JPS60103628A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置の製造方法

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JPS60103628A
JPS60103628A JP21117383A JP21117383A JPS60103628A JP S60103628 A JPS60103628 A JP S60103628A JP 21117383 A JP21117383 A JP 21117383A JP 21117383 A JP21117383 A JP 21117383A JP S60103628 A JPS60103628 A JP S60103628A
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JP
Japan
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semiconductor device
burr
resin
laser beam
paris
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JP21117383A
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English (en)
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Yutaka Nagao
豊 長尾
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
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  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は樹脂封止型半導体装置の製造方法に関する。
〔従来技術〕
半導体装置は外部からの衝撃や湿気などの影響金さける
ため全体上熱硬化性樹脂で封止されて製造されることが
多い、この封止材料としては主にエポキシ樹脂が用いら
れ、封止方法としては量産性１作業性面からトランスフ
ァ成形法が多く用いられている。
トランスファ成形法に於ては、少くとも二つ割り以上の
金型を組み合せて使用するため、注入された樹脂の一部
が金型の隙間から押し出されて硬化し、いわゆる「パリ
」が半導体装置のリード線や放熱板面に形成される。
このパリは、リード線では後工程で半田メッキする場合
の障害となると共に、半導体装置の使用に際しソケット
とリード線間の接触不良の原因となり、また放熱板にお
いては熱抵抗を増大させ放熱特性を劣下させる。従って
このパリ作業は必須のものとなっている。
従来、このパリ全除去する方法としては、ブラシでこす
って除去する方法や、第１図に示したようにアルミナや
ガラスピーズ等の研磨材を混ぜた研磨溶液１ｔ−高圧下
でノズル２より吹き付け、半導体装置１０のリード線３
や放熱板４上に形成されたバリ５全機械的に除去する方
法等が用いられている。しかしながら、この吹付は方法
では封止樹脂面に保護板全固層すると共に、パリ取り洗
浄。
乾燥等の工程全必要とするため、ブラシを用いる方法と
同様に多くの工数上製し、しかも放熱板が荒れるという
欠点がある。
〔発明の目的〕
不発明の目的は、上記欠点全除去し、トランスファ成形
法により形成されたパリにレーザビームを照射すること
にエリパリを簡単に除去し生産性の同上した樹脂封止型
半導体装置の製造方法を提供することにある。
〔発明の構成〕
本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、トランス
ファ成形法によｐ半導体装置を樹脂封止する工程と、こ
の工程により生ずるパリにレーザビームを照射してこの
パリを除去する工程とを含んで構成される。
〔実施例の説明〕
次に本発明全図面を用いて説明する。
第２図は不発明の一実施例を説明するための半導体装置
の上面図である。
各リード線３Ｖｃ接続し放熱板４上に固層されてなる半
導体装置１０は一トランスファ成形法により樹脂封止さ
れると、リード線３や放熱板４の封止樹脂６と接する部
分にパリ５が形成される。このようにパリ５の形成され
た半導体装置１０をレーザ加工装置のＸ−Ｙテーブル７
ｖｃ載置する。そしてＸ−Ｙテーブル７を移動させなが
らパリ５の上面より矢印ＡまたはＢ方向にそってレーザ
ビーム全照射すると、パリ５は瞬時に破壊され蒸発し。
リード線３及び放熱板のパリ５に覆われていた面が露出
する。必要に応じてレーザビームの走査をくη返し全て
のパリを除去する。
レーザビームの照射条件は形成されたパリの厚さ９幅等
により適当に定める必要がある。すなわちパリ５の下に
あるリード線３や放熱板４の面に損傷金与えずしかもバ
リ全効率よく除去できる出力、ビーム径、走査速度等を
足めておく、またレーザビームの走査範囲のデータを半
導体装置の種類ごとにＸ−Ｙテーブルの制御部に入力し
ておくことにより自動的に必要な部分にレーザビームを
照射しパリを除去することができる。このようなレーザ
ビームの照射技術はＣＯ８レーザやＹＡ（Ｊレーザ愛用
いたレーザアニール技術あるいはレーザスクライブ技術
を応用することにより簡単に実施することができる。
このように、不発明によれは半導体装置には研磨剤やブ
ラシ等による物理的な力がほとんど加わらないため、制
止樹脂面や放熱板は荒れることがない、また従来の吹付
は法のように保護板の固着。
洗浄、乾燥等の工程が不要となるため作業工数を大幅に
削減することができる。
〔発明の効果〕
全照射し簡単にバＩＪ　を除去する半導体装置の製造方
法が得られるので生産性の向上に大きな効果がある。′
− ５−
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のバリ除去方法の一例全説明するための概
略斜視図、第２図は不発明の一実施例を説明するための
半導体装置の上面図である。 １・・・・・・研磨溶液、２・・・・・・ノズル、３・
川・・リード線、４・・・・・・放熱板、５・・・・・
・パリ、６・・川・封止樹脂。 ７・・・・・・Ｘ−Ｙテーブル、１０・山・・半導体装
置。 　６−

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. トランスファ成形法により半導体装置を樹脂封止する工
    程と、該工程により生ずるパリにレーザビームを照射し
    て該パリを除去する工程とを含むことを特徴とする樹脂
    封止型半導体装置の製造方法。
JP21117383A 1983-11-10 1983-11-10 樹脂封止型半導体装置の製造方法 Pending JPS60103628A (ja)

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