 2003-01-24 | 2004-07-30 | Soitec Silicon On Insulator | Procede d'elimination d'une zone peripherique de colle lors de la fabrication d'un substrat composite |
| WO2004066380A1 (en) * | 2003-01-24 | 2004-08-05 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | A layer transfer method |
| US7060590B2 (en) | 2003-01-24 | 2006-06-13 | S.O.I. Tec Silicon On Insulator Technologies S.A. | Layer transfer method |
| EP1465241A2 (en) * | 2003-04-04 | 2004-10-06 | ASM Technology Singapore Pte Ltd. | Apparatus and method for cleaning an electronic device |
| EP1465241A3 (en) * | 2003-04-04 | 2006-11-15 | ASM Technology Singapore Pte Ltd. | Apparatus and method for cleaning an electronic device |
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