JPS62206841A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS62206841A JPS62206841A JP4970986A JP4970986A JPS62206841A JP S62206841 A JPS62206841 A JP S62206841A JP 4970986 A JP4970986 A JP 4970986A JP 4970986 A JP4970986 A JP 4970986A JP S62206841 A JPS62206841 A JP S62206841A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 33
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 5
- 238000005406 washing Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 241001061264 Astragalus Species 0.000 description 1
- 241000269959 Xiphias gladius Species 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 235000006533 astragalus Nutrition 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 235000021335 sword fish Nutrition 0.000 description 1
- 210000004233 talus Anatomy 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
り産業上の利用分野〕
本発明は、半導体素子を樹脂封止してなる半導体装置の
製造方法に関し、特に、半導体素子を樹脂封止した際に
発生する樹脂バリの除去方法に関する２ 〔従来の技術〕 従来、半導体素子を樹脂封止した際に発生するリードフ
レーム上の樹脂バリの除去方法としては、酸あるいはア
ルカリの溶液中にリードフレーム状の半導体装置を一定
時間浸漬した後ブラッシングにより除去したり、又は細
かい固形粒を物理的に樹脂バリにこすりつけて除去した
りする方法等があった。
製造方法に関し、特に、半導体素子を樹脂封止した際に
発生する樹脂バリの除去方法に関する２ 〔従来の技術〕 従来、半導体素子を樹脂封止した際に発生するリードフ
レーム上の樹脂バリの除去方法としては、酸あるいはア
ルカリの溶液中にリードフレーム状の半導体装置を一定
時間浸漬した後ブラッシングにより除去したり、又は細
かい固形粒を物理的に樹脂バリにこすりつけて除去した
りする方法等があった。
上述した従来の酸あるいはアルカリの溶液中に浸透後ブ
ラッシングによる樹脂バリの除去方法では、Ｃｅ−、Ｎ
ａ’等の不純物を含む溶液が使用されることになり、樹
脂封止された半導体装置の外部から内部へ、リードフレ
ームのリード部等を通り半導体素子の表面に不純物が浸
入し、半導体素子表面上の電極や配線部を腐食し半導体
装置を不良としてしまうという欠点があった。また、そ
れらの不純物の浸入を防ぐために純水洗浄の工程が何段
階も必要となったりなど処理工程が非常に複雑になると
いう欠点があった６ さらに、樹脂バリ除去によって生じる廃液処理に必要な
場所の問題、環境問題、コスト的問題も（’Ｉ（色なっ
ていた。
ラッシングによる樹脂バリの除去方法では、Ｃｅ−、Ｎ
ａ’等の不純物を含む溶液が使用されることになり、樹
脂封止された半導体装置の外部から内部へ、リードフレ
ームのリード部等を通り半導体素子の表面に不純物が浸
入し、半導体素子表面上の電極や配線部を腐食し半導体
装置を不良としてしまうという欠点があった。また、そ
れらの不純物の浸入を防ぐために純水洗浄の工程が何段
階も必要となったりなど処理工程が非常に複雑になると
いう欠点があった６ さらに、樹脂バリ除去によって生じる廃液処理に必要な
場所の問題、環境問題、コスト的問題も（’Ｉ（色なっ
ていた。
また、細かい固形粒を物理的に樹脂バリにこすりつけて
除去する方法としては、高圧気体と一緒に吹き−）ける
方法が一般に用いられるが、バリを除去した後に固形粒
等を取除く作業、主として液体洗浄が必要となり工程が
煩雑になるという欠点があった。
除去する方法としては、高圧気体と一緒に吹き−）ける
方法が一般に用いられるが、バリを除去した後に固形粒
等を取除く作業、主として液体洗浄が必要となり工程が
煩雑になるという欠点があった。
本発明の目的は、樹脂封止時に発生する樹脂バリの除去
にあたりＣｅ−、Ｎａ４等の不純物を含む溶液による処
理をなくし、また溶液洗浄の工数を低減し、簡易なる方
法でより信頼性の高い半導体装置を提供することにある
。
にあたりＣｅ−、Ｎａ４等の不純物を含む溶液による処
理をなくし、また溶液洗浄の工数を低減し、簡易なる方
法でより信頼性の高い半導体装置を提供することにある
。
１問題点を解決するための手段〕
本発明の樹脂バリ除去方法は、レーザービームにより瞬
時に樹脂バリを除去する方法である。半導体素子を樹脂
封止してなる半導体装置あるいはリードフレームのパタ
ーンにより、樹脂バリの発生している部分のみにレーザ
ービームが照射されるようにパターンを蒸着したマスク
をレーザービームの経路途中に有している。また、レー
ザー出力の制御により、樹脂バリのみを除去し、下地の
リードフレームには影響を与えないようにしたちのであ
る。
時に樹脂バリを除去する方法である。半導体素子を樹脂
封止してなる半導体装置あるいはリードフレームのパタ
ーンにより、樹脂バリの発生している部分のみにレーザ
ービームが照射されるようにパターンを蒸着したマスク
をレーザービームの経路途中に有している。また、レー
ザー出力の制御により、樹脂バリのみを除去し、下地の
リードフレームには影響を与えないようにしたちのであ
る。
ｒ実施例〕
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。第１図は、゛本発明の一実施例の実施に使用する樹脂
バリ除去装置の構成図であり、又第２図は第１図のＡ部
分拡大図である。
。第１図は、゛本発明の一実施例の実施に使用する樹脂
バリ除去装置の構成図であり、又第２図は第１図のＡ部
分拡大図である。
第１図及び第２図に示すように、加工に用いるレーザー
としては、Ｃ０２レーザー、ＹＡＧレーザーが代表的で
あるが、Ｎ ｄ −Ｙ Ａ Ｇレーザー１を使用した例
である。レーザービームがＸＹ方向に精度よく動くよう
リニアモータでプリズム反射鏡２．３を移動させ、リー
ドフレーム７の状態で樹脂封止された半導体装置６の外
部導出リード８上ｙ）ｈｒｌ脂バリ部９をレーザービー
ム照射により除去している。
としては、Ｃ０２レーザー、ＹＡＧレーザーが代表的で
あるが、Ｎ ｄ −Ｙ Ａ Ｇレーザー１を使用した例
である。レーザービームがＸＹ方向に精度よく動くよう
リニアモータでプリズム反射鏡２．３を移動させ、リー
ドフレーム７の状態で樹脂封止された半導体装置６の外
部導出リード８上ｙ）ｈｒｌ脂バリ部９をレーザービー
ム照射により除去している。
なお、プリズム反射鏡３とリードフレーム７との間のレ
ーザビーム経路途中には、半導体装置本体にレーザビー
ムが照射されないようにパターンを蒸着したガラス板よ
りなるパターンガラスマスク４と集光レンゲ５が設けら
れている。ＹＡＧレーザーの光は、ガラスを透過するの
で、樹脂バリを除去したいエリア以外は、ガラス板４上
に金蒸着を施すとこにより異なるリードフレームパター
ンに対しても容易に対応可能となる。
ーザビーム経路途中には、半導体装置本体にレーザビー
ムが照射されないようにパターンを蒸着したガラス板よ
りなるパターンガラスマスク４と集光レンゲ５が設けら
れている。ＹＡＧレーザーの光は、ガラスを透過するの
で、樹脂バリを除去したいエリア以外は、ガラス板４上
に金蒸着を施すとこにより異なるリードフレームパター
ンに対しても容易に対応可能となる。
また、レーザーの出力を制御することにより、樹脂バリ
の下にある外部導出リードを傷つけることなく、リード
フレーム上の樹脂バリのみを除去することが可能である
。
の下にある外部導出リードを傷つけることなく、リード
フレーム上の樹脂バリのみを除去することが可能である
。
その後外部導出リード部の外装メッキあるいは半田ディ
ッピング処理を施して半導体装置を完成させる。
ッピング処理を施して半導体装置を完成させる。
以上説明したよっに本発明は、半導体素子を樹脂封止し
た際に発生ずる樹脂バリをレーザーにより除去すること
により、外部導出リードの外装メッキあるいは半田デツ
ピング処理前のＣＩ！−。
た際に発生ずる樹脂バリをレーザーにより除去すること
により、外部導出リードの外装メッキあるいは半田デツ
ピング処理前のＣＩ！−。
Ｎａ＋等の不純物を含む溶液による処理をなくし、処理
工程を簡略化し、より信頼性の高い半導体装置を提供で
きる効果がある。
工程を簡略化し、より信頼性の高い半導体装置を提供で
きる効果がある。
また、樹脂バリ除去のための設備の簡素化、廃液処理問
題０作業環境問題の削減にも効果がある。
題０作業環境問題の削減にも効果がある。
第１図は本発明の一実施例に使用する樹脂バリ除去装置
の構成図、第２図は第１図Ａ部の拡大図である。 １・・・Ｎｄ：ＹＡＧレーザ−，２・・・プリズム反射
鏡、３・・・プリズム反射鏡、４・・・パターンガラス
マスク、５・・・集光レンズ、６・・・半導体装置、７
・・・リードフレーム、８・・・外部導出リード、９・
・・樹脂バリ部、１０・・・Ｘ軸送り方向調整、１１・
・・Ｙ軸道り方向調整、１２・・・リードフレーム送り
方向。 ソードフＬ−ス迂リカにり 茅１図 茅２図
の構成図、第２図は第１図Ａ部の拡大図である。 １・・・Ｎｄ：ＹＡＧレーザ−，２・・・プリズム反射
鏡、３・・・プリズム反射鏡、４・・・パターンガラス
マスク、５・・・集光レンズ、６・・・半導体装置、７
・・・リードフレーム、８・・・外部導出リード、９・
・・樹脂バリ部、１０・・・Ｘ軸送り方向調整、１１・
・・Ｙ軸道り方向調整、１２・・・リードフレーム送り
方向。 ソードフＬ−ス迂リカにり 茅１図 茅２図
Claims (1)
- 半導体素子を樹脂封止してなる半導体装置の製造方法に
おいて、半導体素子を樹脂封止した際に発生する樹脂バ
リ（レジン・フラッシュ）をレーザーにより除去するこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4970986A JPS62206841A (ja) | 1986-03-06 | 1986-03-06 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4970986A JPS62206841A (ja) | 1986-03-06 | 1986-03-06 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62206841A true JPS62206841A (ja) | 1987-09-11 |
Family
ID=12838716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4970986A Pending JPS62206841A (ja) | 1986-03-06 | 1986-03-06 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62206841A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01258403A (ja) * | 1988-04-08 | 1989-10-16 | Ushio Inc | 電子部品のレーザによる加工方法 |
| JPH03126048U (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-19 |
-
1986
- 1986-03-06 JP JP4970986A patent/JPS62206841A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01258403A (ja) * | 1988-04-08 | 1989-10-16 | Ushio Inc | 電子部品のレーザによる加工方法 |
| JPH03126048U (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-19 |
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