JPH01258403A - 電子部品のレーザによる加工方法 - Google Patents
電子部品のレーザによる加工方法Info
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- JPH01258403A JPH01258403A JP8526688A JP8526688A JPH01258403A JP H01258403 A JPH01258403 A JP H01258403A JP 8526688 A JP8526688 A JP 8526688A JP 8526688 A JP8526688 A JP 8526688A JP H01258403 A JPH01258403 A JP H01258403A
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 abstract description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 abstract 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 5
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 4
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)
- Details Of Resistors (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は半導体素子等の電子部品の封止及びマーキン
グにおけるレーザによる加工方法に関するものである。
グにおけるレーザによる加工方法に関するものである。
［従来の技術］
ＩＣ等の半導体素子を製造する工程は、大別すると、半
導体のウェハに不純物を注入したり、パターンを形成し
て半導体素子としての機能を持たせるウニ八加工工程と
、この素子としての機能を有する半導体素子に対して、
モールドしたり、容器に収納したりして部品として完成
させる組立工程と、この組立工程後に素子の動作特性等
をチエツクする検査工程とがある。そして、前記組立工
程は主として、リード線と素子の取付等のボンディング
工程と封止工程とがある。
導体のウェハに不純物を注入したり、パターンを形成し
て半導体素子としての機能を持たせるウニ八加工工程と
、この素子としての機能を有する半導体素子に対して、
モールドしたり、容器に収納したりして部品として完成
させる組立工程と、この組立工程後に素子の動作特性等
をチエツクする検査工程とがある。そして、前記組立工
程は主として、リード線と素子の取付等のボンディング
工程と封止工程とがある。
第２図（ａ）は半導体素子とリード線がボンディングさ
れた状態を示す図で、同図（ｂ）は同図（ａ）の各部品
を並べて、モールドする金型を示す図である。
れた状態を示す図で、同図（ｂ）は同図（ａ）の各部品
を並べて、モールドする金型を示す図である。
第２図（ａ）、（ｂ）において、ｌは半導体等の素子、
２はリード線、３はリードフレーム、４は樹脂からなる
封止材料を流し込むスポットである。いま、第２図（ａ
）のリードフレーム３に形成されたリード線２に対して
素子１をボンディングした後、同図（ｂ）のモールド金
型Ａに各素子ｌか多数ボンディングされた帯状のリード
フレームを並置して、もう一方のモールド金型（不図示
）で挟み、そしてスポット４から溶解した樹脂からなる
封止材料を流し込む。金型Ａのスポット４に流し込まれ
た封止材料は図の矢印の方向に流出して素子ｌを蔽い、
この状態てモールド金型か素子ｌを挟んで押圧してモー
ルドする。モールドされた素子ｌはリード線２等の不必
要な部分に封止材料か付着して、「ハリ」としてヒゲ状
に残っているので、電子部品の特性上好ましくない。そ
こで、このハリに対して砂を吹付けるサンドブラスト法
や、数十天気圧の水を噴射するウォータージェット法に
よって除去することか行われている。
２はリード線、３はリードフレーム、４は樹脂からなる
封止材料を流し込むスポットである。いま、第２図（ａ
）のリードフレーム３に形成されたリード線２に対して
素子１をボンディングした後、同図（ｂ）のモールド金
型Ａに各素子ｌか多数ボンディングされた帯状のリード
フレームを並置して、もう一方のモールド金型（不図示
）で挟み、そしてスポット４から溶解した樹脂からなる
封止材料を流し込む。金型Ａのスポット４に流し込まれ
た封止材料は図の矢印の方向に流出して素子ｌを蔽い、
この状態てモールド金型か素子ｌを挟んで押圧してモー
ルドする。モールドされた素子ｌはリード線２等の不必
要な部分に封止材料か付着して、「ハリ」としてヒゲ状
に残っているので、電子部品の特性上好ましくない。そ
こで、このハリに対して砂を吹付けるサンドブラスト法
や、数十天気圧の水を噴射するウォータージェット法に
よって除去することか行われている。
［発明が解決しようとする課題］
上記のような従来のハリ取りの方法において、サンドブ
ラスト法ては、電子部品の表面に傷かついたり、またウ
ォータージェット法では、水分。
ラスト法ては、電子部品の表面に傷かついたり、またウ
ォータージェット法では、水分。
湿度の影響で腐食等の問題かあり、ドライプロセスの要
請に反し、信頼性か低下するという欠点かあった。
請に反し、信頼性か低下するという欠点かあった。
この発明はかかる従来の課題を解決するためになされた
ちのて、電子部品に損傷を与えたり、水を使用すること
による信頼性の低下を招くことなく、封止部材のハリ取
りを効率よく行うことのできる電子部品のレーザによる
加工方法を提供することを目的とする。
ちのて、電子部品に損傷を与えたり、水を使用すること
による信頼性の低下を招くことなく、封止部材のハリ取
りを効率よく行うことのできる電子部品のレーザによる
加工方法を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
上記の目的を達成するために、この発明は絶縁封止材料
を用いてモールドすることにより封止された電子部品に
対して、レーザを照射して前記絶縁封止材料のバリ取り
を行う方法てあり、さらにハリ取りと同時にレーザ照射
によってマーキングを行うものである。
を用いてモールドすることにより封止された電子部品に
対して、レーザを照射して前記絶縁封止材料のバリ取り
を行う方法てあり、さらにハリ取りと同時にレーザ照射
によってマーキングを行うものである。
［作用］
上記の方法によって、電子部品に傷がついたり、水分の
影響によって品質が低下することかない。
影響によって品質が低下することかない。
［実施例］
第１図（ａ）はこの発明の一実施例であるレーザによる
加工方法を説明するための図で、同図（ｂ）は同図（ａ
）のステンシルの詳細を説明するための図であり、５は
ＴＥＡ−Ｃｏ２レーザ発振装置、６はこのＴＥＡ−Ｃｏ
２レーザ発振装置５からのレーザを反射する反射ミラー
、７は不透明性ステンシル、７ａ、７’ ａは共にこの
ステンシル７に設けられたレーザ通過孔で、７ａはバリ
取り用のレーザ通過孔２７′ａはマーキング用のレーザ
通過孔、７ｂはブリッジ、８はレーザ通過孔７ａ、７’
ａからのレーザを結像させるためのメニスカスレンズ
、９は素子ｌがモールドされたリードフレーム３をレー
ザ加工のために搬送する搬送台である。また、第２図と
同一符号は同一または相当部分を示す。
加工方法を説明するための図で、同図（ｂ）は同図（ａ
）のステンシルの詳細を説明するための図であり、５は
ＴＥＡ−Ｃｏ２レーザ発振装置、６はこのＴＥＡ−Ｃｏ
２レーザ発振装置５からのレーザを反射する反射ミラー
、７は不透明性ステンシル、７ａ、７’ ａは共にこの
ステンシル７に設けられたレーザ通過孔で、７ａはバリ
取り用のレーザ通過孔２７′ａはマーキング用のレーザ
通過孔、７ｂはブリッジ、８はレーザ通過孔７ａ、７’
ａからのレーザを結像させるためのメニスカスレンズ
、９は素子ｌがモールドされたリードフレーム３をレー
ザ加工のために搬送する搬送台である。また、第２図と
同一符号は同一または相当部分を示す。
第１図（ａ）、（ｂ）において、ＴＥＡ−Ｃｏ２レーザ
発振装置５から出力されたレーザは、反射ミラー６で反
射してステンシル７のレーザ通過孔７ａ、７’ ａを通
過して、メニスカスレンズ８によって結像されて照射さ
れる。搬送台９はリードフレーム３上のモールドされた
素子ｌをメニスカスレンズ８の結像点の位置に搬送する
のは言うまでもないか、ＴＥＡ−Ｃｏ２レーザはパルス
発振であるので、該パルスのタイミングに合わせて所定
位置に逐次搬送する。
発振装置５から出力されたレーザは、反射ミラー６で反
射してステンシル７のレーザ通過孔７ａ、７’ ａを通
過して、メニスカスレンズ８によって結像されて照射さ
れる。搬送台９はリードフレーム３上のモールドされた
素子ｌをメニスカスレンズ８の結像点の位置に搬送する
のは言うまでもないか、ＴＥＡ−Ｃｏ２レーザはパルス
発振であるので、該パルスのタイミングに合わせて所定
位置に逐次搬送する。
尚、上述のレーザ照射において、レーザ通過孔７ａ、７
’ ａからのレーザについて、搬送台９の位置を幾分ず
らせて配置することにより、結像か多少ボケて投影され
ることになる（ブリッジ部分の除去に関しては同一人出
願の特願昭６１−５３７２０号参照）、また、リードフ
レーム３をメニスカスレンズ８の焦点位置から所定距離
、離間して配置することにより、ブリッジ７ｂがボケて
投影される（同特願昭６１−５３７２１号参照）、さら
にまた、メニスカスレンズ８によりレーザビームを絞る
方向と、ステンシル７に打抜かれたパターンのブリッジ
７ｂの幅狭方向とを一致させることによりブリッジ７ｂ
か目立たなくなる（同特願昭６１−１３８３３１号参照
）、その結果、ブリッジ７ｂの部分のバリを残さずに溶
解させてしまうことができる。
’ ａからのレーザについて、搬送台９の位置を幾分ず
らせて配置することにより、結像か多少ボケて投影され
ることになる（ブリッジ部分の除去に関しては同一人出
願の特願昭６１−５３７２０号参照）、また、リードフ
レーム３をメニスカスレンズ８の焦点位置から所定距離
、離間して配置することにより、ブリッジ７ｂがボケて
投影される（同特願昭６１−５３７２１号参照）、さら
にまた、メニスカスレンズ８によりレーザビームを絞る
方向と、ステンシル７に打抜かれたパターンのブリッジ
７ｂの幅狭方向とを一致させることによりブリッジ７ｂ
か目立たなくなる（同特願昭６１−１３８３３１号参照
）、その結果、ブリッジ７ｂの部分のバリを残さずに溶
解させてしまうことができる。
上記のように、この発明の実施例においては、レーザ照
射をすることにより、レーザ通過孔７ａによってバリ取
りを行う工程と、レーザ通過孔７’ａによってマーキン
グを施す工程と、２つの工程を一度に行うことかできる
ので、１工程たけ短縮されたことになる。
射をすることにより、レーザ通過孔７ａによってバリ取
りを行う工程と、レーザ通過孔７’ａによってマーキン
グを施す工程と、２つの工程を一度に行うことかできる
ので、１工程たけ短縮されたことになる。
また、上記実施例において、メニスカスレンズ８に替え
てシリンドリカルレンズを用いることもできる。
てシリンドリカルレンズを用いることもできる。
第１表は上記の実施例によって、実験を行った際のバリ
取りの結果について示したもので、○印はバリ取りが充
分になされたことを示し、ｘ印は充分になされなかった
ことを示す。尚、いずれの実験例もマーキングは良好で
あった。
取りの結果について示したもので、○印はバリ取りが充
分になされたことを示し、ｘ印は充分になされなかった
ことを示す。尚、いずれの実験例もマーキングは良好で
あった。
この第１表の結果から明らかなように、１１．ＩＪｏｕ
ｌｅｌｃ、２以上の照射エネルギー密度で、２ショット
以上のショット回数のとき、ハリ取りの効果があったこ
とを表わしている。
ｌｅｌｃ、２以上の照射エネルギー密度で、２ショット
以上のショット回数のとき、ハリ取りの効果があったこ
とを表わしている。
尚、この実施例では、ＴＥＡ−Ｃｏ、レーザを用いてバ
リ取りを行ったか、ＹＡＧレーザ等、他のレーザを用い
て行えることは勿論である。またＹＡＧレーザの場合、
ステンシルの代りにガラスマスクを使用することができ
るので、ブリッジが不要となり、ブリッジレスだめの操
作をする感温 １ 表 要かない。
リ取りを行ったか、ＹＡＧレーザ等、他のレーザを用い
て行えることは勿論である。またＹＡＧレーザの場合、
ステンシルの代りにガラスマスクを使用することができ
るので、ブリッジが不要となり、ブリッジレスだめの操
作をする感温 １ 表 要かない。
［発明の効果］
以上説明したとおり、この発明はレーザ照射によってハ
リ塩りを行うので、傷がついたり、水分の影響を受けた
りすることかなく、品質の向上を図ることができる。そ
の上、マーキング工程とバリ取り工程を１工程で行うこ
ともできるので、工数の短縮によりコストの低減を図る
ことができる。
リ塩りを行うので、傷がついたり、水分の影響を受けた
りすることかなく、品質の向上を図ることができる。そ
の上、マーキング工程とバリ取り工程を１工程で行うこ
ともできるので、工数の短縮によりコストの低減を図る
ことができる。
第１図（ａ）はこの発明の一実施例であるレーザによる
加工方法を説明するための図、同図（ｂ）は同図（ａ）
のステンシルの詳細を説明するための図、第２図（ａ）
は半導体素子とリード線かボンディングされた状態を示
す図で、同図（ｂ）は同図（ａ）の各部品を並べて、モ
ールドする金型を示す図である。 図中。 ｌ二素子 ２：リード線 ３：リードフレーム ５ ： ＴＥＡ−ＣＯ２レーザ発振装置６・反射ミラー ７：ステンシル ７ａ、７°ａ：レーザ通過孔 ８：メニスカスレンズ ９：搬送台 代理人 弁理士 １）北 嵩 晴 （ａ） 第１図 第１図 （ａ） （ｂ） 第２図 −１′Ｉ
加工方法を説明するための図、同図（ｂ）は同図（ａ）
のステンシルの詳細を説明するための図、第２図（ａ）
は半導体素子とリード線かボンディングされた状態を示
す図で、同図（ｂ）は同図（ａ）の各部品を並べて、モ
ールドする金型を示す図である。 図中。 ｌ二素子 ２：リード線 ３：リードフレーム ５ ： ＴＥＡ−ＣＯ２レーザ発振装置６・反射ミラー ７：ステンシル ７ａ、７°ａ：レーザ通過孔 ８：メニスカスレンズ ９：搬送台 代理人 弁理士 １）北 嵩 晴 （ａ） 第１図 第１図 （ａ） （ｂ） 第２図 −１′Ｉ
Claims (2)
- （１）絶縁封止材料を用いてモールドすることにより封
止された電子部品に対して、レーザを照射して前記絶縁
封止材料のバリ取りを行うことを特徴とする電子部品の
レーザによる加工方法。 - （２）請求項（１）のレーザを照射して前記絶縁封止材
料のバリ取りを行うと同時に前記レーザ照射によってマ
ーキングを行うことを特徴とする電子部品のレーザによ
る加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63085266A JP2641128B2 (ja) | 1988-04-08 | 1988-04-08 | 電子部品のレーザによる加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63085266A JP2641128B2 (ja) | 1988-04-08 | 1988-04-08 | 電子部品のレーザによる加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01258403A true JPH01258403A (ja) | 1989-10-16 |
| JP2641128B2 JP2641128B2 (ja) | 1997-08-13 |
Family
ID=13853774
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63085266A Expired - Lifetime JP2641128B2 (ja) | 1988-04-08 | 1988-04-08 | 電子部品のレーザによる加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2641128B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03126048U (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-19 | ||
| JPH06182778A (ja) * | 1992-12-17 | 1994-07-05 | Fujikura Ltd | ゴム成型体の製造方法 |
| JP2013014088A (ja) * | 2011-07-05 | 2013-01-24 | Denso Corp | バリ除去方法およびレーザ加工方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60103628A (ja) * | 1983-11-10 | 1985-06-07 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
| JPS61283101A (ja) * | 1985-06-07 | 1986-12-13 | 株式会社村田製作所 | 電子部品への表示付与方法 |
| JPS62206841A (ja) * | 1986-03-06 | 1987-09-11 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS62229849A (ja) * | 1986-03-28 | 1987-10-08 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
| JPS62294551A (ja) * | 1986-06-16 | 1987-12-22 | Ushio Inc | マ−キング方法 |
-
1988
- 1988-04-08 JP JP63085266A patent/JP2641128B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60103628A (ja) * | 1983-11-10 | 1985-06-07 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
| JPS61283101A (ja) * | 1985-06-07 | 1986-12-13 | 株式会社村田製作所 | 電子部品への表示付与方法 |
| JPS62206841A (ja) * | 1986-03-06 | 1987-09-11 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS62229849A (ja) * | 1986-03-28 | 1987-10-08 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
| JPS62294551A (ja) * | 1986-06-16 | 1987-12-22 | Ushio Inc | マ−キング方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03126048U (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-19 | ||
| JPH06182778A (ja) * | 1992-12-17 | 1994-07-05 | Fujikura Ltd | ゴム成型体の製造方法 |
| JP2013014088A (ja) * | 2011-07-05 | 2013-01-24 | Denso Corp | バリ除去方法およびレーザ加工方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2641128B2 (ja) | 1997-08-13 |
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