JPH03280554A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH03280554A JPH03280554A JP8269690A JP8269690A JPH03280554A JP H03280554 A JPH03280554 A JP H03280554A JP 8269690 A JP8269690 A JP 8269690A JP 8269690 A JP8269690 A JP 8269690A JP H03280554 A JPH03280554 A JP H03280554A
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- resin
- semiconductor chip
- sealing resin
- punch
- sealing
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Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特にTAB用半
導体装置の樹脂封止方法に関する。
導体装置の樹脂封止方法に関する。
従来、TAB用半導体装置の製造工程においては、ベー
ステープ上に形成されたビームリードと半導体チップを
ボンディングした後第4図に示す様に、半導体チップ1
の表面、ビームリード4全体及びデバイスホール8を樹
脂封止するが、この場合は、半導体チップ1の表面上か
ら、ビームリード4上及びデバイスホール8上へ軌跡1
0を描きながらディスペンスノズル6を移動させて樹脂
を塗布していた。尚、この塗布には、例えば第3図に示
すようなデイスペンサー12を具備するスカラ型ロボッ
ト11と作業台13を有する樹脂塗布装置が用いられる
。
ステープ上に形成されたビームリードと半導体チップを
ボンディングした後第4図に示す様に、半導体チップ1
の表面、ビームリード4全体及びデバイスホール8を樹
脂封止するが、この場合は、半導体チップ1の表面上か
ら、ビームリード4上及びデバイスホール8上へ軌跡1
0を描きながらディスペンスノズル6を移動させて樹脂
を塗布していた。尚、この塗布には、例えば第3図に示
すようなデイスペンサー12を具備するスカラ型ロボッ
ト11と作業台13を有する樹脂塗布装置が用いられる
。
しかしながら、上述したように半導体チップ表面上、ビ
ームリード上及びデバイスホール上に軌跡を描きながら
樹脂を塗布した場合、1個のT A B用の半導体チッ
プを樹脂封止するのに、時間がかかりすぎてしまうとい
う欠点がある。
ームリード上及びデバイスホール上に軌跡を描きながら
樹脂を塗布した場合、1個のT A B用の半導体チッ
プを樹脂封止するのに、時間がかかりすぎてしまうとい
う欠点がある。
また、第3図に示した樹脂塗布用装置のデイスペンサ一
部分から、成形性良く連続的に液状エポキシ樹脂を塗布
していくためには、前記樹脂の粘度を低くしなければな
らないが、そうすると、樹脂中に含まれているフィラー
(通常S i 02が用いられる)の沈降が速くなるた
めに、塗布前に樹脂を均一に攪拌する工程が必要になる
という欠点もある。
部分から、成形性良く連続的に液状エポキシ樹脂を塗布
していくためには、前記樹脂の粘度を低くしなければな
らないが、そうすると、樹脂中に含まれているフィラー
(通常S i 02が用いられる)の沈降が速くなるた
めに、塗布前に樹脂を均一に攪拌する工程が必要になる
という欠点もある。
本発明の半導体装置の製造方法は、ベーステープ上に形
成されたビームリードに半導体チップを接続したのち半
導体チップを樹脂封止する半導体装置の製造方法におい
て、封止樹脂を半導体チップ上に吐出させたのちこの封
止樹脂を上方から機械的に整形するものである。
成されたビームリードに半導体チップを接続したのち半
導体チップを樹脂封止する半導体装置の製造方法におい
て、封止樹脂を半導体チップ上に吐出させたのちこの封
止樹脂を上方から機械的に整形するものである。
以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
第1図(a)〜(d)図は、本発明の一実施例を説明す
るための断面図である。
るための断面図である。
まず、第1図(a)に示すように、ベーステープ9上に
設けられ、保護用のレジスト5が塗布されたビームリー
ド4と半導体チップ1のバンプ3とを接続したのち、樹
脂塗布用装置のデイスペンサーノズル6からエポキシ等
の封止樹脂2を半導体チップ1表面上に吐出滴下する。
設けられ、保護用のレジスト5が塗布されたビームリー
ド4と半導体チップ1のバンプ3とを接続したのち、樹
脂塗布用装置のデイスペンサーノズル6からエポキシ等
の封止樹脂2を半導体チップ1表面上に吐出滴下する。
封止樹脂2を滴下した後の形状は第1図(b)に示すよ
うになる。
うになる。
次に第1図(c)に示すように、半導体チップ1の上方
から、整形用の上金型7を用いて封止樹脂2を加圧整形
する。上金型7は、その表面にテフロン加工等の撥水加
工をし、封止樹脂2と上金型7の離型性を良くしである
。また、上金型7の内側は、デバイスホール8の縁から
1mm程度外側を囲む形状とする。
から、整形用の上金型7を用いて封止樹脂2を加圧整形
する。上金型7は、その表面にテフロン加工等の撥水加
工をし、封止樹脂2と上金型7の離型性を良くしである
。また、上金型7の内側は、デバイスホール8の縁から
1mm程度外側を囲む形状とする。
次に第1図(d)に示すように、上金型7を上方に引き
上げることにより、封止樹脂2は、半導体チップ1の表
面、ビームリード4の全体およびデバイスホール8を被
覆する事ができる。
上げることにより、封止樹脂2は、半導体チップ1の表
面、ビームリード4の全体およびデバイスホール8を被
覆する事ができる。
本実施例の場合は、封止樹脂2の粘度がある程度高くて
も整形には問題がない。また、従来の塗布法ではチップ
サイズ7mm角の1個の半導体チップを樹脂封止するの
に70〜80秒要していたのに対し、本実施例によれば
8〜10秒ですみ作業能率が向上した。
も整形には問題がない。また、従来の塗布法ではチップ
サイズ7mm角の1個の半導体チップを樹脂封止するの
に70〜80秒要していたのに対し、本実施例によれば
8〜10秒ですみ作業能率が向上した。
尚、上記実施例では1個の吐出口を有するデイスペンサ
ノズルを用いた場合について説明したが、第2図に示す
様な多数の吐出口14を持つディスペンスノズル6Aを
使用してもよい、この場合封止樹脂の滴下時間の短縮が
計れると共に、粘度の高い封止樹脂を用いることができ
るという利点がある。
ノズルを用いた場合について説明したが、第2図に示す
様な多数の吐出口14を持つディスペンスノズル6Aを
使用してもよい、この場合封止樹脂の滴下時間の短縮が
計れると共に、粘度の高い封止樹脂を用いることができ
るという利点がある。
以上説明したように本発明は、ビームリードに半導体チ
ップを接続したのち、半導体チップ上に封止樹脂を吐出
させ、上方から機械的に整形することにより、樹脂封止
時間を短縮でき、樹脂の粘度範囲も広く、しかも従来必
要であった攪拌工程をなくすことができるという効果が
ある。
ップを接続したのち、半導体チップ上に封止樹脂を吐出
させ、上方から機械的に整形することにより、樹脂封止
時間を短縮でき、樹脂の粘度範囲も広く、しかも従来必
要であった攪拌工程をなくすことができるという効果が
ある。
第1図は本発明の一実施例の断面図、第2図は本発明の
実施例に用いられる他のディスペンスノズルの斜視図、
第3図は従来の樹脂塗布装置の斜視図、第4図は従来の
封止樹脂の塗布方法を説明するためのベーステープと半
導体チップの斜視図である。 1・・・半導体チップ、2・・・封止樹脂、3・・・バ
ンブ、4・・・ビームリード、5・・・レジスト、6・
・・ディスペンスノズル、7・・・金型、8・・・デバ
イスポール、9・・・ベーステープ、10・・・樹脂塗
布の軌跡、11・・・スカラ型ロボット、12・・・デ
イスペンサー、13・・・作業台、14・・・吐出口。
実施例に用いられる他のディスペンスノズルの斜視図、
第3図は従来の樹脂塗布装置の斜視図、第4図は従来の
封止樹脂の塗布方法を説明するためのベーステープと半
導体チップの斜視図である。 1・・・半導体チップ、2・・・封止樹脂、3・・・バ
ンブ、4・・・ビームリード、5・・・レジスト、6・
・・ディスペンスノズル、7・・・金型、8・・・デバ
イスポール、9・・・ベーステープ、10・・・樹脂塗
布の軌跡、11・・・スカラ型ロボット、12・・・デ
イスペンサー、13・・・作業台、14・・・吐出口。
Claims (1)
- ベーステープ上に形成されたビームリードに半導体チ
ップを接続したのち半導体チップを樹脂封止する半導体
装置の製造方法において、封止樹脂を半導体チップ上に
吐出させたのちこの封止樹脂を上方から機械的に整形す
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8269690A JPH03280554A (ja) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8269690A JPH03280554A (ja) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03280554A true JPH03280554A (ja) | 1991-12-11 |
Family
ID=13781576
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8269690A Pending JPH03280554A (ja) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03280554A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5519251A (en) * | 1992-10-20 | 1996-05-21 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and method of producing the same |
US6084309A (en) * | 1992-10-20 | 2000-07-04 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and semiconductor device mounting structure |
US6165819A (en) * | 1992-10-20 | 2000-12-26 | Fujitsu Limited | Semiconductor device, method of producing semiconductor device and semiconductor device mounting structure |
US6383292B1 (en) | 1998-09-02 | 2002-05-07 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor device encapsulators |
JP2007194287A (ja) * | 2006-01-17 | 2007-08-02 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 圧縮成形による樹脂封止装置及び樹脂封止方法 |
-
1990
- 1990-03-29 JP JP8269690A patent/JPH03280554A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5519251A (en) * | 1992-10-20 | 1996-05-21 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and method of producing the same |
US5773313A (en) * | 1992-10-20 | 1998-06-30 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and method of producing the same |
US6084309A (en) * | 1992-10-20 | 2000-07-04 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and semiconductor device mounting structure |
US6165819A (en) * | 1992-10-20 | 2000-12-26 | Fujitsu Limited | Semiconductor device, method of producing semiconductor device and semiconductor device mounting structure |
US6462424B1 (en) | 1992-10-20 | 2002-10-08 | Fujitsu Limited | Semiconductor device, method of producing semiconductor device and semiconductor device mounting structure |
US6383292B1 (en) | 1998-09-02 | 2002-05-07 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor device encapsulators |
US6399425B1 (en) * | 1998-09-02 | 2002-06-04 | Micron Technology, Inc. | Method of encapsulating semiconductor devices utilizing a dispensing apparatus with rotating orifices |
US6812068B2 (en) | 1998-09-02 | 2004-11-02 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor device encapsulators, methods of encapsulating semiconductor devices and methods of forming electronic packages |
JP2007194287A (ja) * | 2006-01-17 | 2007-08-02 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 圧縮成形による樹脂封止装置及び樹脂封止方法 |
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